ESD protection circuit.

ESD protection circuit

Номер патента: US09431823B2
Опубликовано: 30-08-2016
Автор(ы): Tadashi Ozawa
Принадлежит: MegaChips Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Esd protection circuit

Номер патента: EP3840157A1. Автор: Yushan Li,Qimeng JIANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

Electrostatic discharge protection circuit and configuration method

Номер патента: US09876003B2. Автор: Wei Lei,Jie Chen,Yan Chen,Zhenjiang Su. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Esd protection circuit

Номер патента: US20230006440A1. Автор: Yushan Li,Qimeng JIANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

ESD protection circuit

Номер патента: US11791627B2. Автор: Yushan Li,Qimeng JIANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

ESD protection circuit

Номер патента: US11411396B2. Автор: Yushan Li,Qimeng JIANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Esd protection circuit

Номер патента: US20210210955A1. Автор: Yushan Li,Qimeng JIANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Apparatus and methods for bidirectional esd protection in integrated circuit

Номер патента: WO2013181328A1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Ann Margaret Concannon,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-12-05.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20170069618A1. Автор: Ming-Dou Ker,Tzu-Chien Tzeng,Ju-Lin Huang,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-09.

Cross-domain esd protection circuit

Номер патента: US20180097355A1. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Bi-directional snapback esd protection circuit

Номер патента: US20170256940A1. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Transient voltage protection circuits and devices

Номер патента: US09601920B2. Автор: Alexander Glas,Klaus Scharnagl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

ESD protection circuit and method thereof

Номер патента: US20070223157A1. Автор: Ying-Hsi Lin,Ka-Un Chan,Tzung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Cross-domain esd protection circuit

Номер патента: US20180096983A1. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

ESD protection using shared RC trigger

Номер патента: US09537308B2. Автор: Brad Sharpe-Geisler,Keith Truong,Ravi Lall. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Electronic device and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220376493A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Charge dissipation element for ESD protection

Номер патента: US12027847B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yi-Hsun Wu,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Charge dissipation element for esd protection

Номер патента: US20240322561A1. Автор: Ching-Yun Chang,Yi-Hsun Wu,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Esd protection using shared rc trigger

Номер патента: US20150155707A1. Автор: Brad Sharpe-Geisler,Keith Truong,Ravi Lall. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Electrostatic Discharge (ESD) Protection Circuits

Номер патента: US20220337052A1. Автор: Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-10-20.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuits

Номер патента: US11824347B2. Автор: Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-11-21.

ESD Protection Circuit

Номер патента: KR20200065165A. Автор: 문제철. Владелец: 주식회사 다이얼로그 세미컨덕터 코리아. Дата публикации: 2020-06-09.

Electrostatic Discharge (ESD) Protection Circuits

Номер патента: US20240047964A1. Автор: Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin-film esd protection device

Номер патента: US20190214815A1. Автор: Nobuo Sakai,Souko Fukahori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09935096B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Adaptive electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: EP2656386A1. Автор: Philippe Deval,Nicolas Furrer,Bart De Geeter. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

ESD protecting circuit

Номер патента: US09679884B2. Автор: Bo-Shih Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Esd protection circuitry, and electronic device including esd protection circuitry

Номер патента: US20240321866A1. Автор: Jehoon Kim,ChiWeon Yoon,Hyunsuk Kang,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

ESD protection circuit

Номер патента: US09685780B2. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: EP4086958A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

ESD protection circuits and methods

Номер патента: US09543757B2. Автор: Ming-Hsien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with fast turn-on esd protection circuit and method therefor

Номер патента: EP4372819A1. Автор: Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8525265B2. Автор: Ming-Dou Ker,Chun-Yu Lin,Chang-Tzu Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-09-03.

Clamp based ESD protection circuits

Номер патента: US09728532B2. Автор: Swaminathan Muthukrishnan,Cody Hale,Ralph Williamson,Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Electrostatic discharge protection circuit and design

Номер патента: US20200106266A1. Автор: Bhawna Tomar,Rohith Aravind Mahale,Seema Malhotra,Ajay Kanth Chitturi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230420934A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230238798A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

ESD protection for integrated circuit devices

Номер патента: US11973342B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253784A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220293586A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

ESD protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11842995B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11404409B2. Автор: Ming-Fu Tsai,Tzu-Heng Chang,Yu-Ti Su,Kai-Ping Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20170324239A1. Автор: Cheng-Pang Chan,Chien-Ming Wu,Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US11955474B2. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11824349B2. Автор: Chung-Yu Huang,Han Hsin Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US12088092B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit having an ESD protection structure and photon source

Номер патента: US09953968B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Multiple port RF switch ESD protection using single protection structure

Номер патента: US09627883B2. Автор: Swaminathan Muthukrishnan,Cody Hale,Randy Naylor,Nicholas Liu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit and method for high voltage tolerant ESD protection

Номер патента: US11862968B2. Автор: Jam-Wem Lee,Chia-Hui Chen,Li-Wei Chu,Tao Yi HUNG,Wun-Jie Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Circuit and method for high voltage tolerant esd protection

Номер патента: US20230344221A1. Автор: Jam-Wem Lee,Chia-Hui Chen,Li-Wei Chu,Tao Yi HUNG,Wun-Jie Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Circuit and method for high voltage tolerant esd protection

Номер патента: US20240088650A1. Автор: Jam-Wem Lee,Chia-Hui Chen,Li-Wei Chu,Tao Yi HUNG,Wun-Jie Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit having an esd protection structure and photon source

Номер патента: US20150249078A1. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-03.

Integrated circuit having an ESD protection structure and photon source

Номер патента: US9953968B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Esd protection circuits and methods

Номер патента: US20160036218A1. Автор: Ming-Hsien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method for esd protection

Номер патента: US20210242678A1. Автор: Gernot Langguth,Adrien Benoit Ille,Claudia Kupfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-05.

Esd protection device for sst transmitter

Номер патента: US20140211350A1. Автор: Carrie E. Cox,Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Xingle Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11811222B2. Автор: Shao-Chang Huang,Ching-ho Li,Chih-Hsuan Lin,Ting-Yu Chang,Hsien-Feng LIAO,Chieh-Yao Chuang,Yeh-Ning Jou,Chang-Min Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with fast turn-on esd protection circuit and method therefor

Номер патента: US20240170959A1. Автор: Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-23.

ESD protection circuit, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US11869886B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20170213818A1. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230307439A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230352473A1. Автор: Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Unidirectional esd protection with lateral and vertical device

Номер патента: EP4148790A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite,Vadim Valentinovic Vendt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-15.

Area-Efficient High Voltage Bipolar-Based ESD Protection Targeting Narrow Design Windows

Номер патента: US20140211346A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron,Vadim A. Kushner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-31.

Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of device interface for local interconnect network (LIN) bus and the like

Номер патента: US7885047B2. Автор: Philippe Deval,Patrick Besseux,Randy Yach. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Electrostatic discharge (esd) protection structure utilizing floor plan design to protect integrated circuit from esd event, and related integrated circuit and esd protection method

Номер патента: US20190013309A1. Автор: Ching-Ling Tsai,Hung-Yi Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

ESD protection circuit

Номер патента: US11309308B2. Автор: Kun-Min Chen,Chien-Lun Chu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

ESD protection control circuit and system

Номер патента: US09692228B2. Автор: Lu-An CHEN,Kun-Jheng Wu,Tung-Hao Sung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-06-27.

Area-efficient ESD protection inside standard cells

Номер патента: US11862625B2. Автор: Vasily Vladimirovich KOROLEV,Michael A. Stockinger,Mohamed Suleman Moosa,Irina Yuryevna Bashkirova,Olga Olegovna Sibagatullina. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US11742657B2. Автор: Jhih-Chun Syu,Chao-Lung Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

ESD protection device

Номер патента: US11749673B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Shu-Yu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Electro-static discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11848322B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

ESD protection apparatus and control method

Номер патента: US11837866B1. Автор: Zhao Fang,Gangqiang Zhang,Wenchao Qu. Владелец: Halo Microelectronics International Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

ESD Protection Device

Номер патента: US20240021603A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Shu-Yu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Apparatus for suppressing parasitic leakage from i/o-pins to substrate in floating-rail esd protection networks

Номер патента: US20210143146A1. Автор: Gijs Jan De Raad. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-05-13.

Low leakage mosfet supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20200412124A1. Автор: Jean Jimenez,Divya Agarwal,Ghislain Troussier,Radhakrishnan Sithanandam,Malathi Kar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-12-31.

System and method for temperature compensated esd protection

Номер патента: US20210242677A1. Автор: Gernot Langguth,Steffen Schumann,Adrien Benoit Ille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-05.

Output circuit with ESD protection

Номер патента: US10637235B2. Автор: Jhih-Siou Cheng,Ju-Lin Huang,Chia-En Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-04-28.

Voltage surge protection circuit

Номер патента: WO2009050641A3. Автор: Hervé Marie,Mickael Lucas,Nguyen Trieu Luan Le,Denis Crespo. Владелец: Denis Crespo. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Overvoltage protection circuits and methods of operating same

Номер патента: US09793708B1. Автор: Tak Kwong Wong,Jon Roderick Williamson,Alan Wolfram Glaser,Al Fang,Roland Thomas Knaack. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US12046895B2. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Protective circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US12009358B2. Автор: Michael Graf,Henning Lohmeyer,Julia Rauh,Timo Seitzinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-11.

Protective circuit and method for protecting a circuit

Номер патента: US09673607B2. Автор: Bernhard Weiss,Wolfgang Reinprecht,Christian Stockreiter. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Electrostatic protection circuit

Номер патента: EP3975249A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Protection circuit

Номер патента: US11894674B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chang-Min Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Polarity reversal tolerant electrical circuit for esd protection

Номер патента: EP1459382A1. Автор: Qing He,D. C. Sessions. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Polarity reversal tolerant electrical circuit for esd protection

Номер патента: WO2003052826A1. Автор: Qing He,D. C. Sessions. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-06-26.

ESD protection circuit

Номер патента: US12119640B2. Автор: Wei Gao,Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Polarity reversal tolerant electrical circuit for ESD protection

Номер патента: US20030112565A1. Автор: Qing He,DC Sessions. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Polarity reversal tolerant electrical circuit for esd protection

Номер патента: AU2002366399A1. Автор: Qing He,D. C. Sessions. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-30.

Electrostatic discharge protection circuit and method for radio frequency circuit

Номер патента: US09917079B2. Автор: Ming Hsien Tsai,Jen-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063215A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US11935886B2. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor layout for electrostatic discharge protection, electrostatic discharge protection circuit, and method for forming the same

Номер патента: US20240063214A1. Автор: Fang-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrical discharge protection circuit and method of use

Номер патента: US20160036217A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Jen-Chou Tseng,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Electrostatic discharge circuit for cross domain esd protection

Номер патента: EP3785341A1. Автор: Gurupada Mandal. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-03.

Electrostatic discharge circuit for cross domain esd protection

Номер патента: US20190371787A1. Автор: Gurupada Mandal. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit with disable feature based on hot-plug condition detection

Номер патента: US11894673B2. Автор: Zhao Fang,Jose Antonio Vieira Formenti. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit with disable feature based on hot-plug condition detection

Номер патента: US20240128744A1. Автор: Zhao Fang,Jose Antonio Vieira Formenti. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit (IC) package comprising electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09853446B2. Автор: Shiqun Gu,Eugene Robert Worley,Urmi Ray,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09899368B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09997511B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

ESD protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US09831231B2. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Electronic device and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: WO2022110133A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit with ESD protection

Номер патента: US11990192B2. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Esd protection circuit

Номер патента: US20190296004A1. Автор: Aurelie Arnaud,Andrea Brischetto. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2019-09-26.

Trigger circuit for controlling an esd protection switch

Номер патента: EP4404264A1. Автор: Justin Philpott,Walter Luis Tercariol. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Trigger Circuit for Controlling an ESD Protection Switch

Номер патента: US20240243569A1. Автор: Justin Philpott,Walter Luis Tercariol. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-18.

Esd protection circuit with plural avalanche diodes

Номер патента: US20150270708A1. Автор: Henry L. Edwards,Lili Yu,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Esd protection for multi-die integrated circuits (ics) including integrated passive devices

Номер патента: US20230369849A1. Автор: Kai Esmark,Christian Cornelius Russ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated silicon controlled rectifier (scr) and a low leakage scr supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20190319454A1. Автор: Jean Jimenez,Divya Agarwal,Radhakrishnan Sithanandam,Malathi Kar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-10-17.

Esd protection circuit

Номер патента: US20230290770A1. Автор: Aurelie Arnaud,Andrea Brischetto. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2023-09-14.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230317712A1. Автор: Kaku IGARASHI. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Esd protection circuit

Номер патента: US20150214730A1. Автор: Chien-Hui Chuang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for manufacturing ESD protection device

Номер патента: US09929137B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Esd protection device

Номер патента: EP4213209A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Electrostatic discharge (esd) protection in radio frequency (rf) switch circuitry

Номер патента: US20240039276A1. Автор: Turusan Kolcuoglu,Alp OGUZ,Atilim ERGUL,Celal Avci. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-02-01.

Esd protection device

Номер патента: US20230223750A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

ESD protection system, apparatus, and method with adjustable trigger voltage decoupled from DC breakdown voltage

Номер патента: US09509136B2. Автор: Vadim Kushner,Erica Poole. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

ESD Protection Apparatus

Номер патента: US20140160606A1. Автор: Yu-Ti Su,Shu-Ming Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

ESD Protection System, Apparatus, and Method with Adjustable Trigger Voltage Decoupled from DC Breakdown Voltage

Номер патента: US20160268800A1. Автор: Vadim Kushner,Erica Poole. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

ESD protection device with a tunable holding voltage for a high voltage programming pad

Номер патента: US8724272B2. Автор: Da-Wei Lai,Ying-Chang LIN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-05-13.

Electrostatic discharge (esd) protection for a high side driver circuit

Номер патента: US20180351353A1. Автор: Yves Mazoyer,Philippe Galy,Philippe Sirito-Olivier. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2018-12-06.

Bi-directional back-to-back stacked scr for high-voltage pin esd protection, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20120080717A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Michel J. Abou-Khalil,Christopher S. Putnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Device input protection circuit

Номер патента: WO2015167653A1. Автор: Jie Lv,Shi Mei DENG. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Electrostatic protection circuit, array substrate, and display device

Номер патента: EP3703125A1. Автор: Chunping Long,Yong Qiao,Xinyin WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Electrostatic protection structure and electrostatic protection circuit

Номер патента: US12027846B2. Автор: QIAN Xu,Junjie Liu,Bin Song,Tieh-Chiang Wu,Pan Mao,Lingxin ZHU,Yingtao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Protection Circuit

Номер патента: US20110058294A1. Автор: Hui-Mou WU,Kuo-Lun Tsen. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Electrostatic protection circuit and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US12100703B2. Автор: Chunping Long,Yong Qiao,Xinyin WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US20170244244A1. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US10389111B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Electrostatic discharge protection circuit and method of operation

Номер патента: US20050078419A1. Автор: James Miller,Michael Stockinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Esd protection structure, esd protection circuit, and chip

Номер патента: US20230040542A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic circuit

Номер патента: US12107415B2. Автор: Wen-Hsin Lin,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Yeh-Ning Jou,Chun-Chih Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230283068A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20130182359A1. Автор: Ki Tae Lee,Han Gu Kim,Chan Hee Jeon,Doo Hyung KIM,Woo Jin Seo,Hong Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: EP2368325A1. Автор: Richard J. K. Hong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: WO2010080319A1. Автор: Richard J. K. Hong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20230318287A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrostatic discharge protective circuit having rise time detector and discharge sustaining circuitry

Номер патента: US20120127618A1. Автор: Richard J.K. HONG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-24.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20210226445A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2021-07-22.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20160285262A1. Автор: Chuan-Chen CHAO. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Power supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection having a circuit for controlling clamp time out behavior

Номер патента: US20190165571A1. Автор: Vicky Batra,Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-05-30.

