• Главная
  • Photodetectors and photovoltaics based on semiconductor nanocrystals

Photodetectors and photovoltaics based on semiconductor nanocrystals

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Imaging device based on colloidal quantum dots

Номер патента: US12040418B2. Автор: Maria Antonietta Loi,Artem Gennadiiovych Shulga. Владелец: Rijksuniversiteit Groningen. Дата публикации: 2024-07-16.

Photodetectors and photovoltaic devices

Номер патента: US20190252631A1. Автор: Meng-Lin Tsai,Jr-Hau He. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-08-15.

Photodetectors and photovoltaic devices

Номер патента: US20180069185A1. Автор: Meng-Lin Tsai,Jr-Hau He. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-03-08.

InGaN-based Resonant Cavity Enhanced Detector Chip Based on Porous DBR

Номер патента: US20200035843A1. Автор: Jing Li,Chao Yang,LEI Liu,Lixia Zhao,Kaiyou Wang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

A back-contact solar cell, back-contact solar cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: WO2024188485A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Shengpu LIU. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-19.

A back-contact solar cell, back-contact solar cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: EP4432369A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Shengpu LIU. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-18.

Photovoltaic inspection system and photovoltaic inspection method

Номер патента: US09831827B2. Автор: Toru Kono,Minoru Kaneko,Yoshihito Narita,Kentarou Oonishi,Daisuke KATSUMATA. Владелец: Hitachi Systems Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Alloyed semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20140131632A1. Автор: Lianhua Qu. Владелец: CRYSTALPLEX CORP. Дата публикации: 2014-05-15.

Communication Host And Photovoltaic Power Generation System

Номер патента: US20190131793A1. Автор: Yu Gu,Jun Xu,Xinyu Wang,Yanfei YU,Yilei Gu. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Photovoltaic cell manufacturing method and photovoltaic cell manufacturing apparatus

Номер патента: US20110135187A1. Автор: Katsumi Yamane,Junpei Yuyama,Kazuhiro Yamamuro. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Profile component, profile, profile reinforcement, photovoltaic module frame and photovoltaic system

Номер патента: AU2023278065A1. Автор: Jianmei Xu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Highly luminescent semiconductor nanocrystals

Номер патента: US09714379B2. Автор: Moungi G. Bawendi,Daniel Harris. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Highly luminescent semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20150252257A1. Автор: Moungi G. Bawendi,Daniel Harris. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-09-10.

Light collection and photovoltaic member combination assembly

Номер патента: US20200194604A1. Автор: Marc Lyn Sundermeyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Solar roof tile with solar and photovoltaic production of hot water and electrical energy

Номер патента: CA2660817C. Автор: Maurizio De Nardis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-24.

Fluorescent solar conversion cells based on fluorescent terylene dyes

Номер патента: US20120138125A1. Автор: Martin KÖNEMANN,Peter Erk,Alfred Rennig,Axel Grimm,Arno BÖHM,Markus Hammermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-06-07.

Profile component, profile, profile reinforcement, photovoltaic module frame and photovoltaic system

Номер патента: US20240128388A1. Автор: Jianmei Xu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Profile assembly, profile, profile reinforcement member, photovoltaic module frame, and photovoltaic system

Номер патента: EP4366160A1. Автор: Jianmei Xu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band

Номер патента: WO2021146467A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: Hoon Kim. Дата публикации: 2021-07-22.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band

Номер патента: EP4091204A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-23.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band

Номер патента: US11888075B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-30.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band

Номер патента: US20240145606A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor

Номер патента: US20230402556A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor

Номер патента: US11777042B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-03.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for Continuous Photovoltaic Cell Stringing and Photovoltaic Cell Assembly

Номер патента: US20240063326A1. Автор: Marc Meuris,Tom Borgers. Владелец: Hasselt Universiteit. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same

Номер патента: US09444008B2. Автор: Dorai Ramprasad,Craig Breen,Jonathan S. Steckel. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same

Номер патента: US09534172B2. Автор: Dorai Ramprasad,Craig Breen,Jonathan S. Steckel. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor nanocrystals and methods of preparation

Номер патента: US09997706B2. Автор: Justin W. Kamplain,Zhengguo Zhu. Владелец: Samsung Research America Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor nanocrystals

Номер патента: EP3616244A1. Автор: Anshu Pandey,Biswajit Bhattacharyya,Guru Pratheep Rajasekar,Amit Kumar Simlandy. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2020-03-04.

