GALLIUM NITRIDE-BASED DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Номер патента: US20150034964A1
Опубликовано: 05-02-2015
Автор(ы): LEE Kang Nyung, TAKEYA Motonobu
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-02-2015
Автор(ы): LEE Kang Nyung, TAKEYA Motonobu
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and system for doping control in gallium nitride based devices
Номер патента: US20150155372A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2015-06-04.