Graphene layer formation at low substrate temperature on a metal and carbon based substrate
Номер патента: US09875894B2
Опубликовано: 23-01-2018
Автор(ы): Anirudha V. Sumant, Diana BERMAN
Принадлежит: UChicago Argonne LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-01-2018
Автор(ы): Anirudha V. Sumant, Diana BERMAN
Принадлежит: UChicago Argonne LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Graphene layer formation at low substrate temperature on a metal and carbon based substrate
Номер патента: US20150206748A1. Автор: Diana BERMAN,Anirudha V. Sumant. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2015-07-23.