DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

　《第１の実施形態》
　この第１の実施形態では、本開示の技術に係る表示装置およびその製造方法の一例として、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を説明する。

　〈有機ＥＬ表示装置の構成〉
　第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１について、図１～図７を参照しながら説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、図１の有機ＥＬ表示装置１の表示領域２におけるIIで囲んだ部分の平面図である。図３は、有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層８の一部の等価回路図である。図４は、図２の有機ＥＬ表示装置１の表示領域２におけるIV－IV線における断面図である。図５は、有機ＥＬ表示装置１を構成する有機ＥＬ層３０の構成を示す断面図である。図６は、図１の有機ＥＬ表示装置１のVI－VI線における端子部４を含む額縁領域３の断面図である。図７は、図１の有機ＥＬ表示装置１のVII－VII線における端子部４の要部を示す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域２と、表示領域２の周囲に設けられた矩形枠状の額縁領域３とを備えている。そして、額縁領域３の１辺を構成する部分には、外部回路と接続するための端子部４が設けられている。この端子部４には、図示しないが、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の一端部が接続される。ＦＰＣは、有機ＥＬ表示装置１に実装される実装部品の一例である。

　さらに、額縁領域３において、端子部４が設けられた辺と隣り合う辺（図１で左右両側の２辺）を構成する部分には、ゲートドライバ回路ＧＤＭが基板（後述する樹脂基板層７）上にモノリシックに設けられている。また、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間には、複数の額縁配線１５ｆが設けられている。個々の額縁配線１５ｆは、端子部４にてＦＰＣと接続される配線端子１５ｔを構成している。端子部４には、これら複数の配線端子１５ｔが所定のパターンで配列されている。

　有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用している。表示領域２には、図２に示す画素５がマトリクス状に複数配置されている。各画素５は、例えば、赤色の階調表示を行うサブ画素６ｒ、緑色の階調表示を行うサブ画素６ｇおよび青色の階調表示を行うサブ画素６ｂからなる３色のサブ画素６を含んで構成されている。これら３色のサブ画素６ｒ，６ｇ，６ｂは、例えば並置方式で配列されてストライプ状に隣り合っている。

　有機ＥＬ表示装置１は、図４に示すように、ベース基板としての樹脂基板層７と、樹脂基板層７上に設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）層８と、ＴＦＴ層８上に設けられた発光素子としての複数の有機ＥＬ素子９と、これら複数の有機ＥＬ素子９を覆う封止膜１０とを備えている。

　樹脂基板層７は、樹脂製の基板の一例であり、例えばポリイミド樹脂などによって形成されており、可撓性を有している。

　ＴＦＴ層８は、樹脂基板層７上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２、複数の第２ＴＦＴ１３および複数のキャパシタ１４ならびに各種の表示用配線１５と、これら複数の第１ＴＦＴ１２、複数の第２ＴＦＴ１３、複数のキャパシタ１４および表示用配線１５を覆うように設けられた平坦化膜１６とを備えている。

　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどからなる無機絶縁膜の単層膜または積層膜により構成されている。第１ＴＦＴ１２、第２ＴＦＴ１３およびキャパシタ１４は、各サブ画素６に設けられている。

　表示用配線１５としては、図２および図３に示すように、ゲート信号を伝達する複数の複数のゲート配線１５ｇと、ソース信号を伝達する複数のソース配線１５ｓと、有機ＥＬ素子９に電流を供給するための複数の電源配線１５ｐとが設けられている。複数のゲート配線１５ｇは、互いに平行に延びている。複数のソース配線１５ｓは、ゲート配線１５ｇと交差する方向に互いに平行に延びている。複数の高圧電源配線１５ｐは、ソース配線１５ｓに沿って互いに平行に延びている。これらゲート配線１５ｇ、ソース配線１５ｓおよび高圧電源配線１５ｐは、互いに絶縁されており、全体として格子状に形成されて各サブ画素６を区画している。

　各ソース配線１５ｓおよび各電源配線１５ｐは、額縁配線１５ｆとして表示領域２から端子部４にまで引き出されている。各ゲート配線１５ｇは、ゲートドライバ回路ＧＤＭに接続されている。ゲートドライバ回路ＧＤＭは、額縁配線１５ｆと接続されており、その額縁配線１５ｆを介して駆動信号を受け取ることによりゲート配線１５ｇを順次駆動するようになっている。

　第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、アクティブ素子の一例であり、例えばトップゲート型の構造を採用している。具体的には、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１７と、半導体層１７を覆うゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８を介して半導体層１７の一部（チャネル領域）と重なるゲート電極１９と、ゲート電極１９を覆う層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜２０上に設けられたソース電極２１およびドレイン電極２２とを備えている。

　ゲート電極１９は、ゲート配線１５ｇと同一層に同一材料によって一体に形成されている。すなわち、ゲート配線１５ｇは、ゲート絶縁膜１８上に設けられている。層間絶縁膜２０は、樹脂基板層７上において平坦化膜１６よりも下層に設けられ、第１層間絶縁膜２３と第２層間絶縁膜２４との積層膜によって構成されている。これら第１層間絶縁膜２３および第２層間絶縁膜２４とゲート絶縁膜１８とは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁膜によってそれぞれ構成されている。

