Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for producing alpha-aluminium oxide for subsequent growth of single-crystal sapphire

Method for producing alpha-aluminium oxide for subsequent growth of single-crystal sapphire

Номер патента: RU2742575C1
Опубликовано: 08-02-2021
Автор(ы): Эдуард Напалионович Мкртумян
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Империус Групп", Эдуард Напалионович Мкртумян
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Synthesis of single-crystal nickel-rich cathode materials using flame-assisted spray pyrolysis

Номер патента: WO2023172830A3. Автор: Jianan ZHANG,Sili Deng,Valerie L. Muldoon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-02.

Synthesis of single-crystal nickel-rich cathode materials using flame-assisted spray pyrolysis

Номер патента: WO2023172830A2. Автор: Jianan ZHANG,Sili Deng,Valerie L. Muldoon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-09-14.

High pressure high temperature (hpht) method for the production of single crystal diamonds

Номер патента: EP2379214A1. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

ZEOLITE MATERIALS WITH EXPRESSED MACROPOROSITY OF SINGLE CRYSTALS AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Номер патента: RU2017109385A. Автор: Альберт Гонше Фортунатус МАШОК,Александра ИНАЯТ,Вильхельм ШВИГЕР,КУСТОДИО Ана Мария БЕЛТРАН,Эрдманн ШПИККЕР,Роберт ГЮТТЕЛЬ,Надин КРУЗЕ. Владелец: Технише Универзитет Клаусталь. Дата публикации: 2018-09-24.

Alpha-aluminium oxide, use thereof, corresponding synthesis method and apparatus

Номер патента: RU2568710C2. Автор: Лионель БОННО,Мишель ПЕДЗАНИ. Владелец: Баиковски. Дата публикации: 2015-11-20.

Chemical methods for diamond surface functionalization

Номер патента: EP4228855A1. Автор: Robert Knowles,Nathalie DE LEON,Lila Rodgers,Suong NGUYEN. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-23.

Chemical methods for diamond surface functionalization

Номер патента: US20230382739A1. Автор: Robert Knowles,Nathalie DE LEON,Lila Rodgers,Suong NGUYEN. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230234169A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of single-crystal growth and device for its implementation

Номер патента: RU2638850C1. Автор: Андрей Игоревич Горунов. Владелец: Андрей Игоревич Горунов. Дата публикации: 2017-12-18.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: EP4234154A3. Автор: Todd Jay Rockstroh,Douglas Gerard Konitzer,William Thomas Carter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-13.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: EP4234154A2. Автор: Todd Jay Rockstroh,Douglas Gerard Konitzer,William Thomas Carter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-08-30.

Stable dispersion of single-crystal of silver nanoparticles

Номер патента: RU2593311C2. Автор: Семён МЕЛАМЕД,ЛА ВЕГА Фернандо ДЕ,БАР ДЖОШУА Ганит ШТЕР,Реувен ГЕВА,Моше Линк. Владелец: П.В. Нано Селл Лтд.. Дата публикации: 2016-08-10.

Pseudo-substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: US12112976B2. Автор: Oleg Kononchuk,Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing a component of single crystal or directionally solidified material

Номер патента: EP2751304A1. Автор: Detlef Haje,Anthony Davis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-07-09.

Eutectic bonding of single crystal components

Номер патента: CA2291191A1. Автор: Jeremiah J. Fitzgibbon,Scott R. Axelson,Herbert E. Bates,Joseph M. Collins,John W. Locker,Brian J. Mcandrews. Владелец: Saphikon Inc.. Дата публикации: 1998-12-17.

Growth of single crystal nanowires

Номер патента: US20080248304A1. Автор: Keith Johnston,Tobias Hanrath,Xianmao Lu,Brian Korgel. Владелец: Brian Korgel. Дата публикации: 2008-10-09.

Process for producing single-crystal sapphire

Номер патента: US20110253031A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-10-20.

The manufacture method of single-crystal zinc-oxide nano particle

Номер патента: CN106068341A. Автор: 榎村真一,榎村真. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-02.

Graphene composite film modified by single crystal sapphire whiskers as well as preparation method and application thereof

Номер патента: AU2018214101A1. Автор: Shishan Ji,Qing Ma,Jianjun Chen,Yan Liu,Renchen Liu,Ting Kuang. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-27.

Graphene composite film modified by single crystal sapphire whiskers as well as preparation method and application thereof

Номер патента: US20200052324A1. Автор: ZHEN Wang,SHANG Gao,Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu. Владелец: Haibin Institute Of Technology Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-13.

Production of single-crystal white diamond

Номер патента: RU2558606C2. Автор: Деви Шэнкер МИСРА. Владелец: АйАйЭй ТЕКНОЛОДЖИС ПТЕ. ЛТД.. Дата публикации: 2015-08-10.

Bonded body comprising mosaic diamond wafer and semiconductor of different type, method for producing same, and mosaic diamond wafer for use in bonded body with semiconductor of different type

Номер патента: US20240258195A1. Автор: Hideaki Yamada,Hideki Takagi,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Koji YOSHITSUGU,Yusuke SHIRAYANAGI,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-01.

Polycrystalline silicon fragment, method for manufacturing polycrystalline silicon fragment, and polycrystalline silicon block fracture device

Номер патента: MY182043A. Автор: Masami Fujii,Kazuhiro Kawaguchi,Nobuaki Yoshimatsu,Sho UCHIDA,Manabu Kondou,Yoshifumi MITO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Method for preparing precursor of lithium composite transition metal oxide using a reactor

Номер патента: US09899675B2. Автор: Hong Kyu Park,Hosuk Shin,Sangmin Park,Seong Hoon Kang,ByungChun PARK. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

ORGANIC COLLOIDAL DISPERSION OF SINGLE CRYSTAL PARTICLES OF A RARE EARTH

Номер патента: DE60009089T2. Автор: Jean-Yves Chane-Ching,Gilbert Blanchard,Veronique Besse. Владелец: Rhodia Electronics and Catalysis SAS. Дата публикации: 2004-11-11.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Single crystal diamond substrates for synthesis of single crystal diamond material

Номер патента: GB2492661A. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Sarah Louise Geoghegan,John Robert Brandon,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Ceramic particle group and method for production thereof and use thereof

Номер патента: US20100173158A1. Автор: Masahiro Okada,Tsutomu Furuzono. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2010-07-08.

Single crystal sapphire component for angular control during solid state nuclear magnetic resonance measurements

Номер патента: WO2024026281A1. Автор: Thomas Michael OSBORN POPP,Andrew J. NIEUWKOOP. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2024-02-01.

Seed crystal for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride

Номер патента: WO2002077329A1. Автор: George H Beall,Gitimoy Kar,Charles W Deneka. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-03.

Device for preparation of single crystals of high-melting fluorides

Номер патента: RU2608891C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Владимир Васильевич Рябченков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: WO2021259588A1. Автор: Andreas Sattler,Jürgen Vetterhöffer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Ceramic-based toughness-enhanced material based on single crystal sapphire fiber and preparation method therefor

Номер патента: CA3010379A1. Автор: Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu,Shugang Yan,Xinguo WU. Владелец: Tsinghua Innovation Center in Dongguan. Дата публикации: 2019-11-16.

Chemical reaction barriers for use with silica containers and/or graphite support vessels in production of single crystal silicon

Номер патента: WO1998048085A1. Автор: John D. Holder. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1998-10-29.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: US20230235479A1. Автор: Andreas Sattler,Juergen Vetterhoeffer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Optimization method for technological parameters of pulse laser 3D printing of single crystal superalloy

Номер патента: CN111876829A. Автор: 李金国,孙晓峰,张宏伟,郑璇,周亦胄,梁静静,慈世伟. Владелец: Taizhou Xinma Technology Industry Development Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Self-cleaning system and device for exhaust pipeline of single crystal furnace

Номер патента: CN114011816A. Автор: 吴刚,黄晶晶,王新强,鞠贵冬. Владелец: Shuangliang Silicon Material Baotou Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Preparation method of ceramic mould shell of single crystal high-temperature alloy turbine blade

Номер патента: CN110788279A. Автор: 朱鑫涛,朱玉棠,王富,徐文梁,顾国楼,赵保解. Владелец: Taizhou Jinying Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

Preparation of single crystal Fe2O3Method for self-assembling loose spherical nano structure by nano particles

Номер патента: CN109112611B. Автор: 包启富,董伟霞,顾幸勇. Владелец: Jingdezhen Ceramic Institute. Дата публикации: 2020-03-17.

Parallel heating and cooling device for directional solidification casting of single crystal blade

Номер патента: CN112553682A. Автор: 杨强,王富,马德新,徐维台. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-03-26.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230054939A1. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US12129570B2. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Determination of mass/time ratios for buffer members used during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US12091769B2. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4352283A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: WO2022258634A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-15.

Manufacturing method of single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230381894A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for casting single crystal parts simultaneously with the production of single crystal seeds

Номер патента: JP5164479B2. Автор: ユンベルト・アプリル,ジヤン−クロード・ジラル,ベルナール・ラルモン,ジヤン−ルイ・ベルジエ. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing a semiconductor wafer using a wire saw, a wire saw, and a semiconductor wafer formed of single crystal silicon

Номер патента: KR102523315B1. Автор: 악셀 베이에르,슈테판 벨쉬. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2023-04-18.

Casting crystal-leading segment forming die capable of accurately controlling crystal orientation growth of single crystal blade

Номер патента: CN111101193A. Автор: 李俊,陈璐,张海潮,贾敬惠,王君武,孔小青,付秋伟,姜序珍,胡琪,杨瑞宁. Владелец: Guiyang Hangfa Precision Casting Co ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Device and method for controlling mixed crystal formation of single crystal metal casting platform and application of device and method

Номер патента: CN113279049A. Автор: 任维丽,周滔,袁笑坦. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-08-20.

Growth of single crystal cadmium-indium-telluride

Номер патента: WO1986000940A1. Автор: Anthony L. Gentile,Nanse R. Kyle,Fred W. Hill. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1986-02-13.

Layered manufacturing of single crystal alloy components

Номер патента: CA2930572C. Автор: David Henry Abbott,Todd Jay Rockstroh,Michael Francis Xavier Gigliotti, Jr.,William Thomas Carter,Rajendra Madhukar Kelkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-07-02.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: EP3132885B1. Автор: Todd Jay Rockstroh,Douglas Gerard Konitzer,William Thomas Carter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-05-31.

Methods for repair of single crystal superalloys by laser welding and products thereof

Номер патента: EP1689553B1. Автор: Yiping Hu,Murali Madhava,William F. Hehmann. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Dismounting device and method for main heater of single crystal furnace thermal field

Номер патента: CN114717661A. Автор: 孙彬,徐耀,汪奇,徐志群,张振忠,乔乐. Владелец: Qinghai Gaojing Solar Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

Method for clonal-growth of single-crystal metal

Номер патента: US20220136134A1. Автор: Zhibin Zhang,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Muhong Wu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Process for the fabrication of crystal seeds simultaneous with the casting of single-crystal parts

Номер патента: CA2599037C. Автор: UMBERTO Aprile,Bernard Louis Lallement,Jean-Claude Giral,Jean-Louis Martial Verger. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2014-05-13.

Process for the fabrication of crystal seeds simultaneous with the casting of single-crystal parts

Номер патента: CA2599037A1. Автор: UMBERTO Aprile,Bernard Louis Lallement,Jean-Claude Giral,Jean-Louis Martial Verger. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2008-02-29.

Fabrication of single crystal fibers from congruently melting materials

Номер патента: CA1234035A. Автор: James A. Harrington,Roger R. Turk,Antonio C. Pastor,Arlie G. Standlee. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-03-15.

PSEUDO-SUBSTRATE WITH IMPROVED EFFICIENCY OF USAGE OF SINGLE CRYSTAL MATERIAL

Номер патента: US20210050248A1. Автор: Kononchuk Oleg,Letertre Fabrice. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

PSEUDO-SUBSTRATE WITH IMPROVED EFFICIENCY OF USAGE OF SINGLE CRYSTAL MATERIAL

Номер патента: US20150243549A1. Автор: Kononchuk Oleg,Letertre Fabrice. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

LAYERED MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTAL ALLOY COMPONENTS

Номер патента: US20160288266A1. Автор: Carter William Thomas,GIGLIOTTI Michael Francis Xavier,ROCKSTROH Todd Jay,ABBOTT David Henry,KELKAR Rajendra Machukar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Layered manufacturing of single crystal alloy components

Номер патента: US20200298341A1. Автор: David Henry Abbott,Todd Jay Rockstroh,Michael Francis Xavier Gigliotti,William Thomas Carter,Rajendra Machukar KELKAR. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-09-24.

LAYERED MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTAL ALLOY COMPONENTS

Номер патента: US20220362886A1. Автор: Carter William Thomas,GIGLIOTTI Michael Francis Xavier,Kelkar Rajendra Madhukar,ROCKSTROH Todd Jay,ABBOTT David Henry. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Ultraprecision machining method of single crystal brittle materials by ion beam assist

Номер патента: JP2012527747A. Автор: 胡小唐,房▲豊▼洲,▲陳▼耘▲輝▼,徐宗▲偉▼,仇中▲軍▼,▲張▼▲効▼▲棟▼,代▲騰▼▲飛▼. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-08.

Welding method of single crystal alloy

Номер патента: JP5780700B2. Автор: ブレイ，サイモン・エドワード. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of decreasing brittleness of single crystals, semiconductor wafers, and solid-state devices

Номер патента: US20040018749A1. Автор: Benjamin Dorfman. Владелец: ATOMIC SCALE DESIGN Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Layered manufacturing of single crystal alloy components

Номер патента: CA2930572A1. Автор: David Henry Abbott,Todd Jay Rockstroh,Michael Francis Xavier Gigliotti, Jr.,William Thomas Carter,Rajendra Madhukar Kelkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-08-13.

Cleaning device of single crystal pulling device

Номер патента: KR102253593B1. Автор: 켄지 오키타. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-05-18.

Eutectic bonding of single crystal components

Номер патента: KR100615742B1. Автор: 스코트 알. 액셀슨,허버트 이. 베이츠,죠셉 엠. 콜린스,제레미아 에프. 피츠기본,존 더블유. 로처,브라이언 제이. 맥캔드류스. Владелец: 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-08-25.

Pseudo substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: KR102047864B1. Автор: 올레그 코논추크,파브리스 레테트르. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2019-11-22.

Method of shaping and surface treatment of single crystals

Номер патента: SU470306A1. Автор: Барта Честмир,Лишка Олдрих,Лоуда Ярослав,Рыттнауер Емил,Жемличка Ян. Владелец: Чехословенска Академие Вед Прага (Инопредприятие). Дата публикации: 1975-05-15.

A kind of assessment method of single crystal super alloy recrystallization formability

Номер патента: CN109648065A. Автор: 孙晓峰,孟杰,周亦胄,杨彦红,王新广. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2019-04-19.

Process for the preparation of single crystals of cubic boron nitride

Номер патента: FR2686101A1. Автор: Loriers Jean,Bocquillon Genevieve,Bogicevic Christine,Loriers-Susse Christiane. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1993-07-16.

Use of buffer members during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4271862A1. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Use of buffer members during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US11767610B2. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Chemical polishing of single crystal dielectrics

Номер патента: US3964942A. Автор: Arnold Reisman,Melvin Berkenblit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-22.

Apparatus for the growth of single crystals

Номер патента: US4873062A. Автор: Toshihiro Kotani,Kohji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1989-10-10.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP3814557A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A2. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A3. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Extrudable alpha-aluminium oxide monohydrate - of high strength and suitable for use as catalyst

Номер патента: FR2149763A5. Автор: . Владелец: Continental Oil Co. Дата публикации: 1973-03-30.

High selectivity, high activity direct ethylene oxidn. silver catalyst - with alpha-aluminium oxide carrier surface area and tungsten co-promoter amt. restricted to set ranges

Номер патента: DE4314304A1. Автор: Wolf Dieter Dr Mross,Klaus Dr Herzog,Juergen Dr Plueckhan,Stefan Dr Boeck,Karl-Heinz Dr Boehnig,Ewald Dr Gallei. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1993-11-18.

Hot isostatic pressing of single crystal superalloy articles

Номер патента: US5573609A. Автор: Leslie G. Fritzemeier. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

Hot isostatic pressing of single crystal superalloy articles

Номер патента: US4981528A. Автор: Leslie G. Fritzemeier,Jon D. Frandsen. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Method of producing alpha aluminium hydride

Номер патента: RU2648420C1. Автор: Денис Георгиевич Перменов,Владислав Эдуардович Мельников,Мария Михайловна Смирнова,Василий Николаевич Алфимов,Сергей Александрович Атясов,Андрей Иванович ГЛУШКОВ,Михаил Викторович Мараев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2018-03-26.

Method for producing sintered material on alpha-aluminium-oxid base preferable as grinding one

Номер патента: HU9202063D0. Автор: Dijen Franciscus Van. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1992-10-28.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US12077879B2. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-03.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device

Номер патента: US20210355600A1. Автор: Cheol Woo Lee,Tae Gyu Kim,Ui Seock LEE. Владелец: Youngdo Global Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US20240044040A1. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-08.

Preferential hardening of single crystal blades

Номер патента: SG134308A1. Автор: Carroll V Sidwell,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method of producing alpha aluminium hydride

Номер патента: RU2602141C1. Автор: Денис Георгиевич Перменов,Владислав Эдуардович Мельников,Мария Михайловна Смирнова,Василий Николаевич Алфимов,Сергей Александрович Атясов,Андрей Иванович ГЛУШКОВ,Михаил Викторович Мараев,Василий Сергеевич Савостин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП ЦНИИХМ). Дата публикации: 2016-11-10.

Method for isothermal brazing of single crystal components

Номер патента: CA2385821C. Автор: John Fernihough,Maxim Konter,Alexander Schnell. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for isothermal brazing of single crystal components

Номер патента: EP1258545B1. Автор: Alexander Schnell,Maxim Dr. Konter,John Dr. Fernihough. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2004-12-01.

Method for isothermal brazing of single crystal components

Номер патента: CA2385821A1. Автор: John Fernihough,Maxim Konter,Alexander Schnell. Владелец: Alstom Schweiz AG. Дата публикации: 2002-11-14.

Heat treatment method and heat treatment device for single crystal sapphire

Номер патента: US09988741B2. Автор: Sung Hwan Moon,Hee Choon Lee,Yi Sik Choi,Gye Won Jang,Bok Kee Na. Владелец: Sapphire Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Process for producing single-crystal sapphire, and single-crystal sapphire substrate

Номер патента: TW201204881A. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-01.

DEVICE FOR DETECTING ISLAND POSITION OF SINGLE CRYSTAL INGOT GROWING FURNACE AND METHOD FOR DETECTING ISLAND POSITION

Номер патента: US20160032484A1. Автор: KIM Sung Ryul,JO Hyung Ho,Kim Churl Min,Lee Youngchul,Kim Hyoung Jae. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

α-ALUMINA FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE

Номер патента: KR101808572B1. Автор: 신지 후지와라,히로타카 오자키. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-12-13.

Device for detecting island position of single crystal ingot growing furnace and method for detecting island position

Номер патента: WO2015050286A1. Автор: 김철민,김성렬,이영철,조형호,김형재. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2015-04-09.

Process for producing single-crystal sapphire

Номер патента: CN102197166A. Автор: 庄内智博. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-21.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF HIGH PURITY ALPHA MERCURIC IODIDE FOR USE AS A RAW MATERIAL SOURCE FOR THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS FOR NUCLEAR DETECTION

Номер патента: FR2541668B1. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-06-07.

Preparation method of single crystal diamond grit

Номер патента: KR20160055221A. Автор: 젠유 왕,샤오강 후,유안웨이 왕. Владелец: 베이징 폴리스타 하이테크 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2016-05-17.

Kyropoulos crucible of single crystal furnace suspender

Номер патента: CN110438563A. Автор: 叶顺斌. Владелец: Shanghai Langzhao Mechanical & Electrical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF SINGLE CRYSTAL ALUMINA OF A SIZE LESS THAN 1 (MY) M

Номер патента: FR2626587B1. Автор: Lászlo Révész,Sandor Nemeth,Imre Toth,Jozsef Matyasi,Gyoergy Kaptay,Miklos Schlegel,Laszlo Lengyel,Sandor Pirik,Janos Csige,Jozsef T Toth,Maria Benjamin,Istvan Ori. Владелец: Magyar Aluminiumipari Troeszt. Дата публикации: 1994-06-17.

Process for the production of single crystals from divalent rare earth chalcogenides

Номер патента: DE1544210A1. Автор: Guerci Carl Felix,Shafer Merrill Wilbert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1970-03-12.

Heat treatment of flake of single crystal telluric mercury cadmium

Номер патента: JPS5751200A. Автор: Efu Etsuchi Mikurusuue Uiriamu. Владелец: Teck Metals Ltd. Дата публикации: 1982-03-25.

APPARATUS FOR FORMING SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE

Номер патента: US20170183792A1. Автор: Jones Christopher D.,Mack,III Guilford L.,Pranadi Fery,Locher John Walter,Zanella Steven Anthony,Bates Herbert Ellsworth. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE

Номер патента: US20150267321A1. Автор: Moon Sung Hwan,Lee Hee Choon,Choi Yi Sik,Jang Gye Won,Na Bok Kee. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

ALUMINUM α-OXIDE FOR SINGLE-CRYSTAL SAPPHIRE

Номер патента: RU2010147424A. Автор: Хиротака ОЗАКИ,Синдзи ФУДЗИВАРА,Хиротака ОЗАКИ (JP),Синдзи ФУДЗИВАРА (JP). Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед (Jp). Дата публикации: 2012-05-27.

Single-crystal sapphire ingot growing device

Номер патента: WO2012086856A1. Автор: 조범래,송제중,윤애천. Владелец: (주)티피에스. Дата публикации: 2012-06-28.

Alpha-aluminium oxide for producing monocrystalline sapphire

Номер патента: RU2552473C2. Автор: Хиротака ОЗАКИ,Синдзи ФУДЗИВАРА. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2015-06-10.

Production of alpha aluminium oxide single crystal - which has a circular cross section, by drawing from an aluminium oxide melt contg. chromium-iron-, or magnesium oxide

Номер патента: FR2340130A2. Автор: . Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1977-09-02.

Process for the preparation of spherical alpha-aluminium oxide particles, aluminium oxide particles and their use

Номер патента: EP0250616B1. Автор: G. Dr. Trippel,W. Dipl.-Ing. Steiner (Fh),G. Prof.Dr. Joppien,U. Dipl.-Ing. Hofmann. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 1990-04-04.

Method for producing clean lead molybdate in ionic melts

Номер патента: RU2629294C1. Автор: Жамал Ахматович Кочкаров,Залина Аслановна Сокурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-28.

Method of preparation of single-crystal films

Номер патента: GB1384745A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1975-02-19.

Method for discharging silicon oxide using carrier gas and pulling device of single crystal using same

Номер патента: KR940018491A. Автор: 히로시 야스다,카즈히로 이께자와,아끼라 타니가와,히로유끼 코지마,코지 호소다,요시후미 고바야시. Владелец: 미쯔비시 머테리얼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-08-18.

A kind of carbon cloth growth V5.45S8The preparation method and applications of single crystal nanoplate

Номер патента: CN110156080A. Автор: 潘安强,崔荣,郝鹏飞,林建德. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-23.

Semiconductor wafer made of single crystal silicon and its manufacturing method

Номер патента: KR102084872B1. Автор: 티모 뮐러,발터 호이비서,마이클 스크로바넥,구드룬 키신저. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2020-03-04.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: WO2017050620A1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: EP3353340B1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Method for producing dispersed mesoporous powders based on aluminum oxide for catalyst carriers

Номер патента: RU2665038C1. Автор: Людмила Викторовна Морозова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2018-08-27.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: MY157203A. Автор: Röger-Göpfert Cornelia,Bittner Christian,Klipp Andreas,Braun Simon,LIN Chengwei,Shen MeiChin. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-05-13.

Interply hybrid composite based single crystal alpha-aluminium oxide fiber and preparation method therefor

Номер патента: US20190352820A1. Автор: Zhen He,Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu,Zuoyu Shi. Владелец: Tsinghua Innovation Center in Dongguan. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for producing a single crystal of ferrite

Номер патента: US4339301A. Автор: Syunzo Mase,Soichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1982-07-13.

Method for the preparation of single crystals of gadolinium gallium garnet

Номер патента: US4483734A. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Masaaki Iguchi,Norifumi Yoshida,Susumu Sakaguchi,Masahiro Ogihara,Toshihiko Ryuoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Method for controlling the resonance frequency of yttrium iron garnet films

Номер патента: US4273610A. Автор: Howard L. Glass,Michael T. Elliott. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1981-06-16.

Method of heatttreating substrate slice composed of single crystal materials

Номер патента: JPS5322361A. Автор: Shiyumitsuto Buarutaa. Владелец: Alusuisse Holdings AG. Дата публикации: 1978-03-01.

Method for changing electrical property of single crystal perovskite oxide thin film material

Номер патента: CN113550011A. Автор: 金奎娟,葛琛,黄河意. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2021-10-26.

Growth of thin film of single crystal of garnet-type oxide

Номер патента: JPS6016889A. Автор: Kazumasa Takagi,Toshio Kobayashi,俊雄 小林,高木　一正. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-28.

Growth of single crystal

Номер патента: JPS60108393A. Автор: Toshiharu Hoshi,Kazuhiko Okita,Haruo Saji,和彦 沖田,星　敏春,佐治　晴夫. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-13.

Production of single crystal of ferrite

Номер патента: JPS56155100A. Автор: Shunzo Mase,Motoichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1981-12-01.

Production of single crystal

Номер патента: JPS61186298A. Автор: Haruo Haba,羽場　春夫. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1986-08-19.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS58156588A. Автор: Eiichi Hirota,健 廣田,Takeshi Hirota,Harufumi Sakino,先納　治文,広田　栄一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-09-17.

Process for the preparation of single crystal for radioelectronics and piezotechnology

Номер патента: KR970007336B1. Автор: 채수천,김문영,장영남,배인국. Владелец: 강필종. Дата публикации: 1997-05-07.

Production of single crystal

Номер патента: JPS61186299A. Автор: Haruo Haba,羽場　春夫. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1986-08-19.

Preparation of single crystal of alexandrite

Номер патента: JPS6121997A. Автор: Masatoshi Saito,正敏 斉藤. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1986-01-30.

Production of single crystal ceramic

Номер патента: JPS6311591A. Автор: Takeshi Hirota,Koichi Kugimiya,公一 釘宮,Keiichi Matsuyama,健 広田,松山　圭一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Process for producing single crystal-like silver films

Номер патента: WO2023249493A1. Автор: Kaiying Wang,Kim Robert Gustavsen. Владелец: University of South-Eastern Norway. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-06-29.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: EP2203395A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-07.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: WO2009035530A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Nc.. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: EP2925914A2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Quest Integrated Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of determining diameter of single crystal, process for producing single crystal using same, and device for producing single crystal

Номер патента: KR101579780B1. Автор: 아츠시 이와사키,히로시 오츠나. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-12-24.

Auxiliary heating device for zone melting furnace and heat preservation method for single crystal rod thereof

Номер патента: US20160053401A1. Автор: JIANWEI Cao,GANG Shi,Linjian FU,Mingjie CHEN,Penggen OUYANG,Dantao WANG,Minxiu QIU,Qingliang JIANG. Владелец: Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin film of monocrystalline sic on a carrier substrate of polycrystalline sic

Номер патента: US20240271321A1. Автор: Eric Guiot,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Crystal ion-slicing of single-crystal films

Номер патента: EP1060509A4. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2001-05-02.

SEMICONDUCTOR WAFER COMPOSED OF SINGLE-CRYSTAL SILICON AND PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER COMPOSED OF SINGLE-CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20200240039A1. Автор: Sattler Andreas,Mueller Timo,GEHMLICH Michael. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-07-30.

Seed material for liquid crystal epitaxial growth of single crystal silicon carbide and liquid crystal epitaxial growth method of single crystal silicon carbide

Номер патента: JP5793816B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-14.

Assembly sleeve of single crystal pulling apparatus, and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US11932961B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Manufacturing method of single crystals

Номер патента: US20230357950A1. Автор: Ken Hamada,Yasunobu Shimizu,Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI,Susumu Tamaoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Molecular bottom-up methods for fabricating perovskite solar cells, perovskite materials fabricated thereof, and optoelectronic devices including same

Номер патента: US11228009B2. Автор: Hicham HAMOUDI,Golibjon Berdiyorov. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2022-01-18.

Molecular bottom-up methods for fabricating perovskite solar cells, perovskite materials fabricated thereof, and optoelectronic devices including same

Номер патента: US20210074938A1. Автор: Hicham HAMOUDI,Golibjon Berdiyorov. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2021-03-11.

Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal

Номер патента: WO2001057293A1. Автор: Koji Kitagawa,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Tomohiko Ohta. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2001-08-09.

Magnet for manufacturing apparatus of single crystal, manufacturing apparatus of single crystal, and manufacturing method of single crystal

Номер патента: JP2023081196A. Автор: 良太 末若,Ryota Suewaka,惇弘 山田,Atsuhiro Yamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-06-09.

Single-Crystal Perovskite Solid Solutions With Indifferent Points for Epitaxial Growth of Single Crystals

Номер патента: US20190003077A1. Автор: Fratello Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

HEAT SHIELD DEVICE FOR LOW OXYGEN SINGLE CRYSTAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL INGOT GROWTH DEVICE

Номер патента: US20210355600A1. Автор: Kim Tae Gyu,Lee Cheol Woo,LEE Ui Seock. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

SINGLE-CRYSTAL PEROVSKITE SOLID SOLUTIONS WITH INDIFFERENT POINTS FOR EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20190345634A1. Автор: Fratello Vincent. Владелец: Quest Integrated, LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for eliminating surface defects of single crystal diamond seed crystal by utilizing inductive coupling plasma technology

Номер патента: CN109183146B. Автор: 王伟华,杨磊,朱嘉琦,代兵,王杨,刘康,刘雪冬,舒国阳,赵继文,孙明琪,韩杰才,薛晶晶,李一村,姚凯丽,刘本建. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-07.

Czochralski crystal pulling method for reducing porosity of single crystal bar

Номер патента: CN112853477B. Автор: 林通,马国忠,梁万亮,丁亚国,顾燕滨. Владелец: Ningxia Shenhe New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

METHOD FOR CLONAL-GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL METAL

Номер патента: US20220136134A1. Автор: ZHANG ZHIBIN,YU Dapeng,LIU Kaihui,Wu Muhong,Wang Enge. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

System for the production of single crystal semiconductors and solar panels using the single crystal semiconductors

Номер патента: US20150207022A1. Автор: Wisotzki Fritz Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Assembly Sleeve of Single Crystal Pulling Apparatus, and Single Crystal Pulling Apparatus

Номер патента: US20220356598A1. Автор: SIM Bokcheol,YANG Wenwu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Cast workpieces and cast single-crystal workpieces made of superalloys based on nickel for the production of single-crystal objects with improved small-angle grain boundary tolerance

Номер патента: DE3612628C2. Автор: Earl Warren Ross,Carl Stephen Wukusick,Warren Tan King. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-11-08.

Combined sleeve of single crystal furnace and single crystal furnace

Номер патента: CN111876823A. Автор: 杨文武,沈福哲. Владелец: Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Production of single crystal semiconductors

Номер патента: US4430150A. Автор: William R. McKee,Jules D. Levine,Kent R. Carson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-02-07.

Production method of single-crystal silicon and single-crystal silicon

Номер патента: DE102017217540A1. Автор: Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Boron doped diamond and method for its production

Номер патента: EP1463849B1. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Geoffrey Alan Scarsbrook,Andrew John Whitehead,Michael Andrew Cooper,Bärbel Susanne Charlotte DORN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

Manufacturing method of single crystal and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: JP2023038005A. Автор: 建 濱田,啓一 高梨,Ken Hamada,Keiichi Takanashi,一平 下崎,Ippei SHIMOZAKI,太郎 西出,Taro NISHIDE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

METHOD OF THERMAL TREATMENT OF SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE ZnTe AND SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE ZnTe

Номер патента: RU2411311C2. Автор: Кендзи САТО,Тосиаки АСАХИ,Такаюки СИМИЗУ. Владелец: Ниппон Майнинг Энд Метлз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-02-10.

Single crystal SiC, production method thereof and producing device of single crystal SiC

Номер патента: TW200806828A. Автор: Takao Abe,Masanori Ikari,Toru Kaneniwa. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

Control system for diameter of single crystal ingot

Номер патента: EP3249082B1. Автор: Yun-Goo KIM,Gwang-Ha NA,Yun-Ha AN. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

CONTROL SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20180171507A1. Автор: Na Gwang-Ha,KIM Yun-Goo,AN Yun-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

LIQUID DOPING SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLED DOPING OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20150354088A1. Автор: Haringer Stephan,Giannattasio Armando,Scala Roberto,Moser Valentino,Bonanno Luigi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Method for controlling a quality of single crystal ingot

Номер патента: KR101443494B1. Автор: 김우태,홍영호,심복철. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-09-22.

DEVICE AND METHOD FOR THE FORMATION OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE (SIC) ON A GERME

Номер патента: FR2747401A1. Автор: Claude Jaussaud,Roland Madard,Mikhail Anikin,Isabelle Garcon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1997-10-17.

Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material

Номер патента: SA515360706B1. Автор: جياناتاسيو ارماندو,سكالا روبيرتو,هارينجر ستيفان,موسر فالنتينو,بونانو لويجي. Владелец: كورنر ستار ليمتد. Дата публикации: 2017-03-26.

Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material

Номер патента: EP2938759B1. Автор: Stephan Haringer,Armando Giannattasio,Roberto Scala,Luigi BONANNO,Valentino Moser. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS SPA. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for reducing macrodefects in the production of single-crystal or monocrystalline layers

Номер патента: WO2009052770A1. Автор: Jochen Friedrich,Stephan Hussy. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods for improving zero dislocation yield of single crystals

Номер патента: KR100408906B1. Автор: 엘. 한센 리챠드,디. 쉘리 로버트,이. 드래폴 래리,엠. 맥커트챤 로버트,디. 홀더 죤,에이. 알렌 레온. Владелец: 제너럴 일렉트릭 캄파니. Дата публикации: 2004-04-13.

Liquid doping systems and methods for controlled doping of single crystal semiconductor material

Номер патента: CN105026622A. Автор: R·斯卡拉,L·博纳诺,S·哈灵格尔,A·贾纳塔斯欧,V·莫瑟. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2015-11-04.

Method for controlling recrystallization of single crystal superalloys

Номер патента: CN113718340B. Автор: 李霞,束国刚,段方苗,白小龙,玄伟东,任忠鸣,王保军. Владелец: China United Heavy Gas Turbine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Method for controlling recrystallization of single crystal superalloys

Номер патента: CN113718340A. Автор: 李霞,束国刚,段方苗,白小龙,玄伟东,任忠鸣,王保军. Владелец: China United Heavy Gas Turbine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

GROWTH OF PLURAL SAMPLE RODS TO DETERMINE IMPURITY BUILD-UP DURING PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON INGOTS

Номер патента: US20200002843A1. Автор: Hudson Carissima Marie,Ryu JaeWoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Process for the growth of single crystals of corundum and gallium oxide

Номер патента: FR1293744A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1962-05-18.

Gaseous phase epitaxial growth of thin film of single crystal of inorganic compound

Номер патента: JPS59207896A. Автор: Hisanori Fujita,尚徳 藤田. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1984-11-26.

A kind of adhering method of silicon carbide seed and the preparation method of single-crystal silicon carbide crystal ingot

Номер патента: CN109554759A. Автор: 程海英,张晓洪,袁松,钮应喜,宋东波,刘锦锦. Владелец: Wuhu Kaidi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of single domain formation of single crystal of lithium tantalate

Номер патента: JPS61168600A. Автор: Masaaki Iguchi,Masataka Watanabe,政孝 渡辺,雅章 井口. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1986-07-30.

Determination of mass/time ratios for buffer members used during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US20230142420A1. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: JP2023075200A. Автор: カリシマ・マリー・ハドソン,Marie Hudson Carissima,Jaewoo Ryu,ジェウ・リュー. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP3814557B1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

SOLUTION GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL PEROVSKITE STRUCTURES

Номер патента: US20170152608A1. Автор: Jin Song,Meng Fei,Fu Yongping. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Growth of single crystal

Номер патента: JPS589894A. Автор: Tadao Komi,小見　忠雄. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-20.

Apparatus for the growth of single crystals

Номер патента: EP0138292B1. Автор: Kohji C/O Osaka Works Tada,Tochihiro C/O Osaka Works Kotani. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-10-14.

ANNEALING OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20130251614A1. Автор: Ouspenski Vladimir,RICHAUD Dominique,ILTIS Alain. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

SYNTHESIS OF SINGLE CRYSTAL FILMS ON AMORPHOUS SUBSTRATES

Номер патента: US20210254237A1. Автор: Rajagopalan Jagannathan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD OF FABRICATING A PLURALITY OF SINGLE CRYSTAL CVD SYNTHETIC DIAMONDS

Номер патента: US20180266013A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Twitchen Daniel James,COLLINS John Lloyd. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

METHOD AND STRUCTURE OF SINGLE CRYSTAL ELECTRONIC DEVICES WITH ENHANCED STRAIN INTERFACE REGIONS BY IMPURITY INTRODUCTION

Номер патента: US20190259934A1. Автор: Gibb Shawn R.,SHEALY Jeffrey B.,DenBaars Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Apparatus for controlling diameter of single crystal ingot and Ingot growing apparatus having the same and method thereof

Номер патента: KR101540863B1. Автор: 김세훈,박현우,김우태,홍영호. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2015-07-30.

Formation of single crystal on amorphous film

Номер патента: JPS58167490A. Автор: Kenji Kajiyama,Joji Nakada,穣治 中田,梶山　健二. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1983-10-03.

Control method of heating system of single crystal furnace

Номер патента: CN113136620A. Автор: 武绚丽,孙须良,颜玉峰. Владелец: Qujing Jinglong Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Preparation method of single crystal superalloy with gradient structure

Номер патента: CN111979582A. Автор: 王涛,张军,郭敏,刘林,黄太文,杨文超,苏海军,梅鹏. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2020-11-24.

Recycling method of SiC by-product from the deposition process into the source of single crystal

Номер патента: KR102187817B1. Автор: 김규현,정성민,권용진,김영희,정은진,이명현,권우택. Владелец: 주식회사 지텍. Дата публикации: 2020-12-08.

Formation of single-crystal silicon carbide

Номер патента: KR101031407B1. Автор: 롤랑 마다르,미셸 뽕,프랑시 바이에,뤼도빅 샤르삥띠에,에띠엔느 뻬르노,디디에 쇼씽드,다니엘 엠. 뛰로베. Владелец: 엥스띠뛰 뽈리떼끄니끄 드 그르노블. Дата публикации: 2011-04-26.

Fabrication method of single crystal Si and fablication method of TFT adopting the same

Номер патента: KR101257846B1. Автор: 박경배,선우문욱,조세영,노구치 타카시,장샤오신. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-04-24.

Preparation of single crystal of semiconductor of compound

Номер патента: JPS6027693A. Автор: Sadao Matsumura,禎夫 松村. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-02-12.

Manufacturing method of single crystal jewelry powders having plate type structure

Номер патента: KR102343000B1. Автор: 정민석,서원선,조중영,정대수,노동규,이명현,남우현. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2021-12-23.

Manufacturing method of single crystal

Номер патента: KR101033250B1. Автор: 마사미치 오쿠보. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2011-05-06.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS60176995A. Автор: Masami Tatsumi,Koji Tada,雅美 龍見,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-09-11.

Manufacture of single crystal of aluminum indium phosphide

Номер патента: JPS59128299A. Автор: Toru Suzuki,Isao Hino,徹 鈴木,日野　功. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-07-24.

Production of single crystal of semiconductor of group iii-v compound

Номер патента: JPS61111991A. Автор: Tomoki Inada,Masashi Fukumoto,Harunori Sakaguchi,春典 坂口,稲田　知己,福本　昌志. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1986-05-30.

Production method of single crystal silicon

Номер патента: CN105648527A. Автор: 尚锐刚. Владелец: BEIJING TIANNENG YUNTONG CRYSTAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

A kind of single crystal growing furnace that thermal field is stable

Номер патента: CN110359082A. Автор: 胡正阳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-22.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF A POLYCRYSTALLINE ALLOY FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTALS BY PASSING THROUGH A SOLVENT AREA

Номер патента: FR2560226B1. Автор: Sylvain Paltrier,Alain Fillot,Jean Gallet,Bernard Schaub. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1986-08-08.

Fabrication method of single crystal silicon rod

Номер патента: KR100818285B1. Автор: 박영수,후아샹잉,임혁,선우문욱,조세영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method and device for x-ray topography of single crystal ingot

Номер патента: JPH10160688A. Автор: Yoshiro Machitani,芳郎 町谷,Tetsuo Kikuchi,哲夫 菊池. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 1998-06-19.

Manufacturing method of single crystal

Номер патента: KR101953788B1. Автор: 야스히토 나루시마,토시미치 쿠보타,마사유키 우토. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2019-03-04.

Novel external charging machine of single crystal furnace

Номер патента: CN112342610A. Автор: 华焱. Владелец: Changzhou Songci Electromechanical Co ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

IMPROVED PROCESS AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: FR2545845B1. Автор: Robert Marcel Marie He Cadoret,Jean Eugene Marie Omaly,Pierre Charles Brisson. Владелец: Centre National dEtudes Spatiales CNES. Дата публикации: 1987-03-20.

Production method of single crystal silicon

Номер патента: KR102165349B1. Автор: 유타 나가이,요시아키 아베,히사시 마츠무라,히로유키 츠보타. Владелец: 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-10-13.

Synthesis method of single crystal of artificial beryl

Номер патента: JPS6081098A. Автор: Masaaki Takeuchi,Eiji Togawa,Yoshiharu Kasuga,Yoshio Morita,Tadaaki Atomachi,正明 竹内,春日　好春,後町　忠昭,喜夫 森田,戸川　栄司. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-05-09.

DEVICE FOR EXTRACTION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: EA200401214A1. Автор: Владимир Владимирович Костин. Владелец: Коренский, Виктор Митрофанович. Дата публикации: 2005-04-28.

Heat field structure of single crystal furnace for removing the deposition of volatile components on the exterior of heat shield

Номер патента: WO2012009900A1. Автор: 黄强,张志强,黄振飞,袁为进. Владелец: 常州天合光能有限公司. Дата публикации: 2012-01-26.

Two-dimensional ultrathin Fe3O4Preparation method and application of single crystal nanosheet

Номер патента: CN111254488A. Автор: 熊杰,汪洋,刘雨晴,饶高峰,储隽伟,龚传辉,陈心睿,晏超贻,王显福,尹楚君. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-06-09.

Production of single crystal

Номер патента: JPS605093A. Автор: Hajime Osaka,始 大坂,Fumiaki Higuchi,文章 樋口,Kouichi Kamon,Hirokuni Nanba,Motoharu Kikuchi,宏邦 難波,香門　浩一,菊地　茂登治. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-01-11.

Production method of single crystal silicon

Номер патента: TW201940754A. Автор: 永井勇太,松村尚,坪田寛之,安部吉亮. Владелец: 日商環球晶圓日本股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-16.

Manufacture of single crystal metal particle

Номер патента: JPS59190289A. Автор: チ−・チユン・ワン. Владелец: Duracell International Inc. Дата публикации: 1984-10-29.

Annealing of single crystals

Номер патента: US20090246495A1. Автор: Vladimir Ouspenski,Alain Iltis,Dominique Richaud. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2009-10-01.

Process for the production of single crystals of optical calcite

Номер патента: DE4033820C2. Автор: Vadim Leonidovic Borodin,Valerij Vladimirovic Dronov,Valentin Evstafievic Chadzi. Владелец: VNI SKIJ I SINTEZA MINERAL NOG. Дата публикации: 1996-01-25.

Production of single crystal cvd diamond rapid growth rate

Номер патента: EP2376681B1. Автор: Qi Liang,Ho-Kwang Mao,Chih-shiue Yan,Russell Hemley,Yufei Meng. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2014-06-11.

Preparation of single crystal film of silicon carbide

Номер патента: JPS6027699A. Автор: Shunji Misawa,Sadaji Yoshida,Shunichi Gonda,吉田　貞史,俊司 三沢,権田　俊一. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1985-02-12.

Manufacturing method of single crystal silicon

Номер патента: TWI635199B. Автор: 齋藤康裕,最勝寺俊昭,田邉一美. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-11.

A kind of preparation method of single crystal growing furnace and monocrystalline silicon

Номер патента: CN109554754A. Автор: 兰洵. Владелец: Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

A kind of Al45Cr7The preparation method of single crystal grain

Номер патента: CN108930064A. Автор: 刘聪,范长增. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-04.

Production of single crystal wafer

Номер патента: JPS58110500A. Автор: Toshio Ishii,Ko Nakajima,Makoto Hasuo,敏夫 石井,中島　皇,蓮尾　誠. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1983-07-01.

Process for the preparation of single crystals

Номер патента: FR1288407A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1962-03-24.

Process for the production of single crystals

Номер патента: DE112009004496T5. Автор: Makoto Iida,Kazuo Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Optical element of single crystal of lead molybdate

Номер патента: JPS5984000A. Автор: Toru Yamazaki,Mitsuhiro Kimura,光宏 木村,山崎　透. Владелец: Tohoku Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1984-05-15.

A kind of single crystal growing furnace

Номер патента: CN107815729A. Автор: 邓先亮. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Stress relief of single crystal superalloy articles

Номер патента: CN1007828B. Автор: 罗伯特·雅各比·亨里克斯,约翰·约瑟夫·马尔钦,杰奎琳·伯恩斯·沃尔,亚历山大·阿方斯·平科维什. Владелец: United Craft Co. Дата публикации: 1990-05-02.

Process for the preparation of a polycrystalline alloy intended for the production of single crystals by passing through a solvent zone

Номер патента: FR2560226A1. Автор: Sylvain Paltrier,Alain Fillot,Jean Gallet,Bernard Schaub. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1985-08-30.

Preparation method of single crystal graphene film

Номер патента: CN112921396A. Автор: 张振生,赵悦,俞大鹏,田圳,邹定鑫. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-08.

Production method of single crystal silicon

Номер патента: KR20190088886A. Автор: 유타 나가이,요시아키 아베,히사시 마츠무라,히로유키 츠보타. Владелец: 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-29.

Special-shaped heater and thermal field structure of single crystal pulling furnace

Номер патента: CN107779945B. Автор: 邓先亮. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-27.

Semiconductor graphite crucible lifting device of single crystal furnace

Номер патента: CN115595654B. Автор: 王忠亮,王庆辉,王皓田. Владелец: Jilin Longchang New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-05.

Production of single crystal film of silicon carbide

Номер патента: JPS6117497A. Автор: Shunji Misawa,Sadaji Yoshida,Shunichi Gonda,吉田　貞史,俊司 三沢,権田　俊一. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-01-25.

Heat treatment of single crystal germanium wafer

Номер патента: TWI628320B. Автор: 田原史夫,曲偉峰,櫻田昌弘,高橋修治. Владелец: 信越半導體股份有限公司. Дата публикации: 2018-07-01.

Heat treatment of single crystals

Номер патента: GB2141137B. Автор: Nicholas Eugene Ulion,Thomas Tupper Field,Otis Yuchia Chen,Arthur Raymond Geary,Richard Walter Salkeld. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1986-09-03.

For the lifting control device of single crystal rod growth and its lifting control method of application

Номер патента: CN110055581A. Автор: 朴玹雨. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

Fabrication of single crystal semiconductor materials using nanostructured templates

Номер патента: JP5586233B2. Автор: ナン ワン ワン. Владелец: Nanogan Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Methods and apparatuses for a dynamic growing of single-crystal thin-film composed of organic materials

Номер патента: US7368012B2. Автор: Achintya K. Bhowmik,Shida Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Method of preventing cracking of single crystal nickel-base superalloy article

Номер патента: JP2681465B2. Автор: ロバート・ジャコビ・ヘンリックス,ジョン・ジョセフ・マーシン,ジャクリーン・バーンズ・ワール,アレキサンダー・アルフォンズ・ピンコーイッシュ. Владелец: ユナイテツド・テクノロジ−ズ・コ−ポレイシヨン. Дата публикации: 1997-11-26.

Process for forming epitaxial layer of single crystal silicon

Номер патента: JPS52136568A. Автор: Kan Chiyuu Uei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-11-15.

Heat shield device of single crystal growth furnace

Номер патента: CN116084007A. Автор: 沈福哲,崔时荣,郑义三,李丞济. Владелец: Anhui Lianxiao Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Improvement of single crystal silicon wafer in mechanical resistance

Номер патента: JPH11219873A. Автор: Jacques Vandeputte,Florine Bourdet,ヴァンデピュート ジャック,ブールデ フロリーヌ. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 1999-08-10.

Production process of single crystal silicon rod

Номер патента: CN115110143A. Автор: 吕明,韦晓,王永超,郭城,李加美,李充,李有功. Владелец: Jinan Kesheng Electronic Co ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

The preparation method and monocrystalline silicon of a kind of single crystal pulling apparatus, monocrystalline silicon

Номер патента: CN109554756A. Автор: 全弘湧. Владелец: Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Apparatus and method of forming sheet of single crystal semiconductor material

Номер патента: EP0066657A1. Автор: Allen L. Kerlin. Владелец: Allen L. Kerlin. Дата публикации: 1982-12-15.

Heat exchange equipment of single crystal furnace and application method thereof

Номер патента: CN114703540A. Автор: 陈养俊. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

A kind of main vacuum line structure of single crystal growing furnace

Номер патента: CN105506730B. Автор: 贺贤汉,刘海,郡司拓,黄保强. Владелец: Shanghai Hanhong Precision Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Slicing of single-crystal films using ion implantation

Номер патента: US20020053318A1. Автор: Richard M. Osgood,Antonije M. Radojevic,Miguel Levy. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2002-05-09.

Preparation of single crystals of silicon

Номер патента: US2851342A. Автор: Bradshaw Stanley Edwin,Mlavsky Abraham Isaac. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1958-09-09.

A kind of single-crystal silicon carbide stove monitoring system

Номер патента: CN107523873A. Автор: 闫鹏,袁玉平,袁佳斌. Владелец: JIANGSU BAIERTE OPTOELECTRONIC DEVICES Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-29.

Preparation of single crystal or piezoelectric substance

Номер патента: JPS5973498A. Автор: Jisaburo Ushizawa,Senji Shimanuki,牛沢　次三郎,島貫　専治. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-04-25.

Production of single crystal of silicon carbide

Номер патента: JPS60264399A. Автор: Akira Suzuki,Mitsuhiro Shigeta,Masaki Furukawa,彰 鈴木,勝紀 古川,光浩 繁田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-12-27.

Production method of single crystal silicon

Номер патента: EP3514264B1. Автор: Hisashi Matsumura,Yoshiaki Abe,Hiroyuki Tsubota,Yuta NAGAI. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Pad conditioner with pyramids of single-crystal diamond

Номер патента: US20240198481A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for fabricating a network of nanometric lines made of single-crystal silicon and device obtained

Номер патента: US6583451B2. Автор: Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-06-24.

Method of single-crystal stubs production

Номер патента: RU2602584C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Валерий Анатольевич Михайлов,Сергей Германович Хаютин,Сергей Игоревич Полянский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственный центр газотурбостроения "Салют" (АО "НПЦ газотурбостроения "Салют"). Дата публикации: 2016-11-20.

High purity, environmentally clean method and apparatus, for high rate, liquid anisotropic etching of single crystal silicon or etching of polycrystalline silicon, using an overpressure of ammonia gas above aqueous ammonium hydroxide

Номер патента: US20130012028A1. Автор: Alvin Gabriel Stern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Process for producing a microkilled steel suitable for freerun continuous casting for subsequent cold forming

Номер патента: US4525211A. Автор: Otto Koller,Luzian Pochmarski,Karl Abendstein. Владелец: Voestalpine AG. Дата публикации: 1985-06-25.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for growing alumino-yttrium garnet doped with vanadium

Номер патента: RU2641828C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Дмитрий Иванович Клименченко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-01-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Single crystal of porous compound, method for assessing quality of single crystal, method for preparing solution including compound to be analyzed, method for producing crystal structure analysis sample, and method for determining molecular structure of compound to be analyzed

Номер патента: US20180245239A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma,Yuya Doumoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-08-30.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Process for producing dielectrically isolated silicon devices

Номер патента: US4497683A. Автор: Mcdonald Robinson,George K. Celler. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1985-02-05.

Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20030159646A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for producing a substrate for the epitaxial growth of a layer of a galium-based iii-n alloy

Номер патента: US20230374701A1. Автор: Eric Guiot. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for producing a substrate for the epitaxial growth of a layer of a gallium-based iii-n alloy

Номер патента: US20230411151A1. Автор: Eric Guiot. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-12-21.

Controlled homo-epitaxial growth of hybrid perovskites

Номер патента: US20200299861A1. Автор: Sheng Xu,Yimu CHEN,Yusheng LEI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-09-24.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: EP1945586A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: WO2007047783A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus and method for producing single crystal

Номер патента: US7314522B2. Автор: Hiroyuki Ishibashi,Shigeki Hirasawa,Akihiro Gunji,Masato Ikegawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Single crystal of porous compound, method for assessing quality of single crystal, method for preparing solution including compound to be analyzed, method for producing crystal structure analysis sample, and method for determining molecular structure of compound to be analyzed

Номер патента: US20180245239A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma,Yuya Doumoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-08-30.

Heater In Hot-Zone of Single Crystal Pulling Apparatus and Single Crystal Pulling Apparatus

Номер патента: US20230349066A1. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20230272551A1. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12065756B2. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

CRYSTAL HOLDING MECHANISM OF SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20130319318A1. Автор: YOTSUI Takuya,Suda Ayumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatus for analyzing target materials and methods for fabricating an apparatus for analyzing target materials

Номер патента: US20030021732A1. Автор: Aroon Tungare,George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor wafer composed of single-crystal silicon and process for producing a semiconductor wafer composed of single-crystal silicon

Номер патента: US20200240039A1. Автор: Timo Mueller,Michael Gehmlich,Andreas Sattler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-07-30.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US20120145071A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: WO2012081789A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Seed crystals for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride

Номер патента: TWI240769B. Автор: George Halsey Beall,Gitimoy Kar,Charles William Deneka. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-10-01.

Method and apparatus for producing crystalline ribbons

Номер патента: US4289571A. Автор: David N. Jewett. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Heating coil for use in growth of single crystal

Номер патента: US5051242A. Автор: Masataka Watanabe,Katsumi Ichimura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Feed materials for single crystal silicon carbide epitaxial growth and method for epitaxial growth of single crystal silicon carbide

Номер патента: TW201227805A. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co. Дата публикации: 2012-07-01.

Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction

Номер патента: WO2019164829A1. Автор: Shawn R. Gibb,Steven DenBaars,Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2019-08-29.

Production method of monocrystalline silicon wafer, single crystal silicon wafer, and evaluation method of single crystal silicon wafer

Номер патента: TWI427721B. Автор: . Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2014-02-21.

Method and apparatus for predicting crystal quality of single-crystal semiconductor

Номер патента: GB2279586A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Substrate of single crystal of oxide, device using said substrate and method of producing said superconductive device

Номер патента: US5314871A. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1994-05-24.

System and method for producing polycrystalline group iii nitride articles and use thereof in production of single crystal group iii nitride articles

Номер патента: US20160284545A1. Автор: Raoul Schlesser,Edward A. Preble. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for producing parts made of single crystal (SX) or directionally solidified (DS) nickel-base superalloy

Номер патента: JP2015517028A. Автор: エター トーマス,ミュッケ ローラント. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of handling member of single crystal raising device, member handling mechanism of single crystal lifting device, and member handling jig of single crystal lifting device

Номер патента: KR970043342A. Автор: 다까히로 야나기마찌,사또시 소오따,아쯔시 이와자끼,시노부 다께야스. Владелец: 신에쯔 한도타이 콤파니 리미티드. Дата публикации: 1997-07-26.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US11784045B2. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US20240030027A1. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Holding of single crystal and growth of single crystal

Номер патента: JPH1095697A. Автор: Makoto Iida,Masaki Kimura,雅規 木村,誠 飯田,栄一 飯野,Eiichi Iino,正三 村岡,Shozo Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

MANUFACTURING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF INTERNAL MODIFIED LAYER-FORMING SINGLE CRYSTAL MEMBER

Номер патента: US20130312460A1. Автор: SUZUKI HIDEKI,IKENO Junichi,KUNISHI Yosuke,Matsuo Rika. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Process for producing a layer of single crystal semiconductor material

Номер патента: DE1297086B. Автор: Walther Albert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-06-12.

Heating resistor of single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US4533822A. Автор: Takashi Fujii,Masayuki Watanabe,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-06.

Radiation heat shield for silicon melt-in manufacturing of single crystal silicon

Номер патента: US5004519A. Автор: Farouk A. Hariri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-04-02.

Rectifying cylinder lifting / lowering method of single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Номер патента: JP3687166B2. Автор: 淳 岩崎,哲宏 小田,敏治 上杉,日出夫 岡本. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-24.

Seed material for single-crystal silicon carbide liquid phase epitaxial growth and liquid phase epitaxial growth method of single-crystal silicon carbide

Номер патента: TWI498459B. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co. Дата публикации: 2015-09-01.

Detection method of single crystal diameter and single crystal pulling device

Номер патента: TWI413712B. Автор: . Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2013-11-01.

Silicon carbide substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing them

Номер патента: US9722028B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: IL299255A. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-02-01.

METHODS FOR PRODUCTION OF SINGLE-CRYSTAL GRAPHENES

Номер патента: US20140014030A1. Автор: Yan Zheng,Tour James M.. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-01-16.

APPARATUS AND METHOD FOR DIRECT WRITING OF SINGLE CRYSTAL SUPER ALLOYS AND METALS

Номер патента: US20170051386A1. Автор: KONITZER Douglas Gerard,Carter William Thomas,ROCKSTROH Todd Jay. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

APPARATUS AND METHOD FOR DIRECT WRITING OF SINGLE CRYSTAL SUPER ALLOYS AND METALS

Номер патента: US20160258045A1. Автор: CARTER,KONITZER Douglas Gerard,ROCKSTROH Todd Jay,JR. William Thomas,Mazumder Jyotirmoy,CHOI Jeongyong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

APPARATUS AND METHOD FOR DIRECT WRITING OF SINGLE CRYSTAL SUPER ALLOYS AND METALS

Номер патента: US20170274476A1. Автор: Mazumder Jyotirmoy,CHOI Jeongyong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Apparatus and Method for Direct Writing of Single Crystal Super Alloys and Metals

Номер патента: US20190323111A1. Автор: KONITZER Douglas Gerard,Carter William Thomas,ROCKSTROH Todd Jay. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

METHOD FOR DEPOSITING A REGION OF SINGLE CRYSTAL SILICON

Номер патента: FR2774509B1. Автор: Yvon Gris,Jocelyne Mourier,Germaine Troillard. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2001-11-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-CARRYING SUBSTRATE OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2835096A1. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2003-07-25.

Method for transient liquid phase bonding of single crystal, high heat-resistance alloy by using alloy powder

Номер патента: KR101980177B1. Автор: 김두수,김도형,이한상,유근봉. Владелец: 한국중부발전(주). Дата публикации: 2019-05-20.

Solar cell and method for the manufacture thereof

Номер патента: CA1090455A. Автор: Heinrich Diepers. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-11-25.

Controlling method for growing of single crystal

Номер патента: JPS5899197A. Автор: Kazuo Oda,Hideshi Osawa,Kohei Ito,康平 伊藤,和男 小田,大沢　秀史. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1983-06-13.

Method for controlling diameter of single crystal

Номер патента: JPS59102895A. Автор: Masami Tatsumi,Koji Tada,Miki Kuhara,美樹 工原,雅美 龍見,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1984-06-14.

Method for controlling melting condition of molten zone in infrared heating manufacturing device of single crystal

Номер патента: JPS60112687A. Автор: Hiroki Hirai,Hiroshi Nishimura,博 西村,平井　博喜. Владелец: Nichiden Machinery Ltd. Дата публикации: 1985-06-19.

Method for improving polishing efficiency of single crystal diamond by adding metal oxide nano particles

Номер патента: CN115091338A. Автор: 宋慧慧,朱丽娜,岳�文,孟德忠,付志强,康嘉杰,佘丁顺,关芮,赵洪晨. Владелец: Zhengzhou Research Institute China University Of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2022-09-23.

Wax mold method for avoiding recrystallization and micro-porosity of single-crystal hollow blade

Номер патента: CN113492197A. Автор: 张剑,郭媛媛,杨振宇,张迈,戴圣龙,赵云松,骆宇时. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2021-10-12.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: US10350708B2. Автор: Jyotirmoy Mazumder,Jeongyong Choi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-07-16.

Manufacturing Method for Refractory Insulation Material for Spill Tray of Single Crystal Silicon Ingot Growth

Номер патента: KR102368375B1. Автор: 전종원,전호연. Владелец: (주)건일산업. Дата публикации: 2022-02-28.

Optical barriers, waveguides, and methods for fabricating barriers and waveguides for use in harsh environments

Номер патента: US20140070119A1. Автор: William T. SPRATT,Mengbing Huang. Владелец: COLLEGE OF NANOSCALE SCIENCE & ENGINEERING. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing substrates for the growth of single crystal diamond

Номер патента: CN101054720A. Автор: 野口仁. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

METHOD AND DEVICE FOR THE ELIMINATION OF PARASITIC FORMATIONS IN THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: FR2374080A1. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-07-13.

Process for the production of single crystals of high crystal quality by zone melting

Номер патента: DE1298085B. Автор: Mullin John Brian,Hurle Donald Thomas James. Владелец: UK Government. Дата публикации: 1969-06-26.

Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor

Номер патента: EP0319031B1. Автор: Masaaki Aoyama,Hiroshi Matsui,Yasuhiko Sato,Mitsuo Matsumura,Akira Uchikawa,Akira Fujinoki,Toshio Fukuoka,Atsushi Iwasaki,Nobuyoshi Ogino,Eiichi Shinomiya. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-30.

Growth of single crystal iii-v semiconductors on amorphous substrates

Номер патента: US20170175290A1. Автор: Kevin Chen,Ali Javey,Rehan Kapadia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-22.

MELT-GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL ALLOY SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES INCORPORATING SUCH STRUCTURES

Номер патента: US20170175294A1. Автор: REED Graham Trevor,Gardes Frederic Yannick,Johns Callum George. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

DEVICE FOR THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS FROM MELTING MASS USING THE SUPPLY SUPPLY IN CRUSHED LOAD

Номер патента: FR2371228A1. Автор: Valentin Ivanovich Goriletsky,Oleg Sergeevich Mjulendorf,Alexei Viktorovich Radkevich,Lev Georgievich Eidelman. Владелец: INST MONOKRISTALLOV. Дата публикации: 1978-06-16.

METHOD AND DEVICE FOR THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS FROM A LIQUID SOLUTION

Номер патента: FR2332800A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-06-24.

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING PARASITIC FORMATIONS IN THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: FR2374081A1. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-07-13.

Apparatus for growth of single crystal using Liquid-Encapsulated Czochralski method

Номер патента: KR100808217B1. Автор: 오명환,정현석,송준석,안희석. Владелец: 네오세미테크 주식회사. Дата публикации: 2008-02-29.

Melt-growth of single-crystal alloy semiconductor structures and semiconductor assemblies incorporating such structures

Номер патента: US11198951B2. Автор: Frederic Yannick Gardes,Graham Trevor Reed,Callum George Littlejohns. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2021-12-14.

Growth of single crystal

Номер патента: JPS5849687A. Автор: Kouichi Koukado,Hajime Osaka,始 大坂,Fumiaki Higuchi,文章 樋口,Hirokuni Nanba,宏邦 難波,香門　浩一. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1983-03-23.

SEMICONDUCTOR WAFER MADE OF SINGLE-CRYSTAL SILICON AND PROCESS FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20200165745A1. Автор: Sattler Andreas,Mueller Timo,Kissinger Gudrun,Kot Dawid,KRETSCHMER Robert. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-05-28.

MANUFACTURING A COMPONENT OF SINGLE CRYSTAL OR DIRECTIONALLY SOLIDIFIED MATERIAL

Номер патента: US20140305368A1. Автор: Haje Detlef,Davis Anthony. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2014-10-16.

A semiconductor wafer composed of single crystal silicon

Номер патента: KR102450059B1. Автор: 티모 뮐러,미카엘 보이,미카엘 겜리히,안드레아스 사틀러. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2022-09-30.

Production of single crystal

Номер патента: JPS5556092A. Автор: Akihiko Kawachi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1980-04-24.

Production of single crystal

Номер патента: JPS60103095A. Автор: Kuniharu Yamada,邦晴 山田. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-06-07.

Drawing device of single crystal

Номер патента: KR970070255A. Автор: 슐만 빈프리트,카이저 헬무트,팀 프란츠. Владелец: 발처스 운트 레이볼트 도이칠란트 홀딩 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 1997-11-07.

Manufacturing method, system and the equipment of single crystal casting

Номер патента: CN109338455A. Автор: 冯杰,郭建政,马德新. Владелец: Shenzhen Shantou Special Cooperation Zone Wan Ze Precision Casting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

Manufacturing method of single crystal silicon film

Номер патента: CN100377294C. Автор: 柳明官,李镐年,朴宰撤,金亿洙. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

Production of thin film of single crystal

Номер патента: JPS6117491A. Автор: Toru Tatsumi,Hisaaki Aizaki,徹 辰巳,尚昭 相崎. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-25.

Manufacturing apparatus of single crystal silicon ingot having dual crucible for silicon melting which can recycle

Номер патента: KR101265154B1. Автор: 이진석,장보윤,안영수. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-05-27.

Apparatus for the simultaneous production of a multiplicity of single-crystal semiconductor bodies

Номер патента: DE1251283B. Автор: Los Angeles Calif. Walter Charles Benzing Mountainside N.J. George Krsek (V. St. A.). Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-10-05.

Preparation method of single crystal type lithium manganate material and precursor thereof

Номер патента: CN111139516A. Автор: 李佳军,赵春阳,马岩华,包希文,邓亚烽,钱飞鹏. Владелец: Wuxi Jewel Power & Materials Co ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Method of high energy beam welding of single-crystal superalloy and assembly to be obtained thereby

Номер патента: JP2003225774A. Автор: Ganjiang Feng,ガンヂアン・フェン,Daniel Anthony Nowak,ダニエル・アンソニー・ノーワーク. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-08-12.

Free-standing thickness of single crystal material and method having carrier lifetimes

Номер патента: KR20100027068A. Автор: 프랑소와 제이. 헨리,시엔 강,주퀸 리우,루 티안. Владелец: 실리콘 제너시스 코포레이션. Дата публикации: 2010-03-10.

Manufacturing method of single crystal GaN substrate

Номер патента: JP3968968B2. Автор: 健作 元木,仁 笠井,拓司 岡久. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

Production of single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPH1081596A. Автор: Friedrich Nemetz,フレデリッヒ・ネメツ. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1998-03-31.

Process for the production of single crystal diamond films

Номер патента: DE19630759A1. Автор: Koji Kobashi,Takeshi Tachibana,Yoshihiro Shintani. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1997-02-06.

Preparation method of single crystal double-wall hollow turbine blade based on photocuring technology

Номер патента: CN111231050B. Автор: 李金国,孙晓峰,周亦胄,梁静静,安晓龙. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2021-03-26.

Improvement in the production process of single crystals by pulling

Номер патента: FR1393063A. Автор: . Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 1965-03-19.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US11251042B2. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Production process of single crystals

Номер патента: CA2008024A1. Автор: Akira Omino. Владелец: Mitsui Mining Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-18.

DEVICE FOR THE CONTINUOUS BLOWING OF SINGLE CRYSTALS IN THE SHAPE OF PLATES

Номер патента: DE2704913A1. Автор: Jean Ricard. Владелец: Ugine Kuhlmann SA. Дата публикации: 1978-07-13.

Exothermic resistance element for production unit of single crystal

Номер патента: JPS59174593A. Автор: Takashi Fujii,Masayuki Watanabe,Jisaburo Ushizawa,正幸 渡辺,高志 藤井,牛沢　次三郎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-10-03.

Preparation of single crystal by f.z process

Номер патента: JPS6081085A. Автор: Masatoshi Saito,正敏 斉藤. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-05-09.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: EP3428325B1. Автор: Timo Müller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Robert Kretschmer,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-09-11.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS60204700A. Автор: Tetsuo Saito,哲男 齊藤,Mitsuo Yoshikawa,吉河　満男. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-10-16.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS6071589A. Автор: Kuniharu Yamada,邦晴 山田. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-04-23.

Gadolinium lithium zirconate compound and preparation method and application of single crystal thereof

Номер патента: CN112647131B. Автор: 周利,李凤丽,王坤鹏,姚永峰,刘泳,范立群,张建秀,任衍彪. Владелец: Zaozhuang University. Дата публикации: 2022-02-22.

Manufacture of single crystal, e.g. from silicon, by measuring pressure in chamber and shutting off flow of cooling fluid if pressure exceeds threshold

Номер патента: DE102005011109A1. Автор: Rolf Schmid,Alfred Dipl.-Ing. Pardubitzki (Fh),Rainer Dipl.-Ing. Neumann (FH),Anton Günther. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2006-09-14.

Formation of single-crystal silicon layer by recrystallization

Номер патента: EP0179491B1. Автор: Koji Egami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-03-24.

Measuring Apparatus and Method of Single Crystal Ingot Diameter

Номер патента: KR100977619B1. Автор: 김세훈,이홍우. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-08-23.

Preparation of single crystal ferrite

Номер патента: KR960001921B1. Автор: 안동훈. Владелец: 최근선. Дата публикации: 1996-02-06.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS59195594A. Автор: Osamu Inoue,健 廣田,Takeshi Hirota,修 井上,Koji Nitta,Toshihiro Mihara,新田　恒治,三原　敏弘. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Preparation of single crystal of silicon

Номер патента: JPS6033289A. Автор: Toshiro Usami,俊郎 宇佐美. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-02-20.

Seeding method in production of single crystal

Номер патента: JPS60171291A. Автор: Yuzuru Suzuki,譲 鈴木,Junjiro Shirokawa,Moritami Nishibe,潤二郎 城川,西部　名民. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-09-04.

Free standing thickness of single crystal material and method having carrier lifetimes

Номер патента: EP2169714A2. Автор: Liu Tian,Francois J. Henley,Zuqin Liu,Sien Kang. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

After-heater in pulling of single crystal

Номер патента: JPS5841797A. Автор: Kazumasa Takagi,Tokumi Fukazawa,Toru Oi,高木一正,深沢徳海,大井徹. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-11.

Method and device for the production of single crystals consisting of semiconductor material by pulling from a melt

Номер патента: DE1294939B. Автор: Kocher,RUMMEL,Dipl-Ing Rudolf,Dipl-Ing Hans Heinrich,Dorendorf,Dipl-Ing Friedrich-Adolf,Dipl-Phys Dr Heinz,Roitner Josef,Kappelmeyer,Mentzel,Spalek,Dipl-Ing Dr Theodor,Dipl-Phys Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-05-14.

Heater mechanism of single crystal pulling device

Номер патента: JP3774920B2. Автор: 伸晃 三田村,淳 岩崎,志信 竹安,敏治 上杉. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-17.

Device for the production of single crystals by crucible-free zone melting

Номер патента: DE2145156B2. Автор: Takayuki Mizutani,Koichi Matsumi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-07-04.

Growing apparatus of single crystal semiconductor

Номер патента: JPS6051691A. Автор: Shinichiro Takasu,Shinzaburo Iwabuchi,高須　新一郎,岩淵　真三郎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-03-23.

Manufacture of single crystal silicon rod

Номер патента: JPS59137393A. Автор: リチヤ−ド・ノエル・ト−マス,ハドソン・マクドナルド・ホブグツド,ジヨン・クラウチヤ−・スウオ−ツ. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE2348883A1. Автор: Georges Defosse. Владелец: Elphiac SA. Дата публикации: 1974-04-11.

METHOD AND DEVICE FOR THE FORMATION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE2311573A1. Автор: Johannes Meuleman,Jean-Pierre Besselere,Guy Michel Jacob. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1973-09-27.

Manufacturing method of single crystal and apparatus therefor

Номер патента: KR100239864B1. Автор: 에이이치 이이노,기요다카 다카노,마사노리 기무라,히로토시 야마기시. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 2000-01-15.

Manufacturing method and manufacturing device of single crystal

Номер патента: CN105543950A. Автор: 佐藤利行. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Manufacture of single crystal semiconductors

Номер патента: US3520810A. Автор: Jerry M Woodall,William C Wuestenhoefer,Thomas S Plaskett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1970-07-21.

Crucible mounting method to support of single crystal pulling apparatus, support assembly device and support used for the method

Номер патента: KR970074986A. Автор: 다까시 아따미,히사시 후루야,히로아끼 다구찌,마사까즈 야마자끼,미찌오 야나바. Владелец: 아끼모또 유미. Дата публикации: 1997-12-10.

MEANS FOR THE MANUFACTURE OF SINGLE-CRYSTAL SILICON IN THE FORM OF A TAPE

Номер патента: FR2455480A1. Автор: Huguette Rodot. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1980-11-28.

Manufacture of single crystal silicon

Номер патента: JPS58181798A. Автор: Masaharu Watanabe,Hideo Nagashima,Hisashi Muraoka,久志 村岡,Toshiro Usami,Hideyasu Matsuo,俊郎 宇佐美,正晴 渡辺,長島　秀夫,松尾　秀逸. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-24.

Process for the production of single-crystal, in particular thin, semiconducting layers

Номер патента: DE1179184B. Автор: Dipl-Phys Dr Guenther Ziegler,Dipl-Phys Dr Walter Heywang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1964-10-08.

Process for the production of single crystal wires and sheets of any cross section

Номер патента: DE407415C. Автор: . Владелец: OTTO V AUWERS DR. Дата публикации: 1924-12-16.

Graphite heating element of pulling device of single crystal of silicon

Номер патента: JPS58172292A. Автор: Yoshiji Aoyama,Shigeo Yasuda,青山　好次,茂雄 安田. Владелец: Ibigawa Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Pop-up valve device of single crystal ingot growth device

Номер патента: KR102276236B1. Автор: 권근형. Владелец: 주식회사 오에스티투. Дата публикации: 2021-07-12.

UNIVERSAL MACHINE FOR THE PREPARATION OF SINGLE-CRYSTALS FROM SEMICONDUCTOR MATERIALS OR OTHERS FOLLOWING CLASSIC METHODS.

Номер патента: FR2261054B1. Автор: Georges Jean-Pierre Hubert Defosse. Владелец: Elphiac SA. Дата публикации: 1976-10-08.

PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTALS OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS

Номер патента: FR2116916A5. Автор: Besselere Jean-Pierre,Le Duc Jean-Marc. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1972-07-21.

Low temperature diffusion braze repair of single crystal components

Номер патента: EP1783237A2. Автор: Beth Kwiatkowski Abriles,Norman Pietruska,John F. Falkowski. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2007-05-09.

Purificn. and prepn. of single crystals - using plasma jet source, heating a moving boat of material and a coolant jet following

Номер патента: FR2438499A1. Автор: . Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1980-05-09.

Process for the production of single crystals consisting of semiconductor material

Номер патента: DE1279663B. Автор: Horst Doberstein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1968-10-10.

Production of single crystal

Номер патента: JPS5551798A. Автор: Akihiko Kawachi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1980-04-15.

Repair of single crystal nickel based superalloy article

Номер патента: US20020185198A1. Автор: Norman Pietruska,David Kline. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of assembling crucible to holding table of single crystal pulling apparatus, holding table assembling apparatus used in the method, and holding table

Номер патента: JP3555326B2. Автор: 貴 熱海,久 降屋,三千雄 簗場,裕章 田口,昌一 山崎. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2004-08-18.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS60231491A. Автор: Mineo Yorizumi,Toru Sugai,Setsuo Itabashi,頼住　美根生,菅井　徹,板橋　節男. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-11-18.

A method of enhancing thermal field of single crystal furnace material mechanical performance

Номер патента: CN105695954B. Автор: 王洋,刘汝强,王彩华,周清波. Владелец: SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS6042295A. Автор: Toshiharu Ito,伊藤　利晴. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-03-06.

Pulling of single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPH11189488A. Автор: Hideki Watanabe,Teruo Izumi,輝郎 和泉,英樹 渡辺. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1999-07-13.

Simple etching of single crystal cathode materials

Номер патента: JP2023527989A. Автор: ワン，ヤン,マ，シャオツー,グラツ，エリック,フー，ジンジャオ,ヴァナピュティ，パナワン. Владелец: ウスター ポリテクニック インスティチュート. Дата публикации: 2023-07-03.

Crucible-less zone melting of single crystals - controlled by electromagnetic travelling waves

Номер патента: DE2212310A1. Автор: Alfred Dr Muehlbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-09-20.

Pressurizing device of single-crystal furnace

Номер патента: CN105734663A. Автор: 王平,潘清跃. Владелец: JIANGSU HUASHENG TIANLONG MACHINERY CO Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Semiconductor wafer composed of single-crystal silicon with high gate oxide breakdown, and a process for the manufacture thereof

Номер патента: US10961640B2. Автор: Timo Mueller,Michael Gehmlich,Andreas Sattler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-03-30.

Preferential hardening of single crystal blades

Номер патента: EP1816238B1. Автор: Alexander Staroselsky,Carroll V. Sidwell. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2011-04-27.

CERAMIC-BASED TOUGHNESS-ENHANCED MATERIAL BASED ON SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE FIBER AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190352235A1. Автор: Ma Qing,Liu Yan,JI Shishan,LIU Renchen,WU Xinguo,YAN Shugang. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Single crystal sapphire substrate

Номер патента: KR101024309B1. Автор: 히로후미 마츠야마. Владелец: 가부시키가이샤 사이토 고우가쿠 세이사쿠쇼. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate

Номер патента: US11949212B2. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin. Владелец: Kyocera SLD Laser Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: US20210032772A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: EP3775333A2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-17.

Pretreatment Method for Reduction and/or Elimination of Basal Plane Dislocations Close to Epilayer/Substrate Interface in Growth of SiC Epitaxial Films

Номер патента: US20150128850A1. Автор: Tangali S. Sudarshan,Haizheng Song,Tawhid Rana. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2015-05-14.

Pretreatment Method for Reduction and/or Elimination of Basal Plane Dislocations Close to Epilayer/Substrate Interface in Growth of SiC Epitaxial Films

Номер патента: US20150129897A1. Автор: Sudarshan Tangali S.,Song Haizheng,Rana Tawhid. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method for producing alpha-aluminium oxide of high purity

Номер патента: RU2630212C1. Автор: Андрей Павлович Лысенко,Антон Юрьевич Наливайко. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-09-06.

Process for producing a sintered material based on alpha-aluminium oxide

Номер патента: CZ188492A3. Автор: Dijen Franciscus Dr Ing Van. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1993-01-13.

Gypsum fertilizer for blueberries and method for suppressing blueberry abscission

Номер патента: CA2969824C. Автор: Shinichi Miura,Kenichi Sugano,Yusuke Ichino,Yositosi Obi. Владелец: Yoshino Gypsum Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Small alpha aluminium-oxide particles and plates

Номер патента: HU896253D0. Автор: Steven W Sucech,Alan Pearson,John E Marhanka. Владелец: Aluminum Co Of America. Дата публикации: 1991-08-28.

One kind is with Na3FSO4The method that platy-monocrystal alpha-aluminium oxide is prepared for kind of crystalline substance

Номер патента: CN105858694B. Автор: 张力,王明清,唐春梅. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2017-07-04.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-04-05.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Method for regenerating lithium battery positive electrode material

Номер патента: GB2621300A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Enhanced carriers from aluminium oxide and silver-based catalysts for producing alkylene oxides

Номер патента: RU2372342C2. Автор: Джулиана Г. СЕРАФИН,Альберт Чэн-Юй ЛЮ,Сейед Р. СЕЙЕДМОНИР,Хваили СУ,Эрлинд М. ТОРСТЕЙНСОН,Мадан Мохан БХАСИН. Владелец: Дау Текнолоджи Инвестментс Ллс.. Дата публикации: 2009-11-10.

Growth of single crystal mercury cadmium telluride

Номер патента: JPS5637300A. Автор: Wai Satsukurifue Edowaado,Ee Kooru Rojiyaa. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1981-04-10.

TECHNIQUES FOR PRODUCING THIN FILMS OF SINGLE CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20130334170A1. Автор: Englund Dirk R.,Gaathon Ophir,Osgood Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Lithium manganate for non-aqueous electrolyte secondary battery, process for producing the same, and non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: CA2682942C. Автор: Hideaki Sadamura,Akihisa Kajiyama,Masayuki Uegami,Kazutoshi Ishizaki. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Ultrahard nanotwinned diamond bulk material and method for preparing the same

Номер патента: US20160137510A1. Автор: Bo Xu,Zhongyuan Liu,Wentao Hu,Quan Huang,Zhisheng ZHAO,Dongli Yu,Julong He,Yongjun Tian. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-19.

Preparation method of single crystal type lithium nickel manganese aluminate anode material

Номер патента: CN112047391A. Автор: 王辉,方明,曹栋强,邓明,龚丽锋,郝培栋,曹天福. Владелец: Greatpower Jinchuan Advanced Battery Materials Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Synthesis method and synthesis device of single crystal diamond

Номер патента: CN114029002B. Автор: 李翠. Владелец: Funik Ultrahard Material Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Catalyst for purifying industrial argon tail gas of single crystal furnace and preparation method

Номер патента: CN108745370B. Автор: 马建泰,杨广学. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-03.

Preparation method of single crystal lithium manganese oxide for lithium ion sieve

Номер патента: CN113292102A. Автор: 张保军,张保平,于伟. Владелец: Fujian Yunzhi New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Preparation method of single crystal hierarchical porous Beta molecular sieve

Номер патента: CN104261423A. Автор: 王洪宾,刘丽佳,张宗弢,王润伟. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2015-01-07.

Preparation method of single crystal high nickel anode material, product and product application thereof

Номер патента: CN112520791A. Автор: 王超,刘建华,何巍,刘金成,曾汉民,林文佳. Владелец: Eve Energy Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-19.

Production of single-crystal mercury cadmium telluride

Номер патента: IL60734A0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1980-10-26.

GRAPHENE COMPOSITE FILM MODIFIED BY SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE WHISKERS AS WELL AS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: US20200052324A1. Автор: Ma Qing,Liu Yan,Wang Zhen,GAO Shang,JI Shishan,LIU Renchen. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Process for producing metal oxide, target comprising the metal oxide for forming thin metal oxide film, process for producing the same, and process for producing thin metal oxide film

Номер патента: US20040047989A1. Автор: Atsushi Nakamura,Masanori Furukawa,Ryo Satoh,Nobuyoshi Nambu,Hidetoshi Saitoh,Shigeo Ohshio. Владелец: Chubu Chelest Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

High intensity discharge lamp with single crystal sapphire envelope

Номер патента: EP1470569A1. Автор: Bernard J. Eastlund,Maurice E. Levis. Владелец: Gem Lighting LLC. Дата публикации: 2004-10-27.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Apparatus for measuring the flying height of magnetic heads using a single-crystal sapphire disc

Номер патента: US5757492A. Автор: Toshinori Sugiyama,Teruaki Tokutomi,Kyoichi Mori. Владелец: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

High-sensitivity single-crystal fiber temperature measurement method based on the acoustic anisotropy and doping modulation of single-crystal fibers

Номер патента: US20220042859A1. Автор: Yang Li,Jian Zhang,Tao Wang,Xutang TAO,Zhitai JIA,Yanru YIN. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-02-10.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Soaking machine of single-crystal X-ray structure analysis sample, and soaking method therefor

Номер патента: US12055501B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for inhibiting Phytophthora capsici by using heat-clearing and detoxicating Chinese herbal medicine dregs

Номер патента: AU2020103568A4. Автор: Jun Feng,NA Li,Xiaodong Zhao,Ying Shi,Pengyu Zhao,Xiaohui Chang,Aili Wei,Pingmei Yan. Владелец: Taiyuan Normal University. Дата публикации: 2021-02-04.

High-temperature layered-fiber composite reinforced with oxide fibers, and method for its production

Номер патента: RU2751062C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Валерий Поликарпович Коржов,Вячеслав Михайлович Кийко,Дмитрий Олегович Стрюков,Сергей Леонидович Шикунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-07-07.

Stable crystalline form of tipiracil hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2674441C1. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-10.

Stable crystalline form of typiracyl hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2640417C2. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for protecting a detail made of a single-crystal, hafnium-free nickel-based superalloy from corrosion and oxidation

Номер патента: RU2742919C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for monitoring and controlling the temperature regime of the growth surface of the substrate

Номер патента: RU2763103C1. Автор: Сергей Александрович Филин,Евгений Евсеевич Ашкинази,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Андрей Петрович Большаков,Станислав Геннадиевич Рыжков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" (ИОФ РАН). Дата публикации: 2021-12-27.

Aluminum nitride films and processes for producing the same

Номер патента: US3565704A. Автор: Ting Li Chu. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Method for Determining the Susceptibility of a Cell Strain to Drugs

Номер патента: US20120276577A1. Автор: Dominique Mazier,Alexandre Alanio,Carine Marinach-Patrice,Jean L. Golmard,Martine Palous,Annick Datry,Jean Y. Brossas. Владелец: Universite Pierre et Marie Curie Paris 6. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

AQUEOUS ACIDIC SOLUTION AND ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR TEXTURIZING THE SURFACE OF SINGLE CRYSTAL AND POLYCRYSTAL SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20130171765A1. Автор: Roeger-Goepfert Cornelia,Bittner Christian,Klipp Andreas,Braun Simon,LIN Chengwei,Shen MeiChin. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS MADE OF SINGLE CRYSTAL (SX) OR DIRECTIONALLY SOLIDIFIED (DS) NICKELBASE SUPERALLOYS

Номер патента: US20150013852A1. Автор: Etter Thomas,MÜCKE Roland. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: CN102656250A. Автор: J·普罗尔斯,S·布劳恩,M·米歇尔,S·马蒂森,I·梅尔尼克. Владелец: GP SOLAR GmbH. Дата публикации: 2012-09-05.

Acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: TW201129680A. Автор: Ihor Melnyk,Simon Braun,Michael Michel,Julian Prolb,Stefan Mathijssen. Владелец: GP SOLAR GmbH. Дата публикации: 2011-09-01.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: WO2012029000A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for determining orientation of single crystal graphene

Номер патента: CN111624219A. Автор: 刘兆平,汪伟,欧阳奕. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2020-09-04.

High temperature resistant part, made of single-crystal or polycrystalline nickel-base superalloy

Номер патента: EP1319729A1. Автор: Ralf Prof. Buergel,Winfried Dr. Esser,Joern Dr. Grossmann,Wolfgang Dr. Hermann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-06-18.

High temperature resistant part, made of single-crystal or polycrystalline nickel-base superalloy

Номер патента: EP1319729B1. Автор: Andreas Volek,Florian Pyczak,Ralf Prof. Buergel,Winfried Dr. Esser,Joern Dr. Grossmann,Wolfgang Dr. Hermann,Juergen Preuhs,Robert Prof. Singer,Hael Prof. Mughrabi,Alfred Dr. Scholz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-04-11.

High temperature resistant part, made of single-crystal or polycrystalline nickel-base superalloy

Номер патента: EP1319729A8. Автор: Andreas Volek,Florian Pyczak,Ralf Prof. Buergel,Winfried Dr. Esser,Joern Dr. Grossmann,Wolfgang Dr. Hermann,Juergen Preuhs,Robert Prof. Singer,Hael Prof. Mughrabi,Alfred Dr. Scholz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-10-15.

A kind of single crystal fiber and preparation method thereof

Номер патента: CN110217981A. Автор: 李攀,杨旅云,陶光明,向远卓,周莹. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-10.

Casting of single crystal superalloy articles with reduced eutectic scale and grain recrystallization

Номер патента: US20040007296A1. Автор: John Corrigan,Russell Vogt,John Mihalisin,Gilbert Gratti. Владелец: Howmet Research Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Jet mechanism of single crystal carbonized material processing equipment

Номер патента: CN112899742A. Автор: 刘光毅. Владелец: Changzhou Vocational Institute of Mechatronic Technology. Дата публикации: 2021-06-04.

Preparation method of single crystal form of pantoprazole sodium sesquihydrate

Номер патента: CN111057044A. Автор: 陈伟,刘云涛,王晓波,黄虎,苑成志. Владелец: Beijing Minkang Baocao Pharmaceutical Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Emerss of single crystal form I and process for preparing same

Номер патента: CN115010680A. Автор: 王为民,高宏亮,林铭太,陈鑫耀,关永芳. Владелец: LIVZON GROUP FUZHOU FUXING PHARMACEUTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Slicing of single-crystal films using ion implantation

Номер патента: WO2002006568A2. Автор: Antonije M. Radojevic,Richard M. Osgood, Jr.,Miguel Levy. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2002-01-24.

Growth promoting method for basidiomycetes

Номер патента: CA1117881A. Автор: Toshihiko Wada,Akiyoshi Nakajima,Hitoshi Takita,Satoru Enomoto,Yutaka Mukaida,Azuma Okubo. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 1982-02-09.

Preparation method of single crystal titanium dioxide film and evaporation frame for preparation

Номер патента: CN108950532B. Автор: 王国成,宋小霞. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2020-09-18.

Process for the preparation of single crystals of rare earth garnets

Номер патента: FR1233261A. Автор: . Владелец: DIORA. Дата публикации: 1960-10-12.

INTERPLY HYBRID COMPOSITE BASED SINGLE CRYSTAL ALPHA-ALUMINIUM OXIDE FIBER AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190352820A1. Автор: Ma Qing,Liu Yan,He Zhen,JI Shishan,LIU Renchen,Shi Zuoyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Modified alpha aluminium oxide particles

Номер патента: RU2127292C1. Автор: Эджей К. Гэрг. Владелец: Сент-Гобэн Индастриал Керамикс, Инк.. Дата публикации: 1999-03-10.

A kind of quasi- nano wearproof alpha-aluminium oxide ball preparation method

Номер патента: CN106904948A. Автор: 刘卫东,丁锐,李军远,常传平. Владелец: KUN PENG SHANDONG NEW MATERIALS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Sio probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon

Номер патента: MY133745A. Автор: John D Holder. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-11-30.

Digital X-ray Camera for Quality Evaluation Three-Dimensional Topographic Reconstruction of Single Crystals of Biological Macromolecules

Номер патента: US20060259245A1. Автор: Gloria Borgstahl,Jeff Lovelace,Edward Snell,Henry Bellamy. Владелец: NEBRASKA BOARD OF, University of, Regents of. Дата публикации: 2006-11-16.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Ink jet recording head, method for manufacturing the same, and ink jet recorder

Номер патента: EP1116588A4. Автор: Akira Matsuzawa,Yoshinao Miyata,Masato Shimada,Tsutomu Nishiwaki,Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Method for manufacturing a plurality of nozzle sectors using casting

Номер патента: US11712737B2. Автор: Ngadia Taha Niane,Said Boukerma,Camille Mettoux. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for machining of single-crystal material part e.g. sector of distributor of high pressure turbine of turbojet engine of aircraft, involves carrying out milling single-crystal material part in high speed machining

Номер патента: FR2956598A1. Автор: Damien Hebuterne,Christian Defrocourt,Olivier Dupouy,Thierry Baillot. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2011-08-26.

Amorphous phase modification apparatus and processing method of single crystal material

Номер патента: US20240075558A1. Автор: Chien Chung LEE,Chia-Chi Tsai,I-Ching Li,Shang-Chi WANG,Bo-Kai Wang. Владелец: Mradian Femto Sources Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for adjusting crystal orientation of single-crystal rod and measuring method

Номер патента: CN104985709A. Автор: 陈建峰,高海军,吴雄杰,饶伟星. Владелец: Hangzhou Haina Semiconductor Ltd Co. Дата публикации: 2015-10-21.

Reparation of single crystal flow channel segments using single crystal remelting

Номер патента: EP3088122A1. Автор: Uwe Schulze,Knut Partes. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2016-11-02.

Reparation of single crystal flow channel segments using single crystal remelting

Номер патента: EP3088122B1. Автор: Uwe Schulze,Knut Partes. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2018-04-11.

Method and device for trimming casting edge plate of single crystal turbine blade and single crystal turbine blade

Номер патента: CN114799383A. Автор: 张燕,李寒松,鲍俊. Владелец: AECC Commercial Aircraft Engine Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

CASTING FORM FOR MANUFACTURE OF SINGLE-CRYSTAL BLADES BY CASTING, INSTALLATION AND METHOD OF MANUFACTURE USING THE CASTING MOLD

Номер патента: RU2018146438A. Автор: Серж ДИЛЛЕНСЕЖЕ,Нгадиа Таа НИАН,Саид БУКЕРМА,Жюльен ЖЕЛЕБАР,Давид ГРАНЖ,Жан-Клод Марсель Огюст АННИ,Филипп МЕТРОН. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-07-10.

Femtosecond laser-induced formation of single crystal patterned semiconductor surface

Номер патента: WO2017053198A3. Автор: Michael J. ABERE,Steven YALISOVE,Ben TORRALVA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD FOR CASTING OF SINGLE-CRYSTAL METAL PARTS

Номер патента: RU2014108855A. Автор: Давид ЛОКАТЕЛЛИ,Бенуа Жорж Жослен МАРИ,Селин Яньси ЧАН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Process method for eliminating recrystallization of single crystal high-temperature alloy casting

Номер патента: CN108097909B. Автор: 张健,王莉,楼琅洪,姜卫国,肖久寒,张功. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for repair of single crystal turbine blades, particularly high-pressure turbine stage, involves removing damaged blade part of turbine blades at parting plane on remaining blade

Номер патента: DE102008058140A1. Автор: Karl-Hermann Dr. Richter. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for fabricating, modifying or repairing of single crystal or directionally solidified articles

Номер патента: US6998568B2. Автор: Matthias Hoebel,Alexander Schnell,Edward Obbard,Walter Brehm. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2006-02-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A NETWORK OF SINGLE CRYSTAL SILICON NANOMETRIC LINES AND DEVICE OBTAINED

Номер патента: FR2802705A1. Автор: Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-06-22.

Method for producing multi page publications with separate print feeds combined for subsequent joining and cutting and folding

Номер патента: DE102004044047A1. Автор: Theodor Hesselmann. Владелец: Planatolwerk W Hesselmann Chemische und Klebetchnik Ger. Дата публикации: 2006-03-30.

For manufacturing the mold, device and the manufacturing method for realizing it of single crystal blade by casting

Номер патента: CN109219489A. Автор: N·T·尼安,S·保克马,D·格兰奇,S·迪楞塞格尔,J·格勒巴特,J-C·M·A·哈尼,P·梅特隆. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2019-01-15.

Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20200013720A1. Автор: ROGERS John A.,Menard Etienne,KHANG Dahl-Young,SUN Yugang. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

FLUX AND PROCESS FOR REPAIR OF SINGLE CRYSTAL ALLOYS

Номер патента: US20170066091A1. Автор: Bruck Gerald J.,Kamel Ahmed. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Femtosecond laser-induced formation of single crystal patterned semiconductor surface

Номер патента: US20180277366A1. Автор: Michael J. ABERE,Steven YALISOVE,Ben TORRALVA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD AND DEVICE FOR LABELING AND DIVIDING WAFERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: FR2648274A1. Автор: Gerard Petroz. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1990-12-14.

Processing method of single crystal substrate

Номер патента: TWI679723B. Автор: Noboru Takeda,武田昇,Hiroshi Morikazu,森數洋司,諸徳寺匠,Takumi Shotokuji. Владелец: 日商迪思科股份有限公司. Дата публикации: 2019-12-11.

A kind of preprosthetic removing surface method of single crystal turbine guide vane crackle soldering

Номер патента: CN109434233A. Автор: 赵海生,张学军,潘晖,熊华平,程耀永,毛唯,张元伟. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2019-03-08.

Au @ Ni of single crystal shell layer3S2Core-shell structured nanoparticles and preparation method thereof

Номер патента: CN110026566B. Автор: 王荣明,段嗣斌,吕月鹏. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2020-06-05.

Sawing Apparatus of Single Crystal the same

Номер патента: KR101279681B1. Автор: 김양섭. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2013-06-27.

Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates

Номер патента: US8754396B2. Автор: John A. Rogers,Etienne Menard,Dahl-Young Khang,Yugang Sun. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2014-06-17.

A kind of cutting edge processing method and processing device of Single-crystal Diamond Cutters

Номер патента: CN104972364B. Автор: 聂峰耀. Владелец: Shanghai Reputation And Jewelling Tool Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Cutting method of single crystal ingot

Номер патента: JP4617910B2. Автор: 聖彦 山嵜,善継 大東. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-01-26.

Welding process for furnace bottom plate flange of single crystal furnace

Номер патента: CN111168205B. Автор: 张乐. Владелец: Optical Vacuum Technology Taixing Co ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Processing method of single crystal silicon rod, silicon wafer, battery piece and photovoltaic module

Номер патента: CN112847851A. Автор: 陈涛,季建,曹育红,岳维维. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

High-efficient belt cleaning device of single crystal copper bonding gold wire

Номер патента: CN110624976A. Автор: 刘洪�. Владелец: Chongqing Runjin New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

A kind of preparation method of single crystal grain film and its gas sensor

Номер патента: CN110026325A. Автор: 张军,邵乐喜,廖峻,薛书文. Владелец: Lingnan Normal University. Дата публикации: 2019-07-19.

Cutting method of single crystal material by wire saw and wire saw

Номер патента: KR970005473A. Автор: 신지 시바오카. Владелец: 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔. Дата публикации: 1997-02-19.

Preparation method of single crystal high-temperature alloy thin-wall casting based on secondary orientation control

Номер патента: CN111360234B. Автор: 李树索,胡斌,宫声凯,裴延玲. Владелец: Chengdu Hangda New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Manufacturing method of single crystal resonator compatible with integrated circuit processing

Номер патента: JP3542029B2. Автор: ジェームズ・エフ・ズィーグラー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-14.

A Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20060286785A1. Автор: John Rogers,Dahl-Young Khang,Yugang Sun. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2006-12-21.

Femtosecond laser-induced formation of single crystal patterned semiconductor surface

Номер патента: US20180277366A1. Автор: Michael J. ABERE,Steven YALISOVE,Ben TORRALVA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-09-27.

Complex compound of taxol with cyclodextrine and method for for producing said compound

Номер патента: HU9301166D0. Автор: Katsuhiko Mikuni,Hiroki Hamada,Kyoko Saito,Nobuhiro Kuwahara. Владелец: Ensuiko Sugar Refining. Дата публикации: 1993-07-28.

Acidophilic strains fusarium oxysporum, methods for producing and methods for the use thereof

Номер патента: RU2742437C2. Автор: Марк КОЦУБАЛ,Ричард И. МАКУР,Уилльям П. ИНСКИП. Владелец: Де Файндер Груп, Инк.. Дата публикации: 2021-02-05.

Technology for producing workpieces from powders of composite materials based on ultra-high molecular weight polyethylene

Номер патента: RU2761336C1. Автор: Александр Сергеевич Заболотнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНЖЕНЕРНЫЕ ПОЛИМЕРЫ". Дата публикации: 2021-12-07.

Method for extracting a tooth pulp for receiving culture of stem cells

Номер патента: RU2679082C1. Автор: Мария Евгеньевна Урусова,Александра Андреевна Айзенштадт,Варвара Владимировна Багаева,Натэлла Иосифовна Енукашвили,Шерзод Фархадович Адылов,Татьяна Леонидовна Золина,Людмила Владимировна Елсукова,Анастасия Викторовна Котова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Покровский банк стволовых клеток". Дата публикации: 2019-02-05.

Methods for biofuel and chemical production

Номер патента: US20240124903A1. Автор: Zhiliang Fan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for controlling drying of ceramic products

Номер патента: RU2763651C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Николай Владимирович Замятин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-12-30.

New hydrogenase seq id no:5 purified from thermococcus onnurienus na1 with help of carbon monoxide, genes coding it, and methods for producing hydrogen with use of microorganism having said genes

Номер патента: RU2460789C2. Автор: Хиун Соок ЛИ,Дзунг Хиун ЛИ,Сунг Гиун Канг,Санг Дзин КИМ,Кае Киоунг КВОН,Сун Шин ЧА,Дзунг Хо ДЗЕОН,Йона ЧО,Юн Дзае КИМ,Сеунг Сеоп БАЕ,Дзае Киу ЛИМ,Ин Соон ДЗЕОНГ. Владелец: Корея Оушн Рисерч Энд Девелопмент Инститьют. Дата публикации: 2012-09-10.

Method for producing a culture growth supplement based on human platelet lysate

Номер патента: RU2664478C2. Автор: Павел Анатольевич Каралкин,Андрей Дмитриевич Каприн,Ярослав Дмитриевич Шанский,Наталья Сергеевна Сергеева,Ирина Константиновна Свиридова,Валентина Александровна Кирсанова,Сурая Абдулла кызы Ахмедова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-17.

A method of assessing wound healing potency of a mesenchymal stem population and related methods of selecting mesenchymal stem cells and identifying tissue as starting material for producing a mesenchymal stem cell population

Номер патента: CA3151737A1. Автор: Toan Thang Phan. Владелец: CellResearch Corp Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

A method of assessing wound healing potency of a mesenchymal stem population and related methods of selecting mesenchymal stem cells and identifying tissue as starting material for producing a mesenchymal stem cell population

Номер патента: WO2021071429A1. Автор: Toan Thang Phan. Владелец: CELLRESEARCH CORPORATION PTE. LTD.. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for production of decorative composite material based on mammoth bone

Номер патента: RU2738690C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Лазарев. Владелец: Дмитрий Дмитриевич Лазарев. Дата публикации: 2020-12-15.

Tool for preforming a tube for subsequent internal high pressure forming, as well as a method for producing such a tool and for producing a component by internal high pressure forming

Номер патента: US09962753B2. Автор: Johann-Stefan Lerch,Thomas Schmolke. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing gold nanorods with a given plasmon resonance position

Номер патента: RU2759484C1. Автор: Николай Григорьевич Хлебцов,Борис Николаевич Хлебцов,Виталий Андреевич Ханадеев. Владелец: Виталий Андреевич Ханадеев. Дата публикации: 2021-11-15.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for assembling solar modules a monolithic solar module from cells of photoelectric converters by using an adhesive layer

Номер патента: RU2663543C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Алексей Сергеевич Титов,Дмитрий Александрович Андроников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2018-08-07.

Simox substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1264339A1. Автор: Keisuke c/o NIPPON STEEL CORPORATION KAWAMURA,Atsuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MATSUMURA,Toshiyuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MIZUTANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Light emitting diode element and method for producing the same

Номер патента: US20120037923A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Takuya Nishimura,Motoaki Iwaya,Fumiharu Teramae. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-16.

Integrated organic light emitting diode display apparatus and methods for making the same

Номер патента: US20180211596A1. Автор: Jing Gu. Владелец: Viewtrix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Capacitor with single crystal tantalum oxide layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20070001204A1. Автор: Do-Hyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Diffraction grating and process for producing the same

Номер патента: US4746192A. Автор: Shigekazu Minagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Contact, and method for evaluating microwear properties of single-crystal diamond using same

Номер патента: EP4431906A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing single crystal, method for manufacturing single crystal ice, method for controlling crystal orientation of single crystal ice, apparatus for manufacturingsingle crystal ice, and technique for making ice for a skate-rink using single crystal ice

Номер патента: CA2262239A1. Автор: Hiroshi Morimoto,Minoru Iwasaki,Ikuo Nakamura,Toshihiro Kiuchi,Tetsuya Kokubo,Syoji Okamoto,Katsutoshi Tsushima,Zenji Imamura. Владелец: Kanden Kogyo Inc. Дата публикации: 1999-08-23.

Method for obtaining microstructures on the surface of a semiconductor

Номер патента: RU2756777C1. Автор: Сергей Александрович Филин,Иван Александрович Каплунов,Тарас Владимирович МАЛИНСКИЙ,Сергей Иванович МИКОЛУЦКИЙ,Владимир Ефимович Рогалин,Владимир Александрович Ямщиков,Александра Ивановна Иванова,Вячеслав Юрьевич Железнов,Юрий Владимирович Хомич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН). Дата публикации: 2021-10-05.

Method for obtaining microstructures on the surface of a semiconductor

Номер патента: RU2756777C9. Автор: Сергей Александрович Филин,Иван Александрович Каплунов,Тарас Владимирович МАЛИНСКИЙ,Сергей Иванович МИКОЛУЦКИЙ,Владимир Ефимович Рогалин,Юрий Владиславович Хомич,Владимир Александрович Ямщиков,Александра Ивановна Иванова,Вячеслав Юрьевич Железнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН). Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7811884B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100311222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040056274A1. Автор: Toshihiro Wakabayashi,Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Method for planarizing surface of single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and single crystal silicon carbide substrate

Номер патента: JP5213095B2. Автор: 忠昭 金子,滋人 西谷. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20080242048A1. Автор: Takashi Yamada,Takeshi Hamamoto,Tetsuya Nakai,Bong Gyun Ko. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Contactor and method for evaluating microabrasion characteristics of single-crystal diamond using same

Номер патента: EP4431905A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Optical connection member of silicon and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5307433A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-04-26.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having memory systems with pre-computation units, utilizing the formation of a compliant substrate

Номер патента: US20030034502A1. Автор: Mihir Pandya,David Gurney,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: WO2014153834A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: US20140291752A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Transparent armour system and method for its manufacture

Номер патента: WO2009039798A2. Автор: Miroslav Liska,Jaroslav Cerny,Vladimir Sida,Miroslav Jakoube. Владелец: Saint-Gobain Advanced Ceramics, S.R.O.. Дата публикации: 2009-04-02.

Method and apparatus for measuring bowing of single-crystal substrate

Номер патента: US20140379282A1. Автор: Katsuhiko Inaba,Shintaro Kobayashi,Toru Mitsunaga. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629636B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis,Christian Collet,Guy Garry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629637B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

Optical element, optical device, and method for producing optical element

Номер патента: US20240094596A1. Автор: Takunori Taira. Владелец: Inter University Research Institute Corp National Institute of Natural Sciences. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for controlling growth of microorganisms and/or biofilms in an industrial process

Номер патента: US12114659B2. Автор: Marko Kolari,Michael Givskov,Jaakko Simell,Jens Bo Andersen,Tim Tolker-Nielsen,Morten Levin Rybtke. Владелец: KOBENHAVNS UNIVERSITET. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for single-sided, epitaxial growth of single-crystal layers from compound semiconductors

Номер патента: DE1244732B. Автор: Dipl-Phys Dr Guenter Winstel,Dipl-Chem Dr Hansjuerge Dersin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-07-20.

High-sensitivity single-crystal fiber temperature measurement method based on the acoustic anisotropy and doping modulation of single-crystal fibers

Номер патента: US20220042859A1. Автор: WANG TAO,LI YANG,Zhang Jian,TAO Xutang,JIA Zhitai,YIN Yanru. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Formation of single crystal thin film substrate and active single crystal thin film element

Номер патента: JPS6142121A. Автор: Koichi Kugimiya,Yuichi Hirofuji,公一 釘宮,Naohito Matsuo,裕一 広藤,松尾　直仁. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-28.

Fabrication method of single crystal silicon solar battery and single crystal silicon solar battery

Номер патента: KR101313346B1. Автор: 쇼지 아키야마,마코토 카와이,아츠오 이토,코이치 타나카,유우지 토비사카,요시히로 쿠보타. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-10-01.

PROCESS FOR PRODUCING TWO COMMUNICATING CAVITIES IN A SUBSTRATE OF SINGLE CRYSTAL MATERIAL BY ANISOTROPIC CHEMICAL ETCHING

Номер патента: FR2761199B1. Автор: Yves Fouillet,Patricia Touret. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-04-16.

Preparation method of single crystal nitride Micro-LED array based on non-single crystal substrate

Номер патента: CN115050864A. Автор: 王涛,沈波,王新强,刘放,陈兆营,郭昱成,盛博文. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-13.

Production of single crystal structure and device for producing the same

Номер патента: JPH1171196A. Автор: Takahiko Kato,隆彦 加藤,Shigeo Hattori,Michiyoshi Yamamoto,道好 山本,成雄 服部. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-16.

METHODS AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON AND PRODUCTS FROM SINGLE-CRYSTAL SILICON FOR PHOTOCELLS

Номер патента: RU2008134068A. Автор: Натан Г. СТОДДАРД,Натан Г. СТОДДАРД (US). Владелец: Бп Корпорейшн Норт Америка Инк. (Us). Дата публикации: 2010-02-27.

Defining parameters for scan of single crystal structure

Номер патента: US11740189B2. Автор: Scott DUFFERWIEL,Jacqueline GRIFFITHS,Jonathan EYRE. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Fabrication method of single crystal silicon solar battery and single crystal silicon solar battery

Номер патента: TW200836355A. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-09-01.

Defining parameters for scan of single crystal structure

Номер патента: EP3798624A1. Автор: Scott DUFFERWIEL,Jacqueline GRIFFITHS,Jonathan EYRE. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-03-31.

CRYSTAL PLATE OF SINGLE CRYSTAL LITAO3 AND A PIEZOELECTRIC TRILLER PROVIDED WITH SUCH A CRYSTAL PLATE.

Номер патента: NL172013C. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 1983-06-16.

Method and device for judging polarity of single crystal sample

Номер патента: EP1942336B1. Автор: Katsuhiko Inaba. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Method and device for judging polarity of single crystal sample

Номер патента: EP1942336A4. Автор: Katsuhiko Inaba. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2009-06-24.

METHOD FOR DETERMINING FRONT AND BACK OF SINGLE-CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20180247851A1. Автор: WATANABE Shiroyasu. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for determining optimal processing direction of single crystal material

Номер патента: CN111638305A. Автор: 徐帅,朱建辉,陆静,徐西鹏,赵延军,姜峰,闫宁,王宁昌. Владелец: Zhengzhou Research Institute for Abrasives and Grinding Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method for etching matte on surface of single crystal silicon solar energy battery

Номер патента: CN101540351A. Автор: 唐九耀,孙林锋. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-09-23.

Method for evaluating recrystallization formation tendency of turbulence column of single crystal high-temperature alloy hollow blade

Номер патента: CN114544631B. Автор: 张剑,郭媛媛,刘维维,郑素杰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2023-03-14.

Differential thermal analysis method for measuring primary melting temperature of single crystal superalloy

Номер патента: CN111398333A. Автор: 张健,张少华,楼琅洪,董加胜,张功,谢光. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2020-07-10.

Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: US20050077588A1. Автор: Takashi Kasuga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Apparatus and method for producing an indexed three-dimensional landmark on compact discs for subsequent use or processing

Номер патента: US20010051842A1. Автор: Serles Cameron. Владелец: Duplium Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Differential thermal analysis method for measuring primary melting temperature of single crystal superalloy

Номер патента: CN111398333B. Автор: 张健,张少华,楼琅洪,董加胜,张功,谢光. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2021-10-29.

Method for monitoring surface stress

Номер патента: US5693889A. Автор: Richard H. Nadolink. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1997-12-02.

Device and method for detecting length and inclination of single crystal silicon rod

Номер патента: CN107764188B. Автор: 陈翔,李林,周星,叶欣,曹建伟,傅林坚,沈文杰,朱全民,严绍军. Владелец: HANGZHOU HUIXIANG ELECTROHYDRAULIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Combined method for fabricating oxide-isolated vertical bipolar transistors and complementary oxide-isolated lateral bipolar transistors and the resulting structures

Номер патента: US3993513A. Автор: David O'Brien. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Method for determining optimal scribing direction of single crystal wafer

Номер патента: CN111640687A. Автор: 陆静,徐西鹏,赵延军,姜峰,吴晓磊,闫宁,陈恩厚,王宁昌. Владелец: Zhengzhou Research Institute for Abrasives and Grinding Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method for evaluating recrystallization formation tendency of turbulence column of single crystal high-temperature alloy hollow blade

Номер патента: CN114544631A. Автор: 张剑,郭媛媛,刘维维,郑素杰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2022-05-27.

Heat treatment apparatus and method for manufacturing soi substrate using the heat treatment apparatus

Номер патента: US20090181514A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Heat treatment apparatus and method for manufacturing soi substrate using the heat treatment apparatus

Номер патента: US20110223553A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20150047702A1. Автор: Harris,Gu Anjia,Huo Yijie,JR. James S.,Liang Dong,Kang Yangsen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: AU2250392A. Автор: J. Anthony Powell,David J Larkin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-01-12.

SiO probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon

Номер патента: EP0833154A2. Автор: John D. Holder. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1998-04-01.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: WO1992022922A3. Автор: David J Larkin,J Anthony Powell. Владелец: Univ Case Western Reserve. Дата публикации: 1993-02-18.

Monolithic single-chip integrated radio frequency front-end module composed of single-crystal acoustic filter devices

Номер патента: KR102497773B1. Автор: 숀 알. 기브,데이비드 애첼리,라마크리스나 베츄리,마크 디. 붐가덴,제프리 비. 세알리. Владелец: 어쿠스티스, 인크.. Дата публикации: 2023-02-08.

Multi-junction photovoltaic cell having buffer layers for the growth of single crystal boron compounds

Номер патента: US20040045598A1. Автор: Joel Schwartz,Authi Narayanan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-03-11.

Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20130100618A1. Автор: ROGERS John A.,Menard Etienne,SUN Yugang,Khang Dahi-Young. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOI. Дата публикации: 2013-04-25.

Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20150001462A1. Автор: ROGERS John A.,Menard Etienne,KHANG Dahl-Young,SUN Yugang. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2015-01-01.

SOAKING MACHINE OF SINGLE-CRYSTAL X-RAY STRUCTURE ANALYSIS SAMPLE, AND SOAKING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220011251A1. Автор: Sato Takashi. Владелец: RIGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-13.

Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20160027737A1. Автор: ROGERS John A.,Menard Etienne,KHANG Dahl-Young,SUN Yugang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

DEFINING PARAMETERS FOR SCAN OF SINGLE CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: US20210025835A1. Автор: GRIFFITHS Jacqueline,DUFFERWIEL Scott,EYRE Jonathan. Владелец: ROLLS-ROYCE PLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Stretchable Form of Single Crystal Silicon for High Performance Electronics on Rubber Substrates

Номер патента: US20170200679A1. Автор: ROGERS John A.,Menard Etienne,KHANG Dahl-Young,SUN Yugang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

PROCESSING METHOD OF SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160260630A1. Автор: Morikazu Hiroshi,Takeda Noboru,Shotokuji Takumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING BOWING OF SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140379282A1. Автор: Inaba Katsuhiko,Kobayashi Shintaro,MITSUNAGA Toru. Владелец: RIGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD OF DETERMINING SURFACE ORIENTATION OF SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20150330918A1. Автор: Kim Chang Soo,Bin Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Fabrication method of single crystal Si film

Номер патента: KR100634528B1. Автор: 후아샹잉,선우문욱,타카시노구치. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-16.

Etching method of single crystal silicon material for solar cell

Номер патента: CN102255002A. Автор: 陈必雄. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-23.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS5984416A. Автор: Kikuo Kusukawa,喜久雄 楠川,Mitsunori Ketsusako,光紀 蕨迫,Masanobu Miyao,正信 宮尾,Hideo Sunami,Osamu Okura,理 大倉,英夫 角南. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-05-16.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS6015916A. Автор: Masao Tamura,Koji Kozuka,田村　誠男,小塚　弘次. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-26.

Preparation Method of Single Crystal Silicon Componet with Improved Durability for Plasma Appratus

Номер патента: KR101515373B1. Автор: 김용욱,박진경,이주언,이병익,최왕기. Владелец: 하나머티리얼즈(주). Дата публикации: 2015-04-28.

A kind of preparation method of single crystal grain tertiary cathode material

Номер патента: CN110233250A. Автор: 张旭东,郭玉国,殷雅侠,盛航,石吉磊,邹玉刚. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2019-09-13.

The tissue of single crystal super alloy and the analogy method of defect

Номер патента: CN110379470A. Автор: 岳珠峰,巫荣海. Владелец: Northwest University of Technology. Дата публикации: 2019-10-25.

Manufacture of single crystal semiconductor thin film

Номер патента: JPS57130433A. Автор: Hisashi Haneda. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-12.

manufacturing method of single crystal golf club

Номер патента: KR101099719B1. Автор: 정세영,박상언,조채용. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-12-28.

Method of removing COP of single crystal silicon wafer

Номер патента: KR100398505B1. Автор: 차훈,이영준,정광일,유춘우,노세기. Владелец: 코닉 시스템 주식회사. Дата публикации: 2003-09-19.

Preparation method of single crystal substrate

Номер патента: CN110783169A. Автор: 姜涛. Владелец: Yiguan Information Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-11.

A kind of single crystal battery diffusion technique of high open circuit voltage

Номер патента: CN106299021A. Автор: 宋飞飞,孙涌涛. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Manufacture of single crystal semiconductor thin-film

Номер патента: JPS59224114A. Автор: Hisaaki Aizaki,尚昭 相崎. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1984-12-17.

Method of formation of single-crystal Si TFT channel region

Номер патента: KR100707176B1. Автор: 조세영,타카시노구치,김도영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-13.

Fabrication of single crystal silicon film

Номер патента: JPS59121823A. Автор: Masakazu Kimura,正和 木村,Koji Egami,江上　浩二. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1984-07-14.

BONDING PROCESS FOR DIELECTRIC INSULATION OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTORS

Номер патента: DE2425993A1. Автор: Alexander John Yerman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-12-19.

Preparation of single crystal thin film

Номер патента: JPS58169905A. Автор: Shinichiro Kimura,Mitsunori Ketsusako,光紀 蕨迫,紳一郎 木村,Masanobu Miyao,正信 宮尾,Kiichiro Mukai,Osamu Okura,Takashi Tokuyama,Akira Haruta,理 大倉,Taijo Nishioka,亮 春田,向　喜一郎,徳山　巍,西岡　泰城. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-10-06.

Formation of single crystal silicon film

Номер патента: JPS58114420A. Автор: Koji Egami,江上　浩二. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-07-07.

A kind of single-crystal diamond Superhigh Pressure Hydraulic System

Номер патента: CN107939754B. Автор: 徐帅,赵延军,吴晓磊,赵炯. Владелец: Zhengzhou Research Institute for Abrasives and Grinding Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Processing method of single crystal semiconductor wafer for fluorescent display tube

Номер патента: KR19980081609A. Автор: 혼다겐이치,다카노사다오,히라야마도시히데,마키타요시오,아제타아키히로. Владелец: 후다바덴시고교가부시키가이샤. Дата публикации: 1998-11-25.

Deep trench etching of single crystal silicon

Номер патента: EP0246514A3. Автор: John Anthony Barkanic,Ralph J. Jaccodine,Ram Sellumuthu,Harvey Glenn Stenger, Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-09-20.

A kind of single crystal growing furnace vacuum apparatus

Номер патента: CN204429011U. Автор: 魏来,孙红光,陈世斌. Владелец: Beijing Youshi Tongxiang Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Method of measuring orientation flat width of single crystal ingot

Номер патента: EP0614068B1. Автор: Yoshihiro Hirano,Yasuhiro Ryokufu-Dormitory Ishii. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-04.

Manufacturing method of single crystal semiconductor wafer

Номер патента: JP5557859B2. Автор: フーバー アンドレアス,クネーラー ディーター,ランベルト ウルリヒ,パセック フリードリヒ. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-07-23.

Semiconductive diode of single-crystal rutile and method of making same

Номер патента: US3213338A. Автор: Ross A Quinn,Jr Lewis E Hollander. Владелец: Lockheed Aircraft Corp. Дата публикации: 1965-10-19.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS58212124A. Автор: Masao Tamura,Nobuyoshi Kashu,Shizunori Ooyu,Naoji Yoshihiro,大湯　静憲,夏秋　信義,田村　誠男,吉広　尚次. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-12-09.

Method of measuring defect density of single crystal

Номер патента: CN102362171A. Автор: 北川克一,新谷良智. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

The pixel compensation circuit and display device of single crystal silicon pipe CMOS driving displays

Номер патента: CN106940981A. Автор: 吴素华,黎守新. Владелец: CHENGDU JINGSHA TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacture of single crystal semiconductor thin-film

Номер патента: JPS59119717A. Автор: Shuichi Saito,Hidekazu Okabayashi,Kohei Higuchi,修一 斎藤,行平 樋口,岡林　秀和. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1984-07-11.

Evaluating method of single crystal

Номер патента: JPS61167851A. Автор: Sukehisa Kawasaki,河崎　亮久. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-07-29.

Process for the deposition of single crystals from Ga As deep 1 -x P deep & khgr

Номер патента: DE2221864B2. Автор: Ichiro Kadoma Osaka Asao (Japan). Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-04-17.

Preparation method of single crystal film bulk acoustic resonator

Номер патента: CN112803910A. Автор: 轩伟鹏,金浩,张标,骆季奎,董树荣. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2021-05-14.

A kind of preparation method of single crystal grain and its application in the secondary battery

Номер патента: CN108232186A. Автор: 肖遥,张旭东,郭玉国,殷雅侠,石吉磊. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2018-06-29.

Preparation method of single crystal nickel cobalt lithium manganate ternary material

Номер патента: CN113299905A. Автор: 王斌,孙杰,姚远,周永,梅京,何雅. Владелец: Hubei Rt Advanced Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Integrated circuit with increased speed and packing density - has insulating and conducting regions formed on both sides of single crystal layer

Номер патента: DE2752344A1. Автор: Palmir Magometzagirovi Gafarov. Владелец: GAFAROV. Дата публикации: 1979-05-31.

Manufacturing method of single crystal semiconductor film and manufacturing method of electrode

Номер патента: US8846496B2. Автор: Kazutaka Kuriki,Sho Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Chemical etching, cleaning and drying method of single-crystal silicon solar battery and integrated processing machine

Номер патента: CN100466304C. Автор: 张剑,李琴,钟建平,朱伟国,钟建成. Владелец: Shanghai Kaicheng Industrial Cleaning Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Method and apparatus for measuring bowing of single-crystal substrate

Номер патента: GB2515613B. Автор: Inaba Katsuhiko,Kobayashi Shintaro,MITSUNAGA Toru. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2018-08-08.

Solar battery with thin film type of single crystal silicon

Номер патента: TW538546B. Автор: Mei-Hua Yang. Владелец: Mei-Hua Yang. Дата публикации: 2003-06-21.

High intensity discharge lamp with single crystal sapphire envelope

Номер патента: US6483237B2. Автор: Bernard J. Eastlund,Maurice E. Levis. Владелец: Gem Lighting LLC. Дата публикации: 2002-11-19.

Method for tracking relationships between specified file name and particular program used for subsequent access in a database

Номер патента: US7016920B2. Автор: Thomas E. Chefalas,Steve J. Mastrianni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Method for preplanting treatment of seeds

Номер патента: RU2582499C1. Автор: Сергей Александрович Мирошников,Елена Анатольевна Сизова,Борис Георгиевич Рогачев,Дмитрий Геннадьевич Дерябин,Татьяна Дмитриевна Дерябина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт мясного скотоводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2016-04-27.

A METHOD FOR FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20210280808A1. Автор: Lindstrom Henrik,Fili Glovanni. Владелец: Exeger Operations AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Screening method for compounds active in treating myopia and hypermetropia

Номер патента: CA2276287C. Автор: Klaus Trier. Владелец: Trier Klaus ApS. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for controlling growth of microorganisms and/or biofilms in an industrial process

Номер патента: US20220361497A1. Автор: Marko Kolari,Michael Givskov,Jaakko Simell,Jens Bo Andersen,Tim Tolker-Nielsen,Morten Levin Rybtke. Владелец: KOBENHAVNS UNIVERSITET. Дата публикации: 2022-11-17.

A kind of preparation method of alpha-aluminium oxide carrier for silver catalyst

Номер патента: CN105080618B. Автор: 张志祥,王辉,林强,陈建设,李金兵,李贤丰,何学勤,李秀聪,薛茜,孙向华. Владелец: Sinopec Beijing Research Institute of Chemical Industry. Дата публикации: 2017-12-19.

Pretreatment Method for Reduction and/or Elimination of Basal Plane Dislocations Close to Epilayer/Substrate Interface in Growth of SiC Epitaxial

Номер патента: US20130143396A1. Автор: Sudarshan Tangali S.,Song Haizheng,Rana Tawhid. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2013-06-06.

METHOD FOR INHIBITING THE GROWTH OR PROPAGATION OF MICROORGANISMS, EXTERMINING MICROORGANISMS, DISINFECTING AND / OR PREVENTING THE GROWTH OF NEW MICROORGANISMS IN A WATER OR CONTAINING WATER,

Номер патента: BR112013014873B1. Автор: David W. Moore,Charles E. Coburn,Michael V. Enziel,Heather R. Moginley. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-06.

Porous bio-polymer microspheres for controlled release of positively charged proteins and method for producing microspheres

Номер патента: RU2692768C1. Автор: Константин Вольдемарович Шайтан,Антон Павлович Бонарцев,Вера Владимировна Воинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-27.

Method for producing a root culture in vitro of potentilla alba l. - a flavonoid producer

Номер патента: RU2714403C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Александра Васильевна Заушинцена,Андрей Андреевич Лукин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-02-14.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Production of single-crystal cylindrical washers from refractory compounds

Номер патента: RU2561511C1. Автор: Валерий Иванович Выбыванец,Сергей Анатольевич Конарев,Дмитрий Яковлевич Кравецкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-08-27.

Device for production of single-crystal ingots

Номер патента: RU2080209C1. Автор: Е.Н. Каблов,А.Г. Братухин,Р.Е. Шалин,В.Н. Толораия,Н.Г. Орехов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-05-27.

Device for growing of single-crystal pipes and method of their obtaining

Номер патента: RU2531823C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Василий Николаевич Ветров. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ОАО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2014-10-27.

Method of producing nanopowder of alpha aluminium oxide with narrow particle size distribution

Номер патента: RU2409519C1. Автор: Гарегин Раймондович Карагедов,Николай Захарович Ляхов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр инновационных керамических нанотехнологий Нанокомпозит". Дата публикации: 2011-01-20.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн Энергомера". Дата публикации: 2009-03-27.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of gas permeable membrane

Номер патента: RU2365403C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Владимир Петрович Улин,Геннадий Федорович Терещенко,Михаил Петрович Федоров,Федор Юрьевич Солдатенков,Самуил Гиршевич Конников,Александр Николаевич Чусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ"). Дата публикации: 2009-08-27.

Reaction cell of high-pressure gang-die apparatus for growth of asymmetrically zonal diamond single crystals

Номер патента: RU2176690C1. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо "Маин". Дата публикации: 2001-12-10.

Method for growth of sapphire single crystals growth

Номер патента: RU2355830C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Александр Юрьевич Игнатов,Сергей Викторович Москаленко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-05-20.

Method for manufacturing of multilayer structure of porous silicon-on-insulator

Номер патента: RU2554298C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2015-06-27.

Method for production of single crystals of solid solutions of antimony orthotantalate

Номер патента: RU2109856C1. Автор: В.А. Павлов,В.И. Пополитов,В.П. Александренков,В.В. Багров,В.В. Крючков. Владелец: Учебно-научный производственный центр "Энергомаш". Дата публикации: 1998-04-27.

Method and apparatus for producing crystalline ribbons

Номер патента: CA1178176A. Автор: David N. Jewett. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 1984-11-20.

Crucible, and production method of single crystal sapphire using the same

Номер патента: JP2016006000A. Автор: Masahiro Kato,昌宏 加藤,Kenichi Okamoto,Yasuyuki Takeuchi,謙一 岡本,Yoshitake Fukaya,芳竹 深谷,加藤　昌宏,泰之 竹内. Владелец: Allied Material Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for production of single crystals of rare-earth metal borides

Номер патента: RU2040599C1. Автор: Абдукаюм Абдулхаиевич Таджиев. Владелец: Ташкентский государственный технический университет. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium

Номер патента: RU2038433C1. Автор: А.И. Алимпиев,П.В. Мокрушников. Владелец: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН. Дата публикации: 1995-06-27.

Seed material for liquid crystal epitaxial growth of single crystal silicon carbide and liquid crystal epitaxial growth method of single crystal silicon carbide

Номер патента: JP5793817B2. Автор: 暁 野上,聡 鳥見,強資 松本. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-14.

Growth of single crystals of corundum and gallium oxide

Номер патента: CA672021A. Автор: P. Remeika Joseph. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1963-10-08.

Thermal field of single crystal furnace and there is the single crystal growing furnace of this thermal field of single crystal furnace

Номер патента: CN203923460U. Автор: 毛静,周锐,马少林,李侨,李定武. Владелец: Xian Longi Silicon Materials Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Method for producing compound thin film of phosphoric acid radicle silane-carbon nanotubes on the surface of single crystal silicon wafers

Номер патента: CN100479931C. Автор: 亓永,李键,程先华,顾勤林. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2009-04-22.

Single crystal sapphire substrate and method for producing the same

Номер патента: JP2003277194A. Автор: Takashi Uto,隆司 宇都. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Crucible and method for producing single crystal sapphire using the same

Номер патента: JP5771323B1. Автор: 昌宏 加藤,謙一 岡本,芳竹 深谷,加藤　昌宏,泰之 竹内. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2015-08-26.

METHOD FOR DETERMINATION OF LOSS COEFFICIENT FOR TG tgδ DIELECTRIC

Номер патента: RU2501028C1. Автор: Юрий Дмитриевич Черноусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН). Дата публикации: 2013-12-10.

Single crystal growing apparatus and growth of single crystal

Номер патента: JPH1192285A. Автор: Hirotoshi Yamagishi,浩利 山岸. Владелец: Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

SYSTEM OF CONTROLLING DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT AND SINGLE CRYSTAL INGOT GROWING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120145071A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

INSULATION DEVICE OF SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120266809A1. Автор: LEE Sang-hoon,Choi Il-Soo,Oh Hyun-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

DEVICE FOR SINGLE-CRYSTAL GROWTH AND METHOD OF SINGLE-CRYSTAL GROWTH

Номер патента: US20120298031A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Method for production of silicon microchannel membrane in monolithic framing

Номер патента: RU2388109C1. Автор: Сергей Иванович Романов,Наталья Владимировна Вандышева,Наталья Владимировна Вандышева (RU),Сергей Иванович Романов (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ОФП СО РАН). Дата публикации: 2010-04-27.

Structure of single-crystal furnace thermal field for growth of sapphire crystal

Номер патента: CN203007477U. Автор: 张向锋,贾宝申,温宝山. Владелец: TOP CRYSTALS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Single-crystal bracket of single-crystal diffractometer

Номер патента: CN203534989U. Автор: 张秀玲,郭锋,陈玉婷,刘明丽,朱宝勇. Владелец: DEZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-09.

Be applied to cooling device of single crystal growing furnace and contain its single crystal growing furnace

Номер патента: CN204779925U. Автор: 李朝阳,李德建,张晓朋,边志坚. Владелец: HEBEI NINGTONG ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Production of single crystal of compound semiconductor and single crystal of compound semiconductor produced by the same production

Номер патента: JPH11147799A. Автор: Kenji Sato,賢次 佐藤,洋二 関,Yoji Seki. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1999-06-02.

Formation of single crystal diamond film and substrate for vapor-phase synthesis of single crystal diamond film

Номер патента: JPH11106290A. Автор: Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana,武史 橘,嘉宏 横田. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

SEED CRYSTAL AXIS FOR SOLUTION GROWTH OF SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20120103251A1. Автор: SAKAMOTO Hidemitsu,Fujiwara Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

Method of separation of single-crystal ingots into laminations

Номер патента: RU2032248C1. Автор: В.Д. Скупов,В.А. Перевощиков,Т.Н. Скупова. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1995-03-27.

Method for synthesizing ordered array of single crystal Sic Nano filament with small diameter through heat evaporation method

Номер патента: CN100415952C. Автор: 牛俊杰,王健农. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2008-09-03.

METHOD OF AUTOMATIC CONTROL WITH FEEDBACK PROCESS OF CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS BY THE KIROPULOS METHOD

Номер патента: RU2014105487A. Автор: Владимир Алексеевич Бородин,Алексей Владимирович Бородин,Дмитрий Николаевич Францев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук. Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM TANTALATE (La3Ga5,5Ta0,5O14)

Номер патента: RU2160797C1. Автор: Т.А. Степанова,В.И. Курочкин,В.П. Горохов,Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский,С.Ю. Степанов,Н.Б. Царева. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья. Дата публикации: 2000-12-20.

Method and an apparatus for the manufacture of single crystals

Номер патента: CA595774A. Автор: Goorissen Jan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-04-05.

Improvements in or relating tothe preparation of single crystals of silicon

Номер патента: AU2106256A. Автор: Edwin Bradshaw and Abraham Isaac Elavsky Stanley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-02-28.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL137182B1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1986-05-31.

Method of making nanowire of single crystal tungsten oxide

Номер патента: TWI256979B. Автор: Heng-Lun Tseng,Li-Jen Chou,Mu-Tung Chang. Владелец: L & C Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Production of single crystal boron phosphide

Номер патента: AU6184960A. Автор: Dean Stone and Robert Arthur Ruehrwein Bobbie. Владелец: Monsanto Chemical Co. Дата публикации: 1961-01-12.

Apparatus for inspecting cross section of single crystal line plate

Номер патента: JPS5352184A. Автор: Shigeo Miura,Seiji Mase. Владелец: Rigaku Denki Co Ltd. Дата публикации: 1978-05-12.

Apparatus for inspecting cross section of single crystal line plate

Номер патента: JPS5339785A. Автор: Toshio Nomura. Владелец: Rigaku Denki Co Ltd. Дата публикации: 1978-04-11.

Method of making nanowire of single crystal tungsten oxide

Номер патента: TW200617222A. Автор: Heng-Lun Tseng,Li-Jen Chou,Mu-Tung Chang. Владелец: Li-Jen Chou. Дата публикации: 2006-06-01.

Cooling equipment of a working vessel of a machine for production of single crystals

Номер патента: CS275900B6. Автор: Josef Stusak,Ctibor Ing Trebichavsky,Stefan Ing Vadina,Oldrich Ing Pavlovec,Pavel Hanzel,Mikulas Sojak,Zdenek Ing Kedaj,Jan Bartos,Jiri Ing Zbirovsky,Michal Ing Csc Babinsky,Jozef Ing Csc Matuska,Ondrej Bohm. Владелец: Vadina Stefan. Дата публикации: 1992-03-18.

Apparatus for testing cutting surface of single crystal

Номер патента: JPS52127156A. Автор: Masashi Kondou. Владелец: Rigaku Denki Co Ltd. Дата публикации: 1977-10-25.

Graphite support vessel for supporting a silica container during production of single-crystal silicon from silicon melt formed within the silica container according to a czochraliski-type approach

Номер патента: TW438912B. Автор: Richard L Hansen,Moosen Banan. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2001-06-07.

AQUEOUS ACIDIC ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR TEXTURING THE SURFACE OF SINGLE CRYSTAL AND POLYCRYSTAL SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20120160320A1. Автор: PROELSS Julian,Braun Simon,Melnyk Ihor,Michel Michael,Mathijssen Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Method for determining q of single-crystals

Номер патента: SU1627972A1. Автор: Левон Арменакович Кочарян,Эдуард Мушегович Арутюнян,Овнан Альбертович Унанян,Карлен Тонаканович Айрапетян. Владелец: Институт Прикладных Проблем Физики Ан Армсср. Дата публикации: 1991-02-15.

Method for controlling process of alloying source raw metal in production of single crystals

Номер патента: SU1125305A1. Автор: Валентина Алексеевна Соболева,Виталий Григорьевич Атаманенко,Татьяна Андреевна Щегляева,Хасан Ильич Макеев,Ольга Леонидовна Богословская,Надежда Алексеевна Шишкова,Николай Иванович Казимиров,Вячеслав Михайлович Юшкин,Виталий Филиппович Розин,Георгий Оскарович Розенталь,Юрий Иванович Ульянов. Владелец: Государственный Всесоюзный Центральный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Комплексной Автоматизации. Дата публикации: 1984-11-23.

Method for studying the perfection of the structure of single crystals

Номер патента: SU534677A1. Автор: Михаил Валентинович Ковальчук,Юрий Николаевич Шилин,Рафик Мамед Имамов,Эрнст Константинович Ковьев,Владимир Евстафьевич Батурин,Степан Алексеевич Семилетов,Вилинис Екабович Палапис. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Ордена Трудового Красного Знамени Института Кристаллографии Им.А.В. Шубникова Ан Ссср. Дата публикации: 1976-11-05.

Method for determining crystallographic orientation of single crystals with bcc-lattice

Номер патента: SU1000477A1. Автор: Ферид Ибрагимович Измаилов. Владелец: Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт. Дата публикации: 1983-02-28.

Method for enhancing strength of single crystal blade core by metal core support

Номер патента: CN103056313A. Автор: 刘建平,王延辉,宁英,李汉运,丁山. Владелец: Shenyang Liming Aero Engine Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for improving axial resistivity uniformity of single crystal with heavily doped Ar

Номер патента: CN102162124A. Автор: 徐强,张雪囡,李建弘,沈浩平,康冬辉. Владелец: Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-24.

Detection of thermal distribution of single crystal pulling up device and method for automatic control thereof

Номер патента: JPS63107888A. Автор: Haruo Yamamura,山村　春夫. Владелец: KYUSHU DENSHI KINZOKU KK. Дата публикации: 1988-05-12.

METHOD FOR THE THERMAL TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DD132704A3. Автор: Ulrich Mohr,Manfred Schulz,Herbert Schaefer,Marina Seifert. Владелец: Marina Seifert. Дата публикации: 1978-10-25.

Simulation-based parameter optimizing method for precise casting process of single crystal turbine blade

Номер патента: CN102819651A. Автор: 陈晨,乔燕,王鲁,高斌,邱飞,周丽敏,卜昆,董一巍,傅将威,丁肖艺. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2012-12-12.

METHOD FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS CdS AND CdSe

Номер патента: SU1279277A1. Автор: Н.Н. Колесников,М.П. Кулаков,И.Б. Савченко. Владелец: Институт физики твердого тела АН СССР. Дата публикации: 1996-09-27.

Method for the treatment for example the formation of single crystals

Номер патента: CA669849A. Автор: Avinor Michael. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1963-09-03.

Method for determining front and back of single crystal plate by X-ray diffraction

Номер патента: JP2770232B2. Автор: 芳郎 町谷. Владелец: 理学電機株式会社. Дата публикации: 1998-06-25.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622B. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for precisely controlling diameter of single crystal

Номер патента: JPS6321281A. Автор: Shigeru Morita,Hajime Shimizu,肇 清水,茂 森田. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-28.

Method for measuring resistivity of single crystal silicon

Номер патента: JP7172878B2. Автор: 善博 大城,禎之 鈴木,勝則 栗山,喬之 北山. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for simulating pulling speed of single crystal ingot

Номер патента: JP4407539B2. Автор: 直樹 小野,森林 符. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Method for measuring depth of single crystal semiconductor layers

Номер патента: SU522462A1. Автор: Вячеслав Яковлевич Кремлев,Анатолий Иванович Бутурлин,Юрий Дмитриевич Чистяков,Рустем Жаканович Ержанов,Татьяна Ивановна Вишнева. Владелец: Московский Институт Электронной Техники Миэт. Дата публикации: 1976-07-25.

Preparation method for endurance sample of single-crystal alloy material

Номер патента: CN103439155A. Автор: 徐江,李航,张晓平,崔强,郭子静,贾丽静,迟丽杰. Владелец: Xian Aviation Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

METHOD FOR CREATING ON VARIOUS SUBSTRATES OF SINGLE-CRYSTAL FILMS OF MULTICOMPONENT SOLID SOLUTION WITH UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPONENTS BY VOLUME

Номер патента: RU2012128190A. Автор: Владимир Алексеевич Комаров,Владимир Минович Грабов,Евгений Владимирович Демидов,Наталья Сергеевна Каблукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена". Дата публикации: 2014-01-10.

Method for finding and controlling seeding temperature of single crystal furnace

Номер патента: CN102586864A. Автор: 袁玉平. Владелец: CHANGZHOU BAIER PHOTOELECTRIC EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for etching of single crystals of lithium tantalate

Номер патента: RU2040601C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for measuring composition of single crystal of lithium tantalate

Номер патента: JPS63210761A. Автор: Norihisa Abiko,Fumio Nitanda,Shuji Katayama,安孫子　則久,片山　秀志,二反田　文雄. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1988-09-01.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622A. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for controlling mosaic defects of single crystal high-temperature alloy blade

Номер патента: CN114346180B. Автор: 刘洋,杨强,王富,张碧璇,李鸣杰. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-02-24.

Method for manufacturing ultra-thin optical member made of single crystal

Номер патента: JP4113450B2. Автор: 祥男 柳田,正史 堀,賢一 伏見. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2008-07-09.

Processing method for constructing nano projection structure on surface of single crystal silicon based on friction induction

Номер патента: CN101549853B. Автор: 周仲荣,余家欣,钱林茂,余丙军. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2012-05-09.

Method for growing of single crystals in system of bi-sr-ca-cu-o

Номер патента: RU2039853C1. Автор: А.В. Хорошилов,И.С. Шаплыгин. Владелец: Институт общей и неорганической химии им.Н.С.Курнакова РАН. Дата публикации: 1995-07-20.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20120286389A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

A kind of single crystal growing furnace crystal promotion rotating mechanism

Номер патента: CN208717467U. Автор: 贡梦涛. Владелец: Changzhou Yiqun New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-09.

Sio probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon

Номер патента: CN1186974A. Автор: 约翰·D·霍尔德. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1998-07-08.

CRYSTALLIZER FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS FROM SOLUTIONS

Номер патента: SU412713A1. Автор: . Владелец: В. П. Алфименков, Е. Д. Курцман , Л. Я. Суворов. Дата публикации: 1974-12-15.

A kind of single crystal growing furnace for the monocrystalline silicon continuous production crystallization promoting pulling rate

Номер патента: CN208667897U. Автор: 楼刚刚,张会现,洪东旭,邵化水. Владелец: Qixian County Dongci New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Crystal bar positioning device of single crystal furnace

Номер патента: CN212895076U. Автор: 张俊,张忠华,程平,吴雄. Владелец: Inner Mongolia Haoan Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Birdcage-structured resistance heating element of single crystal furnace for growth of big size sapphire

Номер патента: CN201411510Y. Автор: 宋波,左洪波,王玉平,杨鑫宏,王天成. Владелец: Harbin GongDa Aurora Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-24.

Device for prevention of single crystal swinging in crystal growing plant

Номер патента: RU2109857C1. Автор: С.А. Кузнецов,В.Е. Зюбин. Владелец: Институт автоматики и электрометрии СО РАН. Дата публикации: 1998-04-27.

Growth of single crystal and apparatus for production thereof

Номер патента: JPH01122988A. Автор: 敦司 町屋,Atsushi Machiya,Keiko Ueda,Misato Tamura,美里 田村,敬子 上田. Владелец: YUKIGUNI KAGAKU KK. Дата публикации: 1989-05-16.

Sealed stove adapted for the growth of single-crystal silicon

Номер патента: CN85200367U. Автор: 曾朝伟,苏锡珍. Владелец: Scientific Instruments Factory chinese Academy Of Scieces. Дата публикации: 1986-01-15.

Growth of single crystals

Номер патента: CA764388A. Автор: W. Piper William. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1967-08-01.

METHOD OF MEASURING DEFECT DENSITY OF SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20120016630A1. Автор: . Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-19.

THERMAL OXIDATION OF SINGLE CRYSTAL ALUMINUM ANTIMONIDE AND MATERIALS HAVING THE SAME

Номер патента: US20120161288A1. Автор: III Arthur William,Sherohman John William,Yee Jick Hong,Coombs,J. Wu Kuang Jen. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

High purity, environmentally clean method and apparatus, for high rate, liquid anisotropic etching of single crystal silicon or etching of polycrystalline silicon, using an overpressure of ammonia gas above aqueous ammonium hydroxide

Номер патента: US20130012028A1. Автор: Stern Alvin Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

SAWING APPARATUS OF SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20130081606A1. Автор: Kim Yang-Suh. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Pulling up apparatus of single crystal

Номер патента: JPS5263877A. Автор: Koji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1977-05-26.

Production of single crystal ferrite

Номер патента: JPS6424095A. Автор: Kazumasa Onishi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-26.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrite-garnet films

Номер патента: SU1444887A1. Автор: Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1988-12-15.

Production of single crystal

Номер патента: JPS5562883A. Автор: Akihiko Kawachi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1980-05-12.

Production of single crystal of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS6345200A. Автор: Hiroyuki Hara,Tatsuya Tanabe,Masamichi Yokogawa,Norio Ogata,達也 田辺,原　広之,横川　正道,小片　教男. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-02-26.

Production of single crystal oxide superconducting thin film

Номер патента: JPH01183496A. Автор: Kenichi Muramatsu,Tatsushi Nomura,研一 村松,Yoshitaka Sango,貴敬 三五,達士 野村. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1989-07-21.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS632312A. Автор: Yasuo Wada,Tadashi Suzuki,Masao Tamura,Mitsunori Ketsusako,光紀 蕨迫,Shizunori Oyu,Masanobu Miyao,正信 宮尾,祐一 間所,Nobuyoshi Kashu,Masahiro Shigeniwa,章二 宿利,Yuichi Madokoro,Shoji Yadori,Hidekazu Murakami,恭雄 和田,昌弘 茂庭,匡 鈴木,英一 村上,大湯　静憲,夏秋　信義,田村　誠男. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-07.

Production of single crystal

Номер патента: JPH1095688A. Автор: Yoshifumi Maejima,善文 前島,Koichi Kawasaki,宏一 川崎. Владелец: TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO KK. Дата публикации: 1998-04-14.

Production of single crystal thin film

Номер патента: JPS55100295A. Автор: Hidefumi Mori,Tatsuo Izawa,Masao Tachikura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-31.

Polarizing method of single crystal

Номер патента: JPS5241894A. Автор: Toru Sato,Shinji Esashi,Shiro Naoi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-03-31.

A kind of preparation technology of single crystal turbine guide vane

Номер патента: CN105268916B. Автор: 王莉,郑伟,楼琅洪,姜卫国,肖久寒,张功. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2017-09-22.

Flap valve box observing window of single crystal furnace

Номер патента: CN102212886A. Автор: 惠梦君. Владелец: WUXI HUISON-DUER CRYSTAL TECHNOLOGIES AND EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Automatic growing device of single crystal

Номер патента: JPS5692195A. Автор: Yoshio Kobayashi,Minoru Yamanishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-07-25.

Formation of single-crystal ge epitaxial layer

Номер патента: JPS6390119A. Автор: Kotaro Mitsui,Mari Kato,加藤　眞理,三井　興太郎. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-04-21.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS5641896A. Автор: Shoichi Washitsuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-18.

Production of single crystal by pulling method

Номер патента: JPH10259089A. Автор: Shinzo Fujii,信三 藤井,Toshimitsu Inagaki,利光 稲垣. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Apparatus for indexing cutting of single crystals

Номер патента: SU1242384A2. Автор: Ярослав Владимирович Бурак,Владимир Михайлович Саповский,Андрей Степанович Сай,Олег Аркадьевич Курочкин,Игорь Теодорович Лысейко. Владелец: Предприятие П/Я В-8525. Дата публикации: 1986-07-07.

Diffusion bonding method of single crystal intermetallic compound material

Номер патента: JP2863825B2. Автор: 奨 目黒,修 大橋. Владелец: KAGAKU GIJUTSUCHO KINZOKU ZAIRYO GIJUTSU KENKYU SHOCHO. Дата публикации: 1999-03-03.

Jewellery insert of single-crystal corundum and method of its production

Номер патента: SU877991A1. Автор: Л.А. Литвинов,В.Г. Ольшевский. Владелец: Свердловское Производственное Объединение "Уральские Самоцветы". Дата публикации: 1984-02-15.

Supporting device and grinding device for correcting orientation of single crystal material

Номер патента: JPH1015795A. Автор: Yasuo Yoshimura,保男 ▲吉▼村,Masashi Tsujino,真史 辻野. Владелец: Koyo Machine Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-20.

Production of thin film of single crystal having large area

Номер патента: JPS6246996A. Автор: Kenji Kumabe,隈部　建治. Владелец: Matsushita Graphic Communication Systems Inc. Дата публикации: 1987-02-28.

Bottom adiabatic material of single crystal furnace

Номер патента: CN210177002U. Автор: Lei Li,LONG Yan,李磊,Xiaohong Li,李小红,赵延祥,闫龙,Zhongbao Wang,王忠保,Yanxiang Zhao,Yasuhiro Kogure,小暮康弘,Liguang Wang,王黎光,Qinghao Xu,徐庆晧. Владелец: Ningxia Silver And Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Pulling of single crystal rod

Номер патента: JPH01183493A. Автор: 康 村上,Yasushi Murakami,Noriko Miyazaki,紀子 宮崎. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 1989-07-21.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS57123889A. Автор: Yoshihiro Kokubu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-02.

A kind of thermal field structure of single crystal furnace

Номер патента: CN204251762U. Автор: 李军,陈五奎,冯加保,徐文州,耿荣军. Владелец: Leshan Topraycell Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Method of treatment of single crystal alloys

Номер патента: SU855062A1. Автор: Юрий Алексеевич Романов,Анатолий Валерьевич Серебряков,Наталья Ивановна Новохатская,Вера Константиновна Гурова. Владелец: Институт физики твердого тела АН СССР. Дата публикации: 1981-08-15.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS57123887A. Автор: Tsuguo Fukuda,Masayuki Watanabe,Shoichi Washitsuka,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-02.

Production of single crystal

Номер патента: JPH10139589A. Автор: Toshihiko Tani,俊彦 谷,篤人 岡本,Yasuo Kito,泰男 木藤,Atsuhito Okamoto,Naohiro Sugiyama,尚宏 杉山,Nobuo Kamiya,信雄 神谷. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Secondary charging and discharging protection device of single crystal furnace

Номер патента: CN212713839U. Автор: 杨昊. Владелец: Hongyuan New Materials Baotou Co ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

A kind of chemical cluster magneto-rheological combined processing method of single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: CN103192297B. Автор: 潘继生,阎秋生,徐西鹏,路家斌,祝江亭. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-09-21.

Directional cutting method of single crystal

Номер патента: JPS5364799A. Автор: Sadao Matsumura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-06-09.

Formation of single crystal of silicon carbide

Номер патента: JPS62119917A. Автор: 昭一郎 松本,Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-01.

Pulling up of single crystal by electron beam dissolution

Номер патента: JPH1053485A. Автор: Kyojiro Kaneko,Hideyuki Mizumoto,恭二郎 金子,Toshihiro Onizuka,智弘 鬼塚,秀幸 水本. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Method of correcting plane-azimuth of single crystal and device therefor

Номер патента: JPH01140962A. Автор: Kenichi Furukawa,賢一 古川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-02.

Bonding Method Of Single Crystal Superalloys With High Temperature And Pressure Process

Номер патента: KR101220023B1. Автор: 김두수,이한상,허남회,송규소,유근봉. Владелец: 한국전력공사. Дата публикации: 2013-01-08.

Annealing of single crystal substrate of inorganic compound

Номер патента: JPS6468923A. Автор: Yutaka Yamada,Fumio Orito,Toshihiko Ibuka. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1989-03-15.

Method of preparation of single crystals of lead chloride

Номер патента: SU1726570A1. Автор: Владислав Иванович Пополитов,Михаил Невахович Цейтлин,Татьяна Михайловна Дыменко,Сайдуллахон Орипов. Владелец: Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Ан Таджсср. Дата публикации: 1992-04-15.

Production of single crystal of ruby

Номер патента: JPS61236693A. Автор: Kuniharu Yamada,邦晴 山田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Manufacturing method of single crystal wafer

Номер патента: JP3286020B2. Автор: 茂男 岡戸. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-27.

A device for determining the crystallographic directivity of single crystals

Номер патента: SU148927A1. Автор: В.А. Подгорнов,И.Н. Рубцов,И.И. Савельев. Владелец: И.И. Савельев. Дата публикации: 1961-11-30.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS55162496A. Автор: Shunzo Mase,Motoichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1980-12-17.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS577895A. Автор: Satao Yashiro. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-16.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS5645891A. Автор: Tsuguo Fukuda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-25.

Production of single crystal alumina

Номер патента: JPS62113788A. Автор: Kazuo Oota,Toshihiro Kiyono,清野　敏廣,太田　一雄. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1987-05-25.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS55158196A. Автор: Tsuguo Fukuda,Toshiharu Ito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-12-09.

Method of determining deformation of single-crystal wafers

Номер патента: SU1532856A1. Автор: Виктор Николаевич Гаврилов,Эмиль Вульфович Золотоябко,Евгений Михайлович Иолин,Эрнст Аронович Райтман,Борис Владимирович Кувалдин,Виталий Александрович Косарев. Владелец: Институт Физики Ан Латвсср. Дата публикации: 1989-12-30.

Device for prolonging service life of vacuum pump of single crystal furnace

Номер патента: CN101709504B. Автор: 林霞,张伟娜,南毅,马殿军,郑智雄,胡满根. Владелец: NANAN SANJING SUNSHINE AND POWER Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Manufacturing method of single crystal ferrite

Номер патента: JPS5522860A. Автор: Tsutomu Iimura,Nobuyuki Yamada. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1980-02-18.

Method of standard measurement of single crystal lattice parameters

Номер патента: SU468139A1. Автор: Вилен Моисеевич Генкин. Владелец: Горьковский Исследовательский Физико-Технический Институт Горьковского Государственного Университета Им.Н.И.Лобачевского. Дата публикации: 1975-04-25.

Processing method of single crystal ingot of iron gallium alloy

Номер патента: JP2022045089A. Автор: Kiyoshi Izumi,聖志 泉. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2022-03-18.

Method of manufacturing specimens for checking mechanical strength of single-crystal washer chamfer

Номер патента: SU1108076A1. Автор: Константин Гаврилович Марин,Энвер Абзалевич Фаттахов. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1984-08-15.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS5396978A. Автор: Junichi Nakano,Tomoaki Yamada,Shintaro Miyazawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1978-08-24.

Device for improving consistency of longitudinal resistivity of single crystal silicon and treatment process thereof

Номер патента: CN102260900A. Автор: 周建华. Владелец: XI'AN HUAJING ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Manufacturing method of single crystal thin film

Номер патента: JP2777599B2. Автор: 仗祐 中田. Владелец: NYUURARU SHISUTEMUZU KK. Дата публикации: 1998-07-16.

Method of epitaxial growing of single crystal layers of cubic sic

Номер патента: SU1710604A1. Автор: Владимир Андреевич Дмитриев,Валентин Евгеньевич Челноков,Игорь Мстиславович Баранов,Николай Алексеевич Белов,Тамара Семеновна Кондратьева,Виктор Федорович Шаталов,Роман Нисонович Эрлих. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе. Дата публикации: 1992-02-07.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrit-garnet films

Номер патента: SU1539839A1. Автор: Александр Михайлович Гришин,Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко,Юрий Викторович Мелихов. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1990-01-30.

Method and device for the preparation of single crystals

Номер патента: FR1465872A. Автор: . Владелец: Czech Academy of Sciences CAS. Дата публикации: 1967-01-13.

Electron emitters made on the basis of single crystals of polar dielectrics (metal oxides MgO, Al2O3, SiO2, etc.) with donor impurities introduced into them with a small (about 0.1 or less) ratio of electron affinity to the width of the forbidden band

Номер патента: SU129753A1. Автор: А.Г. Ждан,А.Г. Елинсон. Владелец: А.Г. Елинсон. Дата публикации: 1959-11-30.

Cusp magnetic field device of single-crystal furnace

Номер патента: CN201106071Y. Автор: 李波,高勇,安涛,李守智. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2008-08-27.

Pressure-bearing stiffening device is used in a kind of single crystal growing furnace assembling

Номер патента: CN207108324U. Автор: 刘二飞,李秉东,黎志欣. Владелец: Dalian Linton NC Machine Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-16.

Manufacture of single crystal-polycrystal composite

Номер патента: JPS56109892A. Автор: Koichi Kugimiya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-08-31.

Production of single crystal by float-zone melting process

Номер патента: JPS52144382A. Автор: Nobuyuki Maruyama,Kichigoro Takemura. Владелец: NIPPON DENSHI KINZOKU KK. Дата публикации: 1977-12-01.

Mold for precision molding of single crystal

Номер патента: JPH1034280A. Автор: Kenichi Kubo,幸郎 下畠,Yukirou Shimobatake,久保　　健一. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Production of single crystal

Номер патента: JPS63206393A. Автор: Shintaro Miyazawa,宮澤　信太郎. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-08-25.

Production of single crystal ferrite

Номер патента: JPS62216987A. Автор: Michiaki Yamauchi,山内　道章. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1987-09-24.

Production of single crystal and crucible for said method

Номер патента: JPS6256396A. Автор: Kazuo Sunahara,一夫 砂原. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-12.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS5673693A. Автор: Shoichi Washitsuka,Toshiharu Ito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-18.

A kind of large scale rare-earth boride SmB 6the preparation method of single crystal

Номер патента: CN103205801B. Автор: 张久兴,李晓娜,张忻,张繁星. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-18.

Pulling up of single crystal

Номер патента: JPH10287488A. Автор: Hiroshi Morita,洋 森田. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Pulling up of single crystal at high pressure

Номер патента: JPS57156396A. Автор: Hideki Mori,Akihisa Kawasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1982-09-27.

DEVICE FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU342395A1. Автор: Э.Г. Черневская,Т.В. Лобачева. Владелец: Э.Г. Черневская. Дата публикации: 2000-06-20.

A kind of molybdenum shield thermal field of single crystal furnace

Номер патента: CN207418919U. Автор: 史二庆. Владелец: Sichuan Hi Ming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of treatment of single crystals of high-temperature superconductors

Номер патента: SU1675410A1. Автор: Валерий Владимирович Рязанов,Николай Сергеевич Сидоров,Валерий Иванович Кулаков,Рудольф Константинович Николаев,Александр Владимирович Крашенинников,Борис Геннадьевич Карепов. Владелец: Институт физики твердого тела АН СССР. Дата публикации: 1991-09-07.

A kind of single crystal growing furnace open type direct cooling system

Номер патента: CN206956210U. Автор: 崔永祥. Владелец: China Construction Kide Engineering Corp. Дата публикации: 2018-02-02.

A kind of slow radiator of single crystal growing furnace blowing out

Номер патента: CN207418910U. Автор: 史二庆. Владелец: Sichuan Hi Ming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Structure of single crystal furnace

Номер патента: CN101550588A. Автор: 潘国强,潘燕萍. Владелец: 潘燕萍. Дата публикации: 2009-10-07.

Automatic lifting mechanism of single crystal furnace heater

Номер патента: CN114293245A. Автор: 李方,李欢,张忠涛,曹玉宝,尹嘉琦,段世飞. Владелец: Linton Kayex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-08.

Multi-pipe structure of single crystal growing furnace

Номер патента: CN2528782Y. Автор: 白玉珂. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2003-01-01.

Preparation of single crystal

Номер патента: JPS5688900A. Автор: Junji Inui,Yoshihiro Imazeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-07-18.

Preparation method of single crystal graphene

Номер патента: CN102296361B. Автор: 张万里,陈远富,李萍剑,李言荣,王泽高. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-09-25.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS61288413A. Автор: Shigeru Kojima,Setsuo Usui,Yasuo Kano,繁 小島,碓井　節夫,狩野　靖夫. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-12-18.

A kind of bottom holding plates of single crystal growing furnace

Номер патента: CN204589368U. Автор: 张刚,张一�. Владелец: Yingli Energy China Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Sanok for chemical cutting of single crystals

Номер патента: SU447288A1. Автор: Олег Евдокимович Скляров,Михаил Лазаревич Поляченко. Владелец: Опытно-Конструкторское Бюро Института Металлофизики Академии Наук Украинской Сср. Дата публикации: 1974-10-25.

Method of determining the mosaic trait of single crystals

Номер патента: SU1413492A1. Автор: Виталий Андреевич Трунов,Владимир Леонидович Алексеев,Александр Иванович Курбаков. Владелец: Ленинградский институт ядерной физики им.Б.П.Константинова АН СССР. Дата публикации: 1988-07-30.

Production of single crystal

Номер патента: JPS61242981A. Автор: Koichi Onodera,小野寺　晃一. Владелец: Tohoku Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1986-10-29.

Crucible structure of single crystal pulling-up device

Номер патента: JPH10158089A. Автор: Shoichi Yamazaki,Yoshinori Tamura,昌一 山崎,義則 田村. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Preparation of single crystal of chrysoberyl shedding luster

Номер патента: JPS57191298A. Автор: Isamu Shindo,Shunji Takegawa,Hidenori Sakauchi. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1982-11-25.

Device for obtaining roentgen topograms of single crystals

Номер патента: SU1658050A1. Автор: Вячеслав Михайлович Гундырев. Владелец: Институт физики металлов Уральского отделения АН СССР. Дата публикации: 1991-06-23.

Production of single crystal substrate

Номер патента: JPH1143400A. Автор: Masaaki Kojima,正明 小島,洋二 関,Yoji Seki. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Production of single crystal ferrite material

Номер патента: JPS62113787A. Автор: 美能留 今枝,Ryuichi Ouchi,Minoru Imaeda,龍一 大内. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1987-05-25.

Formation of single crystal silicon film

Номер патента: JPH01183825A. Автор: Ken Hosoya,憲 細矢,Atsushi Haginaka,淳 萩中,Naoko Takehira,尚子 武平. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1989-07-21.

The wax-pattern combining structure of single crystal blade

Номер патента: CN206613990U. Автор: 张丽,李振锋,雷四雄,王玉雷,梁亚飞,张锋林. Владелец: Zhuzhou Air China Power Precision Is Cast With Limit Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Quartz feeding device of single crystal furnace

Номер патента: CN202925152U. Автор: 方强,余俊军,赵纪平. Владелец: WANXIANG SILICON-PEAK ELECTRINICS Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Crucible for production of single crystal

Номер патента: JPS5560090A. Автор: Sadao Matsumura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Production of single crystal

Номер патента: JPS62226897A. Автор: Kenji Yakushiji,Hasuichi Takiguchi,滝口　蓮一,健次 薬師寺. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-05.

Fine pattern formation of single crystal or polycrystalline si film

Номер патента: JPS6351641A. Автор: Jun Kanamori,Naokatsu Ikegami,尚克 池上,金森　順. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-04.

Display method of crystallographic planes of single-crystal plates and heterostructures

Номер патента: RU2559799C1. Автор: Кира Львовна Енишерлова-Вельяшева,Александр Всеволодович Лютцау,Элла Моисеевна Темпер. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2015-08-10.

Production of single crystal and device therefor

Номер патента: JPS63310789A. Автор: Masami Tatsumi,智博 川瀬,Tomohiro Kawase,雅美 龍見. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-12-19.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS5756397A. Автор: Tsuguo Fukuda,Yoshihiro Kokubu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-04-03.

Device for growing of single-crystals of refractory substances

Номер патента: RU2061803C1. Автор: Е.А. Федоров,А.С. Трофимов,Е.В. Антонов,Х.С. Багдасаров,В.Н. Сытин. Владелец: Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН. Дата публикации: 1996-06-10.

Forecasting method of single crystal internal connecting line-shaped nucleus and growth temp.

Номер патента: CN100370591C. Автор: 赵明,蒋青,文子,周孝好,李建陈. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2008-02-20.

METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14)

Номер патента: RU2160796C1. Автор: Т.А. Степанова,В.И. Курочкин,В.П. Горохов,Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский,С.Ю. Степанов,Н.Б. Царева. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья. Дата публикации: 2000-12-20.

Production of single crystal of iii-v group compound semiconductor

Номер патента: JPH01138190A. Автор: Hisaki Fukui,寿樹 福井,Yumiko Yamanaka,裕美子 山中. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 1989-05-31.

METHOD OF CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU171382A1. Автор: . Владелец: И. Г. Бажал. Дата публикации: 1965-06-28.

INSTALLATION FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS BY THE VERNEYL METHOD

Номер патента: SU403236A1. Автор: В.Н. Сытин,А.Д. Пискун. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им. А.В.Шубникова Ан Ссср. Дата публикации: 2002-05-27.

Furnace bottom heat insulation board of single crystal furnace

Номер патента: CN218404494U. Автор: 曹刚,王永利,许建枫,郝振庆,祝林飞. Владелец: Zhejiang Yuli Electromechanical Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Manufacture of single crystal

Номер патента: JPS61146781A. Автор: Kei Yamada,圭 山田. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-04.

Production of single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPS63315588A. Автор: Junichi Tsuruta,鶴田　淳一. Владелец: NIPPON FUEROO FURUIDEIKUSU KK. Дата публикации: 1988-12-23.

Device for studying the perfection of single crystal layer structures

Номер патента: SU1396023A2. Автор: Игорь Аркадьевич Зельцер,Альберт Георгиевич Денисов,Александр Геннадьевич Коряков,Римма Сергеевна Сеничкина. Владелец: Предприятие П/Я В-8754. Дата публикации: 1988-05-15.

Method of single crystals growth

Номер патента: RU2144575C1. Автор: М.А. Иванов,В.В. Кочурихин. Владелец: Кочурихин Владимир Владимирович. Дата публикации: 2000-01-20.

Preparation of single crystal ferrite sphere

Номер патента: JPS61236679A. Автор: Hiroyuki Ito,Takashi Tsuboi,Hitoshi Ueda,博之 伊藤,等 上田,隆 坪井. Владелец: Nippon Ferrite Ltd. Дата публикации: 1986-10-21.

Method and apparatus for measuring defect density of single crystal

Номер патента: JP5167208B2. Автор: 伴和 石井,一嘉 鈴木. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of chemical polishing of single crystal of sapphire

Номер патента: JPS5242498A. Автор: Shinya Iida,Tatsumi Mizutani,Mitsuru Ishii,Hideo Komatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-04-02.

DEVICE FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS ACCORDING TO THE METHOD OF VERNEYL

Номер патента: SU304784A1. Автор: Н.П. Ильин. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им. А.В.Шубникова Ан Ссср. Дата публикации: 2002-05-27.

Honey centrifugal device is washed in processing of single crystal sugar

Номер патента: CN213967186U. Автор: 叶华德. Владелец: Foshan City Xihaojiang Sugar Co ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Secondary charging hopper device of single crystal furnace

Номер патента: CN202450186U. Автор: 吴学军,周凯平. Владелец: NINGXIA RIJING NEW ENERGY EUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Film formation of single crystal thin film of praseodymium trifluoride

Номер патента: JPH1053491A. Автор: Tsuguo Fukuda,承生 福田,Kazunori Adachi,和則 足立. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Lifting mechanism of single crystal furnace

Номер патента: CN201817574U. Автор: 陈荣兴. Владелец: JIANGSU SOUDAI PV-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-04.

A device for melt drawing of single crystals according to the Czochralski method

Номер патента: SU506161A1. Автор: В.И. Носов,А.В. Вервыка,И.К. Выдыш,Н.С. Егорова,Е.А. Жемчужина,А.И. Печерица,П.Н. Проскурин,К.П. Приварников. Владелец: . Дата публикации: 1976-08-25.

A kind of preparation method of single crystal super alloy monocrystalline middle layer

Номер патента: CN109822192A. Автор: 陈玉华,黄永德,耿志杰,柯黎明,孙文君,王善林. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-31.

Method and apparatus for preparation of single crystal

Номер патента: JPS56114894A. Автор: Shintaro Miyazawa,Susumu Kondo,Yasutaka Suemune. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1981-09-09.

Production of single crystal of compound semiconductor

Номер патента: JPS6321288A. Автор: Masazumi Sato,佐藤　正純. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1988-01-28.

Production of single crystal wafer

Номер патента: JPS5792595A. Автор: Toshihiko Hattori. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-09.

Exhaust system of cavity of single crystal furnace

Номер патента: CN202131392U. Автор: 徐昌华,史才成,华贵俊,秦舒. Владелец: JIANGSU JINGDING ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Method of manufacturing semiconductor devices, mainly on the base of single-crystal silicium

Номер патента: SU924776A1. Автор: Александр Георгиевич Черных,Николай Владимирович Румак,Николай Александрович Гордеев,Геннадий Михайлович Туманов,Александр Федорович Канищев,Вячеслав Викторович Куксо,Леонид Николаевич Лытко. Владелец: Предприятие П/Я Р-6007. Дата публикации: 1982-04-30.

Bracket support for crucible of single crystal furnace

Номер патента: CN202187083U. Автор: 林游辉. Владелец: Hefei Jingkun New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Device for x-ray topographic analysis of single crystals

Номер патента: SU1746268A1. Автор: Валерий Юрьевич Косарев,Виктор Натанович Ингал,Елена Анатольевна Беляевская,Михаил Ефимович Ошеров. Владелец: Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник". Дата публикации: 1992-07-07.

Connector and electrode column integral structure in a kind of single crystal growing furnace

Номер патента: CN208776869U. Автор: 张倩,方丽霞,秦露露. Владелец: MCL Electronic Materials Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Formation of single-crystal semiconductor layer

Номер патента: JPS63177512A. Автор: Yasushi Morita,Hisao Hayashi,靖 森田,久雄 林. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-07-21.

Manufacture of single crystal of zinc selenide

Номер патента: JPS6425546A. Автор: Susumu Furuike,Haruki Ogawa,Toshiharu Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-27.

DEVICE FOR SYNTHESIS AND EXTRACTION OF SINGLE CRYSTALS FROM MELTING

Номер патента: SU940344A1. Автор: А.А. Гамазов. Владелец: Кубанский государственный университет. Дата публикации: 2005-02-10.

Production of single crystal wafer

Номер патента: JPS6389500A. Автор: Shigeo Okado,岡戸　茂男. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-04-20.

Arrangement for investigating perfection of single-crystal structure

Номер патента: SU1226210A1. Автор: Игорь Аркадьевич Зельцер,Михаил Валентинович Ковальчук,Юрий Николаевич Шилин,Альберт Георгиевич Денисов,Римма Сергеевна Сеничкина. Владелец: Предприятие П/Я В-8754. Дата публикации: 1986-04-23.

Head cover supporting device used after cutting of single crystal silicon rod

Номер патента: CN215849008U. Автор: 赵涛,王军磊,王艺澄. Владелец: Jiangsu Meike Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Method of producing mixture for growing of single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126063C1. Автор: Г.Г. Кознов. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Vapor growth method of single crystal

Номер патента: JP3667360B2. Автор: 博文 菅,洋 藤安,正和 桑原,明広 石田. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-07-06.

Device for growing of single crystals

Номер патента: RU2133786C1. Автор: А.Е. Кох. Владелец: Институт минералогии и петрографии СО РАН. Дата публикации: 1999-07-27.

Preparation of single crystal of semiconductor

Номер патента: JPS5771894A. Автор: Kiyoshi Hisatomi,Yoshisato Hosoki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-04.

Control of pulling-up operation of single crystal

Номер патента: JPS62171985A. Автор: Masao Saito,Masayoshi Masuda,正夫 斉藤,Hiroshi Kongouji,Shiyouichi Abegawa,増田　正義,金剛寺　博,阿部川　正一. Владелец: NIPPON SILICON KK. Дата публикации: 1987-07-28.

Production of single crystal of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS6287477A. Автор: Seiji Mizuniwa,Michinori Wachi,三千則 和地,Mikio Kashiwa,幹雄 柏,清治 水庭,Masaya Onishi,大西　正哉. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1987-04-21.

Production of single crystal and production of sealer to be used for said production

Номер патента: JPS6452698A. Автор: Masayuki Mori,Hiromasa Yamamoto,Osamu Oda. Владелец: Nippon Mining Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Growing technique of single-crystal silicon from melt

Номер патента: RU2342473C1. Автор: Сергей Владимирович Алексеев,Хасан Ильич Макеев,Олег Сергеевич Алексеев,Марат Хасанович Макеев. Владелец: Марат Хасанович Макеев. Дата публикации: 2008-12-27.

Method and device for reducing internal stress of single crystal rod

Номер патента: CN101713100A. Автор: 林霞,汪健,张伟娜,南毅,郑智雄,胡满根. Владелец: NANAN SANJING SUNSHINE AND POWER Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Production of single crystal compounds

Номер патента: CA794545A. Автор: A. Ruehrwein Robert,V. Williams Forrest. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1968-09-10.

Production of single crystal silicon rod

Номер патента: JPS61227986A. Автор: Hirobumi Harada,博文 原田,Takao Abe,Hirotoshi Yamagishi,孝夫 阿部,浩利 山岸,泉 布施川,Izumi Fusegawa,Shuji Yokota,Keizo Yasutomi,敬三 安富,省三 白井,修二 横田,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-11.

Production of single-crystal diamond epitaxial large area films

Номер патента: RU2577355C1. Автор: Юрий Васильевич Гуляев,Галина Викторовна Чучева,Михаил Сергеевич Афанасьев,Павел Владимирович Минаков,Роман Абрамович Хмельницкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2016-03-20.

Energy-saving thermal field of single crystal furnace

Номер патента: CN203878236U. Автор: 章勇,李俊军,黄涛明. Владелец: NANTONG ZONGYI NOVEL MATERIALS Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Production of single crystal

Номер патента: JPH11106284A. Автор: Makoto Watanabe,誠 渡邊. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Device for prolonging service life of vacuum pump of single crystal furnace

Номер патента: CN101709504A. Автор: 林霞,张伟娜,南毅,马殿军,郑智雄,胡满根. Владелец: NANAN SANJING SUNSHINE AND POWER Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-19.

Thermal field exhaust device of single crystal furnace

Номер патента: CN201908153U. Автор: 施宇峰,査建洪,査如德. Владелец: JIANGYIN HUAYING PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Preparation of single crystal of compound semiconductor

Номер патента: JPS57123888A. Автор: Shoichi Washitsuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-02.

X-ray measuring method of single crystal axial orientation and device

Номер патента: JPH112614A. Автор: Masahiro Tsuchiya,光 越前屋,Hikari Echizenya,政博 土屋. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 1999-01-06.

Formation of single crystal thin film

Номер патента: JPS6313322A. Автор: Masao Nakao,中尾　昌夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-20.

Cooling device capable of increasing growth rate of single crystal furnace

Номер патента: CN102102219A. Автор: 张志强,黄振飞. Владелец: Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Manufacturing of single crystal of oxide for application to surface wave and piezo-electricity

Номер патента: JPS5388197A. Автор: Tsuguo Fukuda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-03.

Waste heat utilization device of cooling circulation system of single crystal furnace

Номер патента: CN211620667U. Автор: 何旭,韩永龙,高玉顺,宋生宏. Владелец: Solargiga Energy Qinghai Co ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

Welding equipment of single crystal furnace

Номер патента: CN217433540U. Автор: 吴云亚,潘燕萍. Владелец: Changzhou Lemeng Pressure Vessel Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

Production of single crystal

Номер патента: JPS5560093A. Автор: Tsuguo Fukuda,Toshiharu Ito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Water distributor for cooling tower of single crystal furnace

Номер патента: CN212538944U. Автор: 张朋,李若俊. Владелец: Wafer Works (yangzhou) Corp. Дата публикации: 2021-02-12.

Device for forming thin film of single crystal

Номер патента: JPS62288192A. Автор: Tetsuo Ishida,Sumio Sakai,哲夫 石田,Shunichi Murakami,俊一 村上,Akira Nadaguchi,酒井　純朗,灘口　明. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1987-12-15.

Preparation of single crystal having incongruent composition

Номер патента: JPS53134778A. Автор: Shinji Esashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-11-24.

Manufacture of single crystal thin film

Номер патента: JPS60221385A. Автор: Yoshio Ito,Akio Yamamoto,Masashi Yamaguchi,真史 山口,Zeio Kamimura,義夫 伊藤,税男 上村,▲あき▼勇 山本. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-11-06.

Production of single crystal and production apparatus

Номер патента: JPH11199375A. Автор: Kazuhiro Yagihashi,和弘 八木橋. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Device for growing of single crystals of silicon by czochralski method

Номер патента: RU2382121C1. Автор: Михаил Григорьевич Мильвидский,Анатолий Иванович Простомолотов,Наталия Анатольевна Верезуб,Вилен Юльевич Жвирблянский. Владелец: Институт химических проблем микроэлектроники (ИХПМ). Дата публикации: 2010-02-20.

Method of reducing lattice defects of single crystal

Номер патента: JPS5333569A. Автор: Takanori Hayafuji,Seiji Kawato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-03-29.

Preparation method of single crystal silver telluride nanotubes with uniform size

Номер патента: CN112680778A. Автор: 仲斌年,张林慧. Владелец: Qinghai University. Дата публикации: 2021-04-20.

DEVICE FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS FROM MELTING

Номер патента: SU988008A1. Автор: А.П. Васильев,В.Ю. Жвирблянский,Ю.А. Березин,Г.Б. Дранкин. Владелец: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности. Дата публикации: 1999-07-10.

BATTLE FOR CULTIVATION OF SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU811884A1. Автор: А.А. Гамазов. Владелец: Кубанский государственный университет. Дата публикации: 2004-07-27.

Cooling structure of single crystal furnace cover

Номер патента: CN201785551U. Автор: 张勇. Владелец: ANHUI SINOTECH SOLAR ENERGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Upper furnace chamber of blast furnace chassis of single crystal furnace

Номер патента: CN212713837U. Автор: 倪建刚. Владелец: Zhejiang Haoxiang Precision Machinery Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Production method of single crystal silicon film

Номер патента: JPS5212569A. Автор: Yoshihiro Imamura,Katsuhiko Ohora. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-01-31.

Device for preparation of single crystals

Номер патента: RU2328559C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-07-10.

Production of single crystal

Номер патента: JPS5515939A. Автор: Tsuguo Fukuda,Toshiharu Ito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-02-04.

Furnace detaching device for graphite thermal field of single crystal furnace

Номер патента: CN202297855U. Автор: 王煜辉. Владелец: CHANGZHOU H-NENG PV CO LTD. Дата публикации: 2012-07-04.

Growing method of single crystal by floating-zone method

Номер патента: JPS56145197A. Автор: Kenichi Shiraki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-11.

Method of polarization of single crystals of lithium niobate of orientation

Номер патента: PL136674B1. Автор: Izabella Pracka,Marek Swierkowicz,Zbigniew Kierlanczyk. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1986-03-31.

Production of single crystal

Номер патента: JPS55104995A. Автор: Tsuguo Fukuda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-11.

Apparatus adapted for cultivating of single crystals

Номер патента: CS186987B1. Автор: Cestmir Barta,Oldrich Liska,Emil Ryttnauer,Jan Zemlicka,Stepan Sitta. Владелец: Stepan Sitta. Дата публикации: 1978-12-29.

Manufacturing method of single-crystal diamond array wafer

Номер патента: TW200805432A. Автор: Yen-Kang Liu,Jung-Che Hsieh. Владелец: Kinik Co. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of polarization of single crystals of lithium niobate of orientation

Номер патента: PL237159A1. Автор: Izabella Pracka,Marek Swierkowicz,Zbigniew Kierlanczyk. Владелец: Inst Tech Material Elekt. Дата публикации: 1984-01-02.

Improvements in or relating tothe preparation of single crystals of silicon

Номер патента: AU209318B2. Автор: Edwin Bradshaw and Abraham Isaac Elavsky Stanley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-02-28.

Production of single crystals of germanium

Номер патента: AU3878850A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1951-02-22.

Production of single crystals of germanium

Номер патента: AU156054B2. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1951-02-22.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL237181A1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1984-01-02.

Production of single crystal boron phosphide

Номер патента: AU240728B2. Автор: Dean Stone and Robert Arthur Ruehrwein Bobbie. Владелец: Monsanto Chemical Co. Дата публикации: 1961-01-12.

Remote monitoring/operating device of single crystal pulling apparatus

Номер патента: TW200736419A. Автор: Shigeki Kawashima,Kenichi Nishioka,Kengo Hayashi,Toshiro UMEKI. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 2007-10-01.

High intensity discharge lamp with single crystal sapphire envelope

Номер патента: AU2002242006A1. Автор: Bernard J. Eastlund,Maurice E. Levis. Владелец: Gem Lighting LLC. Дата публикации: 2003-04-14.

Step bunch single crystal sapphire tilted substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4278996B2. Автор: 護 吉本,敦子 竹内,浩司 小山,敏郎 古滝,和彦 砂川,洋一 矢口,輝夫 黒岩. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Method and apparatus for cutting single crystal sapphire substrate

Номер патента: JP5042112B2. Автор: 秀樹 小川,剛司 山口. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Powdered alpha-aluminium oxide, method of preparing said oxide and objects therefrom

Номер патента: RU2386589C1. Автор: Олег Павлович СОЛОНЕНКО,Алексей Михайлович Леончиков,Фридрих Васильевич Недосекин,Елена Витальевна Ефимова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КЕДР". Дата публикации: 2010-04-20.

Method for for producing a glass-crystalline materials based on pearlitic material

Номер патента: PL398641A1. Автор: Paweł Pichniarczyk,Elzbieta Zelazowska,Jozef Zawila,Sebastian Sacha,Joanna Rybicka-Łada,Marian Kwiecień,Piotr Majkrzak. Владелец: Zakład Surowców Chemicznych I Mineralnych Piotrowice Ii Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2013-09-30.

Preparation method of sheet-shaped alpha-aluminium oxide

Номер патента: CN103359764A. Автор: 董威威,朱世根,徐梦廓,许新军,宋月蓉. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-23.

Preparation method of mono dispersion nano-alpha aluminium oxide particle powder

Номер патента: CN100427395C. Автор: 秦勇,李建功,杜雪莲,沈利亚,寇昕莉. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-10-22.

Alpha-aluminium oxide powder speciallty for electronic ceramic casting forming

Номер патента: CN1278937C. Автор: 马淑云. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-11.

Method of analysing alpha-aluminium oxide based binding material (rapid method)

Номер патента: RU2477452C1. Автор: Владимир Александрович Полубояров,Зоя Алексеевна Коротаева,Ирина Анатольевна Паули,Денис Игоревич Исаков. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения РАН (ИХТТМ СО РАН). Дата публикации: 2013-03-10.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DERMAL MICRO-ORGANS, METHODS AND APPARATUSES FOR PRODUCING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120003276A1. Автор: Bellomo Stephen F.,Lippin Itzhak,Piva Guillermo Alberto,Rosenberg Lior,Bukhman Mordechay,Stern Baruch S.,Shalhevet David,Shavitt Menachem D.,Pearlman Andrew L.,Shani Noam,Almon Einat. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIAGNOSTIC METHODS FOR DISEASES BY SCREENING FOR HEPCIDIN IN HUMAN OR ANIMAL TISSUES, BLOOD OR BODY FLUIDS, MONOCLONAL ANTIBODIES SPECIFIC TO HUMAN HEPCIDIN AND ASSOCIATED USES THEREFOR

Номер патента: US20120003696A1. Автор: . Владелец: DRG INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED EDGE TRIGGERING IN A TEST AND MEASUREMENT INSTRUMENT

Номер патента: US20120001657A1. Автор: SULLIVAN Stevens K.,BEALE Terrance R.,VEITH Kristie L.. Владелец: TEKTRONIX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FAST SCENE MATCHING

Номер патента: US20120002868A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING [1,2,3,4]-TETRAZINO-[5,6-e]-[1,2,3,4]-TETRAZINO-1,3,6,8-TETRAOXIDE

Номер патента: RU2593993C1. Автор: Владимир Александрович Тартаковский,Михаил Сергеевич Кленов,Александр Михайлович Чураков,Алексей Андреевич Гуськов,Олег Васильевич Аникин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2016-08-10.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETOXIFICATION AND CANCER PREVENTION

Номер патента: US20120003340A1. Автор: . Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Enabling a Scalable Transformation of Diverse Data into Hypotheses, Models and Dynamic Simulations to Drive the Discovery of New Knowledge

Номер патента: US20120004893A1. Автор: Yu Bin,Wang Jijun,VAIDYANATHAN Akhileswar Ganesh,PRIOR Stephen D.. Владелец: QUANTUM LEAP RESEARCH, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS, SYSTEMS AND METHOD FOR COLLECTING AND RECLAIMING ANAESTHETIC AGENTS AND FOR REMOVING NITROUS OXIDE FROM EXHAUST GASES

Номер патента: US20120000549A1. Автор: Hunt Barry W.,Jarrett Todd Eric,Thorne Damian Ross,Ahchong Katrina Marie,Carr Dean Paul,Vazquez Cesar Laurentino Martinez. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR PREDICTING AUTOIMMUNE DISEASE RISK

Номер патента: US20120003228A1. Автор: Smith Ken,Lyons Paul,McKinney Eoin. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOUNDS, COMPOSITIONS AND METHODS FOR REDUCING LIPID LEVELS

Номер патента: US20120004223A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR SYNCHRONIZING DATA RECEIVED FROM MULTIPLE SENSOR MODULES IN A PATIENT MONITOR SYSTEM

Номер патента: US20120004516A1. Автор: Menzel Frank,Eng William,Zahner Daniel A.. Владелец: MINDRAY DS USA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.