Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
Номер патента: US09530812B2
Опубликовано: 27-12-2016
Автор(ы): Hiroshi Takahashi, Reijiroh Shohji, Taku Umebayashi
Принадлежит: Sony Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-12-2016
Автор(ы): Hiroshi Takahashi, Reijiroh Shohji, Taku Umebayashi
Принадлежит: Sony Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same
Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.