Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US20170273187A1
Опубликовано: 21-09-2017
Автор(ы): Kristof Darmawikarta, Rahul Jain, Robert Alan May, SHENG Li, Sri Ranga Sai Boyapati
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: WO2017160459A1. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US09820386B2. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

PLASMA ETCHING OF SOLDER RESIST OPENINGS

Номер патента: US20170273187A1. Автор: Jain Rahul,Li Sheng,DARMAWIKARTA Kristof,BOYAPATI Sri Ranga Sai,MAY ROBERT ALAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Method and device for the manufacturing of solder stop preferably on a printed board

Номер патента: WO1998002023A1. Автор: Leif Bergstedt. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1998-01-15.

Solder resist paste and method of soldering

Номер патента: US4634039A. Автор: Hari N. Banerjee. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-01-06.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Process and apparatus for reflowing solder of solder plated substrates and substrates formed thereby

Номер патента: IE46960B1. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-11-16.

Method of soldering components on a carrier foil

Номер патента: US5878941A. Автор: Heiko Backer,Reinhard Wendt. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Enhanced plasma etching

Номер патента: US4985112A. Автор: Walter E. Mlynko,Frank D. Egitto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Plasma Etched Catalytic Laminate with Traces and Vias

Номер патента: US20190014666A1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Direct Exposure Device for the Direct Exposure of Solder Resists in a 2-Dimensional, Quickly Temperature-Controlled Environment

Номер патента: US20210092850A1. Автор: Matthias Nagel. Владелец: LIMATA GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Printed circuit board and optical module comprising solder resist having no contact with an electro-conductive contact sheet group on a same substrate

Номер патента: US09999130B2. Автор: Lin Yu,Wei Zhao,WEI Cui. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Pluggable printed circuit board and optical module having a gap between solder resist and electro-conductive contact sheet group

Номер патента: US10912200B2. Автор: Lin Yu,Wei Zhao,WEI Cui. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Wet etching of thermally or chemically cured polyimide

Номер патента: US4846929A. Автор: Claudius Feger,Gareth G. Hougham,John J. Ritsko,Steven E. Molis,Peter Slota, Jr.,John J. Glenning,Walter P. Pawlowski,Steven L. Bard,Randy W. Snyder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

PCB with two rows of solder pads including both SMT-based and DIP-based structures

Номер патента: US09907187B1. Автор: Te-Chih Tseng. Владелец: Simula Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Pseudo-stripline using double solder-resist structure

Номер патента: US11107780B2. Автор: Robert L. Sankman,Robert Alan May,Amruthavalli Pallavi Alur,Lilia May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Package with substrate comprising variable thickness solder resist layer

Номер патента: EP4197031A1. Автор: Suhyung HWANG,Kun FANG,Hyunchul Cho,Jaehyun YEON,Boyu Tseng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Pseudo-stripline using double solder-resist structure

Номер патента: US20200388582A1. Автор: Robert L. Sankman,Robert Alan May,Amruthavalli Pallavi Alur,Lilia May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Package with substrate comprising variable thickness solder resist layer

Номер патента: US20220053639A1. Автор: Suhyung HWANG,Kun FANG,Hyunchul Cho,Jaehyun YEON,Boyu Tseng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of soldering with soft solder

Номер патента: RU2372175C2. Автор: Лоренс К. КЕЙ,Эрик Дж. СЕВЕРИН,Луис А. АГИРРЕ. Владелец: П. Кей Метал, Инк.. Дата публикации: 2009-11-10.

Substrate structure connected on basis of solder ball and elastic body

Номер патента: US20240147619A1. Автор: Younho Kim,Jongwan SHIM,Bumhee BAE,Jeongnam CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Wave solder nozzle with an exit trough having a weir, a surface of the through being wettable by solder; a wave soldering machine with such nozzle; a method of improving the flow of solder out of a wave solder nozzle

Номер патента: WO2006091410A1. Автор: James M. Morris. Владелец: Speedline Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-08-31.

Soldering apparatus with abrupt separation of solder streams

Номер патента: US5630542A. Автор: Adrianus J. M. Hendrikx. Владелец: Soltec BV. Дата публикации: 1997-05-20.

Structure of solder bumps with improved coplanarity and method of forming solder bumps with improved coplanarity

Номер патента: US6415974B2. Автор: Jui-Meng Jao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-09.

Reflow soldering machine for continuously soldering of soldering goods

Номер патента: US20220295643A1. Автор: Benedict Fleischmann,Thomas Huhler,Ruppert Elmar. Владелец: ERSA GmbH. Дата публикации: 2022-09-15.

Column grid array connector and a method of attaching a column of solder

Номер патента: EP1111973A3. Автор: Donald K. Harper Jr.. Владелец: Berg Electronics Manufacturing BV. Дата публикации: 2003-07-16.

Method of solder bonding

Номер патента: US5620131A. Автор: Joseph Shmulovich,Casey F. Kane. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Method of soldering portions plated by electroless ni plating

Номер патента: US20090218387A1. Автор: Hiroshi Okada,Ryoichi Kurata,Daisuke Soma. Владелец: Senju Metal Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of soldering electronic component having solder bumps to substrate

Номер патента: WO2006001402A1. Автор: Tadahiko Sakai,Tadashi Maeda. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-01-05.

Reflowable camera module with improved reliability of solder connections

Номер патента: WO2009079497A1. Автор: Jari Hiltunen,Ian Montandon. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2009-06-25.

Method and apparatus for applying stripes of solder to articles

Номер патента: US4527731A. Автор: Charles H. Payne,William C. Kent. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1985-07-09.

Method for Attachment of Solder Powder to Electronic Circuit Board and Solder-Attached Electronic Circuit Board

Номер патента: US20080173699A1. Автор: Tetsuo Kubota,Takashi Shoji,Takekazu Sakai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of soldering in a controlled-convection surface-mount reflow furnace

Номер патента: US5232145A. Автор: Richard C. Alley,Stephen E. Carmassi,William T. Daley,Michael F. Roffey. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1993-08-03.

Electrical contact pin carrying a charge of solder and process for producing it

Номер патента: US20060014443A1. Автор: Christophe Roshardt. Владелец: SM Contact. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of soldering an electronic component with a high lateral accuracy

Номер патента: US20150223347A1. Автор: Gordon Patrick Rudolf Elger. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-08-06.

Method of soldering an electronic component with a high lateral accuracy

Номер патента: EP2874780A2. Автор: Gordon Patrick Rudolf Elger. Владелец: Philips GmbH. Дата публикации: 2015-05-27.

Pre-swelling and etching of plastics for plating

Номер патента: US4941940A. Автор: Durgadas Bolikal,Gordhanbhai N. Patel,Richard A. Bellemare. Владелец: Jp Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Chemical etching of polymers for metallizing

Номер патента: CA1113355A. Автор: Wayne T. Wiggins. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1981-12-01.

Method for fabricating micro-structures with various surface properties in multilayer body by plasma etching

Номер патента: CA2399027C. Автор: Walter Schmidt,Frederic Reymond,Joel S. Rossier. Владелец: DiagnoSwiss SA. Дата публикации: 2010-06-22.

Solder ball excellent in micro-adhesion preventing properties and wetting properties and method for preventing the micro-adhesion of solder balls

Номер патента: US20070111381A1. Автор: Koji Sato,Kengo Iwata. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Solder paste stenciling apparatus for minimizing residue of solder paste

Номер патента: US20030167941A1. Автор: Pin-Hsuan Chang,Te-Chang Huang,Cheng-Yuan Lin,Sheng-Long Wu,Hao-Wei Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Repair of solder bumps

Номер патента: US20240222302A1. Автор: Zvi Kotler,Gil BERNSTEIN TOKER,Niv GORODESKY,Sharona Cohen,Ofer Fogel. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Precise alignment and decal bonding of a pattern of solder preforms to a surface

Номер патента: EP3723934A1. Автор: Raymond C.Y. Auyeung,Michael S. OSOFSKY,Joseph C. PRESTIGIACOMO. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-10-21.

Method and apparatus for inspection of solder joints utilizing shape determination from shading

Номер патента: US5064291A. Автор: Kurt Reiser. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-11-12.

Apparatus for holding electrical or electronic components during the application of solder

Номер патента: CA1250671A. Автор: Ah T. Sim. Владелец: Sun Industrial Coatings Private Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Process for producing an electrical component having a plurality of soldered-on plug contacts

Номер патента: US20010013172A1. Автор: Klaus - Wilczek. Владелец: AB Mikroelektronik GmbH. Дата публикации: 2001-08-16.

Solder resist composition, dry film, printed wiring board, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20240061334A1. Автор: Jin Kim,So Young Kim,Na Ra LEE,Jun Young Hwang,Seok Bong LIM,Jong Chul KWON,Young Ho SA,Byeong Jun CHOI,Joon Seok Kim. Владелец: Taiyo Ink Mfg Co Korea Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Curable composition, ink for solder resist, and printed circuit board

Номер патента: EP4215551A1. Автор: Toshiyuki Takabayashi,Issei NAKAHARA,Ai Katsuda. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-07-26.

Preparation method for dry film solder resist and film laminate used therein

Номер патента: US09788434B2. Автор: Byung Ju Choi,You Jin KYUNG,Woo Jae Jeong,Bo Yun Choi,Min Su Jeong,Kwang Joo Lee,Se Jin Ku. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Resin composition for solder resist, solder resist film, and circuit board

Номер патента: US20240118609A1. Автор: Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Multilayer printed wiring board, solder resist composition, method for manufacturing multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: EP2028915A1. Автор: Yoshitaka Ono,Motoo Asai,Yukihiko Toyoda,Dongdong Wang,Kenichi Shimada,Koji Sekine,Hui Zhong. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Solder resist layer structures for terminating de-featured components and methods of making the same

Номер патента: US20180255640A1. Автор: Yun Ling,Wei-Lun Jen,Li-Sheng WENG,Chi-Te Chen,Olivia Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Solder resist layer structures for terminating de-featured components and methods of making the same

Номер патента: US20190181017A1. Автор: Yun Ling,Wei-Lun Jen,Li-Sheng WENG,Chi-Te Chen,Olivia Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Solder resist

Номер патента: US3754324A. Автор: J Krehbiel,K Krafthefer. Владелец: Molex Products Co. Дата публикации: 1973-08-28.

Circuit board having multiple solder resist and display device having same

Номер патента: EP4304304A1. Автор: Seung Sik Hong,Youngsik KI. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for anisotropic etching of structures in conducting materials

Номер патента: CA2264908C. Автор: Babak Heidari,Lennart Olsson. Владелец: OBDUCAT AB. Дата публикации: 2006-04-25.

Laser-assisted liquid-phase etching of copper conductors

Номер патента: US4904340A. Автор: Bryan Seppala,Robert F. Miracky,Kantesh Doss. Владелец: Microelectronics and Computer Technology Corp. Дата публикации: 1990-02-27.

Method for nano etching of copper and copper alloy surfaces

Номер патента: EP4279634A1. Автор: Wonjin Cho,Cedric Lin,Ting Xiao,Fabian Michalik,Sandro Han. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-22.

Method for nano etching of copper and copper alloy surfaces

Номер патента: WO2023222701A1. Автор: Wonjin Cho,Cedric Lin,Ting Xiao,Fabian Michalik,Sandro Han. Владелец: Atotech Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2023-11-23.

Process for defined etching of substrates

Номер патента: CA2050629A1. Автор: Allan Cairncross,Chester A. Ii Thayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-11.

Pre-plating of solder layer on solderable elements for diffusion soldering

Номер патента: US12069802B2. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Pre-Plating of Solder Layer on Solderable Elements for Diffusion Soldering

Номер патента: US20240373548A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuit board etching mounting bracket and plasma etching machine

Номер патента: CN113038720B. Автор: 李金鸿,何为,尹立孟,蔡苇,曹磊磊,黄云钟,贺宏远. Владелец: Chongqing Founder Hi Tech Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-17.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Cleaning method for plasma etching chamber, and application thereof

Номер патента: EP4403270A1. Автор: FENG LIANG,Jiahe LI,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of soldering component to substrate and electronic device made by the same

Номер патента: US20070262121A1. Автор: Zhien-Chi Chen,Sinn-Wen Chen,Po-Yin Chen,Chao-Hong Wang. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Irregular-surface forming method using plasma-etching process, and electrode member

Номер патента: US20130008697A1. Автор: Takeshi Kondo,Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Plasma etching using improved electrode

Номер патента: US4297162A. Автор: Randall S. Mundt,Timothy A. Wooldridge,Thomas O. Blasingame. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-10-27.

Method of soldering and solder compositions

Номер патента: RU2351477C2. Автор: Джеймс П. ТИЛЬ,Джон А. ВИНТЕР,Чарльз С. ВЕЛЬТЦЕЛЬ,Шерил Е. БЕЛЛИ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Plasma etching method

Номер патента: TW200411762A. Автор: Rung-De Lin,Ren-Je Lee. Владелец: Ultratera Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Manufacturing method of solder transfer substrate, solder precoating method, and solder transfer substrate

Номер патента: US20130181041A1. Автор: Daisuke Sakurai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Plasma etching of ni-containing materials

Номер патента: WO2003065419A3. Автор: Lee Chen. Владелец: Lee Chen. Дата публикации: 2003-11-13.

Plasma etching using polycarbonate etch mask

Номер патента: WO1998038837A1. Автор: Chungdee Pong,Kristin Brigham. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 1998-09-03.

System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas

Номер патента: US09735020B2. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods and systems for plasma etching using bi-modal process gas composition responsive to plasma power level

Номер патента: US09691625B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Power supply system, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US09922802B2. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma generating device, plasma processing device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: US20240260165A1. Автор: Kohei Murakami,Tsuneharu TANAKA,Akira NAGAYASU. Владелец: Shinko Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma generation device, plasma treatment device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: EP4351281A1. Автор: Kohei Murakami,Tsuneharu TANAKA,Akira NAGAYASU. Владелец: Shinko Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200286737A1. Автор: Toshifumi Nagaiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Plasma etching method, plasma etching method, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: WO2015129719A1. Автор: 尚樹 森口. Владелец: 株式会社 アルバック. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, plasma processing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: TW201535518A. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-09-16.

FOCUS RING HEATING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20130299455A1. Автор: KOSHIMIZU Chishio,YAMAWAKU Jun,MATSUDO Tatsuo,Saito Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200312622A1. Автор: Tanaka Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20210027232A. Автор: 히로시 츠지모토,부디만 모드 페어루즈 빈. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-03-10.

Plasma etching method and plasma etching apparatus capable of detecting end point

Номер патента: JP4101280B2. Автор: 雅彦 田中,孝 山本,善幸 野沢,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: KR102155395B1. Автор: 히로시 츠지모토,도모유키 미즈타니. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-09-11.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101126741B1. Автор: 다카시 야마모토,마사히코 다나카,요시유키 노자와,쇼이치 무라카미. Владелец: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2012-03-29.

Electrode for plasma etching device and plasma etching device

Номер патента: JP2017175138A. Автор: Takayuki Suzuki,崇之 鈴木. Владелец: A-Sat Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Plasma-etching method and plasma-etching apparatus

Номер патента: CN110164764A. Автор: 后平拓,箕浦佑也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101346807A. Автор: 山本孝,田中雅彦,野泽善幸,村上彰一. Владелец: SUMITOMO PRECISION INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: KR102038649B1. Автор: 타이치 히라노,후미토시 쿠마가이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-10-30.