　ソース電極２１とドレイン電極２２とは、互いに離間しており、ゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２５を介して半導体層１７の異なる部分（ソース領域、ドレイン領域）にそれぞれ接続されている。これらソース電極２１およびドレイン電極２２は、表示領域２において、ソース配線１５ｓと同一層に同一材料によって一体に形成されている。また、電源配線１５ｐも、表示領域２において、ソース配線１５ｓと同一層に同一材料によって一体に形成されている。

　すなわち、ソース配線１５ｓおよび電源配線１５ｐは、表示領域２において、層間絶縁膜２０の上層に位置しており、平坦化膜１６によって覆われている。表示領域２におけるソース配線１５ｓ、電源配線１５ｐ、ソース電極２１およびドレイン電極２２は、図示しないが、額縁配線１５ｆを構成する後述の配線上層部１５Ｂと同じ積層構造（Ｔｉ層／Ａｌ層／Ｔｉ層）を有している。

　第１ＴＦＴ１２のゲート電極１９は、対応するサブ画素６を区画するゲート配線１５ｇに接続されている。第１ＴＦＴ１２のソース電極２１は、対応するサブ画素６を区画するソース配線１５ｓに接続されている。第１ＴＦＴ１２のドレイン電極２２は、第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９と接続されている。第２ＴＦＴ１３のソース電極２１は、対応するサブ画素６を区画する電源配線１５ｐに接続されている。

　キャパシタ１４は、対応するサブ画素６の第１ＴＦＴ１２および対応するサブ画素６を区画する電源配線１５ｐに接続されている。このキャパシタ１４は、ゲート絶縁膜１８上に設けられた下部導電層２６と、下部導電層２６を覆う第１層間絶縁膜２３と、第１層間絶縁膜２３を介して下部導電層２６に重なる上部導電層２７とを備えている。下部導電層２６は、ゲート電極１９と同一層に同一材料によって形成されている。上部導電層２７は、第２層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール２８を介して電源配線１５ｐに接続されている。

　平坦化膜１６は、表示領域２において、第２ＴＦＴ１３のドレイン電極２２の一部以外を覆うことにより、ＴＦＴ層８の表面を、ソース配線１５ｓ、電源配線１５ｐ、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１２の表面形状が反映されないように平坦化している。この平坦化膜１６は、例えば、アクリル樹脂などの無色透明な有機樹脂材料によって形成されている。

　有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６上において各サブ画素６に設けられている。この有機ＥＬ素子９は、トップエミッション型の構造を採用している。具体的には、有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６の表面に設けられた第１電極２９と、第１電極２９上に設けられた機能層としての有機ＥＬ層３０と、有機ＥＬ層３０を介して第１電極２９に重なる第２電極３１とを備えている。

　第１電極２９は、有機ＥＬ素子９毎に設けられてマトリクス状に配置されており、対応するサブ画素６における第２ＴＦＴ１３のドレイン電極２２に、平坦化膜１６に形成されたコンタクトホール３２を介して接続されている。この第１電極２９は、有機ＥＬ層３０に正孔（ホール）を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への正孔注入効率を向上させるために仕事関数の大きな材料で形成されていることが好ましい。

　第１電極２９の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などの金属材料が挙げられる。

　また、第１電極２９の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ_２）、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）などの合金であってもよい。

　また、第１電極２９の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物などであってもよい。また、第１電極２９は、上述した材料からなる層を複数積層して形成されていても構わない。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が挙げられる。

　隣り合うサブ画素６の第１電極２９同士は、エッジカバー３３によって区画されている。エッジカバー３３は、格子状に形成されており、各第１電極２９の周縁部を覆っている。エッジカバー３３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、シリコンオキシナイトライドなどの無機化合物、およびポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂などの有機樹脂材料が挙げられる。

　有機ＥＬ層３０は、有機ＥＬ素子９毎に設けられている。この有機ＥＬ層３０は、図５に示す正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８が第１電極２９上にこの順で積層された構造を有する。

　正孔注入層３４は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２９と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第１電極２９から有機ＥＬ層３０へ正孔が注入される効率を改善する機能を有している。正孔注入層３４の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。

　正孔輸送層３５は、第１電極２９から有機ＥＬ層３０への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。正孔輸送層３５の材料としては、例えば、ポルフェリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換アルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水酸化アモルファスシリコン、水酸化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。

　発光層３６は、第１電極２９および第２電極３１によって電圧が印加された際に、第１電極２９から注入された正孔と第２電極３１から注入された電子とを再結合させて発光する機能を有する。発光層３６は、個々のサブ画素６において、有機ＥＬ素子９の発光色（例えば赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成されている。

　発光層３６の材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。

　電子輸送層３７は、電子を発光層３６まで効率良く移動させる機能を有している。電子輸送層３７の材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。

　電子注入層３８は、陰極バッファ層とも呼ばれ、第２電極３１と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第２電極３１から有機ＥＬ層３０への電子注入効率を向上させる機能を有する。電子注入層３８の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ_２）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。

