Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Complementary MOS inverter structure

Номер патента: US4178605A
Опубликовано: 11-12-1979
Автор(ы): James M. Cartwright, Jr., Sheng T. Hsu
Принадлежит: RCA Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit with anti latch-up circuit in complementary MOS circuit technology

Номер патента: US5126816A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-06-30.

Complementary mos ic device

Номер патента: KR900003940B1. Автор: 겐지 이나미,마시히꼬 요시모도,사도루 가모도. Владелец: 카다야마히도하지로. Дата публикации: 1990-06-04.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Integrated circuit with anti-latch-up circuit in complementary mos circuit technology

Номер патента: KR0136595B1. Автор: 베르너 렉체크,요제프 빈네를,볼프강 프리빌. Владелец: 드로스트, 후흐스. Дата публикации: 1998-04-29.

Integrated circuit with anti-latch-up circuit in complementary mos circuit technology

Номер патента: KR0133204B1. Автор: 베르너 렉체크,볼프강 프리빌. Владелец: 드로스트, 후흐스. Дата публикации: 1998-04-16.

Integrated circuit with anti-''latch-up'' circuit obtained using complementary mos circuit technology

Номер патента: EP0391923B1. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-06-01.

Circuit containing integrated bipolar and complementary MOS transistors on a common substrate

Номер патента: US4884117A. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-28.

Circuit containing integrated bipolar and complementary mos transistors on a common substrate

Номер патента: CA1282872C. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-09.

Complementary MOS semiconductor device

Номер патента: US5304833A. Автор: Komori Shigeki,MITSUI Katsuyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Radiation tolerant complementary MOS logic for bipolar/CMOS integrated circuitry

Номер патента: US5220218A. Автор: Kevin E. Hill,Gary A. Stefura. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-06-15.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20190386150A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20200220027A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURE AND NANOWIRE INVERTER STRUCTURE

Номер патента: US20200220027A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Process for fabrication of stacked, complementary MOS field effect transistor circuits

Номер патента: US4467518A. Автор: Claude L. Bertin,Jai P. Bansal,Ronald R. Troutman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-08-28.

Integrated, complementary MOS circuit - has pairs of active regions of two MOS elements coupled by polycrystalline silicon strip and has short circuit at undesirable junction

Номер патента: DE2906249A1. Автор: Donald Joseph Tanguay,Charles Edward Weitzel. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-08-30.

Isolated complementary MOS devices in EPI-less substrate

Номер патента: EP2214198A3. Автор: Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-18.

Production of complementary mos integrated circuit unit

Номер патента: JPS5443685A. Автор: Shinobu Fukunaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-04-06.

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT WITH COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS

Номер патента: FR2462025A1. Автор: Fritz Guenter Adam. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1981-02-06.

Integrated circuit having latch-up protection circuit fabricated by complementary mos technology

Номер патента: EP0261370A3. Автор: Josef Dr. Winnerl,Werner Reczek. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-09-14.

MOS inverter forming method

Номер патента: EP0709892A2. Автор: Makoto Yamamoto,Sunao Takatori,Guoliang Shou,Kazunori Motohashi. Владелец: Yozan Inc. Дата публикации: 1996-05-01.

MOS inverter circuit

Номер патента: DE69525707T2. Автор: Makoto Yamamoto,Sunao Takatori,Guoliang Shou,Kazunori Motohashi. Владелец: Yozan Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

INVERTER STRUCTURE WITH DIFFERENT SIZED CONTACTS

Номер патента: US20200194418A1. Автор: Tan Chung Foong,MUN Seong Yeol,Steinmann Peter P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Complementary MOS field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR970018526A. Автор: 히로카즈 사야마,타카시 쿠로이. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1997-04-30.

Complementary MOS semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010025968A1. Автор: Jun Osanai. Владелец: Jun Osanai. Дата публикации: 2001-10-04.

Manufacture for complementary mos integrated circuit device

Номер патента: JPS54122982A. Автор: Toshimoto Kodaira. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1979-09-22.

Gate electrode formation method of complementary MOS device

Номер патента: KR960019770A. Автор: 이충훈,김현수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Complementary mos integrated circuit device

Номер патента: JPS60132358A. Автор: Kazuyuki Mizushima,水嶋　和之. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-15.

Process for making adjacent ion impurity implanted wells for manufacturing highly integrated complementary mos field effect transistor circuits

Номер патента: EP0081804B1. Автор: Ulrich Dr. Schwabe,Erwin Dr. Jacobs. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-10-15.

Process for manufacuting a highly integrated complementary mos field effect transistor circuit using silicon gate technology

Номер патента: DE3274601D1. Автор: Ulrich Dr Schwabe,Erwin Dr Jacobs,Adolf Dr Scheibe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-01-15.

Method of simultaneously producing bipolar and complementary mos transistors as a common silicon substrate

Номер патента: EP0204979B1. Автор: Erwin P. Dr. Jacobs,Josef Dr. Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-29.

Complementary mos transistor

Номер патента: JPS5470777A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-06-06.

Method of simultaneously producing bipolar and complementary mos transistors as a common silicon substrate

Номер патента: DE3662627D1. Автор: Erwin P Dr Jacobs,Josef Dr Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-05-03.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS6376471A. Автор: Yukihiro Tominaga,冨永　之廣. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-06.

Complementary mos type semiconductor

Номер патента: JPS5797663A. Автор: Kunimitsu Fujiki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-17.

Driving method for complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS60154553A. Автор: Takeshi Ando,Yasunobu Okano,岡野　安伸,毅 安東. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-14.

Method of fabricating a complementary MOS integrated circuit device

Номер патента: EP0264283A2. Автор: Takao Yonehara,Masaharu Ozaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-04-20.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS61231748A. Автор: Katsuzo Tsuchida,土田　勝三. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-10-16.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS6344754A. Автор: Masahiro Yamada,正弘 山田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1988-02-25.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS5650558A. Автор: Shinji Morozumi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-05-07.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: KR100274562B1. Автор: 히로시 이또,마꼬또 사사끼. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-12-15.

Complementary mos semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPS6226853A. Автор: Yasushi Kawakami,靖 川上. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-02-04.

Complementary MOS semiconductor apparature

Номер патента: TW402820B. Автор: Hiroshi Ito,Makoto Sasaki. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-08-21.

Complementary mos transistor with high breakdown voltage

Номер патента: JPS56133865A. Автор: Shinji Morozumi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-10-20.

Complementary mos transistor circuit

Номер патента: JPS61283158A. Автор: Hideo Takahashi,Kiyonobu Hinooka,秀雄 高橋,日野岡　清伸. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-13.

Complementary MOS semiconductor device

Номер патента: EP0917201A3. Автор: Hiroshi Ito,Makoto Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-13.

Complementary mos type semiconductor integrated circuit

Номер патента: JPS59110151A. Автор: Kanichi Miyazawa,宮澤　幹一. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

Complementary mos semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS6110268A. Автор: Minoru Araki,荒木　稔. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-17.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS5571061A. Автор: Tadayasu Nakajima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-05-28.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURE AND NANOWIRE INVERTER STRUCTURE

Номер патента: US20190386150A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Complementary mos fets vertically arranged and including multiple dielectric layers surrounding the mos fets

Номер патента: US20230335446A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Input protector for complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS57180158A. Автор: Koji Eguchi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-06.

Complementary MOS read only memory for storing information, has memory cells with storage transistors having gate in shape of window whose inner and outer borders delimit respectively central drain region and source regions in substrate

Номер патента: FR2880982A1. Автор: Jean Pierre Schoellkopf,Bertrand Borot. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-07-21.

Manufacture of complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS632372A. Автор: Akira Yoshino,明 吉野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-01-07.

C-mos inverter

Номер патента: JPS6062726A. Автор: Atsuo Koshizuka,淳生 越塚. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-04-10.

Cmos inverter structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR930008885B1. Автор: 박종성. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-09-16.

Resistor loaded inverter structures

Номер патента: US20190189745A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

PROCESS FOR MANUFACTURING COMPLEMENTARY MOS DEVICES ON SAPPHIRE SUBSTRATE

Номер патента: FR2315170A1. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-01-14.

Manufacture for complementary mos integrated circuit device

Номер патента: JPS53127274A. Автор: Shinobu Fukunaga,Masahiko Yasuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-11-07.

CMOS INVERTER STRUCTURE AND METHODS OF MAKING SUCH INVERTERS

Номер патента: US20190288690A1. Автор: Liu Yang,Shen Tian,Yeap Kong Boon,Mehta Anjum. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09705075B2. Автор: Tae Young Lee,Sang Ho Lim,Seong Rae Lee,Dong-Su Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE INCLUDING FIELD-EFFECT TRANSISTORS MADE FOLLOWING THE COMPLEMENTARY MOS TECHNIQUE

Номер патента: BE817544A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-11-04.

Complementary mos ic device and its process of preparation

Номер патента: JPS5649561A. Автор: Hiroyuki Tango,Shinji Taguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-06.

Complementary mos semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS583268A. Автор: Homare Matsumura,Kenji Maeguchi,Yoshihisa Mizutani,水谷　嘉久,前口　賢二,松村　誉. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-10.

Complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS59220961A. Автор: Junichi Ono,淳一 大野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-12-12.

Manufacture of complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS5721855A. Автор: Masahide Ohashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-04.

Complementary MOS image sensor, has photodiode including part with contact electrically connected to gate of read transistor, and another part with N-type region covered by P-type region electrically connected to potential of substrate

Номер патента: FR2919961A1. Автор: Pierre Fereyre,Simon Caruel. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2009-02-13.

Complementary MOS image sensor

Номер патента: CN1258228C. Автор: 权五凤. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Complementary MOS image sensor and making method thereof

Номер патента: CN1171315C. Автор: 李兰伊,����ֵ¡���,伍德沃德·杨,李柱日. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Method of adjusting signal to noise ratio of SRAM and invertor structure

Номер патента: US10276446B1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Wei-Chi Lee,Chang-Hung CHEN,Po-Yu YANG,Han-Tsun Wang,Mei-Ying Fan,Mu-Kai Tsai,Guan-Shyan Lin,Tsz-Hui Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of adjusting signal to noise ratio of sram and invertor structure

Номер патента: US20190318964A1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Wei-Chi Lee,Chang-Hung CHEN,Po-Yu YANG,Han-Tsun Wang,Mei-Ying Fan,Mu-Kai Tsai,Guan-Shyan Lin,Tsz-Hui Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated circuit on complementary mos transistors

Номер патента: RU2025829C1. Автор: Nl],Йозефиус Мари Вендрик Хендрикус,Йозефиус Мария Вендрик Хендрикус,Антониус Йоханнес Мария Ван Ден Элсхоут Андреас,Антониус Йоханнес Мари Ван Ден Элсхоут Андреас,Виллем Харбертс Дирк. Владелец: Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен. Дата публикации: 1994-12-30.

Method for mfg. of complementary MOS semiconductor device

Номер патента: CN1193185A. Автор: 伊藤浩. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-16.

Process for manufacturing integrated mos field effect transistors, particularly circuits having complementary mos field effect transistors with an additional conductor level comprising metal silicides

Номер патента: DE3267800D1. Автор: Ulrich Dr Schwabe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-01-16.

METHOD FOR PRODUCING COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS OF HIGH INTEGRATION FOR HIGH VOLTAGES

Номер патента: DE3002051A1. Автор: Giuseppe Ferla,Gianfranco Dr Cerofolini. Владелец: ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1980-07-31.

Manufacture of complementary mos gate circuit device

Номер патента: JPS61274354A. Автор: Hiroshi Nishida,宏 西田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-04.

Complementary MOS transistor e.g. dual metal gates transistor, manufacturing method for integrated electronic circuit, involves performing chemical mechanical polishing until mask layers are attained, and eliminating deposited mask layers

Номер патента: FR2910180A1. Автор: Maurice Rivoire,Vincent Cosnier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of manufacturing complementary MOS semiconductor

Номер патента: JP2956633B2. Автор: 浩 伊藤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Complementary MOS transistor and its manufacturing method

Номер патента: KR970054083A. Автор: 임광현,유지형. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of fabricating a gate stack integration of complementary MOS device

Номер патента: US8173499B2. Автор: Kuo-Feng Yu,Shyue-Shyh Lin,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-08.

Method for increasing the emitter efficiency of bipolar transistors in complementary MOS circuits comprising bipolar transistors

Номер патента: DE3527098A1. Автор: Josef Dr Ing Winnerl,Franz Dr Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-01-29.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS WITH LOW THRESHOLD VOLTAGES IN INTEGRATED HIGH DENSITY CIRCUITS AND STRUCTURE RESULTING THEREFROM

Номер патента: FR2558010A1. Автор: Livio Baldi,Giuseppe Corda,Giulio Iannuzzi,Giorgio De Santi,Danilo Re. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1985-07-12.

Method for producing a sublithographic gate structure for field effect transistors, and for producing an associated field effect transistor, an associated inverter, and an associated inverter structure

Номер патента: AU2003289828A8. Автор: Helmut Tews,Rodger Fehlhaber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-14.

Method for producing a sublithographic gate structure for field effect transistors, and for producing an associated field effect transistor, an associated inverter, and an associated inverter structure

Номер патента: AU2003289828A1. Автор: Helmut Tews,Rodger Fehlhaber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-14.

Method for fabricating a sublithographic gate structure for field-effect transistors, an associated field-effect transistor and an associated inverter, and associated inverter structure

Номер патента: TW200416900A. Автор: Helmut Tews,Rodger Fehlhaber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for fabricating a sublithographic gate structure for field-effect transistors, an associated field-effect transistor and an associated inverter, and associated inverter structure

Номер патента: TWI264071B. Автор: Helmut Tews,Rodger Fehlhaber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-11.

Cell structure of complementary mos

Номер патента: JPS6161452A. Автор: 幸広 牛久,Yukihiro Ushiku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-03-29.

Complementary mos integrated circuit device

Номер патента: JPS57176756A. Автор: Isao Okura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-10-30.

Silicon-on-insulator substrate fabricating method for complementary MOS circuit, involves eliminating silicium oxide layer to reveal germanium layer, and waxing galium arsenide base metal from silicium oxide layer

Номер патента: FR2916573A1. Автор: Jean Francois Damlencourt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-11-28.

Complementary mos transistor integrated circuits with inversion layer formed by ionic discharge bombardment

Номер патента: ES336361A1. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-04-01.

Fully-enclosed gate nanosheet complementary inverter structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110970432A. Автор: 肖德元. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Manufacture of complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPH01154550A. Автор: Jiichi Hino,滋一 樋野. Владелец: Kansai Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-16.

Complementary mos memory circuit device

Номер патента: JPS56161667A. Автор: Koji Eguchi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-12.

Mos inverter

Номер патента: JPS5632766A. Автор: Hideji Koike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-02.

Stack Structured FinFET Transistor And CMOS Inverter Structures and Method for Manufacturing

Номер патента: KR100583391B1. Автор: 최양규,한진우. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2006-05-26.

Inverter structure

Номер патента: EP4175158A1. Автор: Takayuki Sato,Masashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Polymer Photovoltaic Cell with an Inverted Structure and Process for its Preparation

Номер патента: US20200067003A1. Автор: Cominetti Alessandra,Po Riccardo. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Cobalt (co) and platinum (pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20150115379A1. Автор: Tae Young Lee,Sang Ho Lim,Seong Rae Lee,Dong-Su Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

RESISTOR LOADED INVERTER STRUCTURES

Номер патента: US20190189745A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Copt multilyers having an inverted structure and method for preparing the same

Номер патента: KR101287370B1. Автор: 이태영,임상호,이성래,손동수. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-07-19.

Sapphire base novel inverted structure and application thereof

Номер патента: CN101859863A. Автор: 杨辉,蔡勇,张宝顺,王敏锐. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2010-10-13.

A kind of copper indium gallium selenium solar cell of inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN107731942A. Автор: 许开华,李轶. Владелец: Jingmen GEM New Material Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

A kind of III-nitride micro-nano luminescent device of inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106784226A. Автор: 李京波,张佰君,招瑜,罗东向,杨亿斌,肖也,牟中飞. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-31.

Double-side photic GaAs multijunction solar cells of inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN105336796B. Автор: 张永,周大勇,李俊承,韩效亚,吴洪清,杨洪东,米万里. Владелец: Yangzhou Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Punch-through diode having an inverted structure

Номер патента: US6597052B2. Автор: Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Erwin Adolf Hijzen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-22.

A kind of LED inverted structure

Номер патента: CN106384775B. Автор: 何苗,熊德平,杨思攀,周俊楠. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-14.

A kind of inverted structure method for manufacturing solar battery

Номер патента: CN105304764B. Автор: 姜伟,张永,陈凯轩,林志伟,卓祥景,方天足. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Inverter structure

Номер патента: JP2023067149A. Автор: Takayuki Sato,隆之 佐藤,匡司 林口,Tadashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Inverter structure

Номер патента: US20230179111A1. Автор: Takayuki Sato,Masashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4695866A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-09-22.

Three-state complementary MOS integrated circuit

Номер патента: US4804867A. Автор: Yukio Miyazaki,Takenori Okitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Complementary MOS logic circuit

Номер патента: US4069426A. Автор: Masataka Hirasawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-01-17.

High speed, radiation hard complementary mos capacitive voltage level shift circuit

Номер патента: US4109163A. Автор: James R. Cricchi,Michael D. Fitzpatrick. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-08-22.

Current limiting complementary symmetry mos inverters

Номер патента: US3651340A. Автор: Steven K Cliff. Владелец: Hamilton Watch Co. Дата публикации: 1972-03-21.

Synchronous electromechanical energy converter of inverted structure

Номер патента: RU2603360C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин,Александр Михайлович Леонтьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-11-27.

Polymeric photovoltaic cell with inverted structure comprising a conjugated polymer comprising an anthradithiophene derivative

Номер патента: US12058926B2. Автор: Gabriele Bianchi. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2024-08-06.

Polymeric photovoltaic cell with inverted structure comprising a conjugated polymer comprising an anthradithiophene derivative

Номер патента: EP4059067A1. Автор: Gabriele Bianchi. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2022-09-21.

Polymer photovoltaic cell with an inverted structure and process for its preparation

Номер патента: CA3045982A1. Автор: Riccardo Po,Alessandra Cominetti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2018-08-30.

Polymeric photovoltaic cell with inverted structure comprising a conjugated polymer comprising an anthradithiophene derivative

Номер патента: WO2021094973A1. Автор: Gabriele Bianchi. Владелец: ENI S.P.A.. Дата публикации: 2021-05-20.

Inverter structure

Номер патента: EP4175157A1. Автор: Takayuki Sato,Masashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Hybrid nonwoven separator having inverted structure

Номер патента: US20150372273A1. Автор: Hyang Doo Lee. Владелец: Toptec Hns Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

INVERTER STRUCTURE AND METHOD FOR ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20180358173A1. Автор: Chang Yung-Chi,CHANG Ta-Wen,Lai Chia-Ti,CHI Hsiao-Hua,CHEN Lien-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Cobalt (co) and platinum (pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: CN104471419A. Автор: 李泰荣,孙东秀,林相镐,李性来. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-03-25.

Inverted structure circulator/isolator and processing method thereof

Номер патента: CN111509346A. Автор: 杨勤,闫欢,胡艺缤,冯楠轩. Владелец: CETC 9 Research Institute. Дата публикации: 2020-08-07.

Circuit breaker with rupture chamber having double movement and inverted structure

Номер патента: CN101290847B. Автор: C·克勒索,C·林德纳,J-L·布儒瓦,J·奥齐尔. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2013-08-07.

Hybrid nonwoven separator having inverted structure

Номер патента: WO2014123268A1. Автор: 이향두. Владелец: 톱텍에이치앤에스 주식회사. Дата публикации: 2014-08-14.

Double movement circuit breaker with quenching chamber and inverted structure

Номер патента: CA2629154A1. Автор: Christian Lindner,Jean-Luc Bourgeois,Christophe Creusot,Joel Ozil. Владелец: Areva T&D SAS. Дата публикации: 2008-10-17.

Inverter structure

Номер патента: US20230136232A1. Автор: Takayuki Sato,Masashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB1336480A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1973-11-07.

Ultra-low power-delay product nnn/ppp logic devices

Номер патента: WO1998007194A1. Автор: Harvey N. Nathanson. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-02-19.

Vertical integration scheme and circuit elements architecture for area scaling of semiconductor devices

Номер патента: US20230046755A1. Автор: Tahir Ghani,Patrick Morrow,Ranjith Kumar,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Low voltage compensator for power supply in a complementary MOS transistor crystal oscillator circuit

Номер патента: US4131864A. Автор: Keizo Yamamoto,Takatoshi Kuzumoto,Kiyoshi Kumata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1978-12-26.

Latch-up protection circuit fo integrated circuits using complementarymos circuit technology

Номер патента: CA1275456C. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-23.

Invertible structure with a track

Номер патента: US20160334050A1. Автор: David Simonelli,David Jalbert. Владелец: UCP INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Invertible Structure with a Track

Номер патента: US20150211674A1. Автор: David Simonelli,David Jalbert,Kevin Maloney,Diane Eaker. Владелец: UCP INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Invertible structure with a track

Номер патента: US09581287B2. Автор: David Simonelli,David Jalbert. Владелец: UCP INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Vibration damping device of inverted structure

Номер патента: US20200018375A1. Автор: Naoki SOGAWA,Kentaro Komori,Gakuyo Fujimoto. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

PMOS depletable drain extension made from NMOS dual depletable drain extensions

Номер патента: USRE45814E1. Автор: James D. Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-11-24.

Pmos depletable drain extension made from nmos dual depletable drain extensions

Номер патента: US20090146218A1. Автор: James Douglas Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

PMOS depletable drain extension made from NMOS dual depletable drain extensions

Номер патента: USRE44430E1. Автор: James D. Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-08-13.

PMOS depletable drain extension made from NMOS dual depletable drain extensions

Номер патента: US20060278939A1. Автор: James Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Complementary mos inverter

Номер патента: JPS5260057A. Автор: Takeshi Ishihara,Hirohei Kawakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-18.

A high-speed power amplifier with coupled-source complementary MOS output transistors

Номер патента: GB2381398A. Автор: Alec Smith. Владелец: SMITHS GROUP PLC. Дата публикации: 2003-04-30.

Integrated complementary MOS transistor logic circuit - has four pairs of MOS transistors connected to provide three stable states of circuit

Номер патента: FR2352449A1. Автор: Pierre Girard,Marie-Helene Comte,Andre Charles Choserot. Владелец: Laboratoire Central de Telecommunications SA. Дата публикации: 1977-12-16.

Logic circuits which employ complementary mos transistors

Номер патента: GB1572724A. Автор: . Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1980-08-06.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS59216330A. Автор: Fumiaki Tsukuda,Tojiro Takegawa,武川　藤次郎,佃　文明. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-06.

Tri-state complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS63125017A. Автор: 毅則 沖高,Takenori Okidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-05-28.

Complementary mos lsi circuit

Номер патента: JPS539457A. Автор: Ryusuke Hoshikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-01-27.

Complementary mos circuit

Номер патента: JPS5549037A. Автор: Takeshi Ando,Kazuki Yoshitake. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-04-08.

DIGITAL CIRCUITS IN COMPLEMENTARY MOS TECHNOLOGY (CMOS) EQUIPPED WITH A REACTION LOOP AMPLIFIER

Номер патента: FR2295646A1. Автор: Frederick Buckley Iii,Malcolm K Creamer Jr,Gerald A Miller,Vincent A Scotto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-07-16.

Logic level converter for TTL input - provides output with smaller level shift at junction of resistance and chain of bipolar and two complementary MOS transistors

Номер патента: DE4219559A1. Автор: Claude Barre. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-12-16.

Complementary mos transistor circuit

Номер патента: JPS52140258A. Автор: Takeya Ezaki,Hirohei Kawakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-11-22.

Complementary mos logic circuit

Номер патента: JPS5580922A. Автор: Toshiyuki Araki,Isato Kazama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-18.

Complementary mos circuit

Номер патента: JPS5758417A. Автор: Kunimitsu Fujiki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-04-08.

Image recording system for e.g. motor vehicle, has recording modules formed with sensors e.g. complementary MOS arrays, having different sensitivities for illumination levels and transmitting image information to electronic evaluation unit

Номер патента: DE102006014504B3. Автор: Stephan Dr.-Ing. Zipser,Martin Dipl.-Ing. Wiel,Nikolaus Dipl.-Ing. Möhler,Dietrich Dipl.-Inf. John. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2007-11-08.

Complementary mos field effect transistor circuit

Номер патента: JPS54121051A. Автор: Mineo Akashi,Teruaki Nakamura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-19.

Complementary mos circuit device

Номер патента: JPS5437462A. Автор: Masaru Hitosugi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-19.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS59108425A. Автор: Hiroshi Shinohara,Katsuki Ichinose,尋史 篠原,一瀬　勝樹. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-22.

Complementary mos driving circuit

Номер патента: JPS52137244A. Автор: Shigeyoshi Igarashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-11-16.

Output circuit for complementary MOS integrated logic device

Номер патента: DE4344307A1. Автор: Katsushi Asahina. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-07-07.

INTEGRATED COMPLEMENTARY MOS CIRCUIT.

Номер патента: DE3784285T2. Автор: Takenori C O Mitsubish Okitaka,Yukio C O Mitsubishi Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-07-22.

Complementary mos logic circuit

Номер патента: JPS62265814A. Автор: Shinobu Miyata,忍 宮田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-18.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS53118326A. Автор: Moichi Matsukuma. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-10-16.

Complementary mos transistor output circuit

Номер патента: JPS61145930A. Автор: Daisuke Shichinohe,Noritaka Masuda,Katsunobu Hongo,増田　紀隆,本郷　勝信,七戸　大助. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-07-03.

Video imaging sensor of quadrant mode complementary MOS

Номер патента: CN1150626C. Автор: H·杨,K·董,K・董,X·贺. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Clock signal generating device with complementary mos transistors

Номер патента: CA1026438A. Автор: Teruaki Tanaka,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-14.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS57199333A. Автор: Masao Kayahara,Youko Yukusawa. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1982-12-07.

MOS inverting power driver circuit

Номер патента: US4042838A. Автор: Dana C. Street,Clarence W. Padgett. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-08-16.

High-voltage mos inverter and its driving method

Номер патента: JPS5711536A. Автор: Hiroshi Sakuma. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-21.

Mos inverter circuit

Номер патента: JPS5378158A. Автор: Yoshiiku Togei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-07-11.

Mos inverting circuit

Номер патента: JPS6225513A. Автор: Takashi Uno,鵜野　敬史. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-02-03.

Mos inverter circuit

Номер патента: JPS5483759A. Автор: Sumio Tanaka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-04.

Complementary type mos inverter circuit

Номер патента: JPS61269530A. Автор: Koji Sanada,真田　孝司. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-11-28.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Polymeric photovoltaic cell with inverted structure comprising a conjugated polymer comprising an anthradithiophene derivative

Номер патента: EP4059067B1. Автор: Gabriele Bianchi. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2024-08-21.

Polymeric photovoltaic cell with inverted structure comprising a conjugated polymer comprising an anthradithiophene derivative

Номер патента: EP4059067C0. Автор: Gabriele Bianchi. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2024-08-21.

Inverter structure

Номер патента: US12143027B2. Автор: Takayuki Sato,Masashi Hayashiguchi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

INVERTER STRUCTURE FOR VEHICLE

Номер патента: US20180145603A1. Автор: KIM Yun Ho. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Inks for solar cell inverted structures

Номер патента: WO2012078517A1. Автор: Caton C. Goodman,Edward S. Yang. Владелец: Plextronics, Inc.. Дата публикации: 2012-06-14.

Frequency divider comprising inverter structure

Номер патента: KR100970132B1. Автор: 이재헌,백동현,박주봉. Владелец: 주식회사 파이칩스. Дата публикации: 2010-07-14.

Inverter structure of an electronic module for an electric drive of a vehicle

Номер патента: DE102021204577A1. Автор: Ake Ewald. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Quantum dot light-emitting diode with inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN112510163A. Автор: 郭太良,杨开宇,胡海龙,李福山,井继鹏,赵等临. Владелец: Mindu Innovation Laboratory. Дата публикации: 2021-03-16.

Driving circuit and method of three-phase inverter structure

Номер патента: TW200412200A. Автор: Ching-Chiang Yeh,Chean-Lung Tsay. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2004-07-01.

Inverter structure for vehicle

Номер патента: CN108112217B. Автор: 金润浩. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-05.

A kind of OLED of the inverted structure containing coating

Номер патента: CN107437589A. Автор: 蔡辉,孙可,孙可一. Владелец: Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Inverter structure of an inverter of a power electronics module for operating an electric drive of a motor vehicle

Номер патента: US20240049417A1. Автор: Ake Ewald. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Inverter structure of an inverter of a power electronics module for operating an electric drive of a motor vehicle

Номер патента: US20240072708A1. Автор: Ake Ewald. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Polymer photovoltaic cell with an inverted structure and process for its preparation

Номер патента: EP3586383B1. Автор: Riccardo Po,Alessandra Cominetti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2024-02-14.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20150179648A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated circuit device including both n-channel and p-channel insulated gate field effect transistors

Номер патента: CA1057413A. Автор: Andrew G.F. Dingwall. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Integrated circuit device including both N-channel and P-channel insulated gate field effect transistors

Номер патента: US4240093A. Автор: Andrew G. F. Dingwall. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20120273774A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Circuit for reducing the latch-up sensitivity of a cmos circuit

Номер патента: US5055903A. Автор: Bernhard Wichmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-10-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US4143391A. Автор: Yasoji Suzuki,Tomohisa Shigematsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Complementary mos sense circuit

Номер патента: JPS5694574A. Автор: Mitsuo Isobe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-31.

Implantable device for use in brain of e.g. rat, has detection unit comprising complementary MOS type elementary detectors, and signal processing unit connected to detectors and carried by animal e.g. rat, that is free from movements

Номер патента: FR2922320A1. Автор: Bernard Dinkespiler,Laurent Pinot,Jeremy Godart,Philippe Pierre Louis Laniece,Pierre Auguste Rober Delpierre. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2009-04-17.

Polymer lens fabricating method for e.g. complementary MOS imager, involves realizing opaque zones on convex lens by degrading molecular structure of polymer material, where zones form diaphragm and diffraction network that forms filter

Номер патента: FR2902530A1. Автор: Roberto Mionetto. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-12-21.

Method of fabricating complementary mos transistor

Номер патента: JPS5488780A. Автор: Kenji Shibata,Takamaro Mizoguchi,Tooru Mochizuki,Takanori Tsujimaru. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-07-14.

Vibration damping device of inverted structure

Номер патента: US20200018375A1. Автор: Naoki SOGAWA,Kentaro Komori,Gakuyo Fujimoto. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Invertible Structure with a Track

Номер патента: US20150211674A1. Автор: Maloney Kevin,Simonelli David,JALBERT David,Eaker Diane. Владелец: UCP INTERNATIONAL CO. LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

INVERTIBLE STRUCTURE WITH A TRACK

Номер патента: US20180313493A1. Автор: Simonelli David,JALBERT David. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

INVERTIBLE STRUCTURE WITH A TRACK

Номер патента: US20160334050A1. Автор: Simonelli David,JALBERT David. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

FRONT FRAME FOR A DEVIATION GRID REVERSING INVERTER STRUCTURE

Номер патента: FR2995026A1. Автор: Xavier Cazuc,Jean-Philippe Joret. Владелец: Aircelle SA. Дата публикации: 2014-03-07.

FRONT FRAME FOR A DEVIATION GRID REVERSING INVERTER STRUCTURE

Номер патента: FR2954410A1. Автор: Florent Bouillon,Laurent Dubois,Alexandre Bellanger,Stephane Bardin. Владелец: Aircelle SA. Дата публикации: 2011-06-24.

REAR FRAME FOR A DEVIATION GRID REVERSING INVERTER STRUCTURE

Номер патента: FR3023325A1. Автор: Laurent Dubois,Laurent Ferrocino,Kamal Hafidi. Владелец: Aircelle SA. Дата публикации: 2016-01-08.

Invert structure for sewer pipe and construction method thereof

Номер патента: KR102218483B1. Автор: 이봉재,송호면,지현욱,유성수,강정희. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2021-02-22.

FRONT FRAME FOR A DEVIATION GRID REVERSING INVERTER STRUCTURE

Номер патента: FR2954410B1. Автор: Florent Bouillon,Laurent Dubois,Alexandre Bellanger,Stephane Bardin. Владелец: Aircelle SA. Дата публикации: 2014-07-04.

Polymer solar battery with inverted structure and fabrication method thereof

Номер патента: CN102201539A. Автор: 谭占鳌,张文庆,钱德平. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-09-28.

A kind of laser photovoltaic cell of inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN104009047B. Автор: 杨辉,赵春雨,于淑珍,赵勇明,董建荣,李奎龙,孙玉润,曾徐路. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-24.

A method for forming a ferroelectric domain-inverted structure

Номер патента: EP0981067A3. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Tatsuo Kawaguchi,Minoru Imaeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-10.

Photosensing device with improved spectral response and low thermal leakage

Номер патента: US5942775A. Автор: Aris Antony Yiannoulos. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Inverse structure design for pixel arrays including visible and near-infrared sensors

Номер патента: WO2023091092A2. Автор: Saswatee Banerjee. Владелец: Brillnics Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-05-25.

Inverse structure design for pixel arrays including visible and near-infrared sensors

Номер патента: WO2023091092A3. Автор: Saswatee Banerjee. Владелец: Brillnics Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for fabricating high voltage cmos with self-aligned guard rings utilizing selective diffusion and local oxidation

Номер патента: US4135955A. Автор: John T. Gasner,Anthony L. Rivoli. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1979-01-23.

Bicmos process having narrow bipolar emitter and implanted aluminum isolation

Номер патента: CA1267444A. Автор: Surinder Krishna. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Method for producing integrated mos field effect transistors with an additional interconnect of metal silicides

Номер патента: CA1200616A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-11.

Method of producing semiconductor integrated circuit having parasitic channel stopper region

Номер патента: US4710265A. Автор: Tadahiko Hotta. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Fabrication method for forming a self-aligned contact window and connection in an epitaxial layer and device structures employing the method

Номер патента: CA1244559A. Автор: Brian J. Machesney,Nicky C-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-08.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-dimensional nanoribbon-based static random-access memory

Номер патента: US20210272624A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Thin-film white LED chip

Номер патента: US11984538B2. Автор: Yong Cao,Ziming Chen,Xuanli Ye,Zhenchao Li. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Hole Transporting Material and Photovoltaic Device that Uses it

Номер патента: US20210280787A1. Автор: Riccardo Po',Alessandra Cominetti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2021-09-09.

Hole transporting material and photovoltaic device that uses it

Номер патента: WO2018122707A9. Автор: Riccardo Po',Alessandra Cominetti. Владелец: ENI S.P.A.. Дата публикации: 2019-07-18.

Hole transporting material and photovoltaic device that uses it

Номер патента: EP3563436A1. Автор: Riccardo Po',Alessandra Cominetti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2019-11-06.

Organic electronic devices

Номер патента: US09882155B2. Автор: Matthieu MANCEAU,Solenn Berson. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary MOSFET logic circuit

Номер патента: US4558234A. Автор: Kenji Matsuo,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Initiation circuit in a crystal-controlled oscillator

Номер патента: US4039973A. Автор: Osamu Yamashiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-08-02.

Complementary mosfet logic circuit

Номер патента: CA1188755A. Автор: Kenji Matsuo,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-11.

CMOS bus driver circuit

Номер патента: EP1168624A3. Автор: Gerd Rombach. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2003-09-03.

CMOS SRAM cell with prescribed power-on data state

Номер патента: US20020020885A1. Автор: Leonard Rockett. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

Electronic circuit for a timepiece

Номер патента: GB2015205A. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-05.

MOS Transistor type integrated circuit for the execution of logical operations on a plurality of data signals

Номер патента: US4453096A. Автор: Claude J. P. F. Le Can,Karel Hart. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

CMOS bus driver circuit

Номер патента: US20020024101A1. Автор: Gerd Rombach. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2002-02-28.

Supporting uplink acknowledgement/negative acknowledgement feedback for carrier aggregation during timing uncertainty component carrier (re) configuration(activation)deactivation period

Номер патента: RU2536346C2. Автор: Кари Пекка ПАЮКОСКИ,Пэн ЧЭНЬ,Эса Тапани ТИРОЛА,Чуньянь ГАО. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2014-12-20.

Detecting excess current leakage of a cmos device

Номер патента: EP1867047A2. Автор: Peter William Hughes. Владелец: Icera LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

Detecting excess current leakage of a cmos device

Номер патента: WO2006090125A2. Автор: Peter William Hughes. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Binary frequency divider circuit

Номер патента: US3873852A. Автор: Jr Harry A Kuhn,R Gary Daniels. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-03-25.

Access change for connection re-routing

Номер патента: RU2504127C2. Автор: Яри МУТИКАЙНЕН,Георг МАЙЕР,Петер Лайс. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-01-10.

Method, apparatus, system and related computer program product for resource allocation

Номер патента: RU2463714C2. Автор: Кари ПАЮКОСКИ,Эса ТИИРОЛА,Кари ХООЛИ. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2012-10-10.

Mechanism for automated reconfiguration of access network element

Номер патента: RU2482630C2. Автор: Бернхард Рааф,Юрген Михель,Мартин ДЁТТЛИНГ,Михаэль ФЭРБЕР,Андреас ЛОБИНГЕР,Инго ВИРИНГ. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2013-05-20.

Circuit arrangement for controlling a solid state element

Номер патента: CA1210059A. Автор: Walter Mattheus,Roger M. Hochreutiner. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-08-19.

Complementary field effect transistor memory cell

Номер патента: US3882467A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-06.

Mechanism of server detection

Номер патента: RU2435328C2. Автор: Сеппо ХУОТАРИ,Кирси М. РОТСТЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2011-11-27.

MOS power-on reset circuit

Номер патента: US3895239A. Автор: Allan A Alaspa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-07-15.

Start-up circuit for low power MOS crystal oscillator

Номер патента: US4956618A. Автор: Richard W. Ulmer. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1990-09-11.

Level shift circuit, actuator apparatus using the same, and optical switch system

Номер патента: EP1696567B1. Автор: Atsushi c/o Nikom Corporation KOMAI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-20.

Flip-flop circuit

Номер патента: US4486673A. Автор: Hideharu Koike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-04.

Trinary inverter

Номер патента: US4808854A. Автор: Frederick G. Reinagel. Владелец: LTV Aerospace and Defense Co. Дата публикации: 1989-02-28.

Broadband signal switching equipment

Номер патента: US4963863A. Автор: Ruediger Hofmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-16.

Dynamic divider circuit

Номер патента: US4063114A. Автор: Shinji Morozumi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1977-12-13.

Self ratioing input buffer circuit

Номер патента: US3898477A. Автор: John K Buchanan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

C-MOS crystal oscillator including circuit for temporarily increasing closed loop gain

Номер патента: US4218661A. Автор: Yoichi Imamura. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1980-08-19.

Integrated circuit having a voltage hysteresis for use as a schmitt trigger

Номер патента: US3873856A. Автор: Albrecht Gerlach,Wolfgang Gollinger,Gunter Lindstedt. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1975-03-25.

Regenerative fet converter circuitry

Номер патента: US3728556A. Автор: C Arnell. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1973-04-17.

Crosspoint switching array

Номер патента: CA1318960C. Автор: Michael Cooperman,Richard W. Sieber. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Click/pop free bias circuit

Номер патента: US5436588A. Автор: Parviz Ghaffaripour. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Storage structure with non-volatile storage capability and a method of operating the same

Номер патента: US09966128B1. Автор: Germain Bossu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Short-circuit protection device of high-temperature starter-generator of reverse structure

Номер патента: RU2634836C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин,Айбулат Халяфович Минияров,Николай Геннадиевич Тарасов,Руслан Динарович Каримов,Антон Александрович Меднов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-11-07.

Structure of inverter

Номер патента: US20090284075A1. Автор: Ming-Hsiang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Straight and inverted perovskite solar cells consisting of meerschaum contents as scaffold layer

Номер патента: WO2019074460A2. Автор: Mahmut Kus,Esma YENEL. Владелец: Yenel Esma. Дата публикации: 2019-04-18.

Architecture and control system for electrically-powered accessories of a non-hybrid vehicle

Номер патента: US11784507B2. Автор: Martin T. Books,Mahesh Madurai Kumar,Erik L. Piper,Jaroslaw Leonarski,Joseph E. Paquette,Gary L. Parker. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same

Номер патента: US6046543A. Автор: Stephen R. Forrest,Vladimir Bulovic,Paul Burrows,Dmitri Z. Garbuzov. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-04-04.

Inverter providing energy output at high voltage level

Номер патента: WO2022103361A1. Автор: Ahmet Yildiz,Önder ÖZGENER,Leyla ÖZGENER. Владелец: EGE UNIVERSITESI. Дата публикации: 2022-05-19.

Inverter providing energy output at high voltage level

Номер патента: EP4244970A1. Автор: Ahmet Yildiz,Önder ÖZGENER,Leyla ÖZGENER. Владелец: EGE UNIVERSITESI. Дата публикации: 2023-09-20.

Voltage generator in a mos integrated circuit

Номер патента: US20020057128A1. Автор: Rinaldo Castello,Luciano Tomasini,Jesus Guinea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-16.

Electronic timepiece with diffusion resistor for compensating threshold variations

Номер патента: US4333171A. Автор: Yasuhiko Nishikubo. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-01.

IC card reader/writer

Номер патента: US4772783A. Автор: Hirofumi Ono,Jirou Kino,Yuji Tsuchikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-20.

Electronic timepiece circuit

Номер патента: GB1504107A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-03-15.

Integrated semiconductor circuit device for generating a switching control signal

Номер патента: CA1208310A. Автор: Masanobu Yoshida,Kiyoshi Itano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-07-22.

SRAM storage unit based on DICE structure

Номер патента: US09536585B2. Автор: Xin Liu,Zhengsheng Han,Fazhan Zhao,Mengxin Liu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-03.

System and device for clearing blockage from a flow orifice

Номер патента: US09757778B1. Автор: Joshua Kindelspire. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Optic connector cleaning apparatus

Номер патента: US09433978B2. Автор: Yen-Chang Huang. Владелец: Hobbes and Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Underwater vehicle propulsion unit

Номер патента: RU2699178C2. Автор: Алексей Николаевич Беляев,Юрий Михайлович Васейко,Пётр Анатольевич Лошицкий,Александр Александрович Трутс. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики" (ЦНИИ РТК). Дата публикации: 2019-09-03.

Device for measuring electromagnetic response from plane-parallel plates in the microwave range

Номер патента: RU2758681C1. Автор: Игорь Владиленович Минин,Олег Владиленович Минин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий». Дата публикации: 2021-11-01.

A method for producing a three-dimensional microporous filament construct

Номер патента: EP4389320A1. Автор: Steven Mullens,Marleen Rombouts. Владелец: VITO NV. Дата публикации: 2024-06-26.

Quartz crystal timepiece

Номер патента: US3946550A. Автор: Kinji Fujita. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1976-03-30.

Composite wound dressing including inversion means

Номер патента: US5643189A. Автор: Michael A. Masini. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-07-01.

Wavelength conversion element and method for manufacturing wavelength conversion element

Номер патента: EP2309324A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Method of manufacturing wavelength conversion device

Номер патента: US5221310A. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Tetsuo Taniuchi,Yoichi Sasai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-22.

Electronic device and screen fitting method

Номер патента: US20210096601A1. Автор: Zhi Chen,Jun Liang,Yunchao ZHANG,Xiaojing Yuan,Zhaokao TIAN. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Liquid cleaning compositions with improved enzyme compatibility and/or stability

Номер патента: US09909087B2. Автор: Kaj Johnson,Frederick W. Holzhauer. Владелец: Method Products PBC. Дата публикации: 2018-03-06.

Liquid cleaning compositions with lower freezing point

Номер патента: US9879204B2. Автор: Kaj Johnson,Frederick W. Holzhauer. Владелец: Method Products PBC. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicone polyether copolymers and polyurethane foams prepared therefrom

Номер патента: CA2002340C. Автор: George Homer Greene,Gerald Joseph Murphy,Charles Henry Blevins,Paul Lumpkin Matlock. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1996-04-23.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

METHOD FOR COULOMETRIC MEASUREMENT OF ELECTRIC PARAMETERS FOR n-MOS TRANSISTORS NANOSTRUCTURES IN TECHNOLOGIES OF COMPLEMENTARY MOS LOGIC (CMOS)/SILICONE-ON- INSULATOR

Номер патента: RU2439745C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Юрий Аркадьевич Кабальнов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-01-10.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

Pulse shaping circuit using complementary mos devices

Номер патента: CA904955A. Автор: Dargent Bruno. Владелец: Hamilton Watch Co. Дата публикации: 1972-07-11.

Complementary mos transistor integrated circuits

Номер патента: CA820527A. Автор: Delivorias Peter. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1969-08-12.

Method of Fabricating a Gate Stack Integration of Complementary MOS Device

Номер патента: US20120273890A1. Автор: Chung Shu-Wei,Yu Kuo-Feng,Lin Shyue-Shyh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-01.

Manufacturing method of complementary MOS semiconductor device

Номер патента: JPH0770611B2. Автор: 純司 清野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-07-31.

Method of fabricating complementary mos transistor

Номер патента: JPS5488778A. Автор: Kenji Shibata,Takamaro Mizoguchi,Tooru Mochizuki,Takanori Tsujimaru. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-07-14.

Method of fabricating complementary mos transistor

Номер патента: JPS5488779A. Автор: Kenji Shibata,Takamaro Mizoguchi,Tooru Mochizuki,Takanori Tsujimaru. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-07-14.

Complementary mos integrated circuit device

Номер патента: JPS6439760A. Автор: Yoshio Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-02-10.

Memory cells based on complementary mos transistors

Номер патента: SU1640738A1. Автор: Александр Георгиевич Гарицын,Сергей Николаевич Венжик,Михаил Павлович Сахаров. Владелец: Организация П/Я А-3106. Дата публикации: 1991-04-07.

Method for making complementary MOS field-effect transistor

Номер патента: CN1056471C. Автор: 王志贤,陈民良. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Complementary MOS logic circuit

Номер патента: JP2633948B2. Автор: 暁 馬場. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-07-23.

Complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS6328059A. Автор: Fumiharu Fukuzawa,Hideo Fukatsu,深津　英雄,福沢　文春. Владелец: NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd. Дата публикации: 1988-02-05.

Manufacture of complementary mos integrated circuit

Номер патента: JPS5435688A. Автор: Shinobu Fukunaga,Masahiko Yasuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-03-15.

Production of s#-gate type complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS5269278A. Автор: Satoshi Meguro,Koichi Nagasawa,Yasunobu Osa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-06-08.

Manufacture of complementary mos semiconductor device

Номер патента: JPS647553A. Автор: Takeshi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-11.

Forming method for wiring of complementary mos transistor

Номер патента: JPS6278871A. Автор: Kiyouzou Sekiya,関家　恭三. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-04-11.

Integrated complementary mos-type transistor structure and method of making same

Номер патента: CA825840A. Автор: S. Shiota Philip. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-10-21.

Method of fabricating complementary mos transistor

Номер патента: JPS54158177A. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-12-13.

Invertible structure for pulling grip of baby stroller

Номер патента: TW543577U. Автор: Ying-Shiung Cheng. Владелец: Cheng Bau Shian. Дата публикации: 2003-07-21.

Invertible structure for grip

Номер патента: TW465549U. Автор: Sheng-Chang Jang. Владелец: Sheng-Chang Jang. Дата публикации: 2001-11-21.

A kind of high-power low pressure inverter structure

Номер патента: CN208836465U. Автор: 陈晶晶. Владелец: Jiangsu Jiayuan Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Inverter structure

Номер патента: CN218335772U. Автор: 沈红东,敬文毅. Владелец: Nanjing Lishida Welding Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

A kind of single inverter structure of high-power stud welding machine

Номер патента: CN203951373U. Автор: 胡长建. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-19.

The Positive Inverted Structures physical simulation experiment device of controllable tomography angle

Номер патента: CN109903663A. Автор: 谢寅符. Владелец: Wakins Energy Technology (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Inverted structure of special-shaped shutter

Номер патента: CN216841325U. Автор: 刘金超. Владелец: Shanghai Bochi Construction Technology Engineering Co ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Manufacturing method of organic light-emitting device with inverted structure

Номер патента: CN102185121A. Автор: 刘萍,陈文彬. Владелец: Shenzhen Danbang Investment Group Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-14.

Quantum dot light-emitting device with double-function electron transport layer inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN109768172B. Автор: 李宏,叶琪,刘立旺,吴智鑫. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2021-07-06.

Manufacturing method of AlN domain-inverted structure

Номер патента: JP7228240B2. Автор: 一行 只友,成仁 岡田. Владелец: Yamaguchi University NUC. Дата публикации: 2023-02-24.

Double-meter valve with inverted structure

Номер патента: CN215568106U. Автор: 周水根,金建达,魏佐联. Владелец: Zhejiang Hongsen Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

A kind of inverter structure

Номер патента: CN205754008U. Автор: 张治国,苏保刚. Владелец: SUZHOU OMNIK NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

A kind of blanking die of inverted structure

Номер патента: CN206046769U. Автор: 舒啸. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-29.

A kind of top emitting photoelectric display device of inverted structure

Номер патента: CN207977316U. Автор: 晋佳佳. Владелец: 晋佳佳. Дата публикации: 2018-10-16.

Retrieving system for data base of inverted structure

Номер патента: JPS63253431A. Автор: Isamu Fujiwara,勇 藤原. Владелец: NEC Solution Innovators Ltd. Дата публикации: 1988-10-20.

Inverter structure and method for fabricating the same

Номер патента: TW201021162A. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,Chia-Chun Sun,Yun-San Huang,Chuan-Hsien Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Direct driving invertible structure for wrench

Номер патента: TW538856U. Автор: Chi-Wen Luo. Владелец: Great Lotus Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Inverting structure for pneumatic tool

Номер патента: TW573594U. Автор: Chiang Hua. Владелец: Basso Ind Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE, PRINT HEAD AND IMAGE FORMING DEVICE

Номер патента: US20120001996A1. Автор: . Владелец: Oki Data Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20120001692A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LASER LIGHT SOURCE, WAVELENGTH CONVERSION LASER LIGHT SOURCE AND IMAGE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002263A1. Автор: FURUYA Hiroyuki,HORIKAWA NOBUYUKI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.