一种单晶铜键合金丝高效清洗装置.

一种单晶铜键合金丝高效清洗装置

Номер патента: CN110624976A
Опубликовано: 31-12-2019
Автор(ы): 刘洪�
Принадлежит: Chongqing Runjin New Material Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20190218685A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-07-18.

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20170241042A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2017-08-24.

Container made of single-layer spiral bent sheet metal strip

Номер патента: RU2604458C2. Автор: Хавьер ЛИПП. Владелец: Хавьер ЛИПП. Дата публикации: 2016-12-10.

Method and device for metal belt cleaning

Номер патента: RU2357809C2. Автор: Ханс Георг ХАРТУНГ,Маттиас КРЕЧМЕР. Владелец: Смс Демаг Аг. Дата публикации: 2009-06-10.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: CA3206782A1. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: US12044288B2. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: CA3114167C. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High-efficient belt cleaning device of overlength line facula laser

Номер патента: CN109465542B. Автор: 徐杰,郭鑫民,郭斌,张东赫,单德彬,张建隆,卢开昌. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-01-07.

High-efficient belt cleaning device of oil tank

Номер патента: CN109647824B. Автор: 李旭,陈辉,刘为民,邱玲,易先中,屈人伟,夏成宇,梁福元,文凤余,勒卫东. Владелец: Sinopec Shengli Oilfield Co Gudao Oil Extraction Plant. Дата публикации: 2021-08-06.

High-efficient belt cleaning device of garbage bin for environmental protection

Номер патента: CN113578888B. Автор: 陈薇. Владелец: Hefei Jinglong Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-30.

High-efficient belt cleaning device of irregular vase

Номер патента: CN110695028A. Автор: 吕兆微. Владелец: Shenzhen Mingjian Commodity Co ltd. Дата публикации: 2020-01-17.

A high-efficient belt cleaning device for digit control machine tool

Номер патента: CN111921963A. Автор: 史俊伟,陈章良. Владелец: Shandong Technology and Business University. Дата публикации: 2020-11-13.

High-efficient belt cleaning device in surface is used in motor shaft production

Номер патента: CN111790655A. Автор: 赖剑峰,张金新. Владелец: Huian Chaixin Auto Parts Center. Дата публикации: 2020-10-20.

High-efficient belt cleaning device that carbon-fibre composite goods were used

Номер патента: CN113102346B. Автор: 王聪. Владелец: Hunan Yuxin Precision Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-03-04.

High-efficient belt cleaning device is used to car industry standard spare

Номер патента: CN109465217B. Автор: 李明军. Владелец: Jingjiang Yikai Ventilation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

High-efficient belt cleaning device is used to hydrovalve

Номер патента: CN111282879B. Автор: 何淑伟. Владелец: Jiangsu Xinrui Automobile Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

HIGH-EFFICIENCY BELT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210062892A1. Автор: Moss Tom,Gerring Douglas,Spring Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

High-efficiency belt and its manufacturing method

Номер патента: KR20210002689A. Автор: 더글라스 게링,카일 스프링,톰 모스. Владелец: 게이츠 코포레이션. Дата публикации: 2021-01-08.

High efficiency belt and method of making the same

Номер патента: CN112020615B. Автор: D·格林,K·斯普林,T·莫斯. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: CA3114167A1. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3759376B1. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

High-efficiency belt and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3957877B1. Автор: Kyle Spring,Tom Moss,Douglas Gerring. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Pad conditioner with pyramids of single-crystal diamond

Номер патента: US20240198481A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230054939A1. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US12129570B2. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Single-crystal turbine blade, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2498082C2. Автор: Рено МАРТЕ,Стефани Доминик РОЖЕ,Патрик Жозеф Мари ЖИРАР,Жан-Клод Марсель Огюст АННИ,Ольвье Шарль Анри МАССИ,Филипп Жан-Пьер ПАБЬОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: EP2798680A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: Microfine Materials Technologie Pte Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: WO2013100860A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: MICROFINE MATERIALS TECHNOLOGIES PTE LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Single crystal quantum dots sers chip

Номер патента: WO2024167463A1. Автор: Andrivo RUSYDI,Eng Soon TOK,Bin Leong Edwin ONG,Shermine HO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of single-crystal growth and device for its implementation

Номер патента: RU2638850C1. Автор: Андрей Игоревич Горунов. Владелец: Андрей Игоревич Горунов. Дата публикации: 2017-12-18.

Process for manufacturing synthetic single crystal diamond material

Номер патента: CA2866758C. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits,Dietrich Borse,Eugen GURA. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Pseudo-substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: US12112976B2. Автор: Oleg Kononchuk,Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-08.

Soaking machine of single-crystal X-ray structure analysis sample, and soaking method therefor

Номер патента: US12055501B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of making a single crystals Ga*N article

Номер патента: US5679152A. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of making single crystal gallium nitride

Номер патента: WO1995020695A1. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1995-08-03.

Bulk single crystal gallium nitride and method of making same

Номер патента: US20010008656A1. Автор: Robert P. Vaudo,Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-19.

Process for fabricating a network of nanometric lines made of single-crystal silicon and device obtained

Номер патента: US6583451B2. Автор: Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-06-24.

Elevator traction belt cleaning device and elevator system

Номер патента: EP4174010A1. Автор: Wei Wang,Ming Zhang. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2023-05-03.

Cleaning device for traction belt of elevator and elevator system

Номер патента: US20230129178A1. Автор: Wei Wang,Ming Zhang. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of single-crystal stubs production

Номер патента: RU2602584C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Валерий Анатольевич Михайлов,Сергей Германович Хаютин,Сергей Игоревич Полянский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственный центр газотурбостроения "Салют" (АО "НПЦ газотурбостроения "Салют"). Дата публикации: 2016-11-20.

Integral turbine composed of a cast single crystal blade ring diffusion bonded to a high strength disk

Номер патента: EP1728971A1. Автор: Thomas E. Strangman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

Stable dispersion of single-crystal of silver nanoparticles

Номер патента: RU2593311C2. Автор: Семён МЕЛАМЕД,ЛА ВЕГА Фернандо ДЕ,БАР ДЖОШУА Ганит ШТЕР,Реувен ГЕВА,Моше Линк. Владелец: П.В. Нано Селл Лтд.. Дата публикации: 2016-08-10.

A method of welding single crystals

Номер патента: CA2423146C. Автор: Jürgen Betz. Владелец: Sulzer Markets and Technology AG. Дата публикации: 2006-05-30.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230234169A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method of single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230381894A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing alpha-aluminium oxide for subsequent growth of single-crystal sapphire

Номер патента: RU2742575C1. Автор: Эдуард Напалионович Мкртумян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Империус Групп". Дата публикации: 2021-02-08.

Conveyor Belt Cleaning Device and System

Номер патента: US20170057752A1. Автор: Willem Veenhof. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-02.

Conveyor belt cleaning device and system

Номер патента: US09981807B2. Автор: Willem Veenhof. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-29.

Stabilizing towing device of single-axle trailer with variable inclination of kingpin

Номер патента: RU2767088C1. Автор: Юрий Николаевич Строганов,Оксана Юрьевна Строганова,Павел Михайлович Созинов,Антон Юрьевич Михеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2022-03-16.

Manufacturing a component of single crystal or directionally solidified material

Номер патента: EP2751304A1. Автор: Detlef Haje,Anthony Davis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-07-09.

High pressure high temperature (hpht) method for the production of single crystal diamonds

Номер патента: EP2379214A1. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: EP4234154A3. Автор: Todd Jay Rockstroh,Douglas Gerard Konitzer,William Thomas Carter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-13.

Apparatus and method for direct writing of single crystal super alloys and metals

Номер патента: EP4234154A2. Автор: Todd Jay Rockstroh,Douglas Gerard Konitzer,William Thomas Carter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-08-30.

Amorphous phase modification apparatus and processing method of single crystal material

Номер патента: US20240075558A1. Автор: Chien Chung LEE,Chia-Chi Tsai,I-Ching Li,Shang-Chi WANG,Bo-Kai Wang. Владелец: Mradian Femto Sources Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Synthesis of single-crystal nickel-rich cathode materials using flame-assisted spray pyrolysis

Номер патента: WO2023172830A3. Автор: Jianan ZHANG,Sili Deng,Valerie L. Muldoon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-02.

Synthesis of single-crystal nickel-rich cathode materials using flame-assisted spray pyrolysis

Номер патента: WO2023172830A2. Автор: Jianan ZHANG,Sili Deng,Valerie L. Muldoon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-09-14.

Layered manufacturing of single crystal alloy components

Номер патента: CA2930572C. Автор: David Henry Abbott,Todd Jay Rockstroh,Michael Francis Xavier Gigliotti, Jr.,William Thomas Carter,Rajendra Madhukar Kelkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-07-02.

Shell mold casting chamber, casting furnace, and single-crystal, small-crystal, and non-crystal casting method

Номер патента: RU2746111C1. Автор: Джингчен Чжао. Владелец: Джингчен Чжао. Дата публикации: 2021-04-07.

Cleaning device and method for cleaning the sieve for sifting

Номер патента: RU2747396C1. Автор: Энтони Дж. Липа. Владелец: ДЕРРИК КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for isothermal brazing of single crystal components

Номер патента: CA2385821C. Автор: John Fernihough,Maxim Konter,Alexander Schnell. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2010-12-21.

Eutectic bonding of single crystal components

Номер патента: CA2291191A1. Автор: Jeremiah J. Fitzgibbon,Scott R. Axelson,Herbert E. Bates,Joseph M. Collins,John W. Locker,Brian J. Mcandrews. Владелец: Saphikon Inc.. Дата публикации: 1998-12-17.

Single-crystal apatite nanowires sheathed in graphitic shells and synthesis method thereof

Номер патента: EP2508471A3. Автор: Jung Hoon Lee,Nam Jo Jeong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2012-12-05.

Single Crystal Silicon Membrane with a Suspension Layer, Method for Fabricating the Same, and a Micro-Heater

Номер патента: US20130062738A1. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Device for producing large-sized castings with directional and single-crystal structure

Номер патента: RU2754215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Елена Михайловна Висик,Максим Георгиевич Мин,Евгений Викторович Колядов,Владимир Сергеевич Тартанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2021-08-30.

Cleaning device and a method for cleaning surfaces from harmful deposits

Номер патента: RU2658064C1. Автор: Павел Евгеньевич Пособило. Владелец: Павел Евгеньевич Пособило. Дата публикации: 2018-06-19.

Conveyor belt cleaning device adapted with modular cleaning heads

Номер патента: EP4299487A2. Автор: Gregory Wyatt,Joseph Franzino,Timothy J. Kane,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Conveyor belt cleaning device adapted with modular cleaning heads

Номер патента: EP4299487A3. Автор: Gregory Wyatt,Joseph Franzino,Timothy J. Kane,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2024-01-17.

Conveyor belt cleaning device adapted with modular cleaning heads

Номер патента: AU2023202166A1. Автор: Gregory Wyatt,Timothy Kane,Joseph Franzino,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Conveyor belt cleaning device having modularity and real-time cleaning adjustments based on sensory input

Номер патента: AU2023202168A1. Автор: Gregory Wyatt,Timothy Kane,Joseph Franzino,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Conveyor belt cleaning device having modularity and real-time cleaning adjustments based on sensory input

Номер патента: EP4261160A1. Автор: Gregory Wyatt,Joseph Franzino,Timothy J. Kane,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-18.

Conveyor belt cleaning device having modularity and real-time cleaning adjustments based on sensory input

Номер патента: GB2617702A. Автор: J Kane Timothy,Barnes Russell,Folchi Robert,Reyes Evan,Wyatt Gregory,Franzino Joseph. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Single crystal silicon membrane with a suspension layer, method for fabricating the same, and a micro-heater

Номер патента: US8895448B2. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2014-11-25.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Conveyor belt cleaning device controllable by a control panel

Номер патента: EP4260956A1. Автор: Gregory Wyatt,Joseph Franzino,Timothy J. Kane,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-18.

Conveyor belt cleaning device controllable by a control panel

Номер патента: AU2023202167A1. Автор: Gregory Wyatt,Timothy Kane,Joseph Franzino,Evan Reyes,Russell Barnes,Robert Folchi. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Substrate for forming a single crystal layer and method of preparing a single crystal layer using the substrate

Номер патента: US20160273127A1. Автор: Noriyuki Yoshimoto,Naotoshi Suganuma,Ryosuke Kamiya. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for cleaning a washing device of an offset printing machine and a cleaning device for carrying out said method

Номер патента: US20050103361A1. Автор: Hermann Leufgens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Manufacturing method of copper bonded part

Номер патента: US20190054538A1. Автор: Jun Kato,Koichi Kita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US10937857B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-02.

Belt cleaning system for a portable belt sander

Номер патента: EP1773543A1. Автор: Peter Wanninkhof. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-04-18.

Cleaning device for sealing portion of panel of color cathode ray tube.

Номер патента: MY104705A. Автор: Lim Ki-Taek. Владелец: Samsung Electron Devices Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-31.

Control method of multi-zone rectifier-inverter converter of single-phase alternating current

Номер патента: RU2716493C1. Автор: Станислав Васильевич Власьевский,Виктор Васильевич Семченко,Олег Викторович Мельниченко. Владелец: Акционерное общество "ДОРОЖНЫЙ ЦЕНТР ВНЕДРЕНИЯ КРАСНОЯРСКОЙ ЖЕЛЕЗНОЙ ДОРОГИ". Дата публикации: 2020-03-12.

Method of single or double translation for preparation and transfer of clearly outlined single elements to protected objects

Номер патента: RU2728248C2. Автор: Пауль Ф. КОТЕ,Даниел ЕАГЕР,Тодд ШЕКСНАЙДЕР. Владелец: Кране Секьюрити Технолоджис, Инк.. Дата публикации: 2020-07-28.

Print head for inkjet printing, method of its manufacture, inkjet printing device, and method of electric separation of single sections of print head for inkjet printing

Номер патента: RU2578122C2. Автор: Такуя ХАЦУИ,Юдзуру ИСИДА,Макото САКУРАИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-03-20.

Conveyor belt cleaning device adapted with modular cleaning heads

Номер патента: GB2617701A. Автор: J Kane Timothy,Barnes Russell,Folchi Robert,Reyes Evan,Wyatt Gregory,Franzino Joseph. Владелец: Crossford International LLC. Дата публикации: 2023-10-18.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240229295A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Air filter cleaning device and medical imaging system

Номер патента: US20230211274A1. Автор: Ying Zhang,Jie Wang,Hongyu Zhao,Yalan Yang. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Cleaning device of the hull of a ship

Номер патента: WO2010058437A1. Автор: Sergio Rinaldi. Владелец: Sergio Rinaldi. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for preparing high-nickel, high-zinc and high-water single-crystal diopside under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503141B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

Ink cleaning device of the inkjet printer

Номер патента: US20040223026A1. Автор: Kuan Chiun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: US20220281214A1. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Ink cleaning device of the inkjet printer

Номер патента: US7237867B2. Автор: Kuan Ta Chiun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-03.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: WO2018009712A3. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NUtech Ventures. Дата публикации: 2018-02-08.

Repair of a single crystal nickel based superalloy article

Номер патента: EP1258312A3. Автор: Norman Pietruska,David J. Kline. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: US20190162865A1. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Process and technical arrangement to produce in series single crystal penetrator rods of an alloy of 40wt% tungsten-40wt% titanium-20wt% osmium to replace depleted uranium which causes after use hazardous environmental problems

Номер патента: US20110189325A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for polishing single-crystal diamond

Номер патента: US20220241927A1. Автор: Jing Lu,Ping Xiao,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Vehicle-mounted sensor cleaning device and vehicle-mounted sensor cleaning system

Номер патента: US12109981B2. Автор: Kento Hashimoto,Soya Torii. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Metastable single-crystal rare earth magnet fine powder and method for producing same

Номер патента: US12121963B2. Автор: Kenta Takagi,Yusuke Hirayama,Akihide HOSOKAWA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing a pressure vessel for growing single crystals

Номер патента: US09926642B2. Автор: Yoshihiko Yamamura,Osamu Wakao,Yuji Sasagawa,Keiichiro Matsushita,Shigeharu Akatsuka. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Device and method of single-piece sorting valuable documents and also system of processing valuable documents

Номер патента: RU2637814C2. Автор: Юлиан МЮЛЛЕР. Владелец: Гизеке +Девриент Каренси Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for quick conversion of single-strand slab installation of continuous casting into multi-strand grade continuous casting plant and vice versa

Номер патента: RU2689259C2. Автор: Йохан ПЕНН,Томас ПЕНН. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2019-05-24.

Stabilized housing of single-hull motor vessel using surfacing on water cushion, with deeply immersed support element

Номер патента: RU2708813C1. Автор: Игнат Михайлович Водопьянов. Владелец: Игнат Михайлович Водопьянов. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for layer-by-layer printing of single-color and multi-color articles

Номер патента: RU2692895C1. Автор: Петр Петрович Усов. Владелец: Петр Петрович Усов. Дата публикации: 2019-06-28.

Device to retain components in method for repair of single-block turbine wheel blade

Номер патента: RU2446931C2. Автор: Жерар ДЕРРЬЕН,Клод Андре Шарль ПАНЬОН,Стефан КЕРНЕИ,СЭН Жак Франсуа ЛЕ. Владелец: Снекма Сервис. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on chirality

Номер патента: SG94876A1. Автор: Monika H Schleier-Smith,James C Ellenbogen. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Automatic cleaning device of food frying machines

Номер патента: US20200375398A1. Автор: Chia-I PAN. Владелец: O View Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Directed flow method and system for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on helicity

Номер патента: WO2005035089A3. Автор: Monika H Schleier-Smith,James C Ellenbogan,Vincent H Crespi,Aleksey N Kolmogorov. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Directed flow method and system for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on helicity

Номер патента: WO2005035089A2. Автор: James C. Ellenbogen,Monika H. Schleier-Smith,Vincent H. Crespi,Aleksey N. Kolmogorov. Владелец: The Mitre Corporation. Дата публикации: 2005-04-21.

Directed flow method and system for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on helicity

Номер патента: EP1667777A4. Автор: Monika H Schleier-Smith,James C Ellenbogen,Vincent H Crespi,Aleksey N Kolmogorov. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Oil Cleaning Device of an Engine Oil Circuit

Номер патента: US20140378289A1. Автор: Martin Weindorf,Marco Schweikart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Cleaning device

Номер патента: RU2401640C1. Автор: Даниель БРОМАН,Маттиас МИКАЭЛЬССОН. Владелец: Смарт Продактс Скандинавиа Аб. Дата публикации: 2010-10-20.

Optimised production of single-unit impeller by abrasive water jet

Номер патента: RU2534904C2. Автор: Серж БЕРЛАНЖЕ,Перрин ДЕ ЛЯ РЮПЕЛЛЬ,Митч МИЛЛЕР,Уилльям ПИРСОН,Марк СТРОМБЕРГ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2014-12-10.

Device for transporting a production module and floating it on a stationary marine support base of single-column type

Номер патента: RU2719053C1. Автор: Андрей Владимирович Гуменюк,Сергей Владимирович Вербицкий,Павел Андреевич Лопашев,Александра Валерьевна Ермолина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2020-04-17.

Diamond single crystals, a process of manufacturing and tools for using same

Номер патента: US4544540A. Автор: Kazuo Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-01.

Device for automatically maintaining a rotary electrode composed of single wires of a predetermined diameter

Номер патента: US3924096A. Автор: Nadejda Stefanova Yanakieva,Dragomirov Papazov. Владелец: DSO E L P R O M BU197303232307. Дата публикации: 1975-12-02.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for producing diamond tool intermediate and method for determining single crystal diamond

Номер патента: EP4269004A1. Автор: Kiichi Meguro,Masayuki Nishizawa. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2023-11-01.

Single-crystal metal film by solid-state crystal growth of seed crystals, large-area single-layer or multilayer graphene with adjusted orientation angle using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230340693A1. Автор: Ho Bum Park,Ji Soo ROH,Jun Kyu JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-26.

Laminate, single crystal diamond substrate and method of producing same

Номер патента: US20230349070A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Aoi Morishita,Wenxi Fei. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US8263965B2. Автор: Yves Campidelli,Daniel Bensahel,Oliver Kermarrec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-09-11.

Methods for growing carbon nanotubes on single crystal substrates

Номер патента: WO2007047949A3. Автор: Zhifeng Ren,Dezhi Wang,Guangyong Xiong,Baoqing Zeng. Владелец: Baoqing Zeng. Дата публикации: 2009-04-30.

Automatic cleaning device of pattern jig after laser notching

Номер патента: US20240157405A1. Автор: Kye-seol LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for preparing aqueous solutions of single titanium oxide nanotubes and aqueous solutions of nanotubes obtained with such method

Номер патента: EP2328843A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Zennaro Lucio. Дата публикации: 2011-06-08.

Method for preparing aqueous solutions of single titanium oxide nanotubes and aqueous solutions of nanotubes obtained with such method

Номер патента: WO2010026550A1. Автор: Marina Scarpa,Adelio Rigo,Giuseppe Tognon,Fabio Vianello,Massimiliano Magro,Lucio Zennaro. Владелец: Consorzio Interuniversitario "Istituto Nazionale Di Biostrutture E Biosistemi". Дата публикации: 2010-03-11.

Single-Crystal Semiconductor Layer with Heteroatomic Macronetwork

Номер патента: US20070248818A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-10-25.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US20110108801A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-05-12.

Micro-nano 3d printing device with multi-nozzles jet deposition driven by electric field of single flat plate electrode

Номер патента: US20230226760A1. Автор: Quan Xu,Jiawei ZHAO,Guangming Zhang,Xiaoyang Zhu,Hongbo Lan,Dichen Li,Jiankang HE. Владелец: Qingdao 5D Intelligent Additive Manufacturing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240287706A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Single crystal engine valve

Номер патента: WO2016148806A1. Автор: Mark Veliz,Mark Geissler. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-09-22.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20140191370A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Conveyor belt cleaning system

Номер патента: AU2021107237A4. Автор: Harrison Miller,Daven Quintana. Владелец: Fortescue Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

A microfluidic pipeline for isolation and analysis of single viruses

Номер патента: US20240301517A1. Автор: Ho Cheung Shum,Lit Man Poon,Lang NAN,Man Yuk Alison LAI. Владелец: Advanced Biomedical Instrumentation Centre Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Printhead having a number of single-dimensional memristor banks

Номер патента: US09950520B2. Автор: Ning Ge,Leong Yap CHIA,Pin Chin LEE. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for unitary graphene layer or graphene single crystal

Номер патента: US09890469B2. Автор: Wei Xiong,Aruna Zhamu,Bor Z. Jang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Device for producing castings of turbine nozzle blades with a directional and single-crystal structure

Номер патента: RU2756073C1. Автор: Анатолий Владимирович Малеев,Александр Владимирович Шилов,Виталий Анатольевич Сафронов. Владелец: Акционерное общество «ОДК-Авиадвигатель». Дата публикации: 2021-09-27.

Helicopter and method of control of single-rotor helicopter

Номер патента: RU2238221C2. Автор: В.И. Овчинников,Е.В. Бусыгин,В.Д. Шершуков,А.И. Степанов,Г.Ю. Шацкий,Н.А. Назаров,И.С. Бугаков,В.А. Ивчин,В.К. Якубов,М.Ю. Костров,А.П. Лаврентьев. Владелец: Открытое акционерное общество "Казанский вертолетный завод". Дата публикации: 2004-10-20.

Method of casting single crystal metal article

Номер патента: CA1160545A. Автор: Constantine Vishnevsky,Thomas A. Kolakowski. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1984-01-17.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US20230364714A1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and apparatus for processing a single crystal blank

Номер патента: US20240018690A1. Автор: Manuel Kruse. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Single-crystal diamond and production method therefor

Номер патента: EP4317545A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same

Номер патента: US11781244B2. Автор: Takanori Kido,Masatake Nagaya,Hidetaka Takaba. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US20180051048A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US10385086B2. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-08-20.

LARGE DIAMETER, HIGH QUALITY SiC SINGLE CRYSTALS, METHOD AND APPARATUS

Номер патента: EP2852699A1. Автор: Ping Wu,Xueping Xu,Thomas E. Anderson,Avinash K. Gupta,Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US11865641B1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Single-crystal beta-Ga2O3 MSM detector and preparation method thereof

Номер патента: US11735683B1. Автор: Peng Yao,ZHEN Wang,Jun Wang,Bin Zou,Zhenyu Shi,Dun Liu,Long TIAN,Hongtao Zhu,Chuanzhen HUANG,Hanlian LIU,Longhua XU,Shuiquan HUANG,Minting Wang,Meina Qu,Zhengkai Xu,Yabin Guan. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing diamond tool intermediate and method of making determination for single-crystal diamond

Номер патента: US11878354B2. Автор: Kiichi Meguro,Masayuki Nishizawa. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2024-01-23.

High-efficient belt cleaning device of egg product

Номер патента: CN218681188U. Автор: 王敏,丁鑫,王世兴,汤瑞. Владелец: Shangrao Xingtian Ecological Agriculture Development Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

A high-efficient belt cleaning device for rubber tire production

Номер патента: CN218251738U. Автор: 吴建勇,孙清峰,刘洪相,孔令美,刘军贤. Владелец: Huai'an Changfeng Electromechanical Equipment Co ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

High efficiency belt cleaning device for metal surface treatment

Номер патента: CN217191257U. Автор: 李喆,宋超,赵仲程. Владелец: Changchun Jingong Surface Engineering Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

A high-efficient belt cleaning device that is used for product oil ship generator set fan heat piece

Номер патента: CN217616327U. Автор: 陈飞. Владелец: Qidong Jisheng Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

Crystal pulling device of hard shaft single crystal furnace

Номер патента: CN114395792B. Автор: 郑丽霞,叶雷江,梁晋辉,叶钢飞,陆关斌,郑坚超. Владелец: Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Growing device of multilayer organic single crystal structure

Номер патента: CN109423696B. Автор: 孟鸿,魏潇赟,后藤修,陈默,曾兴为. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2021-07-23.

Production method and production device of silicon carbide single crystal

Номер патента: TW201938854A. Автор: 池田均,青山徹郎,高橋亨. Владелец: 日商信越半導體股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Method for clonal-growth of single-crystal metal

Номер патента: US20220136134A1. Автор: Zhibin Zhang,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Muhong Wu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Fine gold wire for semiconductor bonding

Номер патента: GB2181157A. Автор: Yasuo Fukui,Hiromi Yamamoto,Kiochiro Mukoyama. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1987-04-15.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Apparatus for preparing a single crystal comprising a volatilization chamber and a plurality of crystal pieces fixed by combined fixtures located in a solid connection chamber

Номер патента: US12098478B2. Автор: Yang Wang,Jian Jiang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-09-24.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Device of autonomous energy supply with barrage light module

Номер патента: RU2669992C1. Автор: Юрий Владимирович Безруков,Владимир Вячеславович Щамель,Роман Вячеславович Жуков,Кирилл Васильевич Перепелов. Владелец: Кирилл Васильевич Перепелов. Дата публикации: 2018-10-17.

Heat shield structure for single crystal production furnace and single crystal production furnace

Номер патента: US20220002898A1. Автор: ZHAN Li,Tao Wei,XING Wei,Yun Liu,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Single-crystal spinel plate

Номер патента: RU2335582C2. Автор: Милэн КОКТА,Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ,Ханг ОНГ,Роберт СИНК. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2008-10-10.

Heater In Hot-Zone of Single Crystal Pulling Apparatus and Single Crystal Pulling Apparatus

Номер патента: US20230349066A1. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Single crystal shape memory alloy devices and methods

Номер патента: WO2005108635A3. Автор: . Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2007-01-18.

Sic single crystal and method of its production

Номер патента: RU2160329C1. Автор: Китий ТАНИНО,Китийя ТАНИНО. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. Дата публикации: 2000-12-10.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20230272551A1. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20160248395A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12065756B2. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Silver thiogallate single crystal layers epitaxially grown from potassium chloride-silver thiogallate solution

Номер патента: WO1985005135A1. Автор: Anthony L. Gentile,Sanat R. Sashital,Robert L. Joyce. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-11-21.

Cvd single crystal diamond

Номер патента: EP4419742A1. Автор: Stephanie Liggins,Andrew Mark EDMONDS,Douglas John GEEKIE,William Joseph Hillman,Benjamin Simon Truscott. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US12084785B2. Автор: Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device

Номер патента: US09917568B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Single crystal diamond

Номер патента: US09816202B2. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Geoffrey Alan Scarsbrook. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Single crystal pulling apparatus

Номер патента: US6139633A. Автор: Kiyofumi Nishiura. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Single crystal diamond substrates for synthesis of single crystal diamond material

Номер патента: GB2492661A. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Sarah Louise Geoghegan,John Robert Brandon,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Epitaxial processing of single-crystalline films on amorphous substrates

Номер патента: US20240021750A1. Автор: Xiangming Xu,Husam Niman Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2024-01-18.

Epitaxial processing of single-crystalline films on amorphous substrates

Номер патента: WO2021198805A1. Автор: Xiangming Xu,Husam Niman Alshareef. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-07.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US12077879B2. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-03.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Device for preparation of single crystals of high-melting fluorides

Номер патента: RU2608891C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Владимир Васильевич Рябченков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-01-26.

Fabrication of single crystal fibers from congruently melting materials

Номер патента: CA1234035A. Автор: James A. Harrington,Roger R. Turk,Antonio C. Pastor,Arlie G. Standlee. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-03-15.

Apparatus and method for producing single crystal

Номер патента: US7314522B2. Автор: Hiroyuki Ishibashi,Shigeki Hirasawa,Akihiro Gunji,Masato Ikegawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Gold wire

Номер патента: GB2063913A. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1981-06-10.

Method of Growing Single Crystal Diamond Assisted by Polycrystalline Diamond Growth

Номер патента: US20230392283A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of growing single crystal diamond assisted by polycrystalline diamond growth

Номер патента: CA3163682C. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Single crystal of porous compound, method for assessing quality of single crystal, method for preparing solution including compound to be analyzed, method for producing crystal structure analysis sample, and method for determining molecular structure of compound to be analyzed

Номер патента: US20180245239A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma,Yuya Doumoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-08-30.

High-sensitivity single-crystal fiber temperature measurement method based on the acoustic anisotropy and doping modulation of single-crystal fibers

Номер патента: US20220042859A1. Автор: Yang Li,Jian Zhang,Tao Wang,Xutang TAO,Zhitai JIA,Yanru YIN. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-02-10.

Seed crystal for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride

Номер патента: WO2002077329A1. Автор: George H Beall,Gitimoy Kar,Charles W Deneka. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-03.

Cvd single crystal diamond

Номер патента: EP4419741A1. Автор: Daniel James Twitchen,Stephanie Liggins,Douglas John GEEKIE,William Joseph Hillman,Benjamin Simon Truscott. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same

Номер патента: US5006914A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-04-09.

Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device

Номер патента: US5030583A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Method of preparation of single-crystal films

Номер патента: GB1384745A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1975-02-19.

Method of growing a single-crystal silicon

Номер патента: US20230323561A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Yinfeng LI. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Synthesis of thick single crystal diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20200087782A1. Автор: Andrew Michael Bennett,Timothy Peter Mollart,Ben Llewelyn Green,Stefan Ian Olsson Robbie. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20030159646A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Crystal ion-slicing of single-crystal films

Номер патента: EP1060509A4. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2001-05-02.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US20120145071A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: WO2012081789A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Single crystal silicon layer, its epitaxial growth method and semiconductor device

Номер патента: US6500256B2. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hideo Yamanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Process for forming contact area between polycrystalline silicon and single-crystal silicon and semiconductor structures including such contact area

Номер патента: GB1470264A. Автор: . Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-04-14.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20100251865A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20080029783A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Single crystal wafer and solar battery cell

Номер патента: EP1302976A4. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Tatsuo Ito,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Single crystal wafer and solar battery cell

Номер патента: EP1302976B1. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi c/o TOHOKU UNIVERSITY SUGAWA,Tatsuo c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. ITO,Koichi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. KANAYA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device

Номер патента: US20210355600A1. Автор: Cheol Woo Lee,Tae Gyu Kim,Ui Seock LEE. Владелец: Youngdo Global Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction

Номер патента: WO2019164829A1. Автор: Shawn R. Gibb,Steven DenBaars,Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Process for producing single crystal-like silver films

Номер патента: WO2023249493A1. Автор: Kaiying Wang,Kim Robert Gustavsen. Владелец: University of South-Eastern Norway. Дата публикации: 2023-12-28.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US20210043516A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: WO2021025795A1. Автор: Jeffrey Smith,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Limited ('tel'). Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US11107733B2. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4352283A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: WO2022258634A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

High intensity discharge lamp with single crystal sapphire envelope

Номер патента: EP1470569A1. Автор: Bernard J. Eastlund,Maurice E. Levis. Владелец: Gem Lighting LLC. Дата публикации: 2004-10-27.

Method of growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: EP2925914A2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Quest Integrated Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: WO2021259588A1. Автор: Andreas Sattler,Jürgen Vetterhöffer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Process for identifying single crystals by electron diffraction

Номер патента: US20030168593A1. Автор: Haskell Hart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Capacitor with single crystal tantalum oxide layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20070001204A1. Автор: Do-Hyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Determination of mass/time ratios for buffer members used during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US12091769B2. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter

Номер патента: US09912314B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Device of the third critical scheme of accelerated search and effective reception of broadband signals

Номер патента: RU2766859C1. Автор: Тимур Иванович Сныткин,Иван Илларионович Сныткин,Ольга Сергеевна Кокорева,Геннадий Иванович Захаренко. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное авиационное училище летчиков имени Героя Советского Союза А.К. Серова". Дата публикации: 2022-03-16.

Method and apparatus for predicting crystal quality of single-crystal semiconductor

Номер патента: GB2279586A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Growth of single crystal cadmium-indium-telluride

Номер патента: WO1986000940A1. Автор: Anthony L. Gentile,Nanse R. Kyle,Fred W. Hill. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1986-02-13.

Method of manufacturing potassium niobate single crystal thin film, surface acoustic wave element, frequency filter, frequency oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20050076829A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Belt cleaning device, image forming apparatus

Номер патента: US20180239296A1. Автор: Yoshinori Horiuchi. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for protecting a detail made of a single-crystal, hafnium-free nickel-based superalloy from corrosion and oxidation

Номер патента: RU2742919C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-02-11.

Superalloy single crystal articles

Номер патента: CA1206398A. Автор: Alan D. Cetel,David N. Duhl. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Chemical polishing of single crystal dielectrics

Номер патента: US3964942A. Автор: Arnold Reisman,Melvin Berkenblit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-22.

System of automatic supply and circulation of suspension and solution samples into flow measuring cell of single-channel multi-flow analyzers

Номер патента: RU2764437C1. Автор: Юрий Владимирович Горшков,Леонид Израилевич Виленчик,Александр Васильевич Спесивцев,Андрей Геннадьевич Кузин. Владелец: Акционерное общество "ТЕХНОЛИНК". Дата публикации: 2022-01-17.

Substrate of single crystal of oxide, device using said substrate and method of producing said superconductive device

Номер патента: US5314871A. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1994-05-24.

Asynchronous device of cordic algorithm for digital-signal processors

Номер патента: RU2691854C1. Автор: Вячеслав Викторович Теленков. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-06-18.

Apparatus for the growth of single crystals

Номер патента: US4873062A. Автор: Toshihiro Kotani,Kohji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1989-10-10.

Apparatus for manufacturing a single crystal

Номер патента: US5935325A. Автор: Hideki Tsuji,Yoshinobu Hiraishi,Mitsunori Kawabata,Ryo Yamagishi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for the preparation of single crystals of gadolinium gallium garnet

Номер патента: US4483734A. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Masaaki Iguchi,Norifumi Yoshida,Susumu Sakaguchi,Masahiro Ogihara,Toshihiko Ryuoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Assembly sleeve of single crystal pulling apparatus, and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US11932961B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method and apparatus for measuring bowing of single-crystal substrate

Номер патента: US20140379282A1. Автор: Katsuhiko Inaba,Shintaro Kobayashi,Toru Mitsunaga. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US20160186359A1. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Auxiliary heating device for zone melting furnace and heat preservation method for single crystal rod thereof

Номер патента: US20160053401A1. Автор: JIANWEI Cao,GANG Shi,Linjian FU,Mingjie CHEN,Penggen OUYANG,Dantao WANG,Minxiu QIU,Qingliang JIANG. Владелец: Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Manufacturing method of single crystals

Номер патента: US20230357950A1. Автор: Ken Hamada,Yasunobu Shimizu,Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI,Susumu Tamaoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing a single crystal of ferrite

Номер патента: US4339301A. Автор: Syunzo Mase,Soichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1982-07-13.

Process and apparatus for pulling single crystals of germanium

Номер патента: US3637439A. Автор: Edouard Debie. Владелец: Societe Generale Metallurgique de Hoboken SA. Дата публикации: 1972-01-25.

Heating coil for use in growth of single crystal

Номер патента: US5051242A. Автор: Masataka Watanabe,Katsumi Ichimura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Superalloy single crystal articles

Номер патента: US4402772A. Автор: Alan D. Cetel,David N. Duhl. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-09-06.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: MY157203A. Автор: Röger-Göpfert Cornelia,Bittner Christian,Klipp Andreas,Braun Simon,LIN Chengwei,Shen MeiChin. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-05-13.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US20240044040A1. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-08.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: US11795571B2. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US11784045B2. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Single crystal sapphire component for angular control during solid state nuclear magnetic resonance measurements

Номер патента: WO2024026281A1. Автор: Thomas Michael OSBORN POPP,Andrew J. NIEUWKOOP. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Wafer Of Single Crystalline Silicon and Process For Its Manufacture

Номер патента: US20090224366A1. Автор: Wilfried von Ammon. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-09-10.

Improved effective coupling coefficients for strained single crystal epitaxial film bulk acoustic resonators

Номер патента: WO2019231714A1. Автор: Shawn R. Gibb,Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2019-12-05.

Effective coupling coefficients for strained single crystal epitaxial film bulk acoustic resonators

Номер патента: US20190372555A1. Автор: Shawn R. Gibb,Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: WO2021018883A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: EP4004261A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US20240030027A1. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Effective coupling coefficients for strained single crystal epitaxial film bulk acoustic resonators

Номер патента: US20200343875A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Preferential hardening of single crystal blades

Номер патента: SG134308A1. Автор: Carroll V Sidwell,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Manufacturing method and equipment of single silicon crystal

Номер патента: US5087321A. Автор: Makoto Suzuki,Kenji Araki,Yoshinobu Shima,Hiroshi Kamio,Akira Kazama,Shigetake Horie. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1992-02-11.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Production of single-crystal white diamond

Номер патента: RU2558606C2. Автор: Деви Шэнкер МИСРА. Владелец: АйАйЭй ТЕКНОЛОДЖИС ПТЕ. ЛТД.. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

Transporting device, cleaning device, developing device, technological cartridge and image formation device

Номер патента: RU2633636C2. Автор: Такуя КАВАКАМИ,Такатоси ХАМАДА,Го ТОРИИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-10-16.

Device of shunt compensation for power transmission line

Номер патента: RU2351050C1. Автор: Татьяна Германовна Красильникова,Герман Иванович Самородов,Самуил Моисеевич Зильберман,Самуил Моисеевич Зильберман (RU),Тать на Германовна Красильникова (RU),Герман Иванович Самородов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-03-27.

Air cleaning device of gas turbine plant

Номер патента: RU2644004C1. Автор: Лев Валентинович Чекалов. Владелец: Акционерное общество "Кондор". Дата публикации: 2018-02-06.

Heating resistor of single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US4533822A. Автор: Takashi Fujii,Masayuki Watanabe,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-06.

Hot isostatic pressing of single crystal superalloy articles

Номер патента: US5573609A. Автор: Leslie G. Fritzemeier. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

Input device of single-channel multiband radio receiver

Номер патента: RU2610835C2. Автор: Дмитрий Селиверстович Рябоконь,Игорь Михайлович Ясинский,Андрей Николаевич Яковлев,Александр Иванович Тюменцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2017-02-16.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Hot isostatic pressing of single crystal superalloy articles

Номер патента: US4981528A. Автор: Leslie G. Fritzemeier,Jon D. Frandsen. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Single-crystal platy barium sulfate in cosmetic compositions

Номер патента: CA2671097C. Автор: Jack Polonka,Marcina Siciliano,Sofia Simoulidis. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 2014-11-18.

Chemical reaction barriers for use with silica containers and/or graphite support vessels in production of single crystal silicon

Номер патента: WO1998048085A1. Автор: John D. Holder. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1998-10-29.

Radiation heat shield for silicon melt-in manufacturing of single crystal silicon

Номер патента: US5004519A. Автор: Farouk A. Hariri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-04-02.

Apparatus for measuring the flying height of magnetic heads using a single-crystal sapphire disc

Номер патента: US5757492A. Автор: Toshinori Sugiyama,Teruaki Tokutomi,Kyoichi Mori. Владелец: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Production of single crystal semiconductors

Номер патента: US4430150A. Автор: William R. McKee,Jules D. Levine,Kent R. Carson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-02-07.

Sio probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon

Номер патента: MY133745A. Автор: John D Holder. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2007-11-30.

Use of buffer members during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4271862A1. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Defining parameters for scan of single crystal structure

Номер патента: US11740189B2. Автор: Scott DUFFERWIEL,Jacqueline GRIFFITHS,Jonathan EYRE. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Material supplied for fabricating single-crystal semiconductor

Номер патента: US5888293A. Автор: Hiroshi Inagaki,Tatsuhiro Fujiyama,Hidetoshi Kurogi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP3814557A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A2. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Use of buffer members during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US11767610B2. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

High purity, environmentally clean method and apparatus, for high rate, liquid anisotropic etching of single crystal silicon or etching of polycrystalline silicon, using an overpressure of ammonia gas above aqueous ammonium hydroxide

Номер патента: US20130012028A1. Автор: Alvin Gabriel Stern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Defining parameters for scan of single crystal structure

Номер патента: EP3798624A1. Автор: Scott DUFFERWIEL,Jacqueline GRIFFITHS,Jonathan EYRE. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-03-31.

Methods of Synthesizing Single-Crystal LiNixMnyCo1-x-yO2 and Applications of these Materials

Номер патента: US20220399543A1. Автор: Guoying Chen,Yanying Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-12-15.

Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4361324A3. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: US20230235479A1. Автор: Andreas Sattler,Juergen Vetterhoeffer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Production method for a low-dislocation bulk aln single crystal and low-dislocation monocrystalline aln substrate

Номер патента: US20100255305A1. Автор: Thomas Straubinger,Ralph-Uwe Barz. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Domain controlled piezoelectric single crystal and fabrication method therefor

Номер патента: SG115497A1. Автор: Ogawa Toshio,Matsushita Mitsuyoshi,Tachi Yoshihito. Владелец: Kawatetsu Mining. Дата публикации: 2005-10-28.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Fabrication process for single-crystallization anti-evaporation X-ray tube anode target

Номер патента: GB2617028A. Автор: Zhu Huichong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Remote on-line monitoring device of sv30 and svi of sludge

Номер патента: NL2030407A. Автор: Feng Huajun,XIA Yijing,Ding Yangcheng,Xu Yingfeng. Владелец: Univ Zhejiang Gongshang. Дата публикации: 2022-10-31.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Single crystal pulling apparatus and droppage preventing device

Номер патента: US6077347A. Автор: Kazuhiro Mimura,Hiroshi Yoshinada,Naritoshi Ohtsukasa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

SiC single crystal manufacturing apparatus and SiC single crystal manufacturing method

Номер патента: US11306412B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-19.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Device of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160122903A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Equipment and Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Method

Номер патента: US20240352614A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US09970124B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Nozzle for a dental cleaning device, a dental cleaning method and a dental cleaning device comprising a nozzle

Номер патента: RU2719201C1. Автор: Йоппе Гидеон ВАН ДЕЙК. Владелец: Дентал Роботикс Груп Б.В.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method and apparatus for preparing single crystal cladding

Номер патента: EP4361114A1. Автор: Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Single crystal of silicon with <100> orientation, which is doped with n-type dopant, and method for producing such a single crystal

Номер патента: US20200270764A1. Автор: Jochen Friedrich,Georg Raming,Alfred Miller,Matthias Daniel,Ludwig STOCKMEIER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

SiC single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US11761113B2. Автор: Kotaro Ishita. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: US20210098578A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-04-01.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: EP3730677A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-10-28.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Single crystal multi-element positive electrode material, preparation method therefor, and lithium ion battery

Номер патента: US11955635B1. Автор: Shanshan Li,Yanbin Chen,Yafei Liu,Yiseng HU,Shunlin SONG. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and Apparatus for Single Crystal Growth, and Single Crystal

Номер патента: US20240247403A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG,Chenguang Sun. Владелец: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Semi-insulating bulk zinc oxide single crystal

Номер патента: US20040055526A1. Автор: William Nemeth,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Self-Coated Single Crystal, And Production Apparatus And Process Therefor

Номер патента: US20080008438A1. Автор: Tsuguo Fukuda,Akira Yoshikawa,Yuji Kagamitani. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Sic single crystal, sic wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140027787A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US20070012238A1. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2007-01-18.

Single crystal production method

Номер патента: US20030089301A1. Автор: Wataru Ohashi,Teruyuki Tamaki,Yutaka Kishida,Seiki Takebayashi. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Crystal Puller and Method for Pulling Single-Crystal Silicon Ingot, and Single-Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240271317A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20240263342A1. Автор: Hirotaka Takahashi,Suguru Matsumoto,Kosei Sugawara,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Robotic cleaning device and a method at the robotic cleaning device of performing cliff detection

Номер патента: EP3430424A1. Автор: Anders Haegermarck,Petter Forsberg,Magnus Lindhé. Владелец: Electrolux AB. Дата публикации: 2019-01-23.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Process and apparatus for producing an oxide single crystal

Номер патента: US20020007780A1. Автор: Minoru Imaeda,Katsuhiro Imai,Toshihisa Yokoyama,Ken-Ichi Noda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US20230117560A1. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US7410540B2. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2008-08-12.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of producing sic single crystal

Номер патента: US20110315073A1. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Process for producing a planar body of an oxide single crystal

Номер патента: US20010020436A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

System and method for controlling the operation of a row cleaning device of a seed-planting implement

Номер патента: US12075718B2. Автор: Trevor STANHOPE,Brian J. Anderson. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of producing SiC single crystal

Номер патента: US9080254B2. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: AU2022205729A9. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Sic single-crystal growth apparatus

Номер патента: US20240295047A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US12092593B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

High-resistivity single crystal zinc oxide wafer based radiation detector and preparation method and use thereof

Номер патента: US20190115489A1. Автор: Xu Ji,Feng Huang,Kun YAN,Mei DONG. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US11678580B2. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making a sapphire component including machining a sapphire single crystal

Номер патента: US09963800B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

High transmittance single crystal YAP scintillators

Номер патента: US09958555B2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09903048B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Superstrong single crystals of cvd-diamond and their three-dimensional growth

Номер патента: RU2389833C2. Автор: Расселл Дж. ХЕМЛИ,Хо-кванг МАО,Чжи-Шию ЯНЬ,Расселл Дж. ХЕМЛИ (US),Хо-кванг МАО (US),Чжи-Шию ЯНЬ (US). Владелец: Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон. Дата публикации: 2010-05-20.

Device of parallel-serial structure for detection of groups of zero and single bits and determination of their number

Номер патента: RU2711054C1. Автор: Игорь Михайлович Ядыкин,Илья Владимирович Чугунков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2020-01-14.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Sintered body from alpha-alumina for producing sapphire single crystal

Номер патента: RU2579596C2. Автор: Хиротака ОЗАКИ,Синдзи ФУДЗИВАРА. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2016-04-10.

Brewing unit for making beverages of single portion package

Номер патента: RU2470568C2. Автор: Андреа КАСТЕЛЛАНИ,Патрицио ФРИДЖЕРИ,Ролан КАЛЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of radiation therapy of patients with locoregional recurrences of prostate cancer after radical prostatectomy and presence of single remote metastases

Номер патента: RU2712009C1. Автор: Петр Владиславович Булычкин,Всеволод Борисович Матвеев,Сергей Иванович Ткачев,Алексей Витальевич Назаренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр онкологии имени Н.Н. Блохина" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ онкологии им. Н.Н. Блохина" Минздрава России). Дата публикации: 2020-01-23.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20210115590A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20130276693A1. Автор: Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for producing barium titanium oxide single-crystal piece using containerless processing

Номер патента: US7544245B2. Автор: Takehiko Ishikawa,Shinichi Yoda,Kentei Yono,Paul-Francois Paradis. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of Fixing Polarization-Reversed Region Formed in Ferroelectric Single Crystal and Optical Element Using the Same

Номер патента: US20090231703A1. Автор: Kenji Kitamura,Xiaoyan Liu,Kazuya Terabe,Shunji Takekawa,Shunichi Hishita. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-17.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: US20240068129A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

SiC single crystal, SiC wafer, and semiconductor device

Номер патента: US9166008B2. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Si ingot single crystal

Номер патента: US20230304185A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ga2o3-based single crystal substrate and method of manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: US20240011192A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Belt cleaning apparatus and systems for belt fuser

Номер патента: US20120263508A1. Автор: William A. Burton,Augusto E. Barton,Paul M. Fromm. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: EP1178135A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-06.

Cleaning device for planar surfaces

Номер патента: US6115868A. Автор: David Tempongko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-12.

Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling

Номер патента: US20030024469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Janis Virbulis,Manfred Grundner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Heat leakage prevention device and single crystal furnace system

Номер патента: US20240247401A1. Автор: Xiaodong Li,Lei AN. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120070366A1. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: RESEARCH AND DEVELOPEMENT CENTER SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS. Дата публикации: 2012-03-22.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Device having a foil-lined crucible for the sublimation growth of an SiC single crystal

Номер патента: US20020096108A1. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Barium titanate single crystal and preparation method thereof

Номер патента: US20080200327A1. Автор: Wei-Hsing Tuan,Yung-Ching Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Single crystal growing apparatus

Номер патента: US20070131162A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Shinichi Ikeda,Yoshiyuki Yoshida,Shigeo Hara,Toru Nagasawa,Naoki Shirakawa,Ichirou Nagai,Norio Umeyama,Ryusuke Iwasaki,Hiroshi Eisaki. Владелец: NATIONAL INST OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2007-06-14.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040B1. Автор: Ryuichi NIKKO MATERIALS CO. LTD. HIRANO,Hiroshi Nikko Materials Co. Ltd. MAEDA,Tetsuya Nikko Materials Co. Ltd. YAMAMOTO,Akira Nikko Materials Co. Ltd. HICHIWA,Yoshiaki Hirohata Furnace Co. Ltd. KUBOTA. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

A phosphorus doped silicon single crystal

Номер патента: EP3414367A1. Автор: Theis Leth SVEIGAARD,Martin GRÆSVÆNGE,Christian Gammeltoft HINDRICHSEN,Sune Bo DUUN,Anders LEI. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-19.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Ternary single crystal positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20230299264A1. Автор: Changdong LI,Feilong Li,Dingshan Ruan,Shuai Han,Wenzhu Ma,Quele WANG,Qingcheng FANG. Владелец: Hunan Brunp Vehicles Recycling Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416B2. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US6720509B2. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2004-04-13.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240279843A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US11060204B2. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Reduction of carbon inclusions in sublimation grown SiC single crystals

Номер патента: US20080115719A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234135A1. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Palladium-coated copper bonding wire and method for manufacturing same

Номер патента: US12087724B2. Автор: Hiroyuki Amano,Takeshi Kuwahara,Yuki Antoku. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nickel cobalt lithium manganese oxide high-nickel single-crystal positive electrode material and preparation method therefor

Номер патента: EP4439721A1. Автор: Wei Li,Jun Xie,Yang Shi,Yujun CHEN,Xiaoyan Zhou,Kaihua Xu,Shiguo XU,Dechong LIU,Ningjing LIAO. Владелец: GEM Wuxi Energy Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus, and method therefor

Номер патента: US12105034B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Indium phosphide single-crystal body and indium phosphide single-crystal substrate

Номер патента: US12091773B2. Автор: Katsushi Hashio,Takuya Yanagisawa,Kazuaki KONOIKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Single crystal production apparatus

Номер патента: US09982366B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing III-N single crystals, and III-N single crystal

Номер патента: US09896779B2. Автор: Eberhard Richter,Frank Habel,Marit Gründer,Frank Brunner,Markus Weyers. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus for producing SiC single crystals and method of producing SiC single crystals using said production apparatus

Номер патента: US09896778B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Measuring device of leakage current in load of single-phase rectifier

Номер патента: RU2642127C2. Автор: Владимир Федорович Вербов,Александр Гургенович Сукиязов. Владелец: Государственное казенное образовательное учреждение высшего образования "Российская таможенная академия". Дата публикации: 2018-01-24.

Compositions and methods used for assessing cytotoxicity of single cells

Номер патента: RU2532228C2. Автор: Джон Кристофер ЛАВ,Навин ВАРАДАРАДЖАН,Борис ЮЛЬГ,Брюс УОЛКЕР. Владелец: Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2014-10-27.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Device for control and adjustment of single-grain seeder

Номер патента: RU2381641C2. Автор: Йюрген ВАГНЕР,Йенс ВУЛЬШНЕР,Маттиас ПАЛЬМЕР. Владелец: Втк-Электроник Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Method for rapid assessment of energy-saving potential of group of single-type objects and automated system for implementation thereof

Номер патента: RU2740274C1. Автор: Алексей Владимирович Кожевников,Алексей Владимирович Запятой,Владимир Геннадьевич Рыжков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Экоэнергосервис". Дата публикации: 2021-01-12.

Method of evaluation of average temperature of single-type objects or object with distributed parameters zones

Номер патента: RU2691750C1. Автор: Виталий Алексеевич Седалищев,Роза Петровна Ли-Фир-Су,Дмитрий Егорович Афанасьев,Павел Филиппович Васильев,Александр Дмитриевич Афанасьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Якутский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2019-06-18.

Device of files management, method of files control and record medium, on which files management method program is recorded

Номер патента: RU2344496C2. Автор: Харуо ЁСИДА,Сигеру КАСИВАГИ,Масахару МУРАКАМИ,Хироси ДЗИННО,Масаёси ОХНО,Харуо ЁСИДА (JP),Сигеру КАСИВАГИ (JP),Масахару МУРАКАМИ (JP),Хироси ДЗИННО (JP),Масаёси ОХНО (JP). Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2009-01-20.

Method for estimating the frequency of single radiation effects in the onboard equipment of spacecrafs

Номер патента: RU2675669C1. Автор: Алексей Викторович Зубко. Владелец: Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ. Дата публикации: 2018-12-21.

Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: EP2410082A1. Автор: Hiroyuki Kamata,Tomonori Miura,Ichirou Nagai,Tomohisa Katou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-25.

System of single guiding sectional vertical gate and sectional vertical gate (versions) for low stop with system of single guides

Номер патента: RU2477360C1. Автор: Роман Викторович Смирнов,Людмила Викторовна Вятина. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Дорхан 21 Век". Дата публикации: 2013-03-10.

Nonlinearly optical crystal of strontium berillatoborate, method of growing of nonlinarly optical single crystals of strontium berillatoborate and nonlinearly optical device

Номер патента: RU2112089C1. Автор: Cn],Чен Чуангтиан,Ву Байчанг,Ванг Ебин,Зенг Венронг,Ю. Линхуа,Зоу Кун. Владелец: Фуджиан Инститьют оф Рисерч он те Стракчер оф Мэтер, Чайниз Акэдеми оф Сайенсиз. Дата публикации: 1998-05-27.

Intermediate transfer belt cleaning system, transfer device, and image forming apparatus

Номер патента: US11966175B2. Автор: Yoshiro Yamashita. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-04-23.

Intermediate transfer belt cleaning system, transfer device, and image forming apparatus

Номер патента: US20240061363A1. Автор: Yoshiro Yamashita. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: EP3548651A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-09.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: MY194193A. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Tech Ltd. Дата публикации: 2022-11-19.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Single crystal ternary positive electrode material, fabrication method therefor, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4397792A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20190177874A1. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-13.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Die for efg-based single crystal growth, efg-based single crystal growth method, and efg single crystal

Номер патента: US20210017668A1. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: US12012668B2. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Single crystal growth crucible and single crystal production device

Номер патента: US20200407872A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Cleaning device and image forming apparatus provided therewith

Номер патента: US20110110693A1. Автор: Shigeki Tsukahara,Kouichi Hayashi. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20240241064A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko,Yoshinobu Nakura,Kazunobu Asakawa. Владелец: YGK Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Cleaning device of image forming machine

Номер патента: US20030059236A1. Автор: Masanobu Maeshima,Naoki Yamane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141150A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: WO2023280842A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Newland. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2023-01-12.

Feed rod for growing magnetic single crystal, magnetic single crystal, and method of producing a magnetic single crystal

Номер патента: US20030041797A1. Автор: Mikio Geho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210180207A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210054524A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Creep resistant cleaning device and image forming device having the same

Номер патента: US7907867B2. Автор: Toshiyuki Sakai,Takayuki Ito,Fuminori Moro,Shoichi Yoshikawa,Hiroshi Ibaraki. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2011-03-15.

Electrostatic charge controlling process for piezoelectric oxide single crystal and apparatus for electrostatic charge controlling process

Номер патента: EP1741809A4. Автор: Kazutoshi Hotta,Kazuya Kanno,Ietaka Sahashi,Takeji Sasamata,Daisaku Miyagawa,Masato Kurachi. Владелец: Yamaju Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Solid solution material of rare earth element fluoride (polycrystal and single crystal), and method for preparation thereof, and radiation detector and test device

Номер патента: EP1754808A4. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Tomohiko Satonaga. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Production method and growth arrangement for producing bulk sic single crystal

Номер патента: US20200263318A1. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Arnd-Dietrich Weber. Владелец: Si Crystal GmbH. Дата публикации: 2020-08-20.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US11028497B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Water cooling system of single board module level

Номер патента: US20180228058A1. Автор: Jianfeng Li,Wenbing JIANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: EP1129238A2. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: AU1106600A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2000-05-01.

Semiconductor single-crystal lift device

Номер патента: US5868836A. Автор: Shigeki Nakamura,Koichi Shimomura,Teruhiko Uchiyama. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Single-crystal ternary positive electrode material, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: EP4421919A1. Автор: Changdong LI,Yong Cai,Dingshan Ruan,Weijian Liu,Qinglin Zhu. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-17.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Diamond single crystal substrate

Номер патента: EP1591565A1. Автор: Kiichi Itami Works Meguro,Yoshiyuki Itami Works Yamamoto,Takahiro Itami Works Imai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Stripping Method and Stripping Device for Silicon Carbide Single Crystal Wafers

Номер патента: US20230076324A1. Автор: Rong Wang,Deren Yang,Wenhao Geng,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-09.

Belt cleaning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20110033200A1. Автор: Tomomi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Process for producing amorphous material containing single crystal or polycrystal and material produced

Номер патента: US20010019014A1. Автор: Yoshinori Kubota,Natsuya Nishimura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: US20010048266A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Interply hybrid composite based single crystal alpha-aluminium oxide fiber and preparation method therefor

Номер патента: US20190352820A1. Автор: Zhen He,Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu,Zuoyu Shi. Владелец: Tsinghua Innovation Center in Dongguan. Дата публикации: 2019-11-21.

PRODUCTION METHOD OF SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170009373A1. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Opportunistic write-back discard of single-use vector register values

Номер патента: US12026511B2. Автор: Wilson Wai Lun FUNG,Abhay Raj Kumar GUPTA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Graded tip cuprous oxide single crystal material and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240263338A1. Автор: Jun Chen,Huan WANG,Jinhan LI,Haixia Li,Zhenhua YAN,Fangyi CHENG. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for manufacturing a single crystal by the Czochralski method comprising a cooling cylinder with an auxiliary cooling cylinder fitted inside the cooling cylinder

Номер патента: US12071704B2. Автор: Atsushi Okai,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Cleaning device and image forming device

Номер патента: US7630664B2. Автор: Junichi Ozawa,Katsuya Takenouchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method

Номер патента: EP1601823A1. Автор: Hiroshi Matsui,Yasuo Ohama. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

Process for Preparing Barium Titanate Single Crystals

Номер патента: CA2079936A1. Автор: Osamu Nakao,Kazuhiko Tomomatsu,Haruo Tominaga,Akihito Kurosaka,Shoji Ajimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-09.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US20020144648A1. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of manufacturing silicon single crystal and method of manufacturing wafer using the same

Номер патента: US20240191389A1. Автор: Hyeyun Park,Inji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Single-crystal pulling apparatus and single-crystal pulling method

Номер патента: US10253425B2. Автор: Kiyotaka Takano. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-09.

High-purity vitreous silica crucible used for pulling large-diameter single-crystal silicon ingot

Номер патента: US8888915B2. Автор: Tadahiro Sato. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US20060021567A1. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20070256625A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20090173272A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Denshi Kinzouku KK. Дата публикации: 2009-07-09.

Engage/disengage apparatus and photosensitive medium cleaning device of liquid printer using the same

Номер патента: US20020118988A1. Автор: Jin-Soo Lee,Kwang-Taek Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-29.

Structure with copper bond pad and copper interconnect

Номер патента: US20240178165A1. Автор: Kai Chong Chan,Ranjan Rajoo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A9. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: US20240309554A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Christopher NEWLAND. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Opportunistic write-back discard of single-use vector register values

Номер патента: US20240329986A1. Автор: Wilson Wai Lun FUNG,Abhay Raj Kumar GUPTA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Recovery tank for a surface cleaning device

Номер патента: EP4440399A1. Автор: Jose CASELLA. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus of evaluating quality of wafer or single crystal ingot

Номер патента: US12118706B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

BETA-Ga2O3 SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170152610A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US12116693B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Self-healing method for fractured SiC single crystal nanowires

Номер патента: US10942099B2. Автор: Zhenyu Zhang,Junfeng Cui,Yuefeng DU,Dongming GUO. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for secure network establishment via authentication of single-use passwords with counter measures against password replay

Номер патента: WO2016053081A1. Автор: Khong Neng Choong,Moesfa Soeheila Mohamad,Geong Sen Poh,Alwyn Goh. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2016-04-07.

Heat treatment method and heat treatment device for single crystal sapphire

Номер патента: US09988741B2. Автор: Sung Hwan Moon,Hee Choon Lee,Yi Sik Choi,Gye Won Jang,Bok Kee Na. Владелец: Sapphire Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Single crystal diamond and diamond tool

Номер патента: US09963801B2. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Toshiya Takahashi,Yuichiro Seki. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Ultraviolet (UV) schottky diode detector having single crystal UV radiation detector material bonded directly to a support structure with proper c-axis orientation

Номер патента: US09929192B1. Автор: Delmar L. Barker,Jeffrey Clarke,Charles W. HICKS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Production method of SiC single crystal

Номер патента: US09920449B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Low resistivity single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09915011B2. Автор: Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon single crystal pulling apparatus comprising a vertically movable supporting member holding the heater and shield

Номер патента: US09869034B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus

Номер патента: US09834858B2. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Hiraku Ogino. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Device for uniform distribution of single-phase load by phases of three-phase network

Номер патента: RU2731209C1. Автор: Андрей Николаевич Евсеев. Владелец: Андрей Николаевич Евсеев. Дата публикации: 2020-08-31.

Device of cascade structure for detection of groups of zero and single bits, determination of their number and maximum groups

Номер патента: RU2701709C1. Автор: Игорь Михайлович Ядыкин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2019-09-30.

Single-screw pump, rotor of single-screw pump and method of obtaining double-start helical surface of mould core

Номер патента: RU2078998C1. Автор: М.И. Бурнышев,А.А. Анферов,С.Г. Шунайлов. Владелец: Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 1997-05-10.

Device for protection of windings of single-phase transformer against electrical damages

Номер патента: RU2704127C1. Автор: Тимофей Александрович Новожилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2019-10-24.

Method of single coordinated decision making in distributed computer system

Номер патента: RU2706459C1. Автор: Максим Михайлович Михайленко,Игорь Олегович Белоусов. Владелец: Игорь Олегович Белоусов. Дата публикации: 2019-11-19.

Control method of multi-zone rectifier-inverter converter of single-phase alternating current

Номер патента: RU2740639C1. Автор: Станислав Васильевич Власьевский,Александр Витальевич Иванов. Владелец: Александр Витальевич Иванов. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of stabilizing and rearranging wavelengths of single-photon states based on spontaneous parametric scattering and a device for realizing

Номер патента: RU2708538C1. Автор: Алексей Алексеевич Калачёв,Дмитрий Олегович Акатьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Казанский научный центр Российской академии наук". Дата публикации: 2019-12-09.

Generation of sequence of operations by complex analysis on basis of single well predictive mode-modular dynamic tester (swpm-mdt)

Номер патента: RU2336567C1. Автор: Крис Гивенс,Омер ГУРПИНАР,Селим ДЖАНДЖИ,Патрик ЧЭНЬ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2008-10-20.

Belt cleaning device and image forming apparatus having the same

Номер патента: US8995870B2. Автор: Hiroki Morishita. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor device of the type sealed in glass having a silver-copper bonding layer between slugs and connection conductors

Номер патента: WO1996029743A1. Автор: Timotheus Johannes Maria Van Aken. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-09-26.

Belt cleaning blade, photoreceptor cleaning blade, image forming apparatus, transfer device, and cleaning device

Номер патента: US20240053701A1. Автор: Yusuke Watanabe,Yoshiro Yamashita,Kenta SHINGU,Daisuke Tano. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for preparing single-crystal high-vanadium high-titanium high-water manganess olivine

Номер патента: LU503016B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-16.

Oral cavity cleaning device

Номер патента: US20240048021A1. Автор: Junhui Li,Fandi Meng. Владелец: Soocare Shenzhen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR LAYER BASED ON GeSn HAVING A SINGLE-CRYSTAL PORTION WITH A DIRECT BAND STRUCTURE AND AN UNDERLYING BARRIER REGION

Номер патента: US20230187567A1. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnesium Oxide Single Crystal Having Controlled Crystallinity and Method for Producing the Same, and Substrate Using the Single Crystal

Номер патента: US20080081767A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: Tateho Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

SiC SINGLE CRYSTAL, PRODUCTION METHOD THEREFOR, SiC WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140091325A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US9406528B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Image forming apparatus and cleaning device therefor

Номер патента: US20030044196A1. Автор: Yukiko Iwasaki,Ken Amemiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

A method for in-situ profiling of single nucleotide variations in an rna sample and a kit for use in in-situ profiling of single nucleotide variations in an rna sample

Номер патента: WO2024162889A1. Автор: Mats Nilsson Bernitz,Hao Zhe LEE,Marco Grillo. Владелец: Lee Hao Zhe. Дата публикации: 2024-08-08.

Recovery tank for a surface cleaning device

Номер патента: EP4440401A1. Автор: Jose CASELLA. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2024-10-09.

Surface cleaning device

Номер патента: EP4440398A1. Автор: Jose CASELLA. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for production of single-stranded macronucleotides

Номер патента: US09944966B2. Автор: Roland Ulber,Nils Tippkötter,Ralf Stadtmüller. Владелец: Technische Universitat Kaiserslautern. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US09917022B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US09859236B2. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Single crystal alumina filled die attach paste

Номер патента: US09796898B2. Автор: WEI Yao,Long Fang,Wangsheng Fang. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for treatment of common tuberculosis of single lung with staged correction of post-pneumonectomy syndrome

Номер патента: RU2750971C1. Автор: Мамед Адилович Багиров,Елена Вадимовна Красникова,Татьяна Семеновна Набокова,Светлана Сергеевна Садовникова,Бехруз Умаркулович Салихов,Руслан Вячеславович Тарасов,Георгий Валерьевич Читорелидзе,Атаджан Эргешович Эргешов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт туберкулеза". Дата публикации: 2021-07-07.

Single crystal, method for producing same, optical insulator and optical processor using same

Номер патента: RU2527082C2. Автор: Кийоси СИМАМУРА,Виллора Энкарнасион Антония ГАРСИА,Кадзуо САНАДА. Владелец: Нэшнл Инститьют Фор Матириалз Сайенс. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КристалсНорд". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of preparation of poultry droppings for subsequent use as part of multicomponent loading raw materials of single-chamber biogas unit (bgu)

Номер патента: RU2563377C2. Автор: Алексей Викторович Садчиков,Николай Федорович Кокарев,Илья Николаевич Никоноров,Анет Борисович Идигенов,Бахыт Булатович Идигенов. Владелец: Бахыт Булатович Идигенов. Дата публикации: 2015-09-20.

Method for compensation of single-phase short-circuit current

Номер патента: RU2653510C1. Автор: Владимир Анатольевич Благинин,Илья Евгеньевич Кажекин,Вячеслав Михайлович Юсып. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-10.

Multi-allelic genotyping of single nucleotide polymorphisms and indel mutations

Номер патента: RU2706203C1. Автор: Джереми Натан ГОЛЛУБ,Майкл Х. ШАПЕРО,Дороти ОЛИВЕР,Дебора БЛЭК,Фарук СИДДИКИ. Владелец: Эффиметрикс, Инк.. Дата публикации: 2019-11-14.

III-nitride single-crystal ingot, III-nitride single-crystal substrate, method of manufacturing III-nitride single-crystal ingot, and method of manufacturing III-nitride single-crystal substrate

Номер патента: US8845992B2. Автор: Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Method of producing heterogeneous set of single-chain dna fragments for multiplex genetic analysis

Номер патента: RU2604198C1. Автор: Александр Сергеевич Заседателев,Татьяна Васильевна Наседкина,Эдуард Николаевич Тимофеев,Александр Васильевич Чудинов,Антон Егорович Егоров,Вадим Александрович Василисков,Наталья Анатольевна Колганова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Молекулярной Биологии Им. В.А. Энгельгардта Российской Академии Наук (Имб Ран). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of ensuring electromagnetic compatibility of single-position ionosonde

Номер патента: RU2411540C2. Автор: Андрей Всеволодович Медведев,Андрей Игоревич Орлов,Владимир Иванович Куркин,Геннадий Иосифович Литовкин,Алексей Витальевич Подлесный,Владимир Иванович Куркин (RU),Геннадий Иосифович Литовкин (RU),Андрей Всеволодович Медведев (RU),Андрей Игоревич Орлов (RU),Алексей Витальевич Подлесный (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт солнечно-земной физики Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of single-phase short-circuit current compensation in conditions of uncontrolled asymmetry of phase capacitances of insulation in relation to housing

Номер патента: RU2742825C1. Автор: Владимир Анатольевич Благинин,Илья Евгеньевич Кажекин,Вячеслав Михайлович Юсып. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-02-11.

Guanfacine-based pharmaceutical compositions, suitable for daily introduction in form of single dosed form

Номер патента: RU2435573C2. Автор: Амир Х. ШОДЖАЭЙ,Майкл ПЕННИК. Владелец: ШИР ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of single-stem decompression ileostoma application in patients with adiposity 3-4 degrees

Номер патента: RU2743882C1. Автор: Заурбек Валерьевич Тотиков,Алан Борисович Гурдзибеев,Зарина Тенгизовна Кулумбекова,Эльдар Аптиевич Магомадов,Валерий Зелихманович Тотиков,Ширвани Шаранович Гадаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Осетинская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-03-01.

Woven frame of single-piece conveyor belt with elastomer coating

Номер патента: RU2724657C1. Автор: Константин Юрьевич Федоров,Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Наталья Николаевна Федорова,Марсель Марсович Зульфанов. Владелец: Марсель Марсович Зульфанов. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for protection against wave action of single hydraulic structure, and device for its implementation

Номер патента: RU2522318C2. Автор: Юрий Андреевич Симонов,Владимир Эрнестович Петров. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for production of dislocation-free silicon single crystal

Номер патента: US6080237A. Автор: Toshio Iwasaki,Takayoshi Ishida,Atsushi Ikari,Shin-ichi Fujimoto,Hiroshi Isomura,Michiharu Tamura. Владелец: NSC Electron Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Inorganic single-crystal scintillator

Номер патента: RU2613057C1. Автор: Ахмедали Амиралы оглы Гасанов,Алексей Дмитриевич Орлов,Виктор Викторович Кедров,Семен Залманович Шмурак,Елена Львовна Чувилина,Николай Владимирович Классен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2017-03-15.

METHOD OF GROWING FeBO3 SINGLE-CRYSTAL FILM ON DIAMAGNETIC SUBSTRATE

Номер патента: RU2616668C1. Автор: Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Юлия Александровна Могилец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского". Дата публикации: 2017-04-18.

Method of single-position determining angular coordinates to laser radiation source

Номер патента: RU2630522C1. Автор: Александр Иванович Гревцев,Владимир Валерьевич Капитанов,Александр Юрьевич Козирацкий,Павел Евгеньевич Кулешов,Максим Леонидович Паринов,Михаил Михайлович Фролов,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Виктор Владимирович Калачев,Геннадий Иванович Судариков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-09-11.

Method for intracellular conversion of single-stranded proteins into their double-stranded form

Номер патента: RU2569185C2. Автор: И Лю,Санджив ГАНШАНИ,Линх К. ЛЕ,Лэнс Э. СТЮАРД. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2015-11-20.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for producing group III nitride single crystal

Номер патента: US9234299B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Process for producing laminate comprising al-based group iii nitride single crystal layer, laminate produced by the process, process for producing al-based group iii nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: EP2243866A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2024537A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Naoki Oyanagi,Tomohiro Syounai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Thin plate-shaped single-crystal production equipment and thin plate-shaped single-crystal production method

Номер патента: US11939696B2. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Single crystal fiber production apparatus, and single crystal fiber production method

Номер патента: EP4249648A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for producing SiC single crystal, SiC single crystal, and SiC ingot

Номер патента: US10724152B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-07-28.

Cleaning device and image forming apparatus using same

Номер патента: US20150198923A1. Автор: Takashi Tokuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US20230399769A1. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Ga2o3-based single crystal substrate and method for manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: EP4317547A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Single-Crystal Fiber Production Equipment and Single-Crystal Fiber Production Method

Номер патента: US20220349085A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for producing hexagonal single crystal, method for producing hexagonal single crystal wafer, hexagonal single crystal wafer, and hexagