Process of forming high electron mobility transistor (HEMT) and HEMT formed by the same
Номер патента: US10686053B2
Опубликовано: 16-06-2020
Автор(ы): Hajime Matsuda, Tadashi Watanabe
Принадлежит: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-06-2020
Автор(ы): Hajime Matsuda, Tadashi Watanabe
Принадлежит: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High electron mobility transistor and method of forming the same
Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.