ESD protection device structure compatible with CMOS process

Номер патента: US10692855B2. Автор: Po-Chuan Lin,Shr-Hau SHIUE. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Gate-lifted nmos esd protection device

Номер патента: US20200111778A1. Автор: Da-Wei Lai,Stephen John SQUE,Wilhelmus Cornelis Maria Peters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-04-09.

Full swing positive to negative mosfet supply clamp for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20190190256A1. Автор: Divya Agarwal,Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-06-20.

Overvoltage protection circuit with digital control

Номер патента: US09543752B2. Автор: Jan Mulder,Jan Roelof Westra,Jeffrey Allan Riley,Qiongna ZHANG,Davide VECCHI. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Esd protection circuits

Номер патента: EP1927174A2. Автор: Guann-Pyng Li,Yintat Ma. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-06-04.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit and method of operating the same

Номер патента: US11862960B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240106223A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrostatic discharge protection circuits using biased and terminated PNP transistor chains

Номер патента: US5530612A. Автор: Timothy J. Maloney. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

ESD protection for overvoltage friendly input/output circuits

Номер патента: US5708550A. Автор: Leslie Ronald Avery. Владелец: David Sarnoff Research Center Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Voltage protection circuit

Номер патента: US20100220420A1. Автор: Li-Yu Li,Tian-Yi Wang,Jie-Ying Shen. Владелец: Ambit Microsystems Shanghai Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Overheat protection circuit, and semiconductor integrated circuit device and vehicle therewith

Номер патента: US20160336309A1. Автор: Hirofumi Yuki,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Extended drain non-planar MOSFETs for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09502883B2. Автор: Walid M. Hafez,Akm Ahsan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Composite power device with ESD protection clamp

Номер патента: EP2881989A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-06-10.

Semiconductor quantum device ESD protection

Номер патента: US11735578B2. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Matthias Mergenthaler,Mridula Prathapan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20240234411A1. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Esd protection circuit providing multiple detection signals

Номер патента: US20200266187A1. Автор: James W. Miller,Kuo-Hsuan Meng. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Chip esd protection circuit

Номер патента: US20190190257A1. Автор: Tao Liu,LIANG Chen,Yang Pu,Yan Wang,Dong-Bing Fu,Guang-Bing Chen,Yu-Xin Wang,Yu-Jun Yang. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-06-20.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US11973076B2. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Esd protection for antenna port

Номер патента: US20190165465A1. Автор: Hendrik Arend Visser. Владелец: Qorvo International Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Esd protection circuit

Номер патента: US20190081034A1. Автор: Iqbal Chaudhry. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Novel esd protection decoupled from diffusion

Номер патента: US20220199609A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Kaan OGUZ,Van H. Le,Charles C. Kuo,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Urusa ALAAN,Arnab SEN GUPTA,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Block power switch with embedded electrostatic discharge (esd) protection and adaptive body biasing

Номер патента: EP2774179A1. Автор: Reza Jalilizeinali,Junmou Zhang,Mikhail Popovich,Boris Andreev,Yuan-cheng Christopher PAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

Block power switch with embedded electrostatic discharge (esd) protection and adaptive body biasing

Номер патента: WO2013067205A1. Автор: Reza Jalilizeinali,Junmou Zhang,Mikhail Popovich,Boris Andreev,Yuan-cheng Christopher PAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-10.

Ic emi filter with esd protection incorporating lc resonance tanks for rejection enhancement

Номер патента: US20140211348A1. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: CITRUSCOM CORP. Дата публикации: 2014-07-31.

Ic emi filter with esd protection incorporating lc resonance tanks for rejection enhancement

Номер патента: US20150002969A1. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Albert Z. WANG,Wenchin Wu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Over-limit electrical condition protection circuits and methods

Номер патента: US09490631B2. Автор: Xiaofeng Fan,Michael Chaine,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11990747B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09846194B2. Автор: Nam Pyo Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Protection circuit

Номер патента: US20210013712A1. Автор: Wenqin Zhao. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor integrated circuit device having electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180025934A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Self-biased bidirectional esd protection circuit

Номер патента: US20190109127A1. Автор: Antonio Gallerano,Krishna Praveen Mysore Rajagopal,Ann Margaret Concannon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Self-biased bidirectional esd protection circuit

Номер патента: US20180145064A1. Автор: Antonio Gallerano,Krishna Praveen Mysore Rajagopal,Ann Margaret Concannon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Low noise electrostatic discharge protection circuit for mixed signal CMOS integrated circuits

Номер патента: US6104588A. Автор: Dan Ion Hariton,Ronald Pasqualini. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

ESD protection circuit and integrated circuit

Номер патента: US9379099B2. Автор: Chun-Yu Lin. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2016-06-28.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: WO1996005616A1. Автор: Leslie Ronald Avery. Владелец: David Sarnoff Research Center, Inc.. Дата публикации: 1996-02-22.

Esd protection of mems for rf applications

Номер патента: US20180315748A1. Автор: Ray Parkhurst,Roberto Gaddi,James Douglas HUFFMAN,Chenhui NIU. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Esd protection circuit

Номер патента: US20160111412A1. Автор: Jae Hyun Lee. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Compact electrostatic discharge (ESD) protection structure

Номер патента: US09685432B2. Автор: Jing Zhu,Steven Schell,Pei-Ming Daniel Chow,Yon-Lin Kok. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Compact electrostatic discharge (ESD) protection structure

Номер патента: US09431390B2. Автор: Jing Zhu,Steven Schell,Pei-Ming Daniel Chow,Yon-Lin Kok. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Electrostatic discharge device and electrostatic discharge protection circuit including the same

Номер патента: US20210384188A1. Автор: Sukjin Kim,Mijin LEE,Chanhee Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Spad esd protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290772A1. Автор: Jong Min Kim,Young Sang SON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Esd protection circuit and integrated circuit

Номер патента: US20150325569A1. Автор: Chun-Yu Lin. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2015-11-12.

Four-layer semiconductor device and esd protection circuit

Номер патента: EP4350768A1. Автор: Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Four-layer semiconductor device and esd protection circuit

Номер патента: US20240120330A1. Автор: Markus Mergens. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Voltage Switchable Dielectric for Die-Level Electrostatic Discharge (ESD) Protection

Номер патента: US20120248582A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: WO2012135832A2. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-04.

Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20130316526A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Esd protection device for a mems element

Номер патента: US20200066708A1. Автор: Robert Wolf,Daniel Maier,Andreas Finn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-02-27.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20140054707A1. Автор: Yeh-Ning Jou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Electrostatic discharge (esd) protection device and forming method thereof

Номер патента: US20200381415A1. Автор: Chun Chiang,Tien-Hao Tang,Ying-Wei Tseng,Ping-Chen CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240222359A1. Автор: Chung-Yu Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for optimizing protection circuits of electronic device chips in a wafer

Номер патента: US20240250084A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Integrated circuit resistor with passive breakdown protection circuit

Номер патента: US20200312946A1. Автор: Lokesh Kumar Gupta,Basant BOTHRA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP2181462A2. Автор: Paul Padden. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2010-05-05.

Protection circuit for integrated circuit devices

Номер патента: CA1179406A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-12-11.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having an ESD protection circuit

Номер патента: US09653452B2. Автор: Shiro Usami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09711500B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Electrostatic discharge protection device with silicon controlled rectifier protection circuit

Номер патента: US12051687B2. Автор: Jong Ho NAM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Low capacitance esd protection devices

Номер патента: US20240113098A1. Автор: Sreeram NASUM SUBRAMANYAM,Shraddha Balasaheb Keripale,Chinna Veerappan Venkatachalam. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

ESD protection with asymmetrical bipolar-based device

Номер патента: US09786652B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Changsoo Hong,Michael H. Kaneshiro. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

ESD Protection with Asymmetrical Bipolar-Based Device

Номер патента: US20160005730A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Changsoo Hong,Michael H. Kaneshiro. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-07.

Electrostatic discharge protection semiconductor device and layout structure of esd protection semiconductor device

Номер патента: US20170309613A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

ESD Protection with Asymmetrical Bipolar-Based Device

Номер патента: US20150102384A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Changsoo Hong,Michael H. Kaneshiro. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and bidirectional esd protection device

Номер патента: US20230215860A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Vasantha Kumar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-06.

Charging protection circuit, driving method, chip, package structure, and electronic device

Номер патента: US20240170979A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Jianyun Zhu,Mingwei Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Electrostatic Discharge Protection Circuit Employing a Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) Structure

Номер патента: US20090296292A1. Автор: Choshu Ito,William Loh,Tze Wee Chen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs

Номер патента: WO2011091064A1. Автор: Eugene R. Worley,Byungwook Min,Der-Woei Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

ESD protection circuit for multi-power and mixed-voltage integrated circuit

Номер патента: US20030039085A1. Автор: Meng-Huang Liu,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai,Sing Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Esd protection circuit with isolated diode element and method thereof

Номер патента: WO2007143260A3. Автор: David C Burdeaux,Daniel J Lamey. Владелец: Daniel J Lamey. Дата публикации: 2008-04-10.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09997509B2. Автор: Muhammad Iqbal Chaudhry,Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Modular electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09929139B2. Автор: Xiaofeng Fan,Xin Yi Zhang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Whole chip ESD protection

Номер патента: US20050274990A1. Автор: Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,Yi-Hsu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

ESD Protection Circuits And Related Techniques

Номер патента: US20070132030A1. Автор: Ke-Yuan Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: WO2003092074A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2003-11-06.

Silicon-on-insulator diodes and ESD protection circuits

Номер патента: US20030080350A1. Автор: Ming-Dou Ker,Tien-Hao Tang,Kei-Kang Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Esd protection circuit, protection method, semiconductor memory, and system

Номер патента: EP4276904A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Low input capacitance electrostatic discharge protection circuit utilizing feedback

Номер патента: EP1500143A1. Автор: Larry E. Tyler,James T. May. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2005-01-26.

Esd protection circuit for negative voltage operation

Номер патента: EP4369401A1. Автор: Bo-Shih Huang,Ming-Chun Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

ESD protection circuit for mixed mode integrated circuits with separated power pins

Номер патента: US6075686A. Автор: Ming-Dou Ker. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-06-13.

Migfet circuit with esd protection

Номер патента: WO2009088622A1. Автор: Leo Mathew,James W. Miller,Michael G. Khazhinsky. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-07-16.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

SOI electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US6496341B1. Автор: Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-17.

ESD protection device

Номер патента: US09741709B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Esd protection circuit, esd protection method, semiconductor memory and esd protection system

Номер патента: US20230317711A1. Автор: QIAN Xu,Hang YANG,Zhan XUE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the esd protection circuits

Номер патента: US20160284689A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

ESD protection using diode-isolated gate-grounded nMOS with diode string

Номер патента: US9269703B2. Автор: Charvaka Duvvury,Roger A. Cline,Kyle Schulmeyer,Ponnarith Pok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Esd protection circuit

Номер патента: US20240312981A1. Автор: Toshihiro Nakamura,Masahiro Gion,Yoshito Uchihashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the ESD protection circuits

Номер патента: US09659923B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: US20150325568A1. Автор: Muhammad Iqbal Chaudhry,Nathaniel Peachey. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

High voltage RC-clamp for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09548738B2. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and structure for providing ESD protection for silicon on insulator integrated circuits

Номер патента: US5610790A. Автор: David R. Staab,Sheau-Suey Li. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Method for forming electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240055369A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230299072A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

ESD transistor for high voltage and ESD protection circuit thereof

Номер патента: US09431389B2. Автор: Jae Hyun Lee,Kyong Jin HWANG,Jin Seop Shim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Electrostatic discharge (ESD) protection for a 5.0 volt compatible input/output (I/O) in a 2.5 volt semiconductor process

Номер патента: US6028758A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Vantis Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20020186517A1. Автор: Meng-Huang Liu,Shin Su,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor layout structure for ESD protection circuits

Номер патента: US20060278928A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yi-Hsun Wu,Kuan-Lun Chang,Chuan-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Uniform turn-on design on multiple-finger MOSFET for ESD protection application

Номер патента: US20040141266A1. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Che-Hao Chuang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Single junction bi-directional electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09601480B2. Автор: Junjun Li,Xiaofeng Fan,Xin Yi Zhang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

ESD protection device with thick poly film and method for forming the same

Номер патента: US20040245574A1. Автор: Ming-Dou Ker,Sheng-Chieh Yang,An Shih,Chih-Kang Deng,Tang-Kui Tseng. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

On-chip ESD protection circuit using enhancement-mode HEMT/MESFET technology

Номер патента: US20080080108A1. Автор: Yu-Chi Wang,Joseph Liu,Cheng-Kuo Lin,Jean Sun. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Electrostatic discharge (ESD) latch-up protective circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20010048137A1. Автор: Dirk Uffmann,Christian Peters,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Novel UMOS-like gate-controlled thyristor structure for ESD protection

Номер патента: US20020130365A1. Автор: Jun Song,Keng-Foo Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20130307017A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Electro static discharge protection circuit and electronic device having the same

Номер патента: US09478532B2. Автор: Bo-Yong Chung,Hai-Jung In. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Active ESD protection circuit with blocking diode

Номер патента: US09425188B2. Автор: Muhammad Yusuf ALI,Rajkumar SANKARALINGAM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor ESD protection circuit

Номер патента: US6125021A. Автор: Charvaka Duvvury,Amitava Chatterjee,Steven E. Marum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Output pad electrostatic discharge protection circuit for mos devices

Номер патента: US5208719A. Автор: Yi-Hen Wei. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-05-04.

Silicon-on-insulator diodes and ESD protection circuits

Номер патента: US20030062540A1. Автор: Ming-Dou Ker,Tien-Hao Tang,Kei-Kang Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Electrostatic discharge protection circuit, ESD protection semiconductor device, and layout structure of ESD protection semiconductor device

Номер патента: US09859271B2. Автор: Ching-Wei Lee,Tien-Hao Tang,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Input protection circuit for high-speed analogue signal and time-of-flight mass spectrometer

Номер патента: US20100084551A1. Автор: Eizo Kawato. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

ESD protection circuit, semiconductor device, on-vehicle electronic device, and on-vehicle electronic system

Номер патента: US09640525B2. Автор: Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power rail ESD protection circuit

Номер патента: US5237395A. Автор: Kwok Fai V. Lee. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Optically triggered electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20090230476A1. Автор: Thomas Joseph Krutsick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230049774A1. Автор: Jin Woo Kim,Yoon Sung Lee,Chang Seok SONG,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Esd protection circuit for negative voltage operation

Номер патента: US20240153945A1. Автор: Bo-Shih Huang,Ming-Chun Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Robust esd protection circuit, method and design structure for tolerant and failsafe designs

Номер патента: CA2755284A1. Автор: John B. Campi,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Robert J. Gauthier,Junjun Li,Mujahid Muhamad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

ESD protection devices

Номер патента: US20020071230A1. Автор: Roy Colclaser,James Spehar. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

CMOS triggered NMOS ESD protection circuit

Номер патента: US6147538A. Автор: Bernhard H. Andresen,Roger A. Cline. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Cascoded-MOS ESD protection circuits for mixed voltage chips

Номер патента: US5930094A. Автор: Raoul B. Salem,E. Ajith Amerasekera. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Three stage ESD protection device

Номер патента: US5672896A. Автор: Mong-Song Liang,Jin-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Stacked esd protection circuit having reduced trigger voltage

Номер патента: EP2140491A1. Автор: Eugene Worley. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-01-06.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US6800906B2. Автор: Jyh-Nan Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Methods and Apparatus for ESD Protection Circuits

Номер патента: US20140225158A1. Автор: Chi-Kuang Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

ESD protection circuit and integrated circuit for broadband circuit

Номер патента: US10833064B2. Автор: Chun-Yu Lin,Yu-Hsuan Lai. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2020-11-10.

