Способ выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа.

Способ выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа

Номер патента: RU2015154711A
Опубликовано: 26-06-2017
Автор(ы): Владимир Дмитриевич Голышев, Светлана Викторовна Быкова
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "КристалсНорд"
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КристалсНорд". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of producing high-quality silicon single crystals

Номер патента: KR100364555B1. Автор: 이토마코토,무라카미히로키,하야카와히로시,오쿠이마사히코,에가시라가즈유키,가렛켈리,시라카와요시노리. Владелец: 미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

The method that the monocrystalline section cut from single crystal rod is recycled

Номер патента: CN108350600A. Автор: S·L·金贝尔. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Equipment and Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Method

Номер патента: US20240352614A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

The method and apparatus of growing sapphire monocrystalline

Номер патента: CN106978628A. Автор: 安俊泰. Владелец: CRISTECH CO Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of producing sodium beta-alumina single crystals

Номер патента: US3917462A. Автор: Paul J Yancey. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1975-11-04.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: EP1015673A1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: WO1999006615A1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-02-11.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: EP1015673B1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: TW426758B. Автор: Kyong-Min Kim,William L Luter,Srdjan Ilic,Lee W Ferry,Robert J Braun. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS SPA. Дата публикации: 2001-03-21.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Asymmetric thermal fields for excluding impurities in single crystal manufacturing device

Номер патента: US12091770B1. Автор: Peter Cohen,Mark Andreaco. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

SiC single crystal manufacturing method using alternating states of supersaturation

Номер патента: US09624599B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20110114011A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of producing p-doped silicon single crystal and p-doped n-type silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1591566B8. Автор: Masahiro c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd SAKURADA,Izumi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

METHOD OF GROWING Cd1-xZnxTe, WHERE 0≤х≤1

Номер патента: RU2330126C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А". Дата публикации: 2008-07-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon single crystal growing device and method of growing the same

Номер патента: US09777395B2. Автор: Su-In Jeon. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and Apparatus for Single Crystal Growth, and Single Crystal

Номер патента: US20240247403A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG,Chenguang Sun. Владелец: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of hydrogen-doped silicon single crystal

Номер патента: US20070028832A1. Автор: Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Indium doped gallium arsenide crystals and method of preparation

Номер патента: US4594173A. Автор: Richard N. Thomas,Donovan L. Barrett,Hudson M. Hobgood. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1986-06-10.

A method of controlling oxygen concentration in single crystal

Номер патента: EP0432914A1. Автор: Atsushi Ozaki,Tetsuhiro Oda,Susumu Sonokawa,Toshio Hisaichi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1991-06-19.

Method of single domain formation of single crystal of lithium tantalate

Номер патента: JPS61168600A. Автор: Masaaki Iguchi,Masataka Watanabe,政孝渡辺,雅章井口. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1986-07-30.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20240003049A1. Автор: Yasufumi KAWAKAMI,Kazuyoshi Sakatani. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of producing sic single crystal

Номер патента: US20110315073A1. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of producing SiC single crystal

Номер патента: US9080254B2. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Single crystal silicon ingot and method of growing the same

Номер патента: US20240263344A1. Автор: Jong Min Kang,Byoung Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of growing a single-crystal silicon

Номер патента: US20230323561A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Yinfeng LI. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09738989B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US12084785B2. Автор: Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of growing germanium crystals

Номер патента: WO2014205360A1. Автор: Guojian Wang,Dongming MEI. Владелец: South Dakota Board of Regents. Дата публикации: 2014-12-24.

Single crystal production method

Номер патента: US20030089301A1. Автор: Wataru Ohashi,Teruyuki Tamaki,Yutaka Kishida,Seiki Takebayashi. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of production of sic single crystal

Номер патента: US09587327B2. Автор: Yoichiro Kawai,Akinori Seki,Katsunori Danno,Hiroaki Saitoh. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

METHOD OF PRODUCTION OF LANGATATE-BASED SINGLE CRYSTAL AND LANGATATE-BASED SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180245237A1. Автор: Aoki Takayuki,NONOGAKI Youichi,KINOSHITA Yoshitaka,TAKAHASHI Ikuo. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Resistance heating sapphire single crystal ingot growth apparatus and method of manufacturing resistance heating sapphire single crystal ingot

Номер патента: JP5789676B2. Автор: ソン、ド−ウォン,ムン、ヨン−ヒ,イ、サン−フン,ジョン、ソン−オ,イ、チャン−ヨン. Владелец: エルジーシルトロンインコーポレイテッド. Дата публикации: 2015-10-07.

A method of enhancing thermal field of single crystal furnace material mechanical performance

Номер патента: CN105695954B. Автор: 王洋,刘汝强,王彩华,周清波. Владелец: SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Method of growing large-diameter dislocation-free<110> crystalline ingots

Номер патента: US20020104475A1. Автор: Aaron Johnson,Rosemary Nettleton,Robert Faulconer. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of producing a single crystal of a rare-earth silicate

Номер патента: US5667583A. Автор: Yasushi Kurata,Hiroyuki Ishibashi,Kazuhisa Kurashige. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Method of growing large-diameter dislocation-free <110> crystalline ingots

Номер патента: US20030097975A1. Автор: Aaron Johnson,Rosemary Nettleton,Robert Faulconer. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Bi4 Ti3 O12 Single crystal growth from saturated seeded solution

Номер патента: US3962027A. Автор: Timothy Michael Bruton. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Process for producing a planar body of an oxide single crystal

Номер патента: US20010020436A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: WO2023131634A8. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Cd1-xZnxTE, WHERE 0≤x≤1

Номер патента: RU2005137297A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Михаил Александрович Гоник (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предпри тие "Термо А" (RU). Дата публикации: 2007-06-10.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Manufacturing method of single crystals

Номер патента: US20230357950A1. Автор: Ken Hamada,Yasunobu Shimizu,Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI,Susumu Tamaoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and apparatus for making a highly uniform low-stress single crystal by drawing from a melt and uses of said crystal

Номер патента: US20110130266A1. Автор: Lutz Parthier,Lothar Ackermann,Gunther Wehrhan,Daniel Rytz,Klaus Dupré. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Production apparatus of SiC single crystal by solution growth method, method for producing SiC single crystal using the production apparatus, and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09702056B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot using a crucible in which an oxygen exhaust passage is formed by single crystal or polycrystalline rods

Номер патента: US11913133B2. Автор: Jun Seok Lee,Tae-Woo Kang,Ho Jung YOU,Dong Nam Shin,Sei Kwang OH,Sun Bin Yum. Владелец: Lintech Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot using a crucible in which an oxygen exhaust passage is formed by single crystal or polycrystalline rods

Номер патента: US20230059953A1. Автор: Jun Seok Lee,Tae-Woo Kang,Ho Jung YOU,Dong Nam Shin,Sei Kwang OH,Sun Bin Yum. Владелец: Lintech Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: AU2022233830A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: CA3212482A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: US20240150929A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of making large-volume CaF2 single crystals for optical elements with an optic axis parallel to the (100)-or (110)-crystal axis and CaF2 single crystal made thereby

Номер патента: US7837969B2. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Hellma Materials GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-11-23.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

METHOD OF MAKING LARGE-VOLUME CaF2 SINGLE CRYSTALS FOR OPTICAL ELEMENTS WITH AN OPTIC AXIS PARALLEL TO THE (100)-OR (110)-CRYSTAL AXIS AND CaF2 SINGLE CRYSTAL MADE THEREBY

Номер патента: US20090180948A1. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of cleaning group iii nitride single crystal substrate, and method of producing the same

Номер патента: US20230313413A1. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of making a Ni—based single crystal superalloy and turbine blade incorporating same

Номер патента: US09932657B2. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: US20230357956A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: EP4277453A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of producing small semi-conductor single crystals

Номер патента: GB797205A. Автор: . Владелец: CLEVEITE CORP. Дата публикации: 1958-06-25.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus and method of growing single crystal of semiconductor

Номер патента: US6497761B2. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-24.

Sapphire monocrystal, method of making said monocrystal (versions) and melting device used therein

Номер патента: RU2388852C2. Автор: Джон Уолтер ЛОЧЕР,Стивен Энтони ЗАНЕЛЛА,Ральф Лэмпсон Мл. МАКЛИН,Херберт Илсуорт БЭТС. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2010-05-10.

Methods for holding and pulling single crystal

Номер патента: US5871578A. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Eiichi Iino,Shozo Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Method of making a sapphire component including machining a sapphire single crystal

Номер патента: US09963800B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of charging raw material, method of manufacturing single crystals, and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09650724B2. Автор: Katsuhiro Yoshida,Katsuyuki Kitagawa,Masahiko Urano. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Process for producing single-crystal sapphire

Номер патента: US20110253031A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-10-20.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739C. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials AS. Дата публикации: 2015-05-26.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739A1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Globalwafers A/S. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of growing nonpolar epitaxial heterostructures based on group iii element nitrides

Номер патента: RU2315135C2. Автор: Наум Петрович Сощин,Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Николай Валентинович Щербаков,Владимир Семенович Абрамов,Валерий Петрович Сушков,Владимир Александрович Горбылев. Владелец: Владимир Семенович Абрамов. Дата публикации: 2008-01-20.

Methods of growing large crystals of all-inorganic and hybrid organic-inorganic cesium lead bromide perovskites from solution

Номер патента: US20240083765A1. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Lei Pan,Yucheng Liu. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of improving thermoelectric performance of SnSe thermoelectric material

Номер патента: US11723273B2. Автор: Hyejin Ryu,Kyoo KIM,Choongyu HWANG. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160138187A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US9856583B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Ga2o3-based single crystal substrate and method of manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: US20240011192A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon carbide single crystal and production thereof

Номер патента: US20060254507A1. Автор: Daisuke Kondo,Takayuki Maruyama,Shigeki Endo,Masashi Otsuki,Takuya Monbara. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Embedded single crystal diamond(s) in a polycrystalline diamond structure and a method of growing it

Номер патента: US20230294994A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: US20230130166A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: EP4174220A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US20230364714A1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US11865641B1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: EP4056739C0. Автор: Lin Dong,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2023-12-27.

Method Of Supporting A Growing Single Crystal During Crystallization Of The Single Crystal According To The FZ Method

Номер патента: US20160060786A1. Автор: Niederer Kurt,Teroerde Helmut,Berger Josef,Meisterernst Goetz,Muemmler Frank,Zitzelsberger Simon. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

A method of supporting a growing single crystal during crystallization of the single crystal according to the FZ method

Номер патента: DE102014217605A1. Автор: Josef Berger,Götz Meisterernst,Frank Mümmler,Kurt Niederer,Helmut Terörde,Simon Zitzelsberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of supporting a growing single crystal during crystallization of the single crystal according to the fz method

Номер патента: EP2993258A1. Автор: Josef Berger,Götz Meisterernst,Frank Mümmler,Kurt Niederer,Helmut Terörde,Simon Zitzelsberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-03-09.

Method of supporting a growing single crystal during crystallization of the single crystal according to the fz method

Номер патента: KR101792337B1. Автор: 쿠르트 니데러,헬무트 테뢰르데,조세프 베르거,괴츠 메이슈터에른슈트,프랭크 뮴머,지몬 치첼슈베르거. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2017-10-31.

Synthesis of thick single crystal diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20200087782A1. Автор: Andrew Michael Bennett,Timothy Peter Mollart,Ben Llewelyn Green,Stefan Ian Olsson Robbie. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element

Номер патента: WO2004030047A1. Автор: Yoon-Seong Kim,Soo-Byong Chea,Jin-Ki Kang,Han-Gyun Kim. Владелец: ILJIN DIAMOND CO., LTD.. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for treating single crystal cvd diamond and product obtained

Номер патента: CA2765898C. Автор: Daniel James Twitchen,Sarah Louise Geoghegan,Rizwan Uddin Ahmad Khan,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Methods for growing large-volume single crystals from calcium fluoride and their uses

Номер патента: US20010025598A1. Автор: Burkhard Speit,Lutz Parthier,Gunther Wehrhan,Joerg Staeblein,Andreas Weisleder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for making mnbi2te4 single crystal

Номер патента: US20200370199A1. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of depositing silicon film and film deposition apparatus

Номер патента: US12080552B2. Автор: Hiroyuki Hayashi,Daisuke Suzuki,Yoshihiro Takezawa,Tatsuya Miyahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabrication of halide perovskite single crystal comprising low-temperature solvation process

Номер патента: US20230203703A1. Автор: Hye Ri Jung,William Jo,Yun Ae CHO. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: WO2022189126A1. Автор: Li Dong,Kassem ALASSAAD,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2022-09-15.

A method of growing a homogeneous single crystal with a magnetic shape memory in a stationary state and the apparatus for doing this

Номер патента: CZ308846B6. Автор: Ross COLMAN. Владелец: Univerzita Karlova. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of growing mercurous halide single crystal

Номер патента: JPS63295499A. Автор: チェストミール　バルタ,ズデニェク　パブルイェチェク. Владелец: Czech Academy of Sciences CAS. Дата публикации: 1988-12-01.

Method of growing high-quality single crystal silicon carbide

Номер патента: EP4056739B1. Автор: Lin Dong,Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2023-12-27.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: US09856578B2. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, METHOD OF PRODUCING SAME, TOOL INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, AND COMPONENT INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20170158514A1. Автор: Nishibayashi Yoshiki,Tatsumi Natsuo,Sumiya Hitoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-06-08.

Base material with single-crystal silicon carbide film, method of producing single-crystal silicon carbide film, and method of producing base material with single-crystal silicon carbide film

Номер патента: US8906487B2. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Single-crystal diamond, method of producing same, tool including single-crystal diamond, and component including single-crystal diamond

Номер патента: US10697058B2. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for production of zinc oxide single crystals

Номер патента: US20120086001A1. Автор: Shaoping Wang. Владелец: Fairfield Crystal Technology LLC. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: EP3047054A4. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

MANUFACTURING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF INTERNAL MODIFIED LAYER-FORMING SINGLE CRYSTAL MEMBER

Номер патента: US20130312460A1. Автор: SUZUKI HIDEKI,IKENO Junichi,KUNISHI Yosuke,Matsuo Rika. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20160215414A1. Автор: NAKABAYASHI Masashi,KOJIMA Kiyoshi,SHIMOMURA Kota,NAGAHATA Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Silicon carbide single crystal wafer and method of manufacturing a silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: KR20160055102A. Автор: 마사시 나카바야시,고타 시모무라,유키오 나가하타,기요시 고지마. Владелец: 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-05-17.

A method of quality evaluation of a SiC single crystal body and a method of producing a silicon carbide single crystal ingot using the same

Номер патента: DE112018000035T5. Автор: Masashi Nakabayashi,Shoji Ushio. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of production of langatate-based single crystal and langatate-based single crystal

Номер патента: US10793968B2. Автор: Takayuki Aoki,Yoshitaka Kinoshita,Ikuo Takahashi,Youichi NONOGAKI. Владелец: Citizen Fine Device Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate

Номер патента: US8716718B2. Автор: Hajime Okumura,Kenji Momose,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Keiichi Matsuzawa,Michiya Odawara,Kazutoshi Kojima,Yuuki Ishida. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-05-06.

Production method of group iii nitride semiconductor single crystal and production method of group iii nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: JP2010208899A. Автор: 祐一大島,Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-24.

METHOD OF MAKING A Ni-BASED SINGLE CRYSTAL SUPERALLOY AND TURBINE BLADE INCORPORATING SAME

Номер патента: US20160010183A1. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

METHODS OF PRODUCING LARGE GRAIN OR SINGLE CRYSTAL FILMS

Номер патента: US20140245947A1. Автор: Vispute Ratnakar D.,Seiser Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF FABRICATING A PLURALITY OF SINGLE CRYSTAL CVD SYNTHETIC DIAMONDS

Номер патента: US20180266013A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Twitchen Daniel James,COLLINS John Lloyd. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

METHOD OF PRODUCING PARTICLE-SHAPED DIAMOND SINGLE-CRYSTAL USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200354854A1. Автор: JEE Kwang Koo,LEE Jae Kap. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-12.

Preparation method of ultrathin strip-shaped perovskite single crystal

Номер патента: CN111926387A. Автор: 张青,李美丽,尚秋宇. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-13.

Growth method of high-purity silicon carbide single crystal

Номер патента: CN109234805B. Автор: 宗艳民,李霞,高超,梁晓亮,宁秀秀. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Growth method of aluminum-containing nitride semiconductor single crystal

Номер патента: KR100506739B1. Автор: 김동준,오정탁. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2005-08-08.

A formation method of buffer layer for gan single crystal

Номер патента: KR100893360B1. Автор: 김형준,한경섭,허정. Владелец: (주)그랜드 텍. Дата публикации: 2009-04-15.

Preparation method of ceramic mould shell of single crystal high-temperature alloy turbine blade

Номер патента: CN110788279A. Автор: 朱鑫涛,朱玉棠,王富,徐文梁,顾国楼,赵保解. Владелец: Taizhou Jinying Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

Method of manufacturing a silicon carbide single crystal

Номер патента: US8118933B2. Автор: Hidemitsu Sakamoto,Yukio Terashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Preparation method of light-weight lattice structure single crystal high-temperature alloy casting

Номер патента: CN113463187A. Автор: 董琳,张珊珊,姜卫国,王瑞春,李延昭,任玉艳,黄宗经,程艳辉. Владелец: Weifang University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-10-01.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: KR20090024632A. Автор: 가즈히로 사까이,유끼야스 미야따. Владелец: 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-03-09.

Method of selective etching and silicon single crystal substrate

Номер патента: EP1852905A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-07.

Preparation method of long-circulation type 523 single-crystal ternary material

Номер патента: CN111945224B. Автор: 孙杰,何中林,何雅. Владелец: Hubei Rt Advanced Materials Co ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Preparation method of ultrathin strip-shaped perovskite single crystal

Номер патента: CN111926387B. Автор: 张青,李美丽,尚秋宇. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-17.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: TWI422717B. Автор: Kazuhiro Sakai,Yukiyasu Miyata. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-11.

Method of producing a silicon carbide single-crystal substrate by epitaxial growth of a SiC epitaxial film on a SiC substrate

Номер патента: US10096470B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Liquid phase growth structure and growth method of high-yield aluminum nitride single crystal

Номер патента: CN114150374B. Автор: 何丽娟,张云伟,程章勇,杨丽雯. Владелец: Beijing Century Goldray Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of exhausting impurities in a single-crystal ingot growth apparatus

Номер патента: KR101818355B1. Автор: 정진원,김흥수,공정현. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2018-02-21.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: WO2015050630A3. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing a silicon carbide single crystal

Номер патента: WO2007116315A1. Автор: Hidemitsu Sakamoto,Yukio Terashima. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2007-10-18.

Thermally isolated assembly and method of making a SiC bulk single crystal

Номер патента: DE102009004751A1. Автор: Thomas Dr. Straubinger. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-07-22.

Method Of Manufacturing A Calcium Fluoride Single Crystal

Номер патента: US20080229999A1. Автор: Keita Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: WO2017050620A1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2017-03-30.

Preparation method of lanthanum-doped bismuth ferrite single crystal film

Номер патента: CN112176394A. Автор: 韩高荣,任召辉,曹海文,林宸,傅钢杰. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: EP3353340B1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of producing a heat-treated single crystal article

Номер патента: IL67244A. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-02-28.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of growing crystals by shifting the equilibrium of chemical complexes

Номер патента: US3671200A. Автор: John J O'connor,Alton F Armington. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1972-06-20.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture

Номер патента: EP2264223A2. Автор: Cem Basceri,Valeri Tsvetkov,Calvin H. Carter, Jr.,Vijay Balakrishna,Cengiz Balkas,Yuri Khlebnikov,Igor Khlebnikov,Hudson McD Hobgood,Murat N Silan,Robert T Leonard,Adrian R Powell,Jason R Jenny. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of growing single crystals

Номер патента: CA1149269A. Автор: Melvin J. Wade,Abraham Schwartz,Roger J. Malik,Thomas R. AuCoin. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1983-07-05.