　第２電極３１は、複数の有機ＥＬ素子９に対して共通に（つまり複数のサブ画素６に共通して）設けられており、有機ＥＬ層３０を覆っている。この第２電極３１は、図示しないが、額縁配線１５ｆに接続され、その額縁配線１５ｆを通じて端子部４に設けられた配線端子１５ｔにて外部回路との導通がとられる。第２電極３１は、有機ＥＬ層３０に電子を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への電子の注入効率を向上させるために仕事関数の小さな材料で形成されていることが好ましい。

　第２電極３１の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などが挙げられる。

　また、第２電極３１の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合金、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ_２）の合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金などであってもよい。

　また、第２電極３１の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物であってもよい。また、第２電極３１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金などが挙げられる。

　封止膜１０は、有機ＥＬ素子９を水分や酸素などから保護する機能を有している。この封止膜１０は、図４および図６に示すように、第２電極３１を覆う第１無機層３９と、第１無機層３９上に設けられた有機層４０と、有機層４２を覆う第２無機層４１とを備えている。

　第１無機層３９および第２無機層４１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの無機材料によって形成されている。有機層４０は、例えば、アクリレート、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂材料によって形成されている。

　これら第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１は、表示領域２の全体に設けられていると共に、額縁領域３にも設けられている。第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１の各周端縁は、いずれも額縁領域３に位置付けられている。有機層４０の周端縁は、図６に示すように、額縁領域３において、第１無機層３９および第２無機層４１の周端縁よりも表示領域２側に位置付けられている。

　また、額縁領域３には、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、有機層４０となる有機樹脂材料の広がりを堰き止めるために、複数の堰止壁４２が表示領域２を囲む枠状に設けられている。

　これら各堰止壁４２は、第１壁層４３と第２壁層４４とが積層された構造を有しているか、または第２壁層４４のみによって構成されている。第１壁層４３は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されている。第２壁層４４は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成されている。図６に示す例では、最も外周の堰止壁４２は、第１壁層４３と第２壁層４４とが積層された構造を有している。その堰止壁４２と平坦化膜１６との間、つまり平坦化膜１６の外周には、平坦化膜１６と同一膜によって形成された層から層間絶縁膜２０を露出させるスリット１６ｓが形成されている。

　第１無機層３９および第２無機層４１は、全ての堰止壁４２を覆っている。これら第１無機層３９および第２無機層４１の周端縁部同士は、少なくとも最も外周の堰止壁４２を覆う部分およびその外側で互いに接合されている。すなわち、有機層４０は、第１無機層３９および第２無機層４１によって包み込まれており、第１無機層３９および第２無機層４１の間に封入されている。

　また、額縁領域３において、表示領域２におけるソース配線１５ｓと電気的に接続された複数の額縁配線１５ｆ、つまり各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆは、表示領域２から平坦化膜１６および堰止壁４２よりも下層を経由して端子部４にまで引き出されている。これら各額縁配線１５ｆは、スリット１６ｓと交差する方向に延び、当該スリット１６ｓを横切るように形成されている。

　これら各額縁配線１５ｆは、図６に示すように、層間絶縁膜２０の下層に設けられた配線下層部１５Ａと、層間絶縁膜２０の上層に設けられた配線上層部１５Ｂとを備えている。

　配線下層部１５Ａは、ゲート絶縁膜１８上にゲート電極１９と同一層に同一材料によって形成されており、額縁配線１５ｆのうち表示領域２から端子部４に延びる部分全体を構成している。すなわち、配線下層部１５Ａは、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間で、ゲート絶縁膜１８と層間絶縁膜２０との間を通して引き出されている。そのことで、額縁配線１５ｆは、その大部分に亘って層間絶縁膜２０により水分や酸素などから保護されている。

　他方、配線上層部１５Ｂは、ソース電極２１およびドレイン電極２２と同一層に同一材料によって形成されており、端子部４に位置している。配線上層部１５Ｂは、層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール４６を介して配線下層部１５Ａのうち端子部４に位置する引き出し端部に接続されている。そして、配線上層部１５Ｂは、周端面を含めその全体に亘って平坦化膜１６から露出しており、端子部４にて配線端子１５ｔを構成している。

　この配線端子１５ｔ（配線上層部１５Ｂ）は、図７に示すように、層間絶縁膜２０上に樹脂基板層７側から第１導電層４７、第２導電層４８および第３導電層４９が順に積層された積層構造を有している。第１導電層４７および第３導電層４９は、チタン（Ｔｉ）によってそれぞれ形成されている。第２導電層４８は、アルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。このような３層構造の配線端子１５ｔでは、第２導電層４８が第１導電層４７および第３導電層４９よりも狭い幅で細く形成されている。それによって、配線端子１５ｔは、周端面のうち第２導電層４８に対応する部分が配線端子１５ｔの内方に凹んだ凹部５０を有している。

