Package-Struktur und Verfahren

In einer Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung: ein Substrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite; eine Verbindungsstruktur benachbart zu der ersten Seite des Substrats; und eine IC-Vorrichtung, welche an der Verbindungsstruktur befestigt ist; eine Durchkontaktierung, welche sich von der ersten Seite des Substrats bis zu der zweiten Seite des Substrats erstreckt, wobei die Durchkontaktierung mit der IC-Vorrichtung elektrisch verbunden ist; eine Under-Bump-Metallurgie (UBM) benachbart zu der zweiten Seite des Substrats und die Durchkontaktierung kontaktierend; einen leitfähigen Höcker auf der UBM, wobei es sich bei dem leitfähigen Höcker und der UBM um ein durchgängiges leitfähiges Material handelt, wobei der leitfähige Höcker von der Durchkontaktierung seitlich versetzt ist; und eine Unterfüllung, welche die UBM und den leitfähigen Höcker umgibt.

Anti-Dishing-Struktur für eingebetteten Speicher

Einige Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung sind auf einen integrierten Schaltkreis (IC) gerichtet. Der integrierte Schaltkreis weist ein Halbleitersubstrat mit einem peripheren Bereich und einem Speicherzellenbereich auf, die durch eine Trennstruktur getrennt sind. Die Trennstruktur reicht in eine Oberseite des Halbleitersubstrats hinein und weist ein dielektrisches Material auf. Auf dem peripheren Bereich ist ein Logikbauelement angeordnet, und auf dem Speicherbereich ist ein Speicherbauelement angeordnet. Das Speicherbauelement weist eine Gate-Elektrode und eine Speicher-Hartmaske über der Gate-Elektrode auf. Auf der Trennstruktur ist eine Anti-Dishing-Struktur angeordnet. Eine Oberseite der Anti-Dishing-Struktur und eine Oberseite der Speicher-Hartmaske haben gleiche Höhen, die von der Oberseite des Halbleitersubstrats gemessen werden.

Hydraulic pump for excavator, has rotatable hydraulic cylinder which is to receive and guide piston and swash plate relative to spindle, and bearing wall is provided with mounting hole in which clutch is mounted

The hydraulic pump (1) has a housing (2) in which bearing wall is extended. The hydraulic cylinders (9,10) rotates in the housing. A rotatable back and forth moving piston is provided in the housing. The spindles (5,6) are provided parallel to the rotary hydraulic cylinders, and are interconnected by a coupling, and for driving the rotary hydraulic cylinders about the respective central axis. The rotatable hydraulic cylinder receives and guides the pistons (11,12) and swash plates (7,8) relative to spindle. The bearing wall has a mounting hole in which a clutch is mounted. An independent claim is included for excavator.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG UND EINE HALBLEITERVORRICHTUNG

Bei einem Verfahren wird eine erste dielektrische Schicht über Halbleiterfinnen hergestellt; eine zweite dielektrische Schicht wird über der ersten dielektrischen Schicht hergestellt; die zweite dielektrische Schicht wird unter einer Oberseite jeder der Halbleiterfinnen ausgespart; eine dritte dielektrische Schicht wird über der ausgesparten zweiten dielektrischen Schicht hergestellt; und die dritte dielektrische Schicht wird unter der Oberseite der Halbleiterfinnen ausgespart, sodass eine Wandfinne entsteht. Die Wandfinne umfasst die ausgesparte dritte dielektrische Schicht und die über der ausgesparten dritten dielektrischen Schicht befindliche ausgesparte zweite dielektrische Schicht. Die erste dielektrische Schicht wird unter einer Oberseite der Wandfinne ausgespart; eine Finnendeckschicht wird hergestellt; die Finnendeckschicht und die Halbleiterfinnen werden ausgespart; und über den ausgesparten Halbleiterfinnen werden jeweils Source-/Drain-Epitaxialschichten hergestellt. Die Source ...

Verstellbarer Mäanderlinienwiderstand

Eine Vorrichtung mit:- einem Substrat (210) mit mehreren aktiven Bereichen (212, 214, 216, 218, 219; 312, 314, 316, 318);- einem ersten Gate-Stapel (202) und einem zweiten Gate-Stapel (204), die auf dem Substrat (210) angeordnet sind, wobei jeder von dem ersten Gate-Stapel (202) und dem zweiten Gate-Stapel (204) zwischen zwei benachbarten aktiven Bereichen ausgebildet ist;- einem ersten Widerstand (104; 372) mit einem ersten unteren Anschluss, der über einem ersten aktiven Bereich (212; 316) der mehreren aktiven Bereiche (212, 214, 216, 218, 219; 312, 314, 316, 318) angeordnet ist, und einem ersten oberen Anschluss, der mit einem ersten Verbinder (140; 252; 354) verbunden ist;- einem zweiten Widerstand (106; 374) mit einem zweiten unteren Anschluss, der über einem zweiten aktiven Bereich (214; 318) der mehreren aktiven Bereiche (212, 214, 216, 218, 219; 312, 314, 316, 318) angeordnet ist, und einem zweiten oberen Anschluss, der mit dem ersten Verbinder (140; 252; 354) verbunden ist;- einem ...

Halbleitereinrichtung

Halbleitereinrichtung, mit folgenden Merkmalen:ein Substrat (24) mit einer Anordnung aus Kontaktfeldern, die entlang eines Umfangs des Substrats angeordnet sind;ein Logikchip (28), der innerhalb der Anordnung aus Kontaktfeldern auf das Substrat aufgebracht ist; undNicht-Lötmittel-Hügelstrukturen (26), die auf weniger als alle verfügbaren Kontaktfelder, die entlang des Umfangs des Substrats angeordnet sind, aufgebracht sind,wobei die Anordnung aus Kontaktfeldern einen inneren Ring (56) aus Kontaktfeldern aufweist, der konzentrisch ist zu einem äußeren Ring (58) aus Kontaktfeldern, undwobei die Nicht-Lötmittel-Hügelstrukturen (26) auf nur abwechselnde Kontaktfelder in dem inneren Ring und dem äußeren Ring aufgebracht sind.

Mandrelmodifzierung zum Erreichen einer einzelfinnen-finnenähnlichen Feldeffekttransistor-(FINFET-)Vorrichtung

Verfahren, umfassend:Bereitstellen eines Hauptmaskenlayouts und eines Abgleichsmaskenlayouts zum Bilden von Finnen (356) einer finnenähnlichen Feldeffekttransistor- (FinFET-) Vorrichtung, wobei das Hauptmaskenlayout ein erstes Maskierungsmerkmal (205) enthält und das Abgleichsmaskenlayout ein zweites Maskierungsmerkmal (210) enthält, welches wenigstens zwei Finnen definiert, und wobei das erste Maskierungsmerkmal (205) und das zweite Maskierungsmerkmal (210) in einem räumlichen Verhältnis zueinander stehen; undModifizieren des Hauptmaskenlayouts basierend auf dem räumlichen Verhältnis zwischen dem ersten Maskierungsmerkmal (205) und dem zweiten Maskierungsmerkmal (210), wobei das Modifizieren des Hauptmaskenlayouts ein Modifizieren des ersten Maskierungsmerkmals (205) beinhaltet, so dass unter Einsatz des modifizierten Maskenlayouts und des Abgleichsmaskenlayouts eine Einzelfinnen-FinFET-Vorrichtung gebildet wird,wobei das erste Maskierungsmerkmal (205) ein erstes Mandrelstrukturmerkmal ...

Rippenfeldeffekttransistoren und Verfahren zur Herstellung derselben

Rippenfeldeffekttransistor (FinFET), umfassend:- ein Substrat (202) mit einer oberen Oberfläche (202s);- eine erste Rippe (212_1) und eine zweite Rippe (212_2), die sich über der oberen Substratoberfläche (202s) erstrecken, wobei die erste Rippe (212_1) eine obere Oberfläche (222t_1) und Seitenwände (222s_1) aufweist und die zweite Rippe (212_2) eine obere Oberfläche (222t_2) und Seitenwände (222s_2) aufweist;- eine Isolationsschicht (217) zwischen der ersten und der zweiten Rippe (212_1, 212_2), die sich teilweise von der oberen Substratoberfläche (202s) aus die Rippen (212_1, 212_2) hinauf erstreckt;- ein erstes Gate-Dielektrikum (224a), das die obere Oberfläche (222t_1) und die Seitenwände (222s_1) der ersten Rippe (212_1) mit einer ersten Dicke (t) bedeckt, wobei das erste Gate-Dielektrikum (224a) in direktem Kontakt mit der ersten Rippe (212_1) ist,- ein zweites Gate-Dielektrikum (234) mit einer zweiten Dicke (t), die kleiner als die erste Dicke (t) ist, wobei das zweite Gate-Dielektrikum ...

Gepackte Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Packen der Halbleitervorrichtung

Mechanismen zum Ausbilden einer Formmasse auf einem Halbleitervorrichtungssubstrat zum Ermöglichen von Fan-Out-Strukturen beim Wafer-Level-Packaging (WLP) werden bereitgestellt. Die Mechanismen umfassen das Bedecken von Abschnitten von Oberflächen einer Isolierschicht, die ein Kontaktpad umgibt. Die Mechanismen verbessern die Zuverlässigkeit der Packung und der Prozesssteuerung des Packprozesses. Die Mechanismen reduzieren außerdem das Risiko von Delaminieren an Grenzflächen und übermäßiges Ausgasen der Isolierschicht während nachfolgender Verarbeitung. Die Mechanismen verbessern ferner den Endpunkt einer Planarisierung. Durch Verwenden einer Schutzschicht zwischen dem Kontaktpad und der Isolierschicht kann Kupferaußendiffusion reduziert werden, und die Haftung zwischen dem Kontaktpad und der Isolierschicht kann ebenfalls verbessert werden.

Bildung von Source-Drain-Erweiterungen in Metall-Ersatz-Gate-Transistoreinheit

Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, aufweisend: Bilden einer Platzhalter-Gate-Struktur, die aus einem Stopfen besteht, auf einer Fläche eines Halbleiters; Bilden eines ersten Abstandhalters, welcher den Stopfen umgibt, wobei der erste Abstandhalter ein Opfer-Abstandhalter ist; und Durchführen einer abgewinkelten Ionenimplantation, um in Nachbarschaft zu einer äußeren Seitenwand des ersten Abstandhalters eine Dotierstoffspezies in die Fläche des Halbleiters zu implantieren, um eine Source-Erweiterungszone und eine Drain-Erweiterungszone zu bilden, wobei sich die implantierte Dotierstoffspezies in einem Ausmaß unter der äußeren Seitenwand des ersten Abstandhalters erstreckt, welches eine Funktion des Winkels der Ionenimplantation ist; und Durchführen eines Laser-Temperns, um die Implantation der Source-Erweiterung und der Drain-Erweiterung zu aktivieren.

Beleuchtungssystem

Durch die vorliegende Erfindung wird ein Beleuchtungssystem zur Verwendung in einem Projektor bereitgestellt. Das Beleuchtungssystem weist eine erste Lichtquelle, eine erste Timing-Steuereinheit, eine gekrümmte reflektierende Komponente und eine Wellenlängenumwandlungskomponente auf. Die erste Lichtquelle stellt Licht mit einer ersten Wellenlänge bereit, während die Timing-Steuereinheit das Licht mit der ersten Wellenlänge in einen ersten Timing-Anteil und einen zweiten Timing-Anteil teilt. Die gekrümmte reflektierende Komponente weist einen Brennpunkt auf. Die Wellenlängenumwandlungskomponente ist am Brennpunkt angeordnet, um den ersten Timing-Anteil des Lichts mit der ersten Wellenlänge in Licht mit einer zweiten Wellenlänge umzuwandeln.

Brake roller for use in children chair, hospital bed, wheelchair, storage rack or cupboard, has hinge end formed in control element that is connected with external locking device in hinged manner for moving control element

The brake roller has a control unit (1) with a fastening element (11) that forms a movement space (13). The movement space forms two wall holes (14) on its both walls in which a control element (15) is arranged. A hinge end (16) formed in the control element is connected with an external locking device in a hinged manner for moving the control element. The control element forms an upper inclined surface (17) on the lower side, where the inclined surface lies on a head (231) of an axle (23). The control element forms two limiting holes (18) on both the walls. The limiting holes are aligned on wall holes, where two limiting pins (19) are guided through the limiting holes and the wall holes.

Hybridlötbänder und Hybridlötbandverfahren

Ein Hybridlötband umfasst eine Lötbandschicht, die eine Lötlegierungszusammensetzung und in Bindemittel umfasst, und eine Polytetrafluorethylen(„PTFE“)-Bandschicht, die an einer Oberfläche der Lötbandschicht anliegend angeordnet ist.

Adaptive optische Netzhautbildgebungsvorrichtung und Verfahren

Die vorliegende Offenbarung stellt einen adaptiven optischen Netzhautbildgebungsapparat und Verfahren bereit. Der adaptive optische Netzhautbildgebungsapparat umfasst eine optische Verarbeitungseinheit, eine adaptive optische Einheit, eine Zweidimensionales-Scannen-Einheit und eine Primäraberration-Korrektureinheit, in der eine Bildgebungseinheit, die in der optischen Verarbeitungseinheit enthalten ist, eine Bildgebung vornimmt, auf Grundlage des Signals nach einer Kompensation einer Aberration hoher Ordnung und einer Kompensation einer Aberration niedriger Ordnung. Durch Kombinieren der adaptiven optischen Technik, einer Konfokales-Scannen-Technik und der Optische-Kohärenztomographie-Technik werden zwei Wellenfrontsensoren genutzt, um Wellenfrontaberrationen zwischen dem Konfokales-Scannen-Optischer-Pfad und dem Optisches-Kohärenztomographie-Optischer Pfad zu erfassen, und zwei Wellenfrontkorrektoren werden genutzt zum Korrigieren einer Aberration niedriger Ordnung und einer Aberration ...

Tragbarer 3D-Scanner und Verfahren zum Erzeugen eines einem Objekt entsprechenden 3D-Scanergebnisses

Ein tragbarer 3D-Scanner enthält mindestens zwei Bildsensoreinheiten und eine Tiefenzuordnungsgenerierungseinheit. Wenn der tragbare 3D-Scanner um ein Objekt herum bewegt wird, erfassen eine erste Bildsensoreinheit und eine zweite Bildsensoreinheit der mindestens zwei Bildsensoreinheiten jeweils eine Mehrzahl von das Objekt aufweisenden ersten Bildern, und eine Mehrzahl von das Objekt aufweisenden zweiten Bildern. Während die erste Bildsensoreinheit jedes erste Bild der Mehrzahl von ersten Bildern erfasst, existiert ein korrespondierender Abstand zwischen dem tragbaren 3D-Scanner und dem Objekt. Die Tiefenzuordnungsgenerierungseinheit generiert eine korrespondierende Tiefenzuordnung gemäß jedem ersten Bild und einem korrespondierenden zweiten Bild. Eine Mehrzahl von Tiefenzuordnungen, die von der Tiefenzuordnungsgenerierungseinheit generiert wurden, die Mehrzahl von ersten Bildern und die Mehrzahl von zweiten Bildern werden verwendet, um ein zu dem Objekt korrespondierendes Farb-3D-Scan-Ergebnis ...

Pellicle-Baugruppe und Verfahren für verbesserte Lithographie

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Vorrichtung für ein Halbleiter-Lithographieverfahren gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Die Vorrichtung umfasst eine Pellicle-Membran mit einer thermisch leitfähigen Fläche; einen porösen Pellicle-Rahmen; und eine thermisch leitfähige Klebeschicht, die die Pellicle-Membran an dem porösen Pellicle-Rahmen sichert. Der poröse Pellicle-Rahmen umfasst mehrere Porenkanäle, die sich ununterbrochen von einer Außenfläche des porösen Pellicle-Rahmens zu einer Innenfläche des porösen Pellicle-Rahmens erstrecken.

Obere Elektrodensperrschicht für RRAM

Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung richten sich an eine resistive Direktzugriffsspeicherzelle (RRAM-Zelle), die eine obere Elektrodensperrschicht aufweist, welche zum Blockieren der Bewegung von Stickstoff oder einem anderen geeigneten nichtmetallischen Element von einer oberen Elektrode der RRAM-Zelle zu einer aktiven Metallschicht der RRAM-Zelle konfiguriert ist. Blockieren der Bewegung des nichtmetallischen Elements kann die Ausbildung einer unerwünschten Schaltschicht zwischen der aktiven Metallschicht und der oberen Elektrode verhindern. Die unerwünschte Schaltschicht würde parasitären Widerstand der RRAM-Zelle erhöhen, sodass die obere Elektrodensperrschicht parasitären Widerstand durch Verhindern der Ausbildung der unerwünschten Schaltschicht verhindern kann.

HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Es werden ein Halbleiter-Bauelement und ein Verfahren bereitgestellt, mit dem eine Mehrzahl von Abstandshaltern in einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich eines Substrats hergestellt wird. Die Mehrzahl von Abstandshaltern in dem ersten Bereich wird strukturiert, während die Mehrzahl von Abstandshaltern in dem zweiten Bereich geschützt wird, um die Eigenschaften der Abstandshalter in dem ersten Bereich von den Eigenschaften der Abstandshalter in dem zweiten Bereich zu trennen.

INTEGRIERTES SCHALTUNGSPACKAGE UND VERFAHREN

In einer Ausführungsform weist eine Struktur Folgendes auf: einen ersten integrierten Schaltungsdie, der erste Die-Anschlüsse aufweist; eine erste Dielektrikumsschicht auf den ersten Die-Anschlüssen; erste leitfähige Durchkontaktierungen, die sich durch die erste Dielektrikumsschicht hindurch erstrecken, wobei die ersten leitfähigen Durchkontaktierungen an eine erste Untergruppe der ersten Die-Anschlüsse angeschlossen sind; einen zweiten integrierten Schaltungsdie, der an eine zweite Untergruppe der ersten Die-Anschlüsse mit ersten aufschmelzbaren Anschlüssen gebondet ist; ein erstes Verkapselungsmaterial, das den zweiten integrierten Schaltungsdie und die ersten leitfähigen Durchkontaktierungen umgibt, wobei das erste Verkapselungsmaterial und der erste integrierte Schaltungsdie seitlich angrenzend sind; zweite leitfähige Durchkontaktierungen benachbart zu dem ersten integrierten Schaltungsdie; ein zweites Verkapselungsmaterial, das die zweiten leitfähigen Durchkontaktierungen, das erste ...