Method for growing single crystals of dissociative compounds

Номер патента: US4664742A. Автор: Koichi Sassa,Kenji Tomizawa,Yasushi Shimanuki. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-05-12.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High pressure reactor and method of growing group iii nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US20160376726A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09885121B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09783910B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of Growing Single Crystal Diamond Assisted by Polycrystalline Diamond Growth

Номер патента: US20230392283A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of growing single crystal diamond assisted by polycrystalline diamond growth

Номер патента: CA3163682C. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Sic single-crystal growth apparatus and method of growing sic crystal

Номер патента: US20240068125A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Process for manufacturing synthetic single crystal diamond material

Номер патента: CA2866758C. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits,Dietrich Borse,Eugen GURA. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of growing filamentous nanocrystals of silicon dioxide

Номер патента: RU2681037C2. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

METHOD OF GROWING AlN MONOCRYSTAL AND APPARATUS FOR REALISING SAID METHOD

Номер патента: RU2468128C1. Автор: Алексей Николаевич Алексеев,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Михаил Юрьевич ПОГОРЕЛЬСКИЙ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Комплектующие и Материалы" (ООО "КИМ"). Дата публикации: 2012-11-27.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonlinearly optical crystal of strontium berillatoborate, method of growing of nonlinarly optical single crystals of strontium berillatoborate and nonlinearly optical device

Номер патента: RU2112089C1. Автор: Cn],Чен Чуангтиан,Ву Байчанг,Ванг Ебин,Зенг Венронг,Ю. Линхуа,Зоу Кун. Владелец: Фуджиан Инститьют оф Рисерч он те Стракчер оф Мэтер, Чайниз Акэдеми оф Сайенсиз. Дата публикации: 1998-05-27.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Methods of Growing CdTe-Based Materials At High Rates

Номер патента: US20180277365A1. Автор: David S. Albin,Matthew O. Reese,James M. BURST,Wyatt K. METZGER,Eric COLEGROVE,Helio R. Moutinho,Joel N. Duenow. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system

Номер патента: US09790619B2. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Adrian Powell,Robert Tyler Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method

Номер патента: US5944890A. Автор: Toshihiko Tani,Naohiro Sugiyama,Nobuo Kamiya,Atsuto Okamoto,Yasuo Kitou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Single crystal diamond substrates for synthesis of single crystal diamond material

Номер патента: GB2492661A. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Sarah Louise Geoghegan,John Robert Brandon,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Barium titanate single crystal and preparation method thereof

Номер патента: US20080200327A1. Автор: Wei-Hsing Tuan,Yung-Ching Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Seed crystal for SiC single-crystal growth, SiC single crystal, and method of manufacturing the SiC single crystal

Номер патента: US09534317B2. Автор: Akihiro Matsuse,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus for producing single crystals

Номер патента: GB1390308A. Автор: Georges Defosse. Владелец: Elphiac SA. Дата публикации: 1975-04-09.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20230272551A1. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12065756B2. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for producing zinc oxide single crystal

Номер патента: US09816198B2. Автор: Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming a temperature gradient in a thermal unit of a furnace for growing fluoride crystals and a device for its implementation

Номер патента: RU2765962C1. Автор: Александр Кондратьевич Наумов,Стелла Леонидовна Кораблева,Радик Дависович Аглямов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет» (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-02-07.

Improvements in or relating to method of growing p-type seed crystals

Номер патента: GB653736A. Автор: . Владелец: Brush Development Co. Дата публикации: 1951-05-23.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2024537A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Naoki Oyanagi,Tomohiro Syounai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for manufacturing terbium aluminium-based paramagnetic garnet single crystal

Номер патента: EP1391544A3. Автор: Takenori Sekijima, (A 170),Mikio Geho, (A 170). Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20240035200A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds

Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing high voltage schottky diamond diodes with low boron doping

Номер патента: US20030075100A1. Автор: James Butler,Robert Wright,Michael Geis,Donald Flechtner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Reduction of carbon inclusions in sublimation grown SiC single crystals

Номер патента: US20080115719A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing a pressure vessel for growing single crystals

Номер патента: US09926642B2. Автор: Yoshihiko Yamamura,Osamu Wakao,Yuji Sasagawa,Keiichiro Matsushita,Shigeharu Akatsuka. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Vapor phase growth method of growing a film on a substrate while heating the substrate with a heating unit

Номер патента: US09916996B2. Автор: Yuusuke Sato,Takumi Yamada,Takanori HAYANO,Tatsuhiko IIJIMA. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime

Номер патента: US09842898B2. Автор: Tangali S. Sudarshan,Amitesh Srivastava. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of producing semiconductor single crystal

Номер патента: US09797068B2. Автор: Takashi Sakurada,Tomohiro Kawase,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate

Номер патента: US09537465B1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of growing group III nitride crystals

Номер патента: US8449672B2. Автор: Boris N. Feigelson,Richard L. Henry. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Method of producing a niobium oxide monocrystal

Номер патента: RU2734936C1. Автор: Андрей Андреевич Ремпель,Альбина Ахметовна Валеева,Владимир Сергеевич Наумов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-10-26.

Method and apparatus for processing a single crystal blank

Номер патента: US20240018690A1. Автор: Manuel Kruse. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160122902A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Growth method of fe3n material

Номер патента: US20110269250A1. Автор: Peng Chen,Bin Liu,Hong Zhao,Rong Zhang,Ping Han,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng,Zili Xie,Henan Fang,Xuemei Hua. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing a single crystal by solution growth enabling trapping of parasitic crystals

Номер патента: US11952680B2. Автор: Bruno Pintault,Christian Belouet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20230357952A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12037702B2. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US09970124B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same

Номер патента: US09893152B2. Автор: Yu Liu,BO Wang,Gang Wang,Xiaolong Chen,Wenjun Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Longyuan Li. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon member for semiconductor apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09878915B2. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing GaAs single crystal and GaAs single crystal wafer

Номер патента: US09469916B2. Автор: Ryoichi Nakamura,Motoichi Murakami,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Superstrong single crystals of cvd-diamond and their three-dimensional growth

Номер патента: RU2389833C2. Автор: Расселл Дж. ХЕМЛИ,Хо-кванг МАО,Чжи-Шию ЯНЬ,Расселл Дж. ХЕМЛИ (US),Хо-кванг МАО (US),Чжи-Шию ЯНЬ (US). Владелец: Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for producing a single crystal from semiconductor material by the FZ method; device for carrying out the method and semiconductor silicon wafer

Номер патента: US11788201B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Simon Zitzelsberger,Goetz Meisterernst,Gundars Ratnieks. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Single crystal growth method

Номер патента: US20200080229A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-03-12.

Method and apparatus for preparing single crystal cladding

Номер патента: EP4361114A1. Автор: Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Sic single-crystal growth apparatus

Номер патента: US20240295047A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09997354B2. Автор: Kazuhiro Yuasa,Atsushi Moriya,Yugo Orihashi,Naoharu Nakaiso. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-12.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming a single crystal by spraying the raw material onto a seed substrate

Номер патента: US09663871B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Nobuyuki Kobayashi,Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Kazuki Maeda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

METHOD OF GROWING THIN MONOCRYSTALLINE FILM, LIGHT-EMITTING DEVICE BASED ON Ga2O3, AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: RU2313623C2. Автор: Нобору ИТИНОСЕ,Киеси СИМАМУРА,Казуо АОКИ,ВИЛЛОРА Энкарнасьон Антониа ГАРСИЯ. Владелец: Васеда Юниверсити. Дата публикации: 2007-12-27.

Shell mold casting chamber, casting furnace, and single-crystal, small-crystal, and non-crystal casting method

Номер патента: RU2746111C1. Автор: Джингчен Чжао. Владелец: Джингчен Чжао. Дата публикации: 2021-04-07.

Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same

Номер патента: US20120318198A1. Автор: Akihiro Matsuse. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US09508655B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20060005763A1. Автор: Leo Schowalter,Glen Slack,J. Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of repairing directionally solidified and single crystal alloy parts

Номер патента: US5732467A. Автор: Yuk-Chiu Lau,Raymond Alan White. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1998-03-31.

METHOD OF PRODUCING HIGH-POWER CATHODE MATERIAL BASED ON LiFe1-X-YMnXCoYPO4 SOLID SOLUTION WITH AN OLIVINE STRUCTURE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: RU2684895C1. Автор: Евгений Викторович Антипов,Артем Михайлович Абакумов,Олег Андреевич Дрожжин,Кит СТИВЕНСОН,Василий Дмитриевич СУМАНОВ. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-04-16.

Composite material of neutron scintillator, method of its manufacture and including its product

Номер патента: RU2623224C2. Автор: Алок Мани СРИВАСТАВА,Эдриан АЙВАН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2017-06-23.

Method of producing composite iron oxide and cobalt

Номер патента: RU2711253C1. Автор: Геннадий Васильевич Базуев,Денис Игоревич Туркин,Татьяна Ивановна Чупахина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-01-15.

Method of producing positive electrode active material and nonaqueous electrolyte battery using same

Номер патента: CA2623636C. Автор: TOMOYUKI Shiratsuchi,Takeshi Shimada,Kumiko Sueto,Shigeto Okada,Jun-ichi Yamaki,Shinji Iizuka,Tomoko Iwanaga,Osamu Omae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Body from cemented carbide with coating and method of its production

Номер патента: RU2131328C1. Автор: Андерс Ленандер,Лейф Акессон. Владелец: Сандвиг АБ. Дата публикации: 1999-06-10.

Method of making a solid magnetic material from Sm2 Fe17 N3-X type intermetallic nitride powder

Номер патента: US5573603A. Автор: Patrick Dubots,Christian Belouet,Philippe Mocaer. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1996-11-12.

Colloidal quantum-dots for electroluminescent devices and methods of preparing same

Номер патента: WO2023193083A1. Автор: Majid Pahlevaninezhad,Sam Scherwitz,Afshin SHAHALIZAD NAMIN,Sergey V. DAYNEKO. Владелец: 10644137 CANADA INC.. Дата публикации: 2023-10-12.

Colloidal quantum-dots for electroluminescent devices and methods of preparing same

Номер патента: CA3219919A1. Автор: Majid Pahlevaninezhad,Sam Scherwitz,Afshin SHAHALIZAD NAMIN,Sergey V. DAYNEKO. Владелец: 10644137 Canada Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of creation of electric wire bindings between solar cells

Номер патента: RU2553774C2. Автор: ЙЕГЕР Франк КЛЯЙНЕ,Юрген КАЧУН,Штефан ХЕРМЕС. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2015-06-20.

Ethylene-based polymer and method of producing an ethylene-based polymer

Номер патента: WO2024173085A1. Автор: YI YE,Nhi Dang,Robert GÄRTNER,Florian JOGWICK,Christoph TRÜMPER. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of analysing dna sequences

Номер патента: US20180312910A1. Автор: James Davies,James R. Hughes. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of analysing dna sequences

Номер патента: EP3365464A1. Автор: James Davies,James R. Hughes. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

The method for improving nickel-base high-temperature single crystal alloy casting process rare earth elements recovery rate

Номер патента: CN105349811B. Автор: 杨斌,张建波,汪航,肖翔鹏,陈辉明. Владелец: Jiangxi University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-04-05.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: EP4334389A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Karoline Anna OSTROWSKI,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-03-13.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: US20240150551A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler,Karoline Anne Ostrowski. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of extracting hydrogen fluoride from aqueous solutions

Номер патента: RU2601007C2. Автор: Юрий Иванович Алексеев,Дмитрий Анатольевич Мухортов,Дмитрий Станиславович Пашкевич,Валентин Борисович Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые химические продукты". Дата публикации: 2016-10-27.

Active material for sodium accumulator positive electrode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2566085C1. Автор: Масафуми НОСЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-10-20.

METHOD OF PREPARING GRAPHENE QUANTUM DOT, HARDMASK COMPOSITION INCLUDING THE GRAPHENE QUANTUM DOT OBTAINED BY THE METHOD, METHOD OF FORMING PATTERN USING THE HARDMASK COMPOSITION, AND HARDMASK FORMED FROM THE HARDMASK COMPOSITION

Номер патента: US20190031906A1. Автор: KIM Sangwon,Lee Dongwook,SHIN Hyeonjin,Jung Alum,SEOL Minsu,LEE Yunseong,JEONG Seongjun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-31.

A method of polishing a non-oxide single crystal substrate

Номер патента: DE112012001891B4. Автор: Iori Yoshida,Satoshi Takemiya,Hiroyuki Tomonaga. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of preparing graphene quantum dot, hardmask composition including the graphene quantum dot obtained by the method, method of forming patterning using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition

Номер патента: KR102486388B1. Автор: 정아름,김상원,이동욱,신현진,설민수,이윤성,정성준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-09.

Method of screening reporgramming factor, reprogramming factor screened by the method, method of using the reprogramming factor, method of differentiating undifferentiated fused cells and method of constructing cell, tissues and organs

Номер патента: WO2003027277A1. Автор: Takashi Tada,Norio Nakatsuji,Masako Tada. Владелец: Japan As Represented By The President Of The University Of Kyoto. Дата публикации: 2003-04-03.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: EP2036856B1. Автор: Kazuhiro Sakai,Yukiyasu Miyata. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

Method of screening reporgramming factor, reprogramming factor screened by the method, method of using the reprogramming factor, method of differentiating undifferentiated fused cells and method of constructing cell, tissues and organs

Номер патента: EP1437403A4. Автор: Takashi Tada,Norio Nakatsuji,Masako Tada. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-27.

Method of preparing vinylchloride-based resin capable of producing plastisol with low viscosity, vinylchloride-based resin prepared using the method, method of preparing vinylchloride-based plastisol, and vinylchloride-based plastisol prepared using the method

Номер патента: EP1943279A4. Автор: Kyung-hyun Kim,Chan-Hee Lee,Yoonjeong Baek,Hyunkyou Ha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2011-08-03.

Method of determining surface orientation of single crystal wafer

Номер патента: US09678023B2. Автор: Chang Soo Kim,Seok Min Bin. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of preparing a thin-film, single-crystal photovoltaic detector

Номер патента: US4312114A. Автор: Richard B. Schoolar. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1982-01-26.

Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US11832521B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming group iii-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US20240088860A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality

Номер патента: EP3942596A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Complex method of converting coal containing raw material into liquid products

Номер патента: RU2360944C2. Автор: Ромоло МОНТАНАРИ,Николетта ПАНАРИТИ,Альберто ДЕЛЬБЬЯНКО,Серджо РОЗИ. Владелец: СНАМПРОДЖЕТТИ С.п.А.. Дата публикации: 2009-07-10.

Low-temperature single-crystal 2d materials growth using trench patterns

Номер патента: WO2024173204A1. Автор: Kim Jeehwan,Seo Seunghwan,Kim Kiseok,Lee DOYOON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-08-22.

Composition and method for obtaining pumped suspension of hydrocarbon hydrates at high water content

Номер патента: RU2445544C2. Автор: Ларри Д. ТОЛЛИ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of melioration of saline irrigated lands

Номер патента: RU2649325C2. Автор: Елена Анатольевна Зеленская,Валентина Геннадьевна Бурлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калмыцкий государственный университет". Дата публикации: 2018-04-02.

Automated high-throughput seed sampler and methods of sampling, testing and bulking seeds

Номер патента: US09551636B2. Автор: David W. Finley,Kevin L. Deppermann,Sam R. Eathington,Allen N. Ondes,Heather M. Forbes,Brian J. Forinash,Bruce J. Schnicker,Jason K. Bull,Andrew M. Singleton,Lee Yannakakis,Angela R. Cargill. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of production of carbamide, the installation for the method realization (versions), method of the installation upgrade (versions)

Номер патента: RU2301798C2. Автор: Йозеф Хюберт Мессен. Владелец: ДСМ Ай Пи ЭССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of simultaneous silicidation on source and drain of NMOS and PMOS transistors

Номер патента: US12062579B2. Автор: Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of radiation cross-linking of polymer insulation of electric cables and wires and the device for its implementation

Номер патента: RU2662532C1. Автор: Александр Ильич Смирнов,Владимир Викторович Новиков,Василий Васильевич Потапов,Константин Витальевич Суслов,Геннадий Кириллович Новиков,Вадим Валентинович Федчишин,Ольга Евгеньевна Пушко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2018-07-26.

Method of prolonged heterogeneous catalysed partial oxidation of propene to acrolein in gaseous phase

Номер патента: RU2349576C9. Автор: Йохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Мартин ДИТЕРЛЕ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2010-02-20.

Heat-resistant composite diamond sintered article and the method of its production

Номер патента: RU2312844C2. Автор: Минору АКАИШИ,Кейго КАВАМУРА. Владелец: Нэшэнл Инститьют Фор Материалз Сайенс. Дата публикации: 2007-12-20.

Liquid infection identification method of hordeum vulgare l.var.nudum stripe pathogen

Номер патента: LU506657B1. Автор: Lu Hou,Shiyu Fang. Владелец: Qinghai Acad Of Agriculture And Forestry Sciences. Дата публикации: 2024-09-27.

Methods of seed breeding using high throughput nondestructive seed sampling

Номер патента: US09986699B2. Автор: Michael W. Petersen,John Tamulonis,Sam Eathington,Stanton Dotson,Kevin L. Deppermann,David Butruille,Bruce Schnicker,Heather Forbes. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of deriving mature hepatocytes from human embryonic stem cells

Номер патента: US09512428B2. Автор: James Thomson,Srikumar Sengupta. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of growing epitaxial films of disilicide strongation at silicon

Номер патента: RU2620197C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-05-23.

Method of metalation of bulky blanks in the reactor of the plant for volumetric metalation, the design of the reactor and the method of its manufacturing

Номер патента: RU2665860C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Павел Аркадьевич Киселёв,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Павел Аркадьевич Киселёв. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of producing dialkyl carbonate

Номер патента: RU2769081C1. Автор: Кэйсукэ СИМОКАВА,Хидэфуми ХАРАДА,Такэхико ИСОБЭ,Хунъю ЛЮ. Владелец: Мицубиси Газ Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2022-03-28.

Method of olefine separating from gas flow

Номер патента: RU2355671C2. Автор: Ханс-Георг ГЕББЕЛЬ,Мальте ШУЛЬЦ,Майнольф ВАЙДЕНБАХ,Хеннинг ШУЛЬТЦ,Ренате ПАТРАСКУ,Петер ШУЛЬТЦ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-05-20.

Apparatus for producing optical fibre and method of producing optical fibre

Номер патента: RU2482078C2. Автор: Кендзи ОКАДА. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of producing metal-containing nano-sized dispersions

Номер патента: RU2665575C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Майя Валерьевна Куликова,Мария Владимировна Чудакова,Оксана Сергеевна Дементьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-08-31.

High-throughput method of for mitochondria isolation from plant seeds

Номер патента: EP3697929A1. Автор: Yanshan Ji,Chunyang FAN,Wenjin Yu. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2020-08-26.

High-throughput method of for mitochondria isolation from plant seeds

Номер патента: WO2019079156A1. Автор: Yanshan Ji,Chunyang FAN,Wenjin Yu. Владелец: SYNGENTA CROP PROTECTION LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

High Pressure Gas Atomization Process for Preparing Soft Nanocomposite Magnetic Materials

Номер патента: US20200365302A1. Автор: QI Chen,Zhigang Lin. Владелец: Aegis Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Detecting method for the seeds contaminated with plant pathogens

Номер патента: US20070190594A1. Автор: Masatoshi Sato. Владелец: National Center for Seeds and Seedlings. Дата публикации: 2007-08-16.

X-Ray-Induced Dissociation of H2O and Formation of an O2-H2 Alloy at High Pressure

Номер патента: US20090108237A1. Автор: Ho-Kwang Mao,Wendy L. Mao. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-04-30.

X-ray-induced dissociation of h2o and formation of an o2-h2 alloy at high pressure

Номер патента: WO2009094008A3. Автор: Ho-Kwang Mao,Wendy L. Mao. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-09-17.

X-ray-induced dissociation of h2o and formation of an o2-h2 alloy at high pressure

Номер патента: WO2009094008A2. Автор: Ho-Kwang Mao,Wendy L. Mao. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-07-30.

X-ray-induced dissociation of H2O and formation of an O2-H2 alloy at high pressure

Номер патента: US8066968B2. Автор: Ho-Kwang Mao,Wendy L. Mao. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2011-11-29.

Detecting method for the seeds contaminated with plant pathogens

Номер патента: US7767412B2. Автор: Masatoshi Sato. Владелец: National Center for Seeds and Seedlings. Дата публикации: 2010-08-03.

Method of growing high-quality single layer graphene by using Cu/Ni multi-layer metalic catalyst, and graphene device using the same

Номер патента: US09586826B2. Автор: Jin Soo Kim,Ki Chul Kim,Young Jun Yu,Jin Sik Choi,Choon Gi Choi,Hong Kyw CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of producing urea and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2446152C2. Автор: Федерико ЗАРДИ,Паоло БРУНЕНГО,Паоло СТИККИ,Федерико ЗАРДИ (CH),Паоло БРУНЕНГО (CH),Паоло СТИККИ (CH). Владелец: Уреа Касале С.А.. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of creation of images from mono crystals in body of sheet non-absorbent material

Номер патента: RU2462366C1. Автор: Григорий Аврамович Радуцкий,Сергей Николаевич Максимовский. Владелец: Сергей Николаевич Максимовский. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD OF PREPARING Ni-Mo CATALYST FOR HYDROCRACKING HYDROCARBON MATERIAL

Номер патента: RU2664641C1. Автор: Александр Борисович Бодрый,Ильшат Фаритович Усманов,Айдар Шамилевич Тагиров,Эльвир Маратович Рахматуллин,Антон Николаевич Сараев,Радик Салаватович Илибаев,Лидия Васильевна Суркова,Руслан Алексеевич Кислицын,Ильгиз Хамзович Аллагузин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания "Новые технологии". Дата публикации: 2018-08-21.

Method of aluminium slags treatment

Номер патента: RU2570595C2. Автор: Маттиас МОРИТЦ,Кристиан НИДЦВИДЦ. Владелец: Аумунд Фёрдертехник Гмбх. Дата публикации: 2015-12-10.

DOPING METHOD OF MgO-nAl2O3 CERAMICS WITH IRON IONS

Номер патента: RU2684540C1. Автор: Владимир Васильевич Осипов,Вячеслав Владимирович Платонов,Владислав Александрович Шитов,Константин Егорович Лукьяшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2019-04-09.

