Semiconductor device and method of fabricating the same
Номер патента: US09754938B1
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): Jia-Rong Wu, Jyh-Shyang Jenq, Li-Wei Feng, Shih-Hung Tsai, Tien-Chen Chan, Tong-Jyun Huang, Yu-Shu Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): Jia-Rong Wu, Jyh-Shyang Jenq, Li-Wei Feng, Shih-Hung Tsai, Tien-Chen Chan, Tong-Jyun Huang, Yu-Shu Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device
Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.