Verfahren und Vorrichtung zum Beobachten von Stressbedingungen in einem System

Ein Verfahren zum Beobachten von Fehlern, mit:Speichern von Information von einer Mehrzahl von Sensormitteln, die auf einer Mehrzahl von Platinen angeordnet sind;Speichern einer Strategie, die eine Mehrzahl von Fehlereignisschwellenwerten enthält, mit denen die gespeicherte Sensorinformation verglichen werden kann;Zählen von Ereignissen, bei denen mehrere Fehlerereignisschwellenwerte überschritten werden; undInitiieren einer Aktion von einem Fehlermodul, wenn eine Rate, mit der die gezählten Ereignisse akkumulieren, einen Schwellenwert über- oder unterschreitet.

Verfahren zur Überwachung einer verwalteten Einrichtung

Verfahren zur Überwachung einer verwalteten Einrichtung, wobei ein Verwaltungszentrum zuvor eine Liste von System-Integritäts-Werten der verwalteten Einrichtung und die Übereinstimmung zwischen der verwalteten Einrichtung und seinen eigenen System-Integritäts-Werten speichert, und die verwaltete Einrichtung ihren eigenen aktuellen System-Integrations-Wert beim Start ermittelt und speichert, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) Senden von Information (102), die den aktuellen System-Integritäts-Wert enthält, durch die verwaltete Einrichtung zum Verwaltungszentrum, nachdem ein Überwachungs-Befehl vom Verwaltungszentrum empfangen wurde; und b) Feststellung (103) durch das Verwaltungszentrum, ob der aktuelle System-Integritäts-Wert der verwalteten Einrichtung in der empfangenen Information mit dem zuvor gespeicherten System-Integritäts-Wert der verwalteten Einrichtung im Verwaltungszentrum übereinstimmt, auf der Grundlage der empfangenen Information und der Integritäts-Liste, und ...

Abscheiden von Nanostrukturen

Ein Abscheider, umfassend: einen Einlass, der zum Aufnehmen eines Fluids konfiguriert ist, welches Nanostrukturen trägt; ionische Flüssigkeit, die zum Einfangen der Nanostrukturen konfiguriert ist; und einen Auslass für das Fluid.

Fußmatte mit intelligenter Leuchtfunktion

Die vorliegende Erfindung stellt eine Fußmatte mit intelligenter Leuchtfunktion (1) bereit, die einen Fußmattenkörper (10) umfasst. Der Fußmattenkörper (10) umfasst eine Leuchteinrichtung (101) und eine Steuereinheit (102). Die Steuereinheit (102) umfasst einen Speicher (12), eine Steuerung (14) und eine drahtlose Sende-/Empfangseinrichtung (16). In dem Speicher (12) ist eine Leuchtzustandsliste der Leuchteinrichtung (101) gespeichert, in welcher Leuchtzustandsliste wiederum mehrere Leuchtzustände und mehrere den mehreren Leuchtzuständen zugeordnete Codes gespeichert sind. Die Steuerung (14) dient dazu, anhand der mehreren Codes den Leuchtzustand der Leuchteinrichtung (101) zu steuern. Die drahtlose Sende-/Empfangseinrichtung (16) dient dazu, ein Funksteuersignal zu empfangen und es auf die Steuerung (14) zu übertragen. Die Steuerung (14) ermittelt durch Parsen des Funksteuersignals einen Code, vergleicht diesen mit den mehreren Codes in der Leuchtzustandsliste und steuert anhand des Codes ...

Vereinheitliches SU/MU-Mimo-Signalisierungs- und Codebuchdesign mit geschlossenem Regelkreis

Verfahren, welches Folgendes umfasst: Empfangen einer ersten Kanalrückkopplung an einer Basisstation von einem ersten drahtlosen Gerät, wobei Mehrnutzer-Mehrfacheingang-Mehrfachausgang (multi-user multiple input, multiple Output MU-MIMO) implementiert ist, und wobei die erste Kanalrückkopplung einen Abwärtskanal von der Basisstation zu dem ersten drahtlosen Gerät beschreibt, wobei die erste Kanalrückkopplung unter Verwendung eines ersten Codebuchs quantisiert ist, Vorkodieren erster Daten zur Übertragung an das erste drahtlose Geräte, wobei die erste Kanalrückkopplung verwendet wird, Empfangen einer zweiten Kanalrückkopplung an der Basisstation von einem zweiten drahtlosen Gerät, wobei Einzelnutzer-MIMO (single-user MIMO SU-MIMO) implementiert ist, und wobei die zweite Kanalrückkopplung einen Abwärtskanal von der Basisstation zu dem zweiten drahtlosen Gerät beschreibt, wobei die zweite Kanalrückkopplung unter Verwendung eines zweiten Codebuchs quantisiert ist, das kleiner als das erste ...

Berührungsloses Messsystem und Sensorgerät mit einer auf einem mikro-elektro-mechanischen System basierenden Lichtquelle

Ein berührungsloses Messsystem zum Erhalten von dreidimensionalen Profilinformationen, umfassend:ein Lichtquellensubsystem, welches ausgebildet ist, um einen Lichtpunkt in einer Beleuchtungsregion abzutasten;ein erstes Abbildungsgerät mit einem Bildfeld, welches so angeordnet ist, um sich mit der Beleuchtungsregion zu überschneiden und ausgebildet ist, um Bilddaten aufzunehmen;ein erstes Kontrollmodul, welches in Datenkommunikation mit dem ersten Abbildungsgerät steht, wobei das erste Kontrollmodul ausgebildet ist, um die Position eines Objektes in dem Bildfeld des ersten Abbildungsgerätes von den aufgenommenen Bilddaten zu ermitteln und die Position des Objektes in einem allgemeinen Koordinatensystem anzuzeigen, wobei der Lichtpunkt durch das Lichtquellensubsystem mit einer höheren Abtastgeschwindigkeit als die Shuttergeschwindigkeit des ersten Abbildungsgeräts abgetastet wird;ein zweites Abbildungsgerät mit einem Bildfeld, welches so angeordnet ist, um sich mit der Beleuchtungsregion ...

Dynamik-Stopp-Anzeigeansteuerungsvorrichtung für eine Berührungserfassungseinrichtung

Ein Verfahren zum Ansteuern einer Berührungsanzeigeeinrichtung zur Erfassung eines Berührungsereignisses und zum Anzeigen eines Bilds, das durch eine Reihe von Frames charakterisiert ist, umfasst das Durchführen eines Ansteuerungsvorgangs für eine Anzeigeeinrichtung der Berührungsanzeigeeinrichtung zum Anzeigen des Bilds, und einen Erfassungsvorgang für eine Berührungserfassungseinrichtung der Berührungsanzeigeeinrichtung zum Erfassen eines Berührungsereignisses. Der Ansteuerungsvorgang ist derart ausgebildet, dass für ausgewählte Frames der Reihe von Frames die Anzeigeeinrichtung nicht angesteuert wird, und für die anderen Frames der Reihe von Frames die Anzeigeeinrichtung angesteuert wird. Der Erfassungsvorgang ist derart ausgebildet, dass während der ausgewählten Frames, in denen die Anzeigeeinrichtung nicht angesteuert wird, die Berührungserfassungseinrichtung angesteuert wird, und während der anderen Frames, in denen die Anzeigeeinrichtung angesteuert wird, die Berührungserfassungseinrichtung ...

Ionenaustauschmembranen und Verfahren zu deren Herstellung

Ionenaustauschmembranen können einen polymeren mikroporösen Träger und eine vernetzte ionentransferierende polymere Schicht auf dem Träger beinhalten. Die vernetzte ionentransferierende polymere Schicht kann ein Polymerisationsprodukt aus mindestens einem funktionellen Monomer und einem Monomer mit niedrigem r2/rs-Wert beinhalten. Die Ionenaustauschmembranen können eine scheinbare Permselektivität von mindestens etwa 95 % und einen spezifischen Widerstand von weniger als etwa 1,5 Ohm-cm2 aufweisen.

SCHNELLE ROBOTERBEWEGUNGSOPTIMIERUNG MIT DISTANZFELD

Es wird eine Roboter-Kollisionsvermeidungs-Bewegungsoptimierungstechnik unter Verwendung einer Distanzfeld-Bedingungsfunktion aufgezeigt. CAD- oder Sensordaten, die Hindernisse in einem Roboterarbeitsbereich darstellen, werden in Voxel umgewandelt und es wird eine dreidimensionale binäre Matrix der Voxelbelegung erstellt. Anschließend wird eine entsprechende Distanzfeld-Matrix berechnet, wobei jede Zelle in der Distanzfeld-Matrix einen Abstand zu einer nächstgelegenen belegten Zelle enthält. Die Distanzfeld-Matrix wird als Bedingungsfunktion in einem Optimierungsproblem der Bewegungsplanung verwendet, wobei das Optimierungsproblem konvexifiziert und dann iterativ gelöst wird, um ein Bewegungsprofil des Roboters zu erhalten, das die Hindernisse vermeidet und eine Zielfunktion wie die zurückgelegte Strecke minimiert. Die Distanzfeld Optimierungstechnik ist schnell berechnet und hat eine Rechenzeit, die unabhängig von der Anzahl der Hindernisse ist. Die beschriebene Optimierungstechnik ist ...

Treibereinheit, Treiber und LED-Lichtquelle mit einem Treiber

Eine Treibereinheit zum Programmieren eines Ausgangsstroms eines Treibers (4) mit einer Ausgangsstufe (5) zum Bereitstellen des Ausgangsstroms und einer primären Steuerstufe (6) mit einem Steuereingang (7) zum Steuern des Ausgangsstroms ist bereitgestellt worden. Die Treibereinheit (8) umfasst eine programmierbare Speichereinheit (9) zum Speichern von Daten, die einem Sollwert des Ausgangsstroms entsprechen, eine Programmiersignalschaltung (10), die so konfiguriert ist, dass sie elektrische Signale zum Schreiben der Daten in die programmierbare Speichereinheit (9) bereitstellt, sowie eine Steuerschaltung (11) mit einem Controller (14). Der Controller ist operativ mit der programmierbaren Speichereinheit (9) verbunden und so konfiguriert, dass er die in der programmierbaren Speichereinheit (9) gespeicherten Daten ausliest und ein Controller-Ausgangssignal zum Einstellen des Ausgangsstroms des Treibers (4) basierend auf den in der programmierbaren Speichereinheit (9) gespeicherten Daten erzeugt ...

Cachespeicher-Partitionierung in virtualisierten Umgebungen

Es wird ein Mechanismus in einer Überwachungseinrichtung für virtuelle Maschinen zur Bereitstellung von Cachespeicher-Partitionierungen in virtualisierten Umgebungen bereitgestellt. Der Mechanismus weist jeder virtuellen Maschine in der virtualisierten Umgebung eine virtuelle Identifikation (ID) zu. Der Bearbeitungskern speichert die virtuelle ID der virtuellen Maschine in einem speziellen Register. Der Mechanismus erstellt zudem einen Eintrag für die virtuelle Maschine in einer Partitionstabelle. Der Mechanismus kann einen gemeinsam genutzten Cachespeicher mittels einer vertikalen (Wege-)Partition und/oder einer horizontalen Partition partitionieren. Der Eintrag in der Partitionstabelle enthält eine vertikale Partitionssteuerung und eine horizontale Partitionssteuerung. Für jeden Cachespeicher-Zugriff übergibt die virtuelle Maschine dem gemeinsam genutzten Cachespeicher die virtuelle ID zusammen mit der Adresse. Falls der Cachespeicher-Zugriff zu einem Fehlschlag führt, wählt der gemeinsam ...

Tintenpatrone, Tintenpatronengruppe und Tintenpatronendefinierungssystem

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Tintenpatrone, Tintenpatronengruppe und Tintenpatronendefinierungssystem, umfassend: einen ersten Signalabsperrungsbauteil und einen zweiten Signalabsperrungsbauteil. Der zweite Signalabsperrungsbauteil ist eine bewegliche Komponente. Er befindet sich vor der Prüfung an der Anfangposition für der Installationstest. Die Anfangposition für Installationstest stellt fest, ob der zweite Signalabsperrungsbauteil das zweite Signal am Durchgang verhindert oder der Weg des zweiten Signal verändert. Nämlich durch die Anfangposition für Installationstest des zweiten Signalabsperrungsbauteils werden die verschiedenen Tintenpatronen unterschieden. Das löst das heutige technische Problem, dass das Testergebnis wegen des Montagefehlers dadurch der Tintenpatronetatsache nicht entspricht, dass bei Tintenpatrone, Tintenpatronengruppe und Tintenpatronendefinierungssystem anhand der Dicke des zweiten Signalabsperrungsbauteils die verschiedenen Tintepatrone klassifiziert ...

Tragbares Solarlehrmittel

Die Erfindung betrifft ein tragbares Solarlehrmittel, das umfasst: ein tragbares Gehäuse, das einen Kastenkörper und eine Deckel beweglich miteinander verbunden; ein sonnenlichtanaloges Gerät, das eine solare analoge Lichtquelle umfasst, die in dem Kastenkörper fixiert; eine Solarenergieumwandlungsvorrichtung, die die Energie der Solaren analogen Lichtquelle in elektrische Energie umzuwandeln; und eine Vielzahl von Lehrelektrogerät, die elektrisch mit der Sonnenenergieumwandlervorrichtung verbunden sind, um zusammen zu arbeiten. Die sonnenlichtanaloge Vorrichtung, die Solarenergieumwandlungsvorrichtung und das Lehrelektrogerät werden in der tragbaren Gehäuse montiert, so dass die Lehrmittel bequem mitgenommen werden. Inzwischen kann das Sonne analoges Gerät durch kommerzielle Stromquelle in einem Klassenzimmer betrieben werden und erstrahlt. Das Sonnenlicht wird dann in die elektrische Energie durch die Solarenergieumwandlungsvorrichtung konvertiert, und die elektrische Energie wird an ...

STRUKTUR UND FERTIGUNGSVERFAHREN EINES DREIDIMENSIONALEN SYSTEMS EINER METALL-LEITERPLATTE, DIE VOR DEM HORIZONTALEN BESTÜCKEN GEÄTZT WIRD

Gegenstand ist eine horizontal bestückte, dreidimensionale, vor dem Bestücken geätzte System-Level-Metall-Leiterplatte, charakterisiert durch einen Metallsubstrat-Rahmen (1). Dieser Metallsubstrat-Rahmen (1) weist Basisbereiche (2) und Stifte (3) auf. Die Frontseiten der Basisbereiche (2) werden mit Chips (5) bestückt, die Frontseiten der Chips (5) sind über Metalldrähte (6) mit den Frontseiten der Stifte (3) verbunden. Auf den Front- oder den Rückseiten der Stifte (3) befinden sich Leitungspunkte (7). Die peripheren Bereiche der Basisbereiche (2), die Bereiche zwischen den Basisbereichen (2) und den Stiften (3), die Bereiche zwischen den Stiften (3), über den Basisbereichen (2) und den Stiften (3) und den Außenbereichen der Chips (5), die Metalldrähte (6) und die Leitungspunkte (7) sind mit Formmasse (8) vergossen und die Oberflächen des Rahmens aus Metall-Substrat (1), der Stifte (3) und der Leitungspunkte (7), die aus der Formmasse (8) herausragen, sind mit einer oxidationsbeständigen ...

Entgleisungsprädiktor-Erkennungssystem, Steuervorrichtung, Entgleisungsprädiktor- Erkennungsverfahren und Entgleisungsprädiktor-Erkennungsprogramm

Eine Wavelet-Analyse wird sowohl auf eine Nickwinkelgeschwindigkeit θ(t) als auch auf eine Rollwinkelgeschwindigkeit φ(t) angewendet, die von einem in einem Wagen eines Zuges eingebauten Winkelgeschwindigkeitssensor (35) ausgegeben werden, und ein Wavelet-Koeffizient (14) der Nickwinkelgeschwindigkeit und ein Wavelet-Koeffizient (15) der Rollwinkelgeschwindigkeit werden berechnet. Jeder der beiden Wavelet-Koeffizienten (14, 15), die sich in chronologischer Reihenfolge ändern, wird mit einem Wavelet-Koeffizientenschwellenwert (16) verglichen, und ein Entgleisungsprädiktor wird erkannt, wenn beide Koeffizienten den Schwellenwert übersteigen. Es werden Wavelet-Koeffizient verwendet, die für einen Niederfrequenzbereich von zum Beispiel 0,5 bis 100 Hz berechnet werden. Zwei Typen von Entgleisungsprädiktor-Erkennungsalgorithmen, von denen einer einen Frequenzbereich und der andere einen Zeitbereich einbezieht, werden kombiniert, um eine Genauigkeit einer Erkennung eines Entgleisungsprädiktors ...

Halbleiterbauelement mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε und E-Sicherungen, die in dem Halbleitermaterial hergestellt sind

Es wird eine halbleiterbasierte elektronische Sicherung in einem komplexen Halbleiterbauelement bereitgestellt, das eine Vollsubstratkonfiguration besitzt, indem die elektronische Sicherung in ein Halbleitermaterial mit reduzierter Leitfähigkeit in geeigneter Weise eingebettet wird. Beispielsweise wird ein Silizium/Germanium-Sicherungsgebiet in dem Siliziumbasismaterial vorgesehen. Folglich können komplexe Gateelektrodenstrukturen auf der Grundlage von Austauschgateverfahren in Vollsubstratbauelementen hergestellt werden, ohne dass im Wesentlichen die elektronischen Eigenschaften der elektronischen Sicherungen beeinflusst werden.

Halbleitervorrichtung mit einer Bonding-Fläche und einer Abschirmungsstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben

Eine Halbleitervorrichtung mit: einem Vorrichtungssubstrat (310) mit einer Vorderseite (312) und einer Rückseite (314), die einer ersten Seite bzw. einer zweiten Seite der Halbleitervorrichtung entsprechen; einer auf der Vorderseite (312) des Vorrichtungssubstrats (310) ausgebildeten Metallstruktur (342); einem auf der zweiten Seite der Halbleitervorrichtung angeordneten Bonding-Pad (374), das in einer elektrischen Verbindung mit der Metallstruktur (342) steht; und einer auf der Rückseite (314) des Vorrichtungssubstrats (310) angeordneten Metallabschirmungsstruktur (376), wobei die Metallabschirmungsstruktur (376) und das Bonding-Pad (374) unterschiedliche Dicken aufweisen.

Fluoreszenzpulver zum Herstellen von Weiß-Licht-Emittierenden-Dioden großer Helligkeit und Weiß-Licht-Emittierende Vorrichtung

Zusammensetzung eines Fluoreszenzmaterials, welches die Formel (YxTbyCez)Al5O12 hat, wobei x + y = 3, x, y 0, 0 < z < 0,5, wobei das (YxTby)Al5O12 ein Wirt desselben ist und Ce ein Aktivator desselben ist, und wobei mittels Einstellens der Metallkomponente des (YxTby)Al5O12 Wirts des Fluoreszenzmaterials ein Kristallfeld desselben moduliert werden kann, wodurch eine Wellenlänge von Licht, welches von dem Fluoreszenzmaterial emittiert wird, geändert wird.

Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement als Stegtransistor, der auf einem strukturierten STI-Gebiet durch eine späte Stegätzung hergestellt ist

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden dreidimensionale Transistoren in Verbindung mit planaren Transistoren auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens und selbstjustierten Kontaktelementen hergestellt, indem die Halbleiterstege in einer frühen Fertigungsphase erzeugt werden, d. h. bei der Ausbildung flacher Grabenisolationen, wobei die endgültige elektrisch wirksame Höhe der Halbleiterstege nach dem Bereitstellen von selbstjustierten Kontaktelementen und während des Austauschgateverfahrens eingestellt wird.

Druckschalter

Druckschalter (2, 3, 4, 5, 6), umfassend:- ein Gehäuse (20, 30, 31, 40, 41, 50, 51, 60, 61);- eine Tastenkappe (22, 32, 42, 52, 62); und- eine Aufhängung (24, 34, 44, 54, 64), welche zwischen dem Gehäuse (20, 30, 40, 50, 60) und der Tastenkappe (22, 32, 42, 52, 62) angeordnet ist und drehbar jeweils mit der Tastenkappe (22, 32, 42, 52, 62) und dem Gehäuse (20, 30, 40, 50, 60) verbunden ist, wobei die Tastenkappe (22, 32, 42, 52, 62) eingerichtet ist, sich über die Aufhängung (24, 34, 44, 54, 64) zwischen einer nicht-gedrückten Position und einer gedrückten Position zu bewegen;- wobei das Gehäuse (30, 41, 51, 61) oder die Tastenkappe (22) einen ersten magnetischen Bereich (26, 36, 410, 56, 66) hat und die Aufhängung (24, 34, 44, 54, 64) einen zweiten magnetischen Bereich (244, 344, 46, 544, 644) hat, der mit dem ersten magnetischen Bereich (26, 36, 410, 56, 66) korrespondiert; wobei, wenn die Tastenkappe (22, 32, 42, 52, 62) nicht gedrückt ist, eine magnetische Anziehungskraft zwischen dem ...

Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung (200), die Folgendes umfasst:einen ersten aktiven Bereich (205) benachbart zu einer ersten Seite (256) eines Grabenisolierungsbereichs, eines STI-Bereichs (209), wobei der erste aktive Bereich (205) Folgendes umfasst:- einen ersten proximalen Grat (252) benachbart zu dem STI-Bereich (209), der eine erste proximale Grathöhe (226) aufweist; und- einen ersten distalen Grat (254) benachbart zu dem ersten proximalen Grat (252), der eine erste distale Grathöhe (224) aufweist;einen zweiten aktiven Bereich (207) benachbart zu einer zweiten Seite (258) des STI-Bereichs (209), wobei der zweite aktive Bereich (207) Folgendes umfasst:- einen zweiten proximalen Grat (253) benachbart zu dem STI-Bereich (209), der eine zweite proximale Grathöhe (227) aufweist; und- einen zweiten distalen Grat (255) benachbart zu dem zweiten proximalen Grat (253), der eine zweite distale Grathöhe (225) aufweist; undein Oxid (230) des STI-Bereichs (209), das in einer Öffnung in einer Oberseite einer ...

Anschlussklemmenblock

Ein Anschlussklemmenblock wird so angepasst, dass er mit einem Draht (6) verbunden wird, und weist einen isolierenden Sockelsitz (2) sowie eine Klemmeinheit (3) auf. Der isolierende Sockelsitz (2) weist erste und zweite Sitzabschnitte (21, 22) auf, die miteinander zusammenwirken, um einen Durchlass (23) und einen Aufnahmeraum (24) zu definieren, der mit dem Durchlass (23) in Verbindung steht. Die Klemmeinheit (3) weist ein Positionierelement (31) auf, das mit dem ersten Sitzabschnitt (21) verbunden ist und eine obere Presszone (311) hat, sowie ein Federelement (32), das einen Sockelabschnitt (321), der sich in der Nähe des zweiten Sitzabschnitts (22) befindet, sowie einen federnden Armabschnitt (324) aufweist, der mit dem Sockelabschnitt verbunden ist, der eine untere Presszone (327) aufweist, die sich in Richtung des Positionierelements (31) erstreckt. Die oberen und unteren Presszonen (311, 327) sind so angepasst, dass sie ein Endsegment des Drahtes (6) federnd zwischen sich einspannen ...

OLED-Anzeigefeld und elektronische Vorrichtung, die dieses umfasst

Die vorliegende Erfindung betrifft ein OLED-Anzeigefeld mit einer ersten Elektrode und einer ersten Lochtransportschicht, einer zweiten Lochtransportschicht, und einer Elektronentransportschicht, welche auf der ersten Elektrode sequentiell gestapelt sind, und einer darauf ausgebildeten zweiten Elektrode; mindestens zwei Leuchteinheiten sind auf der zweiten Lochtransportschicht vorgesehen; die Elektronentransportschicht bedeckt die Leuchteinheiten; das Material der Elektronentransportschicht füllt die Lücke(n) zwischen benachbarten Leuchteinheiten; die erste Lochtransportschicht umfasst ein Lochtransportmaterial, das eine Lochbeweglichkeit von 9×10-5×10cm/V·S und eine Löslichkeit von 10 g/L oder höher in einer Maskenreinigungslösung bei 25°C aufweist. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Lochtransportmaterial mit einer spezifischen Lochbeweglichkeit als gemeinsame Lochtransportschicht verwendet, wodurch ein Übersprechen zwischen unterschiedlichen Pixeln vermieden werden kann, während ...

Erfassen einer offenen Verbindung einer Hilfswicklung bei einer Schaltmodus-Energieversorgung

Ein Leistungswandler, der einen Transformator aufweist mit einer Primärwicklung, die mit einer Eingangsspannung gekoppelt ist, einer Sekundärwicklung, die mit einem Ausgang des Leistungswandlers gekoppelt ist, und einer Hilfswicklung, ist konfiguriert zum Erfassen eines „offene Verbindung”-Fehlers der Hilfswicklung. Der Leistungswandler umfasst eine Stromquelle, die mit der Hilfswicklung gekoppelt ist, die, wenn aktiviert, einen Strom an die Hilfswicklung liefert. Eine Steuervorrichtung misst eine Spannung über die Hilfswicklung. In Reaktion auf ein Erfassen einer Zunahme der Spannung über die Hilfswicklung, während die Stromquelle aktiviert ist, deaktiviert die Steuervorrichtung den Leistungswandler.

Führungsvorrichtung für eine Schiebetür

Eine Führungsvorrichtung für eine Schiebetür, gekennzeichnet durch: eine sich in Längsrichtung (X) erstreckende Basissitzfläche (10), die mindestens eine Führungsnut (15, 16) aufweist, die sich in einer Querrichtung (Y) quer zu der Längsrichtung (X) erstreckt; und ein Paar Seitenwandeinheiten (20), die jeweils Folgendes umfassen: ein starres Seitenwandteil (30), das mit der Basissitzfläche (10) verbunden und relativ zu der Basissitzfläche (10) in Querrichtung (Y) beweglich ist sowie mindestens einen Führungsschenkel (32, 33) aufweist, der gleitend in die mindestens eine Führungsnut (15, 16) eingreift, wobei die starren Seitenwandteile (30) der Seitenwandeinheiten (20) einen Spalt (60) ausbilden, und ein Positionierelement (40), das an einem der starren Seitenwandteile (30) und der Basissitzfläche (10) befestigt ist und lösbar an das andere der starren Seitenwandteile (30) und die Basissitzfläche (10) stößt, um das starre Seitenwandteil (30) an der Basissitzfläche (10) zu arretieren und ...

Halbleiter-Bauelement und Verfahren

Ein Halbleiter-Bauelement weist Folgendes auf: ein Substrat; eine erste Umverteilungsschicht (RDL) über einer ersten Seite des Substrats; eine oder mehrere Halbleiter-Dies, die über der ersten RDL angeordnet sind und mit dieser elektrisch verbunden sind; und ein Verkapselungsmaterial über der ersten RDL und um den einen oder die mehreren Halbleiter-Dies. Das Halbleiter-Bauelement weist weiterhin Anschlüsse auf, die an einer zweiten Seite des Substrats befestigt sind, die der ersten Seite gegenüberliegt, wobei die Anschlüsse elektrisch mit der ersten RDL verbunden sind. Das Halbleiter-Bauelement weist weiterhin eine Polymerschicht auf der zweiten Seite des Substrats auf, wobei die Anschlüsse von der Polymerschicht her über eine erste Oberfläche der Polymerschicht überstehen, die von dem Substrat entfernt ist. Ein erster Teil der Polymerschicht, der die Anschlüsse kontaktiert, hat eine erste Dicke, und ein zweiter Teil der Polymerschicht zwischen benachbarten Anschlüssen hat eine zweite Dicke ...

FINNEN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-BAUELEMENT UND VERFAHREN

Ein Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Entfernen eines ersten Teils einer Dummy-Gate-Struktur über einer ersten Finne, wobei ein zweiter Teil der Dummy-Gate-Struktur über einer zweiten Finne bestehen bleibt, wobei durch das Entfernen des ersten Teils eine erste Aussparung entsteht, die die erste Finne freilegt; Abscheiden eines ersten dielektrischen Gate-Materials in der ersten Aussparung und über der ersten Finne; und Entfernen des zweiten Teils der Dummy-Gate-Struktur über der zweiten Finne, wobei durch das Entfernen des zweiten Teils eine zweite Aussparung entsteht, die die zweite Finne freilegt. Das Verfahren umfasst weiterhin Folgendes: Abscheiden eines zweiten dielektrischen Gate-Materials in der zweiten Aussparung und über der zweiten Finne, wobei das zweite dielektrische Gate-Material das erste dielektrische Gate-Material kontaktiert; und Füllen der ersten Aussparung und der zweiten Aussparung mit einem leitfähigen Material.

NASSÄTZCHEMIKALIE FÜR SELEKTIVE SILIZIUMÄTZUNG

Bei einem Integrationsschema für eine Metall-Gate-Ersetzung beschreibt die vorliegende Erfindung das Entfernen einer Polysilizium-Gate-Elektrode mit einer hoch selektiven Nassätzchemikalie, ohne umgebende Schichten zu beschädigen. Die Nassätzchemikalie kann zum Beispiel Folgendes aufweisen: eine oder mehrere alkalische Lösungsmittel mit einer Aminstruktur mit sterischer Hinderung; ein Puffersystem, das Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) und Monoethanolamin (MEA) umfasst; ein oder mehrere polare Lösungsmittel; und Wasser.

VERFAHREN UND SYSTEM(E) FÜR DAS MANAGEMENT VON FRACHTFAHRZEUGEN

Diese Offenlegung stellt (ein) Verfahren und (ein) System(e) für das Management von Frachtfahrzeugen bereit. In einem Aspekt wird ein Verfahren zum Bestimmen des Volumens des Frachtraums von einem Fahrzeugs in Echtzeit offengelegt. Das Verfahren umfasst das Erzeugen eines ersten Raummodells des Frachtraumes anhand von Bildern aus einer Vielzahl von Kameras (208), einschließlich mindestens einer Kamera zur Erfassung von Tiefe und Farbe, die in und um den Frachtraum positioniert sind, die ein aktualisiertes Raummodell des Frachtraums unter Verwendung der Bilder von der Mehrzahl von Kameras (208) erzeugen. Nach dem Erfassen von Gegenständen, die in den Frachtraum eingeladen oder aus dem Frachtraum ausgeladen werden, Schätzen des Volumens der geladenen Gegenstände im aktualisierten Raummodell und Bestimmen des verbleibenden Volumens im Frachtraum, basierend auf dem geschätzten Volumen der geladenen Gegenstände, und Einschätzen des Gesamtvolumens der Fracht, basierend auf dem ersten Raummodell ...

INFO-POP-STRUK'I'UREN MIT HOHLRÄUME AUFWEISENDEN TIVS

Ein Verfahren beinhaltet ein Aufdosieren einer Opferregion über einem Träger und Bilden eines Metallstabs über dem Träger. Der Metallstab überlappt zumindest einen Abschnitt der Opferregion. Das Verfahren beinhaltet ferner ein Einkapseln des Metallstabs und der Opferregion in einem Einkapselungsmaterial, Abnehmen des Metallstabs, der Opferregion und des Einkapselungsmaterials vom Träger und Entfernen zumindest eines Abschnitts der Opferregion, um eine sich von einem Niveau einer Fläche des Einkapselungsmaterials aus in das Einkapselungsmaterial hinein erstreckende Vertiefung zu bilden.

Ultraschall-Partikelmesssystem

Ultraschall-Partikelmesssystem (1) mit einem Ultraschallwandler (2), welcher zumindest ein Ultraschallwandlerelement (4) aufweist, und einem Messumformer, wobei vom Ultraschallwandlerelement (4) im Betrieb akustische Signale aussendbar und empfangbar sind, wobei der Messumformer umfasst: eine Sendestufe zur Anregung des Ultraschallwandlers zum Aussenden eines vorgegebenen Ultraschallsignals, eine Empfangsstufe zur Detektion von elektrischen Signalen vom Ultraschallwandler, erzeugt aus empfangenen Ultraschallsignalen, ein Fi; ein Verstärker zum Verstärken der elektrischen Signale, ein Offset-Schaltung um einen Offset in den elektrischen Signalen zu eliminieren, einen Quadrierer zum Quadrieren der elektrischen Signale, einen Vergleicher zum Vergleichen der elektrischen Signale mit einem vorgegebenen Schwellwert, einen Zähler zum Zählen der elektrischen Signale, welche in einem vorgegebenen zeitlichen Intervall, eine Amplitude aufweisen, welche über dem vorgegebenen Schwellwert liegt.

STRUKTUR UND BILDUNGSVERFAHREN FÜR FIN-ARTIGEN FELDEFFEKTTRANSISTOR

Es werden eine Struktur und ein Bildungsverfahren einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung enthält eine Halbleiterträgerschicht und eine Fin-Struktur über der Halbleiterträgerschicht. Die Halbleitervorrichtung enthält auch einen Gate-Stapel, der einen Abschnitt der Fin-Struktur bedeckt, und eine epitaxial gezüchtete Source/Drain-Strukturen über der Fin-Struktur und neben dem Gate-Stapel. Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine Halbleiterschutzschicht über der epitaxial gezüchteten Source/Drain-Struktur. Die Halbleiterschutzschicht hat eine atomare Kohlenstoffkonzentration, die höher als jene der epitaxial gezüchteten Source/Drain-Struktur ist.

Rollsteuerungsvorrichtung für einen Fahrzeugrollo

Eine Rollsteuerungsvorrichtung (6) für einen Fahrzeugrollo weist eine unidirektionale Übertragungsvorrichtung (7) und eine Dämpfungsanordnung (8) auf. Die unidirektionale Übertragungsvorrichtung (7) weist einen Getriebesockel (10), mehrere Planetenzahnräder (20) und ein Übertragungsrad (30) auf. Der Getriebesockel (10) weist ein Antriebssegment (12) auf, das mit mehreren Aufnahmeaussparungen (15) und mehreren Beschränkungssegmenten (18) versehen ist. Die Planetenzahnräder (20) sind jeweils drehbar und verschiebbar in den Aufnahmeaussparungen (15) montiert und werden jeweils selektiv von den Beschränkungssegmenten (18) beschränkt, um sich mit dem Getriebesockel (10) zu drehen. Das Übertragungsrad (30) ist drehbar mit dem Getriebesockel (10) kombiniert und weist ein Übertragungszahnrad (32) auf. Die Dämpfungsanordnung (8) ist mit der unidirektionalen Übertragungsvorrichtung (7) verbunden und weist ein getriebenes Zahnrad (40) und eine Dämpfungsvorrichtung (50) auf.

HYBRIDE BONDINSELSTRUKTUR

Die vorliegende Erfindung betrifft einen mehrdimensionalen integrierten Chip, der eine Umverdrahtungsschicht aufweist, die sich vertikal zwischen integrierten Chip-Dies erstreckt, die seitlich von einer rückwärtigen Bondinsel versetzt sind. Der mehrdimensionale integrierte Chip weist einen ersten integrierten Chip-Die mit ersten mehreren Metallverbindungsschichten auf, die innerhalb einer ersten dielektrischen Zwischenschicht angeordnet sind, die auf einer Vorderseite eines ersten Halbleitersubstrats angeordnet ist. Der mehrdimensionale integrierte Chip weist auch einen zweiten integrierten Chip-Die mit zweiten mehreren Metallverbindungsschichten auf, die innerhalb einer zweiten dielektrischen Zwischenschicht angeordnet sind, die an die erste ILD-Schicht anstößt. Eine Bondinsel ist innerhalb einer Aussparung angeordnet, die sich durch das zweite Halbleitersubstrat erstreckt. Eine Umverdrahtungsschicht erstreckt sich vertikal zwischen den ersten mehreren Metallverbindungsschichten und den ...

Struktur eines Finnen-Feldeffekttransistorbauelements (FinFET- Bauelement) mit Zwischenverbindungsstruktur

Halbleitervorrichtungsstruktur, die umfasst:eine erste Metallschicht (104), die über einem Substrat (102) gebildet wird;eine dielektrische Schicht (112), die über der ersten Metallschicht (104) gebildet wird;eine Haftschicht (130), die in der dielektrischen Schicht (112) und über der ersten Metallschicht (104) gebildet wird; undeine zweite Metallschicht (142), die in der dielektrischen Schicht (112) gebildet wird, wobei die zweite Metallschicht (142) elektrisch mit der ersten Metallschicht (104) verbunden ist, wobei ein Abschnitt der Haftschicht (130) zwischen der zweiten Metallschicht (142) und der dielektrischen Schicht (112) gebildet wird, und wobei die Haftschicht (130) einen ersten Abschnitt (130a), der einen oberen Abschnitt der zweiten Metallschicht (142) säumt, umfasst und wobei der erste Abschnitt (130a) einen erweiterten Abschnitt entlang einer vertikalen Richtung aufweist;dadurch gekennzeichnet, dass die Haftschicht (130) ferner einen zweiten Abschnitt (130b) unter dem ersten ...

Durchkontaktierungsstruktur und Verfahren davon

Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, das eine Kanalregion; einen Gate-Stapel über der Kanalregion; einen Dichtungsabstandhalter, der eine Seitenwand des den Gate-Stapels abdeckt, wobei der Dichtungsabstandhalter Siliziumnitrid enthält; einen Gateabstandhalter, der eine Seitenwand des Dichtungsabstandhalters abdeckt, wobei der Gateabstandhalter Siliziumoxid enthält, und der Gateabstandhalter einen ersten vertikalen Abschnitt und einen ersten horizontalen Abschnitt aufweist; und eine erste Dielektrikumslage, die eine Seitenwand des Gate-Abstandhalters abdeckt, wobei die erste Dielektrikumslage Siliziumnitrid enthält, aufweist.