Obtaining ozone at high pressures

Номер патента: RU2702689C1. Автор: Райнер ФИТЦЕК,Ральф ФИКЕНС,Манфред САЛЬВЕРМОЗЕР,Николь БРЮГГЕМАНН. Владелец: Ксилем Ай Пи Менеджмент С.А Р.Л.. Дата публикации: 2019-10-09.

Method of medium treatment by its saturation with useful substances released by plants and device for its realisation

Номер патента: RU2433963C2. Автор: Эмануил Ихилович Бланк,Поль Эмануилович Бланк. Владелец: Поль Эмануилович Бланк. Дата публикации: 2011-11-20.

System and method of growing algae using geothermal gas

Номер патента: US20220322626A1. Автор: Isaac Berzin,Oded Bashan,Ohad BASHAN. Владелец: Vaxa Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of producing natural β-carotene by fermentation and use thereof

Номер патента: US9290787B2. Автор: Bin Shao,Xinde Xu,Mingqing Jiao,Dong Shao,Leiming Yu. Владелец: Zhejiang Medicine Co Ltd Xinchang Pharmaceutical Factory. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of producing fatty oil and wax from grape kernels by supercritical fluid extraction with carbon dioxide (versions)

Номер патента: RU2732920C2. Автор: Арсен Шамсудинович Рамазанов,Курбан Шахбанович Шахбанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2020-09-24.

Carbon electrode for electrolysis bath for producing aluminium and method of making said electrode (versions)

Номер патента: RU2363773C2. Автор: Лесли С. ЭДВАРДС,М. Фрэнз ВОГТ,Ричард О. ЛАВ,Дж. Энтони РОСС,Уильям Роджерс Мл. МОРГАН. Владелец: Сенчури Эльюминум Компани. Дата публикации: 2009-08-10.

Method of reduction of sulfur dioxide emissions during burning of coals

Номер патента: RU2280677C2. Автор: Роберт Р. ХОЛКОМБ. Владелец: Эс Джи Ти ТЕКНОЛОДЖИ ХОЛДИНГЗ, ЛЛС. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of cleaning of gases and sulphur-bearing gas extraction

Номер патента: RU2524714C2. Автор: Йоханнес Менцель. Владелец: Тиссенкрупп Уде Гмбх. Дата публикации: 2014-08-10.

Production unit for ethylene polymerization at high pressure and emergency stop method

Номер патента: RU2748690C9. Автор: Михаэль ДОЙЕРЛИНГ,Дитер ЛИТМАН,Андре-Арманд ФИНЕТТЕ,Кристоф ВОЛЬФ,Данир КАЙРУЛЛИН,Юрген МОРБУТТЕР. Владелец: Базелл Полиолефин Гмбх. Дата публикации: 2021-11-17.

Method of production of melamine in the reactor

Номер патента: RU2275364C2. Автор: Фердинанд КОГЛГРУБЕР,Хартмут БУККА,Герхард КУФАЛ. Владелец: Агролинц Меламин Гмбх. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of obtaining imide-group-containing foam plastics

Номер патента: RU2643818C2. Автор: Франк ПРИССОК,Анна КРИСТАДОРО. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of action on molten metal

Номер патента: RU2658772C1. Автор: Леонид Геннадьевич Знаменский,Ольга Викторовна Ивочкина,Алексей Сергеевич Варламов,Анастасия Николаевна Франчук,Анастасия Алексеевна Южакова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2018-06-22.

Method of forming a hydrolysis resistant aqueous emulsion

Номер патента: US09868866B2. Автор: Donald Taylor Liles,Yihan Liu,Jean-Paul H. Lecomte,Ii Timothy Andrew Roggow,Jennifer A. Daoust. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method

Номер патента: US09725801B2. Автор: Jungwook CHOI,Jongbaeg Kim,Hyungjoo NA,Kyoung Hoon Lee,Dae-Hyun BAEK,Jaesam SIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Culture vessel and method of growing cells in culture vessel

Номер патента: US09701934B2. Автор: Brad Justice,Paul Iazzetti. Владелец: Global Cell Solutions Llc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of depositing a silicon-containing film

Номер патента: US09607828B2. Автор: Jun Sato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of producing block articles from polytetrafluoroethylene and based composites

Номер патента: RU2734608C2. Автор: Сергей Амерзянович Хатипов,Юлия Радиомировна Жутаева,Елена Михайловна Конова,Руслан Сергеевич Хатипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Арфлон". Дата публикации: 2020-10-21.

Method of preparing compositions of zirconium-based cross-linking agent and use thereof at oil deposits

Номер патента: RU2490298C2. Автор: Дональд Э. ПУТЗИГ. Владелец: ДОРФ КЕТАЛ СПЕШИАЛТИ КАТАЛИСТС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for controlling the molecular weight of a polymer during the synthesis of rubbers by the method of emulsion polymerization

Номер патента: RU2759203C1. Автор: Валерий Николаевич Папков,Евгений Валерьевич Комаров,Леонид Александрович Бабурин,Александр Николаевич Юрьев,Надежда Владимировна Ляпина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. академика С.В. Лебедева". Дата публикации: 2021-11-10.

Method of obtaining 2-chloro-1,1,1,2,3,3,3- hepta-fluoro-propane, hexa-fluoro-propene and 1,1,1,2,3,3,3- hepta-fluoro-propane

Номер патента: RU2326859C2. Автор: Марио Дж. НАППА,Аллен К. СИВЕРТ,Веллийур Нотт Малликарджуна РАО,Шекхар СУБРАМАНИ,Мунирпаллам А. СУБРАМАНИАН,Х. Дэвид РОЗЕНФЕЛЬД. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of producing tertiary butyl alcohol

Номер патента: RU2455277C2. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение ЕВРОХИМ". Дата публикации: 2012-07-10.

Catalyst reducing the concentration of sulphur in benzines used in the method of catalytical cracking in the catalyst fluidised layer

Номер патента: RU2442649C2. Автор: Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР,Руичжонг ХУ,Руичжонг ХУ (US),Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР (US). Владелец: В.Р.Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2012-02-20.

OPTICAL GLASS, CAPABLE OF LUMINESCENCE IN 1000-1700 nm RANGE, METHODS OF PRODUCING SAID GLASS (VERSIONS) AND FIBRE LIGHT GUIDE

Номер патента: RU2463264C2. Автор: Владимир Борисович Сулимов,Алексей Николаевич Романов,Владимир Николаевич Корчак,Денис Михайлович Жигунов,Зухра Тимуровна Фаттахова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Димонта". Дата публикации: 2012-10-10.

Dissolution of the carbonates by recycling of the condensates at leaching under the high pressure of the monohydrate bauxites

Номер патента: RU2305068C2. Автор: Жан-Мишель ЛАМЕРАН,Раймон РУМЬЕ,Одиссефс КЕРАМИДАС,Одиссефс КЕРАМИДАС (FR),Жан-Мишель ЛАМЕРАН (FR),Раймон РУМЬЕ (FR). Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2007-08-27.

Method of removing nitrogen from a hydrocarbon-enriched fraction

Номер патента: RU2690508C2. Автор: Хайнц БАУЭР,Михель ВАРТЕР. Владелец: Линде Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of obtaining polymers, which do not contain water and solvents

Номер патента: RU2542986C2. Автор: Ханнс-Ингольф ПАУЛЬ,Йорг КИРХХОФФ,Пауль ВАГНЕР,Рольф ФЕЛЛЕР,Вернер БЭККЕР,Джон ЛАВГРОУВ. Владелец: Ланксесс Интернасьональ Са. Дата публикации: 2015-02-27.

Pipe made of corrosion-resistant steel and method of its production

Номер патента: RU2323982C2. Автор: Муцуми ТАНИДА. Владелец: Сумитомо Метал Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-05-10.

Catalytic composite material for storage of hydrogen and method of storage of hydrogen in catalytic systems on basis of hydrogenation/dehydrogenation reactions of organic compounds

Номер патента: RU2281154C2. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов,Аркадий Леонидович Кустов,Виктор Игнатьевич Богдан. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭНВАЙРОКЕТ". Дата публикации: 2006-08-10.

Method of fabricating inert anode for production of aluminium by means of electrolisis in melt

Номер патента: RU2336369C2. Автор: Арман ГАБРИЭЛЬ,Вероник ЛОРАН. Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2008-10-20.

Inert gas recovery system and method

Номер патента: EP2531274A1. Автор: Robert Bruce Dr. Grant. Владелец: Gas Recovery And Recycle Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Method of revamping of a plant for distillation of methanol

Номер патента: EP3802473A1. Автор: Raffaele Ostuni. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2021-04-14.

Method of revamping of a plant for distillation of methanol

Номер патента: MY197002A. Автор: Raffaele Ostuni. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of revamping of a plant for distillation of methanol

Номер патента: CA3100084A1. Автор: Raffaele Ostuni. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of revamping of a plant for distillation of methanol

Номер патента: AU2019280398A1. Автор: Raffaele Ostuni. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of producing fluorinated hydrocarbon

Номер патента: US20240286980A1. Автор: Takayuki Watanabe,Manabu Tanaka,Kazuki Matsui,Go Matsuura,Keita Inada. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High discharge capacity electrolytic manganese dioxide and methods of producing the same

Номер патента: EP1144729A1. Автор: Vahid Kazerooni,Wilmont Frederick Howard, Jr.,Terrell Neils Andersen,Samuel Faust Burkhardt,Richard F. Wohletz,Mohammad Reza Moumenzadeh,Amy Wren Unsell. Владелец: Kerr McGee Chemical LLC. Дата публикации: 2001-10-17.

High discharge capacity electrolytic manganese dioxide and methods of producing the same

Номер патента: WO2000037714A9. Автор: Wilmont Frederick Howard Jr,Vahid Kazerooni,Terrell Neils Andersen,Samuel Faust Burkhardt,Mohammad Reza Moumenzadeh,Amy Wren Unsell,Richard F Wohletz. Владелец: Kerr Mcgee Chemical L L C. Дата публикации: 2001-08-16.

High discharge capacity electrolytic manganese dioxide and methods of producing the same

Номер патента: US6638401B1. Автор: Vahid Kazerooni,Wilmont Frederick Howard, Jr.,Terrell Neils Andersen,Samuel Faust Burkhardt,Richard F. Wohletz,Mohammad Reza Moumenzadeh,Amy Wren Unsell. Владелец: Kerr McGee Chemical LLC. Дата публикации: 2003-10-28.

Method of cleaning semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and management system

Номер патента: US20110232686A1. Автор: Takashi Nakao,Kenichiro TORATANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method of growing graphene selectively

Номер патента: US20210206643A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of obtaining paraffinic hydrocarbons from natural fat

Номер патента: US09745522B2. Автор: Osazuwa Osawaru,Jacek Kijenski,Ewa Smigiera,Anna ZGUDKA,Antoni Migdal,Monika NEMTUSIAK,Iwona RASINSKA,Andrzrj Kawalec. Владелец: INSTYTUT CHEMII PRZEMYSLOWEJ. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US09644265B2. Автор: Tetsuo Yamamoto,Takafumi Sasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device by alternatively increasing and decreasing pressure of process chamber

Номер патента: US09508531B2. Автор: Koei KURIBAYASHI,Shinya EBATA. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of polymerization of ethylene-unsaturated monomers at high pressure performed in polymerization reactor installed inside protective casing

Номер патента: RU2679137C1. Автор: Андрей ГОНЮХ,Дитер ЛИТМАН,Андре-Арманд ФИНЕТТЕ,Томас ХЕРРМАН,Зигфрид МИШОК. Владелец: Базелл Полиолефин Гмбх. Дата публикации: 2019-02-06.

Method of industrial synthesis of urea

Номер патента: RU2036900C1. Автор: Пагани Джорджо,Царди Умберто. Владелец: Уриа Казале С.А.. Дата публикации: 1995-06-09.

Method of obtaining titanium zeolite-based catalyst

Номер патента: RU2561100C2. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Петер РУДОЛЬФ,Георг КРУГ,Райнер ЗЕНК. Владелец: Дзе Дау Кемикал Компани. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing styrene and/or substituted styrene

Номер патента: RU2469999C2. Автор: Алауисиус Николас Рене БОС,Прамод Б. КОРАДИА. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of producing carbon nitride

Номер патента: RU2425799C2. Автор: Сергей Николаевич Филиппов,Рейо ЛАППАЛАЙНЕН,Мохаммад Ареф Хасан МАМАХЕЛЬ. Владелец: Карбодеон Лтд Ой. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of forming thin oxidation layer by cluster ion beam

Номер патента: US6800565B2. Автор: Ming Mao,Chih-Ching Hu,Chih-Ling Lee,Jacques C. S. Kools,Adrian J. Devasahayam,Patricia L. Cox. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

Method of forming thin oxidation layer by cluster ion beam

Номер патента: US20040137645A1. Автор: Ming Mao,Chih-Ching Hu,Jacques Kools,Chih-Ling Lee,Adrian Devasahayam,Patricia Cox. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of Making Monodispersed Single Crystal Cathode Material

Номер патента: US20240083769A1. Автор: Alan Nelson,Yu-Hua Kao,Fangfu Zhang,Edward Matios,Wesley Luc,Gurudayal SINGHAL. Владелец: Redwood Materials. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of forming amorphous silicon layer

Номер патента: US20190164755A1. Автор: Young Chul Choi,Chang Hak Shin. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Environment-friendly method for preparing physically foamed material at high efficiency and low cost

Номер патента: EP4382561A1. Автор: Peng Bai,Zhenxiu ZHANG. Владелец: Jiangsu Damaoniu New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of production of molybdenum blue at high purity and in solid state

Номер патента: WO2018056932A4. Автор: Yucel SAHIN,Özge KOYUN. Владелец: ARVAS, Melih Beşir. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of high-pressure purification of [f-18]FEONM

Номер патента: US11247947B2. Автор: Wuu-Jyh Lin,Tsai-Yueh Luo,Jenn-Tzong Chen,Li-Yuan Huang,Yean-Hung Tu,Shiou-Shiow Farn. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2022-02-15.

Nutrition composition, method of manufacturing the nutrition composition, and method of growing plants

Номер патента: WO2023149832A1. Автор: Joel Wernström. Владелец: Peckas Solutions Ab. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of production of molybdenum blue at high purity and in solid state

Номер патента: WO2018056932A2. Автор: Yucel SAHIN,Özge KOYUN. Владелец: ARVAS, Melih Beşir. Дата публикации: 2018-03-29.

Novel Aspergillus oryzae CJ 1354 isolated from the Korean traditional meju, manufacturing method of a rice hot pepper paste using the same and the rice hot pepper paste prepared by the method

Номер патента: US20200329748A1. Автор: Sung Hwan Lim,Sun A Cho,Hye Won Shin,Eun Seok Jang,Seon Mi OH,Min Kyung PARK,Hyun Jun JANG. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of High-Pressure Purification of [F-18]FEONM

Номер патента: US20210147315A1. Автор: Wuu-Jyh Lin,Tsai-Yueh Luo,Jenn-Tzong Chen,Li-Yuan Huang,Yean-Hung Tu,Shiou-Shiow Farn. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2021-05-20.

A Method Of Producing High Amount Of Ethanol At High Temperature By Modified Yeast Strain Saccharomyces Cerevisiae

Номер патента: US20180327709A1. Автор: Rajendra Surana,Shashikant Shingdilwar,Pushpa Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-11-15.

Initiator injection line for high pressure polymerization

Номер патента: EP4389775A1. Автор: Cindy DEWITTE,Henri A. Lammens,Frankie K. R. Verluyten. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Initiator injection line for high pressure polymerization

Номер патента: WO2024137203A1. Автор: Cindy DEWITTE,Henri A. Lammens,Frankie K. R. Verluyten. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Method of aerogel synthesis

Номер патента: US09562141B2. Автор: Garrett D. POE,David L. Rodman,Brandon S. Farmer,Joseph C. Smith. Владелец: Nexolve Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods for modulating cell proliferation in the seed coat and/or integument

Номер патента: US09534228B2. Автор: Roderick Scott. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2017-01-03.

Rail from perlitic steel with high wear resistance and method of rail manufacture

Номер патента: RU2112051C1. Автор: Уеда Масахару,Кагеяма Хидеаки,Утино Коуити,Кутараги Кен,Бабадзоно Кодзи. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 1998-05-27.

Cutting element reinforced with diamonds, drilling tool equipped with them and method of their manufacturing

Номер патента: RU2530105C2. Автор: Дж. ЛАЙОНС Николас,Э. СКОТТ Дэнни. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of producing aromatic hydrocarbon and hydrogen

Номер патента: RU2349569C2. Автор: Масару ИЧИКАВА,Рюоичи КОДЖИМА,Юджи ОГАВА,Масамичи КУРАМОТО,Масару ИЧИКАВА (JP),Рюоичи КОДЖИМА (JP),Юджи ОГАВА (JP),Масамичи КУРАМОТО (JP). Владелец: Масару ИЧИКАВА. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of coating metal surfaces using multi-step method

Номер патента: RU2542184C2. Автор: Манфред ВАЛЬТЕР,Ларс ЗЕБРАЛЛА. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2015-02-20.

Ultra-fine aluminum alloys for high-strength articles made under superplasticity conditions, and a method of producing articles

Номер патента: RU2739926C1. Автор: Руслан Зуфарович Валиев,Максим Юрьевич Мурашкин,Елена Владимировна Бобрук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-12-29.

Method of supplying heat flows when producing rectified alcohol in a brew rectification plant

Номер патента: RU2714809C1. Автор: Александр Юрьевич Радостев. Владелец: Александр Юрьевич Радостев. Дата публикации: 2020-02-19.

New composite material and method of its manufacture

Номер патента: RU2631246C2. Автор: Чжоу Е,Ханна СТАФФАНССОН. Владелец: Хеганес Аб (Пабл). Дата публикации: 2017-09-20.

Method of doping titanium dioxide with anatase allotropic modification with noble metal nanoparticles (embodiments)

Номер патента: RU2731277C1. Автор: Лариса Александровна Смирнова,Евгения Владимировна Саломатина,Юлия Сергеевна Волкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2020-09-01.

Method of treating a workpiece comprising a titanium metal and object

Номер патента: EP3464660A1. Автор: Erik Johansson,Richard Larker,Pär NYMAN. Владелец: SENTINABAY AB. Дата публикации: 2019-04-10.

Method of treating a workpiece comprising a titanium metal and object

Номер патента: WO2017202728A1. Автор: Erik Johansson,Richard Larker,Pär NYMAN. Владелец: SENTINABAY AB. Дата публикации: 2017-11-30.

METHOD OF PREPARATION OF REDUCED GRAPHENE OXIDE(rGO)

Номер патента: US20210238042A1. Автор: Shyam Kumar Choudhary,Sumitesh Das,Giridhar Udapi Rao Kulkarni,Rajashekhar Ningappa Pujar,Anand SEN,Murali GEDDA. Владелец: Centre For Nano And Soft Matter Sciences. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of preparation of reduced graphene oxide(rgo)

Номер патента: WO2019224730A1. Автор: Shyam Kumar Choudhary,Sumitesh Das,Giridhar Udapi Rao Kulkarni,Rajashekhar Ningappa Pujar,Anand SEN,Murali GEDDA. Владелец: Centre For Nano And Soft Matter Sciences. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of measurement of interfacial tension (ift) of two immiscible fluids at reservoir conditions: an in situ gas buffered injection

Номер патента: US20230279754A1. Автор: Salah Hamad Al-Saleh,Ali Abdallah Al-Yousef,Ahmed Gmira. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating porous ceramic structures based on calcium phosphates, alumina or zirconia

Номер патента: EP2212261A2. Автор: Claudia Marina Souto Ranito Lourenço. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-04.

Method of preparing substituted 4-amino-3-alkylthio-1,2,4-triazine-5-ones

Номер патента: US20030216573A1. Автор: Dennis Jackman. Владелец: Bayer Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for producing silicon particles for use as anode material in lithium ion rechargeable batteries, use of a rotating reactor for the method and particles produced by the method and a reactor for operating the method

Номер патента: WO2018052318A1. Автор: Werner O. Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of measurement of interfacial tension (ift) of two immiscible fluids at reservoir conditions: an in situ gas buffered injection

Номер патента: US20210381352A1. Автор: Salah Hamad Al-Saleh,Ali Abdullah Al-Yousef,Ahmed Gmira. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of producing a silver alloy part and alloy used for same

Номер патента: US20060272753A1. Автор: Pierre Ramoni. Владелец: METALOR TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2006-12-07.

Polymer designs for high energy density applications with high dielectric strength and dielectric constant at high temperature

Номер патента: US20240174791A1. Автор: Rampi RAMPRASAD,Rishi Gurnani. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of preparing adsorbent for phosphorus adsorption and adsorbent prepared by the same

Номер патента: US09981242B2. Автор: Taeyoon Lee,Junheok Lim,Jeakeun Lee,JaHyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-29.

Preparing method of a phenolic oligomer antioxidant

Номер патента: US09908830B2. Автор: Hyung Jae Lee,Seok Hyun Kang,Kyoung Ho Row,Chang Kyo Shin,Ji Hyun HEO. Владелец: Kumho Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of producing graphene and other carbon materials

Номер патента: US09580323B2. Автор: Alexander Mukasyan,Khachatur Manukyan. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2017-02-28.

