• Главная
  • DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION LINER FOR PREVENTING ELECTRICAL SHORTS

DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION LINER FOR PREVENTING ELECTRICAL SHORTS

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: WO2007018896A3. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W Miller Jr. Владелец: Gayle W Miller Jr. Дата публикации: 2008-06-19.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: US20080135933A1. Автор: Michael Graf,Gayle W. Miller,Volker Dudek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: WO2007018896A2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W. Miller, JR.. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-02-15.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: EP1911095A2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W. Miller, JR.. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09735265B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09525060B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Self-aligned trench isolation in integrated circuits

Номер патента: US09437470B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Dual trench isolation structures

Номер патента: US20210242306A1. Автор: Baofu ZHU,Arkadiusz Malinowski,Shiv Kumar Mishra,Kaushikee MISHRA. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Field-effect transistors with a gate structure in a dual-depth trench isolation structure

Номер патента: US11955514B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Tri-layer STI liner for nanosheet leakage control

Номер патента: US11881505B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Tri-layer sti liner for nanosheet leakage control

Номер патента: US20210202325A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

IC structure including porous semiconductor layer under trench isolation

Номер патента: US12027582B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Latch-up free vertical TVS diode array structure using trench isolation

Номер патента: US09461031B1. Автор: Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Trench isolation structure and fabrication method thereof

Номер патента: US6127241A. Автор: Kwan Goo Rha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Forming channel stop for deep trench isolation prior to deep trench etch

Номер патента: US20060154440A1. Автор: Stephen St. Onge,Louis Lanzerotti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Trench isolated IC with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US10014206B1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Method and semiconductor structure with deep trench isolation structures

Номер патента: EP3022770A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Transistor including shallow trench and electrically conductive substrate for improved rf grounding

Номер патента: US20120126243A1. Автор: Gabriele F. Formicone. Владелец: Integra Tech Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Shallow trench isolation area having buried capacitor

Номер патента: US09536872B2. Автор: Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US20160056234A1. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Deep trench isolation structure layout and method thereof

Номер патента: US20150255537A1. Автор: Randall C. Gray,Brent D. Rogers,John M. Pigott. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Electrode Pick Up Structure In Shallow Trench Isolation Process

Номер патента: US20110156151A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Silicon controlled rectifier ESD structures with trench isolation

Номер патента: US6872987B2. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Trench isolation interfaces

Номер патента: US11031283B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for preventing floating gate variation

Номер патента: US09728545B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Voltage contrast inspection of deep trench isolation

Номер патента: US20150041809A1. Автор: Jin Liu,Norbert Arnold,Oliver D. Patterson,Brian W. Messenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8558315B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-10-15.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8735228B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for preventing sneakage in shallow trench isolation and STI structure thereof

Номер патента: US20040222489A1. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Shallow trench isolation structure

Номер патента: US6958521B2. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09711561B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09543350B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Trench isolation implantation

Номер патента: US09514976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Shallow trench isolation

Номер патента: EP2321847A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Shallow trench isolation

Номер патента: WO2010019876A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Chemical mechanical planarization polishing for shallow trench isolation

Номер патента: EP4413088A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for forming trenches and trench isolation on a substrate

Номер патента: US20120190168A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Shallow trench isolation spacers

Номер патента: US20240030058A1. Автор: Chen Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Image sensors with voltage-biased trench isolation structures

Номер патента: US09584744B2. Автор: Victor Lenchenkov,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US11908729B2. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Buried photodiode for image sensor with shallow trench isolation technology

Номер патента: US20070045794A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20240105501A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20190198382A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Avoiding Field Oxide Gouging In Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20070262412A1. Автор: Yider Wu,Jusuke Ogura,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-11-15.