HALBLEITER-WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN

Ein Halbleiter-Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet einen Schritt zum Ausbilden einer laserbearbeiteten Nut an der ersten vorderen Seite des Halbleiter-Wafers entlang jeder Teilungslinie, einen Schritt zum Ausbilden einer Maskenschicht an einer Schutzschicht mit Ausnahme eines Bereichs oberhalb einer Metallelektrode, die in jedem Bauelement an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet ist, einen ersten Ätzschritt zum Ätzen der Schutzschicht unter Verwendung der Maskenschicht, um jede Metallelektrode freizulegen, einen zweiten Ätzschritt zum Ätzen der inneren Oberfläche von jeder laserbearbeiteten Nut unter Verwendung der Maskenschicht, die in dem ersten Ätzschritt verwendet wird, wodurch jede laserbearbeitete Nut freigelegt wird, und einen Teilungsschritt zum Teilen des Wafers entlang jeder laserbearbeiteten Nut, die in dem zweiten Ätzschritt ausgedehnt wurde.

PROJEKTIONSLINSE UND PROJEKTIONSVORRICHTUNG

Projektionslinse (300), die zum Projizieren eines Bildstrahls (L2) geeignet ist, wobei der Bildstrahl (L2) durch Wandeln eines auf ein Lichtventil (200) gestrahlten Beleuchtungsstrahls (L1) durch das Lichtventil (200) ausgebildet ist, und die Projektionslinse (300) auf einem Übertragungspfad des Bildstrahles (L2) angeordnet ist und die Projektionslinse (300) umfasst:- eine erste Linsengruppe (310) mit einer ersten sphärischen Linse (G1) und einer ersten asphärischen Linse (A1), wobei der Bildstrahl (L2) durch die erste Linsengruppe (310) läuft, um ein einziges Zwischenbild (S) zu erzeugen;- eine zweite Linsengruppe (320) mit einer zweiten sphärischen Linse (G2) und einer zweiten asphärischen Linse (A2); und- einem ebenen Reflektor (M), der auf dem Transmissionspfad des Bildstrahls (L2) angeordnet ist, wobei die zweite Linsengruppe (320) zwischen der ersten Linsengruppe (310) und dem ebenen Reflektor (M) angeordnet ist, und der ebene Reflektor (M) zum Reflektieren des Bildstrahles (L2) von ...

SCARA-Roboter mit Direktantrieb

SCARA-Roboter (10), umfassend:eine Basis (20);einen ersten Arm (30), der an der Basis (20) befestigt und um eine erste imaginäre Achse relativ zu der Basis (20) rotierbar ist;einen zweiten Arm (40), der an dem ersten Arm (30) befestigt und um eine zweite imaginäre Achse (L2) relativ zu dem ersten Arm (30) rotierbar ist, wobei die zweite imaginäre Achse (L2) im Wesentlichen parallel zu der ersten imaginären Achse (L1) ist;einen Wellenmotor (50), umfassend ein Fixierungselement (52), das an dem zweiten Arm (40) befestigt ist, und eine Achse (54), die relativ zu dem Fixierungselement (52) entlang einer dritten imaginären Achse (L3) bewegbar ist, wobei die dritte imaginäre Achse (L3) im Wesentlichen parallel zu der ersten imaginären Achse (L1) ist, wobei die Bewegung entlang der Achse (L3) nur durch den Wellenmotor angetrieben wird; undeinen Rotationsmotor (80), der in dem zweiten Arm (40) befestigt ist und angepasst ist, die Achse (54) um die dritte imaginäre Achse (L3) zu rotieren;wobei der ...

Nahfeldkommunikations- und Drahtlosladevorrichtung und Schaltverfahren zur Verwendung derselben

Eine Nahfeldkommunikations- und Drahtlosladevorrichtung umfasst eine Spule, ein Abstimmungsmodul, ein Nahfeldkommunikationsmodul, ein Drahtloslademodul und eine Leistungsspeichervorrichtung. Die Spule ist konfiguriert, um elektromagnetische Wellen zu empfangen. Das Abstimmungsmodul ist mit der Spule elektrisch verbunden. Das Nahfeldkommunikationsmodul umfasst einen Abschwächer und eine Nahfeldkommunikationssteuerschaltung. Der Abschwächer ist konfiguriert, um die Energie der elektromagnetischen Wellen, die von dem Abstimmungsmodul übertragen werden, abzuschwächen. Die Nahfeldkommunikationssteuerschaltung ist mit dem Abschwächer elektrisch verbunden. Die Leistungsspeichervorrichtung ist mit dem Drahtloslademodul elektrisch verbunden. Elektromagnetische Wellen koppeln sich magnetisch an die Spule und die Spule überträgt Signale der elektromagnetischen Wellen über das Abstimmungsmodul auf das Nahfeldkommunikationsmodul oder überträgt die Energie der elektromagnetischen Wellen über das Abstimmungsmodul ...

Verbesserte Konstruktion eines Innenpermanentmagnetmotors

Die vorliegende Erfindung stellt eine verbesserte Konstruktion des Innenpermanentmagnetmotors bereit, bei der die Breite des ringförmigen Luftspalts zwischen dem Stator und dem Rotor in jedem Bereich des Polabstands jeweils einen Maximalwert und einen Minimalwert aufweist, wodurch sich der Magnetfluss des Luftspalts einer Sinuswelle annähert.

Hohlgetriebe

Hohlgetriebe, umfassend: • einen Hohlwellengenerator (30), dessen eines Ende mit einem Wellenerzeugungsteil (31) mit einer Ovalnut (311) ausgebildet ist, • einen flexiblen Lagerring (40) mit einer Innenfläche und einer Außenfläche, welcher in der Ovalnut (311) des Hohlwellengenerators (30) so eingebaut ist, dass die Außenfläche an der Ovalnut (311) liegt und sich der flexible Lagerring somit durch die Ovalnut (311) zum Bewegen mitnehmen lässt, • einen Flexspline (50), welcher als ein flexibel verformbarer Ring mit einem Innenverzahnungsteil (51) an einem Ende ausgebildet ist, wobei der Innenverzahnungsteil (51) eine Innenumfangsfläche und eine Außenumfangsfläche aufweist, wobei die Innenumfangsfläche mit mehreren Innenverzahnungen (511) versehen ist, während die Außenumfangsfläche die Innenfläche des flexiblen Lagerrings (40) umhüllt, so dass der Flexspline durch den flexiblen Lagerring (40) zum Drehen mitgenommen wird, • ein starres Zahnrad (60), dessen ringförmige Außenumfangsfläche mit ...

GESTAPELTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIT UMVERTEILUNGSLEITUNGEN

Eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst einen ersten und einen zweiten Halbleiterchip. Der erste Halbleiterchip umfasst ein erstes Substrat und mehrere erste dielektrische Schichten, die unter dem ersten Substrat liegen. Der zweite Halbleiterchip umfasst ein zweites Substrat und mehrere zweite dielektrische Schichten über dem zweiten Substrat, wobei die mehreren ersten und zweiten dielektrischen Schichten mit einander gebondet sind. Eine Metall-Anschlussstelle liegt in den mehreren zweiten dielektrischen Schichten. Eine Umverteilungsleitung liegt über dem ersten Substrat. Ein Kontaktstöpsel ist mit der Umverteilungsleitung elektrisch verbunden. Der Kontaktstöpsel umfasst einen ersten Abschnitt, der sich von einer oberen Fläche des ersten Substrats zu einer unteren Fläche des ersten Substrats erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich von der unteren Fläche des ersten Substrats zu der Metall-Anschlussstelle erstreckt. Eine untere Fläche des zweiten Abschnitts berührt eine obere ...

Kontakt-Radar-Messer

Kontakt-Radar-Messer, bestehend aus einem Gehäuse und einer Antennenbaugruppe, wobei das Gehäuse mit einer eingebauten Radiofrequenz-Leiterplatte versehen ist, mit welcher die Antennenbaugruppe elektrisch verbunden ist, während die Antennenbaugruppe eine Anschlusseinheit, eine Anpassungseinheit, eine Signalüberleitungseinheit und eine Frequenzselektoreinheit aufweist, wobei die Anschlusseinheit zum Übertragen der Tastsignale dient, während die Anpassungseinheit zum Übertragen der Signale mit der Anschlusseinheit elektrisch verbunden ist, wobei die Signalüberleitungseinheit im Einklang mit der Anpassungseinheit wirkt und zum Übertragen der Tastsignale sowie zum Empfangen der Reflektionssignale dient, wobei zwischen der Anpassungseinheit und der Signalüberleitungseinheit die Frequenzselektoreinheit eingefügt ist, die mit einer isolierten Druckbeständigkeit zum Verstärken des Signal-Rausch-Verhältnisses dient. Bei dieser Bauform lässt sich die Wellenform zum Durchführen der Frequenzbänder ...

Wechselstromgeneratorvorrichtung und Spannungsumsetzer hierfür

Es werden eine Wechselstromgeneratorvorrichtung und ein Spannungsumsetzer hierfür geschaffen. Der Spannungsumsetzer umfasst eine Spannungsumsetzungsschaltung und eine Hilfsschaltung. Die Spannungsumsetzungsschaltung weist ein erstes Leistungsende, ein zweites Leistungsende und einen Induktor auf. Die Spannungsumsetzungsschaltung setzt eine erste Spannung am ersten Leistungsende um, um eine zweite Spannung am zweiten Leistungsende während einer Betriebszeitdauer zu erzeugen, oder die Spannungsumsetzungsschaltung setzt die zweite Spannung am zweiten Leistungsende um, um die erste Spannung am ersten Leistungsende während der Betriebszeitdauer zu erzeugen. Die Hilfsschaltung bildet eine erste Schleife zwischen dem ersten Leistungsende und dem Induktor während einer Rücksetzzeitdauer oder bildet eine zweite Schleife zwischen dem zweiten Leistungsende und dem Induktor während der Rücksetzzeitdauer oder bildet eine dritte Schleife in der Hilfsschaltung.

Einstellen der Schwellenspannung durch metastabile Plasmabehandlung

Ein Verfahren umfasst ein Ausbilden einer ersten High-k-Dielektrikumsschicht über einem ersten Halbleiterbereich, Ausbilden einer zweiten High-k-Dielektrikumsschicht über einem zweiten Halbleiterbereich, Ausbilden einer ersten Metallschicht, die einen ersten Abschnitt über der ersten High-k-Dielektrikumsschicht und einen zweiten Abschnitt über der zweiten High-k-Dielektrikumsschicht umfasst, Ausbilden einer Ätzmaske über dem zweiten Abschnitt der ersten Metallschicht und Ätzen des ersten Abschnitts der ersten Metallschicht. Die Ätzmaske schützt den zweiten Abschnitt der ersten Metallschicht. Die Ätzmaske wird mit metastabilem Plasma verascht. Eine zweite Metallschicht wird dann über der ersten High-k-Dielektrikumsschicht ausgebildet.

Verfahren zur Herstellung einer Radanordnung für ein Leichtbaufahrzeug

Ein Verfahren zur Herstellung einer Radanordnung (1) für ein Leichtbaufahrzeug umfasst die folgenden Schritte: (a) Bereitstellen eines Rads (2), das eine Felge (21) umfasst, die eine vertiefte Außenfläche (211) aufweist; (b) Anordnen eines Schaumreifenkerns (3) an dem Rad (2), sodass eine ringförmige Innenfläche (31) des Schaumreifenkerns (3) an der vertieften Außenfläche (211) der Felge (21) anliegt, (c) Auftragen eines Haftvermittlers (5) auf eine Innenfläche eines Gummimantels (4) und/oder eine ringförmige Außenfläche (32) des Schaumreifenkerns (3), und (d) Wickeln des Gummimantels (4) auf den Schaumreifenkern (3), sodass die Innenfläche des Gummimantels (4) in Press-Wirkverbindung mit der ringförmigen Außenfläche (32) des Schaumreifenkerns (3) gebracht wird.

Steuersatz eines Fahrrades

Die Erfindung betrifft einen Steuersatz eines Fahrrades, der an einem Steuerrohrsatz montiert wird, wobei der Steuerrohrsatz ein Steuerrohr (91) und einen Vorderradgabelschaft (92), der relativ zu der axialen Richtung drehbar ist, beinhaltet und der Steuersatz ein erstes Befestigungselement (1) und mindestens ein Druckelement (2) umfasst, wobei das Befestigungselement (1) drehfest an der Innenwand des Steuerrohrs (91) angeordnet ist und mindestens eine Widerstandsstruktur (11) und einen ersten Blockierabschnitt (12) aufweist, wobei das mindestens ein Druckelement (2) die mindestens eine Widerstandsstruktur (11) drücken und die radiale Abmessung der Widerstandsstruktur (11) vergrößern kann, und wobei, wenn das erste Befestigungselement (1) und der Vorderradgabelschaft (92) relativ gedreht werden, der mindestens eine erste Blockierabschnitt (12) und der mindestens eine zweite Blockierabschnitt (31) an dem Vorderradgabelschaft (92) einander blockieren können.

VERFAHREN UND SYSTEM ZUR INDUSTRIEROBOTER-BEWEGUNGSSTEUERUNG

Ein Verfahren zur Planung von Roboterbewegungen unter Verwendung eines externen Computers, der mit einer Robotersteuerung kommuniziert, wird aufgezeigt. Eine Kamera oder ein Sensorsystem liefert dem Computer Informationen über die Eingangsszene, einschließlich Start- und Zielpunkte und Hindernisdaten. Der Computer plant eine Roboterwerkzeugbewegung auf der Grundlage der Start- und Zielpunkte sowie der Hindernisumgebung, wobei die Roboterbewegung entweder mit einer seriellen oder einer parallelen Kombination von auf Abtastung basierenden und optimierungsbasierten Planungsalgorithmen geplant wird. Bei der seriellen Kombination findet das Abtastungsverfahren zunächst einen gangbaren Pfad, und das Optimierungsverfahren verbessert dann die Pfadqualität. Bei der parallelen Kombination werden sowohl Abtastungs- als auch Optimierungsverfahren verwendet, und ein Pfad wird auf der Grundlage von Rechenzeit, Pfadqualität und anderen Faktoren ausgewählt. Der Computer konvertiert dichte geplante Wegpunkte ...

Neue Elektrolyte zur Verbesserung der Sauerstoffreduktionsreaktion (ORR) in der Kathodenschicht einer Protonenaustausch-Brennstoffzelle

EUV-PELLIKEL UND VERFAHREN ZUR MONTAGE AUF EINER FOTOMASKE

Bei einem Verfahren zum Demontieren eines Pellikels von einer Fotomaske wird die Fotomaske mit dem Pellikel auf einen Pellikel-Halter gelegt. Das Pellikel ist durch eine Vielzahl von Mikrostrukturen an der Fotomaske befestigt. Die mehreren Mikrostrukturen werden von der Fotomaske abgelöst, indem eine Kraft oder Energie auf die mehreren Mikrostrukturen ausgeübt wird, bevor oder ohne dass eine Zugkraft ausgeübt wird, um das Pellikel von der Fotomaske zu trennen. Das Pellikel wird von der Fotomaske abgelöst. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen besteht die Mehrzahl der Mikrostrukturen aus einem Elastomer.

BERÜHRUNGSANZEIGEVORRICHTUNG UND BERÜHRUNGSERKENNUNGSVERFAHREN

Berührungsanzeigevorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Berührungsanzeigefeld (1), das einen Berührungserfassungsbereich (12) und einen Nichtberührungserfassungsbereich (13) umfasst, eine Schutzabdeckplatte (2), die über dem Berührungsanzeigefeld (1) vorgesehen ist, wobei die Schutzabdeckplatte (2) einen Anzeigebereich (21) und einen den Anzeigebereich (21) umgebenden Nichtanzeigebereich (22) aufweist, wobei der Anzeigebereich (21) dem Berührungserfassungsbereich (12) entspricht und der Nichtanzeigebereich (22) einen Berührungstastenbereich (221) aufweist, wobei eine Fläche der Schutzabdeckplatte (2) nahe dem Berührungsanzeigefeld (1) als erste Fläche (23) definiert ist, eine Berührungstastenelektrode (2211) im Berührungstastenbereich (221) auf der ersten Fläche (23) vorgesehen ist, eine Berührungsübertragungselektrode (211) im Anzeigebereich (21) auf der ersten Fläche (23) vorgesehen ist und die Berührungstastenelektrode (2211) mit der Berührungsübertragungselektrode (211) elektrisch ...

Acrylpolymere, 1K-Beschichtungszusammensetzungen, die dieselben einschließen, und Mehrschichtbeschichtungssysteme, die eine Decklackschicht einschließen, die aus den 1K-Beschichtungszusammensetzungen gebildet wird

... 1K-Beschichtungszusammensetzung, umfassend: ein Acrylpolymer mit einer nominalen Tg von mindestens 25 °C, worin das Acrylpolymer umfasst: ein über freie Radikale polymerisiertes Rückgrat (Backbone) und anhängende Ketten, die daran gebunden sind, worin: eine erste anhängende Kette umfasst: ein erstes Segment, umfassend eine Esterverknüpfung und eine sekundäre Hydroxylgruppe; und ein zweites Segment, das mit dem ersten Segment verbunden ist und eine Esterverknüpfung und eine verzweigte Kohlenwasserstoffkette umfasst; und eine zweite anhängende Kette, umfassend eine primäre Hydroxylgruppe oder eine Urethan enthaltende Gruppe, die daraus gebildet ist; und einen Melamin-Quervernetzer, worin das Acrylpolymer ferner eine dritte anhängende Kette umfasst, die eine aromatische Gruppe umfasst, worin das Acrylpolymer ferner eine vierte anhängende Kette umfasst, die eine Esterverknüpfung und eine verzweigte Kohlenwasserstoffkette umfasst, worin das Acrylpolymer ferner eine fünfte anhängende Kette umfasst ...

LASERDRUCKVORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EIN FARBDYNAMIKBILD

Laserdruckvorrichtung für ein Farbdynamikbild, umfassend: ein optisches System; ein Aufzeichnungsmaterial (34); eine Pigmentbox (37); und eine Pigmentboxbewegungsanordnung (38), wobei: das Aufzeichnungsmaterial (34) umfasst: eine Refraktionsschicht (11, 21), die durch eine Mehrzahl von Mikrosphären oder Mikrolinsen geformt ist, und eine Abschattungsschicht (12, 22), die auf einer Fokusebene der Mehrzahl von Mikrosphären oder Mikrolinsen geformt ist; das optische System einen Laser (31) und einen Bildgenerator umfasst, wobei ein von dem Laser (31) emittiertes Laserlicht auf das Aufzeichnungsmaterial (34) einstrahlt, nachdem es von dem Bildgenerator verarbeitet wurde, wobei das auf das Aufzeichnungsmaterial (34) einstrahlende Laserlicht über die Refraktionsschicht (11, 21) auf die Abschattungsschicht (12, 22) fokussiert wird, und wobei ein Fokuspunkt auf der Abschattungsschicht (12, 22) geformt wird, wenn eine Energie des fokussierten Laserlichts größer ist als ein Verdampfungsschwellwert ...

