Circuit and method for optimizing memory sense amplifier timing
Номер патента: US7733711B2
Опубликовано: 08-06-2010
Автор(ы): Alexander B. Hoefler, James D. Burnett
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-06-2010
Автор(ы): Alexander B. Hoefler, James D. Burnett
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory
Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.