Plasma etching method capable of detecting end point and plasma etching device therefor

Номер патента: US20090277872A1. Автор: Takashi Yamamoto,Masahiko Tanaka,Shoichi Murakami,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2048703B1. Автор: Takashi Yamamoto,Masahiko Tanaka,Shoichi Murakami,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-04.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method

Номер патента: TW201630033A. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A Sat Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: KR101988437B1. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: 에이-삿토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-06-12.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: TW201340167A. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Power supply system, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JPWO2013125523A1. Автор: 太一 平野,史記 熊谷. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: US10679828B2. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A-Sat Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Plasma etching device with plasma etch resistant coating

Номер патента: US20200203126A1. Автор: Sanket Sant. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Plasma etching device with plasma etch resistant coating

Номер патента: US20210110998A9. Автор: Sanket Sant. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber

Номер патента: SG174503A1. Автор: Andreas Fischer,Akira Koshiishi,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-28.

Plasma reactor apparatus and process for the plasma etching of a workpiece in such a reactor apparatus

Номер патента: EP0019370A1. Автор: Josef T. Hoog,Georges J. Dr. Gorin. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1980-11-26.

Device for generating a plasma in low pressure container e.g. for hardware items surface treatment by plasma etching and plasma deposition

Номер патента: DE19503205C1. Автор: Eberhard Dipl Phys Dr Raeuchle,Wolfgang Dipl Phys Petasch,Fritz Konstantin Raeuchle,Horst Muegge. Владелец: Muegge Electronic GmbH. Дата публикации: 1996-07-11.

Plasma generation device, plasma treatment device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: WO2022250145A1. Автор: 常治 田中,幸平 村上,明 永安. Владелец: 神港精機株式会社. Дата публикации: 2022-12-01.

Sensor arrangement for the characterization of plasma coating, plasma etching and plasma treatment processes and methods for determining characteristics in these processes

Номер патента: DE102011111613A1. Автор: Dr. Dipl.-Phys. Ellmer Klaus,Karsten Harbauer. Владелец: Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH. Дата публикации: 2013-02-28.

plasma etching

Номер патента: DE102016208502A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Yoshio Watanabe,Takeshi Seki,Siry Milan. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Plasma generating apparatus and plasma etching method using the same

Номер патента: US20120231631A1. Автор: Hongseub KIM. Владелец: JEHARA CORPARATION. Дата публикации: 2012-09-13.

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200286737A1. Автор: NAGAIWA Toshifumi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-09-10.

Plasma etching apparatus using dual-etching

Номер патента: KR101751746B1. Автор: 이강석. Владелец: 주식회사 엘지에스. Дата публикации: 2017-06-29.

Plasma etching system and faraday shielding apparatus which can be used for heating

Номер патента: US20230207283A1. Автор: Jun Zhang,Haiyang Liu,Xiaobo Liu,Chengyi Wang,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Beijing Leuven Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Plasma etching method using faraday box

Номер патента: EP3764389B1. Автор: Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Geun Sik Jo,Soo Hee KANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of determining plasma etching parameters

Номер патента: RU2686579C1. Автор: Владимир Иванович АНИСИМКИН,Наталья Владимировна Воронова,Геннадий Николаевич Галанов,Нелли Владимировна Воронова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-29.

Plasma etching systems and methods using empirical mode decomposition

Номер патента: US09548189B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Yassine Kabouzi,Jorge Luque,Luc Albarede. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Improved endpoint detection system and method for plasma etching

Номер патента: WO1991005367A1. Автор: Calvin Gabriel,Jim Nulty. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1991-04-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of plasma etching

Номер патента: US20020011464A1. Автор: Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Mamoru Yakushiji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Formation of removable shroud by anisotropic plasma etch

Номер патента: US20050287762A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Etching of polycrystalline semiconductors

Номер патента: WO2023172584A1. Автор: Ken Kobayashi,Shuhei Ogawa,Alok Ranjan,Yun Han,Peter Biolsi,Tomoyuki Oishi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma etching techniques

Номер патента: WO2022173633A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma etching techniques

Номер патента: US20220254645A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for plasma etching of Ir-Ta-O electrode and for post-etch cleaning

Номер патента: US20020187645A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Jer-shen Maa. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Plasma Etching with Metal Sputtering

Номер патента: US20240249927A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber

Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma generation and pulsed plasma etching

Номер патента: US09793127B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma etching apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240128056A1. Автор: SeungBo SHIM,Changho Kim,Kyungsun Kim,Minyoung HUR,Yoonbum Nam,Hyeontae Kim,Juneeok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Vacuum loadlock ultraviolet bake for plasma etch

Номер патента: US20020046809A1. Автор: Mark Tesauro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20170207066A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20180102235A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Plasma etching device

Номер патента: US20040134612A1. Автор: Takeomi Numata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Dual mode plasma etching system and method of plasma endpoint detection

Номер патента: US5242532A. Автор: John L. Cain. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-09-07.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Single-wafer real-time etch rate and uniformity predictor for plasma etch processes

Номер патента: US09953886B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Brian Dee Hennes,Yannick Carll Kimmel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: WO2024163214A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of controlling plasma etch process

Номер патента: US20030153102A1. Автор: Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: US20240266220A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and Apparatus for Plasma Etching Dielectric Substrates

Номер патента: US20240212998A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20230170188A1. Автор: Huma Ashraf,Janet Hopkins,Kevin RIDDELL,Alex Huw Wood. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Quartz glass member for plasma etching

Номер патента: US20110232847A1. Автор: Tatsuhiro Sato,Kyoichi Inaki. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of anisotropic plasma etching of silicon microstructures in a cyclic two-step oxidation-etching process

Номер патента: RU2691758C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Павлович Антипов,Алексей Анатольевич Рылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2019-06-18.

High temperature anisotropic etching of multi-layer structures

Номер патента: EP1535317A1. Автор: Lee Yao-Sheng. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Plasma etching gas

Номер патента: US20030017708A1. Автор: Ming-Chung Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application

Номер патента: WO2014062582A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: WO2006041634A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis Usa Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: EP1797578A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: WO2001020655A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-03-22.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for selectivity enhancement during dry plasma etching

Номер патента: US09666447B2. Автор: Vinayak Rastogi,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma etch singulated semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09559007B1. Автор: Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100133234A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Tetsuo Yoshida,Ryoichi Yoshida,Michishige Saito,Akira Obi,Toshikatsu Wakaki,Hayato Aoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Method and apparatus for real-time monitoring of plasma etch uniformity

Номер патента: US09847262B2. Автор: Jean-Francois De Marneffe,Vladimir Samara. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing electronic device by forming a hole in a multilayer insulator film by plasma etching

Номер патента: US09530664B2. Автор: Shingo Kitamura,Aiko Kato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Methods To Provide Anisotropic Etching Of Metal Hard Masks Using A Radio Frequency Modulated Pulsed Plasma Scheme

Номер патента: US20230343554A1. Автор: Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Na Young Bae,Ya-Ming Chen,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of plasma etching

Номер патента: EP4391023A1. Автор: Samira Binte KAZEMI. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1124208A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Integrated circuit package with spatially varied solder resist opening dimension

Номер патента: US20150108204A1. Автор: Sumit Kumar,Tieyu Zheng,Sairam Agraharam,Tyler N. OSBORN,Manohar S. KONCHADY,Sridhar NARA,Renee D. GARCIA,Suresh B. Yeruva,Lynn H. CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20240213030A1. Автор: Binte Kazemi Samira. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-12-13.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20020014308A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Package comprising a substrate with post interconnects and a solder resist layer having a cavity

Номер патента: US20230230908A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method and system for facilitating the determination of the end point in plasma etching processes

Номер патента: WO2006106556A1. Автор: Roberto Colombo,Giuseppe Fazio,Diego Zappa. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476B1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Process for plasma etching of vias

Номер патента: US5514247A. Автор: Robert Wu,Hongching Shan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-07.

Plasma etching of additive-containing aln

Номер патента: EP4199687A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

In situ declogging in plasma etching

Номер патента: WO2023239617A1. Автор: Ji Zhu,Zhongkui Tan,Xiaofeng Su,Qiang Ma,Mark Naoshi Kawaguchi,Gowri Channa KAMARTHY,Priyadarsini SUBRAMANIAN,Wenchi Liu. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20210193908A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: US20050178740A1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide

Номер патента: WO1985002818A1. Автор: Mammen Thomas,Atiye Bayman. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-04.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

System and method for plasma etching endpoint detection

Номер патента: US5405488A. Автор: Samuel V. Dunton,Calvin T. Gabriel,Dimitrios Dimitrelis. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Plasma etching apparatus component for manufacturing semiconductor comprising composite sintered body and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240055266A1. Автор: Young Jo Park,Jae Woong Ko,Ha Neul Kim,Mi Ju KIM,Hyeon Myeong OH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-02-15.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: WO2023239630A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: US20230395385A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A3. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Gil Hun Lee. Дата публикации: 2009-03-12.

Etching of Polycrystalline Semiconductors

Номер патента: US20230317462A1. Автор: Ken Kobayashi,Shuhei Ogawa,Alok Ranjan,Yun Han,Peter Biolsi,Tomoyuki Oishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US09653357B2. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma etching electrode

Номер патента: US5993597A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric

Номер патента: US20020158247A1. Автор: Mohammad Massoodi,Mehrdad Mahanpour,Jose Hulog. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Cyclical plasma etching

Номер патента: US20170069469A1. Автор: Michael J. Cooke,Andrew L. Goodyear. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

Construction of a chamber casing in a plasma etching system

Номер патента: US5720846A. Автор: Whikun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-24.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Improvements relating to plasma etching

Номер патента: EP1188180A1. Автор: Srinivasan Anand,Carl-Fredrik Carlstrom,Gunnar Landgren. Владелец: Surface Technology Systems Ltd. Дата публикации: 2002-03-20.

Baffle plate and plasma etching device having same

Номер патента: WO2003098669A1. Автор: Moon Hwan Kim,Jeung Woo Lee,Young Jae Moon. Владелец: Tokyo Electron Korea Ltd.. Дата публикации: 2003-11-27.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: EP1568061A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20240258084A1. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-01.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20190013209A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US09934984B2. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US09620379B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09472380B2. Автор: Yoshinobu Nakada,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US5955383A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Plasma passivation technique for the prevention of post etch corrosion of plasma-etched aluminum films

Номер патента: CA1151106A. Автор: Christopher H. Galfo,Ashok L. Nalamwar. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Plasma etching process

Номер патента: US5405491A. Автор: Iraj E. Shahvandi,Carol Gelatos,Leroy Grant, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: US5344542A. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Apparatus for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US6030489A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Method for eliminating charge damage during etching of conducting layers

Номер патента: US5767006A. Автор: Jian-Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Plasma etching techniques

Номер патента: US11538690B2. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: CA1331163C. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-08-02.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20230402286A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: WO2023239400A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Metal-based liner protection for high aspect ratio plasma etch

Номер патента: US20230298896A1. Автор: Qing Xu,Eric A. Hudson,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Gregory Clinton Veber,Walter Thomas RALSTON,Taner OZEL,Shuang Pi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces

Номер патента: CA1121306A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Device fabrication by plasma etching with lessened loading effect

Номер патента: CA1124207A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation

Номер патента: US20070251918A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: EP3843126A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Method and Apparatus for Plasma Etching

Номер патента: US20210193471A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US11664232B2. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Plasma etching of porous substrates

Номер патента: US9595422B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang,Jean-Francois De Marneffe. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Non-plasma etch of titanium-containing material layers with tunable selectivity to alternate metals and dielectrics

Номер патента: US20210057213A1. Автор: Subhadeep Kal,Daisuke Ito,Shinji Irie,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for plasma hardening photoresist in etching of semiconductor and superconductor films

Номер патента: EP1195797A3. Автор: Raffi N. Elmadjian. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: US20240030007A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Plasma etching reactor with reduced plasma potential

Номер патента: CA1219975A. Автор: Charles J. Hendricks,Brian H. Desilets,Thomas A. Gunther,John H. Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma etching and stealth dicing laser process

Номер патента: US09601437B2. Автор: Guido Albermann,Sascha Moeller,Hartmut BUENNING,Thomas Rohleder,Martin Lapke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture

Номер патента: US5783100A. Автор: Guy Blalock,Kevin Donohoe. Владелец: Micron Display Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces

Номер патента: US6083412A. Автор: Michael Rice,Jeffrey Marks,David W Groechel,Nicolas J Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Plasma etching method

Номер патента: US5928963A. Автор: Akira Koshiishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: SG11201809012PA. Автор: AJAY Kumar,James S Papanu,Brad Eaton,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Alexander N Lerner,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

End point detection method for plasma etching of semiconductor wafers with low exposed area

Номер патента: WO2006078851A3. Автор: Georges J Gorin,Sumer Johal,Barton Lane,Sylvia G J P Spruytte,Herve C Kieffel. Владелец: Herve C Kieffel. Дата публикации: 2009-04-30.

Plasma etching unit

Номер патента: US20100024983A1. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Layer-by-layer etching of poly-granular metal-based materials for semiconductor structures

Номер патента: US20200321220A1. Автор: Hiroyuki Miyazoe,John M. Papalia,Nathan P. Marchack,Sebastian Ulrich Engelmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided uv-curable adhesive film

Номер патента: WO2014004917A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Motion sensor robustness utilizing a room-temperature-volcanizing material via a solder resist dam

Номер патента: US20230089623A1. Автор: Milena VUJOSEVIC,Efren Lacap. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach

Номер патента: US20140346641A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Aparna Iyer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Focus ring for improvement of semiconductor plasma etching process

Номер патента: US20220415621A1. Автор: Seung Ho Yang,Byeong Su An,Sung Dong Cho,Seong Wan BAE. Владелец: One Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of plasma etching

Номер патента: US12087593B2. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma etching apparatus and method for operating the same

Номер патента: US12046451B2. Автор: Ju Ho Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Nam Kyun Kim,Seung Han BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Anisotropic plasma etching of trenches in silicon by control of substrate temperature

Номер патента: GB2341348A. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for etching oxide film in plasma etching system

Номер патента: US6103137A. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of plasma etching

Номер патента: US9040427B2. Автор: Huma Ashraf,Anthony Barker. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Two step plasma etching

Номер патента: CA1191479A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-06.

Method of reducing dielectric damage from plasma etch charging

Номер патента: US5843827A. Автор: Richard William Gregor,Chung Wai Leung. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20150249016A1. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Low defect etching of patterns using plasma-stencil mask

Номер патента: US4661203A. Автор: David M. Walker,Donald O. Smith,John R. Burgess. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1987-04-28.

Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus

Номер патента: US5401351A. Автор: Seiji Samukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1121305A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: EP3465727A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-04-10.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: US20190304757A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Process for recognising the end point of etching of a semiconductor, an etching process and apparatus

Номер патента: GB2388960A. Автор: Franz Laermer,Klaus Breitschwerdt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-11-26.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US5983829A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Process for the plasma etching of materials not containing silicon

Номер патента: US7071110B2. Автор: Josef Mathuni,Günther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-04.

Magnetron-enhanced plasma etching process

Номер патента: US4668338A. Автор: Sasson Somekh,David Cheng,Dan Maydan,Mei Cheng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1987-05-26.

Two step plasma etching

Номер патента: US4457820A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Hard mask for copper plasma etch

Номер патента: US20010035582A1. Автор: Peter D. Nunan,Mark Richard Tesauro. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-11-01.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4010919A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Process for developing fine openings in a flexible electronic component with a plasma-etching technique

Номер патента: US20240071824A1. Автор: Gurinder S. Saini,David J. Crary. Владелец: Tech Etch Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Plasma etching apparatus and semiconductor processing system

Номер патента: US20230078095A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Byeongsang KIM,Youngdo Kim,Sungho Jang,Yunhwan Kim,Jungmo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Hybrid wafer dicing approach using a rectangular laser spot-based laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20240363412A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Zavier Tan,Praveen Choragudi,Ananth Jupudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US09972575B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4226665A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-10-07.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20080110569A1. Автор: Junichi Tanaka,Hiroshi Akiyama,Naoshi Itabashi,Kouhei Satou,Go Miya,Seiichiro Kanno. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of producing polysilicon structures in the 1 um range on substrates containing integrated semiconductor circuits by plasma etching

Номер патента: CA1165724A. Автор: Barbara Hasler,Willy Beinvogel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-04-17.

Plasma etching of dielectric layer with etch profile control

Номер патента: US20030045114A1. Автор: Lumin Li,Tuqiang Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Metal-based passivation-assisted plasma etching of iii-v semiconductors

Номер патента: US20180323074A1. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Lars Voss,Sara Elizabeth Harrison,Clint Frye. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: EP4322200A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: WO2001075930A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-05-23.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20070199657A1. Автор: Hiroshi Akiyama,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Plasma Etching

Номер патента: US20230197457A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: US20240055238A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

High temperature anisotropic etching of multi-layer structures

Номер патента: WO2004010486A1. Автор: Lee Yao-Sheng. Владелец: Unaxis Usa, Inc.. Дата публикации: 2004-01-29.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20180122649A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Hydrogen etching of semiconductors and oxides

Номер патента: CA1184478A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-03-26.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture

Номер патента: US4431477A. Автор: John Zajac. Владелец: Matheson Gas Products Inc. Дата публикации: 1984-02-14.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4208241A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050061447A1. Автор: Yong-Dae Kim,Do-hyeong Kim,Doo-Won Lee,Soon-Ho Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20210115555A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-22.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US20190096684A1. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-03-28.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US10510550B2. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-12-17.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: WO2017044154A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-16.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment

Номер патента: WO2020055523A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Ultrasonic wave-driven triboelectric generator with self-gap formed using plasma etching

Номер патента: US20230135593A1. Автор: Sangwoo Kim,Young Jun Kim,Joon Ha Hwang,Young Wook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US11984304B2. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20200080197A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-03-12.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: EP3423610A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-01-09.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: WO2004053922A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2004-06-24.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method and apparatus for plasma etching dielectric substrates

Номер патента: EP4391010A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDEL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Anisotropic polysilicon plasma etch using fluorine gases

Номер патента: US5453156A. Автор: Ming-Shry Cher,Chung-Hsing Shan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: EP4310886A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Interposer with solder resist posts

Номер патента: US20240274516A1. Автор: Hong Bok We,Zhijie Wang,Sang-Jae Lee,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Interposer with solder resist posts

Номер патента: WO2024173034A1. Автор: Hong Bok We,Zhijie Wang,Sang-Jae Lee,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Notch-free etching of high aspect soi structures using a time division multiplex process and rf bias modulation

Номер патента: EP1676302B1. Автор: David Johnson,Russell Westerman,Sunil Srinivasan. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Thermal spray material, thermal spray coating, method for forming thermal spray coating, and component for plasma etching device

Номер патента: US20240043982A1. Автор: Hiroaki Mizuno,Kensuke Taguchi,Takaya MASUDA,Tatsuo Suidzu,Yasuhiro Shiojiri. Владелец: Tocalo Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Package assembly including package substrate with elongated solder resist opening and methods for forming the same

Номер патента: US20230378036A1. Автор: Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Shin-Puu Zeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus

Номер патента: US5746928A. Автор: Po-Tao Chu,Kuang-Hui Chang,Shih Kuei Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4256534A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Method of manufacturing a ferroelectric device using a plasma etching process

Номер патента: US5443688A. Автор: Steven R. Collins,Abron S. Toure,Bruce W. LeBlanc. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1995-08-22.

Method of plasma etching

Номер патента: US20230411164A1. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US20240079273A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US11854888B2. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrode for plasma etching

Номер патента: US6007672A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20030203640A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US9852997B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: WO2017165706A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-09-28.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US4595452A. Автор: Richard F. Landau,Henry A. Majewski. Владелец: Oerlikon Buhrle USA Inc. Дата публикации: 1986-06-17.

Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues

Номер патента: US6103680A. Автор: Kenji Honda,Eugene F. Rothgery. Владелец: Arch Specialty Chemicals Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4014251A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210050263A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Solid polymer electrolyte composite membrane comprising plasma etched porous support

Номер патента: WO2006036957A2. Автор: HAN Liu,Anthony B. LaConti. Владелец: GINER ELECTROCHEMICAL SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2006-04-06.

Carbon doped metal oxyfluoride (c:m-0-f) layer as protection layer in fluorine plasma etch processes

Номер патента: US20230383396A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Julien Keraudy,Sebastien Guimond,Matthew Paul KIRK,John CONIFF. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-11-30.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210043515A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Plasma etching apparatus component and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130251949A1. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Takashi Rokutanda,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Plasma etching chamber

Номер патента: WO2009061104A1. Автор: Hee-Se Lee,Seong-Hyun Chung,Se Mun Park. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of soldering electronic component, and apparatus of same

Номер патента: MY158308A. Автор: Oikawa Takashi,TOMIZAWA Yosuke,Higaki Tadanori. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-09-30.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US20240055376A1. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Solder resist composition, board for package comprising solder resist opening using the composition, and method for preparing the board for package

Номер патента: US20130089703A1. Автор: Tae Ho Kim,Cheol Ho Choi,Da Hye KIM,Dae Jo HONG,Chang Bo Lee,Archana S. Patole,Jeong Min Hyeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US12132017B2. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of soldering laser diodes

Номер патента: RU2691152C1. Автор: Алексей Васильевич Фомин,Евгений Викторович Смирнов,Елена Михайловна Филоненко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape

Номер патента: US20110254146A1. Автор: Daesik Choi,Taewoo Lee,SungWon Cho,KyuWon Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

System for the flux free processing of a plurality of solder balls on a wafer

Номер патента: EP4099366A2. Автор: Jian Zhang. Владелец: Boston Process Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Method and apparatus for measuring electromigration of solder joint

Номер патента: US20240036123A1. Автор: Dan Yang,Na MEI,Niuyi SUN,Tuobei Sun. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrates with spacers, including substrates with solder resist spacers, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20240071975A1. Автор: Bong Woo Choi,Venkateswarlu Bhavanasi,Wen How Sim,Harjashan Veer Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Circuit pin positioning structure, fabrication method of soldered circuit elements, and method of forming circuit pins of a stacked package

Номер патента: US20180082974A1. Автор: Tsung-Chi Chen,Mu-Jung Huang. Владелец: Tarng Yu Enterpries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Circuit pin positioning structure, fabrication method of soldered circuit elements, and method of forming circuit pins of a stacked package

Номер патента: US10679961B2. Автор: Tsung-Chi Chen,Mu-Jung Huang. Владелец: Tarng Yu Enterpries Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Dual side solder resist layers for coreless packages and packages with an embedded interconnect bridge and their methods of fabrication

Номер патента: US09704735B2. Автор: Yi Li,Tao Wu,Wei-Lun K. Jen,Mihir K. Roy,Manohar S. KONCHADY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Sealing structure, method of soldering and process for preparing sealing structure

Номер патента: US4854495A. Автор: Akihiko Yamamoto,Kazuaki Yokoi,Keiji Taguchi,Motohiro Satou,Akiomi Kohno,Toshihiri Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-08-08.

High-sensitive resistance measuring device and monitoring method of solder bump

Номер патента: EP2031413A2. Автор: Naoaki c/o FUJITSU ADVANCED TECHNOLOGIES LIMITED Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Semiconductor package with trace covered by solder resist

Номер патента: US09640505B2. Автор: Thomas Matthew Gregorich,Tzu-Hung Lin,Ching-Liou Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Package comprising a solder resist layer configured as a seating plane for a device

Номер патента: WO2021066981A1. Автор: Chang-Ho Lee,Francesco Carrara,Daniel Garcia,Ashish Alawani,Xiaoju YU,Kinfegebriel Amera Mengistie,Mark Kuhlman,John Jong-Hoon Lee,Jeongkeun Kim,Supatta Niramarnkarn. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-08.

Package comprising a solder resist layer configured as a seating plane for a device

Номер патента: EP4038662A1. Автор: Chang-Ho Lee,Francesco Carrara,Daniel Garcia,Ashish Alawani,Xiaoju YU,Kinfegebriel Amera Mengistie,Mark Kuhlman,John Jong-Hoon Lee,Jeongkeun Kim,Supatta Niramarnkarn. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-10.

Solder resist structure for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20220416069A1. Автор: Ahmad Mizan,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL,Maryam ABOUIE. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Package structure with solder resist underlayer for warpage control and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862594B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Substrate comprising interconnects embedded in a solder resist layer

Номер патента: EP4208888A1. Автор: Hong Bok We,Suhyung HWANG,Kun FANG,Jaehyun YEON. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Substrate comprising interconnects embedded in a solder resist layer

Номер патента: US20220115312A1. Автор: Hong Bok We,Suhyung HWANG,Kun FANG,Jaehyun YEON. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Solder resist structure to mitigate solder bridge risk

Номер патента: US11967547B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Solder resist structure to mitigate solder bridge risk

Номер патента: US20240222247A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Device for liquid chemical etching of semiconductor products

Номер патента: RU2746672C1. Автор: Юлия Валерьевна Сухорослова,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2021-04-19.

Method for residue-free anisotropic etching of aluminum and its alloys

Номер патента: WO2000029640A9. Автор: Jeffrey Stokes,Timothy R Webb,Savitha Nanjangud,Marlene Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-09.

Determination of etching parameters for pulsed xenon difluoride (xef2) etching of silicon using chamber pressure data

Номер патента: WO2014176405A1. Автор: Zayd LESEMAN,Khawar ABBAS,Mirza ELAHI,Joseph BUTNER,Denise PINON. Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of detecting an endpoint during etching of a material within a recess

Номер патента: US20030082919A1. Автор: Meihua Shen,Jeffrey Chinn,Wilfred Pau. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: WO2024058863A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

System and method for controlling directionality of fast-wet etching of crystalline silicon, c-Si

Номер патента: US11906946B2. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for highly anisotropic etching of titanium oxide spacer using selective top-deposition

Номер патента: US12009211B2. Автор: Stephanie OYOLA-REYNOSO,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods to prevent surface charge induced cd-dependent etching of material formed within features on a patterned substrate

Номер патента: US20240096638A1. Автор: Robert Clark,Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING DIRECTIONALITY OF FAST-WET ETCHING OF CRYSTALLINE SILICON, c-SI

Номер патента: US20220113701A1. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A2. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A3. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for preventing excessive etching of edges of an insulator layer

Номер патента: US10249508B2. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (CD)

Номер патента: US12100599B2. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Interconnects based on subtractive etching of silver

Номер патента: US09911648B2. Автор: Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Brett C. Baker-O'Neal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for high precision etching of substrates

Номер патента: US09881804B2. Автор: Merritt Funk,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for high precision etching of substrates

Номер патента: US09768033B2. Автор: Alok Ranjan,Peter L. G. Ventzek,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication

Номер патента: US09583353B2. Автор: Jung Han. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Interconnects based on subtractive etching of silver

Номер патента: US09564362B2. Автор: Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Brett C. Baker-O'Neal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: EP2470688A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab LLC. Дата публикации: 2012-07-04.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: WO2011025770A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab, L.L.C.. Дата публикации: 2011-03-03.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: SG178505A1. Автор: Vladimir V Makarov. Владелец: Tiza Lab L L C. Дата публикации: 2012-03-29.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: US20240105455A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Controlled dry etch of a film

Номер патента: US7288476B2. Автор: Ronnie P. Varghese. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Method and apparatus for the etching of photomask substrates using pulsed plasma

Номер патента: EP1444726A1. Автор: David J. Johnson,Christopher Constantine,Shinzo Onishi. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Vapor-phase etch of metal-containing materials

Номер патента: WO2024215408A1. Автор: NGUYEN Vu,Bhushan Zope,Martin MCBRIARTY. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Solution based etching of titanium carbide and titanium nitride structures

Номер патента: US09831100B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,John Foster,Sean Lin,Ruilong Xie. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of the drip etching of the contact platform of the built-in diode of a photo converter

Номер патента: RU2681660C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-03-12.

Vapor phase etching of hafnia and zirconia

Номер патента: US20170352549A1. Автор: Bryan C. Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Vapor phase etching of hafnia and zirconia

Номер патента: US10002772B2. Автор: Bryan C. Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Chip and method for self-aligned etching of contacts of chips

Номер патента: US20220102524A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang,Shaojun Sun. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Etching of silicon nitride and silica deposition control in 3d nand structures

Номер патента: US20200027891A1. Автор: Derek Bassett,Ihsan Simms,Antonio Rotondaro,Trace Hurd. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method and device for preferential etching of dislocation of silicon carbide wafer

Номер патента: US11784038B2. Автор: Jiajun Li,Rong Wang,Deren Yang,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-10-10.

Laser etching of semiconductors

Номер патента: US5486264A. Автор: Osman A. Ghandour. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 1996-01-23.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Process for the localised etching of silicone crystals

Номер патента: CA1036473A. Автор: Ulrich Schwabe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-08-15.

Selective etching of silicon dioxide compositions

Номер патента: MY147667A. Автор: Stephen Andrew Motika,Glenn Michael Mitchell,Andrew David Johnson. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2012-12-31.

Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3898141A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

Method for controlling etching of electrolytic capacitor foil

Номер патента: CA1146845A. Автор: John R. Hebert, Jr.,Robert W. Herzig,Joseph H. Silveira. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-05-24.

Dry etching of metal film

Номер патента: CA1136525A. Автор: Kazuo Tokitomo,Hitoshi Hoshino,Tadakazu Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-30.

High-selectivity plasma-assisted etching of resist- masked layer

Номер патента: CA1160759A. Автор: David N. Wang,Nadia Lifshitz,Joseph M. Moran. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-01-17.

Monitoring etching of a substrate in an etch chamber

Номер патента: US20080272089A1. Автор: Shaoher X. Pan,Michael Grimbergen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Preferential etching of a piezoelectric material

Номер патента: CA1273275A. Автор: Petros A. Petridis,Darrell E. Newell,Keneth D. Hartman. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Dry etching of silicon carbide

Номер патента: CA1329167C. Автор: John W. Palmour. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-05-03.

Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment

Номер патента: US20040163763A1. Автор: Kevin Martin,Harry Gillis,Dimitri Choutov. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Selective and isotropic etch of silicon over silicon-germanium alloys and dielectrics; via new chemistry and surface modification

Номер патента: WO2023219716A1. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Yu-Hao Tsai,Matthew Flaugh,Pingshan Luan,Jonathan HOLLIN,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Patterning electronic devices using reactive-ion etching of tin oxides

Номер патента: US20200185609A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-11.

Plasma-assisted etching of metal oxides

Номер патента: US20220037163A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Plasma-Assisted Etching Of Metal Oxides

Номер патента: US20230386854A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method For Highly Anisotropic Etching Of Titanium Oxide Spacer Using Selective Top-Deposition

Номер патента: US20230154752A1. Автор: Stephanie OYOLA-REYNOSO,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Ion beam etching of stt-ram structures

Номер патента: WO2017075282A1. Автор: Narasimhan Srinivasan,Boris Druz,Katrina Rook,Ajit PRANJPE. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

Ion beam etching of stt-ram structures

Номер патента: EP3369119A1. Автор: Narasimhan Srinivasan,Boris Druz,Katrina Rook,Ajit PRANJPE. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-05.