Fußmatte mit intelligenter Leuchtfunktion

Fußmatte mit intelligenter Leuchtfunktion (1), umfassend: - einen Fußmattenkörper (10), der Folgendes umfasst: - eine Leuchteinrichtung (101), die am Rand des Fußmattenkörpers (10) angeordnet ist, und - eine Steuereinheit (102), die in dem Fußmattenkörper (10) eingebaut ist und Folgendes umfasst: - einen Speicher (12), in dem eine Leuchtzustandsliste der Leuchteinrichtung (101) gespeichert ist, in welcher Leuchtzustandsliste wiederum mehrere Leuchtzustände und mehrere den mehreren Leuchtzuständen zugeordnete Codes gespeichert sind, - eine Steuerung (14), die mit der Leuchteinrichtung (101) und dem Speicher (12) verbunden ist und dazu dient, anhand der mehreren Codes den Leuchtzustand der Leuchteinrichtung (101) zu steuern, und - eine drahtlose Sende-/Empfangseinrichtung (16), die mit der Steuerung (14) verbunden ist und dazu dient, ein Funksteuersignal zu empfangen und es auf die Steuerung (14) zu übertragen, wobei die Steuerung (14) durch Analysieren des Funksteuersignals einen Code ermittelt ...

Flacher pn-Übergang, der durch in-situ-Dotierung während des selektiven Aufwachsens einer eingebetteten Halbleiterlegierung mittels eines zyklischen Aufwachs-Ätz-Abscheideprozesses gebildet wird

Verfahren mit: Bilden von Aussparungen benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur in einem aktiven Gebiet eines Transistors, wobei die Aussparungen eine Seitenwandfläche und eine untere Fläche besitzen; Ausführen eines selektiven epitaktischen Wachstumsprozesses zur Herstellung einer Halbleiterlegierung in den Aussparungen, wobei der epitaktische Wachstumsprozess auf der Seitenwandfläche eine erste Wachstumsrate und auf der unteren Fläche eine zweite Wachstumsrate besitzt und wobei die erste Wachstumsrate kleiner ist als die zweite Wachstumsrate; und Einführen einer Dotierstoffsorte in eine Abscheideumgebung des epitaktischen Wachstumsprozesses nach dem Bilden eines ersten Teils der Halbleiterlegierung, um flache Drain- und Sourcegebiete zu bilden.

3D-SPEICHERARRAY-KONTAKTSTRUKTUREN

Eine Speicherarrayvorrichtung umfasst einen Stapel von Transistoren über einem Halbleitersubstrat, wobei ein erster Transistor des Stapels über einem zweiten Transistor des Stapels angeordnet ist. Der erste Transistor umfasst einen ersten Speicherfilm entlang einer ersten Wortleitung und eine erste Kanalregion entlang einer Sourceleitung und einer Bitleitung, wobei der erste Speicherfilm zwischen der ersten Kanalregion und der ersten Wortleitung angeordnet ist. Der zweite Transistor umfasst einen zweiten Speicherfilm entlang einer zweiten Wortleitung und eine zweite Kanalregion entlang der Sourceleitung und der Bitleitung, wobei der zweite Speicherfilm zwischen der zweiten Kanalregion und der zweiten Wortleitung angeordnet ist. Die Speicherarrayvorrichtung umfasst eine erste Durchkontaktierung, die elektrisch mit der ersten Wortleitung verbunden ist, und eine zweite Durchkontaktierung, die elektrisch mit der zweiten Wortleitung verbunden ist, wobei die zweite Treppendurchkontaktierung und ...

HALBLEITERSTRUKTUR MIT SPEICHERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Eine Halbleiterstruktur weist Folgendes auf: ein Substrat; eine Interconnect-Struktur, die über dem Substrat angeordnet ist; und eine erste Speicherzelle. Die erste Speicherzelle ist über dem Substrat angeordnet und ist in dielektrische Schichten der Interconnect-Struktur eingebettet. Die erste Speicherzelle weist einen ersten Transistor und eine erste Datenspeicherstruktur auf. Der erste Transistor ist auf einer ersten dielektrischen Basisschicht angeordnet und ist in eine erste dielektrische Schicht eingebettet. Die erste Datenspeicherstruktur ist in eine zweite dielektrische Schicht eingebettet und ist mit dem ersten Transistor elektrisch verbunden. Die erste Datenspeicherstruktur weist eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine Speicherschicht auf, die zwischen die erste Elektrode und die zweite Elektrode geschichtet ist.

Gasverbrennungsvorrichtung

Eine Gasverbrennungsvorrichtung umfasst ein Gehäuse (10) und einen Brenner (20), welcher in dem Gehäuse angeordnet ist und einen primären Verbrennungsbereich (21) und einen sekundären Verbrennungsbereich (22) umfasst. Die Gasverbrennungsvorrichtung umfasst weiterhin einen Auswerfer (30), sowie eine in dem Gehäuse angeordnete Luft-Zuführ-Vorrichtung (40). Ein Vorrat an Verbrennungsgas und ein Vorrat an Luft sind in dem Auswerfer angesammelt, wobei der Auswerfer eine Mischkammer (31) umfasst, welche Verbrennungsgas und Luft mischt, sowie eine Dochtvorrichtung (32), mit welchem die Mischung von Verbrennungsgas und Luft in dem primären Verbrennungsbereich injiziert wird. Die Luft-Zuführ-Vorrichtung (40) umfasst ein Gebläse (41) und ein Hüllrohr (42). Weiterhin umfasst eine hitzebeständige Schutzvorrichtung (50, 50a, 50b), in welcher der Brenner angeordnet ist, ein vorderes Ende mit einem Flammen-Begrenzungs-Abschnitt (52, 52a, 52b) und wenigstens eine Entlüftung (53, 53a, 53b), welche daran ...

Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften, die über einem kristallinen Vollsubstrat angeordnet sind und damit hergestelltes Halbleiterbauelement

Verfahren mit: Bilden einer ersten kristallinen Halbleiterschicht mit einer ersten Eigenschaft, die eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert, auf einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht mit einer zweiten Eigenschaft, die eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert, wobei die erste Eigenschaft sich von der zweiten Eigenschaft unterscheidet; Bilden einer Öffnung in der ersten kristallinen Halbleiterschicht derart, dass ein Bereich der zweiten kristallinen Halbleiterschicht freigelegt wird; Bilden von Seitenwandabstandselementen an Seitenwänden der Öffnung, um freigelegte Bereiche der ersten kristallinen Halbleiterschicht abzudecken; epitaktisches Wachsen eines kristallinen Halbleitermaterials in der Öffnung, wobei der freigelegte Bereich der zweiten kristallinen Halbleiterschicht als eine Wachstumsschablone verwendet wird ...

Licht emittierendes Bauteil

Licht emittierendes Bauteil mit: – einem Substrat (10); – einem auf dem Substrat (10) hergestellten n-Nitrid-Halbleiterstapel (12); – einer auf dem n-Nitrid-Halbleiterstapel (12) hergestellten Licht emittierenden Nitridschicht (13); – einem auf der Licht emittierenden Nitridschicht (13) hergestellten p-Nitrid-Halbleiterstapel (14) mit einer Anzahl von Sechseckpyramiden-Vertiefungen (141), die sich von der Oberfläche des p-Nitrid-Halbleiterstapels (14), die von der Licht emittierenden Nitridschicht (13) abgewandt ist, nach unten erstrecken; und – einer ersten transparenten, leitenden Oxidschicht (15), die auf dem p-Nitrid-Halbleiterstapel (14) ausgebildet ist, wobei die Sechseckpyramiden-Vertiefungen (141) des p-Nitrid-Halbleiterstapels (14) mit der ersten transparenten, leitenden Oxidschicht (15) aufgefüllt sind, wobei der Brechungsindex der transparenten, leitenden Oxidschicht (15) zwischen dem Brechungsindex des p-Nitrid-Halbleiterstapels (14) und dem Brechungsindex eines Gehäusematerials ...

Kühlstruktur für den Körper eines Kristallzüchtungsofens

Kühlstruktur für den Körper eines Kristallzüchtungsofens, mit einem oberen Körper und einem unteren Körper, wobei der untere Körper unten am oberen Körper so befestigt ist, dass eine geschlossene Ofenkammer gebildet wird; wobei der obere Körper einen äußeren oberen Mantel und einen inneren oberen Mantel aufweist, wobei sowohl der äußere obere Mantel als auch der innere obere Mantel zylindrisch sind, wobei der äußere obere Mantel den inneren oberen Mantel umschließt, und wobei ein oberer Einschlussraum zwischen dem äußeren oberen Mantel und dem inneren oberen Mantel gebildet wird; dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Wasserzufuhrrohr um den oberen Einschlussraum herum angeordnet ist, wobei mehrere Sprühöffnungen an dem mindestens einen Wasserzufuhrrohr vorgesehen sind; und mit einer Pumpe, die mit dem mindestens einen Wasserzufuhrrohr in Verbindung steht, wobei mithilfe der Pumpe Wasser aus einer externen Wasserquelle durch die Sprühöffnungen des mindestens einen Wasserzufuhrrohrs ...

Modifizierter Ton und Ton-Polymer-Komposit

Modifizierter Ton umfassend:einen geschichteten Ton mit einem eingefügten Modifizierer, wobei der Modifizierer eine konjugierte Doppelbindungsstruktur aufweist und in der Lage ist, freie Radikale zu produzieren, wenn er erhitzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Modifizierer modifiziertes Cumfasst, wobei der Abstand zwischen den Schichten des modifizierten Tons größer als 13 Å ist.

Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen einer integrierten Schaltung

Vorrichtung zum Prüfen einer integrierten Schaltung eines kommerziellen elektronischen Produkts, umfassend: a) eine Strom- bzw. Spannungsquelle; b) eine Schalteinrichtung; c) eine Prüfeinrichtung, die umfasst: eine Fassung (1320), die ausgelegt ist, um die integrierte Schaltung (137) aufzunehmen; eine Leiterplatine (1331), die im Wesentlichen identisch zu derjenigen des kommerziellen elektronischen Produkts ist und ausgelegt ist, um die integrierte Schaltung zu beinhalten; und eine Mehrzahl von Leitern (140), die zumindest einen elektrischen Kontakt der integrierten Schaltung mit zumindest einem elektrischen Kontakt der Leiterplatine leitend verbinden; dadurch gekennzeichnet, dass die Prüfeinrichtung außerdem einen leitenden Kasten (1310) umfasst, der eine Stufe aufweist, die einen oberen Abschnitt des leitenden Kastens bildet, wobei die ht ist und die Leiterplatine auf einer unteren Fläche der Stufe angebracht ist, wobei die Vorrichtung zum Prüfen der integrierten Schaltung außerdem eine ...

SPEICHERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BILDEN DERSELBEN

Es werden eine Speichervorrichtung und ein Verfahren zum Bilden derselben bereitgestellt. Die Speichervorrichtung weist eine erste Schicht auf einem Substrat und eine zweite Schicht auf der ersten Schicht auf. Die erste Schicht weist einen ersten Schichtstapel; eine erste Gate-Elektrode, die den ersten Schichtstapel durchdringt; eine erste Kanalschicht zwischen dem ersten Schichtstapel und der ersten Gate-Elektrode; und eine erste ferroelektrische Schicht zwischen der ersten Kanalschicht und der ersten Gate-Elektrode auf. Die zweite Schicht weist einen zweiten Schichtstapel; eine zweite Gate-Elektrode, die den zweiten Schichtstapel durchdringt; eine zweite Kanalschicht zwischen dem zweiten Schichtstapel und der zweiten Gate-Elektrode; und eine zweite ferroelektrische Schicht zwischen der zweiten Kanalschicht und der zweiten Gate-Elektrode auf.

Rückkopplungssteuer- bzw. -regelsystem und Rückkopplungsverfahren zum Steuern bzw. Regeln des Leistungsverhältnisses von Auflicht

Rückkopplungsverfahren zum Steuern bzw. Regeln eines Polarisationsleistungsverhältnisses eines Auflichts (11), gekennzeichnet durch:Vorsehen einer Maske (18) mit einer gemusterten Metallschicht, wobei die Metallschicht Gitterlinien aufweist und die Gitterlinien einen Abstand (Λ) aufweisen, und wobei der Abstand (Λ) kleiner als die Wellenlänge des Auflichts (11) ist;Beleuchten der gemusterten Metallschicht mit Auflicht (11);Erfassen des reflektierten Lichts (11") von der gemusterten Metallschicht, um einen Parameter zu erhalten, der die Energie des reflektierten Lichts (11") im TM-Modus (transverse-magnetic) umfasst;Verarbeiten des Parameters, eines Reflexionsindex der Maske (18) in Bezug auf das Auflicht (11), der Energie des reflektierten Lichts (11") im TM-Modus und der gesamten Energie des Lichts, um ein berechnetes TE/TM Polarisationsleistungsverhältnis des Auflichts (11) zu erhalten; undAnpassen des Polarisationsleistungsverhältnisses des Auflichts (11) mit einem Polarisationskonverter ...

Dekorative Beschichtungsstruktur, Oberflächenbeschichtung eines Gehäuses und Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenbeschichtung eines Gehäuses

Eine Oberflächenbeschichtung eines Gehäuses umfasst eine weiche Polymerschicht, eine dekorative Schicht und ein Kunststoffspritzsubstrat. Die weiche Polymerschicht umfasst eine dreidimensionale Oberflächentextur. Die dekorative Schicht ist auf einer Oberfläche der weichen Polymerschicht angeordnet, die gegenüberliegende zu der dreidimensionalen Oberflächentextur ist. Das Kunststoffspritzsubstrat ist an der dekorativen Schicht angeordnet, wobei die dekorative Schicht zwischen der weichen Polymerschicht und dem Kunststoffspritzsubstrat angeordnet ist, wobei das Kunststoffspritzsubstrat und die dekorative Schicht durch einen Kunststoffspritzprozess verbunden sind.

Verfahren und Vorrichtung zur Video-Kodierung, die eine Bild-Struktur mit einer gering-verzögerten hierarchischen B-Gruppe verwendet

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Kodieren einer Video-Sequenz, aufweisend eine Vielzahl von Bildern, offenbart. In Video-Kodier-Systemen wird die zeitliche Redundanz ausgenutzt mittels Verwendung einer bewegungs-kompensierten Prädiktion. Die Video-Sequenz wird oftmals in mehrere GOP (Group of Pictures) organisiert, wobei verschiedene Arten von GOP verwendet werden. In herkömmlichen Kodier-Systemen, werden oft IPPP und IBBP GOP-Strukturen verwendet. In H.264/AVC und der aufkommenden High-Efficiency-Video-Kodierung (HIVC) wurden hierarchische GOP-Strukturen eingeführt, einschließlich hierarchischer P GOP-Struktur und hierarchischer B GOP-Struktur, um eine zeitliche Skalierbarkeit zu ermöglichen. Darüber hinaus wurde eine schwach verzögerte IBBB GOP-Struktur für Anwendungen bzw. Applikationen mit geringer Verzögerung eingeführt. In der vorliegenden Erfindung wird eine geringfügig verzögerte hierarchische B GOP-Struktur offenbart. Diese neue Struktur verwendet geringfügig verzögerte ...

Tool i.e. socket spanner, for driving e.g. nut, has black colored layer provided outside marking and electroplated layer on region of surface so that colored layer includes intense contrast with electroplated layer and black colored layer

The tool i.e. socket spanner (10), has a stamped marking (15) designed in a region (11) of a surface of the tool, where the region receives a quadratic tongue of a handle of the tool. A colored layer (20) is provided in the stamped marking. An electroplated layer (30) is provided outside the stamped marking on another region (12) of the surface of the tool. A black colored layer (40) is provided outside the stamped marking and the electroplated layer on the latter region so that the colored layer includes an intense contrast with the electroplated layer and the black colored layer. An independent claim is also included for a method for marking a socket spanner.

Vergrabene Metallleiterbahn und Verfahren zu deren Herstellung

Ein integrierter Schaltkreis weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat; einen Trennbereich, der über einem Bulk-Abschnitt des Halbleitersubstrats angeordnet ist und in das Halbleitersubstrat hinein reicht; eine vergrabene leitfähige Leiterbahn, die einen Teil in dem Trennbereich umfasst; und einen Transistor, der einen Source-/Drain-Bereich und eine Gate-Elektrode hat. Der Source-/Drain-Bereich oder die Gate-Elektrode ist mit der vergrabenen leitfähigen Leiterbahn verbunden.

Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

Halbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren werden bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer dielektrischen Schicht über einem Substrat und Strukturieren der dielektrischen Schicht, um eine erste Aussparung auszubilden. Das Verfahren kann außerdem ein Abscheiden einer ersten Schicht in der ersten Aussparung und ein Abscheiden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht von der ersten Schicht verschieden ist, umfassen. Das Verfahren kann außerdem ein Durchführen eines ersten chemisch-mechanischen Polierprozesses (CMP) an der zweiten Schicht unter Verwendung eines ersten Oxidationsmittels, und ein Durchführen eines zweiten CMP-Prozesses an verbleibenden Abschnitten der zweiten Schicht und der ersten Schicht unter Verwendung des ersten Oxidationsmittels umfassen. Das Verfahren kann außerdem ein Ausbilden eines ersten leitfähigen Elements über den verbleibenden Abschnitten der ersten Schicht, nachdem das zweite CMP-Polieren ...

Halbleitervorrichtung und -verfahren

In einer Ausführungsform enthält ein Verfahren: Verbinden einer Leuchtdiode mit einem Substrat; Einkapseln der Leuchtdiode mit einem lichtempfindlichen Einkapselungsmittel; Bilden einer ersten Öffnung durch das lichtempfindliche Einkapselungsmittel neben der Leuchtdiode; und Bilden einer leitfähigen Durchkontaktierung in der ersten Öffnung.

LED-Treiber und Ansteuerverfahren

Die vorliegende Erfindung schafft einen LED-Treiber und ein Ansteuerverfahren davon, wobei der LED-Treiber mindestens zwei Unter-LED-Treiber umfasst, die zwischen zwei Klemmen einer Wechselspannungsquelle in Reihe angeschlossen sind, wobei die mindestens zwei Unter-LED-Treiber dieselbe Anordnung aufweisen und jeder Unter-LED-Treiber umfasst: einen Schalterkreis mit einer ersten Bezugsmassenschnittstelle, eine Induktivität mit einem ersten Anschluss, verbunden mit der ersten Bezugsmasse; und eine ersten Kondensator mit einem ersten Anschluss, der mit dem zweiten Anschluss der Induktivität verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, der mit einer zweiten Bezugsmasse verbunden ist; wobei eine Last mit mindestens einer anzusteuernden LED zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss des ersten Kondensators verbunden wird; wobei ein Induktivitätswert der Induktivität so ausgelegt ist, dass jeder Unter-LED-Treiber in einem Offener-Regelkreis-Modus arbeitet. Der LED-Treiber und sein ...

PACKAGE FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND VERFAHREN

In einer Ausführungsform weist eine Vorrichtung auf: einen integrierten Schaltungs-Die; eine Verkapselung, die den integrierten Schaltungs-Die zumindest teilweise umgibt, wobei das Verkapselungsmaterial Füllstoffe mit einem mittleren Durchmesser aufweist; eine Durchkontaktierung, die sich durch die Verkapselung erstreckt, wobei die Durchkontaktierung einen unteren Abschnitt einer konstanten Breite und einen oberen Abschnitt einer stetig abnehmenden Breite aufweist, wobei eine Dicke des oberen Abschnitts größer als der mittlere Durchmesser der Füllstoffe ist; und eine Umverteilungsstruktur mit: einer dielektrischen Schicht auf der Durchkontaktierung, der Verkapselung und dem integrierten Schaltungs-Die; und einer Metallisierungsstruktur mit einem Durchkontaktierungsabschnitt, der sich durch die dielektrische Schicht erstreckt, und einem Leitungsabschnitt, der sich entlang der dielektrischen Schicht erstreckt, wobei die Metallisierungsstruktur elektrisch mit der Durchkontaktierung und dem ...

SCHUTZSTRUKTUREN FÜR GEBONDETE VERBUNDENE WAFER

Ein Verfahren umfasst das Bonden eines ersten Wafers mit einem zweiten Wafer. Der erste Wafer weist eine Mehrzahl dielektrischer Schichten, ein Metallrohr, das die Mehrzahl dielektrischer Schichten durchdringt, und einen vom Metallrohr umschlossenen dielektrischen Bereich auf. Der dielektrische Bereich weist eine Mehrzahl von aus Seitenwänden und oberen Flächen von Abschnitten der Mehrzahl dielektrischer Schichten, gebildeten Stufen auf, die von dem Metallrohr umschlossen sind. Das Verfahren umfasst ferner das Ätzen des ersten Wafers zum Entfernen des dielektrischen Bereichs und Freilegen einer vom Metallrohr umschlossenen Öffnung, das Erweitern der Öffnung in den zweiten Wafer zum Freilegen einer Metallanschlussfläche im zweiten Wafer und das Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material zum Bilden eines leitfähigen Steckers in der Öffnung.

Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε, die durch ein Austauschgateverfahren auf der Grundlage einer verbesserten Ebenheit von Platzhaltermaterialien hergestellt sind

Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens wird eine bessere Prozessgleichmäßigkeit erreicht, indem mindestens ein Einebnungsprozess nach dem Abscheiden des Platzhaltermaterials, etwa eines Polysiliziummaterials, und vor dem eigentlichen Strukturieren der Gateelektrodenstrukturen eingerichtet wird.

Device for supporting aiding person with first-aid and assistance measures to provide first-aid to person i.e. casualty, during accident in traffic, has mobile terminal with communication unit for requesting and/or receiving of body data

The device has a mobile terminal (2) with a wireless data communication unit (7) for requesting and/or receiving physiological body data e.g. blood pressure and pulse rate, transmitted directly and wirelessly by a sensor module if the mobile terminal is arranged in a transmission area of the sensor module. A processor processes the received physiological body data for creation of handling instructions for first-aid measures, which are determined based on the received physiological body data and outputs the instructions on a display (6). The mobile terminal is a mobile telephone, a portable computer, a laptop, a notebook and a tablet computer. The sensor module is designed a sensor transponder.

Interner Kugelumlauftrieb

Interner Kugelumlauftrieb umfassend: Eine Gewindespindel (11) mit einer ersten ein Gewinde darstellenden Laufrille (111) und einer imaginären Achse (112), eine auf der Gewindespindel (11) angeordnete Gewindemutter (12) mit einer zweiten ein Gewinde darstellenden Laufrille (121) und einem Aufnahmeraum (122), wobei die zweite mit einem Gewinde versehene Laufrille (121) zu der ersten ein Gewinde darstellenden Laufrille (111) passt und ihr entspricht, wobei der Aufnahmeraum (122) eine erste Seite (127) und eine zweite Seite (128) aufweist, wobei die zweite mit einem Gewinde versehene Laufrille (121) den Aufnahmeraum (122) derart kreuzt, dass ein erster Durchbruch (123) und ein dritter Durchbruch (125) an der ersten Seite (127) gebildet werden und ein zweiter Durchbruch (124) und ein vierter Durchbruch (126) an der zweiten Seite (128), ein an dem Aufnahmeraum (122) angeordnetes Umlaufelement (13), das eine erste Umlaufrille (131) und eine zweite Umlaufrille (132) aufweist, wobei die erste Umlaufrille ...

HALBLEITER-BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements wird eine Gate-Struktur über einer Kanalschicht und einer dielektrischen Trennschicht hergestellt. Eine erste Seitenwand-Abstandshalterschicht wird auf einer Seitenfläche der Gate-Struktur hergestellt. Eine Opferschicht wird so hergestellt, dass ein oberer Teil der Gate-Struktur mit der ersten Seitenwand-Abstandshalterschicht frei von der Opferschicht ist und ein unterer Teil der Gate-Struktur mit der ersten Seitenwand-Abstandshalterschicht in der ersten Opferschicht eingebettet ist. Zwischen dem unteren Teil der Gate-Struktur und der Opferschicht wird ein Zwischenraum durch Entfernen zumindest eines Teils der ersten Seitenwand-Abstandshalterschicht hergestellt. Nachdem die erste Seitenwand-Abstandshalterschicht entfernt worden ist, wird ein Luftspalt zwischen dem unteren Teil der Gate-Struktur und der Opferschicht durch Herstellen einer zweiten Seitenwand-Abstandshalterschicht über der Gate-Struktur hergestellt.

VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON SUBSTRATEN ODER WAFEREN

Eine Vakuumvorrichtung umfasst Prozesskammern und eine Überführungskammer, die mit den Prozesskammern verbunden ist. Die Überführungskammer weist eine oder mehrere Vakuumöffnungen, durch die ein Gas innerhalb der Überführungskammer ausgestoßen wird, und Entlüftungsöffnungen auf, aus denen ein Entlüftungsgas zugeführt wird. Die eine oder die mehreren Vakuumöffnungen und die Entlüftungsöffnungen sind so angeordnet, dass Luftströme von wenigstens einer der Entlüftungsöffnungen zu der einen oder den mehreren Vakuumöffnungen in Bezug auf eine Mittellinie der Überführungskammer liniensymmetrisch sind.

Integrierte Fan-Out-Packages und Verfahren zu deren Herstellung

Eine Halbleiterstruktur weist Folgendes auf: einen Die, der in ein Formmaterial eingebettet ist, wobei der Die auf einer ersten Seite Die-Verbindungselemente hat; eine erste Umverteilungsstruktur auf der ersten Seite des Dies, wobei die erste Umverteilungsstruktur über die Die-Verbindungselemente elektrisch mit dem Die verbunden ist; eine zweite Umverteilungsstruktur auf einer zweiten Seite des Dies, die der ersten Seite entgegengesetzt ist; und ein thermisch leitfähiges Material in der zweiten Umverteilungsstruktur, wobei der Die zwischen das thermisch leitfähige Material und die erste Umverteilungsstruktur geschichtet ist und das thermisch leitfähige Material durch die zweite Umverteilungsstruktur verläuft und elektrisch isoliert ist.

Predictive Analytical Modeling Accuracy Assessment

A system includes a computer(s) coupled to a data storage device(s) that stores a training function repository and a predictive model repository that includes includes updateable trained predictive models each associated with an accuracy score. A series of training data sets are received, being training samples each having output data that corresponds to input data. The training data is different from initial training data that was used with training functions from the repository to train the predictive models initially. Upon receiving a first training data set included in the series and for each predictive model in the repository, the input data in the first training set is used to generate predictive output data that is compared to the output data. Based on the comparison and previous comparisons determined from the initial training data and from previously received training data sets, an updated accuracy score for each predictive model is determined.

Flexible base material and flexible electronic device

The invention provides a flexible base material and a flexible electronic device. The flexible base material includes a flexible substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A first organic composite barrier layer is deposited on the first surface of the flexible substrate, wherein the first organic composite barrier layer applies a first stress to the flexible substrate. An anti-curved layer is deposited on the second surface of the flexible substrate, wherein the anti-curved layer applies a second stress, which is cancelled off more than 90% of the first stress, to the flexible substrate.

Fixing device for expansion cards

A fixing device for fixing an expansion card mounted with a cover plate, includes a frame and a fixing member. The frame includes a board defining an elongated slot, a plate extending in a substantially perpendicular manner from an end of the board and perpendicular to the slot, and a fixing portion extending in a substantially perpendicular manner from a side of the plate opposite to the board. A fastener is mounted to the frame adjacent to the slot of the board. The fixing member includes a sliding portion slidably mounted to the fixing portion and an operation portion extending in a substantially perpendicular manner from the sliding portion. The sliding portion defines an engaging hole to receive the fastener. The fastener is to be engaged with the cover plate. The fixing member is operable to sandwich the cover plate with the plate.

Reducing transient effects when changing transmit chain power

A method, an apparatus, and a computer program product for a wireless communication device are provided. The apparatus determines a receive timing for receiving through at least one receive chain element. The apparatus determines a time to turn on/off at least one transmit chain element based on the determined receive timing and based on receiver impact to the at least one receive chain element caused by turning on/off the at least one transmit chain element. The apparatus reduces receiver impact to the at least one receive chain element by turning on/off the at least one transmit chain element at the determined time.

Assessing accuracy of trained predictive models

A system includes a computer(s) coupled to a data storage device(s) that stores a training data repository and a predictive model repository. The training data repository includes retained data samples from initial training data and from previously received data sets. The predictive model repository includes at least one updateable trained predictive model that was trained with the initial training data and retrained with the previously received data sets. A new data set is received. A richness score is assigned to each of the data samples in the set and to the retained data samples that indicates how information rich a data sample is for determining accuracy of the trained predictive model. A set of test data is selected based on ranking by richness score the retained data samples and the new data set. The trained predictive model is accuracy tested using the test data and an accuracy score determined.

QUANTUM-DOT FILM AND THE METHOD TO MAKE THE SAME

The present invention discloses a quantum-dot film, wherein the quantum-dot film comprises a binder and a plurality of quantum dots dispersed in the binder, wherein the plurality of quantum dots are capable of being water-resistant and oxygen-resistant. 1. A quantum-dot film comprising:a quantum-dot layer comprising a binder and a plurality of quantum dots dispersed in the binder, wherein the plurality of quantum dots are capable of being water-resistant and oxygen-resistant.2. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein there is no barrier layer disposed over the quantum-dot layer for protecting the plurality of quantum dots from water or oxygen.3. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the quantum-dot layer further comprises a plurality of diffusing particles.4. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the binder comprises PET (polyethylene terephthalate).5. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the concentration of the quantum dots in the quantum-dot layer is 0.05-20%.6. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the concentration of the quantum dots in the quantum-dot layer is 0.05-8%.7. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the thickness of the quantum-dot film is in a range of 25-350 um.8. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the binder comprises at least one of the following: PET (polyethylene terephthalate) claim 1 , PEN (polyethylene naphtholate) claim 1 , PAR (polyacrylate) claim 1 , PC (polycarbonates) and TAC (cellulose triacetate).9. The quantum-dot film according to claim 1 , wherein the quantum-dot layer has a first major surface comprising a structured surface.10. An optical film comprising:a plurality of quantum dots dispersed in the optical film, wherein the plurality of quantum dots are capable of being water-resistant and oxygen-resistant.11. The optical film according to claim 10 , wherein there is no barrier layer disposed over the optical film for protecting ...

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

The present disclosure relates to a field of semiconductor manufacturing technology, and in particular to a method for forming a semiconductor structure and a semiconductor structure. The method for forming the semiconductor structure includes: a substrate is placed in a reaction chamber, and the substrate includes at least one first conductive structure, a surface of the substrate is covered with an isolation layer, a surface of the isolation layer is covered with a first mask layer, and the first mask layer includes at least one etching window exposing the isolation layer; the isolation layer, a part of the substrate and a part of each of the at least one first conductive structure are etched along the at least one etching window according to preset etching parameters to form at least one trench; a barrier layer is formed; and at least one second conductive structure is formed. 1. A method for forming a semiconductor structure , comprising:placing a substrate in a reaction chamber, wherein the substrate comprises at least one first conductive structure, a surface of the substrate is covered with an isolation layer, a surface of the isolation layer is covered with a first mask layer, and the first mask layer comprises at least one etching window exposing the isolation layer;etching the isolation layer, a part of the substrate and a part of each of the at least one first conductive structure along the at least one etching window according to preset etching parameters to form at least one trench exposing the at least one first conductive structure, wherein the preset etching parameters enable etching rates at any two positions of a bottom of each of the at least one trench to be equal or enable an etching rate at a center of the bottom of each of the at least one trench to be greater than an etching rate at an edge of the bottom of each of the at least one trench, so that each of the at least one trench has a flat bottom surface or the bottom of each of the at least ...

Customized Predictive Analytical Model Training

Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on one or more computer storage devices, for training predictive models. Multiple training data records are received that each include an input data portion and an output data portion. A training data type is determined that corresponds to the training data. For example, a training data type can be determined by inputting the output data portions into one or more trained predictive classifiers. In other example, the training data type can be determined by comparison of the output data portions to data formats. Based on the determined training data type, a set of training functions are identified that are compatible with the training data of the determined training data type. The training data and the identified set of training functions are used to train multiple predictive models.

Encapsulation structure and solar cell module

An encapsulation structure and a solar cell module are provided, wherein the encapsulation structure is disposed on the light incident surface of the solar cell module and is consisted of a thermoplastic protective layer, a transparent water-barrier layer, and an adhesive layer. The thermoplastic protective layer is disposed on the outermost layer of the light incident surface, and the material thereof includes thermoplastic polyurethane (TPU), thermoplastic polyolefin (TPO), or thermoplastic elastomer (TPE). The transparent water-barrier layer is disposed between the adhesive layer and the thermoplastic protective layer.

Predictive Model Evaluation and Training Based on Utility

Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on a computer storage medium, for training a plurality of different types of predictive models using training data, wherein each of the predictive models implements a different machine learning technique. One or more weights are obtained wherein each weight is associated with an answer category in the plurality of examples. A weighted accuracy is calculated for each of the predictive models using the one or more weights.

Display device

The disclosure provides a display device, comprising a connecting component, a base, a display monitor and a sliding unit. The connecting component includes a first end and a second end opposite to each other. The first end of the connecting component is pivoted on the base. The sliding unit is disposed on the display monitor. The second end of the connecting component is slidably pivoted on the sliding unit.

System and method for driving light source

A system for driving a light source includes a power converter and control circuitry coupled to the power converter. The power converter converts input power to an output voltage to power the light source. The control circuitry senses the output voltage and senses current of the light source. The control circuitry generates a control signal based on a voltage feedback signal indicative of a combination of said output voltage and said current of said light source, and controls the power converter by the control signal to adjust the output voltage.

Pretreatment method and system for application of coating to shoe parts

A pretreatment method for application of coating to shoe parts is capable of replacing the conventional primer coating process with the UV radiation process. The coating pretreatment to the shoe parts can be carried out continuously in an automatic manner. Besides, creating etching effect by using UV-C radiation and ozone activating improves the bonding of the shoe parts to the adhesives, without substantial increase in equipment cost. A pretreatment system for application of coating to shoe parts can be provided with more reaction chambers for UV-C radiation and cleaning, so as to increase the breadth of application of the UV radiation system. Subjecting the surface of the shoe parts to UV-C radiation and cleaning process more than one time can activate the surface, and improve the follow-up coating quality.

Photovoltaic module

A PV module includes a transparent substrate, a first solar cell unit, a crystalline silicon solar cell, and a spacer. The first solar cell unit is between the transparent substrate and the crystalline silicon solar cell, and the first solar cell unit includes a first electrode, a second electrode, and a I-III-VI semiconductor layer between the first electrode and the second electrode. The I-III-VI semiconductor layer includes at least gallium (Ga) and sulfur (S), and the energy gap thereof is more than that of crystalline silicon. Moreover, the crystalline silicon solar cell and the first solar cell unit are separated by the spacer.

Tandem solar cell module

A tandem solar cell module includes a transparent substrate, a first solar cell unit, and a second solar cell unit disposed between the transparent substrate and the first solar cell unit. The first solar cell unit includes a first electrode, a second electrode, and a first absorption layer disposed between the first electrode and the second electrode, and the second solar cell unit includes a third electrode, a fourth electrode, and a second absorption layer disposed between the third electrode and the fourth electrode, wherein the second electrode is located adjacent to the third electrode, and the positions of the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are corresponding to each other.

Substituted phenylethylene precursor deposition method

A method for using a Cu(hfac) precursor with a substituted phenylethylene ligand to form an adhesive seed layer on an IC surface has been provided. The substituted phenylethylene ligand includes bonds to molecules selected from the group consisting of C 1 to C 6 alkyl, C 1 to C 6 haloalkyl, phenyl, H and C 1 to C 6 alkoxyl. One variation, the α-methylstyrene ligand precursor has proved to be especially adhesive. Copper deposited with this precursor has low resistivity and high adhesive characteristics. The seed layer provides a foundation for subsequent Cu layers deposited through either CVD, PVD, or electroplating. The adhesive seed layer permits the subsequent Cu layer to be deposited through an economical high deposition rate process.

Driving circuit with dimming controller for driving light sources

A driving circuit includes a power converter, a dimming controller and a current path coupled to the dimming controller. The power converter receives input power from a rectifier and provides output power to a light source. A power switch transfers power from an AC power source to the rectifier when the power switch is on. The dimming controller receives a switch monitoring signal indicative of the state of the power switch. An average current flowing through the light source has a first value if the power switch is on. The dimming controller is operable for adjusting the average current based on the switch monitoring signal. A current flows from the AC power source through the current path to ground when the power switch is off.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

Sequential burst mode activation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

Integrated circuit for lamp heating and dimming control

An electronic ballast for lamps or tubes is provided. In one embodiment the present invention includes a ballast controller that includes filament heating circuitry and dimming circuitry. The filament heating circuitry may include preheat dimming circuits which preheat the filaments for a predetermined time period prior to striking the lamp, and steady-state heating circuitry that continually heats the filaments during steady state operation of the lamp. The steady state heating circuitry may be adapted to heat the filaments inversely proportional to the dim desired value of the lamp. The dimming circuitry may include conventional analog dimming and/or burst mode dimming to define a wide range of dimming characteristics for the lamp.

Lamp grounding and leakage current detection system

A common ground system and methodology for one or more loads. In exemplary embodiments, a lamp load is regulated by providing a common ground on the secondary side of the transformer and the load. Lamp regulation is provided, in part, via a current feedback loop provided on the secondary side that is commonly grounded between the bottom of the transformer and the bottom of the lamp through the current feedback loop. In this manner, a feedback signal is developed that includes the leakage current of the lamp.

Controller and driving method for power circuits, electrical circuit for supplying energy and display device having the electrical circuit

A controller for controlling at least two power circuits comprises a phase-shift selector for generating a reference signal according to variable input signals, the reference signal is programmed to indicate an amount of phase-delay according to a number of CCFL power circuits connected; and a pulse generator for receiving the reference signal and generating a pulse signal CLK in response to the received reference signal, the pulse signal is coupled to the CCFL power circuits connected for initiating the operation of the CCFL power circuits. The controller is used to control energy supplying to an electrical circuit comprising multiple CCFL power circuits and is more particularly to provide phase delay to the electrical circuit. Usually, the electrical circuit is applied to display devices, such as liquid crystal display monitors, liquid crystal display computers and liquid crystal display televisions.

Integrated power supply for an LCD panel

The present invention provides an integrated LCD panel power supply formed on a single printed circuit board. The integrated power supply includes at least one DC/AC control unit, at least one DC/DC buck converter unit and at least one DC/DC boost control unit. Each unit supplies power to an associated function of said LCD. The integrated power supply may also include an oscillator circuit generating a clock signal, and the clock signal is supplied to each unit thereby synchronizing the operation of each unit. The single PCB approach of the present invention eliminates the need for additional wiring between printed circuit boards and thereby eliminates or substantially reduces noise issues associated with such wiring.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

Power supply for an LCD panel

A power supply system is provided for a multiple lamp LCD panel. In one aspect, the power supply includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series to thereby reduce the stress on each transformer. For LCD panels that include longer CCFLs, a power supply is provided that includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series and each lamp is coupled to two secondary sides of the transformers, thereby reducing the problems associated with longer CCFL tubes. In any of the embodiments, the power supply can be adapted to convert a high voltage DC signal to high voltage AC used to power the lamps.

Inverter controller

An integrated circuit inverter controller that includes at least one input pin that is configured to receive two or more input signals. The input pin may be multiplexed so that the appropriate input signal is directed to appropriate circuitry within the controller to support two or more functions of the controller. Alternatively, the input signals may be present in differing time periods so that a single pin can support two or more functions. Multifunctional or multitasked pins reduce the overall pin count of the inverter controller.

Liquid crystal display system with lamp feedback

A liquid crystal display system and CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

Sequential burnst mode activation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

Sequential burst mode activation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

Sequential burst mode activation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

Sequential burst mode activation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

Sequential burst mode actlvation circuit

A sequential burst mode regulation system to deliver power to a plurality of loads. In the exemplary embodiments, the system of the present invention generates a plurality of phased pulse width modulated signals from a single pulse width modulated signal, where each of the phased signals regulates power to a respective load. Exemplary circuitry includes a PWM signal generator, and a phase delay array that receives a PWM signal and generates a plurality of phased PWM signals which are used to regulate power to respective loads. A frequency selector circuit can be provided that sets the frequency of the PWM signal using a fixed or variable frequency reference signal.

High-efficiency adaptive DC/AC converter

A CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

Controller and driving method for supplying energy to display device circuitry

A controller for controlling at least two power circuits comprises a phase-shift selector for generating a reference signal according to variable input signals, the reference signal is programmed to indicate an amount of phase-delay according to a number of CCFL power circuits connected; and a pulse generator for receiving the reference signal and generating a pulse signal CLK in response to the received reference signal, the pulse signal is coupled to the CCFL power circuits connected for initiating the operation of the CCFL power circuits. The controller is used to control energy supplying to an electrical circuit comprising multiple CCFL power circuits and is more particularly to provide phase delay to the electrical circuit. Usually, the electrical circuit is applied to display devices, such as liquid crystal display monitors, liquid crystal display computers and liquid crystal display televisions.

Integrated power supply for an LCD panel

The present invention provides an integrated LCD panel power supply formed on a single printed circuit board. The integrated power supply includes at least one DC/AC control unit, at least one DC/DC buck converter unit and at least one DC/DC boost control unit. Each unit supplies power to an associated function of said LCD. The integrated power supply may also include an oscillator circuit generating a clock signal, and the clock signal is supplied to each unit thereby synchronizing the operation of each unit. The single PCB approach of the present invention eliminates the need for additional wiring between printed circuit boards and thereby eliminates or substantially reduces noise issues associated with such wiring.

Power supply for an LCD display

A power supply system is provided for a multiple lamp LCD panel. In one aspect, the power supply includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series to thereby reduce the stress on each transformer. For LCD panels that include longer CCFLs, a power supply is provided that includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series and each lamp is coupled to two secondary sides of the transformers, thereby reducing the problems associated with longer CCFL tubes. In any of the embodiments, the power supply can be adapted to convert a high voltage DC signal to high voltage AC used to power the lamps.

Power supply for an lcd display

A power supply system is provided for a multiple lamp LCD panel. In one aspect, the power supply includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series to thereby reduce the stress on each transformer. For LCD panels that include longer CCFLs, a power supply is provided that includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series and each lamp is coupled to two secondary sides of the transformers, thereby reducing the problems associated with longer CCFL tubes. In any of the embodiments, the power supply can be adapted to convert a high voltage DC signal to high voltage AC used to power the lamps.

Power supply for an LCD panel

A power supply system is provided for a multiple lamp LCD panel. In one aspect, the power supply includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series to thereby reduce the stress on each transformer. For LCD panels that include longer CCFLs, a power supply is provided that includes a plurality of transformers for driving a plurality of respective CCFLs. The primary sides of each transformer are coupled in series and each lamp is coupled to two secondary sides of the transformers, thereby reducing the problems associated with longer CCFL tubes. In any of the embodiments, the power supply can be adapted to convert a high voltage DC signal to high voltage AC used to power the lamps.

Liquid crystal display system with lamp feedback

A liquid crystal display system and CCFL power converter circuit is provided using a high-efficiency zero-voltage-switching technique that eliminates switching losses associated with the power MOSFETs. An optimal sweeping-frequency technique is used in the CCFL ignition by accounting for the parasitic capacitance in the resonant tank circuit. Additionally, the circuit is self-learning and is adapted to determine the optimum operating frequency for the circuit with a given load. An over-voltage protection circuit can also be provided to ensure that the circuit components are protected in the case of open-lamp condition.

Water purification apparatus for dental treatment

A water purification apparatus includes a water inlet; a medicine mixing device in fluid communication with the water inlet; and a water outlet interconnected to the medicine mixing device and a dental treatment center. The medicine mixing device includes a medicine storage for storing antiseptic solution, a mixing unit interconnected to the water inlet, the water outlet, and the medicine storage, and a controller interconnected to the water inlet and the medicine storage. The controller includes a sensor and a microprocessor. The controller sends the antiseptic solution from the medicine storage to the mixing unit and controls a volume of water flowing from the water inlet to the mixing unit. The microprocessor instructs the controller to control a volume of the antiseptic solution supplied from the medicine storage to the mixing unit based on a signal sensed by the sensor.

Non-endogenous, constitutively activated known G protein-coupled receptors

A method for directly identifying a non-endogenous compound comprising a melanin-concentrating hormone (MCH) receptor mutant having an activity selected from the group consisting of inverse agonists, and partial agonists, to a non endogenous constitutively activated version of known MCH receptor (MCHR), said MCHR comprising a transmembrane-6 region and an intracellular region.

Electrically programmable resistance cross point memory

Resistive cross point memory devices are provided, along with methods of manufacture and use. The memory device comprises an active layer of perovskite material interposed between upper electrodes and lower electrodes. A bit region located within the active layer at the cross point of an upper electrode and a lower electrode has a resistivity that can change through a range of values in response to application of one, or more, voltage pulses. Voltage pulses may be used to increase the resistivity of the bit region, decrease the resistivity of the bit region, or determine the resistivity of the bit region. Memory circuits are provided to aid in the programming and read out of the bit region.

Method for obtaining reversible resistance switches on a PCMO thin film when integrated with a highly crystallized seed layer

A method for obtaining reversible resistance switches on a PCMO thin film when integrated with a highly crystallized seed layer includes depositing, by MOCVD, a seed layer of PCMO, in highly crystalline form, thin film, having a thickness of between about 50 Å to 300 Å, depositing a second PCMO thin film layer on the seed layer, by spin coating, having a thickness of between about 500 Å to 3000 Å, to form a combined PCMO layer; increasing the resistance of the combined PCMO film in a semiconductor device by applying a negative electric pulse of between about −4V to −5V, having a pulse width of between about 75 nsec to 1 μsec; and decreasing the resistance of the combined PCMO layer in a semiconductor device by applying a positive electric pulse of between about +2.5V to +4V, having a pulse width greater than 2.0 μsec.

Buffered-layer memory cell

A method is provided for forming a buffered-layer memory cell. The method comprises: forming a bottom electrode; forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film overlying the bottom electrode; forming a memory-stable semiconductor buffer layer, typically a metal oxide, overlying the memory film; and, forming a top electrode overlying the semiconductor buffer layer. In some aspects of the method the semiconductor buffer layer is formed from YBa 2 Cu 3 O 7-X (YBCO), indium oxide (In 2 O 3 ), or ruthenium oxide (RuO 2 ), having a thickness in the range of 10 to 200 nanometers (nm). The top and bottom electrodes may be TiN/Ti, Pt/TiN/Ti, In/TiN/Ti, PtRhOx compounds, or PtIrOx compounds. The CMR memory film may be a Pr 1-X Ca X MnO 3 (PCMO) memory film, where x is in the region between 0.1 and 0.6, with a thickness in the range of 10 to 200 nm.

PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics

PrCaMnO (PCMO) thin films with predetermined memory-resistance characteristics and associated formation processes have been provided. In one aspect the method comprises: forming a Pr 3+ 1−x Ca 2+ x MnO thin film composition, where 0.1<x<0.6; in response to the selection of x, varying the ratio of Mn and O ions as follows: O 2− (3±20%); Mn 3+ ((1−x)±20%); and, Mn 4+ (x±20%). When the PCMO thin film has a Pr 3+ 0.70 Ca 2+ 0.30 Mn 3+ 0.78 Mn 4+ 0.22 O 2− 2.96 composition, the ratio of Mn and O ions varies as follows: O 2− (2.96); Mn 3+ ((1−x)+8%); and, Mn 4+ (x−8%). In another aspect, the method creates a density in the PCMO film, responsive to the crystallographic orientation. For example, if the PCMO film has a (110) orientation, a density is created in the range of 5 to 6.76 Mn atoms per 100 Å 2 in a plane perpendicular to the (110) orientation.

Methods of fabricating trench isolated cross-point memory array

Resistive cross-point memory devices are provided, along with methods of manufacture and use. The memory devices are comprised by an active layer of resistive memory material interposed between upper electrodes and lower electrodes. A bit region located within the resistive memory material at the cross-point of an upper electrode and a lower electrode has a resistivity that can change through a range of values in response to application of one, or more, voltage pulses. Voltage pulses may be used to increase the resistivity of the bit region, decrease the resistivity of the bit region, or determine the resistivity of the bit region. A diode is formed between at the interface between the resistive memory material and the lower electrodes, which may be formed as doped regions, isolated from each other by shallow trench isolation. The resistive cross-point memory device is formed by doping lines, which are separated from each other by shallow trench isolation, within a substrate one polarity, and then doping regions of the lines the opposite polarity to form diodes. Bottom electrodes are then formed over the diodes with a layer of resistive memory material overlying the bottom electrodes. Top electrodes may then be added at an angled to form a cross-point array defined by the lines and the top electrodes.

Low cross-talk electrically programmable resistance cross point memory

Low cross talk resistive cross point memory devices are provided, along with methods of manufacture and use. The memory device comprises a bit formed using a perovskite material interposed at a cross point of an upper electrode and lower electrode. Each bit has a resistivity that can change through a range of values in response to application of one, or more, voltage pulses. Voltage pulses may be used to increase the resistivity of the bit, decrease the resistivity of the bit, or determine the resistivity of the bit. Memory circuits are provided to aid in the programming and read out of the bit region.

Device and method for reversible resistance change induced by electric pulses in non-crystalline perovskite unipolar programmable memory

A method of fabricating a variable resistance device, wherein the resistance is changed by passing a voltage of various pulse length through the device, includes preparing a silicon substrate; forming a silicon oxide layer on the substrate; depositing a first metal layer on the silicon oxide, wherein the metal of the first metal layer is taken from the group of metals consisting of platinum and iridium; depositing a perovskite metal oxide thin film on the first metal layer; depositing a second metal layer on the perovskite metal oxide, wherein the metal of the second metal layer is taken from the group of metals consisting of platinum and iridium; annealing the structure at a temperature of between about 400° C. to 700° C. for between about five minutes and three hours; and completing the variable resistance device. A variable resistance R-RAM device includes a silicon substrate having a silicon oxide layer thereon; a first metal layer formed on the silicon oxide layer, wherein the metal of the first metal layer is taken from the group of metals consisting of platinum and iridium; a perovskite metal oxide thin film layer formed on the first metal layer; a second metal layer formed on the perovskite metal oxide, wherein the metal of the second metal layer is taken from the group of metals consisting of platinum and iridium; and metallizing elements to provide a complete device.

Low temperature processing of PCMO thin film on Ir substrate for RRAM application

A method of applying a PCMO thin film on an iridium substrate for use in a RRAM device, includes preparing a substrate; depositing a barrier layer on the substrate; depositing a layer of iridium on the barrier layer; spin coating a layer of PCMO on the iridium; baking the PCMO and substrate in a three-step baking process; post-bake annealing the substrate and the PCMO in a RTP chamber; repeating said spin coating, baking and annealing steps until the PCMO has a desired thickness; annealing the substrate and PCMO; depositing a top electrode; and completing the RRAM device.

Nano-scale resistance cross-point memory array

A method of fabricating a nano-scale resistance cross-point memory array includes preparing a silicon substrate; depositing silicon oxide on the substrate to a predetermined thickness; forming a nano-scale trench in the silicon oxide; depositing a first connection line in the trench; depositing a memory resistor layer in the trench on the first connection line; depositing a second connection line in the trench on the memory resistor layer; and completing the memory array. A cross-point memory array includes a silicon substrate; a first connection line formed on the substrate; a colossal magnetoresistive layer formed on the first connection line; a silicon nitride layer formed on a portion of the colossal magnetoresistive layer; and a second connection line formed adjacent the silicon nitride layer and on the colossal magnetoresistive layer.

High temperature annealing of spin coated Pr1-xCaxMnO3 thim film for RRAM application

A method of forming a PCMO thin film in a RRAM device includes preparing a substrate; depositing a metal barrier layer on the substrate; forming a bottom electrode on the barrier layer; spin-coating a layer of Pr 1−x Ca x MnO 3 (PCMO) on the bottom electrode using a PCMO precursor; baking the PCMO thin film in one or more baking steps; annealing the PCMO thin film in a first annealing step after each spin-coating step; repeating the spin-coating step, the baking step and the first annealing step until the PCMO thin film has a desired thickness; annealing the PCMO thin film in a second annealing step, thereby producing a PCMO thin film having a crystalline structure of Pr 1−x Ca x MnO 3 , where 0.2<=X<=0.5; depositing a top electrode; patterning the top electrode; and completing the RRAM device.

Controller circuitry for light emitting diodes

A method according to one embodiment may include supplying power to an LED array having at least a first string of LEDs and a second string of LEDs coupled in parallel, each of the strings includes at least two LEDs. The method of this embodiment may also include comparing a first feedback signal from the first string of LEDs and a second feedback signal from the second string of LEDs. The first feedback signal is proportional to current in said first string of LEDs and said second feedback signal is proportional to current in said second string of LEDs. The method of this embodiment may also include controlling a voltage drop of at least the first string of LEDs to adjust the current of the first string of LEDs relative to the second string of LEDs, based on, at least in part, the comparing of the first and second feedback signals. Of course, many alternatives, variations, and modifications are possible without departing from this embodiment.

Adenovirus supervector system

An adenoviral supervector system is disclosed that is capable of expressing more than 7.5 kilobases of heterologous DNA in a replication defective adenoviral vector. The supervector system comprises an adenoviral vector construct and a helper cell. The vector construct is capable of being replicated and packaged into a virion particle in the helper cell. In particular, the helper cell expresses DNA from the E2 region of the adenovirus 5 genome and complements deletions in that region in the vector construct. In certain embodiments, the disclosed invention comprises tissue specific expression of up to 30 kb of heterologous DNA directed by an adenoviral vector. Also disclosed are methods of transferring heterologous DNA into mammalian cells.

Oncolytic/immunogenic complementary-adenoviral vector system

This invention encompasses a composition for killing target cells, such as tumor cells. The composition comprises a first and a second adenoviral vector that have complementary function and are mutually dependent on each other for replication in a target cell. One of said adenoviral vectors has a target cell-activated promoter or a functional deletion that controls and limits propagation of the adenoviral vectors in the target cells which directly or indirectly kills the target cells. One of the adenoviral vectors comprises a gene encoding a protein which is expressed in the target cells and can induce anticancer immune responses. The target cells may be hepatoma, breast cancer, melanoma, colon cancer, or prostate cancer cells, for example. The vectors of this invention may also be utilized to treat other diseases such as restenosis, in which case the target cell may be a vascular smooth muscle cell, for example.

Adenovirus e1-complementing cell lines

A new series of helper cell lines for the complementation, amplification, and controlled attenuation of E1-deleted adenovirus are disclosed in the present invention. These cell lines are advantageous because they can complement adenovirus E1 genedeletions without production of replication competent adenovirus (RCA), thus making them safer for the large-scale production of adenovirus stock for use in human genetherapy trials. A preferred embodiment is an A549E1 cell line that contains only the Ad5 E1 DNA sequences sufficient for complementation of E1-deleted adenoviral vectors without sequences that overlap with the adenovirus vector. In another aspect, the present invention embodies methods for the production of second generation A549-E1 complementing cell lines that, in addition to producing E1, also produce proteins required for further manipulation of adenoviral vectors. A preferred embodiment is an A549E1 cell line with DNA sequences that encode a polypeptide sufficient for packaging attenuation of E1-deleted helper virus, in order to enrich for packaging of mini-adenovirus.

Adenovirus e1-complementing cell lines

A new series of helper cell lines for the complementation, amplification, and controlled attenuation of E1-deleted adenovirus are disclosed in the present invention. These cell lines are advantageous because they can complement adenovirus E1 genedeletions without production of replication competent adenovirus (RCA), thus making them safer for the large-scale production of adenovirus stock for use in human genetherapy trials. A preferred embodiment is an A549E1 cell line that contains only the Ad5 E1 DNA sequences sufficient for complementation of E1-deleted adenoviral vectors without sequences that overlap with the adenovirus vector. In another aspect, the present invention embodies methods for the production of second generation A549-E1 complementing cell lines that, in addition to producing E1, also produce proteins required for further manipulation of adenoviral vectors. A preferred embodiment is an A549E1 cell line with DNA sequences that encode a polypeptide sufficient for packaging attenuation of E1-deleted helper virus, in order to enrich for packaging of mini-adenovirus.

TRANSFORMER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

A manufacturing method of a transformer includes: winding a first winding wire around a bobbin, wherein two ends of the first winding wire are connected to a first and a second pin of the bobbin respectively; winding a second winding wire around the bobbin, wherein two ends of the second winding wire are connected to a third and a fourth pin of the bobbin respectively; and winding a third and a fourth winding wire in parallel around the bobbin, wherein two ends of the third winding wire are connected to the second and a fifth pin of the bobbin respectively, and two ends of the fourth winding wire are connected to the fifth and a sixth pin respectively. The first, the third and the fourth winding wires form a primary coil, and the second winding wire is a secondary coil.

COMPOSITE QUANTUM-DOT OPTICAL FILM AND THE METHOD TO MAKE THE SAME

A composite quantum-dot optical film comprises a quantum-dot layer and a composite structure disposed on the quantum-dot layer, wherein the composite structure comprises a first substrate, a second substrate, and a first barrier layer, wherein each of the first substrate and the second substrate comprises a polymer material, wherein the barrier layer being made of organic material and capable of being water-resistant is disposed between the first substrate and the second substrate.

Superlattice nanocrystal Si-SiO2 electroluminescence device

A superlattice nanocrystal Si—SiO 2 electroluminescence (EL) device and fabrication method have been provided. The method comprises: providing a Si substrate; forming an initial SiO 2 layer overlying the Si substrate; forming an initial polysilicon layer overlying the initial SiO 2 layer; forming SiO 2 layer overlying the initial polysilicon layer; repeating the polysilicon and SiO 2 layer formation, forming a superlattice; doping the superlattice with a rare earth element; depositing an electrode overlying the doped superlattice; and, forming an EL device. In one aspect, the polysilicon layers are formed by using a chemical vapor deposition (CVD) process to deposit an amorphous silicon layer, and annealing. Alternately, a DC-sputtering process deposits each amorphous silicon layer, and following the forming of the superlattice, polysilicon is formed by annealing the amorphous silicon layers. Silicon dioxide can be formed by either thermal annealing or by deposition using a DC-sputtering process.

New use of icariin and epimedium flavonoids containing icariin

New use of icariin and Epimedium flavanoids containing icariin is provided by the present invention. Specifically, uses of compounds of Formula I or Epimedium containing compounds of formula I, Epimedium flavanoids, or extracts of Epimedium in manufacturing medicaments for treating, preventing, reducing and/or relieving diseases and/or conditoins related to neural myelin sheath impairments, or use of above materials in manufacturing medicaments for relieving demyelination and/or promoting repair of myelin sheath are provided by the present application, wherein, R1 is selected from H, halogen, -C1-6 alkyl, and -C(O)-C1-4 alkyl

FABRIC STRUCTURE FOR BAGS AND THE LIKE AND MANUFACTURING METHOD

An oncolytic/immunogenic complementary-adenoviral vector system

This invention encompasses a composition for killing target cells, such as tumor cells. The composition comprises a first and a second adenoviral vector that have complementary function and are mutually dependent on each other for replication in a target cell. One of said adenoviral vectors has a target cell-activated promoter or a functional deletion that controls and limits propagation of the adenoviral vectors in the target cells which directly or indirectly kills the target cells. One of the adenoviral vectors comprises a gene encoding a protein which is expressed in the target cells and can induce anticancer immune responses. The target cells may be hepatoma, breast cancer, melanoma, colon cancer, or prostate cancer cells, for example. The vectors of this invention may also be utilized to treat other diseases such as restenosis, in which case the target cell may be a vascular smooth muscle cell, for example.

Normalization of predictive model scores

Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on computer storage media, for score normalization. One of the methods includes receiving initial training data, the initial training data comprising initial training records, each initial training record identifying input data as input and a category as output. The method includes generating a first trained predictive model using the initial training data and a training function. The method includes generating intermediate training records by inputting input data of the initial training records to a second trained predictive model, the second trained predictive model generated using the training function, each intermediate training record having a score. The method also includes generating a score normalization model using a score normalization training function and the intermediate training records.

Confidence scoring in predictive modeling

Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on a computer storage medium, for receiving a plurality of first training examples, training a first predictive model using the first training examples, for each example in the first training examples, providing the first features of the example to the trained first predictive model to generate a respective first prediction, generating a second training example for each of the first training examples, wherein the second training example comprises the first features of the first training example and an answer that indicates whether the first answer of the first training example matches the respective first prediction of the first training example, training a second predictive model using the second training examples, and using the trained second predictive model to determine a confidence score for a prediction generated by the trained first predictive model.

Optical inspection method

Data Compression

Methodology and concomitant circuitry for compacting an incoming data stream into an outgoing compacted data stream utilize a plurality of memories or lists. The incoming data stream is partitioned into a sequence of tokens. A primary memory (3262) stores each token, with the most recently appearing token occupying the top rank in the list. A secondary memory (3282) stores the location in the primary memory of each of a subset of tokens. The compacted data stream is generated as a coded representation of the token itself, the position of the token in the primary memory, or the position in secondary memory of the location of the token in primary memory. A tertiary list may also be employed to generate a coded representation of the position in the tertiary list of the secondary list. Searching of the lists is effected with a hashing function. Updating of the lists utilizes tree splaying.

Data transformation method and related device for a testing system

Material for watertight pockets and the like, comprises a web with a back coating of a styrene block copolymer covered with a protective layer of a surface-treating agent, e.g. polyurethane

A material for the production of pockets and the like comprises: (A) a web having one side suitable for forming the outside of the pocket; (B) a styrene block copolymer (SBC) backing layer; and (C) a protective layer of a surface-treating agent applied to layer (B) and with an open surface forming the inside of the pocket.

Mini-adenoviral vector

This invention is related to adenoviral (Ad) vectors and their applications in the field of genetic medicine, including gene transfer, gene therapy, and gene vaccination. More specifically, this invention is related to the Ad vectors that carry the minimal cis-element of the Ad genome (mini-Ad vector) and are capable of delivering transgenes and/or heterologous DNA up to 36 kb. The generation and propagation of the mini-Ad vectors require transcomplementation of a packaging-attenuated and replication-defective helper Ad (helper) in an Ad helper cell line. This invention further comprises a methodology for generating a mini-adenoviral (mini-Ad) vector for use in gene therapy of hemophilia and animal test systems for in vivo evaluation of the Ad vectors. More specifically, this invention describes factor VIII (FVIII) Ad vectors that only contain minimal cis-element of the Ad genome (so-called miniAd) and comprise a human FVIII cDNA with other supporting DNA elements up to 36 kb. The FVIII mini-Ad can be generated and preferentially amplified through the assistance of a packaging-attenuated helper Ad and a helper cell line. This invention also reports designs and methods for producing transgenic mouse models that can be used for in vivo testing the mini-Ad.

Method for forming an asymmetric crystalline structure memory cell

Asymmetrically structured memory cells and a fabrication method are provided. The method comprises: forming a bottom electrode; forming an electrical pulse various resistance (EPVR) first layer having a polycrystalline structure over the bottom electrode; forming an EPVR second layer adjacent the first layer, with a nano-crystalline or amorphous structure; and, forming a top electrode overlying the first and second EPVR layers. EPVR materials include CMR, high temperature super conductor (HTSC), or perovskite metal oxide materials. In one aspect, the EPVR first layer is deposited with a metalorganic spin coat (MOD) process at a temperature in the range between 550 and 700 degrees C. The EPVR second layer is formed at a temperature less than, or equal to the deposition temperature of the first layer. After a step of removing solvents, the MOD deposited EPVR second layer is formed at a temperature less than, or equal to the 550 degrees C.

Magnetic tape measure end hook

A magnetic end hook for a tape measure has a hook member having a mounting section extending in a first direction and a hooking section extending away from the mounting section in a second direction generally transverse to the first direction. A distinct bezel affixes to the hooking section so as to capture a magnet between the bezel and the hooking section. A magnet is disposed at least partially in a hole in the hooking section and a hole in the bezel so as to be visible from both front and rear views of the end hook. The magnet may include flanges and a fastener, such as a rivet, may secure the bezel in place. There may be a second magnet similarly situated. A tape measure and methods of assembly are also described.

Methods for making field emission electron source having carbon nanotube

A method for manufacturing a field emission electron source includes the following steps: (a) providing a pair of conductive bases ( 32, 42 ) each having a top ( 322, 422 ), the tops being spaced apart from and opposite to each other, the tops being immersed in a solution ( 50 ) having carbon nanotubes dispersed therein; (b) applying an alternating voltage ( 60 ) between the two conductive bases thereby causing at least one carbon nanotube to become assembled between the tops of the conductive bases; (c) shutting off the alternating voltage between the conductive bases and removing the solution between the tops of the two conductive bases; (d) detaching one of the two conductive bases in a matter such that the carbon nanotube remains connected with one of the tops of the conductive bases; and (e) modifying the carbon nanotube to create a low work function coating on a least a tip/free end thereof.

Bioproduction of para-hydroxycinnamic acid

Gas stove with flame detection

Discontinuous compound barrier layer, method for forming the same and package using the same

本發明一實施例提供一種非連續複合阻障層及其形成方法。非連續複合阻障層包括：一第一阻障層，位於一基板上；以及一第二阻障層，位於第一阻障層上，其中第一、第二阻障層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機矽化合物(organo-silicon material)區，且第一、第二阻障層的無機材料區與有機矽化合物區係上下交替堆疊。在本發明另一實施例中，提供含上述非連續複合阻障層的封裝結構。

Compositions comprising dna damaging agents and p53 for killing cells

A találmány tárgyát ráksejtek elpusztítására alkalmas készítményekképezik, amelyekben DNS-károsító ágensek tu- morszuppresszorgénekkelvannak kombinálva. A találmány tárgyát képezik továbbá akészítményeket tartalmazó terá- piás reagenskészletek, valamint atalálmány szerinti készítmények alkalmazása rák kezelésére. A DNS-károsító faktorok alkalmazásának, valamint a tumorszuppresszor-génekheterológ expresszáltatásának kombinálása jelentős szinergizmusteredményez, amely a DNS-károsító faktorok, illetve atumorszuppresszorgének külön-külön megfigyelhető hatásánál lényegesenjobb eredményeket biztosít. ŕ

Mini-adenoviral vector

This invention is related to adenoviral (Ad) vectors and their applications in the field of genetic medicine, including gene transfer, gene therapy, and gene vaccination. More specifically, this invention is related to the Ad vectors that carry the minimal cis-element of the Ad genome (mini-Ad vector) and are capable of delivering transgenes and/or heterologous DNA up to 36 kb. The generation and propagation of the mini-Ad vectors require trans-complementation of a packaging-attenuated and replication-defective helper Ad (helper) in an Ad helper cell line. This invention further comprises a methodology for generating a mini-adenoviral (mini-Ad) vector for use in gene therapy of hemophilia and animal test systems for in vivo evaluation of the Ad vectors. More specifically, this invention describes factor VIII (FVIII) Ad vectors that only contain minimal cis-element of the Ad genome (so-called mini-Ad) and comprise a human FVIII cDNA with other supporting DNA elements up to 36 kb. The FVIII mini-Ad can be generated and preferentially amplified through the assistance of a packaging-attenuated helper Ad and a helper cell line. This invention also reports designs and methods for producing transgenic mouse models that can be used for in vivo testing the mini-Ad.

Driving circuit, display system and method for powering a plurality of light sources

Precursors for zirconium and hafnium oxide thin film deposition

A method of making a precursor for a thin film formed by chemical vapor deposition processes, includes mixing ZCl 4 with H(tmhd) 3 solvent and benzene to form a solution, where Z is an element taken from the group of elements consisting of hafnium and zirconium; refluxing the solution for twelve hours in an argon atmosphere; removing the solvents via vacuum, thereby producing a solid compound; and sublimating the compound at 200° C. in a near vacuum of 0.1 mmHg. A ZO x precursor, for use in a chemical vapor deposition process, includes a Z-containing compound taken from the group of compounds consisting of ZCl(tmhd) 3 and ZCl 2 (tmhd) 2 .

Endogenous, constitutively activated G protein-coupled orphan receptors

Disclosed herein are techniques for directly identifying candidate compounds as agonists, partial agonists and/or, most preferably, inverse agonists, to endogenous, constitutively activated orphan G protein-coupled receptors. Such directly identified compounds can be utilized, most preferably, in pharmaceutical compositions.

Mini-adenoviral vector system for vaccination

Integrated circuit capable of synchronization signal detection

A method according to one embodiment may include providing power to at least one light source. The method of this embodiment may also include detecting the frequency of at least one vertical synchronization signal, among a plurality of different synchronization signals, and controlling the power to at least one light source based on, at least in part, the detected frequency of at least one vertical synchronization signal. Of course, many alternatives, variations, and modifications are possible without departing from this embodiment.

Integrated circuit for lamp heating and dimming control

Micro-casting lithography and method for fabrication of organic thin film transistor

Substituted phenylethylene precursor and synthesis method

A Cub(hfac) precursor with a substituted phenylethylene ligand has been provided. The substituted phenylethylene ligand includes bonds to molecules selected from the group consisting of C 1 to C 6 alkyl, C 1 to C 6 haloalkyl, C 1 to C 6 phenyl, H and C 1 to C 6 alkoxyl. One variation, the α-methylstyrene ligand precursor has proved to be stable a low temperatures, and sufficiently volatile at higher temperatures. Copper deposited with this precursor has low resistivity and high adhesive characteristics. A synthesis method has been provided which produces a high yield of the above-described precursor.

Rotatable network line plug

Endogenous and non-endogenous versions of human g protein-coupled receptors

The invention disclosed in this patent docuemnt relates to transmembrane receptors, more particularly to a human G protein-coupled receptor and to mutated (non-endogenous) versions of the human GPCRs for evidence activity.

Buffered-layer memory cell

A method is provided for forming a buffered-layer memory cell. The method comprises: forming a bottom electrode; forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film overlying the bottom electrode; forming a memory-stable semiconductor buffer layer, typically a metal oxide, overlying the memory film; and, forming a top electrode overlying the semiconductor buffer layer. In some aspects of the method the semiconductor buffer layer is formed from YBa 2 Cu 3 O 7−X (YBCO), indium oxide (In 2 O 3 ), or ruthenium oxide (RuO 2 ), having a thickness in the range of 10 to 200 nanometers (nm). The top and bottom electrodes may be TiN/Ti, Pt/TiN/Ti, In/TiN/Ti, PtRhOx compounds, or PtIrOx compounds. The CMR memory film may be a Pr 1−X Ca X MnO 3 (PCMO) memory film, where x is in the region between 0.1 and 0.6, with a thickness in the range of 10 to 200 nm.

New use of icariin and epimedium flavonoids containing icariin

New use of icariin and Epimedium flavanoids containing icariin is provided by the present invention. Specifically, uses of compounds of Formula I or Epimedium containing compounds of formula I, Epimedium flavanoids, or extracts of Epimedium in manufacturing medicaments for treating, preventing, reducing and/or relieving diseases and/or conditoins related to neural myelin sheath impairments, or use of above materials in manufacturing medicaments for relieving demyelination and/or promoting repair of myelin sheath are provided by the present application, wherein, R 1 is selected from H, halogen, -C 1-6 alkyl, and -C(O)-C 1-4 alkyl

Granular fertilizer and method of manufacturing thereof

A granular fertilizer and a method of manufacturing the granular fertilizer are provided. The method comprises a step of molding or rolling a material into a granule, a step of preparing a solution by mixing at least one surface additive with an oil, a step of spraying the solution on the granule to form a layer on the surface of the granule, and a step of drying the granule to form the granular fertilizer.

Precursor solution and method for controlling the composition of MOCVD deposited PCMO

A single solution MOCVD precursor is provided for depositing PCMO. An MOCVD process is provided for controlling the composition of PCMO by determining the deposition rate of each metal component within the precursor solution and determining the molar ratio of the metals based on the deposition rates of each within the temperature ranges for substrate temperature and vaporizer temperature, and the composition of PCMO to be deposited. The composition of the PCMO is further controlled by adjusting the substrate temperature, the vaporizer temperature or both.

Mixed-mode DC/AC inverter

A DC/AC inverter and method thereof is disclosed. The DC/AC inverter for driving a load includes a DC power supply for supplying a DC input voltage, a converter circuit coupled to the DC power supply which converts the DC input voltage into an AC signal used to drive the load, and a control circuit coupled to the converter circuit which sets a frequency of the AC signal. The control circuit is further capable of operating the DC/AC inverter in a fixed frequency mode and in a variable frequency mode in accordance with the DC input voltage and the load condition.

Apparatus capable of providing power to light source, the system and method thereof

Bioproduction of para-hydroxycinnamic acid

The present invention provides several methods for biological production of para-hydroxycinnamic acid (PHCA). The invention is also directed to the discovery of new fungi and bacteria that possess the ability to convert cinnamate to PHCA. The invention relates to developing of a new biocatalyst for conversion of glucose to PHCA by incorporation of the wild type PAL from the yeast Rhodotorula glutinis into E. coli unerlining the ability of the wildtype PAL to convert tyrosine to PHCA. The invention is also directed to developing a new biocatalyst for conversion of glucose to PHCA by incorporation of the wildtype PAL from the yeast Rhodotorula glutinis plus the plant cytochrome P-450 and the cytochrome P-450 reductase into E. coli. In yet another embodiment, the present invention provides for the developing of a new biocatalyst through mutagenesis of the wild type yeast PAL which possesses enhanced tyrosine ammonia-lyase (TAL) activity.