Evaporating material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09434002B2. Автор: Hiroshi Nagata,Yoshinori Shingaki,Youichi Hirose,Kyoutoshi Miyagi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of regnerating catalyst layer deactivated during heterogeneously catalysed partial dehydrogenation of hydrocarbon

Номер патента: RU2456075C2. Автор: Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Мартин ДИТЕРЛЕ,Катарина ХОРСТМАНН,Гетц-Петер ШИНДЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2012-07-20.

Modified lithium-rich manganese-based material, modification method of lithium-rich manganese-based material, secondary battery, and electrical device

Номер патента: EP4358182A1. Автор: Dong Zhao,QI Wu,Qiang Chen,Chongheng SHEN,Bangrun WANG,Jingpeng Fan. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Positive active material for rechargeable lithium battery and method of preparing same

Номер патента: EP1035600A1. Автор: Hyung-gon Noh,Ho-jin Kweon,Geun-bae Kim,Dong-gon Park. Владелец: Samsung Display Devices Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-13.

Optical information recording medium and method of recording and/or reproducing therein

Номер патента: US20090268579A1. Автор: Yuji Kuroda,Manami Miyawaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Multilayer solid-state electrolyte, battery cells including the same, and methods of making the same

Номер патента: US20210320324A1. Автор: Arvind Kamath,Zhongchun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-14.

Multilayer solid-state electrolyte, battery cells including the same, and methods of making the same

Номер патента: US11916192B2. Автор: Arvind Kamath,Zhongchun Wang. Владелец: Ensurge Micropower ASA. Дата публикации: 2024-02-27.

Thin film photovoltaic device with large grain structure and methods of formation

Номер патента: WO2014152112A1. Автор: LONG Cheng,Zhibo Zhao,Rick POWELL,Benyamin Buller,Igor Sankin,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Feng LIAO,Jeremy BREWER. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Fabrication method of semiconductor device with MOSFET and capacitor having lower and upper polysilicon regions

Номер патента: US5814542A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Electronic device including ferroelectric thin film, method of manufacturing the electronic device, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20240196623A1. Автор: Kihong Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic device including ferroelectric thin film, method of manufacturing the electronic device, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: EP4383313A1. Автор: Kihong Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Thin film photovoltaic device with large grain structure and methods of formation

Номер патента: EP2973749A1. Автор: LONG Cheng,Zhibo Zhao,Rick POWELL,Benyamin Buller,Igor Sankin,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Feng LIAO,Jeremy BREWER. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System of turfs for sports and garden surfaces and method of growing turf according to said system

Номер патента: RU2627055C2. Автор: Геа Хуан Хосе Палау,Кабаллеро Джозеп Палау. Владелец: Профессионал Спортсверд Футбол, С.Л.. Дата публикации: 2017-08-03.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of performing a lasik procedure and tonometer system for use therewith

Номер патента: US20020049428A1. Автор: John Bruce. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2002-04-25.

Method and circuit for lighting high-pressure discharge lamp

Номер патента: US20150123543A1. Автор: Atsuji Nakagawa,Tetsuya GOUDA,Shinichi Ushijima,Shiyoshi Cho. Владелец: Phoenix Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Method and circuit for lighting high-pressure discharge lamp

Номер патента: US9099293B2. Автор: Atsuji Nakagawa,Tetsuya GOUDA,Shinichi Ushijima,Shiyoshi Cho. Владелец: Phoenix Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Method of performing a lasik procedure and tonometer system for use therewith

Номер патента: EP1328224A2. Автор: John Bruce. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2003-07-23.

Method of molibdenum extraction from products of catalytic olefin epoxidation

Номер патента: RU2335499C1. Автор: Харлампий Эвклидович Харлампиди,Николай Петрович Мирошкин,Муслима Зиннетзяновна Зарифянова,нова Муслима Зиннетз новна Зариф,Анна Валерьевна Константинова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный технологический университет". Дата публикации: 2008-10-10.

Method of monitoring and controlling combustion of device operating on gaseous fuel in burner and combustion controlling system operating in accordance with above-mentioned method

Номер патента: RU2640866C2. Автор: Маурицио Акилле АБАТЕ,Лорис БЕРТОЛИ,Алессандро ФРАНК,Джанкарло ПИРОВАНО. Владелец: Сит С.П.А.. Дата публикации: 2018-01-12.

Method of assessing heat resistance of organophosphorus pesticides when performing disinsection

Номер патента: RU2690705C1. Автор: Галина Юрьевна Полякова,Евгений Дмитриевич Орлов,Марина Александровна Каземирова,Марина Александровна Арабская,Сергей Анатольевич Дымнич,Анатолий Андреевич Брагинец,Марина Александровна Леготина,Любовь Семеновна Валькова,Николай Викторович Хромов,Максим Сергеевич Емелин,Сергей Павлович Казакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-05.

Method of controlling drive wheels of motor vehicle (versions)

Номер патента: RU2684815C2. Автор: Ральф Уэйн КАННИНГЭМ,Росс Дайкстра ПЕРСИФУЛЛ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-15.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: WO2022159642A3. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: EP4281771A2. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-29.

Methods of screening inhibitors of biomolecular interactions using phase separation as in cellulo read-out

Номер патента: US20240302350A1. Автор: Dan Bracha,Paul Ackerman,Clifford P. Brangwynne,Chanelle JUMPER. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same

Номер патента: US09795033B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of processing seeds to nutritionally enhance food

Номер патента: US20200170286A1. Автор: Robert Den Hoed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of fabricating conductive traces and resulting structures

Номер патента: US20190189507A1. Автор: Christopher J. Gambee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Gas-turbine engine (versions) and method of cooling of parts arranged inside

Номер патента: RU2303149C2. Автор: Ксиаолиу ЛИУ. Владелец: Прэтт энд Уитни Кэнэдэ Корп.. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of preparing pharmaceutical compositions of lipid particles comprising a lipid agent and a protein

Номер патента: CA2297924C. Автор: Mattias Andersson,Dorota Johansson,Percy Li,Bjorn Norrlind,Bengt Westgren. Владелец: Pharmacia and Upjohn AB. Дата публикации: 2007-04-10.

Control valve, impactor and method of impactor operation cycle control

Номер патента: RU2334610C2. Автор: Маркку КЕСКИНИВА,Йорма МЯКИ,Эркки АХОЛА,Антти КОСКИМЯКИ. Владелец: Сандвик Тамрок Ой. Дата публикации: 2008-09-27.

Piezoelectrically-actuated microvalve device and method of fabrication

Номер патента: US11927281B1. Автор: Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of engine operation with exhaust gases recirculation system

Номер патента: RU2647181C2. Автор: Эрик Мэттью КУРТЦ,Вахид АЛАШЕ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-03-14.

Growth method of large-diameter semiconductor silicon single crystal and single crystal furnace

Номер патента: CN114318499B. Автор: 冯帆,代冰,胡碧波. Владелец: Wanhua Chemical Group Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Fungicidal composition and method of treatment thereof

Номер патента: AU2022383415A1. Автор: Michel Degroote,Andres NOVOA. Владелец: Luxembourg Industries (Pamol) Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

METHOD OF REGISTERING USE OF MOBILE TERMINAL TO IMAGE FORMING APPARATUS, THE IMAGE FORMING APPARATUS USING THE METHOD, METHOD OF REQUESTING REGISTRATION OF USE OF THE MOBILE TERMINAL, AND THE MOBILE TERMINAL USING THE METHOD

Номер патента: US20150126115A1. Автор: Park Hyun-Wook,KIM Jin-hyung,PARK Sung-joon,YUN Chang-jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

Grinding roll and method of reconditioning (versions)

Номер патента: RU2452576C2. Автор: Норберт ПАТЦЕЛЬТ,Йоханн КНЕХТ,Герберт ПИНГЕЛЬ. Владелец: Полизиус Аг. Дата публикации: 2012-06-10.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130200522A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140090876A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

METHOD OF MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING THE METHOD, METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE IN WHICH WIRING IS PROVIDED ON ITS SURFACE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140097004A1. Автор: YOSHIOKA Shingo,FUJIWARA Hiroaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20150047702A1. Автор: Harris,Gu Anjia,Huo Yijie,JR. James S.,Liang Dong,Kang Yangsen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing thin film transistor,thin film transistor manufactured by using the method, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method

Номер патента: US20140299860A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Jong-Ryuk Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

METHODS OF FORMING GROUP III-NITRIDE SINGLE CRYSTAL PIEZOELECTRIC THIN FILMS USING ORDERED DEPOSITION AND STRESS NEUTRAL TEMPLATE LAYERS

Номер патента: US20200259070A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHOD OF DETERMINING SURFACE ORIENTATION OF SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20150330918A1. Автор: Kim Chang Soo,Bin Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: KR101359117B1. Автор: 히로아키 후지와라,신고 요시오카. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Manufacturing method of composite substrate with piezoelectric single crystal film

Номер патента: KR20230007356A. Автор: 카즈토시 나가타. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of detecting defects, a silicon single crystal wafer using the same, method thereof and a semiconductor device

Номер патента: KR101383949B1. Автор: 박정길,황돈하. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: KR101284376B1. Автор: 히로아키 후지와라,신고 요시오카. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: TW201104766A. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Elec Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

A kind of preparation method of the gas of based single crystal silicon nano thin-film photoelectric device and chemical substance sensor-based system

Номер патента: CN109580553A. Автор: 黄高山,梅永丰,李恭谨. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-05.

A kind of preparation method of cutting magnesium alloy diamond single crystal cutter

Номер патента: CN108515350A. Автор: 栗正新,窦志强,肖长江,朱玲艳. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same

Номер патента: US8759148B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: EP2378547A4. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-04.

Method of manufacturing crucible for pulling single crystal

Номер патента: JP2007314422A. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Tomoji Ishikawa,Katsuhide Nagaoka,勝秀長岡,強資松本,Masatoshi Yamaji,Toshiji Hiraoka,利治平岡,雅俊山地,智士石川. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

SPS diffusion welding method of DD98 same nickel-based single crystal superalloy

Номер патента: CN113182660A. Автор: 石磊,杨建国,徐海涛,孙元,周正强,刘玉章,陈刚强,李华鑫,贺艳明,郑文健,闾川阳,马英鹤,郑思路. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2021-07-30.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method

Номер патента: KR100626032B1. Автор: 김민규,신현수,구재본,모연곤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of measuring defect density of single crystal

Номер патента: CN102362171A. Автор: 北川克一,新谷良智. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof

Номер патента: EP2378547A1. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka. Владелец: Panasonic Electric Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Preparation method of PERC micro-pattern printed single crystal solar cell

Номер патента: CN109427929B. Автор: 常青,扈静,谢耀辉. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

A kind of preparation method of lithium ion battery large single crystal layered cathode material

Номер патента: CN106910882B. Автор: 李凤,侯配玉,邓小龙,徐锡金. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2019-04-23.

Manufacturing method of composite wafer with oxide single crystal thin film

Номер патента: KR102554057B1. Автор: 쇼지 아키야마,마코토 카와이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-07-10.

METHOD OF TRANSMITTING INQUIRY MESSAGE, DISPLAY DEVICE FOR THE METHOD, METHOD OF SHARING INFORMATION, AND MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20140033050A1. Автор: CHOI Won-Jong,Shin In-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Ft using the method method of controlling rolling of an aircraft and an aircra

Номер патента: GB2043561A. Автор: . Владелец: Dornier GmbH. Дата публикации: 1980-10-08.

For use in the method method of producing a scanning electron microscope image having reduced distortion and scanning electron microscopes

Номер патента: GB1569299A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-06-11.

Method of growing green hydroponic feed additive using glauconite

Номер патента: RU2505992C1. Автор: Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Лев Никитович Павлов,Нина Николаевна Докина,Дмитрий Викторович Фролов,Баер Серикпаевич Нуржанов,Ирина Валерьевна Миронова,Хамит Харисович Тагиров,Юрий Алексеевич Карнаухов,Азат Харисович Нигматьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-02-10.

Method of growing III-N semiconductor layer on Si substrate

Номер патента: US09460917B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Nam Pham,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Fire-extinguishing system, programmable controller for fire-extinguishing system, and control method of fire-extinguishing system

Номер патента: RU2469760C1. Автор: Адам ЧЭТТЕВЕЙ,Жозефина Габриель ГЕТСОНИДЕС,Роберт Г. ДАНСТЕР,Терри СИМПСОН,Дарменр Лен СИБАЛУК,Роберт ГЛЕЙЗЕР. Владелец: Кидде Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-12-20.

End face pulse seal assembly operating in cryogenic media, (versions) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2696423C1. Автор: Василий Сигизмундович Марцинковский,Вячеслав Борисович Тарельник,Наталия Вячеславовна Тарельник,Евгений Владиславович Коноплянченко,Михаил Юрьевич Думанчук,Чеслав КУНДЕРА,Алексей Николаевич Жуков. Владелец: Василий Сигизмундович Марцинковский. Дата публикации: 2019-08-01.

Device and method of growing one or several plants

Номер патента: RU2558969C2. Автор: Камал ДАС,Талал ДАС,ДЕР ДРИФТ Петер ВАН. Владелец: Хортикооп Б.В.. Дата публикации: 2015-08-10.

Method for controlling pressure in a high-pressure region of an internal combustion engine

Номер патента: US09556814B2. Автор: Janos Radeczky. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Ignition method of fuel mixture in internal combustion engine with laser optic discharge, and device for its implementation

Номер патента: RU2436991C1. Автор: Альберт Габдулбарович Саттаров,Анатолий Федорович Дрегалин,Ринад Алиманович Мухамедзянов,Айдар Рустемович Бикмучев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева (КГТУ им. А.Н. Туполева). Дата публикации: 2011-12-20.

Method of stimulation of seeds germination of agricultural crops

Номер патента: RU2492625C2. Автор: Иван Михайлович Осадченко,Иван Фёдорович Горлов,Дмитрий Владимирович Николаев,Владимир Анатольевич Бараников,Елена Юрьевна Злобина. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт производства и переработки мясомолочной продукции Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2013-09-20.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

Method of growing rice on meadow-black earth soil at the right bank of the kuban river

Номер патента: RU2670150C1. Автор: Галина Федоровна Петрик,Николай Иванович Бардак,Ярослав Богданович Петрик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2018-10-18.

Operating method of multiple starting liquid rocket knock engine

Номер патента: RU2764346C1. Автор: Василий Александрович Казаковцев. Владелец: Василий Александрович Казаковцев. Дата публикации: 2022-01-17.

Method of growing seeds

Номер патента: WO2018099608A1. Автор: James Robert Jennings. Владелец: Avocet Infinite Plc. Дата публикации: 2018-06-07.

A method of growing plants in a confined space, and a container

Номер патента: EP4225019A1. Автор: Gerrit Johannes VAN STAALDUINEN. Владелец: Logiqs BV. Дата публикации: 2023-08-16.

Working material feed system and the method of operation of the working material feed system

Номер патента: RU2653266C2. Автор: Владимир Семенович Ковтун,Надежда Владимировна Ковтун,Денис Вячеславович Сысоев. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2018-05-07.

Method of control over a cyclone burner

Номер патента: RU2315907C2. Автор: Боо ЛЬЮНГДАХЛЬ. Владелец: Тпс Термиска Просессер Аб. Дата публикации: 2008-01-27.

Method of cultivating indeterminate plants

Номер патента: NL2033431B1. Автор: Barth Ruud,Adrianus Johannes Van Tuijl Bart. Владелец: Saia Holding B V. Дата публикации: 2024-05-17.

Method of manufacturing silicon wafers

Номер патента: US20240339315A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Automated contamination-free seed sampler and methods of sampling, testing and bulking seeds

Номер патента: US09383291B2. Автор: Jennifer Listello,Kevin L. Deppermann,Phillip Rahn,Angela R. Cargill. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for opening high-pressure formations saturated with strong brines

Номер патента: RU2735504C1. Автор: Александр Сергеевич Смирнов,Иван Владимирович Горлов,Андрей Гелиевич Вахромеев,Сергей Александрович Сверкунов,Максим Алексеевич Лисицин,Валерий Васильевич Ружич,Иван Дмитриевич Ташкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт земной коры Сибирского отделения Российской академии наук (ИЗК СО РАН). Дата публикации: 2020-11-03.

Method of growing plants and structure for its implementation

Номер патента: RU2612213C2. Автор: Ганс ХАССЛЕ. Владелец: Плантагон Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2017-03-03.

Method of creating planting material for chrysanthemums in vitro

Номер патента: RU2743967C1. Автор: Елена Анатольевна Калашникова,Рима Нориковна Киракосян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2021-03-01.

Method of fixing support bases of offshore structures on pile field and pipe composite steel pile

Номер патента: RU2739595C1. Автор: Александр Леонидович Соболев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БалтСпецПроект" (ООО "БалтСпецПроект"). Дата публикации: 2020-12-28.

Safe operational method of reducing active voltage of ground-fault phase of switched off grounding system

Номер патента: RU2739824C1. Автор: Ксянгджун ЖЕНГ. Владелец: Чанша Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2020-12-28.

Method of increasing productivity and profitability of growing cucumbers in protected ground conditions in north

Номер патента: RU2490868C2. Автор: Игорь Владимирович Далькэ,Евгений Евгеньевич Григорай,Алексей Васильевич Буткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пригородный". Дата публикации: 2013-08-27.

Method of growing grain-haylage of high-protein crops in small spaces

Номер патента: RU2526398C2. Автор: Станислав Григорьевич Карташов,Валерий Иванович Еремченко,Евгений Иванович Резник,Ольга Владимировна Полозова,Ольга Алексеевна Филатова,Леван Заурович Бестаев. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of producing hydrogen from water

Номер патента: RU2521632C1. Автор: Анатолий Яковлевич Столяревский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-07-10.

Method of creating screening curtain when drilling high-pressure strata saturated with strong chloride-calcium brines

Номер патента: RU2735508C1. Автор: Орианда Александровна Брагина,Андрей Гелиевич Вахромеев,Сергей Александрович Сверкунов,Иван Дмитриевич Ташкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт земной коры Сибирского отделения Российской академии наук (ИЗК СО РАН). Дата публикации: 2020-11-03.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Rapid detection method of waxy phenotype in sorghum seed and application thereof

Номер патента: AU2021107211A4. Автор: Li Zhu,ZHI Wang,Guiying Li,Fanhua Meng,Baoqing Dun,Fenxia Han,Guangxia You. Владелец: Institute of Crop Sciences of Chinese Academy of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2021-12-09.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of growing group III-V compound semiconductor, and method of manufacturing light-emitting device and electronic device

Номер патента: EP2086003A3. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Toshio Ueda,Eiryo Takasuka,Yasuhiko Senda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

The method of parameters optimization of devices designed on usage of the heat pump principle by means of the vortical stratification of intermediate substance stream flowing off compressor with following receiving from it two independent flows - overheated by comparison with the initial one directed into condenser and colder than initial one directed into a

Номер патента: CA2577231A1. Автор: Gregory Koganitsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Magnetic head and method of producing the same

Номер патента: US20070285836A1. Автор: Takashi Ito,Ryuei Ono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of determining adhesion quality and apparatus embodying the method

Номер патента: US20060170309A1. Автор: Joel PHILLIBER. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US12087715B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US20240363561A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Source down semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09911686B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Andreas Meiser,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of air abandonment of steam boiler of steam power plant

Номер патента: RU2656772C1. Автор: Александр Николаевич Полевич. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский дважды ордена Трудового Красного Знамени теплотехнический научно-исследовательский институт". Дата публикации: 2018-06-06.

Method of direct grass seeding and seeding machine used for purpose

Номер патента: RU2325794C2. Автор: Геннадий Ефимович Чепурин,Николай Федорович Латынцев,Владимир Петрович Косьяненко,ненко Владимир Петрович Кось,Владислав Петрович Мирошниченко,ров Александр Иванович Стол,Александр Иванович Столяров. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ СИБИРСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МЕХАНИЗАЦИИ И ЭЛЕКТРИФИКАЦИИ СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ (ГНУ СибИМЭ СО РАСХН). Дата публикации: 2008-06-10.

Method of producing actinium-225 and radium isotopes and target for realising said method (versions)

Номер патента: RU2373589C1. Автор: Борис Федорович Мясоедов,Борис Леонидович Жуйков,Николай Александрович Коняхин,Владимир Михайлович Коханюк,Степан Николаевич Калмыков,Станислав Викторович Ермолаев,Иван Гундарович Тананаев,Рамиз Автандилович Алиев. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Химический факультет МГУ им.Ломоносова. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of manufacturing fluoroplastic

Номер патента: RU2326128C1. Автор: Николай Михайлович Гришин,Александр Степанович Терехов,Михаил Васильевич Гришин. Владелец: Михаил Васильевич Гришин. Дата публикации: 2008-06-10.

Method of injection of processing fluids such as resin into wood material and inorganic porous material and device for its realization

Номер патента: RU2128112C1. Автор: Нозоки Масатеру. Владелец: Сумитомо Корпорейшн. Дата публикации: 1999-03-27.