Selective and isotropic etch of silicon over silicon-germanium alloys and dielectrics; via new chemistry and surface modification

Номер патента: US20230360921A1. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Yu-Hao Tsai,Matthew Flaugh,Pingshan Luan,Jonathan HOLLIN,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Thermal etching of ruthenium

Номер патента: US20240153781A1. Автор: Robert Clark,Hisashi Higuchi,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: WO2024072563A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods for cyclic etching of a patterned layer

Номер патента: US20170243757A1. Автор: Vinayak Rastogi,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: US20240087908A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Thermal etching of ruthenium

Номер патента: WO2024102274A1. Автор: Robert Clark,Hisashi Higuchi,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching of aluminum electrolytic capacitor foil

Номер патента: CA1236383A. Автор: Richard A. Bemis,Clinton E. Hutchins,Derek E. Rougeau,Thomas E. Chalmers. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1988-05-10.

Method for selective etching of nanostructures

Номер патента: US20220262642A1. Автор: Jonas Sundqvist,MD Sabbir KHAN,Dmitry SUYATIN. Владелец: Alixlabs AB. Дата публикации: 2022-08-18.

High-throughput dry etching of films containing silicon-oxygen components or silicon-nitrogen components by proton-mediated catalyst formation

Номер патента: US11804380B2. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Methods for wet atomic layer etching of copper

Номер патента: US11866831B2. Автор: ARKALGUD Sitaram,Paul Abel,Jacques Faguet,Christopher Netzband. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Anisotropic dry etching of cu-containing layers

Номер патента: WO2004003256A1. Автор: Lee Chen,Audunn Ludviksson. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-01-08.

A method for selective etching of nanostructures

Номер патента: US20190080918A1. Автор: Jonas Sundqvist,Dmitry SUYATIN,MD Sabbir Ahmed KHAN. Владелец: Jonas Sundqvist. Дата публикации: 2019-03-14.

Selective gas phase etch of silicon germanium alloys

Номер патента: US20240128088A1. Автор: Subhadeep Kal,Shinji Irie,Masashi Matsumoto,Aelan Mosden,Toshiki KANAKI,lvo OTTO, IV. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for selective etching of nanostructures

Номер патента: US20210175087A1. Автор: Jonas Sundqvist,Dmitry SUYATIN,MD Sabbir Ahmed KHAN. Владелец: Alixlabs AB. Дата публикации: 2021-06-10.

Selective gas phase etch of silicon germanium alloys

Номер патента: WO2024085974A1. Автор: Subhadeep Kal,Shinji Irie,Masashi Matsumoto,Aelan Mosden,Ivo OTTO IV,Toshiki KANAKI. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for micromachining using a magnetic field and plasma etching

Номер патента: US20030040178A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US9290391B2. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Device for fabricating a mask by plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: US20060148274A1. Автор: Michel Puech,Martial Chabloz. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of recycling silicon component for plasma etching apparatus and silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US20110076221A1. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Single application solder pellet, soldering gun having a wheel dispenser, solder pellet dispenser, and method of soldering

Номер патента: US20030042275A1. Автор: Gina Kaye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of soldered connection of alumina ceramic with titanium alloy bt1-0

Номер патента: RU2717446C1. Автор: Борис Александрович Калин,Владимир Иванович Пахалюк,Иван Владимирович Федотов,Олег Николаевич Севрюков,Юрий Михайлович Немчинов,Александр Александрович Иванников,Алексей Николаевич Сучков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2020-03-23.

Soldering apparatus with improved configuration of solder streams

Номер патента: WO1993013904A1. Автор: Michiel Jeroen Van Schaik. Владелец: Soltec B.V.. Дата публикации: 1993-07-22.

Active soft solder and method of soldering

Номер патента: WO2017187378A4. Автор: Roman Koleňák. Владелец: Slovenska Technicka Univerzita V Bratislave. Дата публикации: 2017-12-21.

Device for quality monitoring of soldered connection of windings of electrical machines

Номер патента: RU2704011C1. Автор: Вадим Игоревич Фащук. Владелец: Государственное Предприятие "Завод "Электротяжмаш". Дата публикации: 2019-10-23.

Recovery of solder

Номер патента: RU2145641C1. Автор: Энтони Джонсон Стивен. Владелец: Эппл Хауз (Электроникс) Лтд.. Дата публикации: 2000-02-20.

Desktop soldering dispenser with automatic metering and feeding of soldering wire

Номер патента: US20020179680A1. Автор: Leonid Poletaev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for cleaning of solder made as foil or tape before soldering

Номер патента: RU2644486C1. Автор: Юрий Сергеевич Ранжин,Юрий Николаевич Калашников,Николай Петрович Литвиненко. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2018-02-12.

Method of soldering, gyroscope and soldered unit

Номер патента: RU2553144C2. Автор: Поль ВАНДЕБЕК. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of soldering of vacuum double-glazed windows by induction heating

Номер патента: RU2736268C1. Автор: Яньбин ЛИ,Чжаншэн ВАН. Владелец: Лоян Лендгласс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of soldered joint manufacturing

Номер патента: RU2730959C1. Автор: Александр Сергеевич Степанов,Наталия Владимировна Конаичева,Виталий Владимирович Сергодеев,Иван Владимирович Мамаев,Эдуард Евгеньевич Шульц,Алексей Николаевич Булатов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-08-26.

Cellular element and fabrication of soldered cellular element

Номер патента: RU2516716C2. Автор: БРЮКК Рольф,ХИРТ Петер,МАУС Волфганг. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of solder application to structure

Номер патента: RU2207233C2. Автор: Лудвиг ВИРЕС. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2003-06-27.

Controlled method for the preparation of soldering surfaces of fixed bridge prostheses

Номер патента: RU2657191C2. Автор: Тагир Махмудович Салимов,Айгуль Фирдусовна Гайнетдинова,Талгат Тагирович Салимов. Владелец: Государственное автономное профессиональное образовательное учреждение "Казанский медицинский колледж" (ГАПОУ "Казанский медицинский колледж"). Дата публикации: 2018-06-08.

Method of soldering radiator tanks

Номер патента: US4330077A. Автор: Fred M. Young. Владелец: Young Radiator Co. Дата публикации: 1982-05-18.

Thermally curable solder-resistant ink and method of making the same

Номер патента: US20150322274A1. Автор: Shih-Chang Lin,Hsiu-Ming Chang,Tzu-Ching Hung. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Case of down hole tool with erosion-resistant opening for down hole valve or flow regulator (versions)

Номер патента: RU2355871C2. Автор: Ронни Д. РАССЕЛЛ,Ронни Д. РАССЕЛЛ (US). Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-05-20.

Photocurable and thermosetting resin composition, dry film solder resist manufactured therefrom, and circuit board including the solder resist

Номер патента: US09416243B2. Автор: Byung Ju Choi,Woo Jae Jeong,Bo Yun Choi,Min Su Jeong,Kwang Joo Lee,Se Jin Ku. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Conveyor guiderail snag resistant opening

Номер патента: CA2475772C. Автор: Ronald L. Ernst. Владелец: Alvey Systems Inc. Дата публикации: 2009-04-21.

Test of ram address decoder for resistive open defects

Номер патента: EP1629506A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Photocurable and thermocurable resin composition and dry film solder resist

Номер патента: US09778566B2. Автор: Byung Ju Choi,You Jin KYUNG,Woo Jae Jeong,Bo Yun Choi,Min Su Jeong,Kwang Joo Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and device for etching of metals

Номер патента: RU2375506C2. Автор: Андреас ШТЕПАН,Хуанито ХОРН. Владелец: СИМЕНС ФАИ МЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ УНД КО. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of selective etching of steel

Номер патента: RU2709558C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-12-18.

Device for implementation of dynamic chemical etching of sintered metallic foams and determination of their permeability by liquids

Номер патента: RU2631782C1. Автор: Владимир Иосифович БРАИЛОВСКИЙ,Юлия Сергеевна Жукова,Сергей Дмитриевич Прокошкин,Сергей Михайлович Дубинский,Вадим Алексеевич Шереметьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-09-26.

Imidazolidinethione-containing compositions for post-ash residue removal and/or for oxidative etching of a layer or mask comprising TiN

Номер патента: US12024693B2. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for the mask-etching of a piercing element

Номер патента: US09522566B2. Автор: Marzellinus Zipfel,Angel Lopez-Mras. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Colorimetric detection sensor and colorimetric detection method for detecting cyanide anion by etching of gold nanorods

Номер патента: US09846127B2. Автор: Sujin Lee,InHwan Oh,Yeonhee Lee,Kangbong LEE,Yunsik NAM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and device for electrolytic etching of metal strips

Номер патента: RU2205254C2. Автор: Вильхельм КАРНЕР,Йован СТАРЦЕВИЧ. Владелец: Андритц-Патентфервальтунгс-Гезелльшафт М.Б.Х.. Дата публикации: 2003-05-27.

Microscopic scale forming method by selective etching of a doped substrate

Номер патента: WO2001032554A3. Автор: Glenn J Fricano,Mark Lizza,Thomas A Pumo,William S Trimmer. Владелец: Standard Mems Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for anti-corrosion processing of metal surface with reduced etching of material

Номер патента: RU2754070C2. Автор: Анна Верена МОР,Михаэль ДРЁГЕ,Даниэль ШАТЦ,Марк РИТТМАЙЕР. Владелец: Хеметалл Гмбх. Дата публикации: 2021-08-25.

Vapor etching of nuclear tracks in dielectric materials

Номер патента: US6033583A. Автор: Robert J. Contolini,Ronald G. Musket,John D. Porter,James M. Yoshiyama. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-03-07.

Monitoring system based on etching of metals

Номер патента: RU2507516C2. Автор: Г. Пэйтел. Владелец: Г. Пэйтел. Дата публикации: 2014-02-20.

Etching of stainless steel in oxidative electrolytic bath with acid

Номер патента: RU2583500C2. Автор: Аманда Р. ГЛАСС,Рональд Д. РОДАБАУФ,Дэвид М. ПРАЙС. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

Solution for chemical etching of copper

Номер патента: RU2729265C1. Автор: Владимир Иванович Егоров,Александра Александровна Косенко,Евгений Иванович Остапенко,Тадеуш Иосифович Сороко. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭЛЕКТРОТЯГА". Дата публикации: 2020-08-05.

Method for etching of fluoropolymer track membranes

Номер патента: RU2753260C1. Автор: Сергей Михайлович Мерков,Геннадий Степанович Жданов,Алексей Геннадьевич Липко. Владелец: Алексей Геннадьевич Липко. Дата публикации: 2021-08-12.

A monitoring system based on etching of metals

Номер патента: CA2726993C. Автор: G. Patel. Владелец: Jp Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

A method of differential etching of the subterranean fracture

Номер патента: GB2493299A. Автор: Timothy Lesko,Evgeny Borisovich Barmatov,Alexander Alexandrovich Burukhin,Ksenia Evgenievna Eliseeva,Dean M Willberg. Владелец: Schlumberger Holdings Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Method and apparatus for decorative etching of surfaces

Номер патента: CA1154257A. Автор: Thomas E. Makus,James B. Hubbard. Владелец: Mak Ard Industries Inc. Дата публикации: 1983-09-27.

Etching of multiple holes of uniform size

Номер патента: CA1137395A. Автор: Robert Hammer,John B. Gunn,James A. Van Vechten,Richard A. Ghez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-12-14.

Formulation for the etching of polymer materials prior to coating of the materials

Номер патента: US11898250B2. Автор: Julio Gómez Cordón,Javier Perez Martinez,Luis y OTAÑO JIMENEZ. Владелец: Avanzare Innovacion Tecnologica SL. Дата публикации: 2024-02-13.

IMIDAZOLIDINETHIONE-CONTAINING COMPOSITIONS FOR POST-ASH RESIDUE REMOVAL AND/OR FOR OXIDATIVE ETCHING OF A LAYER OR MASK COMPRISING TiN

Номер патента: WO2019192866A1. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-10-10.

Imidazolidinethione-containing compositions for post-ash residue removal and/or for oxidative etching of a layer or mask comprising tin

Номер патента: EP3776083A1. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-02-17.

A1n masking for selective etching of sapphire

Номер патента: CA1065746A. Автор: Richard F. Rutz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-06.

Etching solution for etching of photopolymeric films

Номер патента: CA1195595A. Автор: Manfred A.J. Sondergeld. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1985-10-22.

Solvent mixture with nitric acid and hydrofluoric acid for wet chemical etching of silicon

Номер патента: US3592773A. Автор: Alfred Muller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-07-13.

Method for the electrolytic etching of metal workpiece

Номер патента: US4045312A. Автор: TAKEUCHI Satoshi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-08-30.

Nanoscale Etching of Light Absorbing Materials using Light and an Electron Donor Solvent

Номер патента: US20210405533A1. Автор: Meni Wanunu,Hirohito Yamazaki. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-30.

Nanoscale Etching of Light Absorbing Materials using Light and an Electron Donor Solvent

Номер патента: US20190302619A1. Автор: Meni Wanunu,Hirohito Yamazaki. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for fabricating micro-lens and micro-lens integrated optoelectronic devices using selective etch of compound semiconductor

Номер патента: WO2007061271A1. Автор: Alameh Kamal,Yong-Tak Lee,Ki-Soo Chang. Владелец: Edith Cowan University. Дата публикации: 2007-05-31.

Plasma etching of mask materials

Номер патента: EP4330769A1. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Toi Yue Becky Leung,Madhavi Rajaram Chandrachood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US12057320B2. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: Rasiro Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Polymer Removal via Multiple Flash Steps during Plasma Etch

Номер патента: US20240136195A1. Автор: Minseok Oh,Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Polymer Removal via Multiple Flash Steps during Plasma Etch

Номер патента: US20240234157A9. Автор: Minseok Oh,Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma etching method

Номер патента: US20130048599A1. Автор: Masato Ishimaru,Makoto Satake,Makoto Suyama,Yasukiyo Morioka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200126770A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050211380A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for improving CD micro-loading in photomask plasma etching

Номер патента: US09425062B2. Автор: AJAY Kumar,Xiaoyi Chen,Amitabh Sabharwal,Zhigang Mao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for selective plasma etch

Номер патента: EP1012877A1. Автор: Helen H. Zhu,Lumin Li,Thomas D. Nguyen,George A. Mueller. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Plasma etching of mask materials

Номер патента: US11915932B2. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Toi Yue Becky Leung,Madhavi Rajaram Chandrachood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20230187234A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240258128A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240178014A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240258127A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for plasma etching a layer based on a iii-n material

Номер патента: EP4441778A1. Автор: Nicolas Posseme,Simon Ruel,Patricia PIMENTA BARROS,Bryan Helmer,Philippe Thoueille. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Plasma etch system including tunable plasma sheath

Номер патента: US20240266179A1. Автор: Yu Jiang,Ting-Jung Chen,Ming-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US09934979B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma etch for chromium alloys

Номер патента: US20110086488A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Subtractive plasma etching of a blanket layer of metal or metal alloy

Номер патента: US8871107B2. Автор: Chun Yan,Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Nicholas C. M. Fuller,Mark Hoinkis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: US20240162042A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: US12106971B2. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: WO2024091612A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-02.

Plasma etching of polysilicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: WO2000033372A1. Автор: Taeho Shin,Nam-Hun Kim,Jeffrey Chinn. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Methods for performing plasma etching operations on microelectronic structures

Номер патента: US5900163A. Автор: Gyu-Hwan Kwag,Kyung-Hoon Kim,Dai-Sik Moon,Whi-kun Yi,Sung-kyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US20240112921A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: WO2024074929A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC, INC.. Дата публикации: 2024-04-11.

Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process

Номер патента: WO2012061277A2. Автор: Theo Panagopoulos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: WO2024145170A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited oxide mask

Номер патента: WO1992000609A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-01-09.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: US20240242971A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Low pressure plasma etch process for preferential generation of oxide residue and applications for the same

Номер патента: US20240355629A1. Автор: Jih-Jse Lin,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing element chip and method of manufacturing electronic component-mounted structure using plasma etch to singulate element chip

Номер патента: US09698052B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

System, method and apparatus for RF power compensation in plasma etch chamber

Номер патента: US09412670B2. Автор: Arthur Sato,Seetharaman Ramachandran,Shang-I Chou,Eric Tonnis,Robert G. O'Neill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Anisotropic etching of structures defined by etching mask in silicon substrate involves periodic deposition of fluoropolymer from exotic fluorocarbon by plasma polymerization, alternating with plasma etching

Номер патента: DE10246063A1. Автор: Franz Laermer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for prolonging life time of a plasma etching chamber

Номер патента: US6069088A. Автор: Wen-Pin Hsieh,Wen-Peng Chiang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Plasma etching techniques

Номер патента: US11837467B2. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan,Christopher Catano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Passivation chemistry for plasma etching

Номер патента: US20230335378A1. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Passivation chemistry for plasma etching

Номер патента: WO2022072160A3. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for selective plasma etch

Номер патента: WO1999010923B1. Автор: Lumin Li,Helen H Zhu,George A Mueller,Thomas D Nguyen. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 1999-05-14.

Solid state devices formed by differential plasma etching of resists

Номер патента: US4232110A. Автор: Gary N. Taylor. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-11-04.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240203760A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using f2 and cof2

Номер патента: EP2501837A1. Автор: Marcello Riva. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2012-09-26.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: US09793132B1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Brad Eaton,Alexander N. Lerner,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Semi-conductor substrate plasma etching method for e.g. micro-electro-mechanical system, involves etching substrate by injection of etching gas, performing amorphization of substrate in reactor and re-iterating above steps

Номер патента: FR2905516A1. Автор: Remi Dussart,Pierre Ranson,Philippe Lefaucheux,Maaza Nasreddine Mekkakia. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2008-03-07.

Continuous plasma etch process

Номер патента: US20140329391A1. Автор: Qian Fu,Wonchul Lee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240203759A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Anodic aluminum oxide as hard mask for plasma etching

Номер патента: WO2019240909A1. Автор: Chanyuan Liu,Shih-Ked Lee. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-19.

Post chromium alloy plasma etch ashing process

Номер патента: US20110086518A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW201209914A. Автор: Seiji Ogata,Manabu Yoshii,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Plasma etching using multiphase multifrequency power pulses and variable duty cycling

Номер патента: US20230377895A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Lowell George Ventzek,Shyam Sridhar,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Dry plasma etch method to pattern MRAM stack

Номер патента: US09806252B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Thorsten Lill,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

SiARC removal with plasma etch and fluorinated wet chemical solution combination

Номер патента: US09508560B1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US09405089B2. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Plasma etching method and apparatus therefor

Номер патента: US7442274B2. Автор: Koji Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials

Номер патента: US5096536A. Автор: David A. Cathey, Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-03-17.

Plasma etching apparatus, kit for retrofitting an existing plasma etching apparatus, and method of plasma etching a substrate

Номер патента: TWI692795B. Автор: 麥斯梅 瓦爾瓦拉. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2020-05-01.

Apparatus and method for high-speed etching of substrate using plasma etching apparatus, and apparatus and method for plasma ignition and plasma power pull-up control or pulsing

Номер патента: JP2003502861A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア,ベック トーマス. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8425786B2. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Tsutomu Tetsuka,Makoto Satake,Ryoji Nishio,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

In-Situ Adsorbate Formation for Plasma Etch Process

Номер патента: US20240112887A1. Автор: Yoshihide Kihara,Masahiko Yokoi,Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

In-situ adsorbate formation for plasma etch process

Номер патента: WO2024072569A1. Автор: Yoshihide Kihara,Masahiko Yokoi,Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20170169997A1. Автор: MORIGUCHI Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Sidewall passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: WO2023244214A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for etching organic film and plasma etching device

Номер патента: US9293346B2. Автор: Hironori Matsuoka,Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Plasma etch reactor with dual sources for enhancing both etch selectivity and etch rate

Номер патента: EP1308986B1. Автор: AJAY Kumar,Ralph M. Wadensweiler,Alan H. Ouye,Dragan Podlesnik,John P. Holland,Valentin Todorov,Anisul Khan,Arthur H. Sato,John J. Hagerty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Cyclic plasma etching of carbon-containing materials

Номер патента: WO2022245461A1. Автор: Yunho Kim,Mingmei Wang,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Plasma etching apparatus, plasma etching system and method of etching a substrate using the same

Номер патента: KR101317160B1. Автор: 김근호,이중희,전선규. Владелец: (주)소슬. Дата публикации: 2013-10-11.

Plasma etching electrode

Номер патента: US4342901A. Автор: John Zajac. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1982-08-03.

Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same

Номер патента: US5447595A. Автор: Satoshi Nakagawa. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Shadow ring kit for plasma etch wafer singulation process

Номер патента: EP4226414A1. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Michael Sorensen,Karthik Elumalai,Arunkumar Tatti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for detecting the end point of a plasma etching reaction

Номер патента: US4340456A. Автор: Clarence J. Tracy,Frederick J. Robinson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-07-20.

Plasma etching equipment

Номер патента: EP1287548A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-03-05.

Ultra narrow trench patterning with dry plasma etching

Номер патента: US11894237B2. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method and plasma etching processing apparatus

Номер патента: TW200301522A. Автор: Kenji Yamamoto,Takanori Matsumoto,Katsumi Horiguchi,Fumihiko Higuchi,Satoshi Shimonishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Plasma etching of polysilicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: TW464982B. Автор: Taeho Shin,Nam-Hun Kim,Jeffrey D Chinn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: TW478065B. Автор: Martin Gutsche,Satish Athavale. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: TW561200B. Автор: Gene Lee,Dragan Podlesnik,Nam-Hun Kim,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Plasma processing method, plasma etching method and manufacturing method of solid photographic element

Номер патента: TWI245343B. Автор: Seiji Samukawa,Mitsuru Okigawa. Владелец: Seiji Samukawa. Дата публикации: 2005-12-11.

Plasma etch process for controlling line edge roughness

Номер патента: WO2009067104A1. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Brian K. Hatcher,Edward P. Hammond Iv,Valentin N. Todorow,Alexander M. Paterson,Rodolfo P. Belen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-05-28.

Plasma etching method for etching an object

Номер патента: TW201042719A. Автор: Masatoshi Miyake,Masaru Izawa,Masatoshi Oyama,Tadamitsu Kanekiyo,Nobuyuki Negishi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method for removing anti-reflective coating layer using plasma etch process after contact CMP

Номер патента: US6136649A. Автор: Suzette K. Pangrle,Minh Van Ngo,Kashmir Sahota,Mark T. Ramsbey,Angela T. Hui,Wenge Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

High aspect ratio plasma etch for 3d nand semiconductor applications

Номер патента: US20160056050A1. Автор: Liming Yang,Gene Lee,Byungkook KONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Plasma etching method and plasma treatment apparatus

Номер патента: TW200507104A. Автор: Tsutomu Satoyoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Highly heat-resistant plasma etching electrode and dry etching device including the same

Номер патента: TW552638B. Автор: Akira Yamaguchi,Shuji Tomita. Владелец: Nisshin Spinning. Дата публикации: 2003-09-11.

Electrode plate for plasma etching equipment for forming uniformly-etched surface

Номер патента: TW444069B. Автор: Toshiharu Hiji,Terushi Mishima,Tamotsu Mori,Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corportio. Дата публикации: 2001-07-01.

Plasma etching method for etching sample

Номер патента: TW200915423A. Автор: Hitoshi Kobayashi,Masamichi Sakaguchi,Masunori Ishihara,Koichi Nakaune. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: US09679751B2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Continuous plasma etch process

Номер патента: US09530658B2. Автор: Qian Fu,Wonchul Lee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120064726A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US20120073753A1. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20120238040A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20140017900A1. Автор: Satoshi Yamada,Shigeki Doba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140073113A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma Etch Resistant Films, Articles Bearing Plasma Etch Resistant Films and Related Methods

Номер патента: US20140099491A1. Автор: LEE Sang-Ho,MERCER Thomas,VORSA Vasil,Ameen Mohammed. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

POWER SUPPLY SYSTEM, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20150000842A1. Автор: Hirano Taichi,Kumagai Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150004795A1. Автор: Ishii Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200006079A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki,Izawa Masaru,SHINODA Kazunori,KAWAMURA Kohei,MIYOSHI Nobuya,KOUZUMA Yutaka,OOKUMA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190006186A1. Автор: SATO Hiroki,HIROSE Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20160013065A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150024603A1. Автор: Kitamura Akinori,Yasuda Kenta,Ishida Shunsuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-22.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20170040146A1. Автор: Shih Hong,Daugherty John,Xu Lin,HUANG Lihua Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160056021A1. Автор: TSUJIMOTO Hiroshi,Mizutani Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-02-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134847A1. Автор: SEYA Yuta. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134848A1. Автор: HONDA Masanobu,HISAMATSU Toru,KIHARA Yoshihide. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220084835A1. Автор: KUBOI Shuichi,Fukumizu Hiroyuki,IINO Daiki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140162463A1. Автор: TAKASHIMA Ryuichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-06-12.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160086817A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190088497A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160099161A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140193977A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-10.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170133234A1. Автор: Yamada Satoshi,DOBA Shigeki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200126770A1. Автор: HIMORI Shinji,NAGASEKI Kazuya,Maruyama Koji,OHSHITA Tatsuro,NAGAMI Koichi,Dokan Takashi,Fujiwara Kazunobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20180144909A1. Автор: Shih Hong,Daugherty John,Xu Lin,HUANG Lihua Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD OF MEASURING GAS INTRODUCING HOLE PROVIDED IN ELECTRODE FOR PLASMA ETCHING DEVICE, ELECTRODE, ELECTRODE REGENERATION METHOD, REGENERATED ELECTRODE, PLASMA ETCHING DEVICE, AND GAS INTRODUCING HOLE STATE DISTRIBUTION DIAGRAM AND DISPLAY METHOD FOR SAME

Номер патента: US20170148612A1. Автор: Suzuki Takayuki. Владелец: A-SAT CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140284308A1. Автор: Matsuyama Shoichiro,Yahashi Katsunori,Ohiwa Tokuhisa,Shimizu Akitaka,NOGAMI Susumu,ITO Kiyohito. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Kobayashi Ken,YOSHIDA Ryoichi,Ishii Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-07-23.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20190198298A1. Автор: Hirose Jun,UEDA Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20200203126A1. Автор: Sant Sanket. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150235861A1. Автор: YAMAZAKI Kumiko,MIZUNO Hideki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-08-20.

HIGH-PURITY FLUORINATED HYDROCARBON, USE AS A PLASMA ETCHING GAS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160251286A1. Автор: SUGIMOTO Tatsuya. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150255305A1. Автор: Nakagawa Akira. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-10.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Mikami Shunichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-09-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190252203A1. Автор: GOHIRA Taku,MINOURA Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150294841A1. Автор: Katsunuma Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-10-15.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200294812A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: US20190304757A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150348762A1. Автор: NAGAYAMA Nobuyuki,SATOH Naoyuki,NAGAKUBO Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

PROCESSING COMPONENT HAVING IMPROVED PLASMA ETCHING RESISTANCE, AND TREATMENT METHOD FOR REINFORCING PLASMA ETCHING RESISTANCE OF PROCESSING COMPONENT

Номер патента: US20170349992A1. Автор: Kim Ok Ryul,Kim Ok Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20160358749A1. Автор: Sant Sanket. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: KR101896491B1. Автор: 사토시 야마다,시게키 도바. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-09-07.

Plasma passivation technology to prevent erosion of plasma-etched aluminum film after etching

Номер патента: JPH0665753B2. Автор: エイチ．ガルフォ クリストファー,エル．ナラムワー アシヨク. Владелец: フェアチァイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−ション. Дата публикации: 1994-08-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102046193B1. Автор: 아키노리 기타무라,겐타 야스다,?스케 이시다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-18.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR100924853B1. Автор: 요시미츠 곤,요시노부 하야카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-11-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101604630B. Автор: 佐佐木胜. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Plasma etching equipment and plasma etching method

Номер патента: JP7033907B2. Автор: 潤 廣瀬,雄大 上田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-11.

Plasma etching method using selective polymer deposition and method for forming contact hole using the plasma etching method

Номер патента: KR100327346B1. Автор: 김지수,추창웅,안태혁,정상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-06.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956A. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Apparatus for plasma etching a metal layer and method of plasma-etching a metal layer

Номер патента: KR102040427B1. Автор: 김보성,홍문표,윤호원. Владелец: 고려대학교 세종산학협력단. Дата публикации: 2019-11-06.

Method for plasma etching and plasma etching device

Номер патента: KR101913889B1. Автор: 마사노부 혼다,마사야 가와마타,가즈히로 구보타. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-10-31.

Plasma etching reactor components, plasma etching reactor and method for processing semiconductor substrates

Номер патента: JP5166591B2. Автор: クリストファー， シー． チャン，,ロバート， ジェイ． セガー，. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for detecting end point of plasma etching and plasma etching device

Номер патента: JPH11354509A. Автор: Yoshinao Ito,芳直 伊藤,敦 傳田,Atsushi Denda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-12-24.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101772701B1. Автор: 이성태,마사히로 오가사와라,준이치 사사키,나오히토 야나기다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-29.

Plasma etching chamber and plasma etching system therewith

Номер патента: KR200349874Y1. Автор: 임동수. Владелец: (주)소슬. Дата публикации: 2004-05-12.

Plasma etching apparatus and plasma etching method thereof

Номер патента: KR100951475B1. Автор: 박종호,김남진,김광태,조호용,김정태,김하종. Владелец: (주)타이닉스. Дата публикации: 2010-04-07.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: CN102420089A. Автор: 长山将之,佐藤直行,长久保启一. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Electron cyclotron resonance (ecr) plasma etching process and ecr plasma etching apparatus

Номер патента: EP0407169A3. Автор: Satoru Mihara,Takushi Motoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-09-11.

Plasma etching method, plasma etching device, control program and computer storage medium

Номер патента: TW200847270A. Автор: Yoshimitsu Kon,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection

Номер патента: US4307283A. Автор: John Zajac. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20070056929A1. Автор: Junichi Tanaka,Masahito Mori,Naoshi Itabashi,Go Miya,Naoyuki Kofuji,Seiichiro Kanno,Motohiko Yoshigai,Go Saito. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: WO2014185313A1. Автор: 辻本　宏,智之 水谷. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2014-11-20.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101783886B1. Автор: 노부유키 나가야마,나오유키 사토,케이이치 나가쿠보. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-10-10.

Focus ring heating method, plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP5203986B2. Автор: 宏 辻本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US9818583B2. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101067222B1. Автор: 후미오 이노우에,사토시 다나카,요시노부 오오야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-09-22.

Plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: WO2012133585A1. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2012-10-04.

Plasma etching chamber and plasma etching system using same

Номер патента: WO2004100247A1. Автор: Dong-Soo Lim. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-11-18.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: JP2023044517A. Автор: Hiroyuki Fukumizu,裕之 福水,宗一 久保井,Shuichi Kuboi,ディネッシュ ソテアブヒシュク,Dinesh Thote Abhishek. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20050011612A1. Автор: Katsuya Watanabe,Mamoru Yakushiji,Yutaka Ohmoto,Ryooji Fukuyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: US20100224587A1. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20090206053A1. Автор: Masanobu Honda,Akitaka Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP3388228B2. Автор: 理 小池. Владелец: 株式会社半導体先端テクノロジーズ. Дата публикации: 2003-03-17.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: EP3064483A4. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-21.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer storage medium

Номер патента: CN101241859B. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer

Номер патента: SG117384A1. Автор: HO Kwok Keung Paul,Xue Chun Dai. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-29.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TW201935558A. Автор: 上田雄大,廣瀨潤. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Atmospheric Plasma Etching Device for Opening Of Pad Region On TFT Substrate, And Plasma Etching Method Using The Same

Номер патента: KR101103349B1. Автор: 임성실,김윤환,이상로,임찬주. Владелец: (주)에스이피. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasma etching apparatus capable of in-situ monitoring, its in-situ monitoring method and in-situ cleaning method for removing residues in plasma etching chamber

Номер патента: KR100257903B1. Автор: 조성범,신은희,최백순,김학필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-01.