　そして、配線端子１５ｔの凹部５０には、第２導電層４８の周端面を覆う樹脂カバー５１が設けられている。樹脂カバー５１は、隣り合う配線端子１５ｔ毎に分離されている。この樹脂カバー５１の厚さｔ１は、配線端子１５ｔ（ソース配線１５ｓ）の厚さｔ２よりも小さく、樹脂カバー５１の最表面は、配線端子１５ｔの側方に位置している。具体的に、この第１の実施形態では、樹脂カバー５１は、凹部５０内のみに形成されて、配線端子１５ｔの側方に臨む面を凹部５０内方に湾曲した形状で有している。

　そうした樹脂カバー５１は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、バリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂材料によって形成されている。第２導電層４８は、このような樹脂カバー５１により保護されている。そして、配線端子１５ｔは、平坦化膜１６などの他の層によって覆われることなく、開放的に設けられている。端子部４に実装されるＦＰＣは、表示用配線１５に対して配線端子１５ｔである配線上層部１５Ｂにて導通がとられる。

　上記構成の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素６において、ゲート配線１５ｇを介して第１ＴＦＴ１２にゲート信号が入力されることにより第１ＴＦＴ１２がオン状態となり、ソース配線１５ｓを介して第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９およびキャパシタ１４にソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧に応じた電流が電源配線１５ｐから有機ＥＬ素子９に供給されることにより、有機ＥＬ層３０の発光層３６が発光して、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置１では、第１ＴＦＴ１２がオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧がキャパシタ１４によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機ＥＬ層３０（発光層３６）の発光がサブ画素６毎に維持される。

　〈有機ＥＬ表示装置の製造方法〉
　有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図８～図１０を参照しながら説明する。図８は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフロー図である。図９は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法における樹脂カバー形成工程Ｓ１７で有機樹脂膜１００が形成された要部の様子を示す断面図である。図１０は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法における樹脂カバー形成工程Ｓ１７でアッシングしているときの要部の様子を示す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図８に示すように、ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１と、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２と、封止膜形成工程Ｓ０３と、実装工程Ｓ０４とを含む。

　ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１は、ベースコート膜形成工程Ｓ１１と、半導体層形成工程Ｓ１２と、ゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３と、ゲート電極形成工程Ｓ１４と、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５と、ソースドレイン電極形成工程Ｓ１６と、樹脂カバー形成工程Ｓ１７と、平坦化膜形成工程Ｓ１８とを含む。ここで、ベースコート膜形成工程Ｓ１１、ゲート絶縁膜Ｓ１３および層間絶縁膜形成工程Ｓ１５は、無機膜形成工程に相当する。また、ゲート電極形成工程Ｓ１１とソースドレイン電極形成工程Ｓ１６とは、各種の表示用配線１５（ゲート配線１５ｇ，ソース配線１５ｓ，電源配線１５ｐ）を形成する配線形成工程に相当する。

　まず、ベースコート膜形成工程Ｓ１１では、ガラス基板上に形成された樹脂基板層７の表面に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ベースコート膜１１を形成する。

　次に、半導体層形成工程Ｓ１２では、ベースコート膜１１が形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により半導体膜を成膜し、その半導体膜に対し、必要に応じて結晶化処理や低抵抗化処理を施した後に、フォトリソグラフィ処理（レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチングおよびレジスト剥離）を行って、当該半導体膜をパターニングすることにより、半導体層１７を形成する。

　次に、ゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３では、半導体層１７が形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ゲート絶縁膜１８を形成する。

　次に、ゲート電極形成工程Ｓ１４では、ゲート絶縁膜１８が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜に対しフォトリソグラフィ処理を行って、当該積層導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極１９を形成する。このとき、ゲート電極１９を形成する積層導電膜からは、ゲート配線１５ｇと、ソース配線１５ｓおよび電源配線１５ｐを構成する額縁配線１５ｆの配線下層部１５Ａを併せて形成する。

　次に、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５では、まず、ゲート電極１９などが形成された基板上に、例えばＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を成膜して、第１層間絶縁膜２３を形成する。続いて、第１層間絶縁膜２３上に、例えばＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を成膜して、第２層間絶縁膜２４を形成する。

　このようにして、第１層間絶縁膜２３および第２層間絶縁膜２４が積層された層間絶縁膜２０が形成される。そして、この層間絶縁膜２０に対しフォトリソグラフィ処理を行って、当該層間絶縁膜２０をパターニングすることにより、コンタクトホール２５を形成する。このとき、コンタクトホール２５はゲート絶縁膜１８にも形成する。

　次に、ソースドレイン電極形成工程Ｓ１６では、まず、層間絶縁膜２０が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、第１導電膜としてのチタン膜、第２導電膜としてのアルミニウム膜および第３導電膜としてのチタン膜を順に成膜して、積層導電膜を形成する。そして、この積層導電膜に対しフォトリソグラフィ処理を行って、当該積層導電膜をパターニングすることにより、下層のチタン膜から第１導電層４７を、上層のチタン膜から第３導電層４９をそれぞれ形成すると共に、アルミニウム膜から第２導電層４８を形成して、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する。

