Selective plasma etching during formation of integrated circuitry.

Selective plasma etching during formation of integrated circuitry

Номер патента: US4687543A
Опубликовано: 18-08-1987
Автор(ы): Christopher D. Bowker
Принадлежит: CollabRx Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Two step plasma etching

Номер патента: CA1191479A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-06.

Two step plasma etching

Номер патента: US4457820A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Plasma etch singulated semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09559007B1. Автор: Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US11699594B2. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US20220051903A1. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Plasma etching systems and methods using empirical mode decomposition

Номер патента: US09548189B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Yassine Kabouzi,Jorge Luque,Luc Albarede. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

High-selectivity plasma-assisted etching of resist- masked layer

Номер патента: CA1160759A. Автор: David N. Wang,Nadia Lifshitz,Joseph M. Moran. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-01-17.

Plasma Etching with Metal Sputtering

Номер патента: US20240249927A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Quartz glass member for plasma etching

Номер патента: US20110232847A1. Автор: Tatsuhiro Sato,Kyoichi Inaki. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Plasma etching gas

Номер патента: US20030017708A1. Автор: Ming-Chung Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US09934984B2. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Dual mode plasma etching system and method of plasma endpoint detection

Номер патента: US5242532A. Автор: John L. Cain. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-09-07.

Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation

Номер патента: US20070251918A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20230402286A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: WO2023239400A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20190013209A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing electronic device by forming a hole in a multilayer insulator film by plasma etching

Номер патента: US09530664B2. Автор: Shingo Kitamura,Aiko Kato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US5955383A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Method for etching oxide film in plasma etching system

Номер патента: US6103137A. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Magnetron-enhanced plasma etching process

Номер патента: US4668338A. Автор: Sasson Somekh,David Cheng,Dan Maydan,Mei Cheng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1987-05-26.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: WO2023239630A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: US20230395385A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A3. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Gil Hun Lee. Дата публикации: 2009-03-12.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Apparatus for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US6030489A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Process for plasma etching of vias

Номер патента: US5514247A. Автор: Robert Wu,Hongching Shan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-07.

Plasma etching method

Номер патента: US5928963A. Автор: Akira Koshiishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20180122649A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

In situ declogging in plasma etching

Номер патента: WO2023239617A1. Автор: Ji Zhu,Zhongkui Tan,Xiaofeng Su,Qiang Ma,Mark Naoshi Kawaguchi,Gowri Channa KAMARTHY,Priyadarsini SUBRAMANIAN,Wenchi Liu. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100133234A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Tetsuo Yoshida,Ryoichi Yoshida,Michishige Saito,Akira Obi,Toshikatsu Wakaki,Hayato Aoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: WO2017044154A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-16.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20150249016A1. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5705419A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey Robert Perry,Kristen Ann Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5342801A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey R. Perry,Kristen A. Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric

Номер патента: US20020158247A1. Автор: Mohammad Massoodi,Mehrdad Mahanpour,Jose Hulog. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Plasma etching of porous substrates

Номер патента: US9595422B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang,Jean-Francois De Marneffe. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-14.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma etching of dielectric layer with etch profile control

Номер патента: US20030045114A1. Автор: Lumin Li,Tuqiang Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Focus ring for improvement of semiconductor plasma etching process

Номер патента: US20220415621A1. Автор: Seung Ho Yang,Byeong Su An,Sung Dong Cho,Seong Wan BAE. Владелец: One Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of plasma etching

Номер патента: US12087593B2. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma etching apparatus and method for operating the same

Номер патента: US12046451B2. Автор: Ju Ho Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Nam Kyun Kim,Seung Han BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of plasma etching

Номер патента: US20230411164A1. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Processing methods of forming contact openings and integrated circuitry

Номер патента: US5986347A. Автор: Kirk D. Prall,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Integrated Circuitry And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230363163A1. Автор: John D. Hopkins,Ayssa N. Scarbrough. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Selective plasma re-oxidation process using pulsed rf source power

Номер патента: EP1851795A4. Автор: Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Selective plasma re-oxidation process using pulsed rf source power

Номер патента: EP1851795A2. Автор: Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Plasma generation and pulsed plasma etching

Номер патента: US09793127B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma etching unit

Номер патента: US20100024983A1. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1121305A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4208241A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Formation of removable shroud by anisotropic plasma etch

Номер патента: US20050287762A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Methods Of Forming Contact Openings And Methods Of Increasing Contact Area In Only One Of X and Y Axes In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20110306206A1. Автор: Anton Devilliers,Mark Kiehlbauch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20230170188A1. Автор: Huma Ashraf,Janet Hopkins,Kevin RIDDELL,Alex Huw Wood. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: WO2001020655A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-03-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20210193908A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Device fabrication by plasma etching with lessened loading effect

Номер патента: CA1124207A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Plasma etching of ni-containing materials

Номер патента: WO2003065419A3. Автор: Lee Chen. Владелец: Lee Chen. Дата публикации: 2003-11-13.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: EP3843126A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Method and Apparatus for Plasma Etching

Номер патента: US20210193471A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US11664232B2. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for plasma etching of Ir-Ta-O electrode and for post-etch cleaning

Номер патента: US20020187645A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Jer-shen Maa. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for selectivity enhancement during dry plasma etching

Номер патента: US09666447B2. Автор: Vinayak Rastogi,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of producing polysilicon structures in the 1 um range on substrates containing integrated semiconductor circuits by plasma etching

Номер патента: CA1165724A. Автор: Barbara Hasler,Willy Beinvogel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-04-17.

Plasma etching apparatus component for manufacturing semiconductor comprising composite sintered body and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240055266A1. Автор: Young Jo Park,Jae Woong Ko,Ha Neul Kim,Mi Ju KIM,Hyeon Myeong OH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4226665A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-10-07.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1124208A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20240213030A1. Автор: Binte Kazemi Samira. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of plasma etching

Номер патента: EP4391023A1. Автор: Samira Binte KAZEMI. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture

Номер патента: US5783100A. Автор: Guy Blalock,Kevin Donohoe. Владелец: Micron Display Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Method of plasma etching

Номер патента: US9040427B2. Автор: Huma Ashraf,Anthony Barker. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Cyclical plasma etching

Номер патента: US20170069469A1. Автор: Michael J. Cooke,Andrew L. Goodyear. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

Enhanced plasma etching

Номер патента: US4985112A. Автор: Walter E. Mlynko,Frank D. Egitto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

End point detection method for plasma etching of semiconductor wafers with low exposed area

Номер патента: WO2006078851A3. Автор: Georges J Gorin,Sumer Johal,Barton Lane,Sylvia G J P Spruytte,Herve C Kieffel. Владелец: Herve C Kieffel. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods to protect nitride layers during formation of silicon germanium nano-wires in microelectronic workpieces

Номер патента: US20200027736A1. Автор: Yusuke Yoshida,Christopher Talone,Sergey Voronin,Christopher Catano,Nicholas Joy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing a ferroelectric device using a plasma etching process

Номер патента: US5443688A. Автор: Steven R. Collins,Abron S. Toure,Bruce W. LeBlanc. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1995-08-22.

Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues

Номер патента: US6103680A. Автор: Kenji Honda,Eugene F. Rothgery. Владелец: Arch Specialty Chemicals Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Thermal spray material, thermal spray coating, method for forming thermal spray coating, and component for plasma etching device

Номер патента: US20240043982A1. Автор: Hiroaki Mizuno,Kensuke Taguchi,Takaya MASUDA,Tatsuo Suidzu,Yasuhiro Shiojiri. Владелец: Tocalo Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma etching apparatus component and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130251949A1. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Takashi Rokutanda,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Prevention of aluminum etching during silox photoshaping

Номер патента: US3920471A. Автор: Robert K Jones,Murad A Meneshian. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1975-11-18.

Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, Method of depositing silicon dioxide-comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells

Номер патента: US20060160375A1. Автор: Gurtej Sandhu,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Methods of depositing silicon dioxide comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US7053010B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Weimin Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Process for developing fine openings in a flexible electronic component with a plasma-etching technique

Номер патента: US20240071824A1. Автор: Gurinder S. Saini,David J. Crary. Владелец: Tech Etch Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuitry having a pair of adjacent conductive lines

Номер патента: US5856703A. Автор: Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma passivation technique for the prevention of post etch corrosion of plasma-etched aluminum films

Номер патента: CA1151106A. Автор: Christopher H. Galfo,Ashok L. Nalamwar. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces

Номер патента: CA1121306A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Formation of metal oxide gate dielectric

Номер патента: US20030003702A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4256534A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Carbon doped metal oxyfluoride (c:m-0-f) layer as protection layer in fluorine plasma etch processes

Номер патента: US20230383396A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Julien Keraudy,Sebastien Guimond,Matthew Paul KIRK,John CONIFF. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: EP3747042A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240136211A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of determining plasma etching parameters

Номер патента: RU2686579C1. Автор: Владимир Иванович АНИСИМКИН,Наталья Владимировна Воронова,Геннадий Николаевич Галанов,Нелли Владимировна Воронова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-29.

Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach

Номер патента: US20140346641A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Aparna Iyer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4010919A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Hybrid wafer dicing approach using a rectangular laser spot-based laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20240363412A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Zavier Tan,Praveen Choragudi,Ananth Jupudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment

Номер патента: WO2020055523A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US9852997B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: WO2017165706A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-09-28.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4014251A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210050263A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210043515A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch

Номер патента: US8642448B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh,James M. Holden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film

Номер патента: US8507363B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US20240079273A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US11854888B2. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of anisotropic plasma etching of silicon microstructures in a cyclic two-step oxidation-etching process

Номер патента: RU2691758C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Павлович Антипов,Алексей Анатольевич Рылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2019-06-18.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Single-wafer real-time etch rate and uniformity predictor for plasma etch processes

Номер патента: US09953886B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Brian Dee Hennes,Yannick Carll Kimmel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber

Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods Utilizing Microwave Radiation During Formation Of Semiconductor Constructions

Номер патента: US20100062562A1. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Method and apparatus for real-time monitoring of plasma etch uniformity

Номер патента: US09847262B2. Автор: Jean-Francois De Marneffe,Vladimir Samara. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Improvements relating to plasma etching

Номер патента: EP1188180A1. Автор: Srinivasan Anand,Carl-Fredrik Carlstrom,Gunnar Landgren. Владелец: Surface Technology Systems Ltd. Дата публикации: 2002-03-20.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: EP1568061A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: WO2024163214A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: US20240266220A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal-based liner protection for high aspect ratio plasma etch

Номер патента: US20230298896A1. Автор: Qing Xu,Eric A. Hudson,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Gregory Clinton Veber,Walter Thomas RALSTON,Taner OZEL,Shuang Pi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of plasma etching

Номер патента: US20020011464A1. Автор: Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Mamoru Yakushiji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Plasma etching electrode

Номер патента: US5993597A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Plasma etching techniques

Номер патента: WO2022173633A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma etching techniques

Номер патента: US20220254645A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide

Номер патента: WO1985002818A1. Автор: Mammen Thomas,Atiye Bayman. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-04.

Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces

Номер патента: US6083412A. Автор: Michael Rice,Jeffrey Marks,David W Groechel,Nicolas J Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: SG11201809012PA. Автор: AJAY Kumar,James S Papanu,Brad Eaton,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Alexander N Lerner,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Hard mask for copper plasma etch

Номер патента: US20010035582A1. Автор: Peter D. Nunan,Mark Richard Tesauro. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-11-01.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: CA1331163C. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-08-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-plasma etch of titanium-containing material layers with tunable selectivity to alternate metals and dielectrics

Номер патента: US20210057213A1. Автор: Subhadeep Kal,Daisuke Ito,Shinji Irie,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-12-13.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476B1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: US20050178740A1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US09620379B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: US5344542A. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: WO2004053922A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2004-06-24.

Anisotropic polysilicon plasma etch using fluorine gases

Номер патента: US5453156A. Автор: Ming-Shry Cher,Chung-Hsing Shan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Plasma etching techniques

Номер патента: US11538690B2. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Plasma etching of additive-containing aln

Номер патента: EP4199687A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: WO2001075930A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-05-23.

Anisotropic plasma etching of trenches in silicon by control of substrate temperature

Номер патента: GB2341348A. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-03-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050061447A1. Автор: Yong-Dae Kim,Do-hyeong Kim,Doo-Won Lee,Soon-Ho Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US20190096684A1. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-03-28.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US10510550B2. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-12-17.

Metal-based passivation-assisted plasma etching of iii-v semiconductors

Номер патента: US20180323074A1. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Lars Voss,Sara Elizabeth Harrison,Clint Frye. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20070199657A1. Автор: Hiroshi Akiyama,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Plasma Etching

Номер патента: US20230197457A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US09653357B2. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions

Номер патента: US8283203B2. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Methods Utilizing Microwave Radiation During Formation Of Semiconductor Constructions

Номер патента: US20110237042A1. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions

Номер патента: US8455299B2. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions

Номер патента: EP2324490A2. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-25.

Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions

Номер патента: WO2010030484A2. Автор: Ming Zhang,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20030203640A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Integrated Circuitry, Methods of Forming Memory Cells, and Methods of Patterning Platinum-Containing Material

Номер патента: US20130175495A1. Автор: Andrey V. Zagrebelny,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Process for the plasma etching of materials not containing silicon

Номер патента: US7071110B2. Автор: Josef Mathuni,Günther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-04.

Plasma etching chamber

Номер патента: WO2009061104A1. Автор: Hee-Se Lee,Seong-Hyun Chung,Se Mun Park. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuitry

Номер патента: US7291895B2. Автор: Shane J. Trapp,Brian F. Lawlor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-06.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Irregular-surface forming method using plasma-etching process, and electrode member

Номер патента: US20130008697A1. Автор: Takeshi Kondo,Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Copper base alloy for leads of integrated circuit

Номер патента: US4249941A. Автор: Rensei Futatsuka,Tadao Sakakibara. Владелец: Mitsubishi Shindoh Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-10.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: EP3465727A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-04-10.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: US20190304757A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-10-03.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09472380B2. Автор: Yoshinobu Nakada,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20210115555A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-22.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20200080197A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-03-12.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: EP3423610A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-01-09.

Systems and methods ensuring sustainable economic development by means of integrated development of renewable full spectrum energy

Номер патента: RU2562336C2. Автор: Рой Е. МАКЭЛИСТЭР. Владелец: МАКЭЛИСТЭР ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-09-10.

Plasma etching using improved electrode

Номер патента: US4297162A. Автор: Randall S. Mundt,Timothy A. Wooldridge,Thomas O. Blasingame. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-10-27.

Solid polymer electrolyte composite membrane comprising plasma etched porous support

Номер патента: WO2006036957A2. Автор: HAN Liu,Anthony B. LaConti. Владелец: GINER ELECTROCHEMICAL SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2006-04-06.

Device for forming barrier film, procedure for formation of barrier films and container with barrier film coating

Номер патента: RU2434080C2. Автор: Акира СИРАКУРА,Минору ДАННО,Юдзи АСАХАРА,Хидео ЯМАКОСИ,Сейдзи ГОТО,Масаки НАКАИ,Киёси ХИРОЯ. Владелец: Кирин Бир Кабусики Каиса. Дата публикации: 2011-11-20.

Method for producing treatment for processing insulating coating, method for producing steel sheet with insulating coating and device for producing mortar for processing for formation of insulation

Номер патента: RU2753539C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-17.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with reinforced integrated circuitry and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019245708A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuitry, method used in the fabrication of a vertical transistor, and method used in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: US12057493B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20240355909A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Electronic component of integrated circuitry and a method of forming a conductive via to a region of semiconductor material

Номер патента: US09754889B2. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20230395699A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuitry, method used in the fabrication of a vertical transistor, and method used in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: US11777011B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Conductive via of integrated circuitry, memory array comprising strings of memory cells, method of forming a conductive via of integrated circuitry, and method of forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11972978B2. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Frame reveals with maskless lithography in the manufacture of integrated circuits

Номер патента: EP4006642A1. Автор: Robert Bristol,Grant Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of removing surface defects or other recesses during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US6025271A. Автор: Guy Blalock,Mark E. Jost,Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Vacuum loadlock ultraviolet bake for plasma etch

Номер патента: US20020046809A1. Автор: Mark Tesauro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application

Номер патента: WO2014062582A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of controlling plasma etch process

Номер патента: US20030153102A1. Автор: Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor processing methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US7045405B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Method and Apparatus for Plasma Etching Dielectric Substrates

Номер патента: US20240212998A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: EP3158585A1. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: US20240030007A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: US09748327B2. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming CMOS integrated circuitry

Номер патента: US6261888B1. Автор: Mark Helm,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Method of forming CMOS integrated circuitry

Номер патента: US6074924A. Автор: Mark Helm,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Techniques for protecting integrated circuitry from plasma-induced electrostatic discharge using a carrier substrate with junction features

Номер патента: EP4141931A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation

Номер патента: US09455147B2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Jose I. Arno. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Plasma etching process

Номер патента: US5405491A. Автор: Iraj E. Shahvandi,Carol Gelatos,Leroy Grant, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of reducing dielectric damage from plasma etch charging

Номер патента: US5843827A. Автор: Richard William Gregor,Chung Wai Leung. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Construction of a chamber casing in a plasma etching system

Номер патента: US5720846A. Автор: Whikun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-24.

Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided uv-curable adhesive film

Номер патента: WO2014004917A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20240258084A1. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma etching device

Номер патента: US20040134612A1. Автор: Takeomi Numata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming CMOS integrated circuitry

Номер патента: US5571733A. Автор: Sittampalam Yoganathan,Jeff Z. Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010969A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20020013047A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: WO2000014792A1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US6753241B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Contact openings, electrical connections and interconnections for integrated circuitry

Номер патента: US6476490B1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-05.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory integrated circuitry comprising locos and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US20010013612A1. Автор: Luan Tran,Alan R Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12087632B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Corey Staller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming coaxial integrated circuitry interconnect lines

Номер патента: US6143616A. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Joseph E. Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor processing methods of forming transistors, semiconductor processing methods of forming dynamic random access memory circuitry, and related integrated circuitry

Номер патента: US20020072199A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: EP4310886A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: EP4322200A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11961801B2. Автор: David H. Wells,Lifang Xu,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Harsh Narendrakumar Jain,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated Circuitry, Memory Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20190371728A1. Автор: Bo Zhao,Lifang Xu,Eldon Nelson,Matthew Park,Matthew J. King,M. Jared Barclay,Michael J. Gossman,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuitry, dram circuitry, and methods used in forming integrated circuitry

Номер патента: WO2019216966A1. Автор: Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: US20240055238A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of connecting to integrated circuitry

Номер патента: US5565386A. Автор: David R. Bearden,Mark D. Bolliger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-10-15.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20080110569A1. Автор: Junichi Tanaka,Hiroshi Akiyama,Naoshi Itabashi,Kouhei Satou,Go Miya,Seiichiro Kanno. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus

Номер патента: US5746928A. Автор: Po-Tao Chu,Kuang-Hui Chang,Shih Kuei Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Method and apparatus for plasma etching dielectric substrates

Номер патента: EP4391010A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDEL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Baffle plate and plasma etching device having same

Номер патента: WO2003098669A1. Автор: Moon Hwan Kim,Jeung Woo Lee,Young Jae Moon. Владелец: Tokyo Electron Korea Ltd.. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Integrated circuitry and methods for manufacturing same

Номер патента: US10388599B2. Автор: Andrew Depaula,Samuel Riemersma,Charles Harral. Владелец: intelliPaper LLC. Дата публикации: 2019-08-20.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11844202B2. Автор: Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230088904A1. Автор: Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated Circuitry and Methods for Manufacturing Same

Номер патента: US20190371723A1. Автор: Andrew Depaula,Samuel Riemersma,Charles Harral. Владелец: intelliPaper LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated Circuitry and Methods for Manufacturing Same

Номер патента: US20170069566A1. Автор: Andrew Depaula,Samuel Riemersma,Charles Harral. Владелец: intelliPaper LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US11984304B2. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

DRAM Circuitry, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20200135739A1. Автор: Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Integrated Circuitry, A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, A Method Used In Forming A Conductive Via, A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203791A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Interconnect via metal-insulator-metal (mim) fuse for integrated circuitry

Номер патента: US20230402369A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor integrated circuitry

Номер патента: US10992261B2. Автор: Bernd Hans GERMANN,Vamshi Krishna MANTHENA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Memory integrated circuitry

Номер патента: US20010052612A1. Автор: Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Memory integrated circuitry

Номер патента: WO1998048460A1. Автор: Alan R. Reinberg,Luan C. Tran. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-10-29.

Method of forming integrated circuitry

Номер патента: US6933207B2. Автор: Alan R. Reinberg,Luan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

Integrated circuitry

Номер патента: US09754879B2. Автор: Zailong Bian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US09666573B1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Inversely alternate stacked structure of integrated circuit modules

Номер патента: US7795720B1. Автор: Hong-Chi YU. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Methods and apparatus to place balls for second level interconnects of integrated circuit packages

Номер патента: US20240304473A1. Автор: Tingting Gao,Zewei Wang,George Frank Robinson, JR.,Viet Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US4595452A. Автор: Richard F. Landau,Henry A. Majewski. Владелец: Oerlikon Buhrle USA Inc. Дата публикации: 1986-06-17.

