Mechanisms for forming ultra shallow junction
Номер патента: US8536658B2
Опубликовано: 17-09-2013
Автор(ы): Chii-Ming Wu, Chun Hsiung Tsai, Yu-Lien Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-09-2013
Автор(ы): Chii-Ming Wu, Chun Hsiung Tsai, Yu-Lien Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Formation of shallow junctions by diffusion from a dielectric doped by cluster or molecular ion beams
Номер патента: US20110312168A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-22.