Semiconductor nanocrystals

Номер патента: US09748422B2. Автор: Moungi G. Bawendi,Peter Matthew Allen. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor nanocrystal and preparation method thereof

Номер патента: US11898073B2. Автор: Eun-joo Jang,Seok-Hwan HONG,Shin-ae Jun,Hyo-Sook Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20200203472A1. Автор: Anshu Pandey,Biswajit Bhattacharyya,Guru Pratheep Rajasekar,Amit Kumar Simlandy. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20230392074A1. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Jeong Hee Lee,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US11767472B2. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Jeong Hee Lee,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20180040749A1. Автор: Moungi G. Bawendi,Peter Matthew Allen. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-02-08.

Light emitting device including semiconductor nanocrystals

Номер патента: CA2934970A1. Автор: Moungi G. Bawendi,Vladimir Bulovic,Wing-Keung Woo,Seth A. Coe. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Double-disc structure for self-biased circulators monolithically integrated on semiconductors

Номер патента: US12040525B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Soack Dae Yoon. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Copackaging photodetector and readout circuit for improved lidar detection

Номер патента: WO2022098507A1. Автор: Yue Lu,Youmin Wang,Vipul Chawla. Владелец: YE, Gang. Дата публикации: 2022-05-12.

Copackaging photodetector and readout circuit for improved LiDAR detection

Номер патента: US11965989B2. Автор: Yue Lu,Youmin Wang,Vipul Chawla. Владелец: Beijing Voyager Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Photodetectors and methods of formation

Номер патента: US20230369526A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jing-Hwang Yang,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals

Номер патента: US09671536B2. Автор: A. Paul Alivisatos,Shimon Weiss,Michael C. Schlamp. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor nanocrystals and methods

Номер патента: US09543142B2. Автор: Craig Breen,Inja Song. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods

Номер патента: US09431623B2. Автор: Seth Coe-Sullivan,Peter T. Kazlas,Ioannis Kymissis,Marshall Cox. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor nanocrystals and methods

Номер патента: US20170186608A1. Автор: Craig Breen,Inja Song. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US12060510B2. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes

Номер патента: WO2007009011A2. Автор: Kwang-Ohk Cheon. Владелец: Evident Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20230272277A1. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor nanocrystal probes for biological applications

Номер патента: CA2366303C. Автор: Shimon Weiss,Marcel Bruchez,Paul Alivisatos. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-01-12.

Deposition of semiconductor nanocrystals for light emitting devices

Номер патента: US09472723B2. Автор: Vladimir Bulovic,Ronny Costi,Katherine Wei Song. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-18.

Deposition of semiconductor nanocrystals for light emitting devices

Номер патента: US20140147951A1. Автор: Vladimir Bulovic,Ronny Costi,Katherine Wei Song. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for preparing semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20150044806A1. Автор: Mayank PURI,Craig A. Breen. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Organic compound and photovoltaic device comprising the same

Номер патента: US09508938B2. Автор: Pavel Ivan Lazarev,Alexey Nokel,Pavel Khokhlov. Владелец: Cryscade Solar Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power module based on normally-on semiconductor switches

Номер патента: EP3613132A1. Автор: Uwe Drofenik,Franziska Brem,Chunlei Liu,Francisco Canales. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-26.

Power module based on normally-on semiconductor switches

Номер патента: US20200059155A1. Автор: Uwe Drofenik,Franziska Brem,Chunlei Liu,Francisco Canales. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor nanocrystal heterostructures

Номер патента: CA2495309C. Автор: Moungi G. Bawendi,Sungjee Kim. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-11-08.

Leakage analysis on semiconductor device

Номер патента: US20210264093A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Yun-Xiang LIN,Cheng-Hua Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Leakage analysis on semiconductor device

Номер патента: US20210264092A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Yun-Xiang LIN,Cheng-Hua Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Leakage analysis on semiconductor device

Номер патента: US20230306181A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Yun-Xiang LIN,Cheng-Hua Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Leakage analysis on semiconductor device

Номер патента: US20200226229A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Yun-Xiang LIN,Cheng-Hua Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Electrodeposition on semiconductor material

Номер патента: CA1047654A. Автор: Norman Rain,Arthur B. J. Sullivan. Владелец: National Research Development Corp of India. Дата публикации: 1979-01-30.

Adhesion bond-breaking of lift-off regions on semiconductor structures

Номер патента: CA1192480A. Автор: Alvin A. Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-08-27.

Photodetector and electronic apparatus

Номер патента: WO2024116712A1. Автор: Atsushi Toda,Kazuhiro Yoneda,Satoru Yoshida,Shohei SHIMADA,Tsukasa Kagaya. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same

Номер патента: US09882083B2. Автор: Dorai Ramprasad. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making semiconductor nanocrystals

Номер патента: US9951272B2. Автор: Justin W. Kamplain. Владелец: Samsung Research America Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Fluorescent semiconductor nanocrystal material, preparation and application thereof

Номер патента: US11898072B2. Автор: Liang Li,Qinggang Zhang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20230313038A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Jeong Hee Lee,Jin A. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US11193061B2. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Jeong Hee Lee,Jin A Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20220089950A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Jeong Hee Lee,Jin A Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Photodetector and distance measurement apparatus

Номер патента: WO2023195235A1. Автор: Fumiaki Sano. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-12.

Pixel unit, photodetector and fabrication method thereof

Номер патента: US20240222406A1. Автор: XING Chen,Zhigao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate

Номер патента: US20230268175A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for detecting position of defect on semiconductor wafer

Номер патента: US20090009755A1. Автор: Satoshi Ikeda,Masayuki Yamamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Identification codes on semiconductor chips

Номер патента: US20230350309A1. Автор: Detlef Hofmann,Heiko Assmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of treatment of devices based on semiconductor and dielectric materials

Номер патента: US5997659A. Автор: Michael Lisiansky,Valentina Korchnoy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-07.

Method for improving the quality of metal conductor tracks on semiconductor structures

Номер патента: US6337263B1. Автор: Matthias Lehr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-01-08.

Method for depositing films on semiconductor wafers

Номер патента: US20160093487A1. Автор: Gijs Dingemans,Frank Huussen,Steven R.A. Van Aerde. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-03-31.

Epitaxial growth on semiconductor structures

Номер патента: US20200402798A1. Автор: Nicholas R. Tapias,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of etching refractory metal film on semiconductor structures

Номер патента: CA1217119A. Автор: James M. Cleeves,Kenneth J. Radigan. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1987-01-27.

Process for producing dense metal oxide coatings on semiconductor

Номер патента: US3720542A. Автор: H Sohlbrand. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-03-13.

Semiconductor nanocrystal composite

Номер патента: CA2460796C. Автор: Moungi G. Bawendi,Vikram C. Sundar,Hans J. Eisler. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-02-01.

Establishing application-based on routing policies in multi-mode user equipment

Номер патента: RU2656715C1. Автор: Вивек Дж. ГУПТА. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-06.

Methods and equipment for tracking goods based on chains of blocks

Номер патента: RU2742477C2. Автор: Даньцин ХУ. Владелец: Эдванст Нью Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-02-08.

Photodetector and control method for controlling photodetector

Номер патента: US20240073519A1. Автор: Yang-Sheng CHEN. Владелец: Innocare Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor photodetector and radial ray detector

Номер патента: US09568618B2. Автор: Toshiyuki Nishihara,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Prediction of motion compensation based on bidirectional optical flow

Номер патента: RU2763042C2. Автор: Янь Е,Сяоюй СЮ,Юйвэнь ХЭ. Владелец: Вид Скейл, Инк.. Дата публикации: 2021-12-27.

Inter-prediction method and device based on dmvr and bdof

Номер патента: US20220070466A1. Автор: Hyeongmoon JANG,Junghak NAM,Naeri PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-03.

Movement tracking based on image analysis

Номер патента: RU2387011C2. Автор: Фольке ИСАКССОН,Йохан БОРГ. Владелец: Сааб Аб. Дата публикации: 2010-04-20.

Suppression of acoustic echo based on noise environment

Номер патента: RU2464723C2. Автор: Цзиньчэн У,Джоэль А. КЛАРК. Владелец: Моторола Мобилити, Инк.. Дата публикации: 2012-10-20.

Mobile payment device based on biological technology, method and device

Номер патента: RU2649786C2. Автор: Юаньюань ХУАН,Ян ХУ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-04-04.

Method and device for provision of service based on location

Номер патента: RU2470485C2. Автор: Андреас ХОФФМАНН,Самули МАТТИЛА. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-20.

Event initiating device excited based on location

Номер патента: RU2432710C2. Автор: Дру МОРИН. Владелец: Телекоммьюникейшн Системз, Инк.. Дата публикации: 2011-10-27.

Content recommendations based on browsing information

Номер патента: RU2541191C2. Автор: Анджела С. УАЙЗ,Самартх С. ПАЙ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-02-10.

Detecting malicious activity on an endpoint based on real-time system events

Номер патента: US12041070B2. Автор: Guy Pilosof,Elad Wexler,Roni Moshitzky,Marat Khousid. Владелец: Palo Alto Networks Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Determining when a portable key device is on a front side or back side based on sound signals

Номер патента: SE2350726A1. Автор: Mattias HAEGER. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2024-03-28.

Beam failure detection in a second band based on measurements in a first band

Номер патента: US20210243073A1. Автор: Tao Luo,Arumugam Chendamarai Kannan,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Beam failure detection in a second band based on measurements in a first band

Номер патента: EP4097901A1. Автор: Tao Luo,Arumugam Chendamarai Kannan,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Beam failure detection in a second band based on measurements in a first band

Номер патента: WO2021154847A1. Автор: Tao Luo,Arumugam Chendamarai Kannan,Hamed Pezeshki. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Identifying threats based on hierarchical classification

Номер патента: US09800597B2. Автор: Michal Sofka,Karel Bartos. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Home automation control based on individual profiling using audio sensor data

Номер патента: US09798309B2. Автор: Christopher Boyd Tirpak. Владелец: EchoStar Technologies International Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Selection of air interface protocol based on spectral efficiency

Номер патента: US09503942B1. Автор: John W. Prock,Sreekar Marupaduga,Young Zhao. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Account generation based on external credentials

Номер патента: US09491155B1. Автор: Feng Xue,Gang Liu,Jesper Mikael Johansson,Cheng Hung Hui. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Identifying threats based on hierarchical classification

Номер патента: US09462008B2. Автор: Michal Sofka,Karel Bartos. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Measurements based on panel and census data

Номер патента: US09436775B2. Автор: Brian Pugh,Frank Eugene Pecjak. Владелец: Comscore Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Identification of idle network connections based on machine learning

Номер патента: RU2715802C1. Автор: Синь ЛИ,Фан ЯН. Владелец: ГУГЛ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-03-03.

Mobility management based on radio link failure reporting

Номер патента: RU2482625C2. Автор: Параг А. АГАШЕ,Натан Е. ТЕННИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-05-20.

Inverter, combiner box, and photovoltaic system

Номер патента: US12074563B2. Автор: Peng Ju,Tiansan LIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Power converting apparatus, and photovoltaic module including the same

Номер патента: US20190363645A1. Автор: Daihyun Kim,Sunho YU,Kanghwi KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-11-28.

Photovoltaic tile and photovoltaic roof with slope

Номер патента: EP4390006A1. Автор: Yifan Xie,Fei Zeng,Jianmei Xu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Voltage compensation device, inversion device, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4184743A1. Автор: Xun Wang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Inverting conversion circuit and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4383542A1. Автор: Wenbin Chen,Qing Bian. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Detection condition determining method, apparatus, and photovoltaic system

Номер патента: US11799419B2. Автор: Jianqiang Wang,Yanzhong ZHANG,Yongbing GAO,Song WAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Converter control method, converter, and photovoltaic power generation system

Номер патента: US11994893B2. Автор: Yu Wang,Guilei GU,Zhiwu Xu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Power converter box and photovoltaic system

Номер патента: EP4322400A1. Автор: DONG Chen,Zhen CAO,Xiaofeng YAO,Guilei GU,Jiebin CHENG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Power Converter Box and Photovoltaic System

Номер патента: US20240063754A1. Автор: DONG Chen,Zhen CAO,Xiaofeng YAO,Guilei GU,Jiebin CHENG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Parameter curve scanning method for photovoltaic string, converter, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP3926823A1. Автор: . Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Inverter circuit based on a heric topology, inverter, and photovoltaic power system

Номер патента: US12034380B2. Автор: Peng Shi,Zheng Ma,Dechen WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Reactive power adjustment method and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4340155A1. Автор: DONG Chen,Fei Xu,Kai Xin,Xiaofeng YAO,Xinyu Yu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Fault protection device and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4060846A1. Автор: DONG Chen,Jun Wang,Lei Shi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Voltage compensation apparatus, inverter apparatus, and photovoltaic power generation system

Номер патента: US20230155382A1. Автор: Xun Wang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Test apparatus of solar cell, and photovoltaic system including the same

Номер патента: US11588440B2. Автор: Jaehoon Lee,Kyongpil Tae,Bohyun JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-02-21.

Test apparatus of solar cell, and photovoltaic system including the same

Номер патента: US20210083622A1. Автор: Jaehoon Lee,Kyongpil Tae,Bohyun JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-03-18.

Fault protection apparatus and photovoltaic power generation system

Номер патента: US11811217B2. Автор: DONG Chen,Jun Wang,Lei Shi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Automatic wins and photovoltaic energy storage system for uninterrupted electricity generation and energy autonomy

Номер патента: EP3899212A1. Автор: Nicholas Pittas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-27.

Fault protection apparatus and photovoltaic inverter

Номер патента: US20240030703A1. Автор: DONG Chen,Jun Wang,Lei Shi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Neutral point clamped inverter and photovoltaic power supply system

Номер патента: EP4250550A1. Автор: Lei Shi,Xudong Wang,Zhaohui Wang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Impedance detection method and photovoltaic system

Номер патента: US20230378908A1. Автор: Yongbing GAO,Tiansan LIN,Jianfei LIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Impedance measurement method and photovoltaic system

Номер патента: EP4290764A1. Автор: Yongbing GAO,Tiansan LIN,Jianfei LIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Executive device based on electroactive material

Номер патента: RU2762347C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Ахим ХИЛЬГЕРС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-12-20.

Systems and methods for controlling lighting based on written content on smart coated surfaces

Номер патента: EP4393275A1. Автор: Abhishek MURTHY,Daksha YADAV. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Systems and methods for controlling lighting based on written content on smart coated surfaces

Номер патента: US20240357721A1. Автор: Abhishek MURTHY,Daksha YADAV. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-10-24.

Harmonic transformation based on a block of subranges amplified by cross products

Номер патента: RU2694587C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2019-07-16.

Methods for verifying fluid movement using semiconductor nanocrystals

Номер патента: NZ538712A. Автор: Bruce Phelps,Charles Harrington,Willy Lagwinski. Владелец: Chiron Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Water-soluble fluorescent semiconductor nanocrystals

Номер патента: CA2344479C. Автор: Moungi G. Bawendi,Frederick V. Mikulec,Jin-Kyu Lee. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor nanocrystals for inventory control

Номер патента: US6602671B1. Автор: Moungi G. Bawendi,Klavs F. Jensen. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-08-05.

Biological applications of semiconductor nanocrystals

Номер патента: GB2342651B. Автор: Moungi G Bawendi,Frederick V Mikulec,Vikram C Sundar. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2001-10-17.

Water-stable semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same

Номер патента: WO2008057633A1. Автор: WEI Liu,Michael LoCascio,Daniel Landry. Владелец: Evident Technologies, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Biological applications of semiconductor nanocrystals

Номер патента: AU6392399A. Автор: Moungi G. Bawendi,Frederick V. Mikulec,Vikram C. Sundar. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-10.

Water-soluble fluorescent semiconductor nanocrystals

Номер патента: WO2000017655A8. Автор: Jin-Kyu Lee,Moungi G Bawendi,Frederick V Mikulec. Владелец: Frederick V Mikulec. Дата публикации: 2001-03-08.

Multi-chromatic capped semiconductor nanocrystals

Номер патента: US20190249079A1. Автор: Benjamin Brenny,Katerina Dohnalova,Benjamin Bruhn. Владелец: Universiteit Van Amsterdam . Дата публикации: 2019-08-15.

Pulsed laser cleaning of debris accumulated on glass articles in vehicles and photovoltaic assemblies

Номер патента: US20220089128A1. Автор: Phiroze Dalal. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor nanocrystals for time domain optical imaging

Номер патента: WO2007095723A1. Автор: Abedelnasser Abulrob,Kui Yu. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2007-08-30.

Multi-chromatic capped semiconductor nanocrystals

Номер патента: EP3510121A1. Автор: Benjamin Brenny,Katerina Dohnalova,Benjamin Bruhn. Владелец: Universiteit Van Amsterdam . Дата публикации: 2019-07-17.

Fluorogenic semiconductor nanocrystals

Номер патента: EP2718719A1. Автор: Lawrence Greenfield,Eric Welch,Michael Ignatius,David Bussian. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

Signal peptide-semiconductor nanocrystal conjugates

Номер патента: WO2007013877A3. Автор: Daniele Gerion,Fanqing Chen. Владелец: Fanqing Chen. Дата публикации: 2007-07-12.

Dispatch integration system and method based on semiconductor manufacturing

Номер патента: US20070129833A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yu-Wen Ho,Hung-En Tai. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of increasing shell life expiration of books based on paper materials

Номер патента: RU2672138C1. Автор: . Владелец: Иванов Геннадий Владимирович. Дата публикации: 2018-11-12.

Process for the deposition of metals on semiconductor powders

Номер патента: US4619838A. Автор: Kurt Meier,Niklaus Buhler,Jean-Francois Reber. Владелец: Ciba Geigy Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Controlling flap loading on a wind turbine blade based on predicted flap loading

Номер патента: US12006916B2. Автор: Kasper Zinck,Tobias Gybel Hovgaard. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-06-11.

Human-machine interaction method and system based on eye movement tracking

Номер патента: US20240152203A1. Автор: Vincent Jiang,Hailiang Han. Владелец: Vantronics Hangzhou Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system of reducing power consumption of system on chip based on analog-to-digital control circuitry

Номер патента: WO2009038645A1. Автор: Lewis Adams,Alan Herring. Владелец: Gainspan, Inc.. Дата публикации: 2009-03-26.

Method and system of reducing power consumption of system on chip based on analog-to-digital control circuitry

Номер патента: EP2188695A1. Автор: Lewis Adams,Alan Herring. Владелец: Gainspan Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Method of manufacturing sterilised and calibrated medical device based on biosensor (versions)

Номер патента: RU2357759C2. Автор: Мария ТЕОДОРЧИК. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Animal fodders based on genome data

Номер патента: RU2413004C2. Автор: Ким Джин ФРИЗЕН,Райан Майкл ЯМКА. Владелец: Хилл`С Пет Ньютришн, Инк.. Дата публикации: 2011-02-27.

Photodetectors and methods and ranging devices and methods

Номер патента: US12092769B2. Автор: Takehito Nonomura. Владелец: Nikon Vision Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Photodetector and optical pickup apparatus

Номер патента: US20080056103A1. Автор: Hiroyuki Shindo,Ryoichi Kawasaki. Владелец: Sanyo Optec Design Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Shell structures for colloidal semiconductor nanocrystals

Номер патента: WO2020132245A1. Автор: Keith Kahen. Владелец: Lumisyn LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Dynamic gain adjustment based on distance to target in an active light detection system

Номер патента: US20230008751A1. Автор: Walter R. Eppler,Adam Robert Bush. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of detecting abnormality on semiconductor device

Номер патента: US20110194360A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Systems and methods of segmenting medical images based on anatomical landmark-based features

Номер патента: RU2699499C2. Автор: Сяо ХАНЬ,Янь ЧЖОУ. Владелец: Электа, Инк.. Дата публикации: 2019-09-05.

Apparatus for providing depletion-free uniform thickness cvd thin-film on semiconductor wafers

Номер патента: CA1217936A. Автор: Morris Simson,Robert F. Sarkozy. Владелец: BTU Engineering Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Method to control drilling rig based on loading data (versions)

Номер патента: RU2445440C2. Автор: Фредерик М. НЬЮМАН. Владелец: Ки Энерджи Сервисиз, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Support for making decisions based on manual

Номер патента: RU2638730C2. Автор: Арвид Рэндал НИКОЛАС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-15.

Inter-system data interaction platform based on data tags and application method thereof

Номер патента: RU2670800C1. Автор: Лидун ЦЮЙ. Владелец: Лидун ЦЮЙ. Дата публикации: 2018-10-25.

System and method for measuring refraction error of eye based on subjective measurement of distance

Номер патента: RU2706372C9. Автор: Офер ЛАЙМОН. Владелец: 6 ОВЕР 6 ВИЖН Лтд. Дата публикации: 2020-08-12.

Drug for injection based on saponin b4 pulsatilla

Номер патента: RU2759382C2. Автор: Ци Лю. Владелец: Ци Лю. Дата публикации: 2021-11-12.

Association rule mining method based on vector operations

Номер патента: NL1042116B1. Автор: Zhou Bin,Li Bo,PEI Zheng. Владелец: Univ Xihua. Дата публикации: 2017-09-07.

Method and apparatus for recognizing user based on on-device training

Номер патента: US20240232619A9. Автор: JaeJoon HAN,Dohwan LEE,Kyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Image generation based on ethical viewpoints

Номер патента: EP4198906A1. Автор: Kanji Uchino,Ramya Malur SRINIVASAN. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Association rule mining method based on vector operations

Номер патента: NL1042116A. Автор: Zhou Bin,Li Bo,PEI Zheng. Владелец: Univ Xihua. Дата публикации: 2017-05-19.

Method and system for providing search results for similar products based on deep-learning

Номер патента: US12062077B2. Автор: Gunhan PARK,Chiyoung SONG. Владелец: NHN Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and system for designing circuit based on reinforcement learning

Номер патента: US20240220701A1. Автор: Taehyun Kim,Hyunjoong Kim,Jichull Jeong,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and system for automatic picking of borehole acoustic events based on new objective function

Номер патента: US12092782B2. Автор: Xuekai SUN,Christopher AYADIUNO. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-09-17.

Multiplex analyses based on aptamers

Номер патента: RU2666989C2. Автор: Гленн САНДЕРС,Стефан КРЭМЕР,Эвалдас КАТИЛИУС. Владелец: Сомалоджик, Инк.. Дата публикации: 2018-09-13.

System and method for measuring refraction error of eye based on subjective measurement of distance

Номер патента: RU2706372C1. Автор: Офер ЛАЙМОН. Владелец: 6 ОВЕР 6 ВИЖН Лтд. Дата публикации: 2019-11-18.

Method of depositing hard coatings based on hydraulically setting coating materials

Номер патента: RU2460709C2. Автор: Клаус БОНИН. Владелец: Ваккер Хеми Аг. Дата публикации: 2012-09-10.

Water-soluble systems based on epoxy resins

Номер патента: RU2518123C2. Автор: Роланд ФЕОЛА. Владелец: Аллнэкс Аустриа Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THERMAL DEVICE AND PHOTOVOLTAIC MODULE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000508A1. Автор: Yip Chui-Ling. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display of Devices on an Interface based on a Contextual Event

Номер патента: US20120001723A1. Автор: Hunter Jim. Владелец: MOTOROLA MOBILITY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Interacting with Peer Devices Based on Machine Detection of Physical Characteristics of Objects

Номер патента: US20120001724A1. Автор: Belimpasakis Petros. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Binding Moieties Based On Shark IgNAR Domains

Номер патента: US20120003214A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Dynamic Changes to a User Profile Based on External Service Integration

Номер патента: US20120003931A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Vaccines Based on Targeting Antigen to DCIR Expressed on Antigen-Presenting Cells

Номер патента: US20120004643A1. Автор: . Владелец: BAYLOR RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

IDENTIFYING A LEAD RELATED CONDITION BASED ON MOTION-BASED LEAD IMPEDANCE FLUCTUATIONS

Номер патента: US20120004699A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHOD FOR VOLITIONAL CONTROL OF JOINTED MECHANICAL DEVICES BASED ON SURFACE ELECTROMYOGRAPHY

Номер патента: US20120004736A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDIATION OF TASKS BASED ON ASSESSMENTS OF COMPETING COGNITIVE LOADS AND NEEDS

Номер патента: US20120004802A1. Автор: . Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR COMPUTING NECESSARY TIME FOR TRAVEL BASED ON WAITING TIME

Номер патента: US20120004840A1. Автор: . Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING SIGNAL INTERFERENCE IN WIRELESS RELAY NETWORK BASED ON SYNCHRONOUS HARQ

Номер патента: US20120002597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE INTERPOLATING METHOD BASED ON DIRECTION DETECTION AND DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120002902A1. Автор: Zhou Jin,Liu Qifeng. Владелец: POWERLAYER MICROSYSTEMS HOLDING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinkable Materials Based On Organosilicon Compounds

Номер патента: US20120004364A1. Автор: . Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING MICRO-PERIMETRY EXAMS BASED ON A RETINAL VOLUME IMAGE AND A WELL REGISTERED FUNDUS IMAGE

Номер патента: US20120002856A1. Автор: . Владелец: OPHTHALMIC TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Safety system based on pilot vitals control

Номер патента: RU2443018C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВТЭКС". Дата публикации: 2012-02-20.

Method and apparatus for protection from lightning based on lightning-protection film

Номер патента: RU2444819C2. Автор: Гонгчун ЖУАНГ. Владелец: Гонгчун ЖУАНГ. Дата публикации: 2012-03-10.

Single-layer perceptron based on selective neurons

Номер патента: RU2597497C2. Автор: Михаил Ефимович Мазуров. Владелец: Михаил Ефимович Мазуров. Дата публикации: 2016-09-10.