Semiconductor integrated circuitry

Номер патента: US20190229676A1. Автор: Bernd Hans GERMANN,Vamshi Krishna MANTHENA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuitry and method of forming a contact landing pad

Номер патента: US6100592A. Автор: Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of preventing storage node to storage node shorts in fabrication of memory integrated circuitry having stacked capacitors and stacked capacitor memory integrated circuits

Номер патента: US5194753A. Автор: Tyler A. Lowrey,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US6939799B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20110171825A1. Автор: Hasan Nejad,James E. Green. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11915974B2. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Technique for handling diced wafers of integrated circuits

Номер патента: US11881425B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Guido Albermann,Johannes Cobussen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20190288034A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuitry comprisihg multipe transistors with different channel lengths

Номер патента: US20010046741A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Methods of forming conductive contacts to conductive structures, and integrated circuitry

Номер патента: US20030075799A1. Автор: Thomas Figura,John Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20160126181A1. Автор: Zailong Bian. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-05.

Techniques for protecting integrated circuitry from plasma-induced electrostatic discharge using a carrier substrate with junction features

Номер патента: US20230069107A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: US20170162646A1. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-08.

Methods for converting planar designs to finfet designs in the design and fabrication of integrated circuits

Номер патента: US20150093910A1. Автор: Andreas Knorr,Frank Scott Johnson,Soon Yoeng Tan,Srinidhi Ramamoorthy,Angeline Ho Chye Ee. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Multiple seal-ring structure for the design, fabrication, and packaging of integrated circuits

Номер патента: US9209137B2. Автор: Syed Ahmed,Michael J. Grubisich,Duc Anh Vu,Jayalakshmana Kumar Pragasam,Vijay Meduri,Seyed Attaran,Aniket Singh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of integration of ONO stack formation into thick gate oxide CMOS flow

Номер патента: US09824895B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Trench power device of integrated inductor, and manufacturing method for trench power device

Номер патента: EP4386824A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Process of formation of solid nanostructures

Номер патента: RU2141699C1. Автор: В.К. Смирнов,С.А. Кривелевич,Д.С. Кибалов,П.А. Лепшин. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ". Дата публикации: 1999-11-20.

Porous mesh structures for the thermal management of integrated circuit devices

Номер патента: US20230317549A1. Автор: Feras Eid,Wenhao Li,Xavier Brun,Johanna Swan,Paul Diglio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of integrated semiconductor devices for interacting with optical storage media

Номер патента: US20020180050A1. Автор: Timothy Johnson,Barbara Foley,Duane Rabe,Kevin Traylor. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for obtaining a resistive mask on a semiconductor substrate for the formation of micro- and nanostructures

Номер патента: RU2761773C1. Автор: Иван Николаевич Храпач,Александра Викторовна Кулакова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-12-13.

System, method and apparatus for RF power compensation in plasma etch chamber

Номер патента: US09412670B2. Автор: Arthur Sato,Seetharaman Ramachandran,Shang-I Chou,Eric Tonnis,Robert G. O'Neill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Support structure for integrated circuitry

Номер патента: US09640456B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Chih-Mu Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,I-I Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods and structures of integrated MEMS-CMOS devices

Номер патента: US09950924B2. Автор: Sudheer S. Sridharamurthy,Ali J. Rastegar,Xiao Charles Yang,Te-Hse Terrence Lee,Mugurel Stancu. Владелец: MCube Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: EP3732713A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US09972575B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabrication of high aspect ratio trenches and formation of nanoscale features therefrom

Номер патента: US09653309B2. Автор: Shane A. Cybart,Robert C. Dynes,Travis Wong,Peter Roediger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuitry components, switches, and memory cells

Номер патента: US09704879B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuitry components, switches, and memory cells

Номер патента: WO2013126171A9. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

Integrated circuitry components, switches, and memory cells

Номер патента: EP2817825A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Integrated Circuitry And 3D Memory

Номер патента: US20180261612A1. Автор: David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Integrated Circuitry and 3D Memory

Номер патента: US20170206964A1. Автор: David Daycock. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-07-20.

Integrated circuitry and 3D memory

Номер патента: US10224336B2. Автор: David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Integrated circuitry and 3D memory

Номер патента: US09985040B2. Автор: David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Production of integrated circuit chip packages prohibiting formation of micro solder balls

Номер патента: US7915732B2. Автор: David J. Hill,Jeffrey D. Gilbert,Timothy M. Sullivan,Ronald L. Mendelson,Stephen P. Ayotte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Production of integrated circuit chip packages prohibiting formation of micro solder balls

Номер патента: US20090321914A1. Автор: David J. Hill,Jeffrey D. Gilbert,Timothy M. Sullivan,Ronald L. Mendelson,Stephen P. Ayotte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Integrated circuitry and 3D memory

Номер патента: US10608003B2. Автор: David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

Integrated Circuitry And 3D Memory

Номер патента: US20190172833A1. Автор: David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Integrated circuitry fuse forming methods, integrated circuitry programming methods, and related integrated circuitry

Номер патента: US20010015471A1. Автор: H. Manning. Владелец: Manning H. Montgomery. Дата публикации: 2001-08-23.

Integrated Circuitry, Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240243072A1. Автор: Richard T. Housley,Harsh Narendrakumar Jain,Kar Wui Thong,Manampurathu Sivaramapanicker Suresh Kumar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Chip topography for mos integrated circuitry microprocessor chip

Номер патента: CA1099032A. Автор: George K. Tu,Lamar T. Baker,Robert E. Markle,George E. Mager. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-04-07.

Moulded lens forming led-module of integrated circuit scale and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2617880C2. Автор: Серж Йоэль Арманд БИРХЭЙЗЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-28.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated Circuitry, Methods Of Forming Capacitors, And Methods Of Forming Integrated Circuitry Comprising An Array Of Capacitors And Circuitry Peripheral To The Array

Номер патента: US20130093050A1. Автор: Kevin R. Shea,Belford T. Coursey,Jennifer Lequn Liu,Brett W. Busch,Jonathan T. Doebler,Mingtao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming capacitators, methods of forming capacitator-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589574A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Luan C. Tran,Mark D. Durcan,Alan R. Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Mixed Dielectric Materials for Improving Signal Integrity of Integrated Electronics Packages

Номер патента: US20230395444A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of integrated scheme integration by flip chip method

Номер патента: RU2667741C1. Автор: Енг Сенг НГ,Сзе Йонг ПАНГ. Владелец: Смартфлекс Текнолоджи Пте Лтд. Дата публикации: 2018-09-24.

Method of integration of components to plate-base

Номер патента: RU2327311C2. Автор: Ристо ТУОМИНЕН. Владелец: Имбера Электроникс Ой. Дата публикации: 2008-06-20.

Semiconductor integrated circuitry and method for manufacturing the circuitry

Номер патента: US20040147077A1. Автор: Kenichi Kuroda,Masayuki Kojima,Kozo Watanabe,Kiyonori Ohyu,Masahiro Moniwa,Atsushi Ogishima,Syunichi Hashimoto,Nozomu Matsuda. Владелец: Nozomu Matsuda. Дата публикации: 2004-07-29.

Integrated Circuitry, Array Of Cross-Point Memory Cells, Method Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20230371282A1. Автор: Kevin Baker,David A. Kewley,Trupti D. Gawai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of Integrating a MOSFET with a Capacitor

Номер патента: US20110059593A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Anup Bhalla,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-03-10.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Arrays of integrated analytical devices

Номер патента: US09915612B2. Автор: Paul Lundquist,Ravi Saxena,Annette Grot. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Increasing manufacturing yield of integrated circuits by modifying original design layout using location specific constraints

Номер патента: US09798853B2. Автор: Qi-De Qian. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Arrays of integrated analytical devices

Номер патента: US09606068B2. Автор: Paul Lundquist,Ravi Saxena,Annette Grot. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Stacked structure of integrated circuits

Номер патента: US20060006549A1. Автор: Potter Chien. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US11742311B2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US20230335524A1. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: EP3869541A2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-25.

Arrays of integrated analytical devices

Номер патента: US20230314325A1. Автор: Paul Lundquist,Ravi Saxena,Annette Grot. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming a monolithic electronic module by stacking planar arrays of integrated circuit chips

Номер патента: US5786237A. Автор: Martha Ashley Clark Cockerill,John George Maltabes,Loretta Jean O'Connor,Steven Howard Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Three-dimensional flexible assembly of integrated circuits

Номер патента: US5646446A. Автор: Earl R. Nicewarner, Jr.,Steven L. Frinak. Владелец: Fairchild Space and Defense Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375802A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375805A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Flexibly wrapped crystal of integrated circuit

Номер патента: RU2642170C2. Автор: Петер БАУМГАРТНЕР,Свен АЛЬБЕРС,Майкл СКИННЕР,Ганс-Йоахим БАРТ,Харальд ГОСНЕР. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-24.

Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers

Номер патента: CA2409435C. Автор: Brian Moore. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Carrier of crystal of integrated circuit

Номер патента: RU2134466C1. Автор: А.И. Таран,В.К. Любимов. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Structure and method for determining isolation of integrated circuit

Номер патента: US5254941A. Автор: David M. Osika. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-10-19.

Method for detecting the reliability of integrated semiconductor components at high temperatures

Номер патента: US20040140826A1. Автор: Jochen Hagen,Andreas Martin,Wilhelm Asam,Josef Fazekas,David Smeets. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Circuit configuration for protecting terminals of integrated circuits

Номер патента: US5335134A. Автор: Christian Stein,Joachim Krause,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-08-02.

Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters

Номер патента: US7795153B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Ezra Robert Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20170207066A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20180102235A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Improved endpoint detection system and method for plasma etching

Номер патента: WO1991005367A1. Автор: Calvin Gabriel,Jim Nulty. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1991-04-18.

Plasma etching apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240128056A1. Автор: SeungBo SHIM,Changho Kim,Kyungsun Kim,Minyoung HUR,Yoonbum Nam,Hyeontae Kim,Juneeok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Cleaning method for plasma etching chamber, and application thereof

Номер патента: EP4403270A1. Автор: FENG LIANG,Jiahe LI,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: WO2006041634A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis Usa Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Method and system for facilitating the determination of the end point in plasma etching processes

Номер патента: WO2006106556A1. Автор: Roberto Colombo,Giuseppe Fazio,Diego Zappa. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2006-10-12.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: EP1797578A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

System and method for plasma etching endpoint detection

Номер патента: US5405488A. Автор: Samuel V. Dunton,Calvin T. Gabriel,Dimitrios Dimitrelis. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

High speed formation of cells for configuring anisotropic expansion of silicon-dominant anodes

Номер патента: WO2021091760A1. Автор: Benjamin Park,Giulia Canton,Ian Browne,Frederic Bonhomme,Jill Pestana. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-14.