　このとき、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する積層導電膜からは、表示領域２のソース配線１５ｓおよび電源配線１５ｐと、端子部４で配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂを併せて形成する。ここでのフォトリソグラフィ処理におけるエッチングは、例えば、燐酸、酢酸および硝酸の混合液をエッチング液として用いたウェットエッチングである。このウェットエッチングにおいて、アルミニウム膜はチタン膜よりもエッチング液によってエッチングされ易いため、表示領域２におけるソース配線１５ｓ、電源配線１５ｐ、ソース電極２１、ドレイン電極２２および端子部４の配線上層部１５Ｂ（以下では「配線上層部１５Ｂなど」と称する）では、第２導電層４８（アルミニウム層）が第１導電層４７および第３導電層４９（共にチタン層）よりも細くなるサイドシフトが生じ、凹部５０が形成される。

　次に、樹脂カバー形成工程Ｓ１７では、まず、ソース電極２１およびドレイン電極２２が形成された基板上に、例えば真空蒸着法により、アクリレートなどの有機樹脂膜１００を１００ｎｍ～３００ｎｍ程度の厚さに成膜する。真空蒸着法による有機樹脂膜１００の成膜では、図９に示すように、有機樹脂膜１００の材料が配線上層部１５Ｂなどの凹部５０内に回り込んで、その凹部５０内にも有機樹脂膜１００が好適に形成される。これにより、有機樹脂膜１００に当該凹部５０内で空隙が生じるのを防ぐことができる。

　続いて、その有機樹脂膜１００を、例えばプラズマＰを利用してアッシングすることにより部分的に除去して、表示用配線１５の配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂの凹部５０に樹脂カバー５１を形成する。このアッシングでは、プラズマＰとして、例えば酸素プラズマが用いられる。ここで、有機樹脂膜１００は、図１０に示すように、アッシングの進行に伴い表面１０１側から次第に除去されて後退していき、最終的にはその大部分がプラズマＰによって除去される。しかし、平坦化膜１６の一部が配線上層部１５Ｂなどの凹部５０内に残存することで、樹脂カバー５１が隣り合う配線上層部１５Ｂ毎に分離して形成される。

　次に、平坦化膜形成工程Ｓ１８では、まず、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、アクリル樹脂などからなる感光性の有機樹脂膜を成膜する。そして、この有機樹脂膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該有機樹脂膜をパターニングすることにより、平坦化膜１６を形成する。このとき、平坦化膜１６を形成する有機樹脂膜からは、堰止壁４２を構成する第１壁層４３を併せて形成する。また、配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂは、平坦化膜１６から露出した状態とされる。

　このようにして、ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１では、樹脂基板層７上にＴＦＴ層８を形成する。

　次に行われる有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２は、第１電極形成工程Ｓ２１と、エッジカバー形成工程Ｓ２２と、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３と、第２電極形成工程Ｓ２４とを含む。

　第１電極形成工程Ｓ２１では、ＴＦＴ層８が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）およびＩＴＯ膜を順次成膜して積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜に対しフォトリソグラフィ処理を行って、当該積層導電膜をパターニングすることにより、複数の第１電極２９を形成する。

　次に、エッジカバー形成工程Ｓ２２では、複数の第１電極２９上に、例えば、感光性アクリル樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー３３を形成する。

　次に行う有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３では、エッジカバー３３が形成された基板上に、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）の成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８を順次成膜して、個々の第１電極２９上に有機ＥＬ層３０を形成する。

　次に行う第２電極形成工程Ｓ２４では、有機ＥＬ層３０が形成された基板上に、ＣＭＭ（Common Metal Mask）の成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）を成膜して、第２電極３１を形成する。

　このようにして、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２では、ＴＦＴ層８上に有機ＥＬ素子９を形成する。

　次に、封止膜形成工程Ｓ０３では、まず、有機ＥＬ素子９が形成された基板上に、成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第１無機層３９を形成する。

　続いて、第１無機層３９が形成された基板上に、例えばインクジェット法によりアクリレートなどの有機樹脂材料を成膜して、有機層４０を形成する。

　そして、有機層４０が形成された基板上に、成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第２無機層４１を形成する。

　このようにして、封止膜形成工程Ｓ０３では、第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１が積層された封止膜１０を形成する。

　しかる後、実装工程Ｓ０４では、封止膜１０が形成された基板の端子部４に、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）やＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）などの導電材を用いてＦＰＣを接続することにより、ＦＰＣを配線端子１５ｔとの導通をとって実装する。

　以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

　この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、表示用配線１５の配線端子１５ｔを、第１導電層４７、第２導電層４８および第３導電層４９が積層され、第２導電層４８に対応する部分が当該配線１５の内方に凹んだ凹部５０を有する構成とし、その凹部５０に第２導電層４８の周端面を覆う樹脂カバー５１を設けるようにしたから、配線端子１５ｔの第２導電層４８が樹脂カバー５１によって保護される。そのことで、配線端子１５ｔの周端面は膜厚の比較的厚い平坦化膜１６によって覆われていなくてもよくなる。

　そして、当該樹脂カバー５１の厚さｔ１は配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂの厚さｔ２よりも小さいので、第２導電層４８を保護しつつ配線端子１５ｔをその周端面と共に平坦化膜１６から露出させて開放的に設けることができる。これにより、当該配線端子１５ｔの周囲に導通をとるための空間が確保されるから、配線端子１５ｔとＦＰＣとの導通をとり易く、実装工程Ｓ０４を容易に行うことができる。さらには、ＦＰＣを端子部４に圧着するための力が弱くても実装できるので、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の如くベース基板に可撓性を有する樹脂基板層７を採用している場合には、特に有効である。

　また、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法によると、配線端子１５ｔを覆う有機樹脂膜１００を成膜した後にその有機樹脂膜１００をアッシングにより部分的に除去することで、配線端子１５ｔの周端面に設けられた凹部５０内で第２導電層４８の端面を覆う樹脂カバー５１を配線端子１５ｔよりも厚さが小さくなるように形成することとしたから、配線端子１５ｔにおいて樹脂カバー５１により第２導電層４８を保護しつつ、ＦＰＣと配線端子１５ｔとの導通をとる実装工程を容易に行える構成を実現することができる。そして、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法によれば、有機樹脂膜１００を真空蒸着法によって成膜するので、有機樹脂膜１００を形成する材料が配線端子１５ｔの周端面に設けられた凹部５０内に回り込んで、その凹部５０内にも有機樹脂膜１００が好適に形成される。これにより、有機樹脂膜１００に当該凹部５０内で空隙が生じるのを防いで、樹脂カバー５１における第２導電層４８を保護する役割の信頼性を向上させることができる。

　《第２の実施形態》
　第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、樹脂カバー５１の構成が上記第１の実施形態と異なる。なお、以下の実施形態では、有機ＥＬ表示装置１およびその製造方法について、上記第１の実施形態とは異なる構成および手順のみを説明し、同一の構成箇所は図１～図１０に基づく上記第１の実施形態の説明に譲ることにして、その詳細な説明を省略する。

　図１１は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の図７相当図である。上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、樹脂カバー５１が凹部５０内のみに設けられて隣り合う配線端子１５ｔ毎に分離しているとしたが、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、樹脂カバー５１は、図１１に示すように、隣り合う配線端子１５ｔ同士で共通に設けられており、層間絶縁膜２０における隣り合う配線端子１５ｔの間の部分を覆っている。この第２の実施形態においても、樹脂カバー５１の厚さｔ１は、配線端子１５ｔの厚さｔ２よりも小さい。

　このような樹脂カバー５１は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法における樹脂カバー形成工程Ｓ１８にて、額縁領域３に形成された有機樹脂膜１００を配線端子１５ｔよりも薄くなるまで（例えば、有機樹脂膜１００の表面１０１が図１０に示す位置２００になるまで）プラズマアッシングすることにより、配線端子１５ｔの上面、つまり第３導電層４９の上面を有機樹脂膜１００（樹脂カバー５１）から露出させて形成される。

　この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によっても、上記第１の実施形態と同様に、表示用配線１５の配線端子１５ｔにおいて第２導電層４８を保護しつつ、配線端子１５ｔとＦＰＣとの導通をとる実装工程Ｓ４０を容易に行えるようにすることができる。

　《第３の実施形態》
　図１２は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の図６相当図である。この第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、額縁配線１５ｆを構成する配線下層部１５Ａと配線上層部１５Ｂとの接続箇所における構成が上記第１の実施形態と異なる。この有機ＥＬ表示装置１では、図１２に示すように、額縁配線１５ｆにおける配線上層部１５Ｂのうち配線下層部１５Ａに接続された部分が絶縁層６０によって覆われている。

　この絶縁層６０は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されており、配線端子１５ｔの凹部５０に設けられた樹脂カバー５１を部分的に覆っている。このような絶縁層７０は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法における平坦化膜形成工程Ｓ１８にて、平坦化膜１６を形成する有機樹脂膜から平坦化膜１６と併せて形成される。

　この第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、額縁配線１５ｆにおける配線上層部１５Ｂのうち配線下層部１５Ａに接続された部分を絶縁層６０によって覆うようにしたから、これら配線下層部１５Ａと配線上層部１５Ｂとを接続するためのコンタクトホール４６を通じて水分や酸素が装置１内に侵入するのを防止することができる。その他については、上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１と同様な効果を得ることができる。

　《第４の実施形態》
　図１３は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の図１相当図である。図１４は、図１３の有機ＥＬ表示装置１のXIV－XIV線における端子部４を含む額縁領域３の断面図である。図１５は、図１４の有機ＥＬ表示装置１のXV－XV線における折曲部７０の要部を示す断面図である。この第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間の構成が上記第１の実施形態と異なる。この有機ＥＬ表示装置１では、図１３および図１４に示すように、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間に、他部よりも折り曲げ易い折曲部７０が、端子部４に沿って額縁領域３の一端から他端にまで設けられている。

　この折曲部７０においては、樹脂基板層７上に設けられた無機層、つまり層間絶縁膜２０、ゲート絶縁膜１８およびベースコート膜１１に、直線状のスリット７１が形成されている。スリット７１は、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間を端子部４に沿って延びると共に、層間絶縁膜２０、ゲート絶縁膜１８およびベースコート膜１１を貫通して、樹脂基板層７の表面を露出させるように形成されている。

　額縁配線１５ｆを構成する配線下層部１５Ａは、スリット７１が設けられていることで、表示領域２側と端子部４側とに分断されている。また、折曲部７０には、スリット７１の内部を埋め立てると共に、層間絶縁膜２０の開口周縁部を覆う埋立て膜７２が設けられている。この埋立て膜７２は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されている。埋立て膜７２の層間絶縁膜２０上の高さｈ３は、平坦化膜１６の高さｈ４よりも小さい。

　額縁領域３には、スリット７１を挟んで表示領域２側の配線下層部１５Ａと端子部４側の配線下層部１５Ａとを連結する配線連結層７３が設けられている。配線連結層７３は、額縁平坦化膜７２の表示領域２側から端子部４側にかけて埋立て膜７２上を延びてスリット７１を横切るように形成され、埋立て膜７２上で平坦化膜１６から露出している。この配線連結層７３は、層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール７４を介して表示領域２側の配線下層部１５Ａと端子部４側の配線下層部１５Ａとにそれぞれ接続されている。

　配線連結層７３は、第１電極２９と同一層に同一材料によって形成されている。配線連結層７３は、配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂと同じく、図１５に示すように、第１導電層７５、第２導電層７６および第３導電層７７が順に積層された積層構造を有し、第２導電層７６が第１導電層７５および第３導電層７７よりも狭い幅で細く形成されていることによって、周端面のうち第２導電層７６に対応する部分が配線連結層７３の内方に凹んだ凹部７８を有している。

　そして、配線連結層７３の凹部７８には、配線上層部１５Ｂと同様に、第２導電層４８の周端面を覆う樹脂カバー７９が設けられている。樹脂カバー７９は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、バリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂材料によって形成され、配線端子１５ｔの凹部５０に設けられた樹脂カバー５１と同じ態様で凹部５０内のみに設けられている。この樹脂カバー７９の厚さｔ３は、配線連結層７３の厚さｔ４よりも小さく、樹脂カバー７９の最表面は、配線連結層７３の側方に位置している。

　この第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を製造方法は、上記第１の実施形態で説明したＴＦＴ層形成工程Ｓ０１にスリット形成工程を含む。スリット形成工程は、例えば、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５とソースドレイン電極形成工程Ｓ１６との間に行われる。スリット形成工程では、層間絶縁膜２０、ゲート絶縁膜１８およびベースコート膜１１に対しフォトリソグラフィ処理を行って、スリット７１を形成する。こうしたスリット７１の形成は、層間絶縁膜２０へのコンタクトホール２５，７４の形成と併せて行われていてもよい。

　また、平坦化膜形成工程Ｓ１８では、上述したように公知の塗布法により感光性の有機樹脂膜を成膜し、その有機樹脂膜をパターニングすることにより平坦化膜１６を形成すると共に、スリット７１を埋め立てるように埋立て膜７２を形成する。その後、埋立て膜７２をアッシングにより表面側から部分的に除去して、埋立て膜７２の層間絶縁膜２０上の高さｈ１を平坦化膜１６の高さｈ２よりも小さくする。

　また、第１電極形成工程Ｓ２１では、上述したようにスパッタリング法によりＩＴＯ膜、銀合金膜およびＩＴＯ膜を順次成膜して積層導電膜を形成し、その積層導電膜をフォトリソグラフィ処理でパターニングすることにより、複数の第１電極２９を形成すると共に、埋立て膜７２上にスリット７１を横切るように複数の配線連結層７３を形成する。このときのフォトリソグラフィ処理におけるエッチングにより、各配線連結層７３には、第２導電層４８（ＡｇＭｇ層）が第１導電層４７および第３導電層４９（共にＩＴＯ層）よりも細くなるサイドシフトが生じ、凹部５０が形成される。

　さらに、この第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２に樹脂カバー形成工程を含む。樹脂カバー形成工程は、第１電極形成工程Ｓ２１とエッジカバー形成工程Ｓ２２との間に行われる。この樹脂カバー形成工程では、上記第１の実施形態で説明したＴＦＴ層形成工程Ｓ０１に含む樹脂カバー形成工程Ｓ１７と同様な方法により、埋立て膜７２上で平坦化膜１６から露出した配線連結層７３の凹部７８に樹脂カバー７９を形成する。

　この第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、配線連結層７３の凹部７８に樹脂カバー７９を形成するのと併せて、配線上層部１５Ｂの凹部５０にも樹脂カバー５１を形成してもよい。すなわち、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、上記第１の実施形態で説明したＴＦＴ層形成工程Ｓ０１に含む樹脂カバー形成工程Ｓ１７は行わなくてもよい。

　以上のようにして、折曲部７０を備えた有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

　この第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、折曲部７０において、額縁領域３を最大１８０°程度の角度にまで折り曲げ可能にすることができる。また、平坦化膜１６から露出した配線連結層７３の周端面にできる凹部７８に第２導電層７６の周端面を覆う樹脂カバー７９が設けられているので、配線連結層７３の第２導電層７６を樹脂カバー７９によって保護することができる。その他については、上記第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。

　《第５の実施形態》
　図１６は、第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の図６相当図である。図１７は、図１６の有機ＥＬ表示装置１のXVII－XVII線における要部を示す断面図である。この第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆの構成が第１の実施形態と異なる。この有機ＥＬ表示装置１では、図１６に示すように、各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆは、ソース電極２１およびドレイン電極２２と同一層に同一材料によって形成されており、表示領域２のソース配線１５ｓが層間絶縁膜２０上をそのまま端子部４にまで引き出されている。

　各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆは、平坦化膜１６と堰止壁４２との間のスリット１６ｓの内部および堰止壁４２の外側で当該平坦化膜１６から露出している。これら各ソース配線１５ｓは、図１７に示すように、周端面のうち第２導電層４８に対応する部分が配線端子１５ｔの内方に凹んだ凹部５０を全体に亘って有している。そして、各ソース配線１５ｓの凹部５０には、第２導電層４８の周端面を覆う樹脂カバー５１が設けられている。

　上記のように表示領域２のソース配線１５ｓが層間絶縁膜２０上をそのまま端子部４にまで引き出されていると、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、水分が額縁配線１５ｆの周端面にできる凹部５０を通ってソース配線１５ｓ伝いに装置１内に浸入するおそれがある。しかも、ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆの本数は表示画面の高精細化のために他の表示用配線１５と比べて桁違いに多いから、水分が多数のソース配線１５ｓを伝って装置１内に多く浸入し易く、有機ＥＬ表示装置１の信頼性に大きな悪影響を及ぼす。

　そのため、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆが、ゲート配線１５ｇおよびゲート電極１９と同一層に同一材料によって形成され、表示領域２から層間絶縁膜２０の下層を経由して端子部４にまで引き回された構成を採用している。こうした額縁配線１５ｆの構成によると、有機ＥＬ表示装置１の信頼性は向上するものの、ソース配線１５ｓの抵抗が増加するため、ソース配線１５ｓによって伝達されるデータ信号のなまりなどの影響が生じる。

　これに対し、この第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、各ソース配線１５ｓを構成する額縁配線１５ｆが層間絶縁膜２０上をそのまま端子部４にまで引き出されているので、ソース配線１５ｓによって伝達されるソース信号のなまりなどを低減できる。そして、額縁配線１５ｆを含め各ソース配線１５ｓの周端面にできる凹部５０に樹脂カバー５１が設けられているので、水分が凹部５０内を通ってソース配線１５ｓ伝いに表示領域２に進入するのを防止できる。これにより、有機ＥＬ素子９の劣化を抑制し、有機ＥＬ表示装置１の信頼性を向上させることができる。

　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須でない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることを以て、直ちにそれらの必須でない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。　

　例えば、上記第１～第５の実施形態について、以下のような構成としてもよい。

　上記第１～第５の実施形態では、表示用配線１５の配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂについて第１導電層４７および第３導電層４９がチタン（Ｔｉ）によって形成されているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。第１導電層４７および第３導電層４９は、チタン（Ｔｉ）に代えて、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）や酸化チタン（ＴｉＯ）、その他のチタン（Ｔｉ）を主成分とする合金によって形成されていてもよく、チタン（Ｔｉ）の他、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）やそれらの合金によって形成されるなど、これらの金属元素から選択された少なくとも１元素を含んで形成されていてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、表示用配線１５の配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂについて第２導電層４８がアルミニウム（Ａｌ）によって形成されているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。第２導電層４８は、アルミニウム（Ａｌ）に代えて、例えば、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、それらを主成分をする合金によって形成されるなど、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）から選択される少なくとも１元素を含んで形成されていてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、表示用配線１５の配線端子１５ｔを構成する配線上層部１５Ｂについて第１導電層４７、第２導電層４８および第３導電層４９からなる３層構造を例示したが、これに限らない。当該配線上層部１５Ｂは、これら第１導電層４７、第２導電層４８および第３導電層４９を含む４層以上の積層構造とされていてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、有機ＥＬ層３０が各サブ画素６に個別に形成されているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０は、複数のサブ画素６に共通して設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素６の色調表現を行っていてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、ベース基板に樹脂基板層７を用いる有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。ベース基板としては、ガラスや石英などの無機材料、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック、アルミナなどのセラミックからなる基板が用いられていてもよい。また、ベース基板は、アルミニウムや鉄などの金属基板の一方面をシリカゲルや有機絶縁材料などでコーティングした基板、または金属基板の表面に陽極酸化などの方法により絶縁化処理を施した基板などであっても構わない。

　また、上記第１～第５の実施形態では、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３について、トップゲート型の構造を採用するとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３はボトムゲート型の構造を採用していてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８の５層積層構造の有機ＥＬ層３０を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造を採用していてもよい。

　また、上記第１～第５の実施形態では、第１電極２９を陽極とし、第２電極３１を陰極とした有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。本開示の技術は、例えば、有機ＥＬ層３０の積層構造を反転させて、第１電極２９を陰極とし、第２電極３１を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することが可能である。

　また、上記第１～第５の実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、これに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備えた表示装置に適用することが可能である。