Shallow trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US09698043B1. Автор: Alfred Grill,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Oxynitride shallow trench isolation and method of formation

Номер патента: US20020177270A1. Автор: Fen Jamin,Klaus Beyer,Patrick Varekamp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for manufacturing shallow trench isolations

Номер патента: US11817344B2. Автор: Li He,Yi Wang,Liyuan LIU,Fulong Qiao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20220277986A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Integrated circuits with tub-ties and shallow trench isolation

Номер патента: US6358824B1. Автор: Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Thi-Hong-Ha Vuong. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Pinned photodiode fabricated with shallow trench isolation

Номер патента: US20060125035A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Chemical mechanical planarization for shallow trench isolation

Номер патента: WO2024173029A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,LU Gan,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Method for forming shallow trench isolation

Номер патента: US5712185A. Автор: Water Lur,Meng-Jin Tsai,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: EP2057675A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-05-13.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A3. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Hung Quoc Doan. Дата публикации: 2008-04-17.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for reducing micro-masking defects in trench isolation regions

Номер патента: US20020182852A1. Автор: Kailash Singh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-12-05.

Integrated circuit devices including shallow trench isolation

Номер патента: US5783476A. Автор: Norbert Arnold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-07-21.

Trench isolation process

Номер патента: US20220122880A1. Автор: Clark Lee,Cheng-Hsin Chen,Che-Yi Lin,Chung-Lei Chen,Chung Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Shallow trench isolation for strained silicon processes

Номер патента: CN1739196A. Автор: M·V·恩戈,相奇,P·R·贝赛尔,E·N·佩顿,林明仁. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Slow trench isolation method

Номер патента: KR19990075821A. Автор: 강우탁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for providing shallow trench isolation

Номер патента: KR100429135B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-04-28.

Method for forming the shallow trench isolation

Номер патента: KR100632683B1. Автор: 장승순. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: KR100607770B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Shallow Trench Isolation Method for Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980074323A. Автор: 손정환,허기재. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

Shallow Trench Isolation for Integrated Circuits

Номер патента: US20200051851A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US5982008A. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Shallow trench isolation for integrated circuits

Номер патента: US20190393078A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US20010002720A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US6525360B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Materials suitable for shallow trench isolation

Номер патента: WO2005114707A3. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Ananth Naman. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device having impurity concentrations for preventing a parasitic channel

Номер патента: US6144047A. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Method for forming shallow trenches of the dual active regions

Номер патента: US09871064B1. Автор: JIN Xu,Quan Jing,Jun Zhu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Minjie Chen,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US9673250B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US11929382B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240153984A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240204033A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US11901217B2. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US20220093450A1. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method and apparatus for preventing contamination in a hot plate oven

Номер патента: US6297480B1. Автор: Liang Huang Liu,Shu Shing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-10-02.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US8685830B2. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US20220037381A1. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Photodetector and method of forming the photodetector on stacked trench isolation regions

Номер патента: US9799693B2. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US12040339B2. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Electrostatic discharge protection devices with multiple-depth trench isolation

Номер патента: US20240194667A1. Автор: Kyongjin Hwang,Robert Gauthier, Jr.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of etching a shallow trench

Номер патента: US09842743B1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US20130143386A1. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

String driver with deep trench isolations

Номер патента: US20240274594A1. Автор: Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Staged biased deep trench isolation (dti) structure for high full well capacity (fwc)

Номер патента: US20240297194A1. Автор: Yu Jin,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US09806117B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Polysilicon coated nitride-lined shallow trench

Номер патента: US6118167A. Автор: Paramjit Singh,Eugene Disimone. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Reduced leakage trench isolation

Номер патента: US20010019851A1. Автор: Kevin Connolly,Shaofeng Yu,Cory Weber,Jung Kang,Mark Beiley,Zong-Fu Li,Akira Kakizawa,James Breisch,Berni Landau,Joseph Parks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for forming trench isolation

Номер патента: US20020098660A1. Автор: Jian Chen,Choh-Fei Yeap,Franklin Nkansah. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Test key transistor for deep trench isolation depth detection

Номер патента: US20240071846A1. Автор: Jingyi Bai,Bo-Ray LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatus and methods for enhancing bandwidth in trench isolated integrated circuits

Номер патента: US09685932B2. Автор: Edward P. Jordan,Jonathan Glen Pfeifer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of removing electrical shorts and shunts from a thin-film semiconductor device

Номер патента: US4749454A. Автор: Robert S. Oswald,Rajeewa R. Arya. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Preventing dielectric void over trench isolation region

Номер патента: US20210111065A1. Автор: LIU Jiang,Haiting Wang,Wei Hong,Chun Yu Wong,Yongjun Shi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Trench isolation structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008144631A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Craig Hall. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-11-27.