Method of producing catalyst on carbon support

Номер патента: RU2467798C1. Автор: Сергей Александрович Григорьев,Александр Александрович Федотов,Владимир Николаевич Фатеев,Светлана Владимировна Акелькина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2012-11-27.

Method of rendering emergency cardiac care

Номер патента: RU2644303C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Анатолий Геннадьевич Убиенных,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Дмитрий Алексеевич Аржаев,Артур Фагимович Рахматуллов,Андрей Юрьевич Бодин,Руслан Фагимович Рахматуллов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Кардиовид". Дата публикации: 2018-02-08.

Method of Fixing Polarization-Reversed Region Formed in Ferroelectric Single Crystal and Optical Element Using the Same

Номер патента: US20090231703A1. Автор: Kenji Kitamura,Xiaoyan Liu,Kazuya Terabe,Shunji Takekawa,Shunichi Hishita. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of producing lactuca plant seed using a megachile bee

Номер патента: AU2018381397A1. Автор: Takao Suzuki,Shingo Horiuchi,Atsushi IZUMIDA. Владелец: Sakata Seed Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of producing lactuca plant seed using a megachile bee

Номер патента: CA3084968A1. Автор: Takao Suzuki,Shingo Horiuchi,Atsushi IZUMIDA. Владелец: Sakata Seed Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of producing lactuca plant seed using a megachile bee

Номер патента: AU2018381397B2. Автор: Takao Suzuki,Shingo Horiuchi,Atsushi IZUMIDA. Владелец: Sakata Seed Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of producing lactuca plant seed using a megachile bee

Номер патента: CA3084968C. Автор: Takao Suzuki,Shingo Horiuchi,Atsushi IZUMIDA. Владелец: Sakata Seed Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of synchronizing a fountain code transmitting end and receiving end

Номер патента: US09749122B2. Автор: Kevin G. Doberstein. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating smooth seed layers with uniform crystalline texture for high perpendicular magnetic anisotropy materials

Номер патента: US09595666B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer

Номер патента: US09502240B2. Автор: Wei Zhang,Cong Wang,Xiaoyuan Chen,Hui Yang,Dongfang Liu,Linfeng LU. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication method of wiring structure for improving crown-like defect

Номер патента: US09426894B2. Автор: Yi-Ming Chang,I-Min Lin,Po-Shen Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09412610B2. Автор: Seung-Hoon Park,Gyung-Jin Min,Deog-Ja Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of growing green fodder mass on substrate

Номер патента: RU2535739C1. Автор: Михаил Леонидович Гордиевских,Елена Ивановна Столбовая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия". Дата публикации: 2014-12-20.

Method of determining heat conductivity of particles of solid materials at high temperatures

Номер патента: RU2712282C1. Автор: Юрий Анатольевич Попов,Евгений Михайлович Чехонин,Александр Олегович Гончаров,Анастасия Викторовна Габова,Михаил Юрьевич Спасенных. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2020-01-28.

Method of improvement of diamond color at high temperature and high pressure (versions)

Номер патента: RU2293602C2. Автор: Роберт Чарльз БЕРНС,Дэвид ФИШЕР,Реймонд Энтони СПИТС. Владелец: Элемент Сикс Текнолоджиз (Пти) Лтд.. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for development of permeable upper jurassic deposits using horizontal wells with multi-stage hydraulic fracturing and maintaining reservoir pressure due to high-pressure air injection

Номер патента: RU2764128C1. Автор: Валерий Борисович Карпов,Виктор Иванович Дарищев,Николай Васильевич Паршин,Варвара Дмитриевна Немова,Константин Анатольевич Бугаев,Дмитрий Александрович Метт,Ольга Владимировна Славкина,Ренат Галеевич Нургалиев,Максим Григорьевич Борисов,Константин Александрович Щеколдин,Евгений Орестович Микитин,Александра Евгеньевна Привознова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Российская инновационная топливно-энергетическая компания" (ООО "РИТЭК"). Дата публикации: 2022-01-13.

Method of and device for calibrating of pressure transmitter

Номер патента: RU2260142C2. Автор: Клаус ЙОС,Йенс ВОЛЬБЕР,Томас ФРЕНЦ,Хансйёрг БОХУМ,Маттиас КЮЗЕЛЛЬ,Маркус АМЛЕР,Клаус ЙОС (DE),Йенс ВОЛЬБЕР (DE),Томас ФРЕНЦ (DE),Хансйёрг БОХУМ (US),Маттиас КЮЗЕЛЛЬ (DE),Маркус АМЛЕР (DE). Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-09-10.

Method of fume generation in inert gas medium with inductive energy input

Номер патента: RU2458510C2. Автор: Сергей Тихонович Антипов,Сергей Васильевич Шахов,Олеся Валериевна Мальцева,Сергей Васильевич Шахов (RU),Сергей Тихонович Антипов (RU),Олеся Валериевна Мальцева (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (ГОУ ВПО ВГТА). Дата публикации: 2012-08-20.

Method of producing high-energy particle streams and apparatus therefor

Номер патента: RU2539559C2. Автор: Юрий Александрович Чивель. Владелец: Юрий Александрович Чивель. Дата публикации: 2015-01-20.

Operation method of the steam turbine with the steam axial movements counterflows in the cylinders of high and medium pressure

Номер патента: RU2615875C1. Автор: Юрий Анатольевич Радин,Анатолий Иванович Чертков,Евгений Олегович Воронов,Илья Алексеевич Гришин. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский дважды ордена Трудового Красного Знамени теплотехнический научно-исследовательский институт". Дата публикации: 2017-04-11.

Method of gas discharge initiation

Номер патента: RU2656341C1. Автор: Александр Николаевич Иванов,Павел Владимирович Богданов,Дмитрий Александрович Шутов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-06-05.

Method of distribution of fuel costs at chpp

Номер патента: RU2647241C2. Автор: Татьяна Владимировна Мятеж,Юрий Анатольевич Секретарев,Борис Николаевич Мошкин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2018-03-14.

Microlens, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20090059391A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Methods of manufacturing semiconductor-on-insulator wafers having charge trapping layers with controlled stress

Номер патента: US20240258155A1. Автор: Jeffrey L. Libbert,Qingmin Liu,Charles R. Lottes. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of producing food products based on mycelial material, the obtained food products, and related use

Номер патента: WO2023166019A1. Автор: Ana PEJIC,Cecilie Engvang LUND,Martina LOKAJOVA. Владелец: Tempty Foods Aps. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of manufacturing semiconductor-on-insulator wafers having charge trapping layers with controlled stress

Номер патента: WO2024163395A1. Автор: Jeffrey L. Libbert,Qingmin Liu,Charles R. Lottes. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-08.

Handheld fire extinguishing equipment for the formation of a two-phase bubble-structured stream and the method of extinguishing

Номер патента: EP4412730A1. Автор: Igor Alexandrovich Lepeshinsky,Radim SNOZA,Polina Viktorovna Zotikova,Alexander Anatolyevich MIGACHEV. Владелец: Jetex Innovation SRO. Дата публикации: 2024-08-14.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of low pressure bleed

Номер патента: US09650967B2. Автор: Gregory L. Defrancesco. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of supplying fuel to engine

Номер патента: US09644551B2. Автор: Thorsten Tuexen,Hannes MARSCHEIDER,Eike Joachim Sixel,Daniel Wester. Владелец: Caterpillar Motoren GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of growing plants

Номер патента: US09609813B2. Автор: Jean Marie Wilhelmus Cuypers,Lars Naerum,Povl Nissen,Erling Lennart Hansen,Eelke Gjalt Hempenius,Frank Hendrikus Janssen. Владелец: Rockwool International AS. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of making set-date syrup

Номер патента: US09596879B1. Автор: Nasser Abdullah Al-Habsi,Md Shafiur Rahman. Владелец: Sultan Qaboos University. Дата публикации: 2017-03-21.

Tetrodotoxin-based lyophilised preparation and method of its production

Номер патента: RU2519654C2. Автор: Руизао ЮИ,Хюи ЧЕН,Бихонг ХОНГ,Ронгвеи ХИЕ,Виежу ЧЕН,Жуан ХОНГ,Шужен ХУ. Владелец: Третий Институт Океанографии, Государственное Управление По Проблемам Океана, Китайская Народная Республика. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of surface disinfection of eggs

Номер патента: RU2729813C2. Автор: Ирина Михайловна Донник,Ирина Алексеевна Шкуратова,Альбина Геннадьевна Исаева,Анна Сергеевна Кривоногова,Анна Александровна Баранова,Нина Борисовна Мусихина,Ксения Викторовна Моисеева,Сергей Юрьевич Соковнин,Михаил Евгеньевич Балезин,Руслан Альбертович Вазиров,Павел Сергеевич Кривоногов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-08-12.

Method of growing pumpkin under rainfed conditions at optimum nutrition area of plants

Номер патента: RU2609902C1. Автор: Валентин Германович Абезин,Вадим Андреевич Моторин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Волгоградский ГАУ). Дата публикации: 2017-02-07.

Method of removing printing ink from waste paper

Номер патента: RU2744563C1. Автор: Александр Семенович Смолин,Мария Александровна Мидукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение "Санкт-Петербургский государственный университет промышленных технологий и дизайна" (СПГУПТД). Дата публикации: 2021-03-11.

Method of operating solid-polymer water electrolyser

Номер патента: RU2560883C1. Автор: Игорь Николаевич Глухих,Юлия Михайловна Федорова. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2015-08-20.

Method of reducing capacitive enclosure leakage currents on power-line filters of radio interference

Номер патента: RU2342758C1. Автор: Андрей Иванович Пономаренко,Игорь Юрьевич Томилин,Юрий Данилович Мишин. Владелец: ОАО "Электроавтоматика". Дата публикации: 2008-12-27.

Method of preparing catalyst for dehydrogenation of paraffin hydrocarbons

Номер патента: RU2391134C2. Автор: Сурен Татевосович Гулиянц,Галина Пантелеевна Гулиянц,Наталья Валерьевна Буторина,Галина Филипповна Шишкина. Владелец: Сурен Татевосович Гулиянц. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of adaptive data multiplexing in ofdma system and transmitting/receiving device thereof

Номер патента: RU2363109C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзу-Хо ЛИ,Дзоон-Янг ЧО,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Юн-Ок ЧО,Петер Юнг,Ахим ЗЕБЕНС,Тобиас ШОЛАНД. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-07-27.

Biologically active additive to food of antioxidant orientation and method of producing biologically active additive to food

Номер патента: RU2642646C2. Автор: Валерий Михайлович Позняковский,Сергей Леонидович Тихонов,Наталья Валерьевна Тихонова,Николай Юрьевич Латков,Александр Васильевич Курдюмов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный экономический университет" (УрГЭУ). Дата публикации: 2018-01-25.

Method of operating engine with turbocharger with bypass valve (variants) and the internal combustion engine

Номер патента: RU2647285C2. Автор: Янь Ван. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-03-15.

Pressurized inerting system

Номер патента: US20240101269A1. Автор: Jonathan Rheaume,Sean C. Emerson. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of treating seeds at a retail seed treatment facility

Номер патента: CA2820282C. Автор: Greg A. Reineccius,Jaco Ernest Van Der Westhuizen,Alan W. Geiss,Bradley W. May,Tharacad S. Ramanarayanan,Marc Jean-Marie Andrieux. Владелец: BAYER CROPSCIENCE LP. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

A method of and an arrangement for improving the lubrication system of a propulsion device of a marine vessel

Номер патента: EP2797811A1. Автор: Peter Schalk,Robert Burger,Bart VAN DER VEN,Koenraad VAN EERSEL,Frank KROOT. Владелец: WÄRTSILÄ FINLAND OY. Дата публикации: 2014-11-05.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20040106275A1. Автор: Nicolaas Van Melick,Theodoor Gertrudis Rijks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of explosives detection

Номер патента: WO1997047958A1. Автор: Robin Walter Hiley. Владелец: The Secretary of State For Defence. Дата публикации: 1997-12-18.

Hybrid inert gas fire suppression system

Номер патента: EP2195095A1. Автор: Robert J. Lade,Robert G. Dunster,Muhidin A. Lelic,Marios C. Soteriou,Giuliano Amantini,Ravi K Madabhushi. Владелец: UTC Fire and Security Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for treating seeds, and seeds obtainable with the method

Номер патента: EP1589802A1. Автор: Hendricus Cornelis Van Deventer,Rudy Mathias Henricus Heijmans,Albert Van Duijn. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for treating seeds, and seeds obtainable with the method

Номер патента: WO2004066710A1. Автор: Hendricus Cornelis Van Deventer,Rudy Mathias Henricus Heijmans,Albert Van Duijn. Владелец: Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwe Tenschappelijk Onderzoek Tno. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of making a half shell

Номер патента: US20210260812A1. Автор: Mario Drebes,Rainer Puchleitner,David PUNTIGAM,Andreas PREITLER. Владелец: Magna Energy Storage Systems GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods of forming polycrystalline compacts

Номер патента: US09889542B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,Danny E. Scott. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a camshaft for an internal combustion engine by expanding a tubular element with a high pressure fluid and simultaneously compressing the tubular element axially

Номер патента: US09821365B2. Автор: Daniele Bassan,Marco Colosseo. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of steel sheet surface treatment and apparatus of the same

Номер патента: US09815172B2. Автор: Yingjie Wang,Jianghua Xu,Shanqing Li,Peilei Qu,Jizhe QUAN,Mingnan Duan. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing high resistivity SOI wafers with charge trapping layers based on terminated Si deposition

Номер патента: US09768056B2. Автор: Igor Peidous,Illaria Katia Marianna Pellicano. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Gas turbine engine with transmission and method of adjusting rotational speed

Номер патента: US09752500B2. Автор: Guy Bouchard,Lazar Mitrovic,Keith Morgan,Jean Dubreuil,Richard Ullyott,Ilya B. MEDVEDEV,Darius Jehangir KARANJIA,Stephen Christopher KENNY,Nashed Azer YOUSSEF. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor

Номер патента: US09568387B2. Автор: Robert C. Hedtke. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Polycrystalline compacts and methods of formation

Номер патента: US09522455B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,Danny E. Scott. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Bit patterned media template including alignment mark and method of using same

Номер патента: US09466324B2. Автор: Hongying Wang,Kim Y Lee,Nobuo Kurataka,Gennady Gauzner,Yautzong Hsu,Shuaigang Xiao. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of growing topinambur

Номер патента: RU2570323C1. Автор: Клим Прохорович Данилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2015-12-10.

Method of producing activated carbon fabric

Номер патента: RU2698744C1. Автор: Дмитрий Николаевич Черненко,Николай Михайлович Черненко,Наталия Юрьевна Бейлина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2019-08-29.

Power supply method of piston internal combustion engine and air supply device for implementation of said method

Номер патента: RU2725310C1. Автор: Александр Николаевич Черников,Эрик Гургенович Ванян,Борис Васильевич Хакимов. Владелец: Борис Васильевич Хакимов. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of reproduction material protection against pest invasion

Номер патента: RU2369096C2. Автор: ХОФЕР Дитер. Владелец: Зингента Партисипейшнс Аг. Дата публикации: 2009-10-10.

Method of determining degree of hardening of polymer composition and device for its implementation

Номер патента: RU2738806C1. Автор: Николай Михайлович Иванов,Ирина Васильевна Коптева,Владимир Владимирович Вахрушев,Анатолий Егорович Немцев. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2020-12-17.

Cylindrical core seal and method of sealing assembly in core holder

Номер патента: RU2720208C1. Автор: Данис Карлович Нургалиев,Александр Александрович Макаров,Андрей Николаевич Грачев,Михаил Алексеевич Варфоломеев,Владислав Анатольевич Судаков,Раушан Маликович Сабирьянов,Александр Владимирович Болотов,Ильгиз Фаильевич Минханов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-04-28.

Method for welding and building up metal components made of aluminium by the method of arc welding by metallic electrode in the medium of inert gas with pulsed current and pulsed filler wire

Номер патента: RU2627088C2. Автор: Жан-Батист МОТТЕН,Жан-Франсуа КАСТАНЬ,Тьерри БОДЭН,Александр Янн Мишель БЕНУА,Паскаль ПАЙАР. Владелец: Юниверсите Пари Сюд (Юпс). Дата публикации: 2017-08-03.

Method of making a semiconductor structure with a plating enhancement layer

Номер патента: US20070166996A1. Автор: Shom Ponoth,Terry Spooner,John Fitzsimmons,Steven Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Method and apparatus for controlling the power of a high-pressure gas-discharge lamp

Номер патента: US6051939A. Автор: Klaus Eckert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-04-18.

Method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20090265917A1. Автор: Masanori Tachibana,Koichi Sugimoto,Yoshiyuki Ikeda,Kazuaki Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of stopping combustion in restrained combustion furnace in safety and combustion stop system therefor

Номер патента: US5048430A. Автор: Hiroaki Kawai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1991-09-17.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Bit patterned media template including alignment mark and method of using same

Номер патента: US09964855B2. Автор: Hongying Wang,Nobuo Kurataka,Kim Y. Lee,Gennady Gauzner,Yautzong Hsu,Shuaigang Xiao. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Stand for testing of downhole equipment filled with gaseous hydrocarbon by external hydraulic pressure at high temperatures

Номер патента: RU2634093C1. Автор: Александр Юрьевич Андрюшкин,Михаил Юрьевич Афанасьев,Олег Игоревич Фёдоров,Максим Юрьевич Михеенков,Алексей Иванович Никитин,Андрей Валерьевич Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "РОСНА Инжиниринг". Дата публикации: 2017-10-23.

Method of and device for transportation of flat articles

Номер патента: RU2264970C2. Автор: Алекс КЕЛЛЕР. Владелец: Фераг Аг. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Method of production of cold

Номер патента: RU2133418C1. Автор: А.В. Гурьянов. Владелец: Гурьянов Александр Владимирович. Дата публикации: 1999-07-20.

Method and device for high-pressure gas suppression system control

Номер патента: RU2427403C2. Автор: Бруно ЛЮДЕРС,Грегор ВИЛЬДЕРМУТ. Владелец: Тоталь Вальтер Гмбх Фойершутц Унд Зихерхайт. Дата публикации: 2011-08-27.

Method of controlling fuel pump with common hydraulic directional valve and device to this end

Номер патента: RU2446301C1. Автор: Джеймс СИНКЛЕР. Владелец: Делфи Текнолоджиз Холдинг С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of crop production

Номер патента: US20090247405A1. Автор: Phillip E. Ricks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Methods of aseptically transporting bulk quantities of sterile products

Номер патента: EP1027270A1. Автор: Charles E. Smith,Jeffrey B. Raasch. Владелец: Enerfab Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Method of automatically setting purge mode of stb and system for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20230402296A1. Автор: Young Woo Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

High Pressure Valve and Transmission Safety Checks

Номер патента: WO2017058262A1. Автор: Derek Williams,Charles E. Neal, III,James D. Funkhouser,Chip L. IMEL. Владелец: Halliburton Energy Services Inc.. Дата публикации: 2017-04-06.

Flavonol expressing domesticated tomato and method of production

Номер патента: US20050160495A1. Автор: Rogerio Prata,Gerson Graser,Vincenzo Deluca,Michael Willits,Catherine Kramer. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2005-07-21.

Flavonol expressing domesticated tomato and method of production

Номер патента: US20110113500A1. Автор: Gerson Graser,Michael G. Willits,Rogerio T.N. Prata,Vincenzo Deluca,Catherine M. Kramer. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2011-05-12.

Flavonol expressing domesticated tomato and method of production

Номер патента: EP1515600A2. Автор: Michael G. Willits,Vincenzo Fonthill Canada DELUCA,Gerson Cary North Carolina GRASER,Catherine M. Hillsborough North Carolina KRAMER,Rogerio T.N. Chapel Hill North Carolina PRATA. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2005-03-23.

Flavonol expressing domesticated tomato and method of production

Номер патента: WO2003105568A2. Автор: Gerson Graser,Michael G. Willits,Rogerio T.N. Prata,Vincenzo Deluca,Catherine M. Kramer. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2003-12-24.

High-pressure manifold for well stimulation material delivery

Номер патента: CA3113779C. Автор: William Owen Alexander Ruhle,Geoffrey Wedell Gullickson,John Dean Stabenau,Jon Preston Doucette,Richard David Grisinger. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140105235A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim,Ki Seok Jang,JiHo JOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor lasers

Номер патента: US8936951B2. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim,Ki Seok Jang,JiHo JOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-01-20.

Systems and methods for high pressure assembly of electrochemical cells

Номер патента: WO2023147370A1. Автор: Naoki Ota,Yuki Kusachi,Junzheng CHEN,Ryan Michael LAWRENCE,Matthew Bonju LIM,Bradley Richard Mileson. Владелец: 24M Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-08-03.

Thermal treatment method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20120241912A1. Автор: Koji Araki,Takeshi Senda. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Improvements in high-pressure resin transfer moulding and compression resin transfer moulding

Номер патента: WO2018077564A1. Автор: Thomas Hughes,Teodor CHICIUDEAN. Владелец: JAGUAR LAND ROVER LIMITED. Дата публикации: 2018-05-03.

