Fabrication of III-nitride power device with reduced gate to drain charge.

Fabrication of III-nitride power device with reduced gate to drain charge

Номер патента: US09711614B2
Опубликовано: 18-07-2017
Автор(ы): Jianjun Cao, Sadiki Jordan
Принадлежит: Infineon Technologies North America Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication of III-Nitride Power Device with Reduced Gate to Drain Charge

Номер патента: US20150380518A1. Автор: Cao Jianjun,Jordan Sadiki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Vertical III-nitride semiconductor device with a vertically formed two dimensional electron gas

Номер патента: US09490357B2. Автор: Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Sameh G. Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Active area shaping of III-nitride devices utilizing a field plate defined by a dielectric body

Номер патента: US09525052B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

NUCLEATION LAYER FOR GROWTH OF III-NITRIDE STRUCTURES

Номер патента: US20180069085A1. Автор: Johnson Wayne,MARCHAND Hugues,Laboutin Oleg,Kao Chen-Kai,Lo Chien-Fong. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

NUCLEATION LAYER FOR GROWTH OF III-NITRIDE STRUCTURES

Номер патента: US20180277639A1. Автор: Johnson Wayne,MARCHAND Hugues,Laboutin Oleg,Kao Chen-Kai,Lo Chien-Fong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Nucleation layer for growth of III-nitride structures

Номер патента: US9917156B1. Автор: Wayne Johnson,Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Chien-Fong Lo,Hugues Marchand. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2018-03-13.

III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature

Номер патента: US09640649B2. Автор: Robert Beach. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Programmable Gate III-Nitride Power Transistor

Номер патента: US20120091470A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-04-19.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Scandium-Containing III-N Etch-Stop Layers for Selective Etching of III-Nitrides and Related Materials

Номер патента: US20180130883A1. Автор: David J. Meyer,Matthew T. Hardy,Brian P. Downey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride JFET and MOSFET power devices

Номер патента: US12080757B2. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride jfet and mosfet power devices

Номер патента: US20230127978A1. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride JFET and MOSFET power devices

Номер патента: US11824086B2. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and system for super-junction based vertical gallium nitride jfet and mosfet power devices

Номер патента: US20210399091A1. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of fabricating super-junction based vertical gallium nitride jfet and mosfet power devices

Номер патента: US20240105767A1. Автор: Hao Cui,Clifford Drowley. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing Steps of Source-Side and Drain-Side Field Plates

Номер патента: US20140070280A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-03-13.

High performance III-nitride power device

Номер патента: US09472626B2. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

High Performance III-Nitride Power Device

Номер патента: US20150171172A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-06-18.

III-Nitride Power Device

Номер патента: US20130248884A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-26.

III-Nitride Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110241019A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-10-06.

Power Device with Current Sense

Номер патента: US20240222487A1. Автор: Florin Udrea,Philip Neaves. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Fabrication of single or multiple gate field plates

Номер патента: US09496353B2. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra,Alessandro Chini. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for large scale growth and fabrication of iii-nitride devices on 2d-layered h-bn without spontaneous delamination

Номер патента: EP3973575A1. Автор: Abdallah Ougazzaden,Suresh Sundaram,Taha AYARI. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for large scale growth and fabrication of iii-nitride devices on 2d-layered h-bn without spontaneous delamination

Номер патента: WO2020234847A1. Автор: Abdallah Ougazzaden,Suresh Sundaram,Taha AYARI. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-26.

III-V semiconductor device with integrated protection functions

Номер патента: US12046667B2. Автор: Martin Arnold,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Loizos Efthymiou. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

III-nitride device with improved layout geometry

Номер патента: US20050139891A1. Автор: Robert Beach,Paul Bridger. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-06-30.

Lateral power device with reduced on-resistance

Номер патента: US20200075726A1. Автор: Jianjun Cao,Fang Chang Liu,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Lateral power device with reduced on-resistance

Номер патента: EP3844820A1. Автор: Jianjun Cao,Fang Chang Liu,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Fabrication of III-nitride layers

Номер патента: US9202687B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Scandium-Containing III-N Etch-Stop Layers for Selective Etching of III-Nitrides and Related Materials

Номер патента: US20180130883A1. Автор: MEYER David J.,Hardy Matthew T.,Downey Brian P.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-05-10.

Composite of III-Nitride Crystal on Laterally Stacked Substrates

Номер патента: US20150008563A1. Автор: Hideaki Nakahata,Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: AU2003217412A8. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated iii-nitride power devices

Номер патента: KR100868103B1. Автор: 로버트 비치,다니엘 엠. 킨저. Владелец: 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션. Дата публикации: 2008-11-11.

III-Nitride Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160380092A1. Автор: Herman Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

High Performance III-Nitride Power Device

Номер патента: US20150171172A1. Автор: He Zhi,Cao Jianjun,Beach Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

III-Nitride Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160380046A1. Автор: Herman Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: CN101410975B. Автор: T·赫尔曼. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-02-01.

Iii-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20090039392A1. Автор: Thomas Herman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device with hollow chambers

Номер патента: WO2024153319A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Power Semiconductor Device with Oscillation Prevention

Номер патента: US20140312429A1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-23.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: CN101232046A. Автор: 丹尼尔·M·金策. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-07-30.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US11088247B2. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-08-10.

Power semiconductor device with an auxiliary gate structure

Номер патента: US20200335493A1. Автор: Martin Arnold,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Loizos Efthymiou,John William FINDLAY,David Bruce VAIL. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: US20130234208A1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-12.

Tapered nanowire structure with reduced off current

Номер патента: US09514937B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabrication of nano-sheet transistors with different threshold voltages

Номер патента: USRE49954E1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication

Номер патента: US09583353B2. Автор: Jung Han. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical Transistor with Reduced Gate Length Variation

Номер патента: US20190371919A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Processes for manufacturing MOSFET devices with excessive round-hole shielded gate trench (SGT)

Номер патента: US7932148B2. Автор: Yu Wang,Hong Chang,Tiesheng Li,Sung-Shan Tai. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Fet device with reduced overlap capacitance and method of manufacture

Номер патента: CA1049157A. Автор: Ronald P. Esch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating super-junction power device with reduced miller capacitance

Номер патента: US20130260523A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Trench metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) with low gate to drain coupled charges (Qgd) structures

Номер патента: US20120083083A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Nanowire structure with selected stack removed for reduced gate resistance and method of fabricating same

Номер патента: US09461149B2. Автор: Hongmei Li,Kai Zhao,Junjun Li,Xiaoping Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: EP3378095A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Metal Wiring Method for Reducing Gate Resistance of a Narrow Control Gate Structure

Номер патента: US20210305051A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhuo Wang,Shida DONG,Zhengkang Wang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-30.

Fabrication of nanowire field effect transistor structures

Номер патента: US09576856B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device with offset sidewall structure

Номер патента: US7998802B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device with offset sidewall structure

Номер патента: US20070202634A1. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Process for manufacturing a power device with a trench-gate structure and corresponding device

Номер патента: US09536743B2. Автор: Giacomo Barletta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-01-03.

Heterogeneous Chip Integration of III-Nitride-based Materials for Optoelectronic Device Arrays in the Visible and Ultraviolet

Номер патента: US20220278073A1. Автор: John A. Carlson,John Michael Dallesasse. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-09-01.

Nanowire transistor with reduced parasitics and method for making such a transistor

Номер патента: EP3397589A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-07.

Nanowire transistor with reduced parasitics and method for making such a transistor

Номер патента: WO2017116545A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-07-06.

Fabrication of graphene-based electrodes with ultra-short channel length

Номер патента: WO2023156998A1. Автор: Ariel Ismach,Kamalakannan RANGANATHAN,Assael COHEN,Pranab Kishore Mohapatra. Владелец: Shushan, Keren. Дата публикации: 2023-08-24.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20190067435A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20170186846A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved template layers for heteroepitaxial deposition of III nitride semiconductor materials using HVPE processes

Номер патента: CN103238203A. Автор: S·马哈詹,C·阿里纳,R·T·小伯特伦,E·林多,I·韩. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2013-08-07.

Fabrication of silicon germanium-on-insulator finFET

Номер патента: US09899253B2. Автор: Hong He,Qing Liu,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with field effect transistor

Номер патента: US20230326921A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with resonant tunneling diode and field effect transistor

Номер патента: WO2023194836A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut,Bogdan ZOTA. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-10-12.

TEMPLATE LAYERS FOR HETEROEPITAXIAL DEPOSITION OF III NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIALS USING HVPE PROCESSES

Номер патента: US20140217553A1. Автор: Arena Chantal,Lindow Ed,Bertram,JR. Ronald Thomas,HAN Ilsu,Mahajan Subhash. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

Method for the formation of a finfet device with epitaxially grown source-drain regions having a reduced leakage path

Номер патента: US20160071772A1. Автор: Stephane Monfray,Nicolas Loubet,Ronald K. Sampson. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-10.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20190035695A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Vertical dmosfets with buried shield for reduced gate-to-drain charge

Номер патента: WO2024206640A1. Автор: Dallas T Morisette,James Albert Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Radio frequency (RF) power devices having faraday shield layers therein

Номер патента: US20020056883A1. Автор: Bantval Baliga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Transistor device with reduced gate resistance

Номер патента: US20130337618A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Transistor device with reduced gate resistance

Номер патента: US20130082243A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods and Apparatus for Reduced Gate Resistance FinFET

Номер патента: US20130154011A1. Автор: Tzu-Jin Yeh,Chewn-Pu Jou,Hsieh-Hung HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device with reduced miller capacitance and fabrication method thereof

Номер патента: US8969952B2. Автор: Yung-Fa Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170154993A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Reduced gate charge field-effect transistor

Номер патента: US09755066B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method to make gate-to-body contact to release plasma induced charging

Номер патента: US09379104B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Fabrication of logic devices and power devices on the same substrate

Номер патента: US20200258790A1. Автор: John G. Gaudiello,Kangguo Cheng,Juntao Li,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Power device with trenched gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120256230A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Fork Sheet with Reduced Coupling Effect

Номер патента: US20230178559A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of nano-sheet transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09653289B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Etch stop region based fabrication of bonded semiconductor structures

Номер патента: US09865747B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US11784095B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for the fabrication of thin-film transistors together with other components on a substrate

Номер патента: US20160107885A1. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for the fabrication of thin-film transistors together with other components on a substrate

Номер патента: US09446946B2. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Fabrication of fets

Номер патента: CA1203322A. Автор: Frederick Vratny,William T. Lynch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1986-04-15.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: EP3815148A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US20210098697A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: WO2019236273A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US11545623B2. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Silicon carbide power device with improved robustness and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230092543A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera,Claudio CHIBBARO,Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20180331104A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089953A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089952A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Common fabrication of multiple FinFETs with different channel heights

Номер патента: US09960257B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070158762A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070252241A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US8987028B2. Автор: Zhiyuan Cheng,James Fiorenza,Glyn Braithwaite,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Device structure with increased contact area and reduced gate capacitance

Номер патента: US20140167164A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359747A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12094973B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integration of active power device with passive components

Номер патента: US09704855B2. Автор: Shuming Xu,Wenhua Dai. Владелец: Coolstar Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fabrication of radio-frequency devices with amplifier voltage limiting features

Номер патента: US20170373052A1. Автор: Michael Joseph McPartlin,Anthony Francis Quaglietta. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Power MOS device with buried gate

Номер патента: US20030011027A1. Автор: Jun Zeng,Christopher Kocon,Gary Dolny,Linda Brush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Fabrication of III-Nitride Power Semiconductor Device

Номер патента: US20150357182A1. Автор: Briere Michael A.,Bridger Paul,Beach Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element

Номер патента: US20030119239A1. Автор: Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Fabrication of III-Nitride Semiconductor Device and Related Structures

Номер патента: US20140106548A1. Автор: Briere Michael A.,Bridger Paul,Beach Robert. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Fabrication of III-Nitride Semiconductor Device and Related Structures

Номер патента: US20150037965A1. Автор: Briere Michael A.,Bridger Paul,Beach Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Fabrication of III-Nitride Layers

Номер патента: US20140213046A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element

Номер патента: TW518767B. Автор: Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2003-01-21.

The epitaxy of III nitride compound semiconductors structures

Номер патента: CN102174708B. Автор: J·史密斯,S·尼杰哈瓦,D·布尔,L·华盛顿,R·斯蒂文斯,D·埃格莱希姆. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it

Номер патента: US6844246B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masahito Kodama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-18.

GROWTH OF III-NITRIDE SEMICONDUCTORS ON THIN VAN DER WAALS BUFFERS FOR MECHANICAL LIFT OFF AND TRANSFER

Номер патента: US20190035624A1. Автор: Snure Michael R.,Siegel Gene P.,Paduano Qing. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

MOCVD System for Growth of III-Nitride and Other Semiconductors

Номер патента: US20170369995A1. Автор: Khan Asif. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices

Номер патента: US6576932B2. Автор: Reena Khare,Werner K. Goetz,Michael D. Camras. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-06-10.

Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: AU2001236076A1. Автор: Seiji Nagai,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-12.

Growth of III-nitride light-emitting devices on textured substrates

Номер патента: EP1641051A2. Автор: Steven A. Maranowski,Andrew Y. c/o Lumileds Lighting U.S LLC KIM. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2006-03-29.

Increasing the brightness of III-Nitride light emitting devices

Номер патента: US20030205717A1. Автор: Michael CAMRAS,Reena Khare,Werner Goetz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-11-06.

Improve the epitaxial growth method of iii-nitride light emitting devices p-type doping concentration

Номер патента: CN105720139B. Автор: 姜伟,张永,陈凯轩,林志伟,卓祥景,方天足,刘碧霞. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-08.

Growth of iii-nitride light-emitting devices on textured substrates

Номер патента: TWI407580B. Автор: Steven A Maranowski,Andrew Y Kim. Владелец: Philips Lumileds Lighting Co. Дата публикации: 2013-09-01.

Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers

Номер патента: TW200501451A. Автор: Junko Kobayashi,Werner K Goetz. Владелец: Lumileds Lighting Llc. Дата публикации: 2005-01-01.

Non-planar electrostatic discharge (esd) protection devices with nano heat sinks

Номер патента: US20180226317A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ,Milova PAUL. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Composite of III-Nitride Crystal on Laterally Stacked Substrates

Номер патента: US20140175616A1. Автор: Uematsu Koji,Okahisa Takuji,Nakahata Hideaki,NAKAHATA Seiji,Mizuhara Naho,Miyanaga Michimasa,Tanizaki Keisuke. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-26.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: WO2002001623A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2002-01-03.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: EP1303872A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-04-23.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US11004737B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

A method for improved fabrication of a semiconductor using a stress proximity technique process

Номер патента: SG144899A1. Автор: Chen Xiangdong,TEH Young Way,GAO Wenzhi,KO Young Gun,Christopher Vincent Baiocco. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor devices with improved local matching and end resistance of diffusion resistors

Номер патента: WO2010138308A1. Автор: Andreas Kurz,James F. Buller,Kaveri MATHUR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2010-12-02.

Integrated circuit device with reduced n-p boundary effect

Номер патента: US20240321887A1. Автор: Yang Zhang,ZHENG GUO,Feng Zhang,Robin Chao,Guowei Xu,Yusung KIM,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Power device with high switching speed and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2004102671A1. Автор: Cesare Ronsisvalle. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor device with a field plate double trench having a thick bottom dielectric

Номер патента: US09735241B2. Автор: Ljubo Radic,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication

Номер патента: US20140003458A1. Автор: Jung Han. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-02.

Process for fabrication of superconducting vias for electrical connection to groundplane in cryogenic detectors

Номер патента: US09865795B1. Автор: Kevin L. Denis. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods Of Forming Contact Openings And Methods Of Increasing Contact Area In Only One Of X and Y Axes In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20110306206A1. Автор: Anton Devilliers,Mark Kiehlbauch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, Method of depositing silicon dioxide-comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells

Номер патента: US20060160375A1. Автор: Gurtej Sandhu,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Fabrication of grooved semiconductor devices

Номер патента: CA1225465A. Автор: Daniel P. Wilt,William C. Dautremont-Smith. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-08-11.

Fabrication of high-aspect ratio nanostructures by localized nanospalling effect

Номер патента: US20220100093A1. Автор: Ricardo JANEIRO,Raquel FLORES,Jaime Viegas. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device with reduced capacitance

Номер патента: US20190043882A1. Автор: Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Fabrication of hybrid semiconductor circuits

Номер патента: US09564452B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Vidyadhar Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Fabrication of nickel free silicide for semiconductor contact metallization

Номер патента: US20150061032A1. Автор: Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for eliminating inverse narrow width effects in the fabrication of DRAM device

Номер патента: US20050003608A1. Автор: Yinan Chen,Tieh-Chiang Wu,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for fabrication of a sensor device

Номер патента: US20170254769A1. Автор: Matthias Studer,Ulrich Bartsch,Silvio GRAF. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US09548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

High density CMOS devices with conductively interconnected wells

Номер патента: US4528581A. Автор: William W. Y. Lee. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-07-09.

Structures and Methods with Reduced Sensitivity to Surface Charge

Номер патента: US20160133694A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge

Номер патента: EP3075009A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge

Номер патента: US09614028B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device with guard ring isolating power device

Номер патента: US12113102B2. Автор: Hyunchul Kim,Taehoon Lee,Kwangil Kim,Insu JUNG,Kyungbae LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of building a distributed power device with dual function minority carrier reduction

Номер патента: US20030227070A1. Автор: David Grant,Taylor Efland,Chin-Yu Tsai,David Briggs,Ramanathan Ramani,Dale Skelton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Heterogeneous Chip Integration of III-Nitride-based Materials for Optoelectronic Device Arrays in the Visible and Ultraviolet

Номер патента: US20220278073A1. Автор: CARLSON JOHN A.,Dallesasse John Michael. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor devices with reduced active region deffects and unique contacting schemes

Номер патента: US20040121507A1. Автор: Clifford King,Jeffrey Bude,Malcolm Carroll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Fabrication of M-plane Gallium Nitride

Номер патента: US20170345650A1. Автор: Jenn-Kai Tsai,I-Kai LO,Shuo-Ting You. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Plasma-assisted mocvd fabrication of p-type group iii-nitride materials

Номер патента: WO2012122331A3. Автор: Olga Kryliouk,Karl Brown,David Bour,Kevin Griffin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Process for fabrication of semiconductors utilizing selectively etchable diffusion sources in combination with melt-flow techniques

Номер патента: US4204894A. Автор: Kazufumi Ogawa,Tadao Komeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Polarizing exposure apparatus using a polarizer and method for fabrication of a polarizing mask by using a polarizing exposure apparatus

Номер патента: US5245470A. Автор: Eun S. Keum. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-14.

Methods and structures to improve the performance of iii-nitride tunnel junctions

Номер патента: WO2023159192A3. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Philip Chan,Daniel A. Cohen,Matthew S. WONG,Emily TRAGESER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-11-30.

A kind of III nitride semiconductor avalanche photodiode detector

Номер патента: CN106711253B. Автор: 江灏,李顺峰,罗睿宏. Владелец: Jiangsu Hua Hua Third Generation Semiconductor Industry Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-27.

Epitaxial growth method of III-nitride semiconductors

Номер патента: GB9920048D0. Автор: . Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-27.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing Multiple Dielectric Materials

Номер патента: US20140070278A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing a Source-Side Field Plate and a Wider Drain-Side Field Plate

Номер патента: US20140070279A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Active Area Shaping of III-Nitride Devices Utilizing A Field Plate Defined By A Dielectric Body

Номер патента: US20140097471A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-10.

REDUCTION IN LEAKAGE CURRENT AND INCREASE IN EFFICIENCY OF III-NITRIDE LEDS BY SIDEWALL PASSIVATION USING ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20210193871A1. Автор: DenBaars Steven P.,Hwang David,Wong Matthew S.,Alhassan Abdullah. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-06-24.

INTEGRATION OF III-NITRIDE NANOWIRE ON TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATES FOR OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20180248077A1. Автор: OOI Boon S.,JANJUA Bilal,NG Tien Khee,PRABASWARA Aditya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

INTEGRATION OF III-NITRIDE NANOWIRE ON TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATES FOR OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20200259047A1. Автор: OOI Boon S.,JANJUA Bilal,NG Tien Khee,PRABASWARA Aditya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

A kind of iii-nitride light emitting devices and preparation method thereof

Номер патента: CN107808912A. Автор: 林兓兓,蔡吉明,林继宏. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-16.

Method of controlling active layer of iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: KR100565894B1. Автор: 유태경,박은현. Владелец: (주)룩셀런트. Дата публикации: 2006-03-31.

A kind of III-nitride micro-nano luminescent device of inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106784226A. Автор: 李京波,张佰君,招瑜,罗东向,杨亿斌,肖也,牟中飞. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-31.

A kind of iii-nitride light emitting devices

Номер патента: CN107833955B. Автор: 林峰,李志明,郑锦坚,杜伟华,邓和清,周启伦,李水清,康俊勇,徐宸科,钟志白,王星河,陈松岩,吴雅萍. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

A kind of iii-nitride light emitting devices and preparation method thereof with AlN quantum dots

Номер патента: CN105633230B. Автор: 林峰,李志明,郑锦坚,伍明跃,杜伟华,周启伦,李水清,康俊勇,钟志白,杨焕荣,廖树涛. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

A kind of iii-nitride light emitting devices and preparation method thereof

Номер патента: CN105140360B. Автор: 王笃祥,舒立明,刘明英,张东炎,王良均,叶大千. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

A kind of III-nitride base double heterojunction phototransistor

Номер патента: CN105742399B. Автор: 江灏,张灵霞,唐韶吉. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-02-06.

A kind of iii-nitride light emitting devices and preparation method thereof

Номер патента: CN106328773B. Автор: 林峰,李志明,郑锦坚,伍明跃,周启伦,李水清,康俊勇,张世鑫,钟志白,廖树涛,代睿冬. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Substrate wafer and manufacturing method of III nitride semiconductor device

Номер патента: TW201738935A. Автор: 黃信雄,李宛蓉,陳凱欣,陳佩佳,戴永信. Владелец: 晶元光電股份有限公司. Дата публикации: 2017-11-01.

A kind of iii-nitride light emitting devices preparation method

Номер патента: CN104505441B. Автор: 张家宏,李政鸿,林兓兓,卓昌正,谢翔麟,徐志波. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Integration of iii-nitride nanowire on transparent conductive substrates for optoelectronic and electronic devices

Номер патента: US20180248077A1. Автор: Boon S. OOI,Bilal JANJUA,Tien Khee Ng,Aditya PRABASWARA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-08-30.

Integration of iii-nitride nanowire on transparent conductive substrates for optoelectronic and electronic devices

Номер патента: US20210408329A1. Автор: Boon S. OOI,Bilal JANJUA,Tien Khee Ng,Aditya PRABASWARA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-12-30.

III-Nitride Power Device

Номер патента: US20130248884A1. Автор: He Zhi,Cao Jianjun,Beach Robert. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

III-nitride power semiconductor based heterojunction device

Номер патента: US20230246615A1. Автор: Martin Arnold,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Loizos Efthymiou,John William FINDLAY. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

III-nitride power semiconductor based heterojunction device

Номер патента: US11923816B2. Автор: Martin Arnold,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Loizos Efthymiou,John William FINDLAY. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

System and circuit for simulating gate-to-drain breakdown

Номер патента: US8554531B2. Автор: Paul E. NICOLLIAN,Riza T. CAKICI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

System and circuit for simulating gate-to-drain breakdown

Номер патента: US20120043619A1. Автор: Paul E. NICOLLIAN,Riza T. CAKICI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Robust semiconductor power devices with design to protect transistor cells with slower switching speed

Номер патента: US20180138906A9. Автор: Anup Bhalla,Sik K. Lui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device with an integrated heat sink array

Номер патента: US09666598B2. Автор: LIANG YAN,Roel Daamen,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with heat sinks

Номер патента: US09508693B2. Автор: LIANG YAN,Roel Daamen,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for the fabrication of a transistor gate that includes the breakdown of a precursor material into at least one metallic material, using at least one

Номер патента: US20090203203A1. Автор: Thomas Ernst,Stefan Landis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-08-13.

Fabrication of nano-structure electrodes for ultra-capacitor

Номер патента: US20140347786A1. Автор: Qingkang Wang. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2014-11-27.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for improving the planarization of dielectric layer in the fabrication of metallic interconnects

Номер патента: US6010958A. Автор: Bing-Chang Wu,Tung-Po Chen,Hong-Tsz Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Formulation and fabrication of an improved Ni based composite Ohmic contact to n-SiC for high temperature and high power device applications

Номер патента: US7163882B1. Автор: Melanie W. Cole,Pooran C. Joshi. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2007-01-16.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Reducing gate height variance during semiconductor device formation

Номер патента: US20140193957A1. Автор: Haiting Wang,Tae Hoon Lee,Tae-hoon Kim,Ashish K. Jha,Chang Ho Maeng,Songkram Srivathanakul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US20160218036A1. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US9978640B2. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU6883987A. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1987-08-20.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU640408B2. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1993-08-26.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU6767190A. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1991-03-14.

Method of collective fabrication of 3D electronic modules configured to operate at more than 1 GHz

Номер патента: US09899250B2. Автор: Christian Val. Владелец: 3D Plus SA. Дата публикации: 2018-02-20.

Packaging methods for fabrication of analytical device packages and analytical device packages made thereof

Номер патента: US09754836B2. Автор: Takashi Orimoto,Ravi Saxena,Elizabeth LOGAN. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266236A1. Автор: Li-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and assemblies related to fabrication of acoustic wave devices

Номер патента: US12074581B2. Автор: Michio Kadota,Shuji Tanaka,Yoshimi Ishii. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09768371B2. Автор: Jeremy P. Hilton,Paul I. Bunyk,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Process for fabrication of a structure with a view to a subsequent separation

Номер патента: US09607879B2. Автор: Didier Landru. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-03-28.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266295A1. Автор: Li-Cheng Shen. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Micromachined ultra-miniature piezoresistive pressure sensor and method of fabrication of the same

Номер патента: US09708175B2. Автор: Bin QI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with reduced thickness

Номер патента: US09418922B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Process for the fabrication of semiconductor devices having various buried regions

Номер патента: US5789288A. Автор: Paola Galbiati,Michele Palmieri,Lodovica Vecchi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-08-04.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU637852B2. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1993-06-10.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU6308090A. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1990-12-13.

Method for Collective Fabrication of 3D Electronic Modules Comprising Only Validated PCBs

Номер патента: US20130171752A1. Автор: Christian Val. Владелец: 3D Plus SA. Дата публикации: 2013-07-04.

Fabrication of infra-red charge coupled devices

Номер патента: US4276099A. Автор: John M. Keen,Arthur F. W. Willoughby. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1981-06-30.

CMOS device structure with reduced risk of salicide bridging and reduced resistance via use of a ultra shallow, junction extension, ion implantation

Номер патента: US5757045A. Автор: Chaochieh Tsai,Shun-Liang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method of fabrication of PNP structure in a common substrate containing NPN or MOS structures

Номер патента: US5387552A. Автор: Ali A. Iranmanesh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11957065B2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

A method for fabricating a semiconductor package, and the use of a non-contact upward jetting system in the fabrication of a semiconductor package

Номер патента: WO2015103757A1. Автор: Jinsheng Jiang,Jobs JIANG. Владелец: Henkel (China) Investment Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of making a semiconductor device with V2V rail

Номер патента: US12125792B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Simultaneous fabrication of CMOS transistors and bipolar devices

Номер патента: US4050965A. Автор: Alfred C. Ipri,John C. Sarace. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1977-09-27.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11930721B2. Автор: Jeremy P. Hilton,Paul I. Bunyk,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit devices with contacts using nitridized molybdenum

Номер патента: US20240105508A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Justin Mueller,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,Gilbert W. DEWEY,I-Cheng Tung,Jitendra Kumar JHA,Jean-Philippe Turmaud,Blake Bluestein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Configuration of gate to drain (GD) clamp and ESD protection circuit for power device breakdown protection

Номер патента: US09620498B2. Автор: YI Su,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Fabrication of a micro-optics device with curved surface defects

Номер патента: US20160139311A1. Автор: Urs T. Duerig,Armin W. Knoll,Fei Ding,Rainer F. Mahrt,Thilo H. Stoeferle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of fabrication of micro-optics device with curved surface defects

Номер патента: WO2013153465A1. Автор: Urs T. Duerig,Armin W. Knoll,Fei Ding,Thilo Hermann Stoeferle,Rainer F. Mahrt. Владелец: Ibm Research Gmbh. Дата публикации: 2013-10-17.

Resistive random access memory device with resistance-based storage element and method of fabricating same

Номер патента: US09647037B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication of correlated electron material devices with reduced interfacial layer impedance

Номер патента: US20200176677A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration

Номер патента: US20030052421A1. Автор: Hans-Georg Frohlich,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Fabrication of flexible thin film gaas-based group iii-v solar cell on si substrate

Номер патента: WO2022139729A1. Автор: Mustafa KULAKCI,Ugur SERINCAN. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2022-06-30.

System configurations for fabrication of micro-LED displays

Номер патента: US12062735B2. Автор: Hou T. Ng,Nag B. Patibandla,Daihua Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09978809B2. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Grinding apparatus and method for fabrication of liquid crystal display device

Номер патента: US09687951B2. Автор: Byeong Gwon CHOE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09490296B2. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Correlated electron material (cem) devices with contact region sidewall insulation

Номер патента: US20200127200A1. Автор: Jingyan Zhang,Ming He,Manuj Rathor,Paul Raymond Besser. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods of compensating for an alignment error during fabrication of structures on semiconductor substrates

Номер патента: US20070120220A1. Автор: Dong-Chun Lee,Jung-Taek Lim,Sung-Hong Park,Young-Jee Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

RTA for Fabrication of Solar Cells

Номер патента: US20110183457A1. Автор: Bernhard P. Piwczyk. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

RTA for fabrication of solar cells

Номер патента: US8236677B2. Автор: Bernhard P. Piwczyk. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

Номер патента: US09997702B2. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Method for fabrication of an electronic module and electronic module

Номер патента: US09999136B2. Автор: Risto Tuominen. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2018-06-12.

Roll-to-roll fabrication of ordered three-dimensional nanostructure array, related techniques, materials and products

Номер патента: US09831362B2. Автор: Zhiyong Fan,Siu-Fung Leung. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-11-28.

Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices

Номер патента: US09793435B2. Автор: Shuji Nakamura,Arpan Chakraborty,Steven P. DenBaars,Rajat Sharma,James S. Speck,Benjamin A. Haskell,Umesh K. Mishra,Troy J. Baker,P. Morgan Pattison,Robert M. Farrell, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabrication of a silicon-based component with at least one optical illusion pattern

Номер патента: US09740174B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry

Номер патента: US5963788A. Автор: James G. Fleming,Stephen Montague,Carole C. Barron. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Streamlined GaN-based fabrication of light emitting diode structures

Номер патента: US11804574B2. Автор: Richard J. Brown,Christopher M. Martin,Shikhar Bajracharya. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

STREAMLINED GaN-BASED FABRICATION OF LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES

Номер патента: US20210367107A1. Автор: Richard J. Brown,Christopher M. Martin,Shikhar Bajracharya. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon

Номер патента: US20190109283A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Optoelectronic device with reduced optical loss

Номер патента: US12100779B2. Автор: Joseph Dion,Devendra DIWAN,Brandon A Robinson,Rakesh B Jain. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same

Номер патента: US20120267655A1. Автор: Jianping Zhang,Hongmei Wang,Chunhui Yan. Владелец: INVENLUX Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Fabrication of correlated electron material devices

Номер патента: US09627615B1. Автор: Lucian Shifren,Kimberly G. Reid,Carlos Alberto Paz de Araujo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Fabrication of MEMS devices with spin-on glass

Номер патента: US20050145962A1. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: US20240153847A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: WO2024102593A2. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Subpixels with reduced dimensions by using shared switching transistors

Номер патента: US20230317000A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Power device with current sense

Номер патента: GB2627570A. Автор: Udrea Florin,Neaves Phil. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Image sensing device with reduced smear

Номер патента: WO1990002418A1. Автор: Madhav Mehra,David Lawrence Losee. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1990-03-08.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: US4910153A. Автор: Charles R. Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1990-03-20.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20220037402A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabrication of devices using phosphorus glasses

Номер патента: CA1324980C. Автор: Bertram Schwartz,Shobha Singh,George John Zydzik,David Theodore Ekholm,William Henry Grodkiewicz,Legrand Gerard Van Uitert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-12-07.

