Methods for preparation of high-purity polysilicon rods using a metallic core means
Номер патента: EP2027303A4
Опубликовано: 29-02-2012
Автор(ы): Hee Young Kim, Kyung Koo Yoon, Sang Jin Moon, Won Choon Choi, Yong Ki Park
Принадлежит: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT
Опубликовано: 29-02-2012
Автор(ы): Hee Young Kim, Kyung Koo Yoon, Sang Jin Moon, Won Choon Choi, Yong Ki Park
Принадлежит: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT
METHODS FOR PRODUCING POLYCRYSTAL SILICON BARS OF HIGH PURITY OF PURITY USING A METAL-BASIS
Номер патента: RU2008130520A. Автор: Хее Янг Ким,Киунг Коо Йоон,Йонг Ки Парк,Вон Чоон Чой,Санг Дзин МООН,Йонг Ки ПАРК (KR),Хее Янг КИМ (KR),Киунг Коо ЙООН (KR),Санг Дзин МООН (KR),Вон Чоон ЧОЙ (KR). Владелец: Корея Рисерч Инститьют Оф Кемикал Текнолоджи (Kr). Дата публикации: 2010-01-27.