Enriching the Seed Quality of a Batch of Seeds

Номер патента: US20120023815A1. Автор: Jacques Rene Alphons De Koning. Владелец: Monsanto Holland BV. Дата публикации: 2012-02-02.

Enriching the seed quality of a batch of seeds

Номер патента: US8341876B2. Автор: Jacques Rene Alphons De Koning. Владелец: Monsanto Holland BV. Дата публикации: 2013-01-01.

Enriching the seed quality of a batch of seeds

Номер патента: EP2393599A1. Автор: Jacques Rene Alphons De Koning. Владелец: Monsanto Holland BV. Дата публикации: 2011-12-14.

Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter

Номер патента: US09912314B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170054432A1. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Номер патента: US09768057B2. Автор: Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Francois Boedt,Nadia Ben Mohamed,Carole David,Isabelle Guerin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of making interconnect structure

Номер патента: US09748134B2. Автор: Yu-Yun Peng,Joung-Wei Liou,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

System and method of transferring matter through a sealed container

Номер патента: US09643746B1. Автор: Paul E. Lunn. Владелец: Pepsico Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of etching and cleaning wafers

Номер патента: US09583352B2. Автор: Shao-Yen Ku,Yung-Li TSAI,Wen-Chang Tsai,Jui-Chuan Chang,Hsieh-Ching WEI,Yuan Chih CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof

Номер патента: US09525398B1. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09502532B2. Автор: Kwan Heum Lee,Dong Chan Suh,Hong Bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of preparing polar components of switch for low-voltage distributor, distributor of medium voltage and high-voltage distributor as well as polar component

Номер патента: RU2355063C1. Автор: Дитмар ГЕНЧ,Оливер КЛАУС. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2009-05-10.

METHOD OF GROWING BY OTF METHOD Cd1-xZnxTe, WHERE 0≤x≤1, DIAMETER UP TO 150 mm

Номер патента: RU2009136918A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: Владимир Борисович Цветовский (RU). Дата публикации: 2011-04-20.

PROCEDURE FOR GROWTH OF Cd1-XZnXTe BY METHOD OF AHF (AXIAL HEAT FRONT), WHERE 0≤x≤1 OF DIAMETRE TO 150 mm

Номер патента: RU2434976C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Светлана Викторовна Быкова. Дата публикации: 2011-11-27.

Method of growing star-shaped single crystals of refractory oxides by verneuil method

Номер патента: RU2124077C1. Автор: В.П. Герасимов,Фахраддин Халыгверди оглы Гусейнов,Д.М. Левин. Владелец: Левин Даниил Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2011-02-10.

Method of preparation of optically transparent single crystals of terbium-gallium garnet

Номер патента: RU2328561C1. Автор: Игорь Анатольевич Иванов,Алексей Михайлович Бульканов. Владелец: Закрытое акционерное общество "НИИ материаловедения". Дата публикации: 2008-07-10.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of generating gas stream in hypersonic rarefied-air wind tunnel and wind tunnel

Номер патента: RU2482457C1. Автор: Сергей Леонидович Чернышев,Валерий Григорьевич Кехваянц,Виктор Владимирович Подлубный. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2013-05-20.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

High pressure application of adhesive in fibre mixture

Номер патента: RU2332298C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: КРОНОСПАН ТЕКНИКАЛ КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2008-08-27.

Method of technical diagnosis of fuel system of diesel motor-and-tractor engines

Номер патента: RU2545118C2. Автор: Владимир Моисеевич Лившиц,Александр Абрамович Моносзон,Сергей Петрович Пятин,Владимир Григорьевич Кошевой,Семён Валерьевич Крашенинников. Владелец: Государственное научное учреждение Сибирский научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ СибИМЭ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-03-27.

The method of cleaning and growing single crystals

Номер патента: SU445463A1. Автор: Алексей Николаевич Киргинцев,Ида Ивановна Горбачева. Владелец: Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР. Дата публикации: 1974-10-05.

Method of growing low-dislocation single crystals of gallium arsenide

Номер патента: SU1730217A1. Автор: Виктор Александрович Савельев,Владимир Алексеевич Антонов,Михаил Алексеевич Булеков,Юрий Анатольевич Алешин. Владелец: Научно-исследовательский институт материаловедения им.А.Ю.Малинина. Дата публикации: 1992-04-30.

Method of growing optically transparent single crystals of terbium-gallium garnet

Номер патента: RU2328560C1. Автор: Игорь Анатольевич Иванов,Алексей Михайлович Бульканов,Игорь Анатольевич Иванов (RU),Алексей Михайлович Бульканов (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "НИИ материаловедения". Дата публикации: 2008-07-10.

Method of growing iridium substituted single crystals

Номер патента: CA758000A. Автор: A. Kohn Jack,Tauber Arthur,Robert O. Savage, Jr.. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1967-05-02.

Method of growing strain-free single crystals

Номер патента: CA845081A. Автор: R. Pastore John. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1970-06-23.

Method of growing compound semiconductor single crystal thin film

Номер патента: JPH0782991B2. Автор: 潤一西澤,仁志阿部,壮兵衛鈴木. Владелец: 沖電気工業株式会社. Дата публикации: 1995-09-06.

Method of growing alpha-alumina single crystal ribbons

Номер патента: CA816668A. Автор: J. Shyne James,V. Milewski John. Владелец: THERMOKINETIC FIBERS. Дата публикации: 1969-07-01.

Method of sterile perfluorocarbon emulsions preparing for artificial perfluorocarbon blood substitutes

Номер патента: RU2200544C1. Автор: . Владелец: Воробьев Сергей Иванович. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL137182B1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1986-05-31.

BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, METHOD OF PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, AND METHOD OF PRODUCING BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM

Номер патента: US20120021173A1. Автор: Shimada Hiroyuki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of yttrium-aluminium garnets' laser single crystals preparation,doped by neodymium iones,if need be,also by cerium or chromium iones

Номер патента: CS154788A1. Автор: Josef Ing Csc Kvapil,Jiri Ing Drsc Kvapil,Bohumil Ing Csc Perner. Владелец: Perner Bohumil. Дата публикации: 1989-07-12.

EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE OF EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130009170A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Method of generating broadband high-brightness optical radiation

Номер патента: RU2571433C1. Автор: Николай Германович Соловьев,Михаил Юрьевич Якимов,Аркадий Матвеевич Сорока,Игорь Георгиевич Рудой. Владелец: Игорь Георгиевич Рудой. Дата публикации: 2015-12-20.

A kind of Seed crystal substrate original position method of attachment of isoepitaxial growth single-crystal diamond

Номер патента: CN104878447B. Автор: 王强,杨磊,朱嘉琦,代兵,王杨,刘康,舒国阳,陈亚男,赵继文,孙明琪,韩杰才. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2017-03-01.

Czochralski method prepares the method for drawing thin neck during silicon single crystal rod

Номер патента: CN105177703B. Автор: 程志,王会敏,颜超,刘钦,何京辉,曹祥瑞,周子江,陈二星. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL237181A1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1984-01-02.

METHOD OF MEASURING DEFECT DENSITY OF SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20120016630A1. Автор: . Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20120286389A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by using the method, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method

Номер патента: US20120313114A1. Автор: LEE Dong-Hyun,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of Manufacturing Thin Film Transistor, Thin Film Transistor Manufactured Using the Method, Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Apparatus, and Organic Light-Emitting Display Apparatus Manufactured Using the Method

Номер патента: US20120326157A1. Автор: PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrite-garnet films

Номер патента: SU1444887A1. Автор: Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1988-12-15.

Method of pressure welding of metal single crystals

Номер патента: SU1237352A1. Автор: Виталий Николаевич Голубев,Валерий Кузьмич Бердин,Алексей Анатольевич КРУГЛОВ. Владелец: Уфимский Ордена Ленина Авиационный Институт Им.Серго Орджоникидзе. Дата публикации: 1986-06-15.

Method of treatment of alkali-halide single crystals

Номер патента: SU1730222A1. Автор: Александр Владимирович Шапурко. Владелец: Центр Научно-Технического Творчества Молодежи "Антарес". Дата публикации: 1992-04-30.

Test method of residual stress of silicon single crystal piece

Номер патента: CN102435361B. Автор: 刘剑,徐永平. Владелец: YANGZHOU JIANGXIN ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

The recrystallization tendentiousness evaluation method of nickel-base high-temperature single crystal alloy hot investment casting process

Номер патента: CN109724556A. Автор: 王亮,李金国,金涛,孙晓峰,孟杰,荀淑玲,黄举,邹明科. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of correcting plane-azimuth of single crystal and device therefor

Номер патента: JPH01140962A. Автор: Kenichi Furukawa,賢一古川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-02.

Method of polishing and etching tungsten single crystals

Номер патента: SU473513A1. Автор: Луиза Евгеньевна Макарова,Юрий Иванович Рагозин. Владелец: Пермский политехнический институт. Дата публикации: 1975-06-14.

Substrate holder for silicon carbide epitaxial growth and method of manufacturing epitaxial silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: JP6671161B2. Автор: 伊藤　　渉,泰三星野,崇藍郷,伊藤　渉,昭義立川,昌芳清水. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-03-25.

Preparation method of perovskite structure lead titanate single crystal nanoparticles

Номер патента: CN102677145A. Автор: 沈鸽,韩高荣,任召辉,尹思敏,钞春英. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of revealing structural defects in single crystals of germanium

Номер патента: SU1710605A1. Автор: Игорь Николаевич Воронов,Наталия Викторовна Ганина,Джаханкир Аждарович Зейналов. Владелец: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 1992-02-07.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrit-garnet films

Номер патента: SU1539839A1. Автор: Александр Михайлович Гришин,Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко,Юрий Викторович Мелихов. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1990-01-30.

Method of making profiled openings in single-crystal specimens

Номер патента: SU618291A1. Автор: Николай Петрович Катрич,Наталья Степановна Сидельникова. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1978-08-05.

Test method of residual stress of silicon single crystal piece

Номер патента: CN102435361A. Автор: 刘剑,徐永平. Владелец: YANGZHOU JIANGXIN ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Method of diffusion welding of corundum single crystals

Номер патента: SU1328118A1. Автор: Леонид Аркадьевич Литвинов,Валерьян Владимирович Пищик. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1987-08-07.

Method of treatment of alkali-halide single crystals

Номер патента: SU1730221A1. Автор: Александр Владимирович Шапурко. Владелец: Центр Научно-Технического Творчества Молодежи "Антарес". Дата публикации: 1992-04-30.

Manufacturing method of optical fiber for manufacturing single crystal fiber optical waveguide structure

Номер патента: JP2913006B2. Автор: 紀男大西. Владелец: KOGYO GIJUTSU INCHO. Дата публикации: 1999-06-28.

Method of studying dilatometric irregularities in single crystals using x-ray interferometry

Номер патента: SU1679313A1. Автор: Петрос Акопович Безирганян,Арсен Оганесович Абоян,Андраник Александрович Хзарджян,Сирануш Еноковна Безирганян. Владелец: Ереванский государственный университет. Дата публикации: 1991-09-23.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of non-linear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2371746C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2009-10-27.

Processing method of charge rod for pulling single crystal

Номер патента: JP3631425B2. Автор: 三二落合,健志山本. Владелец: 住友チタニウム株式会社. Дата публикации: 2005-03-23.

A kind of growth method of large size gallium oxide single crystal and growing apparatus

Номер патента: CN103541008B. Автор: 罗平,徐军,唐飞,吴锋,姜大朋,唐慧丽,钱小波,王静雅. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2016-01-06.

Method of selective ethcing of paratellurite single crystals

Номер патента: SU983154A1. Автор: Станислав Степанович Коляго,Ольга Васильевна Дроздова,Татьяна Петровна Аксенова. Владелец: Институт геологии и геофизики СО АН СССР. Дата публикации: 1982-12-23.

Method of diffusion welding of corundum single crystals

Номер патента: SU1315199A1. Автор: Елена Рувимовна Добровинская,Леонид Аркадьевич Литвинов,Валерьян Владимирович Пищик. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1987-06-07.

METHOD OF CULTIVATION OF CHLOROUS POTASSIUM SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU1589688A1. Автор: Ю.М. Карпов,Л.П. Смольская,И.О. Вааг,А.С. Самбуева,В.В. Лызганов,Т.Г. Юрьева. Владелец: Иркутский государственный университет. Дата публикации: 1999-03-27.

METHOD OF CULTIVATION OF LITHIUM IODATE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU1290762A1. Автор: А.И. Белов,Л.И. Исаенко,В.Г. Якушев,Л.С. Денькина. Владелец: Специальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССР. Дата публикации: 2000-03-27.

The preparation method of network branched silicon nitride single crystal nanostructure with high purity and high yield

Номер патента: CN101603207A. Автор: 刘宝林,于翔,朱娜,岳�文,王成彪,付志强,彭志坚,杨甘生. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2009-12-16.

Evaluation and management method of sandblast condition in silicon single crystal wafer

Номер патента: JP2762193B2. Автор: 浩山本,庄司中村,幹男平原,盛明鳥越,直之高松. Владелец: Naoetsu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-04.

Simple measurement method of Si concentration in GaP single crystal

Номер патента: JP3003508B2. Автор: 宗久柳沢,秀利松本,進有坂. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-31.

Method of production of atomic-thin single-crystal films

Номер патента: RU2511073C1. Автор: Евгений Германович Шустин,Юрий Ильич Латышев,Вадим Вячеславович Песков,Илья Леонидович Клыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-04-10.

Smelting method of low silicon high calcium single crystal electric melting magnesite clinker

Номер патента: CN100420646C. Автор: 崔凤海. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-24.

Growth method of scorched yttrium silicate scintillation single crystal by means of floating zone

Номер патента: CN101665982B. Автор: 张卫东,冯鹤,陆晟,任国浩,丁栋舟,潘尚可. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of reducing lattice defects of single crystal

Номер патента: JPS5333569A. Автор: Takanori Hayafuji,Seiji Kawato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-03-29.

Method of mechanical treatment of anisotropic single crystals, in particular, monoclinic syngony

Номер патента: UA71836C2. Автор: Yevhen Mykolaiovych Pyrohov,Volodymyr Diomydovych Ryzhykov,Vadym Ivanovych Kryvoshein,Serhii Mykolaiovych Kozlov,Inna Petrivna Babiichuk,Valerii Hryhoriiovych Bondar,Liudmyla Lavrentiievna Nahorna. Владелец: Inst Scintillation Materials O. Дата публикации: 2006-07-17.

Method of making magnesium titanate mgtio3 single crystal

Номер патента: JPS5343099A. Автор: Shigeyuki Kimura,Isamu Shindou. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1978-04-18.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Method of growing herbs for green fodder and seeds on sod-podzol sandy loam soil of central non-black earth area

Номер патента: RU2511752C2. Автор: Владимир Николаевич Баринов. Владелец: Владимир Николаевич Баринов. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of increasing salt tolerance of plants (versions)

Номер патента: RU2445759C1. Автор: Людмила Магомедовна Апашева,Павел Андреевич Сахаров,Геннадий Германович Комиссаров,Андрей Михайлович Сахаров. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН (ИХФ РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of monocrystals growing from a melt

Номер патента: RU2222647C1. Автор: В.И. Куликов,В.А. Харченко,В.И. Амосов,Е.Н. Бирюков. Владелец: ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ". Дата публикации: 2004-01-27.

Method of growing seedlings

Номер патента: RU2505953C1. Автор: Надежда Евгеньевна Кузнецова,Юрий Васильевич Томилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российский государственный аграрный университет-МСХА имени К.А. Тимирязева (ФГБОУ ВПО РГАУ-МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2014-02-10.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR GENERATING ENERGY BY MEANS OF THERMAL CYCLES WITH HIGH PRESSURE AND MODERATE TEMPERATURE STEAM

Номер патента: US20120000202A1. Автор: Menéndez Salcedo José María,Angulo Aramburu Jerónimo. Владелец: SENER GRUPO DE INGENIERIA, S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing ramson

Номер патента: RU2525340C2. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Нурбек Ломалиевич Адаев,Эльбек Альбертович Мачигов,Адам Несархоевич Дирезов. Владелец: Государственное научное учреждение Чеченский научно-исследовательский институт сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2014-08-10.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of carbon-free castable high-temperature alloys on nickel base

Номер патента: RU2278902C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Виктор Васильевич Сидоров,В чеслав Петрович Бунтушкин,Вячеслав Петрович Бунтушкин,Алексей Иванович Трегубов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2006-06-27.

Method of growing crystals of silver and thallium halides

Номер патента: RU2487202C1. Автор: Галина Васильевна Полякова,Михаил Сергеевич Кузнецов,Валерий Филиппович Голованов,Игорь Серафимович Лисицкий. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2013-07-10.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS OF DETERMINING PATIENT PHYSIOLOGICAL PARAMETERS FROM AN IMAGING PROCEDURE

Номер патента: US20120004561A1. Автор: John Kalafut F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-STROKE DELIVERY PUMPING MECHANISM FOR A DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004639A1. Автор: Schoonmaker Ryan,Bruehwiler Michel,Rosen Melissa,Ira Spool. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPEN AND CLOSED VALVE MEDICATION DELIVERY SYSTEM FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004640A1. Автор: Spool Ira,Schoonmaker Ryan,Rosen Melissa,Michel Bruehwiler. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DUAL-CHAMBERED DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004641A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF GROWING MYCELIUM OF Grifola frondosa

Номер патента: RU2485758C1. Автор: Раиса Александровна Карначук,Людмила Олеговна Соколянская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2013-06-27.

Method of washing gourds seed after separation from fruit and device for its implementation

Номер патента: RU2533359C2. Автор: Валентин Германович Абезин,Алексей Львович Сальников,Ольга Николаевна Беспалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный университет". Дата публикации: 2014-11-20.

INERT GAS PURGING SYSTEM FOR AN ORC HEAT RECOVERY BOILER

Номер патента: US20120000200A1. Автор: Freund Sebastian W.,Lehar Matthew Alexander,Frey Thomas Johannes,Ast Gabor,Huck Pierre Sebastien,Kopecek Herbert,Scharl Albert Andreas,Martini Mario,Castellani Paolo,Seghi Giacomo,Amato Vincenzo,Cappelli Mauro,Bartolozzi Stefano. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of drying seeds in fixed bed

Номер патента: RU2489656C1. Автор: Александр Викторович Голубкович,Сергей Анатольевич Павлов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства (ГНУ ВИМ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-08-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of planting cereal crops and device for its implementation

Номер патента: RU2447637C2. Автор: Владимир Александрович Милюткин,Николай Федорович Стребков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2012-04-20.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of biotesting on seed germination

Номер патента: RU2492473C2. Автор: Петр Матвеевич Мазуркин,Оксана Юрьевна Евдокимова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет. Дата публикации: 2013-09-10.

Method and Control Apparatus for Controlling a High-Pressure Fuel Supply Pump

Номер патента: US20120000445A1. Автор: Tokuo Kenichiro,Watanabe Masanori,BORG Jonathan. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of localisation of explosions of methan-air mixture and/or coal dust in underground mine workings and facility for implementation of this method (versions)

Номер патента: RU2342535C1. Автор: Виктор Прокопьевич Тациенко,Дмитрий Иванович Адамидзе,Анатолий Владимирович Джигрин,Андрей Юрьевич Горлов,Юрий Владимирович Горлов,Константин Владимирович Горлов. Владелец: ЗАО "Межведомственная комиссия по взрывному делу при Академии горных наук" (ЗАО "МВК по ВД при АГН"). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of Electron Diffraction Tomography

Номер патента: US20120001068A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20120004322A1. Автор: . Владелец: MORINAGA & CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEEDING APPARATUS AND METHOD OF DETERMINING A SEED SPACING VARIABILITY VALUE

Номер патента: US20120004768A1. Автор: Walter Jason D.,Peterson James R.,Schweitzer John M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of wild-growing hemp control by overseeding hogweed sosnowskyi

Номер патента: RU2463772C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Сергей Содномович Доржиев,Елена Геннадьевна Базарова,Инна Баировна Патеева. Владелец: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2012-10-20.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС". Дата публикации: 1998-04-10.

Method of producing natural thermoplastic polymer (versions)

Номер патента: RU2508300C1. Автор: Геннадий Викторович Сакович,Сергей Гаврилович Ильясов,Виктор Александрович Черкашин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химико-энергетических технологий Сибирского отделения Российской академии наук (ИПХЭТ СО РАН). Дата публикации: 2014-02-27.

Method of producing 1,5-bis(2-hydroxyphenoxy)-3-oxapentane monohydrate

Номер патента: RU2483055C1. Автор: Роман Александрович Санду,Нина Владимировна Цирульникова,Татьяна Сергеевна Фетисова,Валентина Николаевна Глушко,Лидия Иосифовна Блохина,Алексей Михайлович Немерюк. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ" Министерства Образования И Науки Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC

Номер патента: RU2454491C2. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Сергей Иванович Дорожкин,Андрей Олегович Лебедев,Олеся Валерьевна Посредник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛАДЛТИ-рост". Дата публикации: 2012-06-27.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of pest control of stock of pea seeds - pea beetle during storage period

Номер патента: RU2403700C2. Автор: Вячеслав Викторович Светухин,Анатолий Иванович Капустин,Игорь Олегович Золотовский,Анвар Гумерович Галиакберов,Исхак Файзрахманович Тимергалиев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ульяновский государственный университет. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of growing broilers

Номер патента: RU2512365C2. Автор: Михаил Эрикович Бураев,Людмила Петровна Луцкая,Елена Викторовна Шацких,Вячеслав Владимирович Котомцев,Павел Юрьевич Горохов,Антон Михайлович Бураев,Олег Германович Макеев,Галина Петровна Бураева,Елена Геннадьевна Кобелева,Раиса Викторовна Коротаева,Александр Леонидович Цыпленков,Галина Ивановна Можейко,Андрей Евгеньевич Разбицкий,Александр Борисович Матлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сорбент-К". Дата публикации: 2014-04-10.