Esd protection for depletion-mode devices

Номер патента: US20180190639A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

ESD protection circuit cell

Номер патента: US09893054B2. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5430595A. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Layout structure of electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7291918B2. Автор: Ming Lin Tsai,Chih-Long Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-06.

Esd protection circuit

Номер патента: US20140084366A1. Автор: Ming Li,Da-Wei Lai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-03-27.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: CA2177150A1. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: William M. Holt. Дата публикации: 1995-04-20.

Electrostatic discharge protection circuit with reduced mounting area and junction capacitance

Номер патента: US20070025035A1. Автор: Jang Kim,Kook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Esd protection using diode-isolated gate-grounded nmos with diode string

Номер патента: US20120112286A1. Автор: Charvaka Duvvury,Roger A. Cline,Kyle Schulmeyer,Ponnarith Pok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: CA2177150C. Автор: Jeffrey Smith,Glen R. Wagner,Jose A. Maiz,Clair C. Webb,William M. Holt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-10-28.

ESD protection circuit with active triggering

Номер патента: US20100142107A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Ryan Hsin-Chin Jiang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

Esd protection using diode-isolated gate-grounded nmos with diode string

Номер патента: US20140342515A1. Автор: Charvaka Duvvury,Roger A. Cline,Kyle Schulmeyer,Ponnarith Pok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

ESD PROTECTION STRUCTURE WITH SiGe BJT DEVICES

Номер патента: WO2005109501A3. Автор: Greg Fung. Владелец: Greg Fung. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09478531B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Fingerprint sensors with ESD protection

Номер патента: US09946915B1. Автор: Huiqing Pang,Jamie Lyn SHAFFER,King Hong Kwan,Matias N. Troccoli. Владелец: NEXT BIOMETRICS GROUP ASA. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage rc-clamp for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20130215541A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

ESD protection circuit employing channel depletion

Номер патента: US4835653A. Автор: Xiaonan Zhang,Xiaolan Wu. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Esd protection circuit employing channel depletion

Номер патента: WO1989007332A3. Автор: Xiaonan Zhang,Xiaolan Wu. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1989-09-08.

Low-voltage triggered ESD protection circuit

Номер патента: US6560080B1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-06.

ESD protection for bipolar-CMOS-DMOS integrated circuit devices

Номер патента: US8659086B2. Автор: Donald Ray Disney,Richard K. Williams,Jun-Wei Chen,Wai Tien Chan,Hyungsik Ryu. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20050111150A1. Автор: James Liu,Sheng-Lyang Jang,Hsueh-Ming Lu,Jimmy Hsieh. Владелец: King Billion Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

ESD protection for bipolar-CMOS-DMOS integrated circuit devices

Номер патента: US7738224B2. Автор: Donald Ray Disney,Richard K. Williams,Jun-Wei Chen,Wai Tien Chan,Hyungsik Ryu. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2010-06-15.

ESD protection for bipolar-CMOS-DMOS integrated circuit devices

Номер патента: US20090034136A1. Автор: Donald Ray Disney,Richard K. Williams,Jun-Wei Chen,Wai Tien Chan,Hyungsik Ryu. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Process to fabricate the non-silicide region for electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5998247A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Electrostatic discharge protection circuit device and a manufacturing method for the same

Номер патента: US20020171110A1. Автор: Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

ESD protection for bipolar-CMOS-DMOS integrated circuit devices

Номер патента: US7994578B2. Автор: Donald Ray Disney,Richard K. Williams,Jun-Wei Chen,Wai Tien Chan,Hyungsik Ryu. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Method for Preventing Gate Oxide Damage of a Trench MOSFET during Wafer Processing while Adding an ESD Protection Module Atop

Номер патента: US20110018054A1. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for preventing gate oxide damage of a trench MOSFET during wafer processing while adding an ESD protection module atop

Номер патента: US20090140333A1. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

ESD protection circuit

Номер патента: US5568346A. Автор: Jonathan H. Orchard-Webb. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Bidirectional dual-scr circuit for esd protection

Номер патента: US20130009204A1. Автор: Yu-Ying Hsu,Jam-Wem Lee,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Internal esd protection structure with contact diffusion

Номер патента: US20020025640A1. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Guardringed scr esd protection

Номер патента: EP1905141A2. Автор: Robert Michael Steinhoff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Guardringed scr esd protection

Номер патента: WO2007008682A2. Автор: Robert Michael Steinhoff. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

ESD bus lines in CMOS IC's for whole-chip ESD protection

Номер патента: US6144542A. Автор: Ming-Dou Ker,Hun-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

[electrostatic discharge protection circuit]

Номер патента: US20050088791A1. Автор: Tai-Ho Wang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20100302694A1. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with esd protection

Номер патента: EP1133797A1. Автор: Joannes J. M. Koomen,Wilhelmus C. M. Peters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-09-19.

ESD protection circuit

Номер патента: US11876090B2. Автор: Yan Yi,Toru Miyamae,Ryuta Nagai,Timothy John Williams,Ravindra M. Kapre,Sungkwon Lee,David Michael Rogers,Eric N. Mann,Eric Lee Swindlehurst,Mimi Xuefeng Zhao Qian,Dung Si Ho,Boo Chin-Hua. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Esd protection circuit and method of making the same

Номер патента: US20190103398A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Chai Ean Gill,Yohann Frederic Michel Solaro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Esd protection circuit

Номер патента: US20230343779A1. Автор: Yan Yi,Toru Miyamae,Ryuta Nagai,Timothy John Williams,Ravindra M. Kapre,Sungkwon Lee,David Michael Rogers,Eric N. Mann,Eric Lee Swindlehurst,Mimi Xuefeng Zhao Qian,Dung Si Ho,Boo Chin-Hua. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with esd protection

Номер патента: WO2001020680A1. Автор: Joannes J. M. Koomen,Wilhelmus C. M. Peters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-03-22.

An integrated circuit provided with esd protection means

Номер патента: EP1046193A1. Автор: Hans U. SCHRÖDER. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Trench MOSFET with an ONO insulating layer sandwiched between an ESD protection module atop and a semiconductor substrate

Номер патента: US7728385B2. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US09666576B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Yuan-Fu Chung,Bo-Shih Huang,Chien-Kai Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490243B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: US20240006407A1. Автор: Akram Salman,Kuo Yao Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for ESD protection improvement

Номер патента: US5374565A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Joe Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Semiconductor device having an ESD protection circuit

Номер патента: US7826186B2. Автор: Masakazu Ikegami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Fin field-effect transistor, esd protection circuit, filter circuit and electronic device

Номер патента: EP4199084A1. Автор: Qianming ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Efficient pMOS ESD protection circuit

Номер патента: US6963111B2. Автор: Gianluca Boselli,Vijay K. Reddy,Ekanayake A. Amerasekera. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-08.

Transmission-line-based esd protection

Номер патента: US20120019968A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Fu-Lung Hsueh,Po-Yi Wu,Chewn-Pu Jou,Hsieh-Hung HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Esd protection structure using contact-via chains as ballast resistors

Номер патента: WO2007021390A2. Автор: Jiong Zhang,Yuhua Cheng. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2007-02-22.

Electrostatic discharge (ESD) protection transistor devices and integrated circuits with electrostatic discharge protection transistor devices

Номер патента: US09831236B2. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Xiangxiang LU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: EP4350769A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Compound semiconductor esd protection devices

Номер патента: US20140183544A1. Автор: Shinichiro Takatani,Jung-Tao CHUNG,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Chi-Wei WANG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Mos-type esd protection device in soi and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110221002A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Zhongying Xue,Jiexin Luo,Qingqing Wu,Bingxu Ning. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-09-15.

Low voltage turn-on SCR for ESD protection

Номер патента: US5872379A. Автор: Jian-Hsing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

I/o cell and esd protection circuit

Номер патента: US20040245546A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Process insensitive ESD protection device

Номер патента: US20060202265A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Hongzhong Xu,Richard Ida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Esd protection circuit

Номер патента: US20130207179A1. Автор: Da-Wei Lai,Ying-Chang LIN,Handoko Linewih. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device including an esd protection element

Номер патента: US20170271321A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Esd protection device and method for producing the same

Номер патента: US20140192447A1. Автор: Jun Adachi,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Device with esd protection

Номер патента: US20190164952A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Ming-Hsiang Song,Tzu-Heng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

ESD protection device structure

Номер патента: US20090140340A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Esd protection structure

Номер патента: US20170005081A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-05.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

ESD protection structure

Номер патента: US09893050B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

ESD protection device

Номер патента: US09633989B2. Автор: Noboru Kato,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

III-nitride based ESD protection device

Номер патента: US09548293B2. Автор: Hubert Werthmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

ESD protection device

Номер патента: US09502891B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Dummy layer diode structures for esd protection

Номер патента: SG128475A1. Автор: Jun Cai,Keng Foo Lo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Minimum-dimension, fully-silicided mos driver and esd protection design for optimized inter-finger coupling

Номер патента: WO2004075370A3. Автор: John Armer,Phillip Czeslaw Jozwiak,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege,Markus Mergens,Bart Keppens. Владелец: Sarnoff Europ. Дата публикации: 2005-02-10.

Minimum-dimension, fully-silicided mos driver and esd protection design for optimized inter-finger coupling

Номер патента: WO2004075370A2. Автор: John Armer,Phillip Czeslaw Jozwiak,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege,Markus Mergens,Bart Keppens. Владелец: Sarnoff Europe. Дата публикации: 2004-09-02.

Minimum-dimension, fully-silicided mos driver and esd protection design for optimized inter-finger coupling

Номер патента: EP1595291A2. Автор: John Armer,Phillip Czeslaw Jozwiak,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege,Markus Mergens,Bart Keppens. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Method for preventing gate oxide damage of a trench MOSFET during wafer processing while adding an ESD protection module atop

Номер патента: US8084304B2. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-27.

Electrostatic discharge (esd) protection structure

Номер патента: US20240243120A1. Автор: Bo-Shih Huang,Han-Sheng Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Diode biased ESD protection devices and methods

Номер патента: US09859270B2. Автор: David Alvarez,Cornelius Christian Russ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620495B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Esd-protection device, a semiconductor device and integrated system in a package comprising such a device

Номер патента: US20100085672A1. Автор: Stephane Bouvier,Emmanuel Savin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-08.

Esd protection circuit cell

Номер патента: US20210210483A1. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Esd protection circuit cell

Номер патента: US20180166439A1. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Esd-protection device, a semiconductor device and an integrated system in a package comprising such a device

Номер патента: EP2130226A1. Автор: Stephane Bouvier,Emmanuel Savin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-12-09.

N-channel clamp for esd protection in self-aligned silicided cmos process

Номер патента: CA2039777A1. Автор: Kaizad Rumy Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-10-28.

Semiconductor device having esd protection structure

Номер патента: US20170062405A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Arrangement and method for ESD protection

Номер патента: US20040104437A1. Автор: Michel Zecri,Patrice Besse,Nicolas Nolhier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230335546A1. Автор: Kai-Chieh Hsu,Shao-Chang Huang,Hsien-Feng LIAO,Chieh-Yao Chuang,Yeh-Ning Jou,Wei-Sung Chen,Chi-Hung Lo. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Active ESD Protection

Номер патента: US20070297105A1. Автор: Shunhua T. Chang,Ciaran J. Brennan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Esd protection diode and electronic device including the same

Номер патента: US20180096986A1. Автор: Jongdae Kim,Yil Suk Yang,Yong-Seo Koo,Jimin Oh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2018-04-05.

High performance output buffer with esd protection

Номер патента: WO2001039251A9. Автор: Paul S Fechner. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Threshold voltage method and apparatus for esd protection

Номер патента: US20100277841A1. Автор: David Bernard,Antoine Riviere,Frederic Demolli. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Method and apparatus for esd protection

Номер патента: WO2008153971A1. Автор: David Bernard,Antoine Riviere,Frederic Demolli. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-18.

Electrostatic discharge protection circuit coupled on I/O pad

Номер патента: US20040195629A1. Автор: Meng Liu,Tao Lu,Chun Hsiang Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Electrostatic discharge (esd) protection in an electronic switching circuit

Номер патента: US20170278840A1. Автор: David Robbins,Swaminathan Muthukrishnan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

High performance output buffer with esd protection

Номер патента: EP1232527A2. Автор: Paul S. Fechner. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2002-08-21.

Dummy layer diode structures for ESD protection

Номер патента: US20020084485A1. Автор: Cai Jun,Lo Foo. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

N-channel clamp for ESD protection in self-aligned silicided CMOS process

Номер патента: US5262344A. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20160141285A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Yuan-Fu Chung,Bo-Shih Huang,Chien-Kai Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

ESD Protection Structures on SOI Substrates

Номер патента: US20110254091A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Jiaw-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Dummy layer diode structures for esd protection

Номер патента: SG142110A1. Автор: Cai Jun,Lo Keng Foo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-28.

Esd protection structure for i/o pad subject to both positive and negative voltages

Номер патента: US20080296688A1. Автор: Gregory Bakker. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Esd protection structure for i/o pad subject to both positive and negative voltages

Номер патента: EP1831980A2. Автор: Gregory Bakker. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Esd protection structure for i/o pad subject to both positive and negative voltages

Номер патента: WO2006071555A2. Автор: Gregory Bakker. Владелец: Actel Corporation. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor Package with Temporary ESD Protection Element

Номер патента: US20220293535A1. Автор: Rabie Djemour,Muhammad Khairullah Nor Azmi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of manufacturing ESD protection structure

Номер патента: US20040058502A1. Автор: Jun Cai,Jun Song,Keng Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

ESD protection using more than one ground network

Номер патента: GB2286287A. Автор: Gordon Motley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1995-08-09.

ESD protection for IC's

Номер патента: US5561577A. Автор: Gordon W. Motley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1996-10-01.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US6153913A. Автор: Chen-Chung Hsu,Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

ESD protection with integrated LDMOS triggering junction

Номер патента: US9583603B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Changsoo Hong,William G. Cowden. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

ESD protection structure using contact-via chains as ballast resistors

Номер патента: US20070034960A1. Автор: Jiong Zhang,Yuhua Cheng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

ESD protection for open drain I/O pad in integrated circuit with parasitic field FET devices

Номер патента: US6355960B1. Автор: Ming-Dou Ker,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-12.

PNP controlled ESD protection device with high holding voltage and snapback

Номер патента: US11894362B2. Автор: Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

ESD protection device

Номер патента: US7279726B2. Автор: Kai Esmark,Martin Streibl,Ulrich Glaser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-09.

Pnp controlled esd protection device with high holding voltage and snapback

Номер патента: US20220254772A1. Автор: Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Electrostatic discharge (esd) protection transistor devices and integrated circuits with electrostatic discharge protection transistor devices

Номер патента: US20160322345A1. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Xiangxiang LU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Pnp controlled esd protection device with high holding voltage and snapback

Номер патента: US20230369315A1. Автор: Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Cross-domain esd protection scheme

Номер патента: SG193702A1. Автор: Da-Wei Lai,Ying-Chang LIN. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

Diode biased ESD protection device and method

Номер патента: US9129805B2. Автор: David Alvarez,Cornelius Christian Russ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-08.

ESD protection device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10128227B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-11-13.