Plasma etching chamber and plasma etching system using the same

Номер патента: JP4122004B2. Автор: 東洙 林. Владелец: 株式会社ソスル. Дата публикации: 2008-07-23.

Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method

Номер патента: US6726799B2. Автор: Osamu Koike. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220262646A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma etching method, plasma etching device and photonic crystal manufacturing method

Номер патента: EP2333821A4. Автор: Shigeki Takahashi,Susumu Noda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-07-30.

A plasma etch method and a plasma etch apparatus and a memory medium

Номер патента: TWI496210B. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Selective plasma etching during formation of integrated circuitry

Номер патента: US4687543A. Автор: Christopher D. Bowker. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1987-08-18.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956B. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

A plasma etch method, a plasma etch apparatus, and a memory medium

Номер патента: TWI549178B. Автор: Shin Okamoto,Yoshinobu Ooya,Koichi Yatsuda,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-11.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: JP5065787B2. Автор: 秋広 菊池,乾司 出原. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN110010439B. Автор: 广瀬润,上田雄大. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: CN101241859A. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces

Номер патента: EP0648858A1. Автор: YAN Ye,Shamouil Shamouillian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-04-19.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP6001529B2. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: TW200913055A. Автор: Akihiro Kikuchi,Kenji Idehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP2011192718A. Автор: 正宏 小笠原,Junichi Sasaki,淳一 佐々木,Masahiro Ogasawara,誠泰 李,Masayasu Ri,Naoto Yanagida,直人 柳田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: CN101523569B. Автор: 杉本胜,小林典之,舆石公,米田滋,田原慈,花轮健一. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Plasma etching processing apparatus and plasma etching processing method

Номер патента: JP5454467B2. Автор: 直樹 松本,和人 高井,信幸 岡山,麗花 洪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: JP2022107943A. Автор: 淳司 片岡,Junji Kataoka,宗一 久保井,Shuichi Kuboi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-25.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20060286806A1. Автор: Keiichi Matsunaga,Mitsuhiro Ohkuni. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP5192209B2. Автор: 勝 杉本,公 輿石,典之 小林,滋 米田,慈 田原,健一 花輪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Plasma etch process using polymerizing etch gases and an inert diluent gas in independent gas injection zones to improve etch profile or etch rate uniformity

Номер патента: US20070254483A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: TW200947548A. Автор: Yusuke Hirayama,Shuichiro Uda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TWI498965B. Автор: Daisuke Matsushima. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101088254B1. Автор: 슈이치로 우다,유스케 히라야마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-30.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20020005252A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Mitsuru Suehiro. Дата публикации: 2002-01-17.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102424479B1. Автор: 슌이치 미카미,šœ이치 미카미. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-22.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: TWI642101B. Автор: 戶村幕樹,北垣內圭二,小林史彌. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN104471686A. Автор: 吉田亮一,石井孝幸,小林宪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US9156307B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Plasma etching method and plasma etching unit

Номер патента: US7625494B2. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: JP5221403B2. Автор: 晋 岡本,浩一 八田,欣伸 大矢,宏政 持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Pulse-plasma etching method and pulse-plasma etching apparatus

Номер патента: TW201248713A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Plasma etching method and plasma etching system

Номер патента: KR102013029B1. Автор: 하지메 우가진,히사시 마츠이,히데키 사이토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-08-21.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: TW200947547A. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and substrate mounting table

Номер патента: KR102049146B1. Автор: 요시히코 사사키,하지메 우가진,마사토 미나미,다카후미 감베,쥰 야마와쿠,모토키 후지나가. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-26.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: TW201250828A. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201234474A. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2945188B1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-12.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US9939710B2. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US20160313627A1. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200301521A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi,Ichiya Nagaseki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TWI263276B. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Kouichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200402792A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-02-16.

Plasma etching gas and method of plasma etching

Номер патента: TW201250836A. Автор: Azumi Ito,Atsuyo Yamazaki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2012-12-16.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US20150340245A1. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

METHOD AND DEVICE FOR PLASMA ETCHING A MATERIAL

Номер патента: FR2613168A1. Автор: Daniel Henry,Roderick Boswell. Владелец: ETAT FRANCAIS. Дата публикации: 1988-09-30.

Method for membrane protection during reactive ion/plasma etching processing for via or cavity formation in semiconductor manufacture

Номер патента: US20100112820A1. Автор: Frank Leonard Schadt, III,Stephen E. Vargo,Chester E. Balut. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-05-06.

Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching

Номер патента: US20020164546A1. Автор: Ying Zhang,Chienfan Yu,Jeffrey Brown,David Horak,Maheswaran Surendra,Qingyun Yang,Sadanand Deshpande,Len Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: CN1898780A. Автор: 吴荣根,金南宪,金升基,宋荣洙,吴相龙,李堵汉. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Oxygen-Free Plasma Etching For Contact Etching of Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20200203607A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Miyazoe Hiroyuki,Yang Qingyun,Cartier Eduard,Koty Devi,Englemann Sebastian Ulrich. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

A process for adjusting the etching speed in the anisotropic plasma etching of lateral structures

Номер патента: GB9921482D0. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-11-17.

Oxygen-free plasma etching for contact etching of resistive random access memory

Номер патента: US11258012B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Eduard Cartier,Devi Koty,Sebastian Ulrich Englemann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon

Номер патента: EP0101828A1. Автор: Andrew J. Purdes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-07.

Fluorine based plasma etch method for anisotropic etching of high open area silicon structures

Номер патента: KR20010112277A. Автор: 쿠마어제이,칸앤설,포들레스닉드래간브이,친제프리디. Владелец: 조셉 제이. 스위니. Дата публикации: 2001-12-20.

Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation

Номер патента: TW200802599A. Автор: Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Ezra Robert Gold,Kallol Bera,Paul Lukas Brillhart,Bruno Geoffrion,Kenny L Doan,Bryan Y Pu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

PLASMA SYSTEM, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170186586A1. Автор: Oh Sejin,Yang Jang Gyoo,Sung Dougyong,Woo Je-Hun,Cho Chungho,Jung Jaechul. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

A plasma processing chamber, a plasma processing component and a method of manufacturing a plasma etch chamber processing component

Номер патента: KR101645043B1. Автор: 무쿤드 스리니바산,트래비스 알 테일러,바비 캐드코데얀,케이 와이 라마누잼,빌자나 미키젤,상화 우. Владелец: 세라딘인코포레이티드. Дата публикации: 2016-08-02.

POST ETCH TREATMENT TECHNOLOGY FOR ENHANCING PLASMA-ETCHED SILICON SURFACE STABILITY IN AMBIENT

Номер патента: US20150064880A1. Автор: Zhou Yi,Lee Changhun,Kim Ho Jeong,Kim Hun Sang,KIM Jun Wan. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD FOR ETCHING ORGANIC FILM AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20150064924A1. Автор: MATSUOKA Hironori,Takaba Hiroyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-03-05.

SILICON DIOXIDE-POLYSILICON MULTI-LAYERED STACK ETCHING WITH PLASMA ETCH CHAMBER EMPLOYING NON-CORROSIVE ETCHANTS

Номер патента: US20160086771A1. Автор: SHIMIZU Daisuke,Kim Jong Mun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SILICON DIOXIDE-POLYSILICON MULTI-LAYERED STACK ETCHING WITH PLASMA ETCH CHAMBER EMPLOYING NON-CORROSIVE ETCHANTS

Номер патента: US20140213062A1. Автор: SHIMIZU Daisuke,Kim Jong Mun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

REMOTE PLASMA ETCH USING INKJET PRINTED ETCH MASK

Номер патента: US20200286742A1. Автор: Steinmann Vera,LASSITER Brian E.. Владелец: KATEEVA, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

PLASMA ETCHING METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE WITH RESPECT TO SILICON NITRIDE

Номер патента: US20180366338A1. Автор: Watanabe Hikaru,TSUJI Akihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-12-20.

METHOD OF ETCHING AT LOW TEMPERATURE AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190385860A1. Автор: Kim Moonseok,SONG Changwoo,JEONG Seongha,LEE CHEONKYU,Byun Iksu,Han Dongseok. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film

Номер патента: US8507363B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Anode anti-etching apparatus of plasma etching machine

Номер патента: KR950006636Y1. Автор: 박치균. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-08-16.

Polycrystalline silicon layer etching process used in production of emitter self-aligned with extrinsic base of bipolar transistor involves stopping plasma-etching on or in germanium or silicon-germanium intermediate layer, to form grooves

Номер патента: FR2805924A1. Автор: Andre Schiltz,Daniel Bensahel,Mireille Mouis,Beatrice Tormen. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2001-09-07.

PS pellet circular etching process based on oxygen plasma etching

Номер патента: CN113921392B. Автор: 李泽宇,刘向,陶治,郭金宁,凡可,沈中坤,陈玄申,高涵博. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2022-09-23.

Single-chip real-time etching rate and uniformity fallout predictor for plasma etch process

Номер патента: CN107924803A. Автор: 贾斯丁·希罗奇·萨托,B·D·亨尼斯,Y·C·基梅尔. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Laser plasma etching wafer dicing with etching chamber shield ring for film frame wafer application

Номер патента: JP6509744B2. Автор: ブラッド イートン,サラブジート シン,ウェイシェン レイ,アパルナ アイエール,アジャイ クマー,ジブコ ディネブ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Substrate plasma etching - with open metal cylinders around substrate wafers for even etching rate

Номер патента: DE2738891A1. Автор: Barbara Hasler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-03-15.

Semiconductor substrate surface cleaning - by plasma etching using fluorine-contg. gas, renewed etching using fluorine-contg. gas and UV-irradiation at reduced pressure

Номер патента: DE4122587A1. Автор: Hiroshi Morita,Kenji Kawai,Toshiaki Ogawa,Moriaki Akazawa,Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-01-23.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20230031791A. Автор: 고키 다나카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-03-07.

The modeling method of yield is etched in a kind of plasma etch process

Номер патента: CN103440361B. Автор: 宋亦旭,孙晓民,高扬福. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Plasma etching device and etching method

Номер патента: JPH10214822A. Автор: Masahiko Ouchi,雅彦 大内. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas

Номер патента: KR100756704B1. Автор: 브라이언 와이. 푸,홍킹 샨,케이지 호리오카,징바오 리우,타케히코 고마쯔. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-09-07.

Remote plasma etch using inkjet printed etch mask

Номер патента: WO2020180474A1. Автор: Brian E. Lassiter,Vera STEINMANN. Владелец: KATEEVA, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

Heating jacket for plasma etching reactor, and etching method using same

Номер патента: WO2004008477A2. Автор: Michel Puech. Владелец: ALCATEL. Дата публикации: 2004-01-22.

PS (polystyrene) pellet circular etching process based on oxygen plasma etching

Номер патента: CN113921392A. Автор: 李泽宇,刘向,陶治,郭金宁,凡可,沈中坤,陈玄申,高涵博. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2022-01-11.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US10580655B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Single-wafer real-time etch rate and uniformity predictor for plasma etch processes

Номер патента: TW201714215A. Автор: 賈斯丁 希羅奇 薩托,布萊恩 迪 漢尼斯,彥尼基 卡爾 奇美. Владелец: 微晶片科技公司. Дата публикации: 2017-04-16.

Plasma etching method, etching device, storage medium

Номер патента: CN101047127A. Автор: 藤永元毅. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Plasma etch process with separately fed carbon-lean and carbon-rich polymerizing etch gases in independent inner and outer gas injection zones

Номер патента: US20070254486A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5342801A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey R. Perry,Kristen A. Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Silicon dioxide-polysilicon multi-layered stack etching with plasma etch chamber employing non-corrosive etchants

Номер патента: WO2014116736A1. Автор: Daisuke Shimizu,Jong Mun Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-31.

Etch rate and uniformity measuring method of semiconductor plasma etching process

Номер патента: KR960019637A. Автор: 정용식,맹창호,송치화. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch

Номер патента: US9721839B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A2. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-01-15.

The etching mask handled for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation

Номер патента: CN109155280A. Автор: W·李,J·S·帕帕努,P·库马尔,B·伊顿,A·库马尔,A·N·雷纳,R·克里希纳穆希. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-04.

High etch rate method for plasma etching silicon nitride

Номер патента: US6471833B2. Автор: AJAY Kumar,Anisul Khan,Jeffrey D Chin,Dragan V Podlesnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

Plasma etching equipment and method of etching a wafer

Номер патента: TW200919580A. Автор: Jung-Hee Lee,Kwan-Goo Rha,Gil-Hun Lee,Young-Ki Han,Chul-Hee Jang. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Etching method and plasma etching material

Номер патента: SG11201912232WA. Автор: PENG Shen,Nathan Stafford,Chih-Yu Hsu,Keiichiro Urabe. Владелец: Air Liquide. Дата публикации: 2020-01-30.

Improved anisotropy for polysilicon and polycide plasma etch applications by use of silicon-containing compounds

Номер патента: TW316996B. Автор: A Olson Dale,Qian Xue-Yu,Hui-Ing Tsai Patty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-01.

Plasma etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW200304676A. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Baffle plate and plasma etching device having same

Номер патента: AU2003232645A1. Автор: Moon Hwan Kim,Jeung Woo Lee,Young Jae Moon. Владелец: Tokyo Electron Korea Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: AU2003285581A1. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-30.

Method of plasma etching the tungsten silicide layer in the gate conductor stack formation

Номер патента: TW396426B. Автор: Pascal Costaganna. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-07-01.

Manufacturing of flip-chip electronic device with carrier having heat dissipation elements free of solder mask

Номер патента: US20200357774A1. Автор: Stefano Oggioni,Gerd Schlottig,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Plasma etching gas

Номер патента: TW573031B. Автор: Ming-Jung Liang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Plasma etching apparatus

Номер патента: TW422893B. Автор: Jong-Heui Song,Se-Hyeong Lee,Min-Woong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-02-21.

Plasma etching method

Номер патента: EP2495757B1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Plasma etching chamber

Номер патента: TW200935511A. Автор: Hee-Se Lee,Seung-Hyun Chung,Se-Mun Park. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-16.

Apparatus for performing a plasma etching process

Номер патента: TW200836258A. Автор: You-Shik Shin. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

RF plasma etch reactor with internal inductive coil antenna and electrically conductive chamber walls

Номер патента: TW419743B. Автор: YAN Ye,Donald Olgado,Avi Tepman,Gerald Yin,Diana Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-21.

Plasma etch process for controlling line edge roughness

Номер патента: TW200924048A. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Valentin N Todorow,Alexander M Paterson,Brian K Hatcher,Edward P Hammond Iv,Rodolfo P Belen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

High-strength columnar crystal silicone and plasma etching components composed of the same

Номер патента: TW200925338A. Автор: Junichi Sasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: EP4169063A4. Автор: Karthik Balakrishnan,James S Papanu,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Shadow ring kit for plasma etch wafer singulation process

Номер патента: EP4226414A4. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Michael Sorensen,Karthik Elumalai,Arunkumar Tatti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Katsunuma Takayuki,HONDA Masanobu,Ichikawa Hironobu,KUDO Jin. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-10-10.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA CLEANING METHOD

Номер патента: US20140020709A1. Автор: KIKUCHI Takamichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-01-23.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20210005427A1. Автор: Hirose Jun,SAWATAISHI Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Tanaka Koki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

Single-Wafer Real-Time Etch Rate and Uniformity Predictor For Plasma Etch Processes

Номер патента: US20170053841A1. Автор: Sato Justin Hiroki,Hennes Brian Dee,Kimmel Yannick Carll. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-23.

