METHOD OF PATTERNING A METAL ON A VERTICAL SIDEWALL OF AN EXCAVATED FEATURE, METHOD OF FORMING AN EMBEDDED MIM CAPACITOR USING SAME, AND EMBEDDED MEMORY DEVICE PRODUCED THEREBY
Номер патента: US20130234290A1
Опубликовано: 12-09-2013
Автор(ы): Doyle Brian, Jong Lana, Keating Steven, Lindert Nick, RAHHAL-ORABI NADIA, Sha Lin, Sivakumar Swaminathan, Suri Satyarth
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-09-2013
Автор(ы): Doyle Brian, Jong Lana, Keating Steven, Lindert Nick, RAHHAL-ORABI NADIA, Sha Lin, Sivakumar Swaminathan, Suri Satyarth
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low resistance high capacitance density mim capacitor
Номер патента: US20190189735A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.