METHOD OF FABRICATING SINGLE-LAYER GRAPHENE
Номер патента: US20140014970A1
Опубликовано: 16-01-2014
Автор(ы): CHOI Jae-Young, LEE Dong-wook, SHIN Hyeon-jin, WOO Yun-sung, YOON Seon-mi
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-01-2014
Автор(ы): CHOI Jae-Young, LEE Dong-wook, SHIN Hyeon-jin, WOO Yun-sung, YOON Seon-mi
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
EPITAXIAL GROWTH OF DEFECT-FREE, WAFER-SCALE SINGLE-LAYER GRAPHENE ON THIN FILMS OF COBALT
Номер патента: US20180315599A1. Автор: Seacrist Michael R.,Berry Vikas,Nguyen Phong,Behura Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.