PLASMA ETCHING SYSTEMS AND METHODS WITH SECONDARY PLASMA INJECTION

Номер патента: US20170062184A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Park Soonam,Tran Toan Q.,Weng Zilu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-03-02.

ANNULAR MEMBER, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200066496A1. Автор: OGASAWARA Masahiro,Kitamura Shingo,KAZAMA Koichi,NOGAMI Susumu,SATO Tetsuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

ETCHING METHOD FOR SUBSTRATE TO BE PROCESSED AND PLASMA-ETCHING DEVICE

Номер патента: US20150118858A1. Автор: Takaba Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

PLASMA ETCHING SYSTEMS AND METHODS WITH SECONDARY PLASMA INJECTION

Номер патента: US20200111643A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Park Soonam,Tran Toan Q.,Weng Zilu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods and Systems for Plasma Etching Using Bi-Modal Process Gas Composition Responsive to Plasma Power Level

Номер патента: US20170125253A1. Автор: Xu Qing,Wu Ying,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

PLASMA GENERATION AND PULSED PLASMA ETCHING

Номер патента: US20150132971A1. Автор: Chen Chao-Cheng,LIN Yu Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-05-14.

SUBSTRATE SUPPORT, PLASMA PROCESSING SYSTEM, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20220270862A1. Автор: TAKAHASHI Tomoyuki,KAWADA Yuki,HAYASAKA Naoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-08-25.

LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING WITH ETCH CHAMBER SHIELD RING FOR FILM FRAME WAFER APPLICATIONS

Номер патента: US20140213041A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Iyer Aparna,Singh Saravjeet,Dinev Jivko. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US20200161138A1. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140262025A1. Автор: Matsumoto Naoki,Tsukamoto Takashi,Ozu Toshihisa,TAKAI Kazuto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-18.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20210313148A1. Автор: BANSE Takanori,OGASAWARA Kosuke,YOSHIBA Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Methods and Systems for Plasma Etching Using Bi-Modal Process Gas Composition Responsive to Plasma Power Level

Номер патента: US20170271166A1. Автор: Xu Qing,Wu Ying,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190326092A1. Автор: BANSE Takanori,OGASAWARA Kosuke,YOSHIBA Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

METHODS OF PLASMA ETCHING AND PLASMA DICING

Номер патента: US20180350615A1. Автор: Hanicinec Martin,Hopkins Janet,ANSELL Oliver J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

ETCH-RESISTANT WATER SOLUBLE MASK FOR HYBRID WAFER DICING USING LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20160365283A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,CHOWDHURY Mohammad Kamruzzaman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

PLASMA ETCHING APPARATUS MEMBER HAVING IMPROVED PLASMA-RESISTANT PROPERTIES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200354827A1. Автор: KIM Suntae,KO HYUNCHUL,JEONG DONGHUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Plasma etching apparatus and etching method

Номер патента: JPS5713743A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-23.

Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch

Номер патента: US8642448B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh,James M. Holden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Substrate cooling apparatus for plasma etching device using inductively coupled plasma chamber

Номер патента: KR100468793B1. Автор: 송형승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

Plasma etching method for obtaining high selectivity in using low plasma source power

Номер патента: KR100557674B1. Автор: 김승기,오상룡,송영수,김남헌. Владелец: 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Plasma treatment method and plasma etching method

Номер патента: KR100896549B1. Автор: 야스유끼 호시노,세이지 사무까와. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of plasma processing and plasma-etching method

Номер патента: CN100573828C. Автор: 寒川诚二,星野恭之. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-12-23.

Anisotropic plasma etching apparatus, mixes reactive species produced from etching and passivation gases before action on substrate

Номер патента: FR2846471A1. Автор: Franz Laermer,Klaus Breitschwerdt,Bernd Kutsch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-30.

Removal of aluminium containing polymer from plasma etched semiconductor wafer

Номер патента: FR2772291A1. Автор: Didier Severac,Michel Derie. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-06-18.

Plasma etching using polycarbonate mask and low-pressure high density plasma

Номер патента: US6582617B1. Автор: Chungdee Pong. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Down-stream plasma etching with deflectable plasma beam

Номер патента: WO2007038967A1. Автор: Jeff Alistair Hill. Владелец: PVA TePla AG. Дата публикации: 2007-04-12.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN101546685A. Автор: 岩田学,佐藤学,中山博之,本田昌伸,增泽健二,成重和树. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Laser and plasma etch wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications

Номер патента: KR102199301B1. Автор: 지브코 디네브,사라브지트 싱흐,브래드 이튼,아제이 쿠마르,웨이-셩 레이,아파르나 아이어. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-01-06.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8303834B2. Автор: Hiroyuki Nakayama,Manabu Sato,Masanobu Honda,Manabu Iwata,Kenji Masuzawa,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Method of making shield and plasma etching apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination

Номер патента: KR100291898B1. Автор: 차훈,김진만,신은희,최백순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-06-01.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: EP3413341A1. Автор: Janet Hopkins,Martin Hanicinec,Oliver Ansell. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Device and method for plasma treatment, and device and method for plasma etching processing

Номер патента: KR101386552B1. Автор: 나오키 마츠모토,토시히사 오즈,타카시 츠카모토,카즈토 다카이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-04-17.

Laser and plasma etch wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications

Номер патента: TWI640037B. Автор: 雷偉生,辛沙拉傑特,迪內夫吉可,伊爾亞帕爾納,伊頓貝德,庫默亞傑. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Plasma etching method for etching rear surface of semiconductor wafer, by applying protective tape, discharge power and gradually increasing voltage before introducing gas

Номер патента: DE102004038347A1. Автор: Masatoshi Wakahara,Erumu Nitta. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Plasma treatment method and plasma etching method

Номер патента: WO2006004224A9. Автор: Seiji Samukawa,Yasuyuki Hoshino. Владелец: Yasuyuki Hoshino. Дата публикации: 2006-04-13.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: KR102364952B1. Автор: 제이 안셀 올리버,하니시넥 마틴,홉킨스 자넷. Владелец: 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드. Дата публикации: 2022-02-17.

Plasma etch reactor with distribution of etch gases across a wafer surface and a polymer oxidizing gas in an independently fed center gas zone

Номер патента: US8187415B2. Автор: Jong Mun Kim,Jingbao Liu,Bryan Y. Pu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Dual Frequency Plasma Etch Reactor with Independent Plasma Density?Chemistry and Ion Energy Control

Номер патента: KR100936647B1. Автор: 라진더 딘드사,루민 리,에릭 렌즈,무컨드 스린니바산. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2010-01-14.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5705419A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey Robert Perry,Kristen Ann Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Dual frequency plasma etch reactor with independent plasma density/chemistry and ion energy control

Номер патента: CN1539156A. Автор: ,李鲁民,R,ɼ�����,R·丁德萨,M·斯里尼瓦杉,E·兰茨. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of forming infrared detector by hydrogen plasma etching to form refractory metal interconnects

Номер патента: US5384267A. Автор: Larry D. Hutchins,Rudy L. York. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Material film etching method on semiconductor wafer using surface wave plasma etching apparatus

Номер патента: JP3782647B2. Автор: 哲 圭 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-07.

Plasma etching system using plasma confinement

Номер патента: JP2963392B2. Автор: ハワード レンツ エリック,デュアン デブル ロバート. Владелец: RAMU RISAACHI CORP. Дата публикации: 1999-10-18.

Method of plasma etching a deeply recessed feature in a substrate using a plasma source gas modulated etchant system

Номер патента: US7074723B2. Автор: Jeffrey D. Chinn,Yanping Li,Michael Rattner,Nicholas Pornsin-Sirirak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-07-11.

Process for plasma etching with microwave energy-fed pre-excitation of the etching gases in the production of integrated semiconductor circuits and use of the process

Номер патента: DE4132564C2. Автор: Josef Dipl Phys Dr Mathuni,Heinz Dipl Ing Steinhardt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-11-03.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US20100140221A1. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Protective element and plasma etching chamber with a protective element

Номер патента: DE202022002731U1. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-02-20.

Magnetic field generator for magnetron plasma, and plasma etching apparatus and method comprising the magnetic field generator

Номер патента: AU2001280200A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Koji Miyata,Jun Hirose,Shigeki Tozawa,Yuki Chiba,Akira Kodashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-03-22.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: TWI791531B. Автор: 奧利薇 J 安塞爾,馬汀 哈尼西尼克,珍娜 霍普金斯. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Plasma etching method and plasma processing equipment

Номер патента: JP7061918B2. Автор: 幸輔 小笠原,貴徳 伴瀬,修平 吉葉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-02.

Plasma Etching Equipment Using Plasma Confinement

Номер патента: KR970008369A. Автор: 하워드 렌츠 에릭,듀앤 디블 로버트. Владелец: 리차드 에이치 로브그렌. Дата публикации: 1997-02-24.

Plasma etching method and plasma dicing method

Номер патента: JP7042165B2. Автор: ジェイ アンセル オリバー,ハニチネツ マルチン,ホプキンズ ジャネット. Владелец: エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド. Дата публикации: 2022-03-25.

Plasma etching device for etching optical device

Номер патента: CN110867360B. Автор: 张雷,朱巧芬,刘秀红,席思星. Владелец: Hebei University of Engineering. Дата публикации: 2022-04-05.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: WO2013138085A2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Simultaneous in-suit optical sensing of pressure and etch rate in plasma etch chamber

Номер патента: TW432209B. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Post-processing method for plasma etching

Номер патента: TW367555B. Автор: Kazue Takahashi,Tsuyoshi Yoshida,Ryoji Fukuyama,Tadamitsu Kanekiyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-21.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: TW200410603A. Автор: Hongwen Yan,Brian L Ji,Siddhartha Panda,Richard Wise,Bomy A Chen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-16.

Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process

Номер патента: TW201243937A. Автор: Theo Panagopoulos. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof

Номер патента: TW200636853A. Автор: Cheng-Hung Chang,Chaung Lin,Keh-Chyang Leou,Kai-Mu Shiao. Владелец: Univ Nat Tsing Hua. Дата публикации: 2006-10-16.

Plasma etching system

Номер патента: TWI544839B. Автор: Jie Liang,PING Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-01.

Plasma etching method and apparatus

Номер патента: GB202310034D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Method and apparatus for plasma etching dielectric substrates

Номер патента: GB202219448D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Plasma etched compound semiconductor

Номер патента: GB202313278D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Flip-chip electronic device with carrier having heat dissipation elements free of solder mask

Номер патента: WO2015083043A1. Автор: Stefano Oggioni,Gerd Schlottig,Thomas Brunschwiler. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A4. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2008-10-29.

A plasma etching control device

Номер патента: GB2344567B. Автор: Paul Gideon Huggett,Matthew Stuart Boyd. Владелец: ORBIS TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2002-08-07.

Plasma etching method

Номер патента: TW200305944A. Автор: Noriyuki Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Process and apparatus for plasma etching

Номер патента: TW412801B. Автор: Ji-soo Kim,Wan-Jae Park,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-21.

Plasma etching and deposition

Номер патента: ZA741303B. Автор: R Heinecke. Владелец: Int Standard Electric Corp. Дата публикации: 1975-03-26.

Silicon electrode plate for plasma etching having high durability

Номер патента: TW200539347A. Автор: Hiroaki Taguchi,Hideki Fujiwara,Toshinori Ishii,Kazuhiro Ikezawa,Naofumi Iwamoto,Takashi Komekyu. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon electrode plate for plasma etching having high durability

Номер патента: TWI258818B. Автор: Hiroaki Taguchi,Hideki Fujiwara,Toshinori Ishii,Kazuhiro Ikezawa,Naofumi Iwamoto. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2006-07-21.

Method to improve plasma etch uniformity

Номер патента: EP2955741B1. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Plasma Therm LLC. Дата публикации: 2019-03-13.

A method for regenerating a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon focusing ring, and a silicon electrode plate

Номер патента: TWI525695B. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-11.

Fabricating a planar optical waveguide in a single plasma etching chamber

Номер патента: GB2330800A. Автор: Tae-Hyung Rhee,Byong-Gwon You,Jung-Hee Kim,Woo-Hyuk Jang,Sang-Yun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-05.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystals using a single planar etch mask and deep reactive-ion/plasma etching

Номер патента: WO2005114281A3. Автор: Sriram Venkataraman,Janusz Murakowski,Garrett Schneider,Dennis W Prather. Владелец: Dennis W Prather. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystals using a single planar etch mask and deep reactive-ion/plasma etching

Номер патента: WO2005114281A2. Автор: Sriram Venkataraman,Dennis W. Prather,Janusz Murakowski,Garrett Schneider. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2005-12-01.

Fabrication of slanted grating master and working stamp using grayscale lithography and plasma etching

Номер патента: US20240168207A1. Автор: WEI Jin,Lu Tian,Thomas MERCIER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130200042A1. Автор: Yokogawa Kenetsu,Nishio Ryoji,MAEDA Kenji,Satake Makoto,Usui Tatehito,TETSUKA Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140076848A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-20.

PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20140306146A1. Автор: Ito Azumi,Yamazaki Atsuyo. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

Highly plasma etch-resistant photoresist composition containing a photosensitive polymeric titania precursor

Номер патента: TWI263865B. Автор: Douglas J Guerrero,Tony D Flaim,Vladimir Petrovsky,William J James,Michelle R Fowler. Владелец: Univ Missouri. Дата публикации: 2006-10-11.

Method of manufacturing photomasks by plasma etching with resist stripped

Номер патента: US20020119380A1. Автор: Tiecheng Zhou,Rick Zemen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

Device for plasma etch chemistry

Номер патента: RU2529633C1. Автор: Данил Геннадьевич Челапкин,Владимир Евгеньевич Белецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум". Дата публикации: 2014-09-27.

Method and apparatus for measuring the wafer etch rate and etch depth in a plasma etch process.

Номер патента: IES20070301A2. Автор: Stephen Daniels,Shane Glynn,Felipe Soberon,Maria Tipaka. Владелец: Lexas Res Ltd. Дата публикации: 2008-04-02.

Solder resist paste and method of soldering

Номер патента: CA1227908A. Автор: Hari N. Banerjee. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-10-13.

Method and Apparatus for Improving the Reliability of Solder Joints

Номер патента: US20120002386A1. Автор: Pykari Lasse Juhani,Lu David L.. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for ion-plasma etching and depositing thin films

Номер патента: RU2540318C2. Автор: Алексей Алексеевич Исаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of soldering silicon carbide-based chips

Номер патента: RU2460168C2. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов. Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2012-08-27.

Method of soldering

Номер патента: RU2297905C2. Автор: Игорь Алексеевич Фролов,Олег Георгиевич Кудашов,Виктор Иванович Биркин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский механический завод". Дата публикации: 2007-04-27.

Method of soldering with ultrasonic soldering iron

Номер патента: RU2155117C2. Автор: В.М. Казаков. Владелец: Казаков Владимир Михайлович. Дата публикации: 2000-08-27.

Method of soldering large-size assembly comprising at least two bottoms jointed together by tubular elements

Номер патента: RU2403133C2. Автор: Игорь Алексеевич Фролов,Виктор Иванович Биркин,Константин Игоревич Фролов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2010-11-10.