Method of growing jerusalem artichoke plants

Номер патента: RU2534350C2. Автор: Виктор Иванович Старовойтов,Оксана Анатольевна Старовойтова,Юрий Павлович Бойко,Александра Анатольевна Манохина,Валентина Васильевна Бойко,Дмитрий Владимирович Черников,Ирина Валентиновна Шмыгля,Александр Николаевич Феоктистов. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственная фирма "АгроНИР" (ЗАО НПФ "АгроНИР"). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of and device for emptying damaged section of product line

Номер патента: RU2307283C2. Автор: Виктор Григорьевич Карамышев,Асгат Галимь нович Гумеров,Асгат Галимьянович Гумеров,Шамиль Исмагилович Рахматуллин,Владимир Станиславович Станев,Рустам Гиндулович Шагиев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Институт проблем транспорта энергоресурсов" ГУП "ИПТЭР". Дата публикации: 2007-09-27.

Method of producing first fillmass

Номер патента: RU2371480C1. Автор: Анатолий Иванович Громковский,Николай Николаевич Бражников,Андрей Анатольевич Громковский,Юлия Ивановна Последова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of under glass growing of seedling suitable for mechanised planting in open soil

Номер патента: RU2359447C2. Автор: Земфира Абдул-Мудалифовна Джашеева,Алибек Абдул-Мудалифович Джашеев. Владелец: Алибек Абдул-Мудалифович Джашеев. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of growing one-clover bulbs from garlic bulbils and storage building for it

Номер патента: RU2459406C1. Автор: Антон Викторович Лещев. Владелец: Антон Викторович Лещев. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of treatment of the seeds of the soya beans

Номер патента: RU2276941C1. Автор: Андрей Георгиевич Кощаев. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-05-27.

Method of growing pigs and device for its implementation

Номер патента: RU2506745C2. Автор: Виктор Константинович Найденко,Владимир Валерьевич Нефедов,Алексей Валерьевич Трифанов. Владелец: Государственное научное учреждение Северо-Западный научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ СЗНИИМЭСХ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2014-02-20.

Method of capsulating seeds

Номер патента: RU2537195C2. Автор: Геннадий Витальевич Кореневский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эколот". Дата публикации: 2014-12-27.

Method of growing profiled crystalls of high-melting compounds

Номер патента: RU2534144C1. Автор: Валерий Иванович Выбыванец,Сергей Анатольевич Конарев,Дмитрий Яковлевич Кравецкий,Константин Александрович Остапенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of preparing carnallite ore for electrolytic production of magnesium and chlorine

Номер патента: RU2380317C1. Автор: Николай Александрович Шундиков,Валерий Владимирович Тетерин,Илья Николаевич Бездоля,Игорь Анатольевич Сизиков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2010-01-27.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing timothy grass for seeds

Номер патента: RU2373688C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Элеонора Александровна Цагараева,Владимир Харитонович Плиев,Александр Анатольевич Битиев,Сарра Абрамовна Бекузарова (RU),Элеонора Александровна Цагараева (RU),Владимир Харитонович Плиев (RU),Александр Анатольевич Битиев (RU). Владелец: Государственное научное учреждение Северо-Кавказский научно-исследовательский институт горного и предгорного сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of growing bulk monocrystals of alexandrite

Номер патента: RU2471896C1. Автор: Денис Александрович Винник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)). Дата публикации: 2013-01-10.

Method of production of the granulated solid fuel and the installation for the method realization

Номер патента: RU2314335C2. Автор: Игорь Андреевич Коробецкий,Олег Владимирович Струпалев. Владелец: Олег Владимирович Струпалев. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of growing grapes

Номер патента: RU2482664C1. Автор: Людмила Алексеевна Майстренко,Надежда Александровна Яковлева. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ВИНОГРАДАРСТВА И ВИНОДЕЛИЯ ИМЕНИ Я.И. ПОТАПЕНКО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ НАУК (ГНУ ВНИИВ и В). Дата публикации: 2013-05-27.

Method of assessment of soil suitability for growing crops

Номер патента: RU2560515C1. Автор: Насих Гозаерович Гимадиев,Газинур Хатимович Хабибрахманов. Владелец: Газинур Хатимович Хабибрахманов. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forecasting of storage of fruit and berries (versions)

Номер патента: RU2485754C1. Автор: Сергей Викторович Мурашев,Владимир Григорьевич Вержук,Александр Леонидович Бобко. Владелец: Александр Леонидович Бобко. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of sunflower oil production

Номер патента: RU2337946C1. Автор: Елена Павловна Корнена,Сергей Кязимович Мустафаев,Сергей К зимович Мустафаев,Анна Сергеевна Мустафаева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2008-11-10.

Method of producing indium phosphide monocrystals

Номер патента: RU2462541C2. Автор: Валерий Геннадьевич Елсаков,Юрий Лукьянович Бабокин,Владимир Иванович Макалкин,Ярослав Сергеевич Мельников,Игорь Николаевич Цыпленков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин". Дата публикации: 2012-09-27.

Method of increasing sowing qualities of seeds and disease resistance of sprouts

Номер патента: RU2476052C1. Автор: Николай Андреевич Табаков,Елена Александровна Козина,Валентина Федоровна Терехова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Красноярский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-02-27.

Method of growth of monocrystal disks out of high-melting metals and device for its implementation

Номер патента: RU2553905C2. Автор: Сергей Владимирович Алексеев,Александр Сергеевич Шевченко,Борис Александрович Евдокимов,Валерий Давидович Афанасьев,Валерий Иванович Выбыванец,Алексей Евгеньевич Желтухин,Юлия Валерьевна Родягина,Александр Наурузович Шотаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2015-06-20.

Method of growing feed mixture

Номер патента: RU2457649C1. Автор: Дмитрий Михайлович Панков,Виктор Маркович Важов,Юлия Александровна Мерзликина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайская государственная академия образования имени В.М. Шукшина". Дата публикации: 2012-08-10.

Method of control of dodder on seed crops of alfalfa

Номер патента: RU2450513C2. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Нурбек Ломалиевич Адаев,Шаарани Мусаевич Абасов,Умар Баудинович Эрсмурзаев. Владелец: Государственное научное учреждение Чеченский научно-исследовательский институт сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-05-20.

Method of growing tomato seedlings in protected ground

Номер патента: RU2494605C1. Автор: Марина Ивановна Сысоева,Елена Георгиевна Шерудило,Татьяна Геннадиевна Шибаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биологии Карельского научного центра Российской академии наук (ИБ КарНЦ РАН). Дата публикации: 2013-10-10.

Method of increasing milking capacity of mink females

Номер патента: RU2492635C1. Автор: Татьяна Михайловна Демина,Ольга Владимировна Растимешина,Константин Владимирович Харламов,Елена Валерьевна Кровина,Анастасия Альвиановна Озерина. Владелец: Государственное научное учреждение Научно-исследовательский институт пушного звероводства и кролиководства имени В.А. Афанасьева Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ НИИПЗК Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-09-20.

Method of presowing cultivation of mustard seeds with electromagnetic field of super high frequency

Номер патента: RU2373676C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,Галина Ивановна Цугленок,Андрей Васильевич Мещеряков,Анна Петровна Халанская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Красноярский Государственный аграрный университет. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Method of growing rice

Номер патента: RU2457672C2. Автор: Вячеслав Алексеевич Попов,Вячеслав Тимофеевич Островский,Николай Вячеславович Островский,Жорж Валерьевич Кизюн. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2012-08-10.

Method of presowing treatment of seeds of agricultural plants

Номер патента: RU2463757C1. Автор: Зоя Ивановна Усанова,Иван Викторович Шальнов,Наталья Николаевна Иванютина,Татьяна Ивановна Сутягина,Надежда Васильевна Бабич. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО "Тверская государственная сельскохозяйственная академия"). Дата публикации: 2012-10-20.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-35 ZEOLITIC COMPOSITION, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES

Номер патента: US20120003147A1. Автор: . Владелец: UOP LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY SYSTEM HAVING A CHAMBER CONTAINING INERT GAS

Номер патента: US20120003513A1. Автор: Fuhr Jason. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Czochralski's method of growing paratellurite monocrystals from liquid melt

Номер патента: RU2614703C1. Автор: Иван Александрович Каплунов,Александр Игоревич Колесников,Сергей Андреевич Третьяков,Кристина Александровна Морозова,Игорь Константинович Долгих,Михаил Альбертович Миняев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2017-03-28.

Method of combat grain crops seed diseases, packed for storage

Номер патента: RU2460275C2. Автор: Борис Георгиевич Цугкиев,Сарра Абрамовна Бекузарова,Валентина Батырбековна Цугкиева,Лариса Хазбечировна Тохтиева,Царай Алиханович Хекилаев,Элина Александровна Тохтиева. Владелец: Государственное научное учреждение "Северо-Кавказский научно-исследовательский институт горного и предгорного сельского хозяйства" Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of production of a high-enriched isotope - silicon-28

Номер патента: RU2265476C2. Автор: В.В. Сенченко,И.И. Пульников,бухин А.В. Р,А.В. Рябухин,Г.А. Шарин,А.А. Палиенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "ПО Электрохимический завод". Дата публикации: 2005-12-10.

Method of determining degree of contamination of leguminous crops seeds by phytopathogenic bacteria of genus pseudomonas syringae

Номер патента: RU2492611C1. Автор: Владимир Владиславович Котляров,Дмитрий Юрьевич Донченко,Денис Владимирович Котляров,Евгений Сергеевич Багрянцев,Елена Карлеоновна Яблонская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-09-20.

Method of growing rice

Номер патента: RU2493695C2. Автор: Евгений Михайлович Харитонов,Татьяна Николаевна Бондарева,Гагик Гургенович Фанян,Асхад Хазретович Щеуджен,Сергей Владимирович Кизинек,Алексей Павлович Науменко,Аслан Капланович Шхапацев. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт риса Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИ риса Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-09-27.

Method of restoration of multi-species steppe vegetation

Номер патента: RU2481761C2. Автор: Джантемир Сосренович Дзыбов,Валерий Владимирович Кулинцев. Владелец: ГНУ Ставропольский научно-исследовательский институт сельского хозяйства Россельхозакадемии. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of growing mixed cobalt-nickel-potassium sulphate crystals for ultraviolet range optical filters

Номер патента: RU2547739C1. Автор: Алексей Эдуардович Волошин,Наталья Андреевна Васильева,Марина Сергеевна Григорьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, (ИК РАН). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing large-size gallium antimonide monocrystals

Номер патента: RU2528995C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество " Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО " Гиредмет". Дата публикации: 2014-09-20.

Natural gas distribution method with simultaneous production of liquefied gas at transportation to consumer from high-pressure main pipeline to low-pressure pipeline

Номер патента: RU2534832C2. Автор: Виктор Михайлович Гуреев,Герман Викторович Демидов,Михаил Викторович Гуреев,Эмануил Борисович Мац. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2014-12-10.

Method of production of green hydroponic fodder

Номер патента: RU2524538C2. Автор: Иван Михайлович Осадченко,Иван Фёдорович Горлов,Оксана Владимировна Харченко,Наталья Ивановна Мосолова,Елена Юрьевна Злобина. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт производства и переработки мясомолочной продукции Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2014-07-27.

Method of creation of vegetative ground cover in recultivation of disturbed soils

Номер патента: RU2484613C2. Автор: Любовь Андреевна Иванова,Марина Вячеславовна Кременецкая,Елена Станиславовна Иноземцева,Тамара Тимофеевна Горбачева,Ольга Петровна Корытная. Владелец: Учреждение Российской академии наук Полярно-альпийский ботанический сад-институт им. Н.А. Аврорина Кольского научного центра РАН (ПАБСИ КНЦ РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of growing naked oat

Номер патента: RU2558507C2. Автор: Зоя Ивановна Усанова,Евгений Сергеевич Булюкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГБОУ ВПО "Тверская государственная сельскохозяйственная академия"). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining constant concentrations of volatile substances in gas stream and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2465584C2. Автор: Виктор Григорьевич Березкин,Юрий Иванович Арутюнов,Игорь Артемьевич Платонов,Наталья Викторовна Никитченко,Ирина Николаевна Колесниченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of growth stimulation and development of agricultural plants

Номер патента: RU2476064C2. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Герасим Викторович Лущенко,Николай Иванович Гриднев,Игорь Михайлович Субботин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Горский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-02-27.

Method of growing bulk chrysoberyl monocrystals and varieties thereof

Номер патента: RU2315134C1. Автор: Геннадий Георгиевич Михайлов,Денис Александрович Винник,Сергей Александрович Арчугов,Сергей Макарович Лукавый. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Триколор". Дата публикации: 2008-01-20.

Reaction cell of high-pressure gang-punch apparatus for growing asymmetrically zonal diamond monocrystals

Номер патента: RU2162734C2. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо "Маин". Дата публикации: 2001-02-10.

Method of the gas-flame spraying of the metallic powder materials

Номер патента: RU2312165C2. Автор: Владимир Владимирович Ефремов,Андрей Джонович Гедзь,Анатолий Борисович Коберниченко,Александр Сергеевич Ухалин,Юрий Геннадьевич Шульчевский. Владелец: Военный автомобильный институт. Дата публикации: 2007-12-10.

Method of growing potatoes and vegetables under conditions of middle ural mountains

Номер патента: RU2529900C2. Автор: Михаил Юрьевич Карпухин,Александр Владимирович Романчук,Антон Вадимович Князев,Вадим Фаритович Ахметханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО УрГАУ). Дата публикации: 2014-10-10.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of growing milk thistle for seeds

Номер патента: RU2457667C1. Автор: Наталия Викторовна Николайченко,Мария Никифоровна Худенко,Валерий Иванович Жужукин. Владелец: Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Аграрный Университет Имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing gas-generating element for low-temperature gas generator

Номер патента: RU2524388C1. Автор: Александр Сергеевич Жарков,Борис Васильевич Певченко,Владимир Алексеевич Шандаков,Леонид Александрович Пилюгин,Александр Леонидович Пилюгин,Роман Геннадьевич Никитин,Сергей Дмитриевич Карбанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of purification of the inert gas from methane

Номер патента: RU2275232C2. Автор: Александр Викторович Сапрыгин,Николай Михайлович Данченко,Юрий Сергеевич Даниловский,Тать на Сергеевна Таманова,Татьяна Сергеевна Таманова,Сергей Петрович Денисов,Иван Владимирович Ворох,Владимир Дмитриевич Пирогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие УРАЛЬСКИЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ КОМБИНАТ. Дата публикации: 2006-04-27.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing artichoke

Номер патента: RU2524186C2. Автор: Клим Прохорович Данилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2014-07-27.

Single crystal growing process

Номер патента: RU2241792C1. Автор: Ю.М. Смирнов,А.И. Колесников,И.А. Каплунов. Владелец: Каплунов Иван Александрович. Дата публикации: 2004-12-10.

Method of growing piglets

Номер патента: RU2457678C2. Автор: Сергей Николаевич Удинцев,Татьяна Петровна Жилякова,Дмитрий Павлович Мельников. Владелец: Государственное Научное Учреждение Сибирский Научно-Исследовательский Институт Сельского Хозяйства И Торфа Россельхозакадемии (Гну Сибниисхит Россельхозакадемии). Дата публикации: 2012-08-10.

Method of growing own-rooted planting stocks of grapes at drip irrigation

Номер патента: RU2438294C2. Автор: Александр Макарович Салдаев,Вячеслав Михайлович Ермаков,Екатерина Александровна Тимченко,Тамара Васильевна Боева. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт орошаемого овощеводства и бахчеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of production of nanostructured coating

Номер патента: RU2542218C2. Автор: Анвар Юсуфович Боташев,Назим Урасланович Бисилов,Роман Сергеевич Малсугенов. Владелец: Анвар Юсуфович Боташев. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of feeding broiler chickens

Номер патента: RU2447677C2. Автор: Александр Борисович Мальцев,Наталья Алексеевна Мальцева,Ольга Алексеевна Ядрищенская,Светлана Борисовна Лыско,Андрей Борисович Дымков,Петр Факеевич Шмаков,Иван Анатольевич Лошкомойников,Людмила Алексеевна Богданова. Владелец: Государственное научное учреждение Сибирский научно-исследовательский институт птицеводства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ СибНИИП РАСХН). Дата публикации: 2012-04-20.

Method of flight control and steering gear of controlled projectile

Номер патента: RU2533865C2. Автор: Анатолий Платонович Чернышев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Государственный Ракетный Центр Имени Академика В.П. Макеева". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of controlling oil-gas field

Номер патента: RU2367790C1. Автор: Владимир Дмитриевич Гриценко,Александр Петрович Шевцов,Иван Георгиевич Лачугин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Финансовая Компания "Центр-Космос-Нефть-Газ". Дата публикации: 2009-09-20.

Combined method of electric power and a liquid synthetic fuel production by gas turbine and steam-gas installations

Номер патента: RU2250872C1. Автор: Л.С. Толчинский,В.М. Масленников,В.М. Батенин. Владелец: Институт высоких температур РАН (ИВТ РАН). Дата публикации: 2005-04-27.

METHOD OF BREEDING FIG TREE Ficus sycomorus L

Номер патента: RU2498560C1. Автор: Иван Михайлович Куликов,Валерий Александрович Высоцкий,Лилия Владимировна Алексеенко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский селекционно-технологический институт садоводства и питомниководства Российская академия сельскохозяйственных наук (ГНУ ВСТИСП Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-11-20.

Method of increase in resistance of husky and huskless oats to thrips

Номер патента: RU2511244C2. Автор: Лариса Петровна Косяненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Красноярский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-04-10.

Method of local liquid epitaxy

Номер патента: RU2072584C1. Автор: Владимир Юрьевич Гершанов,Сергей Иванович Гармашов,Юрий Владимирович Гершанов. Владелец: Юрий Владимирович Гершанов. Дата публикации: 1997-01-27.

Method of protection of the blades of the gaseous turbines

Номер патента: RU2280096C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Александрович Будиновский,Артем Александрович Косьмин,Сергей Александрович Мубояджян,дж н Сергей Александрович Мубо. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2006-07-20.

Method of monocrystals growing from a melt

Номер патента: RU2230838C1. Автор: В.И. Куликов,В.А. Харченко,В.И. Амосов,Е.Н. Бирюков. Владелец: ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ". Дата публикации: 2004-06-20.

Method of transformation of derived softwood planting to dark coniferous

Номер патента: RU2521706C2. Автор: Николай Николаевич Теринов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ботанический сад Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of growing young pigs

Номер патента: RU2528962C2. Автор: Иван Михайлович Осадченко,Иван Фёдорович Горлов,Юлия Владимировна Стародубова,Сергей Михайлович Юдин,Дмитрий Владимирович Николаев,Алексей Анатольевич Ряднов,Тамара Александровна Ряднова,Анна Дмитриевна Теслина,Юлия Алексеевна Ряднова. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт производства и переработки мясомолочной продукции Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of forming nanosized conducting element

Номер патента: RU2478239C1. Автор: Дмитрий Борисович Омороков,Владимир Александрович Русецкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2013-03-27.

Method of exploiting oil-gas field

Номер патента: RU2367778C1. Автор: Владимир Дмитриевич Гриценко,Александр Петрович Шевцов,Иван Георгиевич Лачугин,Владимир Викторович Черниченко. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Финансовая Компания "Центр-Космос-Нефть-Газ". Дата публикации: 2009-09-20.

Method of the two-stage deaeration of water

Номер патента: RU2280012C1. Автор: Владимир Иванович Шарапов,Дарь Валентиновна Цюра,Дарья Валентиновна Цюра,Евгений Сергеевич Зинин,Александр В чеславович Царегородцев,Александр Вячеславович Царегородцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-07-20.

Method of controlling oil field

Номер патента: RU2367785C1. Автор: Владимир Дмитриевич Гриценко,Александр Петрович Шевцов,Иван Георгиевич Лачугин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Финансовая Компания "Центр-Космос-Нефть-Газ". Дата публикации: 2009-09-20.

Method of producing isoprene

Номер патента: RU2458900C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение ЕВРОХИМ". Дата публикации: 2012-08-20.

Method of measuring density and level of liquid

Номер патента: RU2260776C1. Автор: А.С. Семенов,А.Н. Кононов,А.Л. Шестаков. Владелец: Южно-Уральский государственный университет. Дата публикации: 2005-09-20.

Method of the gas-dynamic separation

Номер патента: RU2291736C2. Автор: Генрих Карлович Зиберт,Евгений Петрович Запорожец,Анатолий Иванович Аверкин,Евгений Евгеньевич Запорожец. Владелец: Евгений Евгеньевич Запорожец. Дата публикации: 2007-01-20.