High speed formation of cells for configuring anisotropic expansion of silicon-dominant anodes

Номер патента: EP4055644A1. Автор: Benjamin Park,Giulia Canton,Ian Browne,Frederic Bonhomme,Jill Pestana. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-09-14.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20020014308A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and system for formation of cylindrical and prismatic can cells

Номер патента: US11909058B2. Автор: Benjamin Park,Sanjaya D. Perera. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Technique and process for the imaging and formation of various devices and surfaces

Номер патента: WO2001031656A9. Автор: Spyridon Zafiratos. Владелец: Spyridon Zafiratos. Дата публикации: 2002-07-04.

Plasma etching reactor with reduced plasma potential

Номер патента: CA1219975A. Автор: Charles J. Hendricks,Brian H. Desilets,Thomas A. Gunther,John H. Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Method for fabricating micro-structures with various surface properties in multilayer body by plasma etching

Номер патента: CA2399027C. Автор: Walter Schmidt,Frederic Reymond,Joel S. Rossier. Владелец: DiagnoSwiss SA. Дата публикации: 2010-06-22.

Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus

Номер патента: US5401351A. Автор: Seiji Samukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Plasma etching apparatus and semiconductor processing system

Номер патента: US20230078095A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Byeongsang KIM,Youngdo Kim,Sungho Jang,Yunhwan Kim,Jungmo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Tem test cell for estimating noise emission and noise immunity of integrated circuits

Номер патента: RU2727075C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Максим Евгеньевич Комнатнов,Александр Витальевич Демаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2020-07-17.

Optical integrated circuitry

Номер патента: CA2072247A1. Автор: Richart Elliott Slusher,Samuel Leverte Mccall,Anthony Fredric John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-04-17.

Conductive member of integrated circuit socket

Номер патента: US20020048985A1. Автор: Kuang-Chih Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Two-stage rear cover structure of integrated female connector

Номер патента: US20240014606A1. Автор: Shu-Chu KUNG. Владелец: Chiun Hui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Electrode for plasma etching

Номер патента: US6007672A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of integrating electrochemical devices into and onto fixtures

Номер патента: WO2010135559A1. Автор: Bernd J. Neudecker,Shawn W. Snyder,Joseph A. Keating,Paul C. Brantner,John T. Than. Владелец: Infinite Power Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-11-25.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-03-17.

Device for preventing the formation of an arc discharge

Номер патента: RU2749212C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Николай Юрьевич Бобовников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-06-07.

Plasma Etched Catalytic Laminate with Traces and Vias

Номер патента: US20190014666A1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Method used for formation of the electromagnetic radiation with the high intensity of the field and treatment of the materials with its help, for example, softening of the multiphase materials

Номер патента: RU2318028C2. Автор: Самюэль Уилль м КИНГМАН,Самюэль Уилльям КИНГМАН. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Ноттингем. Дата публикации: 2008-02-27.

Image processing apparatus and image capture apparatus using a plurality of integrated circuits for image processing

Номер патента: US9729786B2. Автор: Tokuro Nishida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Image processing apparatus and image capture apparatus using a plurality of integrated circuits for image processing

Номер патента: US09729786B2. Автор: Tokuro Nishida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Integrated circuitry, memory circuitry, method used in forming integrated circuitry, and method used in forming memory circuitry

Номер патента: US12052857B2. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuitry

Номер патента: US09966923B2. Автор: Ian Juso Dedic,Saul Darzy. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated Circuitry, Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240257875A1. Автор: Richard T. Housley,Harsh Narendrakumar Jain,Shruthi Kumara Vadivel,Zhen Feng Yow,Kah Sing Chooi,Tien Minh Quan Tran,Quinn L. Roberts,Wei Deng Leong,Nils Monserud. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US20170273187A1. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: WO2017160459A1. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US09820386B2. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

System and method for secure deconstruction sensor in a heterogeneous integration circuitry

Номер патента: US20240281537A1. Автор: James Anderson,Ahmad R. Ansari,Sagheer Ahmad,Brian C. Gaide,James D. Wesselkamper,Aman Gupta,Nader Sharifi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for secure deconstruction sensor in a heterogeneous integration circuitry

Номер патента: US12093394B2. Автор: James Anderson,Ahmad R. Ansari,Sagheer Ahmad,Brian C. Gaide,James D. Wesselkamper,Aman Gupta,Nader Sharifi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for assembly and use of integration applications

Номер патента: US09516143B2. Автор: Filip Nguyen,Filip Eliá{hacek over (s)}. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of integrating digital halftone images

Номер патента: RU2692575C1. Автор: Владимир Вацлавович Шипко. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-25.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

A device for and a method of integrating computerised client systems

Номер патента: WO2000023900A2. Автор: Torbjörn RYENG,Anders Haal. Владелец: Corus Technologies Ab. Дата публикации: 2000-04-27.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Frequency specific closed loop feedback control of integrated circuits

Номер патента: US09548725B2. Автор: James B. Burr,Kleanthes G. Koniaris. Владелец: INTELLECTUAL VENTURES HOLDING 81 LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Ultrasonic wave-driven triboelectric generator with self-gap formed using plasma etching

Номер патента: US20230135593A1. Автор: Sangwoo Kim,Young Jun Kim,Joon Ha Hwang,Young Wook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-05-04.

Packaging of integrated power modules

Номер патента: WO2024132216A1. Автор: Amit Singh,Fengtai Huang. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method of integrating remote services

Номер патента: RU2589385C2. Автор: ХИМЕНЕС Ксабьер УРИБЕ-ЭТКСЕБАРРИЯ. Владелец: ХИМЕНЕС Ксабьер УРИБЕ-ЭТКСЕБАРРИЯ. Дата публикации: 2016-07-10.

Algorithm of integrated remote contactless multichannel analysis of psychoemotional and physiological state of object based on audio and video content

Номер патента: RU2708807C2. Автор: Георгий Игоревич Плиев. Владелец: Георгий Игоревич Плиев. Дата публикации: 2019-12-11.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022015629A1. Автор: John Mark Meldrim,Jivaan Kishore Jhothiraman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrating circuitry for measuring current in a simo converter

Номер патента: WO2013090710A2. Автор: Michael GILLIOM. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Power supply switching for reducing power consumption of integrated circuits

Номер патента: WO2009104130A2. Автор: Victor Zieren,Marcel Pelgrom,Hendricus J. M. Veendrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-27.

Dynamic and selective management of integration points using performance metrics

Номер патента: US09674060B2. Автор: Kevin Yu,Leho Nigul,Scott M. Guminy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of integrating binocular stereo video scenes with maintaining time consistency

Номер патента: US09578312B2. Автор: FENG DING,Xiaowu Chen,Qinping Zhao,Dongqing Zou. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of integrating a server using alternating current power into a server system using direct current power and alternative junction device therefor

Номер патента: US09778712B2. Автор: Shih-Ming Chen,Wen-Che Tsai,Jin-Yuan Lai,Tsung-Wen Chang. Владелец: Lite On Electronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of estimating efficiency of integrated radioelectronic systems in conditions of unintentional interference and system for implementation thereof

Номер патента: RU2727343C1. Автор: Александр Владимирович Васильев,Вячеслав Алексеевич Михеев,Александр Григорьевич Тетеруков,Илья Викторович Куликов,Иван Николаевич Тупчиенко. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2020-07-21.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

System and method of integrity checking digitally displayed data

Номер патента: US09932126B2. Автор: Lewis William Catton. Владелец: GE Aviation Systems Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and user equipment for handling of integrity check failures of pdcp pdus

Номер патента: WO2018230974A1. Автор: ANIL Agiwal,MANGESH Abhimanyu Ingale,Rajavelsamy Rajadurai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

System and method of integrating wireless computer network into position finding technology

Номер патента: RU2358276C2. Автор: Кристофер ПАТРИК,Арнольд Дж. ГАМ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-06-10.

Apparatus and methods for improving handover characteristics of integrated radio access networks

Номер патента: RU2384020C2. Автор: Йоахим ЗАХС,Ян ХЕРВОНО. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2010-03-10.

Method for ensuring the operation of integrated access and backhaul (iab) nodes of new radio-communication (nr) in non-stand-alone (nsa) cells

Номер патента: RU2748921C1. Автор: Янне ПЕЙСА,Оумер ТЕЙЕБ,Гуннар МИЛЬД,Аджмал МУХАММАД. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-06-01.

Generating Multiple Sets of Integrity Information in a Vast Storage System

Номер патента: US20230376380A1. Автор: Gary W. Grube,Jason K. Resch,Timothy W. Markison,Sebastien Vas,Zachary J. Mark. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method, system and computer program product for introducing personalization data in nonvolatile memories of a plurality of integrated circuits

Номер патента: US11675001B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-13.

A device for and a method of integrating an arrangement of a number of computerised essentially arbitrary client systems

Номер патента: EP1131731A2. Автор: Anders H L,Torbjörn RYENG. Владелец: Corus Technologies Ab. Дата публикации: 2001-09-12.

Method of integrating qkd with ipsec

Номер патента: WO2006101685A2. Автор: Keun Lee,Harri Hakkarainen,Muhammad Raghib Hussain,Audrius Berzanskis. Владелец: Magiq Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-09-28.

Reporting of integrity-related information for positioning

Номер патента: WO2022022892A1. Автор: Oana-Elena Barbu,Diomidis Michalopoulos,Ping-Heng Kuo. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-02-03.

Hand tool for aiding closure of integrated circuit storage cartridges

Номер патента: US4785530A. Автор: Herbert Tomlinson. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-11-22.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Configuration setting device of integrated circuit and the configuration setting method thereof

Номер патента: US8294487B2. Автор: Chien-Chih Chen,Chi-Shun Weng,Meng-Han Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Dynamic and selective management of integration points using performance metrics

Номер патента: CA2791771A1. Автор: Kevin Yu,Leho Nigul,Scott M. Guminy. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 2014-04-05.

Method of integrity check, terminal, and network-side equipment

Номер патента: US20200092726A1. Автор: Xiaodong Yang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of integrity check, terminal, and network-side equipment

Номер патента: US11910195B2. Автор: Xiaodong Yang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Handling of integrity check failure in a wireless communication system

Номер патента: WO2009155582A9. Автор: Masato Kitazoe. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

Handling of integrity check failure in a wireless communication system

Номер патента: WO2009155582A3. Автор: Masato Kitazoe. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Power supply switching for reducing power consumption of integrated circuits

Номер патента: WO2009104130A3. Автор: Victor Zieren,Marcel Pelgrom,Hendricus J. M. Veendrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-15.

System and method of integrity checking digitally displayed data

Номер патента: GB2533630A. Автор: William Catton Lewis. Владелец: GE Aviation Systems Ltd. Дата публикации: 2016-06-29.

Technologies for dynamic loading of integrity protected modules into secure enclaves

Номер патента: WO2017172157A1. Автор: Bin Xing,Mark W. Shanahan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of integrating a server using alternating current power into a server system using direct current power and alternative junction device therefor

Номер патента: US20170212565A1. Автор: Shih-Ming Chen,Wen-Che Tsai,Jin-Yuan Lai,Tsung-Wen Chang. Владелец: Lite On Electronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and device for formation of sequence of preamble for adaptive antenna system in communication system with multiple access and orthogonal frequency division of channels

Номер патента: RU2328826C1. Автор: Ин-Сеок ХВАНГ,Дзае-Хо ДЗЕОН,Соон-Йоунг ЙООН,Сеунг-Дзоо МАЕНГ,Хоон ХУХ,Дзае-Хее ЧО,Дзанг-Хоон ЯНГ,Дзее-Хиун КИМ,Кванг-Хее РОХ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-07-10.

Electrode structure for formation of dielectric barrier plasma discharge

Номер патента: RU2737280C2. Автор: Леонхард ТРУТВИГ,Мирко ХАНЛЬ,Карл-Отто ШТОРК,Дирк ВАНДКЕ. Владелец: Сайноджи Гмбх. Дата публикации: 2020-11-26.

Device for formation of phasomapulated signal with smooth change of phase between elementary pulses

Номер патента: RU2631899C2. Автор: Иван Николаевич Маснев,Геннадий Симонович Нахмансон,Андрей Викторович Суслин,Георгий Константинович Егоров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2017-09-29.

Transmission of data with efficient formats of time interval and unit in system of wireless communication

Номер патента: RU2385535C2. Автор: Нильс Петер Сков АНДЕРСЕН,Лоренцо КАСАЧЧИЯ,Нильс Петер Сков АНДЕРСЕН (DK),Лоренцо КАСАЧЧИЯ (IT). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-03-27.

Method to associate samples for formats of multimedia files, which is fast and convenient for editing

Номер патента: RU2481627C2. Автор: Миска ХАННУКСЕЛА. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-05-10.

Connecting element of hollow hermetic product of integral structure and method of its manufacturing

Номер патента: RU2702564C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-10-08.

Silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US9290391B2. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of recycling silicon component for plasma etching apparatus and silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US20110076221A1. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Modulators of integrated stress signaling path

Номер патента: RU2769327C2. Автор: Чарльз В. ХАТЧИНС,Майкл Дж. ДАРТ,Дженнифер М. ФРОСТ,Сяндун СЮЙ,Лоренс А. БЛЭК,Лэй ШИ,Кармела СИДРАУСКИ,Марина ПЛЮШЧЕВ,Рамзи Фарат СВЕЙС,Цинвэй ЧЖАН,Юньсун ТУН,Сеунгвон ЧУНГ. Владелец: КАЛИКО ЛАЙФ САЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2022-03-30.

Formation of disperse-slurry of H-coal residue

Номер патента: US4575380A. Автор: Stephen R. Vasconcellos,Farrokh Yaghmaie. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1986-03-11.

Arrays of integrated analytical devices and methods for production

Номер патента: US09946017B2. Автор: Hou-Pu Chou,Mathieu Foquet,Ravi Saxena,Takashi Whitney Orimoto,Annette Grot,Michael Tzu Ru. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Arrays of integrated analytical devices and methods for production

Номер патента: US09658161B2. Автор: Hou-Pu Chou,Mathieu Foquet,Ravi Saxena,Takashi Whitney Orimoto,Annette Grot,Michael Tzu Ru. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Spherical zinc oxide particle consisting of integrated plate-like particles, method for producing the same, cosmetic, and thermal conductive filler

Номер патента: US09487409B2. Автор: Mitsuo Hashimoto,Atsuki Terabe,Satoru Sueda,Koichiro MAGARA. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

System of integrated zero-waste processing of solid domestic and industrial wastes

Номер патента: RU2648737C1. Автор: Виктор Нерсесович Сариев,Владимир Александрович Веретенников,Валерий Владимирович Трояченко. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "КОМПАНИЯ "ВАЛТРОН" (ООО "Компания "ВАЛТРОН"). Дата публикации: 2018-03-28.

Formation of a shaped fiber with simultaneous matrix application

Номер патента: CA2816642A1. Автор: Mark S. Wilenski,Michael P. Kozar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-12-14.

Formation of a shaped fiber with simultaneous matrix application

Номер патента: CA2816642C. Автор: Mark S. Wilenski,Michael P. Kozar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of integrated municipal sewage water treatment and sediment reworking in villages withunsewered areas

Номер патента: RU2614288C2. Автор: Николай Иванович Куликов,Людмила Николаевна Приходько,Елена Николаевна Куликова,Дмитрий Николаевич Куликов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РИТОВИКС". Дата публикации: 2017-03-24.

Plant for water treatment by means of integrated ballasted flocculation and decantation, and corresponding method

Номер патента: RU2769124C2. Автор: Абделькадер ГАИД,Эрве ПЕЙАР,Филип СОВИНЕ. Владелец: Веолия Уотер Сольюшнз Энд Текнолоджиз Сеппорт. Дата публикации: 2022-03-28.

Combined process of integrating stoping-backfilling and carbon storage

Номер патента: US20240360761A1. Автор: JIAN Li,Fei CHANG,Jun Guo,Xudong Shi,Jinwen BAI,Junbiao MA,Yanna HAN,Ruikai PAN,Gowei WU. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-31.

Process for the preparation of integral skin polyurethane steering wheels

Номер патента: CA1299320C. Автор: Robert Atis Markovs,Eric Robert Sattler. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: US5975912A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Arrays of integrated analytical devices and methods for production

Номер патента: US20180239087A1. Автор: Hou-Pu Chou,Mathieu Foquet,Ravi Saxena,Takashi Whitney Orimoto,Annette Grot,Michael Tzu Ru. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

HUMAN MODIFIED TNFα MOLECULE ABLE TO INDUCE FORMATION OF NEUTRALIZING ANTIBODY RAISED TO HUMAN TNFα, DNA ENCODING THEREOF, VECTOR (VARIANTS), METHOD FOR PREPARING, VACCINE AGAINST TNFα (VARIANTS), METHOD FOR TESTING FOR PRESENCE OF TNFα, METHOD FOR TESTING HUMAN BODY FLUID FOR PRESENCE OF TNFα, METHOD FOR DIAGNOSIS, METHOD FOR TREATMENT AND PROPHYLAXIS, MEDICINE FOR TREATMENT

Номер патента: RU2241715C2. Автор: Мартин Роланд ЙЕНСЕН,Сёрен МОУРИТСЕН,Хенрик ЭЛСНЕР,Ибен ДАЛУМ. Владелец: Фармекса А/С. Дата публикации: 2004-12-10.

Apparatus for low-temperature dephlegmation with rectification of integrated production of non-waste field gas treatment (versions)

Номер патента: RU2725989C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-07-08.

Method of integrated extracting precious metals from tails

Номер патента: RU2633807C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПЕТРО-ХЭХУА". Дата публикации: 2017-10-18.

Compound inhibiting formation of c-myc/max/dna complex

Номер патента: RU2727177C1. Автор: Кюнк Чхэ ЧОН,Хван Чон ЛИМ,Сон Чон ПАК,Хо Кюнк СО,Кюнк Ок АН,Са Чин ЛИ,Ын Сук ЛИ. Владелец: Корея Рисерч Инститьют Оф Кемикал Текнолоджи. Дата публикации: 2020-07-21.

Multifunctional product able to remove hydrogen sulphide impurities and inhibit a formation of hydrates

Номер патента: RU2689754C1. Автор: Джозеф П. БЕЙЛИ,Лилиан ПАДУЛА. Владелец: ЭКОЛАБ ЮЭсЭй ИНК.. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of inhibiting formation of hydrates in hydrocarbon-containing raw material

Номер патента: RU2601649C1. Автор: Андрей Александрович Новиков,Павел Александрович Гущин,Владимир Арнольдович Винокуров,Антон Павлович Семенов,Владимир Игоревич Медведев,Евгений Владимирович Иванов,Юлия Федоровна Гущина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2016-11-10.

Method of obtaining functionalised derivatives of hyaluronic acid and formation of their hydrogels

Номер патента: RU2523182C2. Автор: Гаэтано ДЖАММОНА,Фабио ПАЛУМБО,Джованна ПИТАРРЕЗИ. Владелец: Университа` Дельи Студи Ди Палермо. Дата публикации: 2014-07-20.

Protective composition from formation of pyrophoric deposits formed by compounds of hydrogen sulphide with iron

Номер патента: RU2737908C1. Автор: Николай Александрович Таратанов,Светлана Александровна Сырбу,Александр Григорьевич Азовцев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Ивановская Пожарно-Спасательная Академия Государственной Противопожарной Службы Министерства Российской Федерации По Делам Гражданской Обороны, Чрезвычайным Ситуациям И Ликвидации Последствий Стихийных Бедствий" (Ф. Дата публикации: 2020-12-04.

Method and device for fluid biological purification with formation of manure gas

Номер патента: RU2208596C2. Автор: НОРДЕНСКЙЁЛЬД Райнхарт ФОН. Владелец: НОРДЕНСКЙЁЛЬД Райнхарт ФОН. Дата публикации: 2003-07-20.

Device for electrochemical formation of ceramic-like coatings on the surfaces of products made of valve metals

Номер патента: RU2746191C1. Автор: Пинарготе Нестор Вашингтон Солис,Павел Юрьевич Перетягин,Андрей Валериевич Эпельфельд,Валерий Борисович Людин,Игорь Вячеславович Суминов,Анатолий Михайлович Борисов,Борис Львович Крит,Евгений Иосифович Гершман,Игорь Валентинович Дмитриев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2021-04-08.

Method for obtaining solution functional ink for the formation of films based on silver

Номер патента: RU2765126C1. Автор: Иван Александрович Волков,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Иван Сергеевич Власов,Татьяна Леонидовна Симоненко,Филипп Юрьевич Горобцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2022-01-25.

Method of layer-by-layer formation of moulds and rods by means of liquid binder-containing binder and binder containing liquid glass

Номер патента: RU2706616C2. Автор: Хайнц ДЕТЕРС,Хеннинг ЦУПАН. Владелец: Аск Кемикалз Гмбх. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for formation of high-precision electroerosion wire thickness size

Номер патента: RU2694183C1. Автор: Усман Хасьянов,Динара Усмановна Хасьянова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН). Дата публикации: 2019-07-09.

Method of cell co-cultivation for formation of an in vitro model of the hematoencephalic barrier

Номер патента: RU2724956C1. Автор: Дмитрий Андреевич Сахаров,Юлия Михайловна Аверина,Анастасия Александровна Хуторненко,Валентина Сергеевна Шумова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2020-06-29.

Controlling formation of disulphide bonds in protein solutions by adding reducing agents

Номер патента: RU2721592C2. Автор: Кристофер Хванг,Константин Константинов,Веена ВАРИКОО,Рао КОДУРИ,Кевин П. БРАУЭР,Марчелла Юй,Цзинь Инь. Владелец: Джензим Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-20.

Method for plasma-electrochemical formation of nanostructured chromium coating and device for implementing the method

Номер патента: RU2771409C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Ленар Наилевич Кашапов,Сергей Александрович Дрожжин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет» (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-05-04.

Composition and method of improving formation of crystal agglomerates from mother solution

Номер патента: RU2556217C2. Автор: Дмитрий Л. Кузнецов,Джон Д. КИЛДИ,Цзяньцзюнь ЛЮ,Ким Ричард КОУЛМАН,Райан Трэвис ЧЕСТЕР. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2015-07-10.

Medication, intended for treatment and/or prevention of autoimmune disease and for formation of regulatory n-cells

Номер патента: RU2531936C2. Автор: ПАУЛЬЗЕН Даниела,БРУННЕР Нина,БРЕЙ Дороти. Владелец: Аикурис Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2014-10-27.

Method and installation for the formation of synthesis gas

Номер патента: RU2760013C2. Автор: Марк ВАГНЕР,Хольгер ШЛИХТИНГ,Фредерик БОННЕ,Люси ШОБЕ,Камий БУЭ. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2021-11-22.

Device for electrochemical formation of ceramic-like coatings on the surfaces of products made of valve metals

Номер патента: RU2746505C1. Автор: Пинарготе Нестор Вашингтон Солис,Павел Юрьевич Перетягин,Андрей Валериевич Эпельфельд,Валерий Борисович Людин,Игорь Вячеславович Суминов,Анатолий Михайлович Борисов,Борис Львович Крит,Екатерина Викторовна Кузнецова,Игорь Олегович Кондрацкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2021-04-14.

Composition for inhibiting formation of deposits of calcium salts

Номер патента: RU2508426C2. Автор: Шелдон Филлип ВЕРРЕТТ. Владелец: Деквест Аг. Дата публикации: 2014-02-27.

Method and device for obtaining energy products by catalytic cracking of solid hydrocarbon material without the formation of coke

Номер патента: RU2758375C2. Автор: Пьер ДЮМОН. Владелец: Д.М.С. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for formation of polyhedral oligomer silsesquioxanes

Номер патента: RU2293745C2. Автор: Фрэнк Дж. ФЕХЕР,Джозеф Дж. ШВАБ,Джозеф Д. ЛИХТЕНХАН,Вилль м РЕЙНЕРТ,Вилльям РЕЙНЕРТ,Майкл Дж. КАРР,Йи-Зонг АН,Рейчел ТЕРРОБА,Квибо ЛИУ. Владелец: Хайбрид Плэстикс. Дата публикации: 2007-02-20.

Method and device for bringing into contact without formation of mixture and at high temperature of two immiscible fluids with heating and mixing by induction

Номер патента: RU2600999C2. Автор: Флоран ГАНДИ,Жан-Пьер ФЕРО,Сюань-Тюйен ВЮ. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2016-10-27.

Composition for inhibiting formation of gas hydrates

Номер патента: RU2723801C1. Автор: Галина Александровна Корнеева,Юрий Геннадьевич Носков,Дмитрий Вячеславович Марочкин,Федор Владимирович Рыжков,Татьяна Евгеньевна Крон,Сергей Николаевич Руш,Ольга Георгиевна Карчевская,Павел Михайлович Болотов. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2020-06-17.

N,N'-DIETHYL-N,N'-DI(2-BROMO-4-R-PHENYL)DIAMIDES OF 2,2'-BIPYRIDYL-6,6′-DICARBOXYLIC ACID AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION, CYCLIZATION OF PRODUCED AMIDES WITH FORMATION OF 6,6'-DIETHYL-9,9'-DIR-DIBENZO[f]-1,7-NAPHTHYRIDIN-5,5'(6H,6'H)-DIONES

Номер патента: RU2647578C1. Автор: Алексей Владимирович Иванов,Марина Дмитриевна Решетова,Наталия Евгеньевна Борисова,Анастасия Витальевна Харчева,Светлана Викторовна Пацаева,Кристина Евгеньевна Картавова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-03-16.

Method for preventing the formation of acidic effluents from mining dumps

Номер патента: RU2769496C1. Автор: Николай Георгиевич Максимович,Вадим Тарасович Хмурчик,Артем Дмитриевич Деменев,Алексей Михайлович Сединин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2022-04-01.

Device for formation of tunnels

Номер патента: RU2475650C2. Автор: Мэтью ЛУМБ. Владелец: МОРГАН Джеймс Эдвард. Дата публикации: 2013-02-20.

Method for adjustment of integral-optical interferometer of max-zender

Номер патента: RU2754205C1. Автор: Александр Викторович Тронев,Михаил Владимирович Парфенов,Игорь Владимирович Ильичев,Петр Михайлович Агрузов,Александр Валерьевич Шамрай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-08-30.

Method of correction of estrogen deficiency conditions in patients with premenopausal period with diagnosis of hr-positive breast cancer during formation of sustainable neurotic and somatic symptoms in form of acute stress and manifestations of postovariectomy syndrome

Номер патента: RU2675773C1. Автор: Олег Иванович Кит,Елена Михайловна Франциянц,Анна Петровна Меньшенина,Наталья Николаевна Попова,Алла Ивановна Шихлярова,Юлия Юрьевна Арапова,Татьяна Пантелеевна Протасова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-24.

Method for assessment of measurement results reliability by portable dose rate meter in the radioactive contaminated area during formation of the radioactive cloud trace

Номер патента: RU2604695C1. Автор: Дмитрий Андреевич Кожевников,Роман Николаевич Садовников,Василий Михайлович Федосеев,Сергей Олегович Румянцев,Дмитрий Иванович Лукоянов,Иван Юрьевич Кулагин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-12-10.

Method for differential organ preservation treatment of cervical pregnancy and pregnancy in uterine scar after caesarean section, depending on data of integrated ultrasound and levels of human chorionic gonadotropin (versions)

Номер патента: RU2640191C2. Автор: Лилияна Ефимовна Терегулова,Андрей Юрьевич Терегулов,Марина Рустемовна Хайрутдинова,Люция Дмухтасибовна Эгамбердиева. Владелец: Государственное автономное учреждение здравоохранения "Республиканская клиническая больница Министерства здравоохранения Республики Татарстан". Дата публикации: 2017-12-26.

Adaptive integrated circuitry with heterogeneous and reconfigurable matrices of diverse and adaptive computational units having fixed, application specific computational elements

Номер патента: US20090037691A1. Автор: Paul L. Master,Eugene Hogenauer,Walter James Scheuermann. Владелец: QuickSilver Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Apparatus, method, system and executable module for configuration and operation of adaptive integrated circuitry having fixed, application specific computational elements

Номер патента: US20030105949A1. Автор: Stephen Smith,John Watson,Paul Master. Владелец: QuickSilver Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Method and apparatus for micromachining using a magnetic field and plasma etching

Номер патента: US20030040178A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Method and system of cast direct casting by layer-by-layer formation of composite monolithic casting molds

Номер патента: RU2698166C2. Автор: Георги Димитров ТОДОРОВ,Тсветозар Тихомиров ИВАНОВ. Владелец: "Принт Каст" Лтд. Дата публикации: 2019-08-22.

Method, Apparatus And Computer Program Product For Controlling Jitter Or The Effects Of Jitter In Integrated Circuitry

Номер патента: US20080250367A1. Автор: Faraydon Pakbaz,Stephen Dale Wyatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for control and recovery of integrity of multidimensional data arrays

Номер патента: RU2771208C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Арсений Вячеславович Брянцев,Олег Петрович Шеметов,Дмитрий Иосифович Тали,Павел Евгеньевич Алиманов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-28.

Fixator of sutures-holders for formation of vascular anastomosis without participation of assistant

Номер патента: RU2708201C1. Автор: Махмуд Вилевич Тимербулатов,Руслан Кабирович Ибрагимов,Руслан Игоревич Махортов,Денис Вячеславович Юлдашев,Тимур Мансафович Мурасов,Денис Радикович Ибрагимов,Родион Альбертович Нурмухаметов,Руслан Фаритович Тимербулатов. Владелец: Руслан Кабирович Ибрагимов. Дата публикации: 2019-12-04.

Device to be used during formation of packed tobacco product

Номер патента: RU2557516C2. Автор: Дуайт Д. УИЛЛЬЯМС,Стивен Р. РАЙНХАРТ,Марк Д. Белкастро. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2015-07-20.

Device and method for real-time monitoring of integrity of satellite navigation system

Номер патента: RU2501039C2. Автор: Жан-Кристоф ЛЕВИ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2013-12-10.

Device for fabricating a mask by plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: US20060148274A1. Автор: Michel Puech,Martial Chabloz. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of integration of systems and/or means of providing navigation and monitoring information and hardware and software complex - center for competencies

Номер патента: RU2654237C1. Автор: Алексей Владимирович Гришин,Владимир Федорович Кошманов,Геннадий Алексеевич Ревяков,Лариса Викторовна Логутова. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-05-17.

Method for improving characteristics of integrated optical circuit (options)

Номер патента: RU2764486C1. Автор: Ульяна Олеговна Салгаева. Владелец: Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная компания" (ПАО "ПНППК"). Дата публикации: 2022-01-17.

Method of testing integrated circuitry at system and module level

Номер патента: US20030110456A1. Автор: Nicholas Pavey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Automated navigation system with integration of integrity of navigation data of satellite radionavigation systems on information of the platform-free inertial navigation system

Номер патента: RU2642151C2. Автор: Александр Васильевич Иванов,Александр Владимирович Наркевич,Дмитрий Валерьевич Бойков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт Военно-воздушных сил" Министерства обороны Российской Федерации ФГБУ "ЦНИИ ВВС" Министерства обороны РФ. Дата публикации: 2018-01-24.

Method for control of integrity of rail lines from rolling staff

Номер патента: RU2754374C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик,Леонид Викторович Мухин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет транспорта" (ФГАОУ ВО РУТ (МИИТ), РУТ (МИИТ). Дата публикации: 2021-09-01.