Minimum-dimension, fully- silicided MOS driver and ESD protection design for optimized inter-finger coupling

Номер патента: US20040164354A1. Автор: John Armer,Cornelius Russ,Phillip Jozwiak,Koen Gerard Verhaege,Markus Paul Mergens,Bart Keppens. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

MOSFET structure for use in ESD protection devices

Номер патента: US6515331B1. Автор: Peter J. Hopper,Manuel Carneiro. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20160071832A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Structure including n-type well over n-type deep well and between pair of p-type wells for esd protection

Номер патента: US20240234409A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Ephrem G. Gebreselasie,Souvick Mitra,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Low capacitance differential input pad with common mode rejection, selectable input impedance, and ESD protection

Номер патента: US20040161276A1. Автор: Kenneth Richardson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Structure including n-type well over n-type deep well and between pair of p-type wells for esd protection

Номер патента: EP4401137A1. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Robert J. Gauthier,Souvick Mitra,Rajendran Krishnasamy,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

ESD protection for a CMOS output stage

Номер патента: US20030042499A1. Автор: Joachim Reiner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

ESD protection silicon controlled rectifier device

Номер патента: US10879231B2. Автор: Young Chul Kim,Seok Soon Noh,Joon Tae Jang,Joon Hyeok Byeon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Metal gate for robust esd protection

Номер патента: US20160071835A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Cmos-based low esr capacitor and esd-protection device and method

Номер патента: WO2006107434A2. Автор: Harry Gee,John Jorgensen. Владелец: California Micro Devices. Дата публикации: 2006-10-12.

Lateral-diode, vertical-SCR hybrid structure for high-level ESD protection

Номер патента: US09640523B2. Автор: Xiaowu Cai,Beiping YAN,Zhongzi Chen. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2017-05-02.

Automatic placement based ESD protection insertion

Номер патента: US7334207B2. Автор: Herbert Johannes Preuthen,Johann Leyrer,Hermann Sauter. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2008-02-19.

Clamping circuit for stacked NMOS ESD protection

Номер патента: US6747857B1. Автор: Jian-Hsing Lee,Hung-Der Su,Jiaw-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-08.

Electrostatic discharge protection circuit using a double-triggered silicon controlling rectifier

Номер патента: US20080054297A1. Автор: Ming-Dou Ker,Kuo-Chun Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Esd protective element, semiconductor device, and plasma display

Номер патента: US20110169092A1. Автор: Teruhisa Ikuta,Yoshinobu Satou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

ESD protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11830870B2. Автор: Jong-min Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Electrostatic discharge protection circuit with high triggering voltage

Номер патента: US20010007521A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-07-12.

Esd protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160276460A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

ESD protection device and method for producing the same

Номер патента: US9368253B2. Автор: Jun Adachi,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Silicon-controlled rectifier for electrostatic discharge protection circuits and structure thereof

Номер патента: US20070034896A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Esd protection silicon controlled rectifier device

Номер патента: US20190319024A1. Автор: Young Chul Kim,Seok Soon Noh,Joon Tae Jang,Joon Hyeok Byeon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20240234408A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Zi-Ping Chen,Tun-Chih Yang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal gate for robust ESD protection

Номер патента: US9343456B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Cmos-based low esr capacitor and esd-protection device and method

Номер патента: WO2006107434A3. Автор: Harry Gee,John Jorgensen. Владелец: Micro Devices Corp California. Дата публикации: 2007-04-05.

ESD protection SCR device

Номер патента: US09991369B2. Автор: Jong Min Kim,Seok Soon Noh,Joon Tae Jang,Joong Hyeok Byeon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Bipolar ESD protection device with integrated negative strike diode

Номер патента: US09461032B1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Electrostatic discharge protection device and Electrostatic discharge protection circuit thereof

Номер патента: US20120256229A1. Автор: Wei-Fan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-11.

Devices with zener triggered esd protection

Номер патента: US20120326206A1. Автор: Changsoo Hong,James D. Whitfield. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-12-27.

Esd protection for high-voltage-tolerance open-drain output pad

Номер патента: US20120044605A1. Автор: Ming-Dou Ker,Wu-Tsung Hsihe,Ming-Chun Chou. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Esd protection network used for soi technology

Номер патента: SG142151A1. Автор: SONG JUN,QUEK Shyue Fong,Ang Ting Cheong,Loong Sang Yee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-28.

Junction varactor for esd protection of rf circuits

Номер патента: US20110233678A1. Автор: Tzu-Jin Yeh,Ming-Hsien Tsai,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

ESD protection for high-voltage-tolerance open-drain output pad

Номер патента: US8164870B2. Автор: Ming-Dou Ker,Wu-Tsung Hsihe,Ming-Chun Chou. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

ESD protection structures for semiconductor components

Номер патента: US7943928B2. Автор: Karlheinz Mueller,Gernot Langguth,Klaus Roeschlau,Michael Runde. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-05-17.

ESD protection device for high voltage CMOS applications

Номер патента: US5604369A. Автор: Charvaka Duvvury,Roy C. Jones, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

An embedded pmos-trigger silicon controlled rectifier (scr) with suppression rings for electro-static-discharge (esd) protection

Номер патента: WO2018188106A1. Автор: Xiao Huo,Chun-Kit YAM. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2018-10-18.

Esd protection scr device

Номер патента: US20180069111A1. Автор: Jong Min Kim,Seok Soon Noh,Joon Tae Jang,Joong Hyeok Byeon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Esd protection device with bidirectional diode string-triggering scr structure

Номер патента: US20200091138A1. Автор: Qiang Xu,Xiaofeng Gu,Hailian LIANG. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-19.

Arrangement for improving the ESD protection in a CMOS buffer

Номер патента: US6529035B2. Автор: Hans-Ulrich Schroeder,Joachim Christian Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-03-04.

Esd protection device

Номер патента: US20100295157A1. Автор: Fang-Mei Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Bi-directional ESD protection structure for BiCMOS technology

Номер патента: US6784029B1. Автор: Vladislav Vashchenko,Ann Concannon,Peter J. Hopper,Marcel ter Beek. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Tunable ESD protection device

Номер патента: US8525300B2. Автор: Chi-Kuang Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-03.

Bi-directional bi-polar device for ESD protection

Номер патента: US11862735B2. Автор: Jie Zeng,RAUNAK Kumar,Souvick Mitra. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Esd protection device with isolation structure layout that minimizes harmonic distortion

Номер патента: US20230395656A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Esd protection device

Номер патента: US20100148265A1. Автор: Chien-Kuo Wang,Ta-Cheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

ESD protection device with isolation structure layout that minimizes harmonic distortion

Номер патента: US11776996B2. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Esd protection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130163130A1. Автор: Takashi Noma,Jun Adachi,Kosuke Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

High Voltage ESD Protection Device

Номер патента: US20190304966A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Danye LIANG,Jiamu XIAO,Longfei LIANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-10-03.

Esd protection device

Номер патента: US20110198727A1. Автор: Fang-Mei Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Low capacitance differential input pad with common mode rejection, selectable input impedance, and ESD protection

Номер патента: US7170727B2. Автор: Kenneth Richardson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Esd protection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150079273A1. Автор: Takashi Noma,Jun Adachi,Kosuke Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

ESD protection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9320184B2. Автор: Takashi Noma,Jun Adachi,Kosuke Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device with ESD protection

Номер патента: US20040155294A1. Автор: Kei-Kang Hung,Yi-Hwa Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Hot switch protection circuit

Номер патента: US09680300B2. Автор: Jerold A. Williamson,Gregory Sobolewski,Matthew A. Holtz. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate coupling electrostatic discharge protection circuit with redundant structures

Номер патента: US20050194644A1. Автор: Joe Wang,Yung-Chi Sung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Protective circuit for self-protected electromagnet actuators, and also protective circuit for self-protected power supply systems

Номер патента: RU2372700C2. Автор: Йенс ТИЧЕРТ,Маркус ЛЕНЦИНГ,Джефф ТРЕВИС,Дэн ФЕРГЮСОН. Владелец: ДБТ ГМБХ. Дата публикации: 2009-11-10.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Socket for a solar panel with a protective circuit

Номер патента: US09620956B2. Автор: Martin Jankowski. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-11.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: US20240250678A1. Автор: Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: EP4407871A1. Автор: Gerhard Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US7898034B2. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US20090080129A1. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US7465993B2. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor chips having improved electrostatic discharge protection circuit arrangement

Номер патента: US20070176241A1. Автор: Ki-Tae Lee,Han-Gu Kim,Jae-hyok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240321867A1. Автор: Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Amplifier having electrostatic discharge and surge protection circuit

Номер патента: US12063014B2. Автор: David Steven Ripley,John Tzung-Yin LEE,Myunghwan Park,Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Guarded electrical overstress protection circuit

Номер патента: US20110038083A1. Автор: Michael Coln,Yoshinori Kusuda,Gary Carreau. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

A guarded electrical overstress protection circuit

Номер патента: WO2011022233A1. Автор: Michael Coln,Yoshinori Kusuda,Gary Carreau. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-02-24.

SOI input protection circuit

Номер патента: US5841172A. Автор: Fukashi Morishita,Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Insulated gate field-effect transistor input protection circuit

Номер патента: US3746946A. Автор: L Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Lightning surge protection circuit, method and system, and storage medium and electronic apparatus

Номер патента: EP3859959A1. Автор: Hong Wang,Mingming Liu,Yundong Yang,Zhirong Cheng,Fangchun Wang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

V__ load dump protection circuit

Номер патента: CA1322231C. Автор: William E. Miller. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-09-14.

Protection circuit, circuit employing same, and associated method of operation

Номер патента: US9601479B2. Автор: William E. Edwards,John M. Pigott. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Electrostatic discharge protection circuit arrangement, electronic circuit and ESD protection method

Номер патента: US09438031B2. Автор: Patrice Besse,Jerome Casters,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated bidirectional ESD protection circuit for power semiconductor switching devices

Номер патента: US12107416B2. Автор: Ahmad Mizan,Edward MacRobbie. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit and method of operating the same

Номер патента: US20210305802A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Electrostatic discharge protection circuit for implantable medical device

Номер патента: EP2874696A1. Автор: William J. Linder,Keith R. Maile,Ron A. Balczewski,Lance E. Juffer,Nicholas J. Stessman,Mark Duane JANSEN. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2015-05-27.

I/O device, method for providing ESD protection for an I/O device and ESD protection device for an I/O device

Номер патента: US9545041B2. Автор: Da-Wei Lai,Taede Smedes. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Electrostatic discharge (esd) protection device and method for operating an esd protection device

Номер патента: US20180331090A1. Автор: Da-Wei Lai,Gijs Jan De Raad. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-15.

ESD protection circuit and RF switch

Номер патента: US9685949B2. Автор: Kazuya Yamamoto,Miyo Miyashita,Suguru Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

ESD protection device

Номер патента: US09837795B2. Автор: Jun Adachi,Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Battery short-circuit protection circuit

Номер патента: US20170025843A1. Автор: Xintian Liu,Yao He,Guojian Zeng,Xinxin Zheng. Владелец: Heifei University Of Technology. Дата публикации: 2017-01-26.

Battery short-circuit protection circuit

Номер патента: US9871371B2. Автор: Xintian Liu,Yao He,Guojian Zeng,Xinxin Zheng. Владелец: Heifei University Of Technology. Дата публикации: 2018-01-16.

Charging protection circuit, charging circuit, and electronic device

Номер патента: EP4075620A1. Автор: Hang Wang,Huaifeng Wang,Jiangtao YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Charging protection circuit, charging circuit, and electronic device

Номер патента: US20240355811A1. Автор: Hang Wang,Huaifeng Wang,Jiangtao YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Package module of battery protection circuit

Номер патента: US09450428B2. Автор: Young-Seok Kim,Sang-hoon Ahn,Seung-Wook Park,Hyeok-Hwi Na,Sung-Beum Park,Hyun-Mok Cho,Sun-Bok Park,Jae-Goo Park,Ho-Suk Hwang. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20220322537A9. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20210368631A1. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values

Номер патента: US09620954B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including ESD protection circuit

Номер патента: US09893053B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Kee-Moon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor arrangement with electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US09472545B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Chia-Hui Chen,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US09735144B2. Автор: Shih-Fan Chen,Tai-Hsiang Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-planar electrostatic discharge (esd) protection devices with nano heat sinks

Номер патента: US20180226317A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ,Milova PAUL. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2018-08-09.

Protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240347529A1. Автор: Tomoya Nishida,Hideaki Futai,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Latch-up protection circuit fo integrated circuits using complementarymos circuit technology

Номер патента: CA1275456C. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-23.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Electrostatic discharge (esd) protection structure and display panel

Номер патента: US20210318581A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Wide range ESD protection with fast POR transient time

Номер патента: US09847106B1. Автор: Byung Wook KIM,In Su LEE,Sang Gwon Hwang,Chea Jung Lim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Electrostatic protection circuit, array substrate and display device

Номер патента: US20180342864A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Charging protection circuit, driving method, chip, encapsulation structure and electronic device

Номер патента: EP4362266A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Jianyun Zhu,Mingwei Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Electrostatic protection circuit, power management chip, and display terminal

Номер патента: US12130523B2. Автор: Fangyun LIU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

ESD protection device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09681593B2. Автор: Jun Adachi,Jun Urakawa,Issei Yamamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

ESD protection device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466970B2. Автор: Jun Adachi,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa,Kumiko Ishikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

RF switch with inter-domain ESD protection

Номер патента: US09520251B2. Автор: John O'Sullivan,John Keane,Ian O'Regan. Владелец: Ferfics Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Esd protection device and method for producing the same

Номер патента: US20140327993A1. Автор: Jun Adachi,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa,Kumiko Ishikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: US11670938B2. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-06-06.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: EP4143944A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Protection monitoring circuit, battery pack, secondary battery monitoring circuit, and protection circuit

Номер патента: US09935451B2. Автор: Yoshihide Majima,Akira Ikeuchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Protection circuit module with thermistor and battery pack including the same

Номер патента: US09496587B2. Автор: Yeon Sung Jung. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Battery protection circuit and battery pack including same

Номер патента: US10680429B2. Автор: Dukjung Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Protective circuit module for secondary battery and battery pack using the same

Номер патента: US09496709B2. Автор: Seok Koh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Protection circuit for preventing misconnection at input end and photovoltaic power generation system

Номер патента: US20230104392A1. Автор: Xiufeng Zhang,Yanzhong ZHANG,Guangchao YAN,Fangpo Zhang,Xiaokang TIAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Protection circuit for preventing misconnection of input ends, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4148931A1. Автор: Xiufeng Zhang,Yanzhong ZHANG,Guangchao YAN,Fangpo Zhang,Xiaokang TIAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Protection circuit, battery pack, and protection circuit operating method

Номер патента: US20220407306A1. Автор: Chisato Komori,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Protection circuit, battery control device, and battery pack

Номер патента: US8873212B2. Автор: Yoshihiro Yoneda,Koichi Mukai,Takahiro Asada,Masahiko Ishimaru,Yuuji Kimura,Chisato Komori,Shoko Nagaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Protection circuit, battery pack, and protection circuit operating method

Номер патента: US12095259B2. Автор: Chisato Komori,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Surge protection circuit, switching power supply, and surge protection method

Номер патента: US09391445B2. Автор: Wei Di,Liangang Sun,Mei Zou,Yiyong Pu. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Battery protection circuit and lithium battery system

Номер патента: US20220352731A1. Автор: Jian Tan,Jinmao JIANG. Владелец: Suzhou Xysemi Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Reverse bias protection circuit for a vehicle battery system

Номер патента: US11881707B2. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang,Brian Large,Steve Gierlach. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Protection circuit for battery management system

Номер патента: US20240113514A1. Автор: Yue Li,Ke Xu,Weiwei Lin,Jiaping Zhang. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Battery protection circuit and lithium battery system

Номер патента: US11967843B2. Автор: Jian Tan,Jinmao JIANG. Владелец: Suzhou Xysemi Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Active ESD protection circuit

Номер патента: US09466972B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

ESD protection circuit with false triggering prevention

Номер патента: US09893518B2. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit

Номер патента: US09972999B2. Автор: Nathaniel Peachey. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High voltage tolerant electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20090161273A1. Автор: Xiaoming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

ESD protection circuit

Номер патента: US09843183B2. Автор: Bin LV. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Esd protection circuit

Номер патента: US20200176981A1. Автор: Kathleen Muhonen. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Esd protection circuit

Номер патента: US20170373493A1. Автор: Thomas H. Toifl,Jonas R. Weiss,Thomas E. Morf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110211285A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Low parasitic capacitance electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8305718B2. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2012-11-06.