Method for fabrication of w-polycide-to-poly capacitors with high linearity

Номер патента: US5338701A. Автор: Mou-Shiung Lin,Shun-Liang Hsu,Chun-Yi Shi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1994-08-16.

Method of making photovoltaic devices with reduced conduction band offset between pnictide absorber films and emitter films

Номер патента: WO2013116320A2. Автор: Marty W. Degroot,Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Jeffrey P. BOSCO,Gregory M. Kimball,Rebekah KRISTINE-LIGMAN FEIST. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Fabrication of organic electronic devices

Номер патента: US10090469B2. Автор: Nicholas Dartnell,Nir YAACOBI-GROSS. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Compact electro-optical devices with laterally grown contact layers

Номер патента: US20210020796A1. Автор: Lukas Czornomaz,Charles CAER,Yannick Baumgartner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Fabrication of stacked perovskite structures

Номер патента: EP3682489A2. Автор: Matthew Robinson,Alex GOVAERTS. Владелец: Energy Everywhere Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Fabrication of organic electronic devices

Номер патента: US20170365784A1. Автор: Nicholas Dartnell,Nir YAACOBI-GROSS. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance

Номер патента: EP1354350A2. Автор: Merlyn P. Young,Crispulo E. Lictao, Jr.. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-22.

Chain of power devices

Номер патента: US12057807B2. Автор: Ilan Yoscovich,Tzachi Glovinsky,Ofir Bieber. Владелец: Solaredge Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Resin sealed semiconductor device with stress-reducing layer

Номер патента: EP1275148A1. Автор: John R. Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Multi-level power module with reduced parasitic effects

Номер патента: EP4439660A1. Автор: Dario Sutera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Multi-level power module with reduced parasitic effects

Номер патента: US20240333168A1. Автор: Dario Sutera. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Electronic power device with flat electronic interconnection structure

Номер патента: US09991191B2. Автор: Julie Widiez,Bastien LETOWSKI,Nicolas Rouger,Jean-Christophe Crebier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Fabrication of semiconductor modules with ceramic substrates and detection of residual glass

Номер патента: CA1182591A. Автор: Howard A. Froot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-12.

Fixtures and methods for facilitating the fabrication of devices having thin film materials

Номер патента: WO2004021489A2. Автор: Werner Kraus,Raymond Puffer,Jürgen PAWLIK,Glen Hoppes,Stephen Derby,Glenn Saunders,Louise Courtois. Владелец: Pemeas GmbH. Дата публикации: 2004-03-11.

Solid state lighting devices with reduced melatonin suppression characteristics

Номер патента: CA3101735C. Автор: Robert Glass,Fan Zhang,Bernd P. Keller,Antony van de Ven,Ryan Gresback. Владелец: IDEAL Industries Lighting LLC. Дата публикации: 2022-10-18.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: CA2751897C. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor aggregate substrate and semiconductor device with fuse structure to prevent breakdown

Номер патента: US6157066A. Автор: Mikiya Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes

Номер патента: CA1212890A. Автор: Harbans S. Sachdev,Krishna G. Sachdev,Herbert R. Anderson, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Spatial power-combining devices with reduced size

Номер патента: US20210297048A1. Автор: Patrick Courtney,Soack Dae Yoon,Dana Jay Sturzebecher. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabrication of multi-level graded photonic super-crystals

Номер патента: US20200028119A1. Автор: David Lowell,Yuankun Lin,Safaa Hassan. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2020-01-23.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Preferred volumetric enlargement of iii-nitride crystals

Номер патента: WO2015054430A1. Автор: Peng Lu,Jason SCHMITT. Владелец: Nitride Solutions, Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

FACILE FABRICATION OF MULTIVALENT VOx/GRAPHENE NANOCOMPOSITE ELECTRODES FOR ENERGY STORAGE DEVICES WITH HIGH ENERGY DENSITY

Номер патента: US20240266122A1. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Yuzhang LI,Ailun HUANG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-08.

LATERAL ELECTROCHEMICAL ETCHING OF III-NITRIDE MATERIALS FOR MICROFABRICATION

Номер патента: US20170133826A1. Автор: Han Jung. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-11.

Facile fabrication of multivalent vo x/graphene nanocomposite electrodesfor energy storage devices with high energy density

Номер патента: EP4348689A2. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Yuzhang LI,Ailun HUANG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-10.

III-nitride power conversion circuit

Номер патента: US09608542B2. Автор: Tony Bahramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

III-Nitride power semiconductor based heterojunction device comprising a bootstrap device

Номер патента: GB2619112A. Автор: ARNOLD Martin,Wai Fung Sheung,Vishin Tara. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Procedure for fabrication and device for fabrication of plasma indicator panel

Номер патента: RU2425174C2. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-07-27.

Mems device with controlled electrode off-state position

Номер патента: EP2121510A2. Автор: Peter G. Steeneken. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-25.

Mems device with controlled electrode off-state position

Номер патента: WO2008072163A3. Автор: Peter G Steeneken. Владелец: Peter G Steeneken. Дата публикации: 2008-10-23.

Fabrication of si-mwcnt nanocomposites (smc) as anodes for lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024141774A1. Автор: Daniel Sunghoi Choi,Aamna Hameed Khan. Владелец: Heidron Energy Research & Consultancy Co LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication of Si-MWCNT nanocomposites (SMC) as anodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US12126004B2. Автор: Daniel Sunghoi Choi,Aamna Hameed Khan. Владелец: Heidron Energy Research & Consultancy Co LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Laser-based Fabrication of Carbon Nanotube-Metal Composites on Flexible Substrates

Номер патента: US20180102200A1. Автор: Benxin Wu. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-04-12.

Fabrication of textured steel sheet

Номер патента: RU2547377C2. Автор: Лудгер ЛАН,Чаоюн ВАН,Христоф ХОЛЬЦАПФЕЛЬ,Тьерри БЕЛЬГРАН,Режи ЛЁМЭТР,Торстен КРЕНКЕ,Эюп ДУМАН. Владелец: Тиссенкрупп Илектрикел Стил Гмбх. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for the fabrication of a pore comprising metallic membrane and a pore comprising membrane

Номер патента: WO2020104287A1. Автор: Hyung Gyu Park,Roman Wyss. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for the fabrication of a pore comprising metallic membrane and a pore comprising membrane

Номер патента: US12048901B2. Автор: Hyung Gyu Park,Roman Wyss. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for the fabrication of an improved X-ray image intensifier tube, and intensifier tube, and intensifier tube obtained thereby

Номер патента: US4943254A. Автор: Paul De Groot,Francis Diaz,Garard Vieux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-07-24.

Fabrication of biscrolled fiber using carbon nanotube sheet

Номер патента: US09502711B2. Автор: Ray H. Baughman,Mikhail Kozlov,Mohammad H. Haque,Shaoli Fang,Anvar A. Zakhidov,Marcio Dias Lima,Javier Carretero-Gonzalez,Raquel Ovalle-Robles,Xavier N. Lepro-Chavez,Chihye Lewis-Azad,David Michael Novitski,Elizabeth Castillo-Martinez,Carter Sebastian Haines. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-11-22.

Evaporable getter device with reduced loss of particles and process for producing the same

Номер патента: WO2000028568A1. Автор: Daniele Martelli,Giuseppe Urso. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-05-18.

Method for the fabrication of an electroless-metal-plated sulfur nanocomposite, an electroless-metal-plated sulfur cathode which is made from the nanocomposite, and a battery that uses the cathode

Номер патента: US11996551B2. Автор: Sheng Heng Chung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube field electron emisson devices

Номер патента: US09852870B2. Автор: Michael Pedersen,Mehmet Ozgur,Michael Huff,Paul Sunal,Lance OH. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2017-12-26.

Radio frequency (RF) microelectromechanical systems (MEMS) devices with gold-doped silicon

Номер патента: US09475692B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Jonathan Hale Hammond. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for preparing scalable quantities of high purity manganese bismuth magnetic materials for fabrication of permanent magnets

Номер патента: US09418779B2. Автор: Jun Cui,Guosheng Li,Curt A. Lavender,Jung Pyung Choi. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Wireless control module, wireless wall-mounted switch, powered device and system

Номер патента: RU2728902C1. Автор: Хуэйцзюнь ВАН. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-03.

Fabrication of volcano-shaped field emitters by chemical-mechanical polishing (CMP)

Номер патента: US6008064A. Автор: Heinz H. Busta. Владелец: American Energy Services Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Process for the production of evaporable getter devices with reduced particle loss

Номер патента: WO2000007209A1. Автор: Corrado Carretti,Marco Guastalla. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-02-10.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C9. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2016-01-20.

Power device with multiple electrifying modes

Номер патента: US10381848B2. Автор: Chang-Hsin Lin. Владелец: Ta Hsing Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-13.

Method for strip fabrication of nanocrystalline material and device for fabrication of toroidal core winded of this strip

Номер патента: RU2342725C1. Автор: Тьерри ВАКЕРЛЬ,Тьерри САВ,Ален ДЕМЬЕ,Тьерри ВАКЕРЛЬ (FR),Тьерри САВ (FR),Ален ДЕМЬЕ (FR). Владелец: Имфи Эллойз. Дата публикации: 2008-12-27.

Fabrication of membrane electrode assemblies and reversible electrochemical devices

Номер патента: EP4282019A1. Автор: Charly David Azra,Miles PAGE,Ervin TAL-GUTELMACHER. Владелец: HYDROLITE LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Conformal and flexible leaky-wave antenna arrays with reduced mutual couplings

Номер патента: WO2023250345A1. Автор: Joseph Alan Epstein,Tomi MURTO,Shulabh Gupta. Владелец: Omnifi, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of membrane electrode assemblies and reversible electrochemical devices

Номер патента: US20230369626A1. Автор: Charly David Azra,Miles PAGE,Ervin TAL-GUTELMACHER. Владелец: HYDROLITE LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Conformal and flexible leaky-wave antenna arrays with reduced mutual couplings

Номер патента: US20230420859A1. Автор: Joseph Alan Epstein,Tomi MURTO,Shulabh Gupta. Владелец: Omnifi Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Battery powered devices with electrically isolated outputs

Номер патента: US20200279545A1. Автор: David E. Christian,Paul E. Christian. Владелец: Cb Technology D/b/a Big Joe Stomp Box Co LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Process for fabricating a microwave power device

Номер патента: US5772820A. Автор: Karl F. Schoch, Jr.,Theodore R. Vasilow,Andrew J. Piloto,Deborah P. Partlow,Kenneth C. Radford. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

System and method for continuous fabrication of graded structured units using additive manufacturing

Номер патента: US11837766B2. Автор: Dongsheng Li,Thomas Maloney. Владелец: Advanced Manufacturing LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

System and Method for Continuous Fabrication of Graded Structured Units Using Additive Manufacturing

Номер патента: US20240178428A1. Автор: Dongsheng Li,Thomas Maloney. Владелец: Advanced Manufacturing LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

System and Method for Continuous Fabrication of Graded Structured Units Using Additive Manufacturing

Номер патента: US20220149411A1. Автор: Dongsheng Li,Thomas Maloney. Владелец: Advanced Manufacturing LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Fabrication of Si-MWCNT nanocomposites (SMC) as Anodes for Lithium-ion batteries

Номер патента: US20240213442A1. Автор: Daniel Sunghoi Choi,Aamna Hameed Khan. Владелец: Heidron Energy Research & Consultancy Co LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Epitaxial laser structure and method of fabrication of epitaxial laser structure

Номер патента: EP4102658A3. Автор: Szymon Grzanka,Artur LACHOWSKI,Ewa GRZANKA,Robert CZEMECKI,Julita SMALC-KOZIOROWSKA,Miko aj GRABOWSKI,Roman HRYTSAK,Micha LESZCZY SKI. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2022-12-28.

Method for the Fabrication of Electrolyte Cavities Using Bulk Micro-Machining

Номер патента: US20140082932A1. Автор: John Bumgarner,Andres M. Cardenas-Valencia,Larry Langebrake,Jay Dlutowski,Melynda C. Calves. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for the Fabrication of Electrolyte Cavities Using Surface Micromachining

Номер патента: US20140209564A1. Автор: John Bumgarner,Andres M. Cardenas-Valencia,Larry Langebrake,Jay Dlutowski,Melynda C. Calves. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-07-31.

Solid-state additive manufacturing methods for compounding conductive polymer compositions, fabrication of conductive plastic parts and conductive coatings

Номер патента: EP3849785A1. Автор: Nanci Hardwick,Chase Cox,Anita T. Broach. Владелец: Meld Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

Laser-based fabrication of carbon nanotube-metal composites on flexible substrates

Номер патента: US10777333B2. Автор: Benxin Wu. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-09-15.

Electro-optical device with lateral active regions

Номер патента: US20190252860A1. Автор: Lukas Czornomaz,Stefan Abel,Bert Jan Offrein,Charles CAER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

III-Nitride Power Converter Circuit

Номер патента: US20120062199A1. Автор: Jason Zhang,Michael A. Briere,Hamid Tony Bahramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-03-15.

III-Nitride Power Conversion Circuit

Номер патента: US20140169052A1. Автор: Bahramian Tony. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

Highly Efficient III-Nitride Power Conversion Circuit

Номер патента: US20110157949A1. Автор: Tony Bahramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrated iii-nitride power converter circuit

Номер патента: WO2009088391A1. Автор: Jason Zhang,Michael A. Briere,Hamid Tomy Bahramian. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-16.

III-Nitride power semiconductor based heterojunction device comprising a bootstrap device

Номер патента: GB202218655D0. Автор: . Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Cartridge for e-vaping device with open-microchannels

Номер патента: US20240269402A1. Автор: Eric Hawes,Ali Rostami,Raymond Lau. Владелец: Altria Client Services LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Traveling wave amplifier with distributed regenerative feedback between drain-to-drain transmission lines and gate-to-gate transmission lines for enhanced high frequency bandwidth

Номер патента: US20080074191A1. Автор: William MORDARSKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US12082425B2. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Discrete power switching devices with reduced common source inductance

Номер патента: US09991880B2. Автор: Chingchi Chen,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for the fabrication of high surface area ratio and high aspect ratio surfaces on substrates

Номер патента: EP1937757A1. Автор: Evangelos Gogolides,Angeliki Tserepi,Konstantinos Misiakos,Maria-Elena Vlachopoulou,Nikolaos Vourdas. Владелец: Gogolidis Evangelos. Дата публикации: 2008-07-02.

Process for fabricating of a speaker enclosure having any preselected external, shape containing internal cavities shaped with preselected enhancements for each preselected driver mounted within said external shaped enclosure

Номер патента: US20050022918A1. Автор: Kyle McCain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Accurate reduced gate-drive current limiter

Номер патента: US11936371B1. Автор: Gregory Szczeszynski,Antony Christopher Routledge,Satish Kumar Vangara,Xiaowu Sun. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Accurate reduced gate-drive current limiter

Номер патента: WO2024076958A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Antony Christopher Routledge,Satish Kumar Vangara,Xiaowu Sun. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-04-11.

Differential cascode amplifier arrangement with reduced common mode gate rf voltage

Номер патента: US20230421109A1. Автор: Dan William Nobbe. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Differential cascode amplifier arrangement with reduced common mode gate rf voltage

Номер патента: WO2022203895A1. Автор: Dan William Nobbe. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

Edge rate control gate drive circuit and system for low side devices with capacitor

Номер патента: US20140125389A1. Автор: Adam L. Shook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Fabrication of superconducting wires and rods

Номер патента: WO1996021951A1. Автор: Kamel Salama,Krishnaswamy Ravi-Chandar,Devamanohar Ponnusamy. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1996-07-18.

A method of qualifying niobium and/or other super conducting materials for reliable fabrication of superconducting radio frequency (SCRF) cavities

Номер патента: EP2053905A8. Автор: Sindhunil Barman Roy,Vinod Chandra Sahni. Владелец: India Atomic Energy Department of. Дата публикации: 2009-08-19.

Fabrication of planar electronic circuit devices

Номер патента: WO2008133515A3. Автор: Aerle Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van,Alec Reader,Tobias Balla. Владелец: Tobias Balla. Дата публикации: 2009-01-15.

Process for the Fabrication of Zn-O Graphene Based Flexible Strain and Pressure Sensor

Номер патента: US20240196749A1. Автор: Mousumi Majumder,Swati Samanta,Mousumi Baral Narjinary. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication Of Uniform High Density Nanostructure Array

Номер патента: US20240099036A1. Автор: Young Geun Park,Somin Eunice Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-03-21.

A PROCESS FOR THE FABRICATION OF Zn-O GRAPHENE BASED FLEXIBLE STRAIN AND PRESSURE SENSOR

Номер патента: WO2022208533A1. Автор: Mousumi Majumder,Swati Samanta,Mousumi Baral Narjinary. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2022-10-06.

Fabrication of coated substrates

Номер патента: RU2560349C2. Автор: Патрик А.К. ГЕЙН,Мишель ШЕНКЕР,Кэтрин Джин РИДЖВЕЙ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2015-08-20.

Digital logic with reduced leakage

Номер патента: US20040227542A1. Автор: Suhwan Kim,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala,Daniel Knebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Method and apparatus for paging dedicated for devices with reduced capabilities

Номер патента: US20230300786A1. Автор: Haiming Wang,Yingying Li,Yuantao Zhang,Hongmei Liu,Zhi YAN,Ran YUE. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of monitoring the fabrication of Bi-2223 material having a high critical temperature

Номер патента: US5578555A. Автор: G erard Duperray. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1996-11-26.

Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

Номер патента: WO2018029481A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Dynamic range compression with reduced artifacts

Номер патента: US12126973B2. Автор: Ning Wang,Mark David DE BURGH. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Mobile power device with memory storage feature which switches between master and slave roles

Номер патента: US09667072B2. Автор: Meichan Wen. Владелец: GUANGZHOU XINKER SOFTWARE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of devices with floppy microbridges manufacture

Номер патента: RU2632630C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2017-10-06.

Coupling with reduced voltage for industrial process transmitter housing

Номер патента: RU2654933C2. Автор: Джоэл Дэвид Вандераа. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2018-05-23.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: CA3169025A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods and arrangements for a low power device in wireless networks

Номер патента: EP2939478A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Minyoung Park,Eldad Perahia,Thomas Kenney. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Apparatuses and methods for a level shifter with reduced shoot-through current

Номер патента: US20110115541A1. Автор: Jeffrey G. Barrow. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

Support entering into the fabrication of an electronic device, corresponding memory card connector, memory card read terminal and manufacturing method

Номер патента: CA2927958C. Автор: Stephane Pavageau,Xavier Lambert. Владелец: Banks and Acquirers International Holding SAS. Дата публикации: 2023-09-19.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20240291793A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Support entering into the fabrication of an electronic device, corresponding memory card connector, memory card read terminal and manufacturing method

Номер патента: US09980374B2. Автор: Stephane Pavageau,Xavier Lambert. Владелец: Ingenico Group SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Fabrication of a flexible circuit board

Номер патента: US09839136B2. Автор: Sheng-Yu Huang,Chun-Ting Lai,Yen-Po HUANG,Paul S. C. Wu. Владелец: Taimide Tech Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Low power device with encryption

Номер патента: US09647996B2. Автор: Jason Johnson,Christopher Dow. Владелец: August Home Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication of positive pressure-applying latch mechanism

Номер патента: US09585284B2. Автор: Robert K. Mullady,Michael T. Peets,Robert R. Genest,Shawn Canfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and arrangements for a low power device in wireless networks

Номер патента: US09578681B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Minyoung Park,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Quantum noise power devices

Номер патента: US20200358375A1. Автор: Garret Moddel. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2020-11-12.

Quantum noise power devices

Номер патента: EP3966926A1. Автор: Garret Moddel. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2022-03-16.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: EP4395175A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US20240213978A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Composite switch circuit with reduced power loss and the forming method thereof

Номер патента: US20240243665A1. Автор: Vipin Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

Accurate Reduced Gate-Drive Current Limiter

Номер патента: US20240259014A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Antony Christopher Routledge,Satish Kumar Vangara,Xiaowu Sun. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon

Номер патента: WO2017141043A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Fabrication of correlated electron material devices

Номер патента: EP3408875A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren,Carlos Paz de ARAUJO. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

System and Method of Powering an External Device with a Vehicular Battery System

Номер патента: US20220016982A1. Автор: Keith Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

A welding mechanism for the fabrication of floaters used in floating solar power plants

Номер патента: WO2023128920A1. Автор: Sami ASLANHAN. Владелец: Kontrolmati̇k Teknoloji̇ Enerji̇ Ve Mühendi̇sli̇k Anoni̇m Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2023-07-06.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US12113520B2. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of making devices with thin-film tunnel junctions

Номер патента: RU2733330C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Дарья Владимировна Нагирная,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-10-01.

Cartridge for e-vaping device with open-microchannels

Номер патента: US11951250B2. Автор: Eric Hawes,Ali Rostami,Raymond Lau. Владелец: Altria Client Services LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and apparatus for frequency hopping for control channels for devices with reduced capabilities

Номер патента: US20230283438A1. Автор: Haiming Wang,Yingying Li,Yuantao Zhang,Hongmei Liu,Zhi YAN. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Multiple Stage Network Microphone Device with Reduced Power Consumption and Processing Load

Номер патента: US20240288926A1. Автор: Klaus Hartung,Nick D'Amato,Daniele Giacobello,Joachim Fainberg. Владелец: Sonos Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power device with protection against undesirable self-activation

Номер патента: US20010022525A1. Автор: Luigi Arcuri,Antonio Grimaldi,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-09-20.

Devices with improved integrity of digital signals

Номер патента: US20240267035A1. Автор: Preeti S. MULAGE,Venu Chandaka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Subpixels with reduced dimensions by using shared switching transistors

Номер патента: US12087222B2. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Devices with improved integrity of digital signals

Номер патента: EP4411585A1. Автор: Preeti S. MULAGE,Venu Chandaka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multi-functional lighting device with intelligent network monitoring and a monitoring method thereof

Номер патента: US09807304B2. Автор: Hongyan Wang. Владелец: Xiamen Xing Henglong Lighting Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and systems for chip-to-chip communication with reduced simultaneous switching noise

Номер патента: US09686107B2. Автор: John Fox,Peter Hunt,Brian Holden,Amin Shokrollahi,Richard Simpson,Anant Singh,Giuseppe Surace,Andrew Kevin John Stewart,John D. Keay. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2017-06-20.

Current steering circuits and methods with reduced capacitive effects

Номер патента: US5148065A. Автор: William R. Krenik,Louis J. Izzi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20230225137A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Access Control for Wireless Devices with Reduced Capabilities

Номер патента: US20210345227A1. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Fabrication of rectangular or square wall elements from sheets and wall element thus made

Номер патента: RU2577521C2. Автор: Игорь Гарри ШААФ,Пауль МАЦУРА,Вальтер НИКОЛАЙ,Зимон ЙОХАМ. Владелец: С Е С Контрол Энкложе Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Three terminal bidirectional drain to drain FET circuit

Номер патента: US4477742A. Автор: William J. Janutka. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Bidirectional drain to drain stacked FET gating circuit

Номер патента: US4488068A. Автор: William J. Janutka. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1984-12-11.

Composite piezoelectric material in the form of a film and a method of fabrication of said material

Номер патента: CA1171979A. Автор: François Micheron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-07-31.

Indication of synchronization signal block type for devices with reduced capabilities

Номер патента: WO2024031671A1. Автор: LI ZHANG. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Dual connectivity for wireless devices with reduced capabilities

Номер патента: US11818614B2. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and system for dynamically creating and servicing master-slave pairs within and across switch fabrics of a portable computing device

Номер патента: WO2012151162A2. Автор: Brian J. Salsbery,Norman S. Gargash,Purandar Mukundan,Robert N. Gibson,Sean D. Sweeney. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-08.

Reduced Gate Drive for Power Converter with Dynamically Switching Ratio

Номер патента: US20240120837A1. Автор: Antony Christopher Routledge,Satish Kumar Vangara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Discrete power switching devices with reduced common source inductance

Номер патента: US20170353177A1. Автор: Chingchi Chen,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Reduced gate drive for power converter with dynamically switching ratio

Номер патента: WO2024076980A1. Автор: Antony Christopher Routledge,Satish Kumar Vangara. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-04-11.

Poe powered device with link layer startup processor

Номер патента: US20200244471A1. Автор: John Hartnett,Mark LaBosco,Marc Dubowski. Владелец: Crestron Electromics Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

System and method for supplying uninterrupted power to a PoE device with active power negotiation and extended range

Номер патента: US09735618B2. Автор: Michael Kanarellis,Charles I. Mcandrew. Владелец: Btu Research LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Ultra high speed microgenerator with reduced heat release

Номер патента: RU2656868C2. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Валентина Владимировна Айгузина,Ирек Ханифович Хайруллин,Владимир Игоревич Бекузин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-06-07.

Transducer device having a piezoelectric polymer element and a method of fabrication of said device

Номер патента: CA1162288A. Автор: François Micheron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-02-14.

ECL cutoff driver circuit with reduced stanby power dissipation

Номер патента: US5013938A. Автор: Julio R. Estrada. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Fabrication of superconducting wires and rods

Номер патента: US5656574A. Автор: Kamel Salama,Krishnaswamy Ravi-Chandar,Devamanohar Ponnusamy. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1997-08-12.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20190215296A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20210044560A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20200007492A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20230269212A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: AU2021227529B2. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Fabrication of planar electronic circuit devices

Номер патента: WO2008133515A2. Автор: Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van Aerle,Alec Reader,Tobias Balla. Владелец: Polymer Vision Limited. Дата публикации: 2008-11-06.

Electronic messaging system for mobile devices with reduced traceability of electronic messages

Номер патента: US11985104B2. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: US20210273663A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: CA3169025C. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: EP4111592A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: WO2021173295A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: AU2021227529A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

3d lens with reduced back reflectance

Номер патента: US20170068028A1. Автор: Brian Thomas Sullivan,Peter Hook,Graham Carlow,Michelle Derouin. Владелец: Iridian Spectral Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Videoconferencing with Reduced Quality Interruptions Upon Participant Join

Номер патента: US20230403311A1. Автор: Stefan Karl Holmer,Danil Chapovalov. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced substrate to contact bump thermal resistance

Номер патента: US20230006640A1. Автор: Chris O'Brien,Greg Dyer,Albert Cardona. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Display panel and display device with narrow bezel

Номер патента: US20180267641A1. Автор: Huijun Jin,Wantong Shao. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Hetergenous integration and electro-optic modulation of III-nitride photonics on a silicon photonic platform

Номер патента: US11754865B2. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Preferred volumetric enlargement of iii-nitride crystals

Номер патента: EP3055889A1. Автор: Peng Lu,Jason SCHMITT. Владелец: NITRIDE SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2016-08-17.

Hetergenous integration and electro-optic modulation of iii-nitride photonics on a silicon photonic platform

Номер патента: WO2021102224A8. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani. Владелец: RAYTHEON BBN TECHNOLOGIES CORP.. Дата публикации: 2021-06-24.

Hetergenous integration and electro-optic modulation of iii-nitride photonics on a silicon photonic platform

Номер патента: EP4062212B1. Автор: Thomas Kazior,Moe Soltani. Владелец: Rtx Bbn Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

PREFERRED VOLUMETRIC ENLARGEMENT OF III-NITRIDE CRYSTALS

Номер патента: US20150096488A1. Автор: Schmitt Jason,LU Peng. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

HETERGENOUS INTEGRATION AND ELECTRO-OPTIC MODULATION OF III-NITRIDE PHOTONICS ON A SILICON PHOTONIC PLATFORM

Номер патента: US20210157178A1. Автор: Soltani Moe,Kazior Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Device with form-die segment for fabrication of metal cellular elements and procedure for fabrication of metal cellular elements

Номер патента: RU2425726C2. Автор: Михаэль ФОИТ,Франк ФРЕХЕН. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-08-10.

Liquid dispensing with reduced droplet evaporation

Номер патента: WO2024145084A1. Автор: Victor Lim,Richard K. Workman. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Device with vertically integrated sensors and method of fabrication

Номер патента: US09586812B2. Автор: Mamur Chowdhury,Matthieu Lagouge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of cleaning products made of natural and artificial leather, natural and artificial fur and lining fabric of products

Номер патента: RU2751765C2. Автор: Светлана Борисовна Узенькова. Владелец: Светлана Борисовна Узенькова. Дата публикации: 2021-07-16.

Method of fabrication of nickel strip

Номер патента: RU2561629C2. Автор: Теодор ШТУТ. Владелец: Теодор ШТУТ. Дата публикации: 2015-08-27.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US20200257178A1. Автор: Robert T. Rozbicki,Anshu A. Pradhan,Sridhar K. Kailasam,Dane Gillaspie. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Interlock arrangement for powered devices

Номер патента: US09840819B2. Автор: Andrew Holverson,Alex J. Hopfensperger. Владелец: Monroe Truck Equipment Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Hybrid programmable many-core device with on-chip interconnect

Номер патента: US09830300B2. Автор: Anargyros Krikelis,Michael D. Hutton. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Hybrid programmable many-core device with on-chip interconnect

Номер патента: US09471537B2. Автор: Anargyros Krikelis,Michael D. Hutton. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Installation for fabrication of metal item by rolling

Номер патента: RU2397831C2. Автор: Ульрих СКОДА-ДОПП,Вильфрид МОДРОВ. Владелец: Смс Зимаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2010-08-27.

Composition of printing ink for pile knitted fabrics of polyester fibers

Номер патента: RU2706133C1. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Алина Игоревна Григорьева,Анастасия Андреевна Гребенюк,Тамара Валентиновна Крайнова,Лидия Михайловна Хозова,Алла Владимировна Королева,Ирина Сергеевна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протекс" (ООО "Протекс"). Дата публикации: 2019-11-14.

Method of fabrication of billets of coins

Номер патента: RU2383657C2. Автор: Адриан КЕМПСТЕР. Владелец: Диффьюжн Эллойс Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Procedure for fabrication of hollow blade with bath-like shape of crown, also procedure for repair of such blade

Номер патента: RU2410226C2. Автор: Мишель БУЛЬНУА,Клод ПАНЬОН. Владелец: Снекма Сервис. Дата публикации: 2011-01-27.

Method to produce fabrics of cross zigzag shadow weaves

Номер патента: RU2642725C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Method of obtaining fabrics of checkered shadow weaves

Номер патента: RU2680649C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2019-02-25.

Composition and procedure for fabrication of non-fired chamotte heat resistant concrete

Номер патента: RU2377217C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Джамиля Гусейновна Магомедова,Хава Загировна Мантурова,Дауд Алимпашаевич Батырмурзаев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-27.

Fabrication of catalysed exhaust filter and catalysed exhaust filter

Номер патента: RU2564854C2. Автор: Кельд ЙОХАНСЕН. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2015-10-10.

Laminated paper for fabrication of security documents, which contains strengthening strips

Номер патента: RU2427468C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Николай Васильевич Хомутинников,Елена Самуиловна Туркина,Елена Михайловна Федорова,Дмитрий Борисович Чекунин,Михаил Анатольевич Остреров,Геннадий Егорович Иванов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2011-08-27.

Improved fabrics of spiral weave

Номер патента: RU2378434C2. Автор: Алан Л. БИЛЛИНГЗ. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of fabrication of cooling plate and cooling plate fabricated by this method

Номер патента: RU2338790C2. Автор: Никола МУСЕЛЬ,Ги ТИЙЕН,Роберт ШМЕЛЕР. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2008-11-20.

Sandwiched film, fabrication of sandwiched film and article composed of at least one sandwiched film, and device for sandwiched film fabrication

Номер патента: RU2566143C2. Автор: Дирк ЭКЕНХОРСТ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for fabrication of pile knitted fabrics

Номер патента: RU2706132C1. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Алина Игоревна Григорьева,Анастасия Андреевна Гребенюк,Тамара Валентиновна Крайнова,Лидия Михайловна Хозова,Алла Владимировна Королева,Ирина Сергеевна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протекс" (ООО "Протекс"). Дата публикации: 2019-11-14.

Method and pressing device applied for fabrication of laminated wood

Номер патента: RU2329889C2. Автор: Юкио АБЕ,Макото ИСОБЕ,Иссаку ОКАМУРА,Хиросиге ОДА,Акихито ХАМАГУТИ,Нориюки ХОНДА. Владелец: Мейнан Машинери Уоркс, Инк.. Дата публикации: 2008-07-27.

Tapping device with automatic control of carbon dioxide content in barrelled beer

Номер патента: RU2245841C2. Автор: Торбен Линнгор НИЛЬСЕН. Владелец: Грам-Инвента А/С. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

TopSink: liquid storage device with automatic discharge in high volume batches

Номер патента: US12085969B2. Автор: Daniel James Beirne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Steel produced by powder metallurgy procedure, tool including steel and procedure for fabrication of tool

Номер патента: RU2415961C2. Автор: Стефан СУНДИН. Владелец: Эрастеел Клостер Актиеболаг. Дата публикации: 2011-04-10.

Fabrication of wire gauze for making of water marks, wire gauze for making of water marks, apparatus for its fabrication and document protected against counterfeit

Номер патента: RU2537132C2. Автор: Паскуале ПАЛЛОТТА. Владелец: Федригони С.П.А.. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of fabrication of wearable layer of refractory lining in casting ladles and casting moulds, also wearable layer of refractory lining fabricated by this method

Номер патента: RU2383412C2. Автор: Слагнес СТЕЙНАР. Владелец: Норт Кейп Минералз Ас. Дата публикации: 2010-03-10.

Moulding tool and method of fabrication of component

Номер патента: RU2457111C2. Автор: Марк Эдвин ФАННЕЛЛ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-07-27.

Crimping structure of surface coating fabric of article

Номер патента: US20210137278A1. Автор: Chien-Yeh Chen. Владелец: Fujian Chuangxin Family Reside Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

A mould set for fabrication of an EPS pallet and use thereof

Номер патента: AU2021331702A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

A mould set for fabrication of an eps pallet and use thereof

Номер патента: US20230046488A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabrication of an integrated production complex on a gravity-based structure (GBS)

Номер патента: US12103649B2. Автор: Leonid Viktorovich MIKHELSON,Valeriy Nikolaevich RETIVOV,Sergey Gennadyevich SOLOVYEV. Владелец: Novatek PAO. Дата публикации: 2024-10-01.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US09904138B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Anshu A. Pradhan,Robin Friedman,Sridhar Karthik Kailasam. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Binder for the fabrication of diamond tools

Номер патента: US09764448B2. Автор: Evgeny Aleksandrovich Levashov,Vladimir Alekseevich Andreev,Viktoriya Vladimirovna Kurbatkina. Владелец: Science And Technology Misis, National University of. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US09664974B2. Автор: Anshu Pradhan,Robert Rozbicki,Zhongchun Wang,Eric Kurman,Mark Kozlowski,Mike Scobey,Jeremy Dixon. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Fabrication of highly flexible near-infrared metamaterials

Номер патента: US09610754B2. Автор: Guixin Li,Kok Wai Cheah. Владелец: Hong Kong Baptist University HKBU. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US09477129B2. Автор: Anshu Pradhan,Robert Rozbicki,Zhongchun Wang,Eric Kurman,Mark Kozlowski,Mike Scobey,Jeremy Dixon. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US09429809B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Anshu Pradhan,Robin Friedman,Sridhar Kailasam. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Carbon-bearing compound for fabrication of non-combustible smoking product heating element

Номер патента: RU2357623C2. Автор: Манабу ТАКЕУТИ,Казухико КАТАЯМА,Акихико КОИДЕ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for fabrication of the pellets of ceramic nuclear fuel, device for its realization and container

Номер патента: RU2262756C2. Автор: В.А. Астафьев,А.Е. Глушенков,М.В. Скупов,М.И. Столяров,И.А. Шкабура,В.А. Астафьев (RU),А.Е. Глушенков (RU),М.В. Скупов (RU),ров М.И. Стол (RU),И.А. Шкабура (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара". Дата публикации: 2005-10-20.

Method and device for layer fabrication of three-dimensional structure from powder material

Номер патента: RU2449891C2. Автор: Андреас ПФИСТЕР,Манди ГЕРШ. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for fabrication of complex-combined axially symmetric welded article

Номер патента: RU2741737C1. Автор: Иван Олегович Неймышев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-01-28.

Method and line for fabrication of insert for multilayer film and multilayer film with insert

Номер патента: RU2531749C2. Автор: Оливер МУТ,Денис ДОНАТ,Иоахим КЛЕЗЕР,Михель ХАГЕМАН. Владелец: Бундесдрукерай Гмбх. Дата публикации: 2014-10-27.

Fire-resistant hose reinforced with cord fabric of glass fibre

Номер патента: RU2589589C2. Автор: Елена ГРЭЙ,Тимоти К. ЗЕДАЛИС. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-10.

Fabrication of tubular section from mineral cotton and tubular section made thereby

Номер патента: RU2540128C2. Автор: Туомо ХЬЕЛЬТ. Владелец: ПАРОК ОЙ АБ. Дата публикации: 2015-02-10.

Fabrication of baffle boards, particularly, for aircraft

Номер патента: RU2519382C2. Автор: Ги Бернар ВОШЕЛЬ,Гийом РЮКЕР. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-06-10.

Procedure for fabrication of hearth-cooling plate of metallurgical furnace and produced hearth-cooling plate

Номер патента: RU2423529C2. Автор: Клод ПЛАЙМЕЛДИНГ,Никола МУСЕЛЬ,Никола МАГГЬОЛИ,Никола МУСЕЛЬ (LU),Клод ПЛАЙМЕЛДИНГ (LU),Никола МАГГЬОЛИ (FR). Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2011-07-10.

Device for layer-by-layer fabrication of 3d object and method of feeding construction material

Номер патента: RU2422271C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ,Петер КЕЛЛЕР,Томас ХАЛЬДЕР,Ханс ПЕРРЕТ,Михель ГЕТ,Герд КАНТЦЛЕР,Зигфрид ШИМИТЦЕК,Андреа ВАЙХЗЕЛЬБАУМЕР. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2011-06-27.

Procedure for fabrication of briquettes from carbon containing materials

Номер патента: RU2437921C1. Автор: Александр Владимирович Сидорский,Олег Александрович Гогенко,Олег Иванович Толстун,Олег Олегович Гогенко. Владелец: Олег Олегович Гогенко. Дата публикации: 2011-12-27.

FABRICATION OF GaAs-BASED PHOTO INVERTER

Номер патента: RU2547004C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Светлана Валерьевна Сорокина,Владимир Петрович Хвостиков,Ольга Анатольевна Хвостикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2015-04-10.

Procedure for fabrication of processed product including silicon containing alloy of niobium and tantalum (its versions), cups of deep drawing and targets of ion sputtering produced out of it

Номер патента: RU2416656C2. Автор: Пол Р. ЭЙМОН,Керт Д. МОЗЕР,Роберт А. ДОРВЕЛ,Райан БОЛТЕР. Владелец: Х.К. Штарк Инк.. Дата публикации: 2011-04-20.

Fabrication of turbomachine hollow metal blade

Номер патента: RU2569614C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Раис Калимуллович Давлеткулов. Владелец: Раис Калимуллович Давлеткулов. Дата публикации: 2015-11-27.

Fabric of tapes made from cut polymer film tapes for production of air cushions

Номер патента: RU2517565C2. Автор: Скотт ВЕСТОБИ. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2014-05-27.

Fibrous reinforcing structure for fabrication of part of composite material

Номер патента: RU2427675C2. Автор: Доминик КУП,Эрик БУЙОН,Каролин ЛУШЕ-ПУИЛЛЬЕРИ,Реми БУВЬЕ,Франсуа ШАРЛЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-08-27.

Wooven fabrics of polyester for airbags

Номер патента: RU2495167C2. Автор: Томас Эдвард ШМИТТ,Мэч А. ДЕБЕНЕДИКТИС. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2013-10-10.

Design of developable surfaces for the fabrication of containers with linear fasteners

Номер патента: WO2019197020A1. Автор: Christian Schuller,Roi Poranne,Olga Sorkine Hornung. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated gaas active devices with improved optical coupling to dielectric waveguides

Номер патента: US20230266532A1. Автор: Minh Tran,Chong Zhang,Tin Komljenovic,Hyun Dai Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Fire-resistant double-faced fabric of knitted construction

Номер патента: CA3131032A1. Автор: Patricia Dolez,Mahsa KALANTARI,Jessica BUCHINSKI. Владелец: Jess Black Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: ZA202213473B. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: CA3181152A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: AU2021362256A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: EP4228440A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Method for fabrication of an integrated production complex on a gravity-based structure (gbs)

Номер патента: US20240262470A1. Автор: Leonid Viktorovich MIKHELSON,Valeriy Nikolaevich RETIVOV,Sergey Gennadyevich SOLOVYEV. Владелец: Novatek PAO. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: IL278059B. Автор: . Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

A reinforced abs composite material of spider silk and aramid fiber along with graphene for fabrication of unmanned aerial vehicles

Номер патента: AU2020101724A4. Автор: Ganesh Kumar A. G.,Sampathkumar A.,Balamuruga Mohan Raj G.,Joshua Gnana Sekaran J.,Thirugnanasambantham K. G.,Suthershan K.,Medagam Kesava Reddy,Halesh Koti,Botika Premkumar,Keerthi Vaasan R.,Maheswar R.,Sankaramoorthy T.. Владелец: R Maheswar Dr. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods, apparatus, and systems for fabrication of polymeric nano- and micro-fibers in aligned configurations

Номер патента: US09902932B2. Автор: Amrinder Singh Nain. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Medical implant, a kit and a method of manufacturing a 3D fabric of strands for forming a medical implant

Номер патента: US09650730B2. Автор: Rüdiger OTTMA,Michael HEIPL,Sebastian TILCHNER,Kathrin Schmidt. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Perfected contact stages for devices with cocurrent contact

Номер патента: RU2490047C2. Автор: Томас К. ГЕЛДВЕЙН,Джозеф АНЬЕЛЛО,Аарон Дж. МАК,Чжанпинг КСУ,Брайан Дж. НОУВАК. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2013-08-20.

Appliance for fabrication of one-shot pouch

Номер патента: RU2573761C2. Автор: Томас ЛАРССОН,Ларс-Олоф ЛЕФМАН,Том АСПГРЕН,Деннис ЭРИКССОН. Владелец: Свидиш Мэтч Норт Юроп Аб. Дата публикации: 2016-01-27.

Low-defect fabrication of composite materials

Номер патента: US20240117128A1. Автор: Brian L. Wardle,Jeonyoon LEE,Diana Jean Lewis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabrication of optical fibre soot preform

Номер патента: US20210047226A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Solid state lighting device with improved heatsink

Номер патента: WO2011005441A3. Автор: Gerald H. Negley,Antony Paul Van de Ven,Wai Kwan Chan,Derek Ian Darley. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-03-03.

Conditioning equipment for the fabric of a fiber web machine

Номер патента: WO2010103169A1. Автор: John Fagerlund,Sami Makkonen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2010-09-16.

Optical devices with spiral aperiodic structures for circularly symmetric light scattering

Номер патента: US20140016181A1. Автор: Luca Dal Negro. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fabrication of integrated computational elements using substrate support shaped to match spatial profile of deposition plume

Номер патента: EP2929319A1. Автор: Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

Fabrication of integrated computational elements using substrate support shaped to match spatial profile of deposition plume

Номер патента: US20150337435A1. Автор: Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: EP4375067A1. Автор: Leonid Ionov,Alla Synytska. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-29.

Fabrication of integrated circuit

Номер патента: WO2002042846A3. Автор: John Paul Drake. Владелец: John Paul Drake. Дата публикации: 2003-05-01.

Fabrication of integrated circuit

Номер патента: WO2002042846A2. Автор: John Paul Drake. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of fabrication of photonic biosensor arrays

Номер патента: US20110294679A1. Автор: Andrew Mark Shaw,Rouslan Vladimir Olkhov. Владелец: Attomarker Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Nonwoven fabric of hydraulically-enyangled fibres

Номер патента: IE850004L. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1985-07-05.

Heavy-weight nonwoven fabric of hydraulically-entangled fibers

Номер патента: IE56334B1. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1991-06-19.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: WO2024110502A1. Автор: Leonid Ionov,Synytska ALLA. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-30.

Breach containment device with sample saver

Номер патента: US09874313B2. Автор: Tyson Hammond. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Process and device for direct fabrication of a part on a structure

Номер патента: US09827716B2. Автор: Yann-Henri Laudrain. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Integration of active devices with passive components and MEMS devices

Номер патента: US09481568B2. Автор: David J. Howard,Jeff Rose,Michael J. Debar. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Optical devices with spiral aperiodic structures for circularly symmetric light scattering

Номер патента: US09360597B2. Автор: Luca Dal Negro. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2016-06-07.

Press-tool for fabrication of burning products

Номер патента: RU2601475C2. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Роза Фатыховна Гатина,Татьяна Александровна Енейкина,Марсель Ильдусович Гайнутдинов,Сергей Васильевич Солдатов,Гульфия Литанатовна Эсентемирова. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химических продуктов" (ФКП "ГосНИИХП"). Дата публикации: 2016-11-10.

Method of fabrication of ceramic casting cores for blades of turbomachines

Номер патента: RU2374031C2. Автор: Кристиан ДЕФРОКУР,Серж ПРИЖЕН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2009-11-27.

Fabrication of composite parts on the base of the thermoplastic armour

Номер патента: RU2655976C2. Автор: Аарон В. БАРТЕЛ,Дэвид Е. ГИДЕОН,Майкл Х. ЛАРСОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-05-30.

Fabrication of heat-barrier protection and sandwiched coating that can generate said heat barrier

Номер патента: RU2561550C2. Автор: Жюстин МЕНЮЕ,Флоранс АНСАР,Жан-Пьер БОНИНО,Жюстин ФЕНЕШ,Селин ВЬЯЗЗИ. Владелец: Юниверсите Поль Сабатье-Тулуз Iii. Дата публикации: 2015-08-27.

Device for removal of powder wastes during fabrication of light guides

Номер патента: RU2712998C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Александр Алексеевич Унтилов,Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Евгений Евгеньевич Татаринов,Сергей Александрович Носков. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2020-02-03.

Machine for fabrication of stator shaft

Номер патента: RU2683674C2. Автор: Штеффен РИТМЮЛЛЕР. Владелец: грайнер пэкиджинг аг. Дата публикации: 2019-04-01.

Method of fabrication of continuous pressing metal products, and press for continuous pressing of profiles, bars and pipes

Номер патента: RU2570857C1. Автор: Уве МУШАЛИК,Штефан ФРЕЕ,Андреас ВЕРСХОФЕН-КРОМБАХ,Корнелио ЛИОНИ. Владелец: СМС МЕЕР ГМБХ. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for fabrication of complex thin-walled welded article with thick-wall suspended elements

Номер патента: RU2718507C1. Автор: Александр Николаевич Новиков,Елена Александровна Лебедева,Владимир Анатольевич Белашов,Андрей Вениаминович Завьялов,Лариса Викторовна Деревянкина,Дмитрий Семенович Устинов,Алексей Владимирович Сметанин. Владелец: Акционерное общество «Научно-производственная корпорация «Уралвагонзавод» имени Ф.Э. Дзержинского». Дата публикации: 2020-04-08.

Reactor for heat treatment of mixes, fabrication of reactor, its application and application of produced products

Номер патента: RU2572981C2. Автор: Люси Б. УИЛЕР. Владелец: Энвайролли Инк.. Дата публикации: 2016-01-20.

Procedure for fabrication of high strength banded forming roll

Номер патента: RU2429300C1. Автор: Виталий Германович Лешковцев,Андрей Иванович Плохих,Алексей Михайлович Покровский,Елена Баторовна Бочектуева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана"(МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2011-09-20.

Device for metal melting with electron bunch and procedure implementing this device for fabrication of ingot out of metal with high temperature of melting

Номер патента: RU2401872C2. Автор: Норио ЯМАМОТО,Такеси СИРАКИ,Есихиро ХАТТА. Владелец: Тохо Титаниум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-10-20.

Electronic devices with reduced stray light and ambient light reflections

Номер патента: US11860394B1. Автор: Michael J. Brown,Yi Qiao,Jean-Pierre S. Guillou,Ying-Chih Wang,Tyler R. Kakuda,Paul C. KELLEY,Salman Karbasi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabrication of nanometer and micrometer structures with continuous reliefs

Номер патента: EP2567290A1. Автор: Arne Schleunitz,Helmut Schift. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2013-03-13.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Lace fabric of helical structure containing twisted optical fiber threads and production method therefor

Номер патента: US12044874B2. Автор: Zhi Huang,Zhenjiang Qu. Владелец: Foshan Jiepin Toy Industrial Co ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Seamless stitching for multi-reticle fabrication of integrated photonics optical components

Номер патента: WO2022212881A1. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia,Warren Bruce Jin. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Use of ionic liquids for fabrication of polynucleotide arrays

Номер патента: US20030092904A1. Автор: Geraldine Dellinger,Joel Myerson,Douglas Dellinger,Michel Perobost. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-05-15.

Tools and methods for fabrication of thermoplastic panels

Номер патента: US20240316839A1. Автор: Ozlem Turkarslan,Feride Nur Sasal. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-26.

System, method and apparatus for pattern clean-up during fabrication of patterned media using forced assembly of molecules

Номер патента: US20120091096A1. Автор: Huey-Ming Tzeng,Qing Dai,Dan Saylor Kercher. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-04-19.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US9244225B1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-26.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US20160025927A1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Method and apparatus for the fabrication of a container, such as a beverage container

Номер патента: US09993958B2. Автор: Guillaume Chauvin,Klaus Hartwig,Damien Kannengiesser. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Adjustable overflow closure device with cable drain

Номер патента: US09890522B2. Автор: Max Homami,Michael Gerard Rohlfs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Spunbond method for producing non-woven fabric of natural cellulose with flame-retarding feature

Номер патента: US09869042B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of diamond shells

Номер патента: US09481930B2. Автор: Juergen Biener,Christoph Wild,Eckhard Woerner,Alex V. Hamza. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Fabrication of orifices with lowly located cavitation source

Номер патента: RU2526635C2. Автор: ШАНТЦ Штефан,ЗЕЕЛЬБАХ Клаус. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-08-27.

Articles from fabric of ptfe and method of their manufacturing

Номер патента: RU2469133C1. Автор: Норман КЛАФ. Владелец: Гор Энтерпрайз Холдингс, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Fabrication of forged parts of light alloy with hollow or thinned sections

Номер патента: RU2578282C2. Автор: Ромен ЭПАЛЬ,Вероник БУВЬЕ,Эмиль Тома ДИ СЕРИО. Владелец: Сен Жан Эндюстри. Дата публикации: 2016-03-27.

Fabrication of flat wire gauze and flat wire gauze

Номер патента: RU2542882C2. Автор: Алексей Валентинович Кравцов. Владелец: Алексей Валентинович Кравцов. Дата публикации: 2015-02-27.

Device for fabrication of formed fibrous article with 3d outline

Номер патента: RU2577489C2. Автор: Марко Антонио АЛКМИН,Жозе Франсиско КАУ,Иваир Луис ДУАРТЕ,Рейналдо Лоренсо ФАРИЯ,Франсиску Х. В. ЭРНАНДЕС,Франсиску Антонью РИМОЛИ,Франсиско Савастано НЕТО,Алесандре Тейсейра ЯМАСИТА,Жозе Мануэл Соарес КОТИНЬЮ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Ду Бразил Индустрия Э Комерсиу Ди Продутус Пара Сауди Лтда.. Дата публикации: 2016-03-20.

Fabrication of cellular element with coating

Номер патента: RU2536739C2. Автор: БРЮКК Рольф. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2014-12-27.

Fabrication of cans

Номер патента: RU2573850C2. Автор: Стюарт МОНРО,Ален ПРЕССЕ,Джонатан РАЙЛИ,Кейт ВИНСЕНТ. Владелец: Краун Пэкэджинг Текнолоджи, Инк.. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Device for fabrication of ceramic fibres coated with thick metal shell from liquid phase

Номер патента: RU2569197C2. Автор: Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЕ,Жилль Шарль Казимир КЛЕЙН,Жераль САНЧЕС. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-11-20.

Track assembly link with two lateral support elements and method of fabrication of said support element for such track assembly

Номер патента: RU2530947C2. Автор: Леннарт БУРСТРЕМ. Владелец: Олофсфорс Аб. Дата публикации: 2014-10-20.

Combined profile with bearing element out of material on base of light metal and surface mounted band, also method of fabrication of this combined profile

Номер патента: RU2384426C2. Автор: Дитхельм ВЁМПНЕР,Тимо НЕТЦЕЛЬ,Дитхельм ВЁМПНЕР (DE),Тимо НЕТЦЕЛЬ (DE). Владелец: Алкан Технолоджи Энд Мэниджмент Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Printing device with rotation unit with gear transmission

Номер патента: RU2344044C2. Автор: Ричард Л. КАРЬЕР,Кевин Л. УИЛКЕН. Владелец: Брейди Уорлдуайд, Инк.. Дата публикации: 2009-01-20.

Fabrication of friction part based on carbon-carbon composite

Номер патента: RU2581400C2. Автор: Эрик ЛЕРМ,Жан-Мари ЖУЭН,Филипп ТЮРЖИ. Владелец: Мессье-Бугатти-Доути. Дата публикации: 2016-04-20.

Device for fabrication of container, in particular, with ampoule shape, from thermoplastic material

Номер патента: RU2564353C2. Автор: Бернд ХАНСЕН. Владелец: Бернд ХАНСЕН. Дата публикации: 2015-09-27.

Cellular element with ceramic structure and orifice for sensor and procedure for fabrication of such cellular element

Номер патента: RU2414605C2. Автор: Рольф БРЮКК. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-03-20.

Fabrication of lever from composite including crosswise thrust bearing to accommodate fixed or running axle

Номер патента: RU2526457C2. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛЕАВИ. Владелец: Мессье-Бюгатти-Довти. Дата публикации: 2014-08-20.

Procedure and device for fabrication of tuyers or cores, in particular for foundry

Номер патента: RU2397841C2. Автор: Йоахим ЛЕМПЕ. Владелец: Лемпе унд Мёсснер ГмбХ. Дата публикации: 2010-08-27.

Fabrication of vessels and vessel thus made

Номер патента: RU2559009C2. Автор: Джузеппе ТЕРРАЗИ. Владелец: СОРЕМАРТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-10.

Moulding tool for fabrication of parts reinforced by fibres

Номер патента: RU2577385C2. Автор: Юрген ФИЛЬЗИНГЕР,Франк ШТРАХАУЕР. Владелец: Еадс Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Dispenser for consumer goods and method of fabrication of sectioned tape packing

Номер патента: RU2568099C2. Автор: Дэвид ФИЛЛИПС,Нима ПУРАЙАН,Шаши МИШРА,Атану ПАЛИТ,Винод ВИБХУТ,Виджендер СИНГХ,Ной ПЕНТЕЛОВИЧ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2015-11-10.

Device and method of automatic fabrication of tape with threads for visualisation of air streams on aerodynamic surfaces

Номер патента: RU2344398C2. Автор: МОНТИЛЛА Эва Мари МЕНДЕЦ,МОНТИЛЛА Эва Мария МЕНДЕЦ,Сюзанн ВИРЕМБЕК,Тим МЕННИНГ. Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2009-01-20.

Fabrication of Novel Cylindrical Thermosyphon for Effective Heat Transfer and its Performance Analysis Using Machine Learning Approach

Номер патента: AU2020103771A4. Автор: Nasim Hasan .,Dadapeer Basheer,Dr. C. Karthik Jyothi Engineering College,Sivachitra M.,Saboor S,Aruna Kumar Behura Vellore Institute of Technology. Владелец: S Saboor Dr. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for joining plastic materials and products made of materials of various kind, such as natural leather, regenerated leather, natural hide, synthetic hide, fabrics of any kind, wood and the like, without the aid of any kind of bonding agents or adhesive materials, and product obtained with such joining method

Номер патента: WO2009034468A3. Автор: Mario Bertoglio. Владелец: Dibi S R L. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabrication of optical element having metal ring

Номер патента: US6935136B2. Автор: Kimihiro Kikuchi,Motohiko Otsuki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A3. Автор: Shital YADAV,Sandra SHARMA. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2016-08-18.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A8. Автор: Chandra Shekhar SHARMA,Shital YADAV. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2017-07-06.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A2. Автор: Shital YADAV,Sandra SHARMA. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US11912604B2. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: US20230225391A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for the Fabrication of a Steel Product comprising a step of characterization of a Layer of Oxides on a Running Steel Substrate

Номер патента: US20180283849A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: CA2999801C. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: EP3356803A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-08-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: WO2017056061A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal. Дата публикации: 2017-04-06.

Fabrication of nano-scale temperature sensors and heaters

Номер патента: US7009487B1. Автор: Dan Zhou,Fred Stevie,Lee Chow. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2006-03-07.

Fabrication of suspended carbon micro and nanoscale structures

Номер патента: US20100051446A1. Автор: Marc J. Madou,Chunlei Wang,Kartikeya Malladi,Rabih B. Zaouk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US20210047223A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: US20170260352A1. Автор: Shital YADAV,Shekhar Chandra Sharma. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2017-09-14.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabrication of corrosion-resistant tubing using minimal quantities of specialized material

Номер патента: US12117166B2. Автор: Eric Willis. Владелец: Caliber Elements LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Direct fabrication of mixed metal and polymer palatal devices

Номер патента: US20240358477A1. Автор: Jun Sato,Yuxiang Wang. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Bi-directional force sensing device with reduced cross-talk between the sensitive elements

Номер патента: US09989428B2. Автор: Michael Vinogradov-Nurenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Clamping device with metal cores

Номер патента: US09908748B1. Автор: Hoa Nhon Nguyen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Fabrication of free standing membranes and use thereof for synthesis of nanoparticle patterns

Номер патента: US09829793B2. Автор: Jun Yang,Tingjie LI. Владелец: University of Western Ontario. Дата публикации: 2017-11-28.

Dynamic time multiplexing fabrication of holographic polymer dispersed liquid crystals for increased wavelength sensitivity

Номер патента: US09625878B2. Автор: Adam K. Fontecchio,Kashma Rai. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-18.

Process and equipment for the fabrication of glass containers with internally threaded neck

Номер патента: US09440761B2. Автор: Benoit Villaret De Chauvigny,Gino Giovanni Brignolo,Ambrogio Morettin,Federico Campodonico,Dalmazio Perrone. Владелец: Owens Brockway Glass Container Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Closure device with opening control, as well as method of manufacturing such device

Номер патента: RU2704520C2. Автор: Клод БЕНУА-ГОНЕН,Жан-Ив РОГНАР. Владелец: Обрист Кложерс Свитселэнд Гмбх. Дата публикации: 2019-10-29.

Fabrication of filled container for inhaler

Номер патента: RU2562017C2. Автор: Саймон Кристофер БЕРРИ,Агнесс Клод Марсель Пьеретт КОЛОМБАНИ,Дункан Чарльз ДИКИ,Иан Марк ФЛЕТЧЕР,Дарен Джеймс ХОДСОН,Роберт Бернард ДЖЭНСЕН,Кэтрин Джейн ЛИ,Эндрю Джон ЛАДЗИК,Тим ПЭЙДЖ. Владелец: Астразенека Юкей Лимитед. Дата публикации: 2015-09-10.

Device for fabrication of elastomer articles

Номер патента: RU2455160C1. Автор: Торстен ШТИККЕЛЬ,Маркус ДЕНЕР,Маркус ФЕРБЕР,Торстен ШТИККЕЛЬ (DE),Маркус ДЕНЕР (DE),Маркус ФЕРБЕР (DE). Владелец: Карл Фройденберг Кг. Дата публикации: 2012-07-10.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: EP2630529A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: US20120099828A1. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Pressure sensor device with a progressive stopper

Номер патента: US20240230440A9. Автор: Jen-Huang Albert Chiou,Daniel J. Bratek,Jeffrey Frye. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Fabrication of optically smooth light guide

Номер патента: EP2359171A2. Автор: Kurt Allen Jenkins. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Fabrication of optically smooth light guide

Номер патента: WO2010075048A2. Автор: Kurt Allen Jenkins. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Curable compositions comprising a polymerizable reactive diluent for fabrication of orthodontic appliances

Номер патента: US20240191006A1. Автор: Michael Christopher Cole,Umesh Upendra CHOUDHARY,Jennifer Marie CHAVEZ,Jessica Kalay SU,Raymond Bao THAI. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication of an optical wedge

Номер патента: WO2011109426A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2011-09-09.

Fabrication of an optical wedge

Номер патента: EP2542396A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

Process for the fabrication of metal products

Номер патента: US3609852A. Автор: Andre Maigret,Maurice Lachaussee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-10-05.

System and method for fabrication of bulk nanocrystal alloy

Номер патента: WO2018187900A1. Автор: Peng Chen,Feng Gong,Zhiyuan Liu,Dengji GUO. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-10-18.

Nonwoven card for the production of nonwoven fabric of fiber material

Номер патента: US20040187267A1. Автор: Heinz-Werner Naumann-Burghardt,Robert Kamprath,Siegfried Brnhardt. Владелец: Spinnbau GmbH. Дата публикации: 2004-09-30.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: WO2012054211A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

Fabrication of portable device for easy detection on newborn ringworm using deep learning

Номер патента: AU2021101962A4. Автор: Sumanta BHATTACHARYA,Pranati Rakshit,Purnendu Bikash Acharjee,Ram Murat Singh,Subhashree Abinash,Manish Dadhich,Sakthipandi K.,Kamal Kant Hiran,Nirbhay Kumar Chaubey,Bhupesh Kumar Singh,Mayuri Mehta,Stephanie Noronha,Bhavisha Parmar,Durga Prasad Sharma. Владелец: Parmar Bhavisha Ms. Дата публикации: 2021-07-08.

Use of silintaphin for the structure-directed fabrication of (nano) composite materials in medicine and (nano) technology

Номер патента: WO2010124843A3. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Matthias WIENS. Дата публикации: 2010-12-29.

Use of Silintaphin for the Structure-Directed Fabrication of (Nano)Composite Materials in Medicine and (Nano)Technology

Номер патента: US20100273981A1. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Use of silintaphin for the structure-directed fabrication of (nano) composite materials in medicine and (nano) technology

Номер патента: WO2010124843A2. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Matthias WIENS. Дата публикации: 2010-11-04.

Method and apparatus for high-throughput maskless fabrication of polymer scaffolds and biological tissues in multi-well plates

Номер патента: CA3136444A1. Автор: WEI Wei,Wei Zhu. Владелец: Allegro 3D Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Handheld electronic device with reduced keyboard and associated method of providing quick text entry in a message

Номер патента: SG149012A1. Автор: George V Babu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Nonwoven card for the production of nonwoven fabric of fiber material

Номер патента: US7152278B2. Автор: Siegfried Bernhardt,Heinz-Werner Naumann-Burghardt,Robert Kamprath. Владелец: Spinnbau GmbH. Дата публикации: 2006-12-26.

Fabrication of air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: US20170351095A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for the fabrication of a fluid flow regulating pad for a lateral flow immunoassay and corresponding lateral flow immunoassay

Номер патента: US20240255501A1. Автор: Ye TANG,Silvia GENERELLI,Hui Chai Gao. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2024-08-01.

Fabrication of gold nanoporous anodic aluminum oxide substrate of at-home blood phenylalanine measuring device for phenylketonuria

Номер патента: US20230349756A1. Автор: Hugh F. Garvey,Richard D. Shunnarah,Lenzi J. Williams,Devon Fish. Владелец: Metgen Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for the fabrication of composite insulations

Номер патента: US3823026A. Автор: G Brunar. Владелец: Meynadier and Cie AG. Дата публикации: 1974-07-09.

Fabrication of gold nanoporous anodic aluminum oxide substrate of at-home blood phenylalanine measuring device for phenylketonuria

Номер патента: US11933672B2. Автор: Hugh F. Garvey,Richard D. Shunnarah,Lenzi J. Williams,Devon Fish. Владелец: Metgen Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Lens precursor with features for the fabrication of an ophthalmic lens

Номер патента: US09664923B2. Автор: P. Mark Powell,Christopher Wildsmith,Michael Widman. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Stitched one-and-half layer compressed fabric of small thickness made from monofilament threads

Номер патента: RU2326202C2. Автор: Гленн КОРНЕТТ. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-06-10.

Portable test and measurement device with circuit unit for generation of signals with low level of distortion

Номер патента: RU2689263C2. Автор: Дэвид ЭЛДЕР,Россано МАССАРИ. Владелец: Лайфскэн Скотлэнд Лимитед. Дата публикации: 2019-05-24.

Device with large electrically heated honeycomb element

Номер патента: RU2469197C2. Автор: Ян ХОДГЗОН,Рольф БРЮКК,Йёрг-Роман КОНЕЧНИ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Fabrication of ceramics from celestial materials using microwave sintering and mechanical compression

Номер патента: US20230280098A1. Автор: James G. Small,Joel C. Sercel. Владелец: Trans Astronautica Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabrication of patterned arrays

Номер патента: US20160303534A1. Автор: Wei Zhou,Jian Cao,Glenn McGall,Filip CRNOGORAC. Владелец: Centrillion Technology Holdings Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Fabrication of patterned arrays

Номер патента: EP3077543A2. Автор: Wei Zhou,Jian Cao,Glenn McGall,Filip CRNOGORAC. Владелец: Centrillion Technology Holdings Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

Tubular scaffold for fabrication of heart valves

Номер патента: US09968446B2. Автор: Arash Kheradvar,Seyedhamed Alavi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-05-15.

Textile fabric of aramid fibre and its use

Номер патента: RU2533134C2. Автор: Рюдигер ХАРТЕРТ,Петер Герард АККЕР. Владелец: Тейджин Арамид Гмбх. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for fabrication of false nail with 3d decoration

Номер патента: RU2493759C2. Автор: Сун Ён ЧХАН. Владелец: Сун Ён ЧХАН. Дата публикации: 2013-09-27.

Tower with transitional part and method of fabrication of tower with transitional part

Номер патента: RU2564328C2. Автор: Стефан Богл,Мартин ХИРЛЬ,Йозеф КНИТЛЬ. Владелец: МАКС БОГЛ БАУУНТЕРНЕМУНГ ГМБХ унд КО. КГ. Дата публикации: 2015-09-27.

Yarn and fabrics of fibre mixture containing oxidized polymer fibres

Номер патента: RU2552248C2. Автор: Зеб У. ЭТКИНСОН. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А Р.Л.. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of and apparatus for drying "crepe" and other fabrics of paper, hair, wool or other material

Номер патента: GB460306A. Автор: . Владелец: William Ridgway. Дата публикации: 1937-01-26.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US11891327B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Anshu A. Pradhan,Sridhar Karthik Kailasam,Dane Thomas GILLASPIE. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210109499A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230244209A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230376005A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US11726450B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230033300A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210149367A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210223756A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230251625A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Breach Containment Device With Sample Saver

Номер патента: US20160327211A1. Автор: Tyson Hammond. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

Method and apparatus for continuous fabrication of fiber-bundle-based and tape-base preforms

Номер патента: US20210114316A1. Автор: Christopher Bender,Todd Pelman,Erick Davidson,Ethan ESCOWITZ,J. Scott PERKINS,Cory BLOOME,Dylan HARPER,Kameron Butler. Владелец: Arris Composites Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method and apparatus for producing spunbonded fabrics of filaments

Номер патента: EP1629142A1. Автор: Henning Roettger,Michael Voges,Ralf Sodemann. Владелец: Corovin GmbH. Дата публикации: 2006-03-01.

Comfort device with reduced space requirement, especially for a passenger in a public transport vehicle

Номер патента: AU2020200841A1. Автор: Antonio Da Costa,Denis Miglianico. Владелец: Alstom Transport Technologies SAS. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device for individually applying voltage to drain select lines

Номер патента: US20240312523A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabrication of a non-pneumatic survivable tire and wheel assembly

Номер патента: US09475244B2. Автор: Eldon C. Rogers,Timothy L. Williams. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Procedure for fabrication of bound cloth consisting of ceramic filaments with metal matrix, device for implementation of this procedure and bound cloth fabricated by above said procedure

Номер патента: RU2411302C2. Автор: Жан-Мишель ФРАНШЕ,Жилль КЛЕЙН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2011-02-10.

Procedure for fabrication of part with insertion out of composite material with metal matrix and ceramic fibres

Номер патента: RU2414524C2. Автор: Жан-Мишель ФРАНШЕ,Жилль КЛЕЙН,Жан-Франсуа ФРОМЕНТЭН,Кристоф ГРОСБУА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2011-03-20.

Fabrication of straightener and straightener thus made

Номер патента: RU2564740C2. Автор: Жорж ДЮШЕН. Владелец: Текспейс Аэро С.А.. Дата публикации: 2015-10-10.

Fabrication of laminate tooling using closed-loop direct metal deposition

Номер патента: US20020165634A1. Автор: Timothy Skszek. Владелец: POM Group. Дата публикации: 2002-11-07.

Method and device for fabrication of mask for laser unit for production of microstructures

Номер патента: RU2580901C2. Автор: Шарль БОЭГЛИ,Стеффен ВАЙССМАНТЕЛЬ,Гюнтер РАЙСС,Энди ЭНГЕЛ,Рене БОЭТТЧЕР,Вернер СТЕФФЕН. Владелец: БОЭГЛИ-ГРАВЮР С.А.. Дата публикации: 2016-04-10.

Fabrication of straight insert from metal-based composite

Номер патента: RU2557400C2. Автор: Ришар МАССОН,Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЕ,Жилль Шарль Казимир КЛЕЙН,Луи САЛЬВА. Владелец: Мессье-Бугатти-Даути. Дата публикации: 2015-07-20.

Procedure and substrate for fabrication of parts of composite materials by means of compaction of chemical infiltration with gas phase

Номер патента: RU2429212C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Бруно БЕРНАР,Себастьен БЕРТРАН,Жак ТЕБО. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-09-20.

Composition and procedure for fabrication of non-fired chromium-magnesite heat resistant concrete

Номер патента: RU2377219C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Абдулла Магомедсаламович Гаджиев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Аминат Магомедовна Газимагомедова,Зурхай Зайбуллаевич Гусейнов,Эльмира Магомедовна Мутаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-27.

Binder for the Fabrication of Diamond Tools

Номер патента: US20090107291A1. Автор: Evgeny Aleksandrovich Levashov,Vladimir Alekseevich Andreev,Viktoriya Vladimirovna Kurbatkina. Владелец: Viktoriya Vladimirovna Kurbatkina. Дата публикации: 2009-04-30.

Process for the production of improved cellulosic fabrics of the type having high crimp in the warp, or in the weft, or in both the warp and the weft

Номер патента: GB994196A. Автор: . Владелец: MARIAN ADAMSKI. Дата публикации: 1965-06-02.

Method for fabrication of electroscopic display devices and transmissive display devices fabricated thereby

Номер патента: CA1180087A. Автор: Donald E. Castleberry. Владелец: Donald E. Castleberry. Дата публикации: 1984-12-27.

Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Номер патента: US11947232B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Anshu A. Pradhan,Robin Friedman,Sridhar Karthik Kailasam. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods and systems for fabrication of ultrasound transducer devices

Номер патента: WO2023182988A1. Автор: Liang Wang,David KREVOR,Brian Bircumshaw,Jason Tauscher,Naresh MANTRAVADI. Владелец: Exo Imaging, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and systems for fabrication of ultrasound transducer devices

Номер патента: US20230303389A1. Автор: Liang Wang,David KREVOR,Brian Bircumshaw,Jason Tauscher,Naresh MANTRAVADI. Владелец: Exo Imaging Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Fabrication of highly flexible near-infrared metamaterials

Номер патента: WO2013091583A1. Автор: Guixin Li,Kok Wai Cheah. Владелец: HONG KONG BAPTIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

A mould set for fabrication of an eps pallet and use thereof

Номер патента: EP4072815A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2022-10-19.

A mould set for fabrication of an EPS pallet and use thereof

Номер патента: AU2024203587A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

A mould set for fabrication of an EPS pallet and use thereof

Номер патента: AU2021331702A8. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

A mould set for fabrication of an EPS pallet and use thereof

Номер патента: AU2021331702B2. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Low dropout regulator circuit with reduced overshoot and undershoot and the method thereof

Номер патента: US20230400872A1. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Fluid transfer device with pressure equilibrium valve

Номер патента: US09802809B1. Автор: Alexander G. Murashko, Jr.,Robert L. Schultz, Jr.. Владелец: Schultz Engineered Products Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Device for fabrication of composite part by resin injection

Номер патента: RU2566793C2. Автор: Флоранс КАСТАНЬЕ,Эрве ЮРЛЕН,Патрик МАРТЕН,Ален Д'АКЕНТО,Мариус МИАЛЮТА,Луи БЕТТЕГА,Жан-Пьер КОШУА,Жером СИНИ,Ришар МАНЖЕНО,Франсуа ПЕРРЕН. Владелец: Поль Де Пластюржи Де Л'Эст. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of fabricating of steel sheets hardened with firing, steel sheets and parts

Номер патента: RU2338792C2. Автор: Жоэль МАРСАЛЬ,Фернанд КИРШ,Доминик МЕСКОЛИНИ. Владелец: Юзинор. Дата публикации: 2008-11-20.

Bearing structural section, method of its application and its application for fabrication of vehicle body reinforced part

Номер патента: RU2576305C2. Автор: Штеффен БЮРКНЕР,Йохен ШОЛЛЕР,Эрик ХАНЗЕН. Владелец: Премиум Аэротек Гмбх. Дата публикации: 2016-02-27.

Spring steel, procedure for fabrication of spring out of this steel ans spring out of this steel

Номер патента: RU2397270C2. Автор: Нао ЁСИХАРА,Казухиса КАВАТА,Жюли МУГЕН,Жак ЛАНГИЙОМ. Владелец: Аскометаль. Дата публикации: 2010-08-20.

Composition of martensite stainless steel, procedure for fabrication of mechanical tool out of this steel and part fabricated by this procedure

Номер патента: RU2415196C2. Автор: Жак МОНТАНЬОН. Владелец: Обер Э Дюваль. Дата публикации: 2011-03-27.

Device and method of manufacturing nonwoven spun fabric of elementary fibres

Номер патента: RU2613869C2. Автор: Ханс-Георг Геус,Детлеф ФРЕЙ,Клаудио ЧИНКУЭМАНИ,Петер ШЛАГ. Владелец: Райфенхойзер Гмбх Унд Ко. Кг Машиненфабрик. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabrication of accessible suspended ceilings and system of sections for such ceilings

Номер патента: RU2215853C2. Автор: Ханс-Хайнц БИРКМЮЛЛЕР,Манфред КАЙЗЕР. Владелец: Кнауф Интеграль Кг. Дата публикации: 2003-11-10.

Steel plate for fabrication of light weight constructions and procedure for production of this plate

Номер патента: RU2416671C2. Автор: Оливье БУАЗИЗ,Жан-Клод ШЕВАЛЛО,Фредерик БОННЕ. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2011-04-20.

Fabrication of containers

Номер патента: RU2555064C2. Автор: Майкл Джонатан КОУТС. Владелец: Краун Пэкэджинг Текнолоджи, Инк.. Дата публикации: 2015-07-10.

Pump to drain wells by alternating aspitation and repulsion cycles that operates on pneumatic principle

Номер патента: RU2405891C2. Автор: РОДРИГЕС Хорхе ЛОПЕС. Владелец: РОДРИГЕС Хорхе ЛОПЕС. Дата публикации: 2010-12-10.

Procedure for fabrication of high strength cold rolled steel sheet with excellent chemical processability and equipment for its fabrication

Номер патента: RU2424331C2. Автор: Кенитиро МАЦУМУРА,Кохдзи ЯНАБА,Юуки ЯСУДА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Steel sheet for hot forming and method of fabrication of part thereof by hot forming

Номер патента: RU2548337C2. Автор: Хироки НАКАМАРУ,Сэйдзи НАКАДЗИМА,Тацуя МИЁСИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-04-20.

Vehicle with reduced noise emission

Номер патента: RU2603631C2. Автор: Штеффен ТРЕБСТ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-11-27.

Method of treating patients with reduced face height and deforming the occlusal plane

Номер патента: RU2701098C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Роман Александрович Фадеев,Константин Александрович Овсянников,Татьяна Александровна Гилина,Абутаир Фарес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2019-09-24.

Method for predicting the survival of a patient with chronic heart failure with reduced left ventricular ejection fraction

Номер патента: RU2646749C1. Автор: Борис Иванович Смирнов,Лариса Васильевна Прокопова,Мария Юрьевна Ситникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Северо-Западный федеральный медицинский исследовательский центр имени В.А. Алмазова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-06.

Reducer tank, segment for such reducer tank and vehicle with reducer tank

Номер патента: RU2721060C2. Автор: Марко МИШКЕ,Даниэль ТОЙБНЕР,Амир-Реза АФКХАМИ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-05-15.

Genetic construct based on non-viral vector plasmid including p4na2 gene cdna for reducing manifestations of human body conditions associated with reduced expression of p4na2 gene and/or reducing amount of prolyl 4-hydroxy acid alpha 2 protein, method of producing and use

Номер патента: RU2700649C2. Автор: Наталиа Савелиева,Всеволод Петрович Лехин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Прорывные Инновационные Технологии". Дата публикации: 2019-09-18.

Chemical reactions with reduced moisture content

Номер патента: RU2375298C2. Автор: Эндрю ХИЛЛ,Джон ХИЛЛ. Владелец: Атраверда Лимитед. Дата публикации: 2009-12-10.

Heavy-weight nonwoven fabric of hydraulically- entangled fibers

Номер патента: CA1234967A. Автор: Birol Kirayoglu. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1988-04-12.

Fat-simulating composition, food composition with reduced caloricity comprising thereof, and method for preparing composition alkoxylated polyol esterified with fatty acids

Номер патента: RU2258382C2. Автор: Бернард Чарльз СЕКУЛА. Владелец: Бестфудс. Дата публикации: 2005-08-20.

Process and arrangement for producing dose profiles for the fabrication of structured surfaces

Номер патента: US5620814A. Автор: Ernst-Bernhard Kley. Владелец: Vistec Electron Beam GmbH. Дата публикации: 1997-04-15.

Improved method of treating a fabric of woven or interlaced thermoplastic threads and device for carrying the method into effect

Номер патента: GB1045590A. Автор: . Владелец: Welinberger Guy J O. Дата публикации: 1966-10-12.

Installation for the fabrication of cells to be subsequently assembled side by side in order to constitute a construction unit

Номер патента: US5167842A. Автор: Michel Vercelletto. Владелец: Entreprise Vercelletto. Дата публикации: 1992-12-01.

Industrial fabrics of controlled air permeability and high ageing resistance and manufacture thereof

Номер патента: CA2073957C. Автор: Volker Siejak,Hans Albert Graefe,Wolf Rudiger Krummheuer. Владелец: Akzo NV. Дата публикации: 2000-07-04.

Fabrication of optical fibers utilizing thermophoretic deposition of glass precursor particulates

Номер патента: CA1130547A. Автор: William R. Sinclair,Willy W. Van Roosbroeck. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-08-31.

Fire-resistant double-faced fabric of knitted construction

Номер патента: US11905630B2. Автор: Patricia Dolez,Mahsa KALANTARI,Jessica BUCHINSKI. Владелец: Jess Black Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of controlling the size of a fabric of a garment

Номер патента: US20100101001A1. Автор: Paul Morris. Владелец: Pro Fit International Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

A method of controlling the size of a fabric of a garment

Номер патента: EP2129248A1. Автор: Paul Morris. Владелец: Pro Fit International Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of controlling the size of a fabric of a garment

Номер патента: US8528492B2. Автор: Paul Morris. Владелец: Talon Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

A method of controlling the size of a fabric of a garment

Номер патента: WO2008104767A1. Автор: Paul Morris. Владелец: Pro-Fit International Limited. Дата публикации: 2008-09-04.

Support and method for additive fabrication of foot orthotics

Номер патента: EP3206636A1. Автор: YONG Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-23.

Fire-resistant double-faced fabric of knitted construction

Номер патента: WO2020168437A1. Автор: Patricia Dolez,Mahsa KALANTARI,Jessica BUCHINSKI. Владелец: Jess Black Inc.. Дата публикации: 2020-08-27.

Basic fabric for an adhered fabric of a high-performance belt and process for the manufacture thereof

Номер патента: EP4326928A1. Автор: Giuliano COSTA,Fabio Danilo MARINONI,Giovanni MAZZUCCO. Владелец: Tessitura Marinoni Srl. Дата публикации: 2024-02-28.

Fabrication of alignment and assembly microstructures

Номер патента: EP1412795A2. Автор: Michael Thomas Gale,Thomas Ammer. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2004-04-28.

Support and method for additive fabrication of foot orthotics

Номер патента: US20170252981A1. Автор: YONG Li. Владелец: YONG Li. Дата публикации: 2017-09-07.

Support and method for additive fabrication of foot orthotics

Номер патента: WO2016058091A1. Автор: YONG Li. Владелец: YONG Li. Дата публикации: 2016-04-21.

Low-defect fabrication of composite materials

Номер патента: US20220177656A1. Автор: Brian L. Wardle,Jeonyoon LEE,Diana Jean Lewis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for fabrication of 3d printed part with high through-plane thermal conductivity

Номер патента: US20230009609A1. Автор: Ning Chen,Yinghong Chen,Jingjing JING,Shaohong Shi. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2023-01-12.

Basic fabric for an adhered fabric of a high-performance belt and process for the manufacture thereof

Номер патента: US20240200239A1. Автор: Giuliano COSTA,Fabio Danilo MARINONI,Giovanni MAZZUCCO. Владелец: Tessitura Marinoni Srl. Дата публикации: 2024-06-20.

Host system directly connected to internal switching fabric of storage system

Номер патента: US20200334177A1. Автор: Ian Wigmore,Alesia A. Tringale,Jason J. Duquette. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

A cover intended for the fabrication of a booklet, a method of handling such covers, and a method of fabricating such booklets

Номер патента: AU5074298A. Автор: Jan Sabelstrom. Владелец: Bind O Matic AB. Дата публикации: 1998-06-03.

A cover intended for the fabrication of a booklet, a method of handling such covers, and a method of fabricating such booklets

Номер патента: WO1998021049A1. Автор: Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1998-05-22.

Power Device with Current Sense

Номер патента: LU503269B1. Автор: Florin Udrea,Philip Neaves. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

Rotary pressure filtering device with reduced pressure fluctuations

Номер патента: RU2691046C2. Автор: Андерс БИТЩ-ЛАРСЕН,Тимоти КЕЙЕС,Томас БАРТОС. Владелец: Бипи Корпорейшен Норт Америка Инк.. Дата публикации: 2019-06-07.

Noise reducing gate of diffuser

Номер патента: RU2711718C2. Автор: Даниэль Дж. ЭЙЛЕРС,Аллен С. ФЕЙГЕРЛУНД. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2020-01-21.

Materials for ophthalmological and otolaryngological devices with reduced adhesiveness

Номер патента: RU2433837C2. Автор: Мутлу КАРАКЕЛЛЕ,III Джозеф И. ВАЙНШЕНК,Дуглас К. ШЛЮТЕР,Диана М. КОРДОВА,Ченс ЛЕМАН. Владелец: Алькон Инк.. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of stimulating motor skills in children with reduced muscle tone

Номер патента: RU2728423C1. Автор: Галина Сергеевна Лупандина-Болотова,Дмитрий Андреевич Игнатов,Андрей Петрович Фисенко,Екатерина Николаевна Стрижко. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр здоровья детей" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГАУ "НМИЦ здоровья детей Минздрава России). Дата публикации: 2020-07-29.

Method for production of a dairy product with reduced plasmin activity

Номер патента: RU2703403C2. Автор: Харри КАЛЛИОЙНЕН,Саара ЛЯХТЕВЯНОЯ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2019-10-16.

Medication with reduced bitter taste perception

Номер патента: RU2666531C2. Автор: Якан ЛИН,Джейсон Уильям НЬЮЛОН,Коти СРЕЕКРИШНА,Молли Кристина ФИНДЛИ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of producing semi-smoked sausage from poultry meat with reduced content of table salt

Номер патента: RU2634967C1. Автор: Ольга Михайловна Мышалова,Ирина Сергеевна Патракова,Оксана Яковлевна Алексеевнина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский технологический институт пищевой промышленности (университет)". Дата публикации: 2017-11-08.

Method of ensuring the viability of functioning of the liquefied natural gas production complex with reduced methane emissions into the atmosphere of the earth named after v. a. abramov

Номер патента: RU2745461C2. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2021-03-25.

Solventless curable resin composition, in particular for the fabrication of prepregs

Номер патента: US5614126A. Автор: Urs Gruber,Aloysius H. Manser. Владелец: Ciba Geigy Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Pressure regulator operation method with reduced power consumption and system for performing the same

Номер патента: RU2292577C2. Автор: Ричард Дж. ВАНДЕРАХ,Пол Р. АДАМС,Дэвид Э. ВУЛЛАМС,Джон Б. МИЛЛИКЕН. Владелец: Фишер Контролз Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2007-01-27.

New type cigarette with reduced temperature of tobacco steam and improved taste

Номер патента: RU2698740C1. Автор: Хуачэнь ЛЮ,Икунь ЧЭНЬ,Вэйчан КЭ,Чэнхао ЛО,Сянхао ЛЮ. Владелец: Хубэй Чайна Тобакко Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacture of dry building mixtures with reduced dust formation

Номер патента: RU2655697C1. Автор: Андрей Петрович Пустовгар,Ирина Сергеевна Иванова,Дмитрий Юрьевич Кольчугин,Сергей Владимирович Нефедов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2018-05-29.

Method to prepare coffee extract for large cup from capsule with reduced time of outflow

Номер патента: RU2430670C2. Автор: Пауль АЙХЛЕР,Петер КОХ,Сильвия ОРЕССЕР,Эрнест РЭТЦ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2011-10-10.

Method for producing gadolinium (iii) chloride with reduced content of uranium and thorium

Номер патента: RU2753711C1. Автор: Михаил Борисович Гришечкин,Игорь Христофорович Аветисов,Роман Игоревич Аветисов,Андрей Владимирович Хомяков,Марина Павловна Зыкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева» (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2021-08-20.

Curing mixture with reduced sodium content

Номер патента: RU2652831C1. Автор: Анастасия Артуровна Семенова,Виктория Викторовна Насонова,Елена Карленовна Туниева,Кирилл Игоревич Спиридонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр пищевых систем им. В.М. Горбатова" РАН. Дата публикации: 2018-05-03.

Abramov complex for production of liquefied natural gas (lng) with reduced emission of methane into earth atmosphere

Номер патента: RU2686773C2. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2019-04-30.

Fabrication of holograms on plastic substrates

Номер патента: US4330604A. Автор: John E. Wreede,Andrejs Graube,Mark A. Mulvihill. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1982-05-18.

Method and device for the fabrication of perforated blocks

Номер патента: CA2087067A1. Автор: Josef Metten. Владелец: METTEN PRODUKTIONS - und HANDELS-GMBH. Дата публикации: 1993-07-14.

Fabrication of optical fibers with improved cross sectional circularity

Номер патента: US4154591A. Автор: William G. French,G. William Tasker. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-05-15.

Nonwoven fabric of multi-length, multi-denier fibers and absorbent article formed therefrom

Номер патента: CA2235723C. Автор: Jose Antonio Pereira,Eduardo Cesar Andreo Aledo. Владелец: Johnson and Johnson Industrial Ltda. Дата публикации: 2007-02-13.

Plate based on a wood material with reduced release of volatile organic compounds (voc) and application thereof

Номер патента: RU2766678C2. Автор: Норберт ДР. КАЛЬВА. Владелец: СВИСС КРОНО Тек АГ. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for the fabrication of concrete blocks or concrete slabs

Номер патента: CA2358591C. Автор: Hans-Josef Metten. Владелец: Metten Stein and Design GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-04-27.

Method for obtaining composition containing proteins and lipids with reduced coagulation in digestive tract

Номер патента: RU2683371C2. Автор: Рудольф Эдуардус Мариа ВЕРДЮРМЕН,Томас ЛЮДВИГ,Марсел МИНОР,ДЕН БРАК Клаудиа Катарина Мария ВАН,Хильде РУИС. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2019-03-28.

Composition containing iron sucrose and high-concentrated microencapsulated lcpusfa, with reduced foreign flavor

Номер патента: RU2666190C2. Автор: Марсель БРАУН,Рафаэль БЕРРОКАЛЬ,Элоди СУССАН,Матье БЕДАРД. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-09-06.

Arbitrarily cut lace fabric of non-hot melt material

Номер патента: EP3916141A1. Автор: Wenhua Luo,Zhiqin DENG,Peishan XIAO. Владелец: Dongguan Best Pacific Textile Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

High-throughput fabrication of microparticles

Номер патента: US20110163469A1. Автор: Robert S. Langer,Daniel G. Anderson,STEVEN LITTLE. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-07-07.

Axial fabrication of optical fibers

Номер патента: CA1071405A. Автор: Stewart E. Miller. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

Coated fabric of a polyester fiber and a method for preparation thereof

Номер патента: US5266354A. Автор: Masami Ikeyama,Ikuko Nakabe,Syunroku Tohyama. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1993-11-30.

Control means for a fluid-powered device

Номер патента: US3924513A. Автор: Jack B Ottestad. Владелец: Impulse Products Corp. Дата публикации: 1975-12-09.

Warp-knit fabric of noble metal-containing wires, and method for the production thereof

Номер патента: US6089051A. Автор: Michael Hörmann,David Francis Lupton,Bruno Streb,Marek Gorywoda,Gunter Lindenmayer. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-07-18.

Method for the fabrication of a slide fastener chain with reinforcement tapes and an apparatus therefor

Номер патента: CA1098683A. Автор: Keiichi Yoshieda,Kazuki Kuse. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1981-04-07.

Fabrication of panels, binders, trays, frames, boxes and other assemblies from sheet material and channel- shaped edging strips

Номер патента: CA1175276A. Автор: Keith Ryan. Владелец: RECORDEX Ltd. Дата публикации: 1984-10-02.

Lace fabric of helical structure containing twisted optical fiber threads and production method therefor

Номер патента: US20240061164A1. Автор: Zhi Huang,Zhenjiang Qu. Владелец: Foshan Jiepin Toy Industrial Co ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US11907580B2. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Fabrication of nanofibers as dry adhesives and applications of the same

Номер патента: US11905634B2. Автор: Shing-Chung Josh Wong,Johnny F. Najem,Pei Chen. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2024-02-20.

Jetting ceramic nanoparticles for fabrication of metal parts

Номер патента: US20180236539A1. Автор: Michael Andrew Gibson,Emanuel Michael Sachs,Brian Daniel Kernan. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Jetting nanoparticle mixtures for fabrication of metal parts

Номер патента: US20180236540A1. Автор: Michael Andrew Gibson,Michael J. Tarkanian. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Nanoparticle aggregation in binder jetting fabrication of metal parts

Номер патента: US20180236545A1. Автор: Michael Andrew Gibson,Christopher Benjamin Renner,Anna Marie Trump. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Multi-phase sintering in binder jetting fabrication of metal objects

Номер патента: US20180236544A1. Автор: Michael Andrew Gibson,Michael J. Tarkanian,Ellen Elizabeth Benn,Brian Daniel Kernan,Christopher Anthony Craven. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Integration of active devices with passive components and MEMS devices

Номер патента: US9751753B2. Автор: David J. Howard,Jeff Rose,Michael J. Debar. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US11541614B2. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Seamless stitching for multi-reticle fabrication of integrated photonics optical components

Номер патента: EP4314914A1. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia,Warren Bruce Jin. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Seamless stitching for multi-reticle fabrication of integrated photonics optical components

Номер патента: US11803013B2. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia,Warren Bruce Jin. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic devices with inhomogeneous image transport layers

Номер патента: US11747553B1. Автор: Michael J. Brown,Yi Qiao,Jean-Pierre S. Guillou,Shubhaditya Majumdar,Tyler R. Kakuda,Paul C. KELLEY,Salman Karbasi,Elizabeth C. Porter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Direct fabrication of orthodontic aligners

Номер патента: WO2023183884A1. Автор: Jun Sato,Yuxiang Wang,Viswanath Meenakshisundaram,Yaser SHANJANI,Pavel POKOTILOV,Manlio Fabio Valdivieso Casique,Crystal Tjhia,Luyao Cai,Kangning Su,Zhou YU (Jonelle),Siyi Liu,John DEWS-FLICK,Sudharshan ANANDAN. Владелец: Align Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Direct fabrication of orthodontic aligners

Номер патента: US20230301752A1. Автор: Jun Sato,Yuxiang Wang,Viswanath Meenakshisundaram,Yaser SHANJANI,Pavel POKOTILOV,Manlio Fabio Valdivieso Casique,Crystal Tjhia,Luyao Cai,Kangning Su,Zhou (Jonelle) YU,Siyi Liu,John DEWS-FLICK,Sudharshan ANANDAN. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

System and method for precise fabrication of biomaterial-encapsulated cell masses

Номер патента: WO2024022320A1. Автор: Chi Hang Wong,Chung Wai Jonathan LAM,Chiu Chin PONG. Владелец: Bioarchitec Group Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US11007727B2. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2021-05-18.

Medical device with conditional power consumption

Номер патента: WO2013082323A1. Автор: James Gibson,Thomas Price,Thomas Geske,Nick Robertson,Kalpathy Krishnan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for the fabrication of a container, such as a beverage container

Номер патента: EP2867001A1. Автор: Guillaume Chauvin,Klaus Hartwig,Damien Kannengiesser. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2015-05-06.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US11931976B2. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Devices and methods for fabrication of components of a multiscale porous high-temperature heat exchanger

Номер патента: US11988471B2. Автор: LIN Zhao,Jeffrey Youngblood,Evelyn N. Wang,Xiangyu Li,Bikram BHATIA,Arny Leroy,Kyle Wilke,Lenan Zhang,Rodney Trice,Chad T. Wilson,Olivia Brandt,Rodrigo Orta Guerra. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-21.

System including breakaway fasteners for fabrication of composite parts

Номер патента: US11988237B2. Автор: Matthew J. Nelson,Michael Arthur Champa. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Integration of Active Devices with Passive Components and MEMS Devices

Номер патента: US20160289065A1. Автор: David J. Howard,Jeff Rose,Michael J. Debar. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Pressure sensor device with a progressive stopper

Номер патента: US20240133756A1. Автор: Jen-Huang Albert Chiou,Daniel J. Bratek,Jeffrey Frye. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for fabrication of optical fibre soot preform

Номер патента: US11236006B2. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US20230133820A1. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: EP3732362A1. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US20190202143A1. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semi-automated layup process for fabrication of wind turbine blades using laser projection system

Номер патента: US20210268751A1. Автор: Carlos Ramirez,Amirhossein SALIMI. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Backflow prevention device with reduced pressure zone

Номер патента: US20210270377A1. Автор: Matteo Fantoni,Marco ROSA BRUSIN,Michele SAVOINI,Mauro BIZZO. Владелец: Giacomini SpA. Дата публикации: 2021-09-02.

Fabrication of thermally stable nanocavities and particle-in-cavity nanostructures

Номер патента: US20180363126A1. Автор: Cheng Xu,YANG Zhao,Luping Li,Kirk Jeremy Ziegler,Justin C. Wong. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: EP1222446A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: WO2001027575A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-04-19.

System, method, computer program, mobile device and kit for operating a device with low computing power

Номер патента: EP3938863A1. Автор: Ersun Kartal,Roozbeh Farahbod. Владелец: tooz technologies GmbH. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for producing epitaxial layer of iii- nitride superconductor on foreign substrate

Номер патента: RU2187172C1. Автор: С.А. Кукушкин,А.В. Осипов,нов А.В. Лукь,А.В. Лукьянов,В.Н. Бессолов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2002-08-10.

METHOD FOR FABRICATION OF III-NITRIDE DEVICE AND THE III-NITRIDE DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120326215A1. Автор: Srivastava Puneet,MALINOWSKI Pawel,Van Hove Marleen. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it

Номер патента: AU2002238984A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masahito Kodama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

MAGNESIUM DOPING IN BARRIERS IN MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES OF III-NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICES

Номер патента: US20120107991A1. Автор: Huang Chia-Yen,Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-05-03.

Preparation method of III-nitride semiconductor devices

Номер патента: CN102779787A. Автор: 朱廷刚. Владелец: JIANGSU NENGHUA MICROELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.