Creation of integrated warning in processing installations

Номер патента: RU2357278C2. Автор: Эврен ЭРЮРЕК,Стюарт А. ХАРРИС,Крэйг Томас ЛЛЕВЕЛЛИН,Лестер Дэвид МАРШАЛЛ,Джон Д. ВЕСТБРОК,Скотт Н. ХОУКНЕСС,Стюарт А. ХАРРИС (US),Эврен ЭРЮРЕК (US),Крэйг Томас ЛЛЕВЕЛЛИН (US),Лестер Дэвид МАРШАЛЛ (US),Джон Д. ВЕСТБРОК (US),Скотт Н. ХОУКНЕСС (US). Владелец: ФИШЕР-РОУЗМАУНТ СИСТЕМЗ, ИНК.. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of integrated management of operation of an unmanned aircraft with the use of information technologies

Номер патента: RU2657093C1. Автор: Александр Иванович Ильин,Николай Владимирович Бакланов,Антон Александрович Козлов. Владелец: Александр Иванович Ильин. Дата публикации: 2018-06-08.

Method for measuring the upper limit of integral and dynamic characteristics of high-energy brake or gamma radiations of powerful pulse sources

Номер патента: RU2758419C1. Автор: Сергей Анатольевич Лазарев,Анатолий Васильевич Грунин,Николай Константинович Миронов,Евгений Николаевич Крылевский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-10-28.

Method for creating model for comprehensive study of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2754630C1. Автор: Сергей Михайлович Кутепов,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-09-06.

Introduced in the formation of foundry core blocks

Номер патента: CA1337317C. Автор: Agustin Arana Erana. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-17.

Wireless devices including printed integrated circuitry and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: CA2702399C. Автор: Richard Young,Vivek Subramanian,Patrick Smith,Criswell Choi,James Montague Cleeves,Vikram Pavate,Vince Biviano. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2019-01-08.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for preserving organs and tissues as part of integral organism in liquid at temperatures below 0°c under pressure in inert gas

Номер патента: RU2748496C1. Автор: Евгений Юрьевич Бонитенко,Антон Александрович Тоньшин,Артур Феликсович Макаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-05-26.

Modular socket of integrated circuit

Номер патента: US20040046583A1. Автор: Wei-Fang Fan,Wann-Chyuan Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: US20240006036A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2024-01-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A9. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4248448A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-09-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: CA3199135A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: WO2022106658A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4002375A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-25.

Method of integrated control of rail joint weld quality

Номер патента: RU2698510C1. Автор: Валерий Сергеевич Фадеев,Николай Михайлович Паладин,Евгений Николаевич Емельянов,Николай Александрович Семашко,Анастасия Николаевна Атапина,Дмитрий Евгеньевич Егоров,Татьяна Евгеньевна Флянтикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Информационные технологии" (ООО "ИнфоТех"). Дата публикации: 2019-08-28.

Method for preventing and treating diabetes mellitus by blue light spectrum as part of integrated therapy

Номер патента: RU2463089C1. Автор: Владимир Иванович Грачев,Александр Владимирович Грачёв. Владелец: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-производственная компания "АВЕРС". Дата публикации: 2012-10-10.

Method of control of correction of integrated sensor units

Номер патента: RU2672311C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Николай Алексеевич Туктарев,Сабина Курбановна Ахмедова. Владелец: Акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (АО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2018-11-13.

System of integrated conceptual design of hydrocarbon fields

Номер патента: RU2670801C1. Автор: Ринат Рафаэлевич Исмагилов,Роман Алексеевич Панов,Артем Федорович Можчиль,Нафиса Зуфаровна Гильмутдинова,Дмитрий Евгеньевич Дмитриев,Данила Евгеньевич Кондаков. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть". Дата публикации: 2018-10-25.

Electronic timepiece utilizing semiconductor-insulating substrate integrated circuitry

Номер патента: US4106278A. Автор: Hirofumi Yasuda. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1978-08-15.

Platform and method for intelligent management of integration of construction and maintenance of rail transportation work

Номер патента: US12012136B2. Автор: Gang Li,Yongli Hu,Zhiguo Li,Yongjun WANG,Linhai LU,Lianyong SUN,Bingbing HU,Jiahai LIU,Xuezeng LIU,Zhihai SUN. Владелец: Jinan Rail Transit Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Accelerated segmentation for reverse engineering of integrated circuits

Номер патента: US20220028086A1. Автор: Ronald Wilson,Navid Asadi-Zanjani,Domenic J. Forte,Damon Woodard. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for GNSS-based location of a vehicle having a GNSS location device in view of integrity information provided in relation to GNSS correction data

Номер патента: US12072425B2. Автор: Markus Langer,Marco Limberger,Kosmas Knoedler,Thomas Speth. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-27.

Dynamic updates for the inspection of integrated circuits

Номер патента: WO2018140105A1. Автор: Jie Lin,Hua-yu Liu,Zhaoli Zhang,Zongchang Yu. Владелец: Xtal Inc.. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for manufacturing identification codes of integrated circuits

Номер патента: US20040002830A1. Автор: Chien-Tsai Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Method to assure integrity of integrated certified and non-certified sensors

Номер патента: EP3757518A1. Автор: Mark A. Ahlbrecht,Zdenek Kana,Milos SOTAK. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Method for non-destructive diagnostics of integrated circuits

Номер патента: RU2743708C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-02-24.

System of integrated conceptual design of hydrocarbon fields

Номер патента: RU2670801C9. Автор: Ринат Рафаэлевич Исмагилов,Роман Алексеевич Панов,Артем Федорович Можчиль,Нафиса Зуфаровна Гильмутдинова,Дмитрий Евгеньевич Дмитриев,Данила Евгеньевич Кондаков. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть". Дата публикации: 2018-11-26.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Automated verification of integrated circuits

Номер патента: WO2023028080A2. Автор: Calum Macrae,Richard Philpott. Владелец: Celera, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and methods for dynamic checksum generation and validation with customizable levels of integrity verification

Номер патента: WO2023086756A1. Автор: Joseph Bogacz. Владелец: Illuscio, Inc.. Дата публикации: 2023-05-19.

Testing of integrated optical mixers

Номер патента: US20200232878A1. Автор: Ran Ding,Ruizhi Shi,Yangjin Ma,Noam Ophir. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Systems and methods for dynamic checksum generation and validation with customizable levels of integrity verification

Номер патента: CA3237836A1. Автор: Joseph Bogacz. Владелец: Illuscio Inc. Дата публикации: 2023-05-19.

System, computing platform and method of integrating data from a plurality of data sources

Номер патента: EP4182809A1. Автор: Vaibhav VARSHNEY,David BUKOVEC,Saiganesh RAMANI,Jayesh Thakkar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-24.

Monolithically framed pellicle membrane suitable for lithography in the fabrication of integrated circuits

Номер патента: US20220075259A1. Автор: Guojing Zhang,John Magana. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Supervisory system of integral count

Номер патента: WO1998010375A1. Автор: Paulo Sérgio DE ASSIS BORGES DE CAMPOS. Владелец: Assis Borges De Campos Paulo S. Дата публикации: 1998-03-12.

System and apparatus for trusted and secure test ports of integrated circuit devices

Номер патента: US09810736B2. Автор: Rodrick Cottrell,Dee C. Neuenschwander. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method of integrating mobile medical data into a database centric analytical process, and clinical workflow

Номер патента: US09529968B2. Автор: Bruce William Adams. Владелец: CERNOVAL Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of integrated processing of magnesium-chrome crude ore

Номер патента: RU2344076C2. Автор: Гамлет Суренович Мурадов,Юрий Николаевич Лосев,Игорь Александрович Богданов,Владимир Федорович Плюхин. Владелец: Игорь Александрович Богданов. Дата публикации: 2009-01-20.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

On-board testing circuit and method for improving testing of integrated circuits

Номер патента: US20030126526A1. Автор: Robert Totorica,Charles Snodgrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Manufacturing method of integrated foam-molded product and integrated foam-molded product

Номер патента: US20150072107A1. Автор: Etsunori Fujita,Seiji Kawasaki,Shigeki Wagata,Yoshimi Enoki,Yumi Ogura. Владелец: Delta Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: SG142111A1. Автор: John G Rohrbaugh,Shad R Shepston,Jeffrey R Rearick. Владелец: Avago Technologies General Ip. Дата публикации: 2008-05-28.

Automated verification of integrated circuits

Номер патента: EP4392893A2. Автор: Calum Macrae,Richard Philpott. Владелец: Celera Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated measuring instrument, application of integrated measuring instrument for measuring of medium physical parametre and method of medium actual parametre measuring

Номер патента: RU2359236C2. Автор: Вольфганг ДРАМ,Альфред РИДЕР,Михаэль ФУКС,Ибхо ИТИН,Ганс-Йорг СПРИХ,Самюэль ВИСС. Владелец: Эндресс+Хаузер Флоутек Аг. Дата публикации: 2009-06-20.

Method of control of integrity of data in information computing systems

Номер патента: RU2628894C1. Автор: Евгений Борисович Дроботун. Владелец: Евгений Борисович Дроботун. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal synchronization control for adaptive integrated circuitry

Номер патента: US20050038984A1. Автор: Sharad Sambhwani,Ghobad Heidari-Bateni. Владелец: QuickSilver Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Automatic generation of integrated test procedures using system test procedures

Номер патента: US11960385B2. Автор: Can ONUR,Maxim Constantijn Vos,Pieter VAN GILS,Daniel Ramiro Rebollo,Barend-Jan van Bruchem. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-04-16.

Automatic generation of integrated test procedures using system test procedures

Номер патента: CA3144852A1. Автор: Can ONUR,Pieter VAN GILS,Daniel Ramiro Rebollo,Barend-Jan van Bruchem,Constantijn Et Al Vos Maxin. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-08-24.

Computer-aided design of integrated circuits

Номер патента: US20150154677A1. Автор: Soumya Banerjee,Todd Michael Bezenek,Clement Tse. Владелец: ARM Finance Overseas Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Automated management of scheduled executions of integration processes

Номер патента: US20230325232A1. Автор: Anil Enumulapally,Ryan Dare,Shailendra Burman,Joel Alonzo. Владелец: Boomi LP. Дата публикации: 2023-10-12.

System and Method for Generating a Worst Case Current Waveform for Testing of Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20090112550A1. Автор: Iwao Takiguchi,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,JONATHAN J. DeMENT,Brian K. Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods and systems for performing test and calibration of integrated sensors

Номер патента: US20180306610A1. Автор: John D. Parker,Franco Motika,Tobias Webel,Preetham M. Lobo,Gerard M. Salem,Mitesh Agrawal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of calculating and experimental estimation of radiation resistance of integrated circuits to the action of separate charged particles based on local laser irradiation

Номер патента: RU2661556C1. Автор: Александр Иннокентьевич Чумаков,Андрей Николаевич Егоров,Алексей Леонидович Васильев,Олег Борисович Маврицкий,Александр Александрович Печенкин,Дмитрий Владимирович Савченков,Александр Анатольевич Новиков,Андрей Викторович Яненко. Владелец: акционерное общество "Экспериментальное научно-производственное объединение СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ" (АО "ЭНПО СПЭЛС"). Дата публикации: 2018-07-17.

