Plasma etching method and apparatus therefor
Номер патента: US7442274B2
Опубликовано: 28-10-2008
Автор(ы): Koji Maruyama
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-10-2008
Автор(ы): Koji Maruyama
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plasma etching apparatus
Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.