Process of soldering of telescopic structures

Номер патента: RU2106942C1. Автор: В.Н. Семенов. Владелец: Научно-производственное объединение энергетического машиностроения им.акад.В.П.Глушко. Дата публикации: 1998-03-20.

Method of soldering thin-walled pipes at telescopic joint

Номер патента: RU2193477C1. Автор: Б.Н. Марьин,В.И. Муравьев,В.И. Меркулов,А.В. Чернышев. Владелец: Комсомольское-на-Амуре авиационное производственное объединение. Дата публикации: 2002-11-27.

Method of soldering rail bond tips to rail by electric arc and device to this end

Номер патента: RU2449867C2. Автор: Валерий Сергеевич Фадеев,Александр Викторович Конаков,Юрий Леонидович Чигрин,Олег Викторович Штанов,Юрий Васильевич Ободовский,Николай Михайлович Паладин,Валерий Викторович Васин,Евгений Николаевич Емельянов,Григорий Дмитриевич Павлушко,Александр Викторович Купов,Анастасия Викторовна Купова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-Технический Центр Информационные Технологии". Дата публикации: 2012-05-10.

Method of soldering of aluminium and its alloys and material for soldering of aluminium and its alloys

Номер патента: RU2333082C2. Автор: Андрей Валентинович Полторыбатько,Денис Анатольевич Шаклеин,Владимир Ефимович Задов. Владелец: Владимир Ефимович Задов. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of soldering nozzle vanes with gas turbine engine cooling openings and protective paste to this end

Номер патента: RU2486039C1. Автор: Владимир Васильевич Селезнев,Ринат Галимчанович Равилов,Александр Емельянович Тихомиров,Иван Игнатьевич Бабич,Юрий Викторович Сметанин,Олег Гаврилович Гусарин,Иван Анатольевич Самохин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТУРБОКОН" (ООО "ТУРБОКОН"). Дата публикации: 2013-06-27.

Method of soldered pieces welding

Номер патента: RU2062200C1. Автор: А.И. Григорьев,В.Н. Семенов,А.Н. Вычеров,Г.И. Кляжников. Владелец: Научно-производственное объединение энергетического машиностроения им.акад.В.П.Глушко. Дата публикации: 1996-06-20.

Method of laser-ultrasound quality control of soldered joints

Номер патента: RU2545348C2. Автор: Сергей Степанович Киселев,Владимир Евгеньевич Прохорович,Игорь Юрьевич Кинжагулов,Владимир Анатольевич Быченок,Алексей Владимирович Федоров,Александр Александрович Карабутов. Владелец: Александр Александрович Карабутов. Дата публикации: 2015-03-27.

Process of soldering of telescopic structures

Номер патента: RU2106941C1. Автор: В.Н. Семенов. Владелец: Научно-производственное объединение энергетического машиностроения им.акад.В.П.Глушко. Дата публикации: 1998-03-20.

Multipurpose photopolymerizing composition of soldering mask for printed circuit boards with raised operating characteristic

Номер патента: RU2192661C1. Автор: А.А. Белов,Ю.В. Лебедев,В.С. Михлин,О.Р. Харин,В.П. Беззубаев,М.Э. Дергунова,А.И. Цофина. Владелец: Открытое акционерное общество "Компания Славич". Дата публикации: 2002-11-10.

Process of soldering of ferrite articles

Номер патента: RU2053064C1. Автор: Владимир Леонидович Ланин,Василий Михайлович Бондарик. Владелец: Минский радиотехнический институт. Дата публикации: 1996-01-27.

Method of soldering of aluminium and aluminium alloy workpieces

Номер патента: RU2116173C1. Автор: В.В. Леонов. Владелец: Леонов Виктор Васильевич. Дата публикации: 1998-07-27.

Method of determining duration of plasma-chemical etching of surface of semiconductor plates for submicron technology

Номер патента: RU2535228C1. Автор: Степан Степанович Волков,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Николай Николаевич Бисярин,Юрий Евгеньевич Дмитревский,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of laser etching of images on articles from noble metals (versions)

Номер патента: RU2416528C2. Автор: Андрей Михайлович Бондарев,Сергей Михайлович Бондарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ювелирный дом "СОТИС". Дата публикации: 2011-04-20.

Preferential etch of galvanic tin-and-leaden of coatings from copper basis

Номер патента: RU2351689C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Ольга Валерьевна Кирсанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2009-04-10.

Device for chemical-dynamical etching of germanium substrates

Номер патента: RU2520955C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Олег Михайлович Пишко,Валерий Геннадьевич Захаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Сатурн". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of etching of oxidic nonlinear dielectric and optical monocrystals

Номер патента: RU2558898C1. Автор: Борис Борисович Педько,Ирина Ивановна Сорокина,Кристина Николаевна Бойцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for plasmochemical etching of microelectronics material

Номер патента: RU2456702C1. Автор: Александр Дмитриевич Мельников,Владимир Евгеньевич Белецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум". Дата публикации: 2012-07-20.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Composition for dry etching of silicon dioxide films in photolithographic process

Номер патента: RU2524344C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

Method for continuous etching of low-carbon hot-rolled strip steel

Номер патента: RU2248412C1. Автор: Г.С. Сеничев,В.Е. Злов,А.П. Буданов,Н.А. Адамович,П.С. Базанов,В.П. Торохтий. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2005-03-20.

Method for plasmochemical etching of semiconductor and insulating materials

Номер патента: RU2316845C1. Автор: Юрий Владимирович Федоров,Евгений Германович Шустин,Николай Васильевич Исаев. Владелец: ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН). Дата публикации: 2008-02-10.

Device for local plasma-chemical etching of substrates

Номер патента: RU2451114C2. Автор: Владимир Александрович Абрамов,Лидия Александровна Аксенова,Андрей Владимирович Климов,Владимир Михайлович Рубинштейн,Анатолий Иванович Сергиенко,Александр Аронович Цукерман,Владимир Кириллович Черных. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ"). Дата публикации: 2012-05-20.

Liquid for etching of refractory metals

Номер патента: RU2016915C1. Автор: В.А. Сидоров,И.Г. Ерусалимчик,Т.В. Осипенко. Владелец: Научно-исследовательский институт "Пульсар". Дата публикации: 1994-07-30.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TWI274527B. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TW200635444A. Автор: Do Hyung Lee,Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Plasma etching of copper of integrated circuit

Номер патента: TW394996B. Автор: Jr-Gang Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-06-21.

Deposition gas for forming etching protective film, plasma etching method, and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6438511B2. Автор: 孝 山本,隆一郎 伊崎,山本　孝,尚弥 池本,洋志 ▲高▼. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Method for plasma etching of insulating layers

Номер патента: RU2211505C2. Автор: В.В. Ячменев,Н.В. Алексеев,А.Н. Еременко,Л.А. Колобова,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-08-27.

Solution for the micro-loading effect during polycide etching on high density plasma etching machine

Номер патента: TW383424B. Автор: Wen-Liang Fang,Huo-Da Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-01.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using F2 and COF2

Номер патента: TW201129722A. Автор: Marcello Riva. Владелец: Solvay. Дата публикации: 2011-09-01.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120012556A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120132617A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS FOR PREPARING HIGH-ASPECT-RATIO STRUCTURES

Номер патента: US20120302031A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

PULSE-PLASMA ETCHING METHOD AND PULSE-PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120302065A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

PLASMA ETCHING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20130029494A1. Автор: Sasaki Masaru,Moyama Kazuki,Inoue Masaki,Noto Yoko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20140073138A1. Автор: HUANG Ming-Yu,Hwang Min-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma etching system and plasma etching method

Номер патента: JP2851229B2. Автор: 豊 三浦,俊一 飯室,茂樹 戸澤,一石 富田,儀一 伊東,基博 平野,光 野沢,浩光 松尾. Владелец: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-27.

Plasma etching apparatus simulation apparatus and plasma etching apparatus including the simulation apparatus

Номер патента: JP3984868B2. Автор: 尚人 田中,涼子 小林. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: JP3461120B2. Автор: 和己 小鍛治,慎太郎 弘中. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-27.

Manufacture of plasma etching electrode plate and plasma etching electrode plate obtained thereby

Номер патента: JPH10107008A. Автор: Takayuki Suzuki,孝幸 鈴木,Kojiro Ota,Mitsuji Kamata,充志 鎌田,幸次郎 太田,Kazumi Kokaji,和己 小鍛冶. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-24.

Plasma-etching apparatus and plasma-etching method

Номер патента: CN100561679C. Автор: 中谷理子,丸山幸儿. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Base for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus provided with the same

Номер патента: JP4519576B2. Автор: 哲也 森,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP4684924B2. Автор: 亮一 吉田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6180824B2. Автор: 学 下田,弘樹 松丸,道拓 狩野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-16.

Plasma etching apparatus, plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4605940B2. Автор: 正和 滝,賢治 新谷,広樹 大寺. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Focusing ring for plasma etching and plasma etching device with same

Номер патента: CN103811247A. Автор: 韩文彬,田凌,段文睿,冯涓. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-05-21.

Upper cover for plasma etching equipment and plasma etching equipment

Номер патента: CN105789009A. Автор: 李宗兴. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Substrate tray, etching apparatus and etching method used in plasma etching apparatus

Номер патента: JP5264403B2. Автор: 正幸 佐藤,光康 浅野,泰宏 森川,敏幸 中村. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Aerosol deposition coating method for plasma resistant coating capable of protecting the inside of equipment in a plasma environment during plasma etching

Номер патента: TW201900902A. Автор: 張大勳,高賢哲,金東柱,朴祥圭,朴秦秀. Владелец: Ｋｏｍｉｃｏ有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Etching method in microwave plasma etching device

Номер патента: JPS6369228A. Автор: Katsuya Watanabe,克哉 渡辺,Hitoaki Sato,佐藤　仁昭. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-29.

Etching terminal checking device and method for plasma etching equipment

Номер патента: CN101221891A. Автор: 杨峰. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Modeling method of etching yield in plasma etching process

Номер патента: CN103020349B. Автор: 贾培发,宋亦旭,杨宏军,孙晓民. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-06.

Double radio-frequency pulse plasma etching method and etching device

Номер патента: CN103915308A. Автор: 梁洁,王兆祥,杜若昕,苏兴才. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2014-07-09.

Plasma etching resist and etching method

Номер патента: JP4232297B2. Автор: 一章 西尾,山本　　茂,誠治 石川,三津志 田口. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for etching silicon oxide layer in plasma etching room

Номер патента: CN103187264A. Автор: 刘志强,刘俊良,王兆祥,杜若昕. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2013-07-03.

Method for adjusting etching gas in plasma etching chamber

Номер патента: TW201248716A. Автор: zhao-xiang Wang,Zhi-Qiang Liu. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

A plasma etching method for etching carbon - containing layers

Номер патента: TWI445079B. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2014-07-11.

A kind of etching terminal checkout gear and method of plasma etching equipment

Номер патента: CN100568448C. Автор: 杨峰. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Plasma etching apparatus and etching method thereof

Номер патента: TWI553692B. Автор: Jie Liang,Zhao-Yang Xu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-11.

Method for controlling etch bias in plasma etching

Номер патента: TW353786B. Автор: Rui-Cheng Luo. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1999-03-01.

Method for plasma etching a silicon-containing insulating layer

Номер патента: TW201128701A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Gas plasma etching

Номер патента: GB8504009D0. Автор: . Владелец: Dobson C D. Дата публикации: 1985-03-20.

Plasma etching device

Номер патента: JPS52142637A. Автор: Seitarou Matsuo. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-11-28.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TW201112327A. Автор: Ching-Hua Chen,Hsin-Chuan Chen,Chung-Wei Yang,Chung-Yau Wu,Ching-Yi Tseng,Horng-Dyi Shyu,Chin-Chien Wu,Tsung-Sheng Yang,Shun-Yen Chiang,Chia-En Sung,Sheng-Meau Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-01.

Plasma etching method and device

Номер патента: TW577122B. Автор: Guang-Jung Peng. Владелец: Sp Probe Inc. Дата публикации: 2004-02-21.

Gas diversion apparatus in a plasma etching apparatus

Номер патента: TW448504B. Автор: Ming-Te Lin,Feng-Pin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using F2 and COF2

Номер патента: US20120214312A1. Автор: . Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2012-08-23.

Silicon film surface treatment method after plasma etching

Номер патента: KR950027904A. Автор: 이주영,이완기. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-18.

Inductively coupled plasma treatment device and plasma etching method

Номер патента: TW201618180A. Автор: Di Wu,Zeng-Di Lian,Yun-Wen Huang,Tu Qiang Ni. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Shanghai Co L. Дата публикации: 2016-05-16.

Side injection gas nozzle of plasma etching chamber and plasma reactor device

Номер патента: TWI618111B. Автор: 許育銨. Владелец: 台灣美日先進光罩股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Chip transfer system of plasma etching machine for etching inorganic material substrate by adopting dry method

Номер патента: CN202307824U. Автор: 陈波,李超波,黄成强,饶志鹏. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma etching method for etching organic layer

Номер патента: TW201227823A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

플라즈마 에칭이 광 방사를 모니터하므로써 제어되는 디바이스 제조방법(A process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission)

Номер патента: KR970023956A. Автор: 브이. 기인 케쓰,글래디 맥네빈 수잔. Владелец: 루센트 테크놀러지 인코포레이티드. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of plasma etching and surface modification for boron-doped diamond electrochemical electrode

Номер патента: TW201232627A. Автор: Yon-Hua TZENG,Wai-Leong Chen,Chiuan-Yi Li. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of plasma etching molybdenum

Номер патента: JPS5325244A. Автор: Katsuzou Ukai. Владелец: NICHIDEN VARIAN KK. Дата публикации: 1978-03-08.

Grounding apparatus for realizing electrical connection between plasma etching chamber and cathode

Номер патента: TW201248681A. Автор: Fan Peng,Di Wu,Tuqiang Ni,Yitao Zhang,miao-juan Chen. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Method of increasing corrosion resistance for reactive ion or plasma etching process

Номер патента: JPS55132041A. Автор: Ekonomii Jieemuzu,Richiyaado Riara Jieemuzu,Aarin Pedaasun Resutaa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-14.

Method for plasma etching

Номер патента: TW201248715A. Автор: zhao-xiang Wang,Zhi-Qiang Liu,jun-liang Li,ruo-xin Du. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Method for preparing protective coating for plasma etching chamber of IC equipment

Номер патента: AU2019430768A1. Автор: Xinyu CUI,Tao HOU,Yanfang Shen,Tianying Xiong,Guangwen ZHENG. Владелец: Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TWI380365B. Автор: Chinghua Chen,Chungyau Wu,Hsinchuan Chen,Horngdyi Shyu,Chinchien Wu,Tsungsheng Yang,Chungwei Yang,Shunyen Chiang,Chiaen Sung,Shengmeau Yang,Chingyi Tseng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-12-21.

Member for plasma etching device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200512826A. Автор: Kyoichi Inagi,Itsuo Araki. Владелец: Shinetsu Quartz Prod. Дата публикации: 2005-04-01.

Control method for plasma etching process

Номер патента: TW518689B. Автор: Shian-Guang Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-01-21.

Method and apparatus for plasma etching a substrate

Номер патента: GB202404374D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of gas plasma etching

Номер патента: JPS55111134A. Автор: Yukio Sonobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-08-27.

Method for plasma etching a carbon-containing layer

Номер патента: TW201128699A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of plasma etching with reducing particle production

Номер патента: TWI246726B. Автор: Chun-Hsien Chien,Chung-Ji Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

Plasma etching device

Номер патента: JPS57120676A. Автор: Tadahiro Nakamichi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.