Method of growing profiled crystals from melt

Номер патента: RU2265088C1. Автор: А.В. Бородин,А.В. Бородин (RU). Владелец: Бородин Алексей Владимирович. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-03.

SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000594A1. Автор: Ivanov Eugene Y.,Theado Erich. Владелец: TOSOH SMD, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for seeding non-free running seeds of fodder plants and method of seeding implemented using this device

Номер патента: RU2515724C1. Автор: Владимир Хамбиевич Малиев,Евгений Дмитриевич Трухачев,Василий Адамович Кисюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for testing of high-pressure vessels and car for their transportation

Номер патента: RU2261387C2. Автор: В.П. Казин,ев А.П. Ципл,А.П. Ципляев. Владелец: Закрытое акционерное общество "ГАКС-РЕМАРМ". Дата публикации: 2005-09-27.

Method of breaking ice

Номер патента: RU2589232C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец. Владелец: Владимир Васильевич Чернявец. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of production of carbon-free foundry heat resisting nickel-based alloys

Номер патента: RU2563403C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Виктор Васильевич Сидоров,Вадим Евгеньевич Ригин,Ирина Васильевна Исходжанова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-09-20.

Method of producing perfluorinated functionalised copolymer via emulsion copolymerisation

Номер патента: RU2454431C1. Автор: Сергей Степанович Иванчев,Валерий Петрович Тюльманков,Олег Николаевич Примаченко,Саул Янкелевич Хайкин,Владимир Сергеевич Лихоманов,Валерий Георгиевич Барабанов,Алексей Сергеевич Одиноков. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of generating pulsed ultraviolet radiation

Номер патента: RU2370850C2. Автор: Владимир Александрович Осин,Игорь Владимирович Галахов,Валерий Иванович Золотовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of production of oriented single-crystal blanks from alloys with peritectic transformation

Номер патента: RU2084561C1. Автор: Е.В. Сидоров,М.В. Пикунов. Владелец: Научно-Производственное Объединение "Магнетон". Дата публикации: 1997-07-20.

Method of growing crops in conditions of steppe region of crimea

Номер патента: RU2614632C2. Автор: Людмила Анатольевна Радченко,Владимир Степанович Паштецкий,Клара Готлибовна Женченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Научно-исследовательский институт сельского хозяйства Крыма". Дата публикации: 2017-03-28.

Method of producing ethanolamines

Номер патента: RU2430085C1. Автор: Наталья Трофимовна Никущенко,Татьяна Алексеевна Михайлова,Сергей Анатольевич Луговской,Вячеслав Вячеславович Потехин,Иван Анатольевич Лаврентьев,Михаил Иосифович Нагродский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Химтэк Инжиниринг". Дата публикации: 2011-09-27.

Method for manufacturing metal-plastic high pressure tank and a metal-plastic tank

Номер патента: RU2310120C1. Автор: Анатолий Иванович Капустин,Андрей Николаевич Свободов,Анатолий Иванович Стеценко,Татьяна Ивановна Денисова,Александр Григорьевич Рожков,С миулла Абдуллович Рахметов,Сямиулла Абдуллович Рахметов,Виктор Владимирович Трабер,Тать на Ивановна Денисова. Владелец: Открытое акционерное общество "Орский машиностроительный завод". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of obtaining vinylchloride and catalyst system for implementing method

Номер патента: RU2338736C1. Автор: Юрий Анисимович Трегер,Марк Рафаилович Флид,Александра Петровна Сидоренкова,Марина Александровна Трушечкина,Екатерина Александровна Глазунова,ндска Инна Иссаковна Курл,Инна Иссаковна Курляндская. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский инженерный центр "Синтез" (ООО НИИЦ "Синтез"). Дата публикации: 2008-11-20.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fertiliser distribution simultaneously with sowing and device for its implementation

Номер патента: RU2405296C1. Автор: Николай Филиппович Скурятин,Сергей Викторович Мерецкий,Александр Сергеевич Новицкий,Андрей Николаевич Скурятин,Олег Владимирович Кувардин,Сергей Викторович Мерецкий (RU),Андрей Николаевич Скурятин (RU),Николай Филиппович Скурятин (RU),Олег Владимирович Кувардин (RU),Александр Сергеевич Новицкий (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2010-12-10.

Method of regeneration of porous absorbers

Номер патента: RU2225252C1. Автор: Н.И. Елисеева,Ю.В. Васильев,В.С. Тихонов,В.Н. Анцифиров. Владелец: Открытое акционерное общество Ангарская нефтехимическая компания. Дата публикации: 2004-03-10.

Method of production of the optically transparent electrically conducting coating and the item with this coating, produced by the indicated method (versions)

Номер патента: RU2274675C1. Автор: Дмитрий Николаевич Ершов,Валерий Андреевич Попов,Виктор Александрович Бублик,Борис Борисович Мешков. Владелец: Борис Борисович Мешков. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of hollow items inner surfaces cleaning and a device for its realization

Номер патента: RU2254176C1. Автор: А.М. Балтаханов,А.Х. Балтаханов. Владелец: Балтаханов Абдихамитхан Мойдинович. Дата публикации: 2005-06-20.

Method of production of organic fertiliser from floating bog

Номер патента: RU2524376C2. Автор: Александр Иванович Мелентьев,Людмила Викторовна Сидорова,Михаил Александрович Комиссаров,Наиля Фаутовна Галимзянова,Таисия Филипповна Бойко,Илюся Масгутовна Габбасова,Руслан Римович Сулейманов,Глеб Эдуардович Актуганов,Тимур Талмасович Гарипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биологии Уфимского научного центра РАН. Дата публикации: 2014-07-27.

Method of cumulating electro-hydraulic impact and device for electro-hydraulic drilling

Номер патента: RU2351762C1. Автор: Салават Адегамович Латыпов. Владелец: Салават Адегамович Латыпов. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of testing binder

Номер патента: RU2441222C1. Автор: Александр Петрович Шалашов,Виталий Петрович Стрелков,Борис Константинович Иванов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-01-27.

Method of checking quality of operation of low-frequency dynamic balancing stand

Номер патента: RU2434212C1. Автор: Александр Васильевич Ключников,Юрий Павлович Фомин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2011-11-20.

High-pressure vessel and method of its making

Номер патента: RU2256844C2. Автор: Н.В. Кленкин,И.Д. Чобит,С.В. Григорович. Владелец: ФГУП - Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики - ФГУП-РФЯЦ-ВНИИЭФ. Дата публикации: 2005-07-20.

Method of producing hydrogel of nanocrystalline cellulose

Номер патента: RU2494109C2. Автор: Владимир Александрович Кондратюк,Игорь Васильевич Воскобойников,Вячеслав Михайлович Щелоков,Светлана Алексеевна Константинова,Сергей Николаевич Никольский,Алексей Николаевич Коротков,Альфа Иванович Михайлов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-27.

Method of forming object surface topography image

Номер патента: RU2419089C1. Автор: Владимир Васильевич Устинов,Юрий Галиулович Зайнулин,Игорь Георгиевич Григоров,Лазарь Николаевич Ромашев. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of producing 2-undecyloxy-1-ethanol

Номер патента: RU2641642C1. Автор: Александр Васильевич Кучин,Лариса Леонидовна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-01-19.

High-pressure plastic-coating metallic vessel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2289062C1. Автор: Николай Михайлович Елкин,Олег Станиславович Клюнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПО "ПОИСК". Дата публикации: 2006-12-10.

METHOD OF TREATMENT OF TOMATO PLANTS AGAINST GALL EELWORMS (Meloidogyne ssp)

Номер патента: RU2556901C1. Автор: Гундар Эдуардович Фолманис,Жанна Викторовна Удалова,Светлана Васильевна Зиновьева,Ольга Байчева. Владелец: Государственное научное учреждение (ГНУ) Всероссийский научно-исследовательский институт гельминтологии им. К.И. Скрябина (ВИГИС). Дата публикации: 2015-07-20.

Method of producing heat insulating material

Номер патента: RU2479552C1. Автор: Наталия Николаевна Щербакова,Александр Владиленович Гороховский,Игорь Николаевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-04-20.

Номер патента: RU2549055C1. Автор: Василий Александрович Петров,Вадим Сергеевич Михайленко,Александр Сергеевич Арсентьев,Владимир Алексеевич Михеев,Александр Геннадьевич Ильин,Сергей Николаевич Бударин,Андрей Олегович Иванов,Виктор Федорович Беляев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ассоциация разработчиков и производителей систем мониторинга". Дата публикации: 2015-04-20.

Номер патента: RU2518900C2. Автор: Геннадий Георгиевич Вертоградов,Валерий Павлович Урядов,Елена Геннадьевна Вертоградова. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский радиофизический институт". Дата публикации: 2014-06-10.

Method of producing 2,2-methylene-bis-(4-methyl-6-tertbutylphenol)

Номер патента: RU2415124C2. Автор: Николай Аркадьевич Ниязов,Хайдар Хамитович Гайнуллин,Рустам Кимович Базянов,Хайдар Хамитович Гайнуллин (RU),Николай Аркадьевич Ниязов (RU),Рустам Кимович Базянов (RU). Владелец: "Открытое Акционерное Общество Стерлитамакский Нефтехимический Завод". Дата публикации: 2011-03-27.

Method of one-piece coupling joining of metal pipes

Номер патента: RU2557153C1. Автор: Вячеслав Михайлович Айдуганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-производственный центр". Дата публикации: 2015-07-20.

Highly dispersed combined pharmaceutical composition of methazone and salbutamol with beta-glycine and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2539374C1. Автор: Владимир Вячеславович Болдырев,Елена Владимировна Болдырева,Андрей Геннадьевич Огиенко,Андрей Юрьевич Манаков,Анна Александровна Огиенко,Андрей Вячеславович Ильдяков,Светлана Анатольевна Мызь,Екатерина Геннадьевна Зевак,Борис Алексеевич Колесов,Валерий Анатольевич Дребущак,Владислав Юрьевич Комаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук (ИНХ СО РАН). Дата публикации: 2015-01-20.

Method of producing sorbitized high-duty rod

Номер патента: RU2369643C1. Автор: Владимир Николаевич Урцев,Владимир Викторович Павлов,Дим Маратович Хабибулин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Исследовательско-Технологический Центр "Аусферр". Дата публикации: 2009-10-10.

Method of obtaining elementary sulphur from oxygen-containing metallurgical sulphur dioxide gas

Номер патента: RU2356832C2. Автор: Лев Шлемович Цемехман,Олег Иванович Платонов,Владимир Тимофеевич Дьяченко,Сергей Борисович Котухов,Владимир Федорович Козырев. Владелец: ООО "Институт Гипроникель". Дата публикации: 2009-05-27.

Method of bull-calf liveweight rising at high technology of growing

Номер патента: RU2336694C1. Автор: Валерий Михайлович Позняковский,Сергей Леонидович Тихонов,Владимир Иванович Грачев,Наталья Валерьевна Тихонова,ковский Валерий Михайлович Позн,Наталь Валерьевна Тихонова,Анатолий Михайлович Монастырёв,Фарук Ахмадулович Синагатуллин. Владелец: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-производственная компания "АВЕРС". Дата публикации: 2008-10-27.

Method of producing tertiary butyl alcohol

Номер патента: RU2485089C2. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Еврохим-СПб-Трейдинг". Дата публикации: 2013-06-20.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Номер патента: RU2329245C2. Автор: Петр Богданович Крайкивский,Виталий Васильевич Сараев,Дмитрий Александрович Матвеев,Алексей Иванович Вильмс,Елена Николаевна Даниловцева,Станислав Николаевич Зелинский. Владелец: ГОУ ВПО Иркутский государственный университет. Дата публикации: 2008-07-20.

Method of production of the isotope-enriched tellurium (iv) oxide

Номер патента: RU2272783C1. Автор: Олег Семенович Ушаков,Анатолий Леонидович Калашников,Владимир Александрович Матюха. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат". Дата публикации: 2006-03-27.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of developing oil-and-gas pools

Номер патента: RU2390626C1. Автор: Сергей Каснулович Ахмедсафин,Сергей Александрович Кирсанов,Олег Петрович Андреев,Зульфар Салихович Салихов,Роман Владимирович Корытников,Павел Михайлович Зобов,Вадим Николаевич Хлебников,Игорь Александрович Зинченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок". Дата публикации: 2010-05-27.

Method of limiting intensity of laser radiation

Номер патента: RU2517791C1. Автор: Лев Михайлович Лавров,Анатолий Клавдиевич Вальков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-05-27.

Method of making high-pressure t-bends

Номер патента: RU2486022C1. Автор: Сергей Георгиевич Комаишко,Андрей Георгиевич Комаишко,Георгий Николаевич Кулик,Михаил Вильгельмович Моисей,Константин Валерьевич Суздаль,Антон Юрьевич Тонконог. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Дефорт". Дата публикации: 2013-06-27.

Method of production of granules of quasi-crystalline material

Номер патента: RU2369660C2. Автор: Юрий Алексеевич Абузин,Игорь Евгеньевич Гончаров,Иван Юрьевич Ефимочкин,Алексей Михайлович Клевачев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2009-10-10.

FLUORIDE OPTICAL GLASS, CAPABLE OF LUMINESCENCE IN 1000-1700 nm RANGE, METHODS OF PRODUCING SAID GLASS AND FIBRE-OPTIC GUIDE

Номер патента: RU2487840C1. Автор: Владимир Борисович Сулимов,Алексей Николаевич Романов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Димонта". Дата публикации: 2013-07-20.

Номер патента: RU2553877C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-06-20.

Method of making metallocarbon nanocoatings

Номер патента: RU2391358C2. Автор: Александр Викторович Еремин,Александр Валентинович Емельянов,Евгений Валерьевич Гуренцов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Объединенный институт высоких температур РАН (ОИВТ РАН). Дата публикации: 2010-06-10.

Номер патента: RU2556848C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Ваулин,Сергей Павлович Авдюхин,Геннадий Дмитриевич Ковалев,Евгений Иванович Старовойтенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский институт легких сплавов" (ОАО "ВИЛС"). Дата публикации: 2015-07-20.

Carbon nanofibre and method of obtaining of multiwall carbon nanotubes

Номер патента: RU2567628C1. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of producing potassium methylate

Номер патента: RU2358963C2. Автор: Наталья Трофимовна Никущенко,Татьяна Алексеевна Михайлова,Сергей Анатольевич Луговской,Вячеслав Вячеславович Потехин,Михаил Иосифович Нагродский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Химтэк Инжиниринг". Дата публикации: 2009-06-20.

Номер патента: RU2334797C2. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Олег Анатольевич Николаев,Борис Александрович Сарычев,Александр Федорович Сарычев,Дмитрий Николаевич Чигасов,Евгений Валерьевич Кебенко,Сергей Викторович Мещеров. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of diagnosing semiconductor epitaxial heterostructures

Номер патента: RU2498277C1. Автор: Кира Львовна Енишерлова-Вельяшева,Татьяна Федоровна Русак,Александр Всеволодович Лютцау. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"" (ОАО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2013-11-10.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

Method of making indium microcontacts by ion etching

Номер патента: RU2492545C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Михаил Васильевич Седнев,Юрий Павлович Шаронов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Владимирович Кардонов,Богдан Васильевич Трошин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-10.

Improvements in the Method of and Apparatus for the Production of Explosive Mixtures for Driving Gas Turbines.

Номер патента: GB191123501A. Автор: Felipe Gomez Humaran. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-05-30.

Improvements in the Method of Constructing Accumulative Mercurial Gravitation Safety Valves for Hot Water Installation Boilers; and Engine, Boiler, Steam, or other Pressure Indicators.

Номер патента: GB190511119A. Автор: Charles Mackintosh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-13.

Method of growing green hydroponic fodder

Номер патента: RU2544960C1. Автор: Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Валерия Алексеевна Манина,Лев Никитович Павлов,Нина Николаевна Докина,Елемес Ажмулдинович Ажмулдинов,Виктор Александрович Сечин,Михаил Анатольевич Кизаев,Галина Борисовна Родионова,Вера Ивановна Корнейченко,Юрий Николаевич Сидоров,Владимир Леонтьевич Королев. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт мясного скотоводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-03-20.

Method of growing germanium monocrystals

Номер патента: RU2565701C1. Автор: Иван Александрович Каплунов,Александр Игоревич Колесников,Ольга Юрьевна Колесникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Device for growing of single-crystal pipes and method of their obtaining

Номер патента: RU2531823C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Василий Николаевич Ветров. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ОАО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2014-10-27.

Method of growing vegetables and gourds

Номер патента: RU2539206C1. Автор: Вадим Андреевич Моторин,Виктор Иванович Пындак,Андрей Евгеньевич Новиков,Алина Сергеевна Межевова,Татьяна Владимировна Константинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of growing sodium-bismuth molybdate monocrystals

Номер патента: RU2556114C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Баирма Нимбуевна Цыдыпова,Анатолий Алексеевич Павлюк,Евгения Валерьевна Полякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-10.

Technique of furnace feed additional charging during process of silicon single crystal growing by czochralski method

Номер патента: RU2343234C1. Автор: Виктор Сергеевич Белоусов,Константин Анатольевич Тузовский,Константин Анатольевич Тузовский (RU),Виктор Сергеевич Белоусов (RU). Владелец: Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ". Дата публикации: 2009-01-10.

Method of producing epoxy resin curing agents

Номер патента: RU2507226C2. Автор: Татьяна Валентиновна Лапицкая. Владелец: Татьяна Валентиновна Лапицкая. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of determining chemical stability of motor petrol

Номер патента: RU2391661C1. Автор: Алексей Николаевич Приваленко,Евгений Петрович Серегин,Константин Васильевич Шаталов. Владелец: Федеральное автономное учреждение "25 Государственный научно-исследовательский институт химмотологии Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2010-06-10.

Method of stimulation of growth and development of winter wheat plant

Номер патента: RU2453114C1. Автор: Александр Васильевич Кучин,Татьяна Владимировна Хуршкайнен,Наталья Николаевна Скрипова,Валерий Михайлович Чукичев,Татьяна Владимировна Хуршкайнен (RU),Александр Васильевич Кучин (RU),Наталья Николаевна Скрипова (RU),Валерий Михайлович Чукичев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологическое предприятие Института химии КНЦ УрО РАН". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of isomerising light petrol fractions with catalyst preactivation

Номер патента: RU2394804C2. Автор: Александр Никитович Шакун,Марина Леонидовна Федорова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие Нефтехим" (ОАО "НПП Нефтехим"). Дата публикации: 2010-07-20.

Method of producing butadiene

Номер патента: RU2561734C1. Автор: Александр Григорьевич Лиакумович,Раиса Ахтямовна Ахмедьянова,Валерий Николаевич Забористов,Дмитрий Геннадьевич Милославский,Татьяна Михайловна Богачева,Лилия Марсельевна Юнусова,Ксения Валерьевна Голованова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭРИТРЕНЪ" (ООО "ЭРИТРЕНЪ). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of pumping non-lubricating liquid by gear pump

Номер патента: RU2300019C2. Автор: Георгий Михайлович Георгиевский,Мирослав Георгиевич Георгиевский. Владелец: Мирослав Георгиевич Георгиевский. Дата публикации: 2007-05-27.

Method of preparing strip end for butt welding

Номер патента: RU2450900C1. Автор: Николай Васильевич Пасечник,Борис Александрович Сивак,Александр Фёдорович Новицкий,Владимир Михайлович Жеравьев. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2012-05-20.

Method of fabricating high-strength axially symmetric shells operated at high pressures

Номер патента: RU2454307C1. Автор: Владимир Михайлович Заболотнов,Александр Николаевич Хабаров,Виктор Иванович Трегубов,Владимир Евгеньевич Ерохин,Владимир Евгеньевич Ерохин (RU),Виктор Иванович Трегубов (RU),Александр Николаевич Хабаров (RU),Владимир Михайлович Заболотнов (RU). Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2012-06-27.

Method of making probes with carbon nanotubes

Номер патента: RU2369938C1. Автор: Сергей Васильевич Антоненко,Ольга Сергеевна Малиновская,Сергей Васильевич Антоненко (RU),Ольга Сергеевна Малиновская (RU). Владелец: Московский инженерно-физический институт (государственный университет). Дата публикации: 2009-10-10.

Номер патента: RU2450506C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Нурбек Ломалиевич Адаев,Шаарани Мусаевич Абасов,Умар Баудинович Эрсмурзаев,Инга Феликсовна Тигиева,Лима Салмановна Гишкаева,Ислам Харонович Нагаев. Владелец: Государственное научное учреждение Чеченский научно-исследовательский институт сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-05-20.

Method of producing emission-active cathode alloy

Номер патента: RU2581151C1. Автор: Назар Дмитриевич Урсуляк,Алексей Григорьевич Налогин,Максим Николаевич Хабачев,Алексей Николаевич Пашков,Галина Васильевна Дровненкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-04-20.

Method of diamond heat treatment

Номер патента: RU2471542C1. Автор: Николай Александрович Николаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук (ИФВД РАН). Дата публикации: 2013-01-10.

Способ выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты