METHOD FOR THE WET-CHEMICAL ETCHING OF A HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR LAYER
Номер патента: US20130228220A1
Опубликовано: 05-09-2013
Автор(ы): Hermert Norman, Lachowicz Agata, Schum Berthold, Vaas Knut
Принадлежит: SCHOTT SOLAR AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-09-2013
Автор(ы): Hermert Norman, Lachowicz Agata, Schum Berthold, Vaas Knut
Принадлежит: SCHOTT SOLAR AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for the wet-chemical etching back of a solar cell emitter
Номер патента: US09583652B2. Автор: Berthold Schum,Knut Vaas,Agata Lachowicz. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2017-02-28.