Methods of reading and writing data in a thyristor random access memory
Номер патента: US09564199B2
Опубликовано: 07-02-2017
Автор(ы): Bruce L. Bateman, Charlie Cheng, Harry Luan, Valery Axelrad
Принадлежит: Kilopass Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2017
Автор(ы): Bruce L. Bateman, Charlie Cheng, Harry Luan, Valery Axelrad
Принадлежит: Kilopass Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Apparatus and method of three dimensional conductive lines
Номер патента: US20190122960A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.