PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS
Номер патента: US20200006079A1
Опубликовано: 02-01-2020
Автор(ы): Izawa Masaru, KAWAMURA Kohei, Kobayashi Hiroyuki, KOUZUMA Yutaka, MIYOSHI Nobuya, OOKUMA Kazumasa, SHINODA Kazunori
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-01-2020
Автор(ы): Izawa Masaru, KAWAMURA Kohei, Kobayashi Hiroyuki, KOUZUMA Yutaka, MIYOSHI Nobuya, OOKUMA Kazumasa, SHINODA Kazunori
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same
Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.