Deep trench isolation structure and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230420473A1. Автор: Yu-Jen Wang,Kai-Yun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Deep trench isolation structures for cmos image sensor and methods thereof

Номер патента: US20240363660A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Field-effect transistors with a crystalline body embedded in a trench isolation region

Номер патента: US11862511B2. Автор: Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method having deep trench isolation

Номер патента: US20240112948A1. Автор: Sang Min Han,Seong Hyun Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Angled implant for trench isolation

Номер патента: WO2004081989A2. Автор: Howard E. Rhodes,Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-09-23.

Angled implant for trench isolation

Номер патента: EP1604403A2. Автор: Howard E. Rhodes,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Trench isolation structures

Номер патента: US4656497A. Автор: Steven H. Rogers,Randall S. Mundt,Denise A. Kaya. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-04-07.

Trench isolated transistors in semiconductor films

Номер патента: US4507158A. Автор: Theodore I. Kamins,Donald R. Bradbury,Clifford I. Drowley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for forming a semiconductor device with trench isolation structure

Номер патента: US4740480A. Автор: Hideyuki Ooka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-26.

Method of controlling well leakage for trench isolations of differing depths

Номер патента: WO2001093311A3. Автор: H Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Deep trench isolation (dti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210193702A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US20180033811A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US20170271384A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Trench Isolation Connectors for Stacked Structures

Номер патента: US20230377949A1. Автор: Hsueh-Liang Chou,Wan-Jyun Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Safety device for preventing electric shock of plug

Номер патента: NL2031572A. Автор: Fu Xiao,Xiang Li,Wang Sha,Peng Lan,FU Shaohua,Wang Maoxia,Wu Xiayi,Zhou Guting,Tao Yingting. Владелец: Chongqing Vocational Inst Eng. Дата публикации: 2023-03-08.

Safety device for preventing electric shock of plug

Номер патента: NL2031572B1. Автор: Fu Xiao,Xiang Li,Wang Sha,Peng Lan,FU Shaohua,Wang Maoxia,Wu Xiayi,Zhou Guting,Tao Yingting. Владелец: Chongqing Vocational Inst Eng. Дата публикации: 2024-07-22.

Fuel cell with electrical short circuit prevention means

Номер патента: US8383283B2. Автор: Mohammad Farooque,Abdelkader Hilmi,Gengfu Xu,Richard Johnsen,Chao-Yi Yun. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Shaft ground ring for preventing electrical erosion in bearing

Номер патента: EP4456388A1. Автор: Min Hun KIM,Sung Yuhp HAN. Владелец: Hj Tong Sang Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Apparatus for preventing electric shock in event of flooding and method therefor

Номер патента: US20180109104A1. Автор: MI Suk SEO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-19.

Process for preventing electrical storage cell capacity loss

Номер патента: US4683178A. Автор: Steven J. Stadnick,Howard H. Rogers. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1987-07-28.

Loran device with electrically short antenna and crystal resonator and related methods

Номер патента: CA3077670A1. Автор: Francis E. Parsche. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2020-10-03.

Loran device with electrically short antenna and crystal resonator and related methods

Номер патента: US20200319286A1. Автор: Francis E. Parsche. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Shock preventing electrical connector plug

Номер патента: US6113436A. Автор: Makoto Higashikozono,Masanori Kuwahara. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Device for preventing explosion of electrical transformer

Номер патента: RU2263989C2. Автор: Филип МАНЬЕ. Владелец: Филип МАНЬЕ. Дата публикации: 2005-11-10.

Integral electrical shorting switch and connector assembly

Номер патента: US4164636A. Автор: David A. Gallagher. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1979-08-14.

Apparatus for preventing overcharge of battery

Номер патента: US9577241B2. Автор: Chang Youl Choi. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus for preventing overcharge of battery

Номер патента: US09577241B2. Автор: Chang Youl Choi. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Electric shorting devices

Номер патента: GB2040110A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-08-20.

Method and apparatus for prevention of laser diode saturation

Номер патента: EP1839302A2. Автор: James J.A. Mccormack. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-10-03.

Three phase motor in which structure for preventing electrical short circuit is applied

Номер патента: US20170085146A1. Автор: Mazharul CHOWDHURY,Mohammad Islam,Taesik Kim,Scott Blehm. Владелец: Mando Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Insulation insert for preventing strand-to-strand contact in high-voltage coils

Номер патента: US20040000423A1. Автор: Franklin Emery. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Systems and methods for preventing electrical arcing between components of an ESP motor

Номер патента: US09627945B2. Автор: Stephen G. Biggs,Christopher G. Watson. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Safety circuit and brush holder for preventing fault conditions in an alternator

Номер патента: US09929685B2. Автор: Martin Graefling,Christoph Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Systems and Methods for Preventing Electrical Arcing Between Components of an ESP Motor

Номер патента: US20150091399A1. Автор: Stephen G. Biggs,Christopher G. Watson. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

High density shallow trench contactless nonvolitile memory

Номер патента: US6084265A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Holding element for preventing electric apparatus from being disengaged from cable channels

Номер патента: EP1453166B1. Автор: Piiergiorgio Villi. Владелец: COMELTI Srl. Дата публикации: 2011-05-11.

Device and method for preventing television from toppling down

Номер патента: US20050258327A1. Автор: Kuo-wen Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Method and device for preventing interference in overlapping service area

Номер патента: US20160249366A1. Автор: Yongho Seok. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-25.

Apparatus for preventing jackrabbit accident using vehicle black box

Номер патента: US09719455B2. Автор: Il-Wong KIM. Владелец: Mureung Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus for preventing replay attack and method for preventing replay attack

Номер патента: US09465924B2. Автор: Zhi Tang,Cheng QU,Yinyan Yu. Владелец: Founder Apabi Technology Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and device for preventing an attack on a server

Номер патента: RU2734027C2. Автор: Яжань ЛУ. Владелец: Алибаба Груп Холдинг Лимитед. Дата публикации: 2020-10-12.

Multi-mode circuit and a method for preventing degradation in the multi-mode circuit

Номер патента: US20110193588A1. Автор: Palkesh Jain,Nagaraj Savithri,Usha Narasimha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Organic electroluminescent device for preventing long distance short

Номер патента: US20060243968A1. Автор: Hui-Chang Yu,Wei-Wen Yang,Chin Chang Chien,Chia-Mei Liu. Владелец: Univision Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Barrier device for preventing passage

Номер патента: US6227523B1. Автор: Günter Haberlen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-08.

Multifunctional release liner for dressings

Номер патента: CA3105074A1. Автор: Shiva EIBPOOSH,Hans JOELSSON,Linn Liu HALLERSTIG,Annelie BLOMQVIST. Владелец: Molnycke Health Care AB. Дата публикации: 2019-12-05.

A method and system for infrared detection of electrical short defects

Номер патента: EP1405091A2. Автор: Sergey Belikov,Stephen F. Meier,Marius Enachescu. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-07.

A method and system for infrared detection of electrical short defects

Номер патента: WO2002045277A9. Автор: Sergey Belikov,Stephen F Meier,Marius Enachescu. Владелец: Candescent Tech Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Electrically short air line for network analyzer calibration

Номер патента: US4845423A. Автор: Roger D. Pollard. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-07-04.

Composition for preventing or treating peripheral neuropathy

Номер патента: RU2453327C1. Автор: Сон-Ю КИМ,Тон-Хо КАН,Чи-Хо ПАК. Владелец: Чи-Хо ПАК. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for prevention of using corticosteroids

Номер патента: RU2500408C2. Автор: Бернд ШТАЛЬ,Гюнтер БЕМ,Юрген ЙЕЛИНЕК. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2013-12-10.

Isolation liner incorporating a drill pipe with swell packers

Номер патента: US09611715B1. Автор: Lee Morgan Smith. Владелец: Alaskan Energy Resources Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for preventing formation of ice on aircraft parts

Номер патента: RU2736706C2. Автор: Стив МАККИН,Роберт Эрл ФИШЕР. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-11-19.

Peptide vaccine for prevention and immunotherapy of dementia of the alzheimer's type

Номер патента: RU2696566C2. Автор: Чан И ВАН. Владелец: Юнайтед Байомедикал, Инк.. Дата публикации: 2019-08-05.

Device for prevention of snoring

Номер патента: RU2605689C2. Автор: Владимир Михайлович Данилов. Владелец: Владимир Михайлович Данилов. Дата публикации: 2016-12-27.

Application of adsorbed drone brood homogenate and group d vitamins and/or their active metabolites for prevention and treatment of acute respiratory diseases and flu

Номер патента: RU2564111C9. Автор: Александр Викторович Федоров,Наталья Михайловна Смирнова,Виллорий Иванович Струков,Михаил Дмитриевич Прохоров,Ольга Джонс-Струкова,Вячеслав Николаевич Трифонов,Юлия Анатольевна Елистратова,Константин Геннадьевич Елистратов,Наталья Вячеславовна Курусь,Наталья Вячеславовна Еремина,Марина Николаевна Максимова,Рамзия Тимуршовна Галеева,Лариса Григорьевна Радченко,Евгений Николаевич Крутяков,Елена Станиславовна Андреева,Татьяна Викторовна Елистратова,Ирина Владимировна Хомякова,Галина Анатольевна Толбина,Георгий Максимович Елистратов,Татьяна Анатольевна Купцова,Оксана Александровна Исмаилова,Юлия Геннадьевна Щербакова,Инесса Яковлева Моисеева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Парафарм". Дата публикации: 2016-03-20.

Dam for preventing consequences of flooding

Номер патента: RU2656352C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of obtaining medication for prevention and treatment of flu

Номер патента: RU2391112C2. Автор: Георгиос ПАНДАЛИС. Владелец: Георгиос ПАНДАЛИС. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for preventing contamination of system

Номер патента: RU2713126C2. Автор: Роберт СНОУ. Владелец: Джензим Корпорейшн. Дата публикации: 2020-02-03.

Composition for preventing or treating erosion of teeth

Номер патента: RU2698209C2. Автор: Томас БЕРГЛУНД,Гунилла ЙОХАНССОН-РУДЕН. Владелец: Меда Отс Аб. Дата публикации: 2019-08-23.

Electrical short locator

Номер патента: CA1156722A. Автор: David J. Devine,Gordon J. Deboo. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1983-11-08.

Apparatus for preventing backflow

Номер патента: US20210052806A1. Автор: Dong Chul Kim,Young Gook Koh. Владелец: ENGAIN. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus for preventing buckling of flexible surgical instrument

Номер патента: US20240261041A1. Автор: Dong-Soo Kwon,Duk-Yoo KONG,Hyun-Woo Baek,Joon-Yeong KIM,Jae-Min You. Владелец: Roen Surgical Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for preventing backflow

Номер патента: US12076530B2. Автор: Dong Chul Kim,Young Gook Koh,Se Yun JEONG. Владелец: ENGAIN. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and Method For Preventing Ball Return Stops In Bowling Pinsetter Machines

Номер патента: US20210283492A1. Автор: Edward Funke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of electrically shorting an electrolytic cell

Номер патента: CA1261786A. Автор: Robert M. Hruda. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Agent for prevention of decomposition of biopyrrin

Номер патента: EP3998325A1. Автор: Arata OHNISHI. Владелец: Resvo Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Pharmaceutical composition for preventing cccdna formation of hepatitis b virus

Номер патента: MY184876A. Автор: Yong-Won Shin,Ki-Hwan Chang,Chun-Kyu KO,Wang-Shick Ryu. Владелец: Mogam Inst Biomedical Res. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for preventing corrosion and covering material preventing corrosion

Номер патента: EP2220175A1. Автор: Juhani Mantyla,Timo Erkolahti. Владелец: NOELLA Oy. Дата публикации: 2010-08-25.

Compositions for preventing or treating heart failure (hf)

Номер патента: AU2023211937A1. Автор: Yeong Su Jang,Ju Hee Lee,Beom Seob Lee. Владелец: Chong Kun Dang Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Compounds for preventing ghost odour

Номер патента: US8287631B2. Автор: Thomas Wunder,Rüdiger Baum,Hans-Jürgen Schmidt,Christos Savides. Владелец: THOR GMBH. Дата публикации: 2012-10-16.

System and devices for preventing water infiltration

Номер патента: US20200115955A1. Автор: Norman Dennis Eryou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Nucleoside derivative for preventing and treating inflammation and application thereof

Номер патента: US20220288084A1. Автор: Wen Huang. Владелец: West China Hospital of Sichuan University. Дата публикации: 2022-09-15.

Autonomous system for prevention and extinction of forest fires

Номер патента: WO2023062406A1. Автор: Jose Filipe CAMILO. Владелец: Camilo Jose Filipe. Дата публикации: 2023-04-20.

Compositions for preventing and treating renal failure (rf)

Номер патента: WO2024141925A1. Автор: Yeong Su Jang,Ju Hee Lee,Beom Seob Lee,Jiyeon KANG,Seo-Yeon KO. Владелец: CHONG KUN DANG PHARMACEUTICAL CORP.. Дата публикации: 2024-07-04.

Compositions and methods for preventing tumors and cancer

Номер патента: CA3204163A1. Автор: Jill P. Smith,Teresa Phillips,Allen Cato,Lynda Sutton. Владелец: Cancer Advances Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Lower Limb Traction Belt for Preventing Ankle Pressure Sore

Номер патента: NL2029270B1. Автор: Wang Yan,Yang Jing,SUN Ning,LIU Chunbo,Peng Hongchang. Владелец: Ningbo College Health Sciences. Дата публикации: 2023-04-04.

Health-care food for preventing and assisting treatment of alzheimer's disease, and preparation method thereof

Номер патента: AU2020202884A1. Автор: Shuiming Zhou,Yi-Hsuan Pan. Владелец: Visdon Pty Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

A mechanism for preventing folding of an intermediate item in a knife folder

Номер патента: WO2022137158A1. Автор: Sanjay Madhav DANDEKAR,Datta Hari DESHPANDE. Владелец: Deshpande Datta Hari. Дата публикации: 2022-06-30.

Caspase-1 inhibition and uses thereof for prevention and treatment of neurological conditions

Номер патента: AU2017383127B2. Автор: Andrea Leblanc. Владелец: Casp Aid Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Pharmaceutical composition for prevention or treatment of allergic skin disease or skin pruritus

Номер патента: US20240325358A1. Автор: Joonsung Hwang,Jeeeune KIM. Владелец: Cuepeak Bio Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for preventing cracks in structural concrete

Номер патента: US11933037B2. Автор: James Coffin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-19.

Pharmaceutical composition for preventing or treating pulmonary fibrosis

Номер патента: US09943497B2. Автор: Sung Hwan Jeong. Владелец: Gil Medical Center. Дата публикации: 2018-04-17.

Composition for preventing or treating hangover

Номер патента: US09592262B2. Автор: Geun Seog Song,Byoung Seok Moon,Seok Jun Park,Yong Ki SEO,Se Hee Paek. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for prevention of invasion from space

Номер патента: RU2302604C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2007-07-10.

Cooking outfit for preventing leakage of boiling milk - universal saucepan

Номер патента: RU2655870C2. Автор: Хашимбек Халиков. Владелец: Хашимбек Халиков. Дата публикации: 2018-05-29.

Removable gripping device for utensils, provided with means for preventing return of two tabs

Номер патента: RU2654174C2. Автор: Паскаль КЮЙЕРИ. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2018-05-16.

Way of purging for prevention of fire

Номер патента: RU2362600C2. Автор: Эрнст-Вернер ВАГНЕР. Владелец: Амрона Аг. Дата публикации: 2009-07-27.

Agent for prevention of acute radiation disease

Номер патента: RU2599844C1. Автор: Игорь Иванович Красильников. Владелец: Войсковая часть 41598. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for preventing the drift of agricultural implements

Номер патента: RU2758118C2. Автор: Чад ПЛАТНЕР. Владелец: Пресижн Плэнтинг Ллк. Дата публикации: 2021-10-26.

Safety device for preventing spontaneous separation of clamp element and/or working tool

Номер патента: RU2587006C2. Автор: Флориан ЭЗЕНВАЙН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-06-10.

Universal colander for prevention of boiling liquid leakage and removing foam and slag

Номер патента: RU2649228C2. Автор: Хашимбек Халиков. Владелец: Хашимбек Халиков. Дата публикации: 2018-03-30.

Magnetic disk drive with electrical shorting protection

Номер патента: US5375022A. Автор: David E. Heim,Hardayal S. Gill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Security device for preventing leakage of data information in solid-state drive

Номер патента: US20200012824A1. Автор: Dong Beom KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for preventing cancer relapse

Номер патента: WO2022173895A1. Автор: Thomas P. Kennedy,Bhaumik B. PATEL. Владелец: Glycomira Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Camk4 as a target in the preparation of a medicine for preventing and treating psoriasis

Номер патента: EP4043075A1. Автор: LIANG Yong,Qi Zhen,Liangdan Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-17.

Device for preventing rotation of vehicle seat rail

Номер патента: US20230302965A1. Автор: Kyeong Ju Kim,Jun Sik Hwang,Jung Bin Lee,Cheol Hwan Yoon,Hwa Young Mun. Владелец: Hyundai Transys. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for preventing ectopic brain mineralization in alzheimer's disease and dementias

Номер патента: WO2023154860A1. Автор: Erming Tian,Maurizio Zangari. Владелец: Tzerma Llc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and Compositions for Prevention and Treatment of Malaria Infections

Номер патента: US20080274113A1. Автор: Lawrence W. Bergman,Akhil B. Vaidya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Drug for preventing or treating heart diseases comprising cd9 gene

Номер патента: EP1716869A4. Автор: Kenichiro Kosai,Hiroaki Ushikoshi. Владелец: Nagoya Industrial Science Research Institute. Дата публикации: 2007-05-23.

Drug for preventing or treating heart diseases comprising cd9 gene

Номер патента: US20070161584A1. Автор: Kenichiro Kosai,Hiroaki Ushikoshi. Владелец: Nagoya Industrial Science Research Institute. Дата публикации: 2007-07-12.

Composition and kit for prevention or treatment of arthritis, and method using the same

Номер патента: WO2015182953A1. Автор: Eunwha CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-03.

Trench isolation method for semiconductor devices

Номер патента: KR19980083839A. Автор: 홍수진. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Improvements in Means for Preventing Self Abuse in Horses.

Номер патента: GB190400048A. Автор: Frank Stevens,Charles Henry Huish. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-11-17.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING SIGNAL INTERFERENCE IN WIRELESS RELAY NETWORK BASED ON SYNCHRONOUS HARQ

Номер патента: US20120002597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Enterovirus Vaccines for Preventing and Treating Type 1 Diabetes (II)

Номер патента: US20120003239A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System for preventing unauthorised access into room

Номер патента: RU2350727C1. Автор: . Владелец: Башкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2009-03-27.

Methods for preventing multidrug resistance in cancer cells

Номер патента: WO1994006938A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1994-05-26.

A Key-bolt for Preventing the Picking of Locks.

Номер патента: GB189712045A. Автор: Joseph Richard Parker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-14.

Device for preventing debris from passing through a gap

Номер патента: CA167269S. Автор: . Владелец: Florin Coca. Дата публикации: 2016-11-17.

An Improved Closure for Preventing Unauthorized Refilling of Bottles, Jars, Flagons, or the like.

Номер патента: GB189801207A. Автор: Louis Leon Jules Godard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-11-19.