Esd protection circuit with false triggering prevention

Номер патента: US20170179714A1. Автор: Eric Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit

Номер патента: US20160043542A1. Автор: Nathaniel Peachey. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Drain-ballasted electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20240372360A1. Автор: James E. Davis,Gregory A. King,Michael D. Chaine,Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Band-pass structure electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20110181990A1. Автор: Huei Wang,Bo-Jr Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Esd protection circuit

Номер патента: US20090168282A1. Автор: Ching-Jung Yang,Kun-Tai Wu. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

High Speed ESD Protection Circuit

Номер патента: US20220077679A1. Автор: Farzan Farbiz,Jaeduk Han,Praveen R. Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Electrostatic discharge protection circuit having high allowable power-up slew rate

Номер патента: US9172241B2. Автор: Jau-Wen Chen. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

ESD protection circuit with GIDL current detection

Номер патента: US11855450B2. Автор: Marcin Grad,Chinmayee Kumari Panigrahi,Maciej Skrobacki. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-26.

ESD protection circuit

Номер патента: US20070263330A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Herbert Knapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Input output circuit and electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20220247171A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Shih-Yu Wang,Wen-Tsung Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Esd protection circuit

Номер патента: US20130057992A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chua-Chin Wang,Federico A. Altolaguirre. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2013-03-07.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US20230007947A1. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Failsafe esd protection

Номер патента: US20140029142A1. Автор: Wei Yu Ma,Kou-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Electrostatic discharge protection circuit for chip

Номер патента: US12088091B2. Автор: Ling Zhu,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

ESD protection circuits

Номер патента: US09893516B2. Автор: Yeh-Ning Jou,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit, integrated circuit, and electrostatic discharge method

Номер патента: US11929610B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit device and electrostatic discharge protecting circuit thereof

Номер патента: US8755157B2. Автор: Kyoungmok Son,Yong-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

ESD protection system utilizing gate-floating scheme and control circuit thereof

Номер патента: US09537306B2. Автор: Chien-Fu Huang,Jen-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Programmable electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: WO2007146557A2. Автор: Babak Taheri,Dan Zupcau,Thurman John Rodgers. Владелец: Cypress Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2007-12-21.

Electrostatic discharge (esd) protection and operating method thereof

Номер патента: US20130163129A1. Автор: Da-Wei Lai,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Esd protection circuits

Номер патента: US20170163031A1. Автор: Yeh-Ning Jou,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

RC triggered ESD protection device

Номер патента: US09425616B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Tzu-Yi Yang,Yen-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Esd protection circuit and method thereof

Номер патента: US20100061026A1. Автор: Tao Cheng,I-Cheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Programmable electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: WO2007146557A3. Автор: Babak Taheri,Dan Zupcau,Thurman John Rodgers. Владелец: Thurman John Rodgers. Дата публикации: 2008-02-21.

Electrostatic protection circuit

Номер патента: US5615074A. Автор: Leslie R. Avery. Владелец: David Sarnoff Research Center Inc. Дата публикации: 1997-03-25.

ESD protection device and method

Номер патента: US10153271B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Esd protection device and method

Номер патента: US20170352653A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Esd protection device

Номер патента: US20190081036A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Driver assisted ESD protection apparatus and method

Номер патента: US11444445B2. Автор: Sanjay Joshi,Harry Muljono,Balkaran Gill,Raj Singh Dua. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Electrostatic discharge protection circuit and electronic system utilizing the same

Номер патента: US20090279219A1. Автор: Cheng-Huang Yu. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method and structure for external control of ESD protection in electronic circuits

Номер патента: US20040240129A1. Автор: Peter Moldauer,Jason CULLER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

ESD protection device

Номер патента: US10720424B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US20150288174A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US09413169B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Overvoltage Protection Circuit with Reduced Sensitivity to Process Variations

Номер патента: US20090195943A1. Автор: Song Liu,Guoxing Wang,Ramesh Prakash. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-08-06.

Protection circuit, interface circuit, and communication system

Номер патента: US09520708B2. Автор: Tunehiko MORIUCHI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Electrostatic protection circuit

Номер патента: US12132308B2. Автор: QIAN Xu,Zhan XUE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US8385034B2. Автор: Shin-Tai Lo. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Protective circuit, electronic device, and method of driving a protective circuit

Номер патента: US09362739B2. Автор: Takaaki Tatsumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrostatic protection circuit, chip, and terminal

Номер патента: EP4418483A1. Автор: Xin Gao,Lihui Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09716382B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Electrostatic breakdown protection circuit and capacitance sensor device

Номер патента: US20230268731A1. Автор: Masayuki Otsuka,Satoru Kurotsu. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

False-trigger free power-rail ESD clamp protection circuit

Номер патента: US09531188B2. Автор: Jian Cao,Xing Zhang,Yuan Wang,Guangyi LU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US09627885B2. Автор: Tay-Her Tsaur,Cheng-Cheng Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Esd protection circuit

Номер патента: US20220052521A1. Автор: Jang Hyun Yoon. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Esd protection circuit with two discharge time periods

Номер патента: WO2017074593A1. Автор: Tomer ELRAN,Mark Moty Groissman,Alex Tetelbaum,Moti ALTARAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Esd protection circuit with two discharge time periods

Номер патента: US20170126001A1. Автор: Tomer ELRAN,Mark Moty Groissman,Alex Tetelbaum,Moti ALTARAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180212422A1. Автор: Cheng-Pang Chan,Chien-Ming Wu,Jian-Ru LIN,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Touch control device with enhanced ESD protection effect

Номер патента: US09537305B2. Автор: Ruey-Shing Weng,Yen-Hua Chen,Chi-Yuan Tseng. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus of providing 2-stage esd protection for high-speed interfaces

Номер патента: US20090046401A1. Автор: Jeff Dunnihoo,Richard Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Touch control device with esd protection

Номер патента: US20190265830A1. Автор: Chien-Hsun Chen,Yung-Cheng TSAI,Chien-Le LI,Shih-Hong Jhang,You-Hong Jhang. Владелец: Wisechip Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Noise-tolerant active clamp with esd protection capability in power up mode

Номер патента: US20150207313A1. Автор: Andreas Rupp,Ulrich Glaser,Yiqun Cao. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-23.

Noise-tolerant active clamp with ESD protection capability in power up mode

Номер патента: US09413166B2. Автор: Andreas Rupp,Ulrich Glaser,Yiqun Cao. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Touch control device with enhanced esd protection effect

Номер патента: US20160149401A1. Автор: Ruey-Shing Weng,Yen-Hua Chen,Chi-Yuan Tseng. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Biometric sensor and system level electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20240275164A1. Автор: Imre Knausz. Владелец: IDEX Biometrics ASA. Дата публикации: 2024-08-15.

Heating loop protective circuit, respiration heating circuit and respiration aiding equipment

Номер патента: US12113349B2. Автор: Jun Zhao,Liting Wang,Haibin Yu,Jiebing XU. Владелец: Vincent Medical Dong Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Overvoltage protection circuit

Номер патента: DK180187B1. Автор: S Sonne Darrell. Владелец: Altus Intervention Tech As. Дата публикации: 2020-07-23.

Low-voltage test signal path protection circuit with extended bandwidth, overvoltage and transient protection

Номер патента: WO2000054061A1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2000-09-14.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09614366B2. Автор: Tomokazu Kojima. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US9871374B2. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20160134103A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20180191155A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20170098933A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Overvoltage protection circuit, overvoltage protection method and panel driving circuit

Номер патента: US20160064925A1. Автор: Xiang Yang,Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Over-Voltage Protection Circuit for Electric Vehicles

Номер патента: US20240317061A1. Автор: Manuel Cereijido Fernandez. Владелец: Ample Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

A surge protection circuit

Номер патента: WO2024146736A1. Автор: Lijun Zhou. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-07-11.

Mobile terminal with charging surge protection circuit

Номер патента: US9131036B2. Автор: Jianliang Gu,Zhan GU. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Overvoltage protection circuit for a PMOS based switch

Номер патента: US12088085B2. Автор: Ravinder Kumar,Manoj Kumar,Nicolas Demange. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Surge protection circuit

Номер патента: US20150194807A1. Автор: Dan Li,Zhenghai Wan,Junkai Li,Xifeng PU. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Over-voltage protection circuit for electric vehicles

Номер патента: WO2024196557A1. Автор: Manuel Cereijido Fernandez. Владелец: Ample Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09472947B2. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Input protection circuit

Номер патента: WO2009132170A1. Автор: David W. Baarman,Scott A. Mollema,Dale R. Liff,Andrew C. Zeik,Mark A. Blaha. Владелец: ACCESS BUSINESS GROUP INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2009-10-29.

Protection circuit and hub chip

Номер патента: US12021367B2. Автор: Hsiao Chyi Lin,shao-yu Chen,Chia Ming TU,Yi Shing LIN. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and processing unit for checking an overvoltage protection circuit for an electric machine, and converter arrangement

Номер патента: US20240204514A1. Автор: Timm Lohmann,Nima Saadat,Murugaperumal Devaraja,Kaveh HAGHVERDI,Vivek TAILOR. Владелец: SEG Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

High-current, bidirectional protection circuits and methods

Номер патента: US20240258792A1. Автор: Gabriel Eugen Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Built-in test for an overvoltage protection circuit

Номер патента: US20120187969A1. Автор: Gary L. Hess. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Input surge protection circuit and method for an LED load

Номер патента: US09379533B1. Автор: Wei Xiong,Rohan Dayal. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Protection circuit

Номер патента: US20130308232A1. Автор: Pascal Rouet. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-11-21.

Electrical surge protection circuits

Номер патента: US11764569B2. Автор: Liangyun DONG. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Over voltage protection circuit

Номер патента: US09979183B2. Автор: Matthieu Deloge,Arnoud Pieter Van Der Wel,Jaume Tornila Oliver. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-22.

Surge protection circuit and method for testing a surge protection circuit

Номер патента: US09500699B2. Автор: Thomas Feucht. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2016-11-22.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: US20220094779A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: US20240014732A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-11.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: EP4304032A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-10.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: WO2022061086A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Quad tvs protection circuit for an electronic dsl component

Номер патента: EP4214919A1. Автор: Andrew Carl Brost,Christopher John Choulos,Robert Charles Burk,Viswanath Bhagavatula Rao. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2023-07-26.

Protection circuit and related method

Номер патента: US20150077892A1. Автор: Ching-Chung Lin,Pin-Hung Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Inrush current protection circuit for solid state lighting fixtures

Номер патента: US12108507B2. Автор: Perry Romano,Adam J. CLARK. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Over-voltage protection circuit and electronic device

Номер патента: US09966757B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Protection circuit and related method

Номер патента: US09478975B2. Автор: Ching-Chung Lin,Pin-Hung Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Protection circuit of power over ethernet port and ethernet power-sourcing equipment

Номер патента: US09472950B2. Автор: Jing Li,Ming Zhou,Shuai Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Protection circuit, circuit protection method using the same and display device

Номер патента: US09379539B2. Автор: Weon-Jun Choe,Byeong-Doo KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Operating device with staggered protection circuits against overvoltage and overcurrent and antenna for driving intelligent lamps and lighting appliances

Номер патента: CA3039113A1. Автор: Hermann Hampel,Ulrich Berold,Markus Pieger,Johannes Hampel. Владелец: IAD Gesellschaft fuer Informatik Automatisierung und Datenverarbeitung mbH. Дата публикации: 2018-04-12.

Heating loop protective circuit, respiration heating circuit and respiration aiding equipment

Номер патента: US20240022062A1. Автор: Jun Zhao,Liting Wang,Haibin Yu,Jiebing XU. Владелец: Vincent Medical Dong Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Protective circuit for camera of terminal

Номер патента: EP4344000A1. Автор: Yi Wang,Chao Wang,Bo Xu,Zhiyong Sun,Jie Dong,Qiao SUN. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Surge protection circuit

Номер патента: US20240039396A1. Автор: Chih-Hsing Chen,Chih-Yun Lin. Владелец: Powertech Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic protective circuit

Номер патента: US3979642A. Автор: Pieter G. Cath,Robert J. Erdman. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 1976-09-07.

Wearable device and electrostatic discharge protection circuit of the same

Номер патента: US09899832B2. Автор: Ching-Yen Kuo. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Secondary battery protection circuit and secondary battery anomaly detection system

Номер патента: US11990778B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Ryota Tajima,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Cell protection circuit, battery, and electronic device

Номер патента: US20220294091A1. Автор: Chuantao Song. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Protection circuit module and aerosol generating device including the same

Номер патента: EP4243641A1. Автор: Seungwon Lee,Sungwook Yoon,Daenam HAN,Seoksu JANG,Yonghwan Kim. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: WO2009099659A3. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corporation. Дата публикации: 2009-10-08.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: WO2009099659A2. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corporation. Дата публикации: 2009-08-13.

Protective circuit for energy-strorage device

Номер патента: EP2240991A2. Автор: John Joseph Christopher Kopera. Владелец: Sion Power Corp. Дата публикации: 2010-10-20.

Protecting circuit for battery during engine starting events

Номер патента: US20240291296A1. Автор: James O. Burke,Dean R. Solberg. Владелец: Kold-Ban International Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Protection circuit for protecting a battery

Номер патента: SE544898C2. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2022-12-20.

Protection circuit for protecting a battery

Номер патента: SE2050273A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2021-09-14.

Battery protection circuit and battery pack including same

Номер патента: US12062933B2. Автор: Youngjun Kim,Jong-Chan HAN,Chul-Seung Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Battery protection circuit

Номер патента: WO2021180934A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2021-09-16.

Battery protection circuit

Номер патента: EP4118726A1. Автор: Olle Bliding,Eric Wiebols. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-01-18.

Protection circuit of battery module

Номер патента: US20230420958A1. Автор: Wen-Fan Chang,Chun-Chieh Li. Владелец: STL Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Battery including protective circuit and electronic device comprising same

Номер патента: EP4411951A1. Автор: KiYoun Jang,Tari PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Battery including protective circuit and electronic device comprising same

Номер патента: US20240274898A1. Автор: KiYoun Jang,Tari PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Battery protection circuit with isolation device failure detection

Номер патента: US20210265847A1. Автор: Kow Chee Chong,Macwien Krishnamurthi,Chen Kok Yeoh,Muhamad Ridzuan Azizan,Friedrich Bollmann,Abdul Rashid Abdul Halim,Jeevan Kanesalingam. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

ESD protection circuit, display panel, and display device

Номер патента: US10720423B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Esd protection circuit, display panel, and display device

Номер патента: US20190385998A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Esd protection device with breakdown voltage stabilization

Номер патента: US20210104514A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

LED chip having ESD protection

Номер патента: US09893051B2. Автор: Yeo Jin Yoon,So Ra LEE,Seom Geun LEE,Myoung Hak YANG,Jae Kwon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Esd protection structure

Номер патента: US20170373053A1. Автор: Rouying Zhan,Patrice Besse,Changsoo Hong,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Esd protection device and related fabrication methods

Номер патента: US20160013177A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-14.

Breakdown uniformity for esd protection device

Номер патента: US20210104513A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Esd protected semiconductor photomultiplier

Номер патента: WO2019115022A1. Автор: John Carlton Jackson,Brian Patrick McGarvey,Stephen John Bellis,Paul Malachy Daly. Владелец: Sensl Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Static electricity protection circuit, electro-optical apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US09977299B2. Автор: Masahito Yoshii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Pulse width modulation-based overcurrent protection circuit and operating method for the same

Номер патента: US11901885B2. Автор: Li-Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Resettable short-circuit protection circuit

Номер патента: WO2009006623A2. Автор: John P. Taylor. Владелец: Kyocera Wireless Corp.. Дата публикации: 2009-01-08.

Rapid Short-Circuit Protection Circuit of Charger at Output End and Battery Charger

Номер патента: US20200259325A1. Автор: Mingliang ZHOU,Tongcheng LI. Владелец: Shenzhen Click Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

A protection circuit for use in a lighting circuit

Номер патента: EP4289230A1. Автор: Lijun Zhou,Chenghu LUO. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Protection circuit

Номер патента: US09866009B2. Автор: Takuya Oka. Владелец: Onkyo and Pioneer Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Protection circuit of communication interface

Номер патента: US09496705B2. Автор: Jianye Liu,Shihao Qin,Guohua Tang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Short-circuit protection circuit for voltage sampling resistor of primary side converter

Номер патента: US09923365B2. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Changshen Zhao. Владелец: WUXI CHIPOWN MICRO-ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Inrush current limiting protection circuit

Номер патента: WO2000064023A1. Автор: Matti Lyly. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-10-26.

Surge protection circuit and communication apparatus

Номер патента: US20140211359A1. Автор: Yasuhiro Senba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Protection circuit in electronic device and method therefor

Номер патента: US12074572B2. Автор: Jihoon Kim,Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho,Sanghun Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Over-temperature protection circuit

Номер патента: US11750186B2. Автор: Hans-Juergen Braun. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Over-temperature protection circuit

Номер патента: US20200343885A1. Автор: Hans-Juergen Braun. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Power system and short-circuit protection circuit thereof

Номер патента: US9343901B2. Автор: Chung-Wei Kuo,Chun-Yen Liu,Shao-Kang Chu,Yu-Wei Hsu. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Pulse width modulation-based overcurrent protection circuit and operating method for the same

Номер патента: US20220021382A1. Автор: Li-Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Fingerprint sensor having ESD protection

Номер патента: US09734382B2. Автор: Chun-Chi Wang,Chao-Chi Yang,Tsung-Yin Chiang. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Esd protection circuit for use in rf cmos ic design

Номер патента: EP1459440A1. Автор: Alok Govil,Tirdad Sowlati,Vickram R. Vathulya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Esd protection circuit for use in rf cmos ic design

Номер патента: AU2002365724A1. Автор: Alok Govil,Tirdad Sowlati,Vickram R. Vathulya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-17.

Esd protection circuit for use in rf cmos ic design

Номер патента: WO2003049281A1. Автор: Alok Govil,Tirdad Sowlati,Vickram R. Vathulya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-06-12.

Circuit structure for connecting bonding pad and ESD protection circuit

Номер патента: US20030193071A1. Автор: Shao-Chang Huang,Jin-Tau Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die for system-level ESD protection

Номер патента: US11881476B2. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die for System-Level ESD Protection

Номер патента: US20220285334A1. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Methods for an ESD protection circuit including trigger-voltage tunable cascode transistors

Номер патента: US09653454B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Manjunatha Prabhu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Programmable scr for ldmos esd protection

Номер патента: US20130285137A1. Автор: Juergen Wittmann,Sameer Pendharkar,Suhail Murtaza. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device comprising ESD protection circuit for protecting circuit from being destructed by electrostatic discharge

Номер патента: US20040119159A1. Автор: Makoto Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Discontinuous ESD Protection Layers Between Semiconductor Die

Номер патента: US20110278703A1. Автор: Reza A. Pagaila,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Liquid crystal display device having ESD protection functionality

Номер патента: US7817217B2. Автор: Sue-Chen Lee,Tsang-Hsiang Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-19.

Liquid crystal display device having esd protection functionality

Номер патента: US20090279008A1. Автор: Sue-Chen Lee,Tsang-Hsiang Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-11-12.

Systems and methods for esd protection for rf couplers in semiconductor packages

Номер патента: US20120113553A1. Автор: Timothy J. DuPuis. Владелец: Javelin Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Packaged device for common mode filtering and esd protection

Номер патента: WO2009001312A3. Автор: Frank Burmeister,Michael Joehren,Horst Roehm,Dirk Wittorf. Владелец: Dirk Wittorf. Дата публикации: 2009-05-28.

Esd protection substrate and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US20090097175A1. Автор: Min-Lin Lee,Shinn-Juh Lai,Shih-Hsien Wu,Chen-Hsuan Chiu,Chi-Liang Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-16.

Systems and methods for enabling esd protection on 3-d stacked devices

Номер патента: CA2735689C. Автор: Shiqun Gu,Matthew Nowak,Kenneth Kaskoun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

SCR with fin body regions for ESD protection

Номер патента: US09536870B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Esd protection composite structure, esd protection device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190364653A1. Автор: Ming-Sheng Leu,Jia-Jen Chang,Ding-Shiang Wang,Tai-Sheng Chen,Chin-Te Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and apparatus that provides differential connections with improved ESD protection and routing

Номер патента: US20070120192A1. Автор: Michael Evans,Jeffrey Dunnihoo,Chadwick Marak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for providing a programmable electrostatic discharge (ESD) protection device

Номер патента: US7541235B2. Автор: John D. Husher. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Miniature passive structures for ESD protection and input and output matching

Номер патента: US09337157B2. Автор: YANG LU,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma,Jiangmin Gu. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-10.

Substrate including an ESD protection function

Номер патента: US8693157B2. Автор: Takashi Noma,Jun Urakawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Electro-static discharge protection circuit, display panel and display device

Номер патента: US11837609B2. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Electro-static discharge protection circuit, display panel and display device

Номер патента: US20220392924A1. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Electro-static discharge protection circuit, display panel, and display device

Номер патента: EP3846206A1. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Electro-static discharge protection circuit, display panel and display device

Номер патента: US20210074732A1. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Dual fin silicon controlled rectifier (scr) electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20190013310A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ,Milova PAUL,B. Sampath KUMAR. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2019-01-10.

Multilevel metallization structure for integrated circuit I/O lines for increased current capacity and ESD protection

Номер патента: US5789783A. Автор: Ashok K. Kapoor,Satish Menon,Ratan K. Choudhury. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Microelectronic package electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US11751367B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

ESD protection device

Номер патента: US09698109B2. Автор: Jun Adachi,Takayuki Imada,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Microelectronic package electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20210410343A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Esd protection unit, array substrate, lcd panel and display device

Номер патента: US20170131604A1. Автор: Kun CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Memory device having an enhanced ESD protection and a secure access from a testing machine

Номер патента: US11749325B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Miniature passive structures for esd protection and input and output matching

Номер патента: SG189952A1. Автор: YANG LU,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma,Jiangmin Gu. Владелец: Univ Nanyang Tech. Дата публикации: 2013-06-28.

Miniature passive structures for esd protection and input and output matching

Номер патента: WO2012053981A1. Автор: YANG LU,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma,Jiangmin Gu. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-26.

SCR with fin body regions for ESD protection

Номер патента: US9240471B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-19.

Scr with fin body regions for esd protection

Номер патента: US20160111414A1. Автор: Robert J. Gauthier,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Manufacturing method of esd protection device

Номер патента: US20210282253A1. Автор: Ming-Sheng Leu,Jia-Jen Chang,Ding-Shiang Wang,Tai-Sheng Chen,Chin-Te Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-09-09.

Esd protection device

Номер патента: US20150155246A1. Автор: Jun Adachi,Takayuki Imada,Takahiro Sumi,Takayuki Tsukizawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Ceramic substrate incorporating an ESD protection for a light emitting diode

Номер патента: EP1580809A3. Автор: William D. Lumileds Lighting US. LLC Collins,Jerome C Lumileds Lighting US. LLC Bhat. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2008-07-09.

Electronic device including electrically conductive body for esd protection and related methods

Номер патента: US20130175628A1. Автор: Andrew MUI,John Robert McIntyre. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2013-07-11.

Microelectronic package electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20210120708A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable battery by using flip-chip technology

Номер патента: US20040070081A1. Автор: Kou-Way Tu,Chii-Wen Chen,Feng-Tso Chien,Zheng-Feng Lin. Владелец: Chino Excel Tech Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Packaged Overvoltage Protection Circuit For Triggering Thyristors

Номер патента: US20180145186A1. Автор: Subhas Chandra Bose Jayappa Veeramma. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-05-24.

Protecting circuit of the semiconductor factory automation

Номер патента: US20030081368A1. Автор: Wen-Yung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors

Номер патента: US09935206B2. Автор: Subhas Chandra Bose Jayappa Veeramma. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

ESD protection device of touch panel

Номер патента: US09520715B2. Автор: Zhongshou Huang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Pfc overcurrent protection circuit, and controller

Номер патента: EP3879655A1. Автор: Qi Wang,Yongsong Lv. Владелец: Hangzhou Leaderway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Protection circuit and device for hdmi identification port

Номер патента: US20170170651A1. Автор: WEI Duan. Владелец: Le Holdings Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

A latch protection switch and a power rail protection circuit having the same

Номер патента: EP4447245A1. Автор: DONG Chen,Ke Wang,Yang Qu. Владелец: Self Electronics Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-16.

Thermal protection circuit

Номер патента: US09819172B2. Автор: Changqi Li,Bingwu Luo. Владелец: Huawei Device Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Overvoltage protection circuit and power supply source system

Номер патента: RU2460189C2. Автор: Такео ОХКИДО,Масафуми ХАСИМОТО. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Motor control circuit having motor protective circuit

Номер патента: US20010019470A1. Автор: Masaaki Tanaka,Minoru Hiwatari,Isao Takagi,Shuichi Nagaoka,Hiroaki Nakaya. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Protection circuit for a switched mode power supply

Номер патента: US20010019469A1. Автор: Kian Koh,Seng Ng,Kum Zee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Protection circuit and method

Номер патента: US20220329214A1. Автор: Alexander Simin,Gian Hoogzaad,Marc Gerardus Maria Stegers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-13.

Electrostatic protection circuit, circuit board, and electrostatic protecting method

Номер патента: US20200305273A1. Автор: Ying Liu,Jie Yu,Pengtao LI,Yangbing Yu,Qin TAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Overload and short-circuit sensing circuit and converter protecting circuit and method

Номер патента: US09466973B2. Автор: Jeong Mo YANG,Yu Jin Jang,Hwan Cho. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Drive protection circuit, semiconductor module, and automobile

Номер патента: US09455566B2. Автор: Kazuaki Hiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Motor protecting circuit

Номер патента: US20220393459A1. Автор: Kun-Min Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Over current protection circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20190080659A1. Автор: Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Short-circuit protection circuit, chip and system for switched-mode power supply

Номер патента: US12119745B2. Автор: Bin Liu,Ruiping Li,Jinlong XU,Wei Chi. Владелец: Shanghai Xinlong Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Protective circuit equipped with a reflux circuit and a switching circuit and energy storage apparatus containing the protective circuit

Номер патента: US12088083B2. Автор: Masakatsu Fujimatsu. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

A CMOS Process Compatible Interface Chip power-failure Protection Circuit and The Method Thereof

Номер патента: NL2034089A. Автор: WANG Xiangqian,Gao Xiaoping,Han Genliang,Xie Mingling,Yuan Chaoxin. Владелец: Institute Of Sensor Tech Gansu Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-03-17.

Over-current protection circuit for power circuit

Номер патента: US20210226443A1. Автор: Po-Chin Chuang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Power transistor overcurrent protection circuit

Номер патента: US11115018B1. Автор: Kewei Ying. Владелец: Si En Technology Xiamen Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Overvoltage protection circuit for a power converter

Номер патента: CA3005023C. Автор: Jarle FROSTERØD,Tor Vang PEDERSEN. Владелец: Comrod AS. Дата публикации: 2023-07-11.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043A1. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage battery cluster, and overcurrent protection circuit and switch box thereof

Номер патента: AU2019435043B2. Автор: Renxian CAO,Jinsheng Li,Hui Tong,Xiaohu Xu,Yilei Gu,Jianjie Zhou,Shanming YANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Over-energy protection circuit, residual current device, electronic device, and power distribution box

Номер патента: US12132304B2. Автор: Feng Niu,Kui Li,Zijian Xu,Qingying LIU,Chenyu XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Protection circuit and control circuit

Номер патента: US09817412B2. Автор: Shinji Tanaka,Takahiro Sakaguchi,Keiji Kobayashi,Atsushi Kikuchi. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Power supply circuit and polarity reversal protection circuit

Номер патента: US20140085759A1. Автор: Uwe Richter. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2014-03-27.

Overheat protection circuit and voltage regulator

Номер патента: US09819173B2. Автор: Daiki Endo,Fumimasa AZUMA. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device and motherboard and protecting circuit of electronic device

Номер патента: US09553447B2. Автор: Xin Ye,Chun-Sheng Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Protection circuit for power converter

Номер патента: US09520767B2. Автор: Ta-Yung Yang. Владелец: Fairchild Taiwan Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Protection circuit for high temperature reverse bias test

Номер патента: US20240235183A1. Автор: Kai Hu,Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Protective circuit breaker with detection of aperiodic current variation

Номер патента: RU2525082C2. Автор: Михаэль КОХ. Владелец: Итон Гмбх. Дата публикации: 2014-08-10.

Protection circuit and server system

Номер патента: US20230163585A1. Автор: LIN Zhang,LI-Wen Guo. Владелец: Shenzhen Fulian Fugui Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Protection circuit and server system

Номер патента: US12015260B2. Автор: LIN Zhang,LI-Wen Guo. Владелец: Shenzhen Fulian Fugui Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Power line electronic leak detection and electronic leak protection circuit

Номер патента: EP4270701A1. Автор: Bill Zou,Xingjin Yu,Xiannan Li. Владелец: Zhongshan Kaper Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: US20200313703A1. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP3906615A1. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-10.

Protection circuit applied to electronic device and associated protection method

Номер патента: US20190341765A1. Автор: Dien-Shen Chiang,Tsui-Chuan CHUANG,Ming-Ruei Liu,Chien-Tai KAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Protective circuits for secondary battery packs

Номер патента: US8129948B2. Автор: Fang Chen. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-06.

An overcurrent protecting circuit

Номер патента: GB2588215A. Автор: Szasz Francisc. Владелец: Continental Automotive Romania SRL. Дата публикации: 2021-04-21.

Motor current protecting circuit

Номер патента: US20230223887A1. Автор: Kun-Min Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Selective independent overload and group overload protection circuit of power supply

Номер патента: US20090015064A1. Автор: Hsin-Sheng Huang. Владелец: Silver Stone Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP4412093A2. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Voltage protection circuit to prevent power amplifier burnout, and electronic device having the same

Номер патента: EP4412093A3. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM,Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Electronic switching and protection circuit with a logarithmic ADC

Номер патента: US09954548B2. Автор: Markus Ladurner,Robert Illing,Christian Djelassi,David Jansson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Analog-to-digital converter protection circuit, method for controlling analog-to-digital converter protection circuit, and controller

Номер патента: US09923567B2. Автор: Qi Cheng,Weiguo LI,Qiwen WEI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Undervoltage protection circuit for LED lamp

Номер патента: US09609716B2. Автор: Wen Ying,Junjun Ying,Wanjiong Lin,Qizhi Wu. Владелец: Ningbo Self Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Load short-circuit protection circuit of LED power supply

Номер патента: US11778710B2. Автор: Pengyuan ZHAO,Yanhai LIN. Владелец: Ningbo Self Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20160241226A1. Автор: Katsuma TSUKAMOTO,Yusuke Yano. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20130063850A1. Автор: Fukuo Ishikawa,Akira Sugiura,Ippei Kawamoto,Takeyoshi Hisada. Владелец: Anden Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Protection circuit for brushless dc motor, and control device

Номер патента: US20180351348A1. Автор: Weilin GUO,Lina Yao,Wenxian WU,Anyong HU. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2018-12-06.

Protection circuit that detects fault impedance during power up of a device

Номер патента: US20160233659A1. Автор: Jamaica L. Barnette,Raymond M. Clemo. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Overvoltage protection circuit, integrated circuit and switching converter with the same

Номер патента: US11750083B2. Автор: Hongfeng Fan,Dengke Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Hybrid Fault Protection Circuits For High-Power Cyclical Loads

Номер патента: US20240250516A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Protection circuit for a d.c. brushless motor pump

Номер патента: US20130043815A1. Автор: Hsia-Yuan Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Protective circuit and switch control device

Номер патента: US20240223179A1. Автор: Kiyotaka Kasahara. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Protecting circuit for battery during engine starting events

Номер патента: US20240291265A1. Автор: James O. Burke,Dean R. Solberg. Владелец: Kold-Ban International Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid fault protection circuits for high-power cyclical loads

Номер патента: WO2024158740A1. Автор: Gerald Murray Brown. Владелец: Komatsu America Corp.. Дата публикации: 2024-08-02.

Protection circuit for an inverter as well as inverter system

Номер патента: US09640978B2. Автор: Marco Schnell,Samuel Werner,Dirk Nowosad. Владелец: Ziehl Abegg SE. Дата публикации: 2017-05-02.

Protection circuit that detects fault impedance during power up of a device

Номер патента: US09455565B2. Автор: Jamaica L. Barnette,Raymond M. Clemo. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

High-reliability protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240088641A1. Автор: Hui Sun,Yunli LIU. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Over-current protection circuit, over-current protection method and display device

Номер патента: US20230421147A1. Автор: Minsung Kim,Dongmyung Lee,Jiajhang Wu,Jangjin Nam. Владелец: Hefei Eswin Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Protection circuit applied to electronic device and associated protection method

Номер патента: US20210234357A1. Автор: Dien-Shen Chiang,Tsui-Chuan CHUANG,Ming-Ruei Liu,Chien-Tai KAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Over-voltage protection circuit

Номер патента: US20090059456A1. Автор: Chuan-Tsai Hou. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

A protective circuit for a battery pack

Номер патента: EP4407833A1. Автор: Datta RAJARAM SAGARE,Duru Johnish Kumar,Upender Rao. Владелец: TVS Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: US20230039217A1. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Integrated programmable over-current protection circuit for optical transmitters

Номер патента: WO2007137087A3. Автор: Jean-Yves Michel,Joseph Duigan,Olivier Metayer. Владелец: Centillium Communications Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated programmable over-current protection circuit for optical transmitters

Номер патента: WO2007137087A2. Автор: Jean-Yves Michel,Joseph Duigan,Olivier Metayer. Владелец: Centillium Communications, Inc.. Дата публикации: 2007-11-29.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: US12027845B2. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Shoot through current detection and protection circuit

Номер патента: WO2021167599A1. Автор: Carl R. Haynie. Владелец: Aerojet Rocketdyne, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

AC-DC converter device comprising an overvoltage protection circuit

Номер патента: US09425607B2. Автор: Thomas Olsen,Erik Myhre,Jan Tore Brastad. Владелец: ELTEK AS. Дата публикации: 2016-08-23.

Anti-reverse connection protection circuit and method, and electrochemical apparatus and energy storage system

Номер патента: AU2021345628A9. Автор: Qifan Liu. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Overcurrent protection circuit and power amplifier including overcurrent protection circuit

Номер патента: US20240213930A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US9709931B2. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Protection circuit of resonant converter and operation method thereof

Номер патента: US20230170789A1. Автор: Seongho SON,Jongseong JI,Younghwan KWACK,Seonho JEON,Chuhyoung CHO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-01.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US20170038708A1. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-09.

Protection circuit for central processing unit

Номер патента: US20140185173A1. Автор: Hai-Qing Zhou. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Overcurrent protection circuit and bi-directional converter

Номер патента: US20210226440A1. Автор: Jinfa Zhang,Guoqiao SHEN,Yuhu ZHOU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Overcurrent protection circuit

Номер патента: US20180048140A1. Автор: Naoki Takahashi,Toru TAKUMA,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Short detection and protection circuit for access point

Номер патента: US20240146351A1. Автор: BO Wang,Hongli Zhang,Kehui Cai. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for passive fault monitoring of current sensing devices in protective circuit interrupters

Номер патента: US20240272225A1. Автор: William Vernon Miller, Iii,Gary Michael Miller,Edward Shi CHEN. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrical protection circuit for energy storage unit

Номер патента: EP4435989A1. Автор: Panagiotis Bakas,Zichi ZHANG,Anton Söderblom,Haofeng BAI,Aleksandr Viatkin. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Electrical protection circuit for energy storage unit

Номер патента: WO2024200298A1. Автор: Panagiotis Bakas,Zichi ZHANG,Anton Söderblom,Haofeng BAI,Aleksandr Viatkin. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Overheat protection circuit and switching regulator including the same

Номер патента: US12046992B2. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Anti-reverse connection protection circuit and method, and electrochemical apparatus and energy storage system

Номер патента: AU2021345628B2. Автор: Qifan Liu. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Protection circuit with low energy-consumption and driving circuit thereof

Номер патента: US9006979B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Reverse grounding protection circuit and ground fault circuit interrupter

Номер патента: US20190103741A1. Автор: Ze Chen,Xincheng Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-04.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: EP4300800A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Hvac Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Overcurrent Protection Circuit, Overcurrent Protection Method, Clock Signal Generation Circuit and Display Device

Номер патента: US20220416531A1. Автор: Yonghua Zhou,Xinjiang ZHAO. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240007002A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Heating Ventilation & Air Conditioning. Дата публикации: 2024-01-04.

Power supply device of switching mode with leakage current protection circuit

Номер патента: US6094365A. Автор: Po-Lun Chiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-25.

Overvoltage and surge protection circuit in a hard disk drive

Номер патента: US5930096A. Автор: Jae-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Electrical instrument having a protection circuit

Номер патента: CA2713624A1. Автор: Wu Chen,Wei Dong,Huanrong Song,Chuanyang Lu. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2011-02-28.

Protection circuit, circuit and operation method therefor, and corresponding vehicle light and vehicle

Номер патента: WO2020108509A1. Автор: Zhenyu Zhang,Sylvain Yvon,Jintao Liang,Tianxun GONG,Peiliang YUAN,Shangye FANG. Владелец: Foshan Ichikoh Valeo Auto Lighting Systems Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-04.

Electronic device and protection circuit thereof

Номер патента: US20230253775A1. Автор: Yuag-Ting FANG. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Reverse current protection circuit for switch circuit

Номер патента: US20180102636A1. Автор: Fu Chun Zhan,Mingliang Wan,Yuanwei Yang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-04-12.

Overcurrent protection circuit, overcurrent protection method, and display device

Номер патента: US20200067300A1. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Edge 3 Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Overcurrent protection circuit, and controller

Номер патента: US20210194405A1. Автор: Qi Wang,Yongsong Lv. Владелец: Hangzhou Leaderway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Protection circuit, circuit and operation method therefor, and corresponding vehicle light and vehicle

Номер патента: EP3888209A1. Автор: Zhenyu Zhang,Sylvain Yvon,Jintao Liang,Tianxun GONG,Peiliang YUAN,Shangye FANG. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2021-10-06.

Protection circuit for inverter and inverter system

Номер патента: RU2692235C2. Автор: Марко ШНЕЛЛЬ,Самуэль ВЕРНЕР,Дирк НОВОСАД. Владелец: Циль-Абегг СЕ. Дата публикации: 2019-06-24.

Fault protection circuit

Номер патента: GB2309597A. Автор: Vijay Mantagny. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-07-30.

Protective circuit for nonsequencing multipole ground fault circuit interrupter

Номер патента: US3790857A. Автор: S Lee,P Muchnick. Владелец: Harvey Hubbell Inc. Дата публикации: 1974-02-05.

Electronic protective circuit

Номер патента: US4428023A. Автор: Franz Maier. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1984-01-24.

Inductively activated control and protection circuit for refrigeration systems

Номер патента: CA2281977C. Автор: James B. Farr. Владелец: Tecumseh Products Co. Дата публикации: 2000-05-23.

Inductively activated control and protection circuit for refrigeration systems

Номер патента: US5537834A. Автор: James B. Farr. Владелец: Tecumseh Products Co. Дата публикации: 1996-07-23.

Over-current protection circuit, driving method for over-current protection circuit and display device

Номер патента: US11848551B2. Автор: Wei Chen,Yubo Gu,Chongwei TANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Electrostatic discharge (ESD) protection circuit and method

Номер патента: US20100073834A1. Автор: Hans A. Troemel, Jr.,Brian R. Mcclure. Владелец: Panasonic Automotive Systems Company of America. Дата публикации: 2010-03-25.

System and method for providing electrostatic discharge (esd) protection and electromagnetic interference (emi) protection

Номер патента: EP2102941A1. Автор: Ronald Keen. Владелец: TTE Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-23.

ESD protection circuit for high speed signaling including T/R switches

Номер патента: US20040212937A1. Автор: Bojko Marholev. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Common Mode Filter With ESD Protection Pattern Built Therein

Номер патента: US20140062637A1. Автор: Yong Suk Kim,Young Do Kweon,Young Seuck Yoo,Kang Heon Hur,Won Chul SIM,Sung Kwon Wi,Sang Moon Lee,Jun Hee Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Common mode filter with ESD protection pattern built therein

Номер патента: US8981889B2. Автор: Yong Suk Kim,Young Do Kweon,Young Seuck Yoo,Kang Heon Hur,Won Chul SIM,Sung Kwon Wi,Sang Moon Lee,Jun Hee Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Esd protection device and method for producing the same

Номер патента: US20130279064A1. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

ESD protection device and composite electronic component of the same

Номер патента: US20100157496A1. Автор: Atsushi Hitomi,Kensaku Asakura,Yasuhiro Hirobe,Takeshi Urano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Wearable Device Control Module with Electrostatic Discharge (ESD) Protection

Номер патента: US20240334666A1. Автор: Daniel D. Gonsalves,James Piper Miglietta. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

ESD protective device

Номер патента: US09780533B2. Автор: Jun Adachi,Takayuki Tsukizawa,Katsumi Yasunaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Esd protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2453536A1. Автор: Jun Adachi,Eriko Sawada,Takahiro Sumi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Esd protection device

Номер патента: US20140347779A1. Автор: Shingo Suzuki,Takahiro Fujimori,Kensaku Asakura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

ESD protection device and method for producing the same

Номер патента: US9398673B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Esd protection device

Номер патента: US20180103532A1. Автор: Takeshi Miki,Takayuki Tsukizawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

ESD protection device

Номер патента: US09826611B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

ESD protection component

Номер патента: US09667036B2. Автор: Makoto Yoshino,Yuma ISHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

ESD protection device

Номер патента: US09516728B2. Автор: Jun Adachi,Takayuki Tsukizawa,Katumi Yasunaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

ESD protection device

Номер патента: US09743502B2. Автор: Masanori Okamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Esd protection component

Номер патента: US20150189798A1. Автор: Makoto Yoshino,Yuma ISHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Test pin assembly with electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: WO2012051801A1. Автор: Kek Hing Kok. Владелец: ESD TECHNOLOGY CONSULTING & LICENSING CO., LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

An arc earth leakage protection circuit breaker

Номер патента: GB2609527A. Автор: LI Wenjie,Li Wenjun,LI Wenwei. Владелец: Dalian Ino Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for testing protective circuit in electrical protective device for medium voltage and device for realizing said method

Номер патента: RU2702892C2. Автор: Мишель ПЕРРОН,Джанлука ФИЛИППИ,Мохаммед Хашир КАМАЛ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2019-10-14.

Protection circuit module and battery pack including the same

Номер патента: US09819058B2. Автор: Bongyoung Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Battery protection circuit module and battery pack including the same

Номер патента: US09755279B2. Автор: Dae-Yon Moon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Power-driven tool with battery supply, which has protection circuit against excess currents and battery power supply for this tool

Номер патента: RU2374735C2. Автор: Такао АРАДАЧИ,Хироюки ХАНАВА,Кадзухико ФУНАБАШИ,Масаюки ОГУРА. Владелец: Хитачи Коки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-11-27.

An arc earth leakage protection circuit breaker

Номер патента: AU2021221463A1. Автор: Wenjun Li,Wenjie Li,Wenwei Li. Владелец: Dalian Ino Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Protective circuit substrate

Номер патента: US20170236665A1. Автор: Koichi Mukai,Takashi Fujihata,Yuji Furuuchi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Leak Detection and Leak Protection Circuit

Номер патента: US20110273813A1. Автор: Huadao Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Connector having a thermal protection circuit

Номер патента: US09716350B2. Автор: Keiichi Taniguchi,Tsuyoshi Kitagawa,Hiroyuki Kaibara. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Protection circuit module integrated cap assembly, and method of manufacturing cap assembly and secondary battery

Номер патента: US09564662B2. Автор: Yu-Sik Hwang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Protection circuit for protecting light-emitting diodes of laser emitter and protection method

Номер патента: US20130250989A1. Автор: xing-hua Tang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Protection circuit for protecting light-emitting diodes of laser emitter and protection method

Номер патента: US8582272B2. Автор: xing-hua Tang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Battery pack including a protection circuit module for unit batteries

Номер патента: US09825276B2. Автор: Dae-Yon Moon,Byung-Kook Ahn. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Battery pack containing PCM employed with safety member having a protection circuit with a fusing part

Номер патента: US09711780B2. Автор: Masayuki Wakebe,Jeongsuk Lee,Youngsun Park,Keunpyo Ahn,Chunyeon Kim,Joung Ho Ha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Extension handle assembly for motor protective circuit breaker and motor protective circuit breaker

Номер патента: US20240006141A1. Автор: Shaofan Li,Sile Hu. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Protective circuit for an apparatus

Номер патента: US09899170B2. Автор: Thomas L. Hopkins. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Over-current protection circuit, led backlight driving circuit and liquid crystal device

Номер патента: RU2649751C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-04.

Overvoltage protection circuit, led backlight driving circuit and lcd

Номер патента: RU2648293C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-23.

Circuit and method for protecting circuit element, vehicle having the circuit, and method for controlling the vehicle

Номер патента: US09929647B1. Автор: Jiwoong Jang,Ki Jong Lee,Sangcheol Shin,Kangho Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Protection circuit with surge protection capability

Номер патента: US09780641B1. Автор: Ming-Cheng Chuang. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Protection circuit and operation method thereof

Номер патента: US20220149717A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Chung Ming HSIEH,Chung-He Li. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Pre-bias protection circuit for converter

Номер патента: WO2008013871A3. Автор: Yang Chen,Parviz Parto. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Overcurrent protection circuit for protecting semiconductor device from overcurrent at high speed, and switching circuit provided with the overcurrent protection circuit

Номер патента: US20230308088A1. Автор: Satoshi Iwai,Mamoru SUEKI. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Induction heating device having negative voltage protection circuit

Номер патента: US20200154531A1. Автор: Jaekyung Yang,Seongho SON,Yongsoo Lee,Younghwan KWACK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-14.

Protective circuit

Номер патента: WO2007051178A2. Автор: Bin Wu. Владелец: Caretta Integrated Circuits. Дата публикации: 2007-05-03.

Undervoltage protection circuit, undervoltage protection method and switching power supply

Номер патента: US09979275B2. Автор: Yunlong Han,Xiaoru Xu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Protection circuit and switching power supply

Номер патента: US09800165B2. Автор: Kazuki Yamamoto. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Secondary battery protection circuit, secondary battery protection device, battery pack and method of writing data

Номер патента: US09762072B2. Автор: Takashi Takeda,Takatoshi Itagaki,Ryota KAGEYAMA,Koichi Murano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Load Control Device Having an Overcurrent Protection Circuit

Номер патента: US20210007197A1. Автор: James P. Steiner,Dinesh Sundara Moorthy. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Overcharge current protection circuit and battery pack using same

Номер патента: WO1996034444A1. Автор: Jose M. Fernandez,Vernon Meadows,Erika Dawn Mack,Iilonga P. Thandiwe. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1996-10-31.

Protection Circuit of Flyback Converter and Control Method

Номер патента: US20240120849A1. Автор: Junming Zhang,Pitleong Wong,Xiangyong Xu,Xianghua Jiang. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Overvoltage protection circuit

Номер патента: US09929726B2. Автор: Daniel M. Dreps. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Overcurrent protection circuit and power factor correction circuit comprising the same

Номер патента: US09917503B2. Автор: Taesung Kim,Gwanbon KOO. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Input surge protection circuit and method for a non-isolated buck-boost LED driver

Номер патента: US09674907B1. Автор: Wei Xiong,Candice Ungacta. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Inverter shoot-through protection circuit

Номер патента: WO1986005040A1. Автор: Anand Upadhyay. Владелец: Sundstrand Corporation. Дата публикации: 1986-08-28.

Charge protection circuit, charger, electronic device, and charge protection method

Номер патента: US12062931B2. Автор: Hideo Suzuki,Masanori Ishihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Start-up in-rush current protection circuit for dcdc converter

Номер патента: US20110234184A1. Автор: Jiong FU,Wee Sien HONG,Andi Soemarli Rasak LIE. Владелец: Panasonic Semiconductor Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Over discharge protection circuit for additive manufactured battery adapters

Номер патента: AU2021103879A4. Автор: Wei Hong. Владелец: Summit Trade and Investment Pty Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thermal protection circuit for switching power supply

Номер патента: US09906146B2. Автор: Kei ASAO. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

AC direct drive lamp having leakage current protection circuit

Номер патента: US09788390B2. Автор: Jong June PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Protecting circuit against short-circuit of output terminal of AC adapter

Номер патента: US20020167770A1. Автор: Hiromi Kato,Yuji Yamanaka. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Protection circuit, dc-dc converter, battery charger and electric vehicle

Номер патента: EP4170882A1. Автор: Seok-Hyeong HAM. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Electronic Power Protection Circuit And Applications Thereof

Номер патента: US20100091524A1. Автор: CHAO Chen,Rui-Xia Fei. Владелец: BCD Semiconductor Manufacturing Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Power tool including solid-state protection circuit

Номер патента: US20240297513A1. Автор: Douglas R. FIELDBINDER,Benjamin R. Suhr. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Power control module using protection circuit for regulating backup voltage to power load during power fault

Номер патента: US09899834B1. Автор: Ryan P. Mayo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Compulsory charging and protective circuit for secondary battery after being over discharged

Номер патента: US09680322B2. Автор: Pao-Sheng HUANG. Владелец: Go Tech Energy Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Reversal connection protection circuit

Номер патента: EP2324548A1. Автор: Mingxing Li,Yaozhong Mi,Xiangjun Dai,Qingfei Zheng. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Reversal connection protection circuit

Номер патента: WO2010028579A1. Автор: Mingxing Li,Yaozhong Mi,Xiangjun Dai,Qingfei Zheng. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2010-03-18.

Leakage protection circuit, method and drive device

Номер патента: US20210212180A1. Автор: Shungen Sun,Weijia YU. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Leakage protection circuit, method and drive device

Номер патента: US20190170336A1. Автор: Shungen Sun,Weijia YU. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Insulated synchronous rectification DC/DC converter including a protection circuit to judge occurrence of a switching-incapable state

Номер патента: US09998015B2. Автор: Hiroki Kikuchi,Junichi Hagino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Protection circuit

Номер патента: US09722486B2. Автор: Isao Yamamoto,Shinya KARASAWA,Yuichi Shinozaki,Jun Maede,Shigenobu SHIMOHAGI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Voltage boosting circuits having over-voltage protection circuits therein

Номер патента: US6052022A. Автор: Chul-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-18.

Clamp protection circuit and a PFC control circuit employing such clamp protection circuit

Номер патента: US8045308B2. Автор: Matthew Man Ho Ku,Run Qin Tan,Li Fang Guo. Владелец: Evergreen Micro Devices Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Thermal protection circuit for high output power supplies

Номер патента: EP1303901A1. Автор: Mary Chen,Chris Tressler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

ESD protection circuit with gate voltage raising circuit

Номер патента: US20090168279A1. Автор: Jung-Yen Kuo. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: EP1417758A2. Автор: Roy A. Colclaser,James R. Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: WO2003012951A2. Автор: Roy A. Colclaser,James R. Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-02-13.

Esd protection devices for a differential pair of transistors

Номер патента: WO2003012951A3. Автор: Roy A Colclaser,James R Spehar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-05-22.

High Side Current Detection Circuit, Overcurrent Protection Circuit, Calibration Method and Electronic Devices

Номер патента: US20240213976A1. Автор: Dongming Liu. Владелец: Halo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon-controlled rectifier current-protection circuit, related operating method, and dimming circuit and lighting device containing the same

Номер патента: US09930746B2. Автор: Jinxiang Shen,Junshan Lou,Zhonghua WANG. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Power amplifier and protection circuit for use in rf active circuit

Номер патента: US20190068137A1. Автор: Yi-Fong Wang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Circuit arrangement with a short-circuit protective circuit

Номер патента: US20060250175A1. Автор: Heinz-Wilhelm Meier. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-11-09.

Direct current offset protection circuit and method

Номер патента: US11368130B1. Автор: Hsin-Yuan Chiu,Hsiang-Yu Yang. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Cascode power amplification circuits, including voltage protection circuits

Номер патента: WO2023150259A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Protection circuit and load current detection circuit

Номер патента: EP1887830A3. Автор: Hiroshi Ogawa,Kenji Yokoyama,Yoshiro Miyake. Владелец: Flying Mole Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Protection circuit for power amplifiers

Номер патента: US20240162864A1. Автор: Tero Ranta,Shota Ishihara. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Ballast with Arc Protection Circuit

Номер патента: US20080067950A1. Автор: John G. Konopka,Qinghong Yu,Joseph L. Parisella,Grigoriy A. Trestman. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Oscillator apparatus capable of protecting circuit element(s) within oscillator of oscillator apparatus from damage of signal glitch

Номер патента: US20200044630A1. Автор: Sheng-Yi Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Leakage protection circuit and dimming drive circuit

Номер патента: US11895751B2. Автор: Guoqiang Liu,Wanyue HE. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor element drive device having a plurality of protection circuits and outputting a protection operation notification signal that identifies which of the protection circuits detected a problem

Номер патента: US8779929B2. Автор: Satoru Motohashi,Sachiaki Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Turn-off protection circuit for a switch unit and associated turn-off protection method

Номер патента: US20210050849A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device including electrostatic protection circuit

Номер патента: US09712165B2. Автор: Mototsugu Okushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Protection circuit and method against interference in lighting systems

Номер патента: US09615423B2. Автор: Dror Manor. Владелец: MAGNITUDE HOLDINGS Ltd A BERMUDA EXEMPT Co Ltd BY SHARES. Дата публикации: 2017-04-04.

Light string having at least one protecting circuit

Номер патента: US09433056B2. Автор: FENG DING. Владелец: Yunmeng Yun Xi Lighting Products. Дата публикации: 2016-08-30.

Fault-injection protection circuit for protecting against laser fault injection

Номер патента: US20240095411A1. Автор: Dung Le Tan Hoang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Overvoltage protection circuit, connector, and semiconductor device

Номер патента: US20240297644A1. Автор: Tomoya Nishitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Overcurrent protection circuit for controlling a gate of an output transistor based on an output current

Номер патента: US09740222B2. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Protection circuit and method against interference in lighting systems

Номер патента: US20150061494A1. Автор: Dror Manor. Владелец: Magnitude Lighting Transformers Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Short-circuit protection circuit and electronic device

Номер патента: US09370065B2. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Surge protection circuit and power supply for operating from a dc grid

Номер патента: EP4387399A1. Автор: Dietmar Klien. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-19.

Overcurrent protection circuit and power amplifier including the same

Номер патента: US20240223138A1. Автор: Kyung Hee Hong,Yoshiyuki Tonami,Kyujin CHOI,Geunyong LEE,Suyeon HAN,Seungchul PYO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermal protection circuit for an led bulb

Номер патента: US20150102724A1. Автор: Ronald J. Lenk,John D. Grainger. Владелец: Switch Bulb Co Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Electronic device for communication in a data network including a protective circuit for identifying unwanted data

Номер патента: EP2641358A1. Автор: Kevin McGrath,Alexander Wold. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2013-09-25.

Thermal protection circuit for an led bulb

Номер патента: WO2012170734A1. Автор: Ronald J. Lenk,John D. Grainger. Владелец: Switch Bulb Company, Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for measuring resistance for a subscriber line interface circuit using a protective circuit

Номер патента: US20050238165A1. Автор: Alberto Canella,Gerhard NÖSSING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-27.

Inverter protection method and protection circuit for fluorescent lamp preheat ballasts

Номер патента: WO1998004103A1. Автор: Guang Liu,Anand K. Upadhyay. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Avalanche protection circuit

Номер патента: US20240322812A1. Автор: Benjamin Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Protection circuit for power amplifier

Номер патента: US09559639B2. Автор: Marco Cassia,Aristotele Hadjichristos,Wenjun Su,Gurkanwal S. Sahota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Simplified electronic protection circuit for LED luminaires for horticultural applications

Номер патента: US20200288553A1. Автор: Robert W. McCullough. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-10.

Over voltage protection circuit and power amplifier including the same

Номер патента: US20240243707A1. Автор: Kyung Hee Hong,Yoshiyuki Tonami,Kyujin CHOI,Geunyong LEE,Suyeon HAN,Seungchul PYO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Input stage protection circuit for a receiver

Номер патента: US20010012190A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: ATI International SRL. Дата публикации: 2001-08-09.

Ballast stabilizer-compatible lamp having leakage current protection circuit

Номер патента: US09839081B2. Автор: Jong June PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Endoscope apparatus with power generating section and protection circuit

Номер патента: US09610004B2. Автор: Makoto Ono,Hidekazu Shinano,Koichiro TABUCHI,Mitsutaka NEMOTO. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: AU4707399A. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: QLogic LLC. Дата публикации: 2000-01-10.

Output driver having high voltage protection circuit

Номер патента: US20240291475A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: EP1088276A1. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: QLogic LLC. Дата публикации: 2001-04-04.

Interface module with protection circuit and method of protecting an interface

Номер патента: WO1999067717A1. Автор: Ting-Li Chan,Thinh D. Tran. Владелец: Qlogic Corporation. Дата публикации: 1999-12-29.

Projector, color wheel protection circuit, and color wheel protection method

Номер патента: US20140204346A1. Автор: Ming-Te Lin,Cheng-Shen Lee. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Power-off protection circuit for an lvds driver

Номер патента: US20020075051A1. Автор: James Kuo. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Projector, color wheel protection circuit, and color wheel protection method

Номер патента: US09544553B2. Автор: Ming-Te Lin,Cheng-Shen Lee. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Protection circuit and discharge lamp driving device employing the same

Номер патента: US20100019694A1. Автор: Chi-Hsiung Lee,Yu-Hsiao Chao,Hung-Yi Chen. Владелец: Ampower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Current-limiting protection circuit of a remotely controlled ceiling fan-lamp

Номер патента: US20100007291A1. Автор: Ming-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Resin-packaged protection circuit module for rechargeable batteries and method of making the same

Номер патента: US20030228502A1. Автор: Naoya Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Isolation and protection circuit for a receiver in a wireless communication device

Номер патента: WO2012152902A1. Автор: Srinath Sridharan,Sanjeev Ranganathan,Ramikshore GANTI. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2012-11-15.

Isolation and protection circuit for a receiver in a wireless communication device

Номер патента: EP2707966A1. Автор: Srinath Sridharan,Sanjeev Ranganathan,Ramikshore GANTI. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2014-03-19.

Detection and protection circuit, power supply circuit, power supply method of active device

Номер патента: US20210373587A1. Автор: Qian Yang,Jijie Shi. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Backlight module, over-temperature protection circuit and over-temperature protection method thereof

Номер патента: US20120229047A1. Автор: Kun-Chi Chiu,Yun-Chih Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Protective circuit for output transformer-less circuit

Номер патента: US4402029A. Автор: Osamu Fujita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-30.

Common-mode transient suppression protection circuit for digital isolator

Номер патента: US20230188136A1. Автор: Yun Sheng,Qihui Chen. Владелец: Suzhou Novosense Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Over-temperature protection circuit of an led driving power supply

Номер патента: US20220039238A1. Автор: Jiansheng Chen,Ping Dai,Chaoyang Zou. Владелец: Shenzhen Sosen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Protection circuit for common-mode transient immunity of digital isolator

Номер патента: EP4156516A1. Автор: Yun Sheng,Qihui Chen. Владелец: Suzhou Novosense Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Laser diode protective circuit for an optical transmission apparatus

Номер патента: US5249194A. Автор: Yoshiaki Sakanushi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-09-28.

Protection circuit for transistorized audio power amplifier

Номер патента: US3898532A. Автор: Howard L Frank. Владелец: SHERWOOD ELECTRONICS LAB Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

Signal transmit channel integrated with ESD protection and a touch system

Номер патента: US09710081B2. Автор: Po-Chuan Lin. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Touch screen display device with improved esd protection

Номер патента: US20180321779A1. Автор: Hong-Ji Huang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-11-08.

Esd protection for biosensors

Номер патента: US20110168577A1. Автор: Michel De Langen,Evelyne Gridelet,Ronald Van Der Werf,Eric Sterckx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-14.

Fingerprint identification chip with enhanced ESD protection

Номер патента: US09563802B2. Автор: Po-Chuan Lin. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of measuring characteristics of a protection circuit for a linear voltage regulator

Номер патента: US9207694B2. Автор: Takashi Imura,Akihito YAHAGI. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Short-circuit protective circuit

Номер патента: US20050141152A1. Автор: Katsuhiko Tani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Human eye protection circuit, control method therefor, electronic device, medium, and vehicle

Номер патента: EP4403955A1. Автор: Xianglong GAO,Ziyang LAI. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Elevator emergency protection circuit

Номер патента: RU2598485C2. Автор: Хуан Карлос АБАД. Владелец: Инвентио Аг. Дата публикации: 2016-09-27.

Protection circuit, method and apparatus for data path, and computer-readable storage medium

Номер патента: EP4120084A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Wenxing Li,Luyang Zhang. Владелец: Horizon Journey Hangzhou Artificial Intelligence Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Protection circuit, method and apparatus for data path, and computer readable storage medium

Номер патента: US12119072B2. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Wenxing Li,Luyang Zhang. Владелец: Horizon Journey Hangzhou Artificial Intelligence Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method to predict whether a protection circuit is likely to prevent a latent failure within a monitored circuit

Номер патента: US09904750B2. Автор: Kay Chesnut,Anthony C. Le,MaryAnne Dooley. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Voltage regulator equipped with an overcurrent protection circuit capable of adjusting a limited current and a short-circuited current

Номер патента: US09886045B2. Автор: Daiki Endo. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory protection circuit, method and processing unit utilizing memory access information register to selectively allow access to memory areas by virtual machines

Номер патента: US09465750B2. Автор: Masayuki Ito,Yoshiyuki Nakada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

LDO circuit device and overcurrent protection circuit thereof

Номер патента: US11204613B2. Автор: Ning Zhang,Jingping Gu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Protection circuit for display device and display device comprising same, and method for protecting display device using protection circuit

Номер патента: US11900856B2. Автор: Zhihua Sun,Kun Yang,Feng Qu,Ming DENG,Ruilian Li,Jituo TANG,Tianxun XIU,Zhun LIN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

ESD protection circuit

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты