• Главная
  • Process of forming high electron mobility transistor (HEMT) and HEMT formed by the same

Process of forming high electron mobility transistor (HEMT) and HEMT formed by the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Process of forming semiconductor device

Номер патента: US09960043B2. Автор: Yasuyo Kurachi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653564B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12027602B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220115520A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Hemt and method of adjusting electron density of 2deg

Номер патента: US20200411649A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Hemt and method of adjusting electron density of 2deg

Номер патента: EP3758069A2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240322007A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240313087A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

HEMT and method of fabricating the same

Номер патента: US12046669B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Electronic device including a gate structure and a process of forming the same

Номер патента: EP4044253A1. Автор: Aurore Constant,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-08-17.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device including a gate structure and a process of forming the same

Номер патента: US11721736B2. Автор: Aurore Constant,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243185A1. Автор: Kuan-Ting Lin,Chien-Wen Yu,Huan Chi Ma,Ying Jie Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

Process of forming epitaxial substrate and semiconductor device provided on the same

Номер патента: US20180174824A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050247988A1. Автор: Yasuyuki Tamura,Chikako Yoshida,Shinji Miyagaki,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160079418A1. Автор: Atsushi Murakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming 3D vertical NAND with III-V channel

Номер патента: US09685454B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Process of forming semiconductor device having interconnection formed by electro-plating

Номер патента: US09991160B2. Автор: Kazuaki Matsuura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming oxide layer

Номер патента: US09741572B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH TRENCH ISOLATION STRUCTURE CAPABLE OF APPLYING STRESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210280705A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777023B2. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140091366A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Process of forming a bottle-shaped trench

Номер патента: US20040053464A1. Автор: Chien-Mao Liao,Chang-Rong Wu,Hsin-Jung Ho,Tung-Wang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831378B2. Автор: Jung Sub Kim,Jin Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Process of forming contact holes

Номер патента: US5500080A. Автор: Yang K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220320325A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-06.

Process of forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US10361320B2. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Monolithic cascode multi-channel high electron mobility transistors

Номер патента: US20240079484A1. Автор: Ming Xiao,Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620409B2. Автор: Ken Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Monolithically integrated HEMT and current protection device

Номер патента: US8587033B1. Автор: Oliver Häberlen,Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-11-19.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: AU2024205097A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-15.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-15.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: US20230352575A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-11-02.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: EP4158692A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-04-05.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: WO2021239876A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated enhancement/depletion mode hemt and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200381543A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: AU2021281038A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-01-05.

A vertical hemt and a method to produce a vertical hemt

Номер патента: AU2021281038B2. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

HEMT and method of fabricating the same

Номер патента: US12015076B2. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

HEMT and method of fabricating the same

Номер патента: US11670710B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing solar cell and method of forming doping region

Номер патента: US09640707B2. Автор: Daeyong Lee,Jinsung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Hybrid switch including gan hemt and mosfet

Номер патента: US20180026628A1. Автор: HUI Teng,Hua Bai,Juncheng LU. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2018-01-25.

Hybrid switch including gan hemt and mosfet

Номер патента: WO2018015921A2. Автор: HUI Teng,Hua Bai,Juncheng LU. Владелец: Hella GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2018-01-25.

Hybrid switch including GaN HEMT and MOSFET

Номер патента: US09954522B2. Автор: HUI Teng,Hua Bai,Juncheng LU. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2018-04-24.

Hybrid switch including GaN HEMT and MOSFET

Номер патента: US09735771B1. Автор: HUI Teng,Hua Bai,Juncheng LU. Владелец: Hella KGaA Huek and Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Terahertz radiating device and fabricating method for the same

Номер патента: US09680000B2. Автор: Jae-Hyung Jang,Sung-min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-13.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Quantum well structure with self-aligned gate and method of making the same

Номер патента: US5548129A. Автор: Randall L. Kubena. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-20.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

Terahertz radiating device and fabricating method for the same

Номер патента: US20160163915A1. Автор: Jae-Hyung Jang,Sung-min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-09.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

A graphene/graphene oxide diode and a method of forming the same

Номер патента: GB2588767A. Автор: WALLIS Rob. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US20200127664A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US10651852B1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-12.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB2239557A. Автор: Chun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-07-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Vertical semiconductor device and manufacturing process of the same

Номер патента: WO2013128480A9. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Domenico Murabito. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170365571A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Processing of thick metal pads

Номер патента: US09673157B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Chip to wafer package with top electrodes and method of forming

Номер патента: US09748162B2. Автор: Wei Wang,Ying Yang,Junjie Li,Zhiqi Wang,Qiong Yu. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

Encapsulation structure of display unit and method of forming the same

Номер патента: US20160322604A1. Автор: Huan JIANG,ChienLin Wu,Hsinju HO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024113097A1. Автор: King Yuen Wong,Chi Sun,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640761B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627620B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Electronic device including a capacitor and a process of forming the same

Номер патента: US20090020849A1. Автор: Bradley P. Smith,Edward O. Travis. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor memory and process for fabricating the same

Номер патента: US20040079982A1. Автор: Hidemitsu Mori,Koichi Takemura,Sota Shinohara,Yasuhiro Tsujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Mems package and method of forming the same

Номер патента: WO2007027380A2. Автор: Ronald V. McBean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-08.

Aluminum coated copper bond wire and method of making the same

Номер патента: US09966355B2. Автор: Eugen Milke,Peter Prenosil,Sven Thomas. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-08.

Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same

Номер патента: US09459355B1. Автор: Faisal Saeed,Gregory Scott Zeman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-04.

Electronic device including a substrate, a structure, and an adhesive and a process of forming the same

Номер патента: US20230187379A1. Автор: Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2023-06-15.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20170141151A1. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US10325950B2. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Electroluminescent display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180190739A1. Автор: Jihoon Lee,SeungHan Paek,Jeongwon Lee,Jonghoon YEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Process of making monolithic RGB array

Номер патента: GB2600977A. Автор: Mezouari Samir,Dumas Geoff. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Liquid Crystal Display and Method of Forming the Same

Номер патента: US20120140155A1. Автор: Dae-Seung Yun. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997499B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09754919B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Driving device and spatial information detecting device using the same

Номер патента: SG185021A1. Автор: Yusuke Hashimoto,Fumikazu Kurihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Multi-layer capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040114306A1. Автор: Yuichiro Yamada,Koji Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Multi-layer capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040012910A1. Автор: Yuichiro Yamada,Koji Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Dumbbell-like nanoparticles and a process of forming the same

Номер патента: US20080168863A1. Автор: Shan X. Wang,Heng Yu,Shouheng Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Bi-plate grids for batteries, and single process to cast the same

Номер патента: US20190386345A1. Автор: Thomas Dougherty,Jesus Florencio Perez Lopez,Raymond JUREK. Владелец: Trojan Battery Co LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Film antenna and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110248892A1. Автор: Kensuke Yoshida,Tomoyuki Shinohara,Takashi Matsukawa,Yoshinori Satoh,Takashi Yokouchi. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583274B2. Автор: Makoto Aoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Solid electrolytic capacitor and method for producing the same

Номер патента: US20040023442A1. Автор: Hiroshi Konuma,Katsuhiko Yamazaki,Eiji Komazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Rubbing cloth, roller, method of forming LC alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US9465255B2. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Rubbing cloth, roller, method of forming lc alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US20150253630A1. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

PTC Heating Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240121864A1. Автор: Patrick Werner,Daniele Dattilo,Timo Kröner,Sascha Herzig. Владелец: Eberspaecher Catem GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Flexible circuit board and method of fabricating the same

Номер патента: US20020158944A1. Автор: Chih-Ching Chen,Yi-Jing Leu,Ming-Chung Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Multicore processing of bidirectional traffic flows

Номер патента: US09838291B2. Автор: Dmitry Bukin. Владелец: CELLOS SOFTWARE LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate drive circuit for switching circuit, module including the same, and switching power supply

Номер патента: US20240088888A1. Автор: Yuichi Shinozaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Transmission method for wireless relay system and relay station using the same

Номер патента: EP2445263A3. Автор: Tzu-Ming Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-09-20.

Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing

Номер патента: EP2438638A2. Автор: Matthew Stainer,Nugent Truong. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-04-11.

SDH add-drop multiplexer that can realize both optical and radio networks by the same device

Номер патента: US20060092986A1. Автор: Yoshio Ito,Katsushi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Stream-processing of telecommunication event records

Номер патента: US09992659B1. Автор: Kenneth W. Samson,Sridhar R. Amireddy,Carter W. Floyd,Vincent E. Turnbaugh. Владелец: Sprint Communications Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Piezoelectric film, process of manufacturing the same and piezoelectric element

Номер патента: US20080079783A1. Автор: Takamichi Fujii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Polyphenylene oxide prepolymer, method of making the same, resin composition and product made therefrom

Номер патента: US20170342178A1. Автор: Chen-Yu Hsieh. Владелец: Elite Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for processing of single-range service and device

Номер патента: RU2630182C2. Автор: Хайфэн ДУАНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-09-05.

Piston positioning processes of a reciprocating compressor

Номер патента: EP4251881A1. Автор: Filipe Guolo Nazario,Claudio Eduardo Soares. Владелец: Nidec Global Appliance Brasil Ltda. Дата публикации: 2023-10-04.

Image processing apparatus, method of controlling the same, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20100215288A1. Автор: Toru Ushiku. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-08-26.

Method for restricting viewing access to broadcast program and broadcast receiving apparatus using the same

Номер патента: EP2012450A3. Автор: Kum-Yon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-22.

Method for signal processing of cooperating microphone receivers

Номер патента: US12107678B2. Автор: Paolo CASTIGLIONE. Владелец: Paolo CASTIGLIONE. Дата публикации: 2024-10-01.

Authentication circuit, electronic system including the same, and method of forming network

Номер патента: US20200082101A1. Автор: Jae Won Lee,Jae Min Kim,Junho Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Image encoding apparatus and control method of the same

Номер патента: US09942569B2. Автор: Hiroshi Oto,Masaki Kitago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power supply cell and power supply system using the same

Номер патента: EP3857695A1. Автор: Kuenfaat Yuen,Kai Tian,Tinho LI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Method of forming stacked wiring

Номер патента: US09566790B2. Автор: Yoshihiko Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Device for the manufacture and surface processing of a three-dimensional object

Номер патента: US20210178486A1. Автор: Markus Wolf,Andreas Lohner. Владелец: OR Lasertechnologie GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Device for the manufacture and surface processing of a three-dimensional object

Номер патента: EP3706937A1. Автор: Markus Wolf,Andreas Lohner. Владелец: OR Lasertechnologie GmbH. Дата публикации: 2020-09-16.

Imaging support device, operation method for the same and operation program

Номер патента: US12133753B2. Автор: Masataka Sugahara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Sheet post-processor and image forming system provided with the same

Номер патента: US20180105386A1. Автор: Keisuke Egawa. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Imaging support device, operation method for the same and operation program

Номер патента: US20230016072A1. Автор: Masataka Sugahara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

An improved process of floral botannical collage decoupage

Номер патента: SG183891A1. Автор: Sahu Anuradha. Владелец: Sahu Anuradha. Дата публикации: 2012-10-30.

Ink composition and a ball point pen comprising the same

Номер патента: US20110218282A1. Автор: Vinod Chintamani Malshe,Manish Babulal Shah,Manish Swetal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method and appliance for thermal processing of non-organic raw material particles and appliance for its performance

Номер патента: EP4349796A1. Автор: Evgeny Tsypkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Method and apparatus for graphics processing of a graphics fragment

Номер патента: US09965876B2. Автор: Sandeep KAKARLAPUDI,Jorn Nystad,Sean Tristram Ellis,Andreas Engh Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Novel bismuth compound, process of producing the same, and process of producing a film

Номер патента: US20040204483A1. Автор: Kenichi Sekimoto,Noriaki Oshima,Taishi Furukawa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of forming a phase shift mask

Номер патента: US20030194614A1. Автор: Hsin-Di Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Hydrophilic polymer composition and method of forming a hydrophilic polycaprolactone

Номер патента: US09428668B2. Автор: Stewart J. Lustgarten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Production process of high affinity and high specificity oligonucleotides for organic and inorganic molecules

Номер патента: US20120094875A1. Автор: Luiz Augusto Pinto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Curable composition and 3d-printed object formed therefrom and process for forming the same

Номер патента: EP4392470A1. Автор: Li Chen,Chong Xi WANG,Zhi Zhong CAI,Wei Zheng FAN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-03.

Sample cooling device, autosampler provided with the same, and sample cooling method

Номер патента: US09804071B2. Автор: Takashi Inoue. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nanoparticles and process of producing same

Номер патента: EP4359344A1. Автор: Michel W. Barsoum,Hussein Osama BADR,Tarek Aly ELMELIGY. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-01.

Nanoparticles and process of producing same

Номер патента: US20240286918A1. Автор: Michel W. Barsoum,Hussein Osama BADR,Tarek Aly ELMELIGY. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Monitoring reactor and method for using the same

Номер патента: US12098414B2. Автор: Tian Li,Qixing Zhou. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2024-09-24.

Building product including a metal carbonate and a process of forming the same

Номер патента: US09840845B2. Автор: Gregory F. Jacobs,Husnu M. Kalkanoglu. Владелец: Certainteed LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming an object by pressing a blank in a press

Номер патента: US4598573A. Автор: Carl Bergman,Göran Holmström,Arne Nygard. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1986-07-08.

Process of making hollow products, especially toys or pet products, and hollow products made with the process

Номер патента: US09844703B1. Автор: Rishi Gupta,Daniel Troiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-19.

Developing roller and method of producing the same

Номер патента: US20190361371A1. Автор: Yuta Imase. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Working machine, anti-theft system for the same, anti-theft method for the same

Номер патента: US20180354458A1. Автор: Keisuke Miura,Keisuke Egashira,Ryosuke Kinugawa. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Coated balloon with color and shimmering effects and process of making the same

Номер патента: US20240228717A9. Автор: Seda BRYANT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Coated balloon with color and shimmering effects and process of making the same

Номер патента: US20240132685A1. Автор: Seda BRYANT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Child-proof package, process of making the same and method of opening the same

Номер патента: EP3997002A1. Автор: Michel Bressan,Alessio Bressan,Alberto Gandolla. Владелец: Igb Srl. Дата публикации: 2022-05-18.

Child-proof package, process of making the same and method of opening the same

Номер патента: CA3152498A1. Автор: Michel Bressan,Alessio Bressan,Alberto Gandolla. Владелец: Igb Srl. Дата публикации: 2021-03-11.

Processor and method of controlling the same

Номер патента: WO2015102266A1. Автор: Do-Hyung Kim,Suk-Jin Kim,Ki-seok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of forming photomasks and photomasks formed by the same

Номер патента: US20130122404A1. Автор: Sang Hyun Kim,Donggun Lee,Jongju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-16.

Diamond tool and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240342861A1. Автор: Sung Gyu Kim,Shin Kyung Kim,Eung Kwan KWON,Jun Hyuk HWANG. Владелец: SHINHAN DIAMOND INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermoplastic polyurethane powders and 3d molding formed from the same

Номер патента: EP4416203A1. Автор: Zhi Zhong CAI,Yan Sheng Li,Wei Zheng FAN,Pin Lan CHEN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-08-21.

Layered nonwoven textile and method of forming the same

Номер патента: US12070932B2. Автор: Michael Kauschke,Zdeněk Mečl,Pavlína Kašpárková. Владелец: Pfn Gic AS. Дата публикации: 2024-08-27.

Rebar hybrid materials and methods of making the same

Номер патента: US09896340B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour,Robert H. Hauge,Zhiwei Peng,Yilun Li. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2018-02-20.

Graphene sheet and process of preparing the same

Номер патента: US09527742B2. Автор: Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

System and process of automated ocular inflammatory region assessment

Номер патента: WO2024072330A1. Автор: Linda HANSAPINYO,Karn PATANUKHOM. Владелец: Chiang Mai University. Дата публикации: 2024-04-04.

Process of forming diffusion alloys on metallic refractory materials

Номер патента: US3810782A. Автор: P Galmiche. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1974-05-14.

Process of forming a sound needle and sound needle construction

Номер патента: US4265698A. Автор: Gunter Nawrata. Владелец: AKG Akustische und Kino Geraete GmbH. Дата публикации: 1981-05-05.

Novel intermediate, method for preparing the same and application thereof

Номер патента: CA3197197A1. Автор: Fei Xue,Dan Zhang,Xiaoyu Liu,Hao SONG,Yong Qin,Huan He. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-06-23.

Improvements in the process of manufacture of hexamethylene diisocyanate

Номер патента: GB833467A. Автор: . Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 1960-04-27.

Plant and process of converting thermal energy into mechanical and/or electrical energy

Номер патента: EP4377559A1. Автор: Gino Zampieri. Владелец: Star Engine Srl. Дата публикации: 2024-06-05.

Emblem of automobile part and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228604A1. Автор: Hojin Lee,Changwoo Lee,Sangwoo Shim,Seungmok Park. Владелец: Delphi Korea LLC. Дата публикации: 2007-10-04.

