Semiconductor memory device having high electrical performance and mask and photolithography friendliness

13-02-2007 дата публикации

Номер:

US7176512B2

Автор: Doo-Hoon Goo, Gi-sung Yeo, Jung-Hyeon Lee, Woo-Sung Han

Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L27 H01L27/H01L27/0 H01L27/02 H01L27/020 H01L27/0207 H01L27/04 H1 H10 H10B H10B1 H10B12 H10B12/H10B12/0 H10B12/03 H10B12/033 H10B12/0335 H10B12/3 H10B12/31 H10B12/315 H10B12/4 H10B12/48 H10B12/482 H10B12/485 H10B12/488

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L27 H01L27/H01L27/0 H01L27/02 H01L27/020 H01L27/0207 H01L27/1 H01L27/11 H01L27/118 H01L27/1180 H01L27/11807 H01L28 H01L28/H01L28/4 H01L28/40

Получить PDF