Controller and method for control of integrated system for beverage ingredients dosaging and stirring/mixing

Номер патента: RU2498411C2. Автор: Роберто НЕВАРЕЗ,Уилльям Э. СМИТ,Ян КЛЕССОН. Владелец: Инодис Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-10.

Automated verification and checkout equipment of integrated information-control system of unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2657728C1. Автор: Алексей Леонидович Переверзев,Владимир Иванович Янин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-06-14.

Method of creating bilateral bone model for research of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2684356C1. Автор: Михаил Васильевич Гилев,Мария Юрьевна Измоденова,Ирина Петровна Антропова,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-08.

Method for obtaining of integrated preparation for optimisation of cows reproductive function in case of metabolic disorder

Номер патента: RU2635468C1. Автор: Владимир Владимирович Сиренко,Диана Петровна Винокурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2017-11-13.

Method for production of integrated antigen for differential diagnosis of animals vaccinated or infected with brucellosis

Номер патента: RU2627467C1. Автор: Петрос Карапетович Аракелян,Сергей Константинович Димов,Валерий Михайлович Чекишев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "ВетБиоТест". Дата публикации: 2017-08-08.

Method of integrated control of electrical systems using an electrical network computer

Номер патента: RU2711355C1. Автор: Валентин Львович Ким. Владелец: Валентин Львович Ким. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of integration of railway wheel by automatic means of radio frequency identification

Номер патента: RU2606410C2. Автор: Сергей Григорьевич Иванов,Владимир Викторович Тимкин,Александр Олегович Ладыченко. Владелец: Александр Олегович Ладыченко. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of integrated treatment of primary chronic recurrent osteomyelitis in children with background somatic status

Номер патента: RU2699742C1. Автор: Андрей Игоревич Снетков,Александр Алексеевич Очкуренко,Альбина Валерьевна Симонова,Александра Дмитриевна Акиньшина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-09-09.

Unit of integrated cleaning of natural gas

Номер патента: RU2656771C1. Автор: Владимир Сергеевич Ежов,Алексей Сергеевич Францов,Галина Геннадьевна Щедрина,Тамара Рамдиевна Лорткипанидзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет "(ЮЗГУ). Дата публикации: 2018-06-06.

Method of integrated human health improvement

Номер патента: RU2651080C1. Автор: Ольга Ивановна Устинова,Владимир Андреевич Устинов. Владелец: Устинов Сергей Владимирович. Дата публикации: 2018-04-18.

Method and apparatus for programming embedded memories of a variety of integrated circuits using the IEEE test access port

Номер патента: US5596734A. Автор: Lawrence C. Ferra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Apparatus for inspecting the operation of integrated circuit device

Номер патента: US4816751A. Автор: Nakane Seiichi,Nakamura Sigeru,Ikari Keniichi. Владелец: Dakku KK. Дата публикации: 1989-03-28.

System and method of integrated biopsy and treatment

Номер патента: RU2558521C2. Автор: Йохен КРЮКЕР,Шэн СЮЙ,Брэдфорд Джонс ВУД. Владелец: Дзе Юнайтед Стейтс Оф Эмерика, Эз Репрезентед Бай Дзе Секретэри, Дипартмент Оф Хелт Энд Хьюман Сервисиз. Дата публикации: 2015-08-10.

Software tool configured to generate test cases characterized by a linear range of integral values

Номер патента: US7730461B2. Автор: John T. Chamberlain,Joann Jordan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Interface integration method of integrating agv job scheduling system and wms based on data telegram communication

Номер патента: CA3228764A1. Автор: Sheng Zhang,PENG Zhao,Bin Xu,Haoyuan QU. Владелец: MACHINERY TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Automated window-shading system and method adaptable to varying levels of integration with other systems

Номер патента: US11913281B1. Автор: Pradeep Pranjivan Popat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of integrating an electronic device into an eyeglass frame, and electronic glasses

Номер патента: EP3924774A1. Автор: Tim Ruytjens,Jelle DE SMET,Philip Ekkels,Phil MADDEN,Wouter WOESTENBERGHS. Владелец: Morrow NV. Дата публикации: 2021-12-22.

Process of strengthening 3d printed sand core for the casting of integral multi-way valve and sand core of integral hydraulic multi-way valve

Номер патента: US20220088672A1. Автор: Bing He,Fuxiang Bo,Shuaitong Wang. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

A method of generating layout of integrated circuit (ic) design

Номер патента: WO2021261986A1. Автор: Rohaya Binti ABDUL WAHAB,Nabihah Binti RAZALI,Nazaliza Binti OTHMAN,Nurafizah Binti SAIDIN,Sharifah Binti SALEH. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2021-12-30.

Hierarchical design of integrated circuits with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140359547A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of integrating navigational data to determine the position of a vehicle

Номер патента: EP4343283A1. Автор: Vladislav Igorevich KIBALOV,Anatolii Evgenevich KABAKOV,Oleg Sergeevich SHIPITKO. Владелец: Obshchestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiu "evokargo". Дата публикации: 2024-03-27.

Optimal simultaneous design and floorplanning of integrated circuit

Номер патента: WO2002086772A3. Автор: Andre Hentz,Mar Hershenson,Arash Hassibi. Владелец: Barcelona Design Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Method and apparatus for the realization of integral elastic supports for the human body

Номер патента: WO2009050574A3. Автор: Stefano Segato. Владелец: Stefano Segato. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and apparatus for the realization of integral elastic supports for the human body

Номер патента: WO2009050574A2. Автор: Stefano Segato. Владелец: Selle Royal S.p.A.. Дата публикации: 2009-04-23.

Electronic circuit to verify the state of integrity of a diode

Номер патента: WO2023209620A1. Автор: Pasquale Forte,Paolo Lisanti,Francesco BERTINO. Владелец: Eldor Corporation S.P.A.. Дата публикации: 2023-11-02.

Experimental study method of integration of physical simulation and deposition numerical simulation based on source-sink system

Номер патента: NL2034192A. Автор: Jiang Zaixing,Xue Xinyu,Wei Siyuan,Hu Guangming,Liu Zhongbao. Владелец: Univ China Geosciences Beijing. Дата публикации: 2024-07-12.

Method, system and computer program product for generating and verifying isolation logic modules in design of integrated circuits

Номер патента: US7349835B2. Автор: Bhanu Kapoor,Debabrata BAGCHI,Sanjay Churiwala. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2008-03-25.

Method for the measuring of integrated deformations along a direction of a structure by means of an optical fiber sensor, and a system for the implementation of said method

Номер патента: WO2024069619A1. Автор: Maurizio Mirabile. Владелец: Optosensing S.R.L.. Дата публикации: 2024-04-04.

Номер патента: RU2661489C1. Автор: Михаил Васильевич Чертенков,Дмитрий Александрович Метт,Светлана Сергеевна Суходанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг" (ООО "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг"). Дата публикации: 2018-07-17.

Method of integrative assessment of adaptation potential and rehabilitation forecasts in patients with consequences of spinal injury

Номер патента: RU2655529C1. Автор: Алла Георгиевна Полякова,Иван Николаевич Морозов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-05-28.

Method for automatic maintenance of gas consumption of integrated gas treatment plants in the arctic regions

Номер патента: RU2760834C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Александр Александрович Турбин,Владислав Леонидович Пономарев,Алексей Леонидович Агеев,Олег Борисович Арно. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2021-11-30.

Bypass connection of cranes on main gas pipelines, used to prevent catastrophic development of emergency situation in case of integrity failure of main gas line to provide crane with pulse gas in emergency situations and for its use as pulsed gas accumulator

Номер патента: RU2714466C2. Автор: Михаил Анатольевич Давыдов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Казань". Дата публикации: 2020-02-17.

Platform and method for intelligent management of integration of construction and maintenance of rail transportation work

Номер патента: US20220332356A1. Автор: Gang Li,Yongli Hu,Zhiguo Li,Yongjun WANG,Linhai LU,Lianyong SUN,Bingbing HU,Jiahai LIU,Xuezeng LIU,Zhihai SUN. Владелец: Jinan Rail Transit Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Номер патента: RU2712064C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Ручкин,Валентин Александрович Козлов,Павел Игоревич Назарьев,Олег Александрович Рымарь,Алексей Анатольевич Ниткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр хирургии имени А.В. Вишневского" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-01-24.

Device for uniform charging of integral ceramic or metallic bodies of carriers, for catalyzers, in particular, with definite number of substances from dispersions or solutions and method of uniform charging of integral ceramic or metallic bodies of carriers, for catalyzers, in particular

Номер патента: RU2047396C1. Автор: Баумгартнер Винфрид,Шойбле Бернхард. Владелец: Дегусса Аг. Дата публикации: 1995-11-10.

Method of integrating leg elastic elements in disposable absorbing clothing such as pants and clothing manufactured using this method

Номер патента: RU2560328C2. Автор: Брайан К. РОДЕС,Тодд В. УИЛКИС,Лэйси Л. ПУЛИ,Джозеф А. МЛИНЭР,Марлин Р. ДИНС,Расселл И. ТОРСОН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of creating functional elements of integrated optical schemes

Номер патента: RU2629891C1. Автор: Анатолий Борисович Волынцев,Ульяна Олеговна Салгаева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Пермские нанотехнологии". Дата публикации: 2017-09-04.

Method of integrally molding member to be molded onto portion of rigid member

Номер патента: CA1299333C. Автор: Yoichi Inoue,Takao Umezawa,Yasuyoshi Nakajima,Takashi Momiyama. Владелец: Mitsuba Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

Verification of integrated circuits against malicious circuit insertions and modifications using non-destructive x-ray microscopy

Номер патента: US20110002528A1. Автор: Michael A. Bajura,John N. Damoulakis,Younes Boulghassoul,Michael P.K. Feser,Andrei V. Tkachuk. Владелец: Xradia Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Testing software module responsiveness to string input tokens having lengths which span a range of integral values

Номер патента: US7124402B2. Автор: John Thomas Chamberlain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

System, computing platform and method of integrating data from a plurality of data sources

Номер патента: WO2022069066A1. Автор: Vaibhav VARSHNEY,David BUKOVEC,Saiganesh RAMANI,Jayesh Thakkar. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2022-04-07.

Apparatus for monitoring operating parameters of integrated circuits and integrated circuit with operating parameter monitoring

Номер патента: US20130222006A1. Автор: Dominik Weiß. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-08-29.

System and method for automatic extraction of integrated circuit component data

Номер патента: CA3148567A1. Автор: Michael Green,Alexei Ioudovski,Christopher Pawlowicz. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2023-08-10.