Deep neural network architecture for semantic segmentation of form images

Номер патента: AU2018203368B2. Автор: Balaji Krishnamurthy,Mausoom Sarkar. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of forming high temperature corrosion resistant film

Номер патента: US20070116894A1. Автор: Toshio Narita,Shigenari Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Composition for 3d-printing, 3d-printed object formed therefrom and process for forming the same

Номер патента: US20240294688A1. Автор: Zhi Zhong CAI,Yan Sheng Li,Wei Zheng FAN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-09-05.

DIY splicing assembly and handbag made by the same

Номер патента: US09801439B2. Автор: Yindi NIE. Владелец: Wuxi Sino Intellectual Property Agency Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Electronic watch, method of processing the same, and program therefor

Номер патента: US20110205853A1. Автор: Shotaro Kamiyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Preparation process of biphenylcarboxylic acid amide derivatives

Номер патента: US20030232992A1. Автор: Soichi Oda,Hiroyuki Ishiwata,Mototsugu Kabeya,Seiichi Sato. Владелец: Kowa Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Passive waveguide structures and integrated detection and/or imaging systems incorporating the same

Номер патента: US20170153339A1. Автор: Kaushik Sengupta,Lingyu Hong. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-01.

Virtual computer system and method of controlling the same

Номер патента: US20090235249A1. Автор: Yuji Kobayashi,Tomoki Sekiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Cooking process of walnut porridge of which discoloration is inhibited

Номер патента: US20070218186A1. Автор: CHANG Lee,Heon Jung,Jong Kim. Владелец: CJ Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Processing of coherent and incoherent accesses at a uniform cache

Номер патента: US20100287342A1. Автор: Michael C. Alexander,Kathryn C. Stacer,David F. Greenberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-11.

Process of manufacture of elastomer film, deposition form unit and elastomer film

Номер патента: RU2135357C1. Автор: Винтер Хьюго Де. Владелец: Ректисел. Дата публикации: 1999-08-27.

Improvements in and relating to moulded polyethylene containers and methods of forming same

Номер патента: GB791611A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1958-03-05.

Process of forming coloured glass bodies

Номер патента: GB1400823A. Автор: . Владелец: Glaverbel Belgium SA. Дата публикации: 1975-07-23.

Display apparatus and method for driving the same

Номер патента: US11756483B2. Автор: Xingyao Zhou,Yana GAO. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Liquid crystal display panels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240272488A1. Автор: Hongjun Zhu,Lingju Huang. Владелец: Suzhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Cutting device and chamfering machine comprising the same

Номер патента: US10245658B2. Автор: Seulki Park,Youngtae Kim,Yehoon Im,Yushik HONG,DoWon YANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Cutting device and chamfering machine comprising the same

Номер патента: US20170282260A1. Автор: Seulki Park,Youngtae Kim,Yehoon Im,Yushik HONG,DoWon YANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Non-rotary cutting tool and process of machining scroll member by using the same

Номер патента: US20060133904A1. Автор: Tamotsu Nagai,Hideaki Matsuhashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Display panel and display device including the same

Номер патента: US12080219B2. Автор: Taewook Kwon,Chanyong Jung,Yangsu PARK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Graphene shell and process of preparing the same

Номер патента: US09902619B2. Автор: Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Instrument and process for the storing and/or processing of liquid samples

Номер патента: US09518999B2. Автор: Martin Rapp. Владелец: Roche Molecular Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Process of forming a perforated web

Номер патента: US20030201582A1. Автор: Brian Gray. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-10-30.

Method, device and programme for automatic processing of blood pressure signals

Номер патента: RU2552685C2. Автор: Сальваторе РОМАНО. Владелец: Сальваторе РОМАНО. Дата публикации: 2015-06-10.

A process of forming a perforated web

Номер патента: EP1047364A1. Автор: Brian Francis Gray. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-11-02.

Rocker arm with lubrication passage and method of forming

Номер патента: EP1022441A2. Автор: Shawn RUSSELL,Cynthia Ann Greene. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Method of obtaining a liquid organic biofertilizer for soil and/or plants, the biofertilizer and methods of using the same

Номер патента: EP3697745A1. Автор: Serhii OSYPENKO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-26.

Method of obtaining a liquid organic biofertilizer for soil and/or plants, the biofertilizer and methods of using the same

Номер патента: US20200299205A1. Автор: Serhii OSYPENKO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of obtaining a liquid organic biofertilizer for soil and/or plants, the biofertilizer and methods of using the same

Номер патента: US11299438B2. Автор: Serhii OSYPENKO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-12.

Post-processing of measurement data collected with optical probe

Номер патента: US11740063B2. Автор: Sean Taylor. Владелец: Hexagon Metrology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Knitted bag and method of manufacturing the same

Номер патента: US12049715B2. Автор: William Roth Martin,La Vion Gibson,Shengquan Zhou. Владелец: Rothys Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Rocker arm with lubrication passage and method of forming

Номер патента: EP1022441A3. Автор: Shawn RUSSELL,Cynthia Ann Greene. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-21.

Novel poly(aralkyl ketone)s and methods of preparing the same

Номер патента: US20050272905A1. Автор: Anbanandam Parthiban. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of forming light emitting portion of light spot forming device and optical element

Номер патента: US6392978B1. Автор: Akira Sato. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Process of facilitating remote printed delivery of electronic files

Номер патента: WO2009101484A3. Автор: Michael J. Lato. Владелец: Provvisionato, Paolo. Дата публикации: 2009-12-30.

Ice maker, refrigerator having the same, and method for supplying ice thereof

Номер патента: US09494357B2. Автор: Moongyo Jung,Seongjae KIM,Bongjin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-15.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESSING OF TITANIUM-ALUMINUM-VANADIUM ALLOYS AND PRODUCTS MADE THEREBY

Номер патента: US20120003118A1. Автор: Hebda John J.,Hickman Randall W.,Graham Ronald A.. Владелец: ATI PROPERTIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001886A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ADHESIVE COMPOSITION AND OPTICAL MEMBER USING THE SAME

Номер патента: US20120004369A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Wire harness wiring unit and wire harness wiring assembly having the same

Номер патента: US20120000704A1. Автор: Yamashita Takayuki. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, FILM COMPRISING THE SAME AND POLYAMIDE-BASED LAMINATE FILM

Номер патента: US20120003361A1. Автор: . Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MODULATION PROFILE GENERATOR AND SPREAD SPECTRUM CLOCK GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001658A1. Автор: . Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved Process of and Apparatus for Filtering and Washing Brewers' Mash and Similar Mixtures.

Номер патента: GB190220079A. Автор: Valentin Lapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-29.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electronic governor system and control device of the same

Номер патента: US20120000442A1. Автор: . Владелец: NIKKI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVELOPER CONTAINER AND IMAGE FORMING APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120003013A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE MARKINGS AND METHODS FOR REVERSIBLY MARKING TISSUE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120003301A1. Автор: Agrawal Satish,Boggs Roger. Владелец: PERFORMANCE INDICATOR LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSTANT OIL FRIED NOODLE CONTAINING IRON AND ITS PROCESS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003376A1. Автор: Alam Mohammad Shameem. Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cross-linked polymer, membrane and processes of forming the same

Номер патента: SG165288A1. Автор: Wang Yan,Jiang Lanying,Chung Tai Shung. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2010-10-28.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-5, UZM-5P, AND UZM-6 CRYSTALLINE ALUMINOSILICATE ZEOLITES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120004485A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Material for Surgical Bandages and Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB190405304A. Автор: Rudolf Robitschek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-15.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYBRID POWER DRIVE SYSTEM AND A DRIVE METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120004073A1. Автор: Zhang Xinxin,TANG Xiaohua,LUO Fei,Xiao Zhigao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Processes of and Apparatus for Manufacturing Plate or Sheet Glass.

Номер патента: GB189806203A. Автор: Ferdinand Vitte. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-14.

Improvements in the Process of Rolling Disc Wheels and Objects of the like kind.

Номер патента: GB190100101A. Автор: Alphons De Fontaine. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-02.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PLANAR ILLUMINATION DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002136A1. Автор: NAGATA Takayuki,YAMAMOTO Kazuhisa,Itoh Tatsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Appliances to be Employed in the Process of Bleaching.

Номер патента: GB190103518A. Автор: . Владелец: BOUGHEY WILLIAM DOLLING MONTGO. Дата публикации: 1901-05-11.

MOTORIZED SHAVING APPARATUS HEAD AND SHAVING APPARATUS IMPLEMENTING THE SAME

Номер патента: US20120000075A1. Автор: Ben-Ari Tsafrir. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND DISK DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002321A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL SYSTEM AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120003553A1. Автор: Kim Dong-hyun,KIM Hyun,Hong Ming-Zi,Kim Dong-Rak,Cho Woong-Ho. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001714A1. Автор: LEE Young Min,Kim Jong Hae,Park Geun Young,Seo Sang Joon,Shin Hwi Beom. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROMAGNETIC WAVE GATHERING DEVICE AND SOLAR CELL MODULE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120002291A1. Автор: Lee Shih-Chang,Hong Kai-Yi,Lo Wu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND DISK DRIVE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002322A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT GUIDING OBJECT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002443A1. Автор: Ye Zhi-Ting,Huang Kuo-Jui. Владелец: WINTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of Forming Dough on a Paperboard Preform

Номер патента: CA2160402A1. Автор: Davis A. Donnelly,Larry I. Kufahl,Harry K. Kralkow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-01-11.

Improvements in Printers' Overlays and Process of Making the same.

Номер патента: GB189919850A. Автор: Edward Bierstadt,Theodore Brockbank De Vinne. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-01-20.

Improvements in and relating to colour forming developers and processes of colour development

Номер патента: GB531246A. Автор: . Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1941-01-01.

A Process of Dyeing with Sulphurised Dyestuffs.

Номер патента: GB190708631A. Автор: Oliver Imray. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-04-13.

An Improved Method or Process of Cleaning and Sterilizing Milk Bottles and the like

Номер патента: GB190415029A. Автор: Charles Sumner Adams,Albert Josiah Rice. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-08-25.

Improvements in Ice Houses and Process of Forming Ice.

Номер патента: GB190022586A. Автор: William Phillips Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-16.

Data processing of coherent joint transmission

Номер патента: WO2024221369A1. Автор: YAN Zhao,Tao Yang,HAO LIU,Nuan SONG. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-31.

SYSTEMS, METHODS AND APPARATUSES FOR MAGNETIC PROCESSING OF SOLAR MODULES

Номер патента: US20120003777A1. Автор: . Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2012-01-05.

An Improved Process of Bleaching Textile Fibres, Yarns, and Fabrics.

Номер патента: GB190505296A. Автор: Hugo Zeitschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-14.

Improvements in Antiseptic Preparations and Process of Producing the same

Номер патента: GB190417607A. Автор: Herman Endemann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-10-06.

Improvements in the Manufacture of Pile Fabrics and in Looms for Weaving the same.

Номер патента: GB190404264A. Автор: William Crawford Gray,William Mc Kenzie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-20.

A Process of and Apparatus for Manufacturing Metal Tubes from Solid Billets.

Номер патента: GB189730449A. Автор: Ralph Charles Stiefel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-03-19.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of and Means for Testing the Composition of Gaseous Mixtures

Номер патента: GB190418047A. Автор: Fritz Haber. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-06-08.

Improvements in and relating to Processes of Manufacturing Transfers.

Номер патента: GB190816026A. Автор: Theodore Weck,Hermann Weck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-01.

Improvements in the Process of and in Means for the Production of Acetylene Gas.

Номер патента: GB190015292A. Автор: Edward Sutton Titus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-11-03.

Process of Manufacturing Link-chains by Casting.

Номер патента: GB190413191A. Автор: Johann Peter Proemper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-09-22.

Derivatives of 4-(1-piperidyl)-butanol-1 and pharmaceutical compositions containing the same

Номер патента: GB969586A. Автор: . Владелец: Smith Kline and French Laboratories Ltd. Дата публикации: 1964-09-09.

ADJUSTABLE SIGN FRAME AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000106A1. Автор: WICK Melinda Jean. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming monodispersed flow of drops from liquid jet

Номер патента: RU2150335C1. Автор: А.Ф. Ещенко. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 2000-06-10.

Improvements in Compositions of Matter to be used for Pigments, and in the Process of Making the same.

Номер патента: GB190317785A. Автор: John Morton,William Joseph Armbruster. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-01.

Improvements in the Process of and Apparatus for Reproducing Phonographic Records.

Номер патента: GB190013344A. Автор: Thomas Bennett Lambert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-11-24.

Improvements in or relating to process of preparing ethylene oxide and its homologues

Номер патента: GB495676A. Автор: . Владелец: CARBOCHIMIQUE SA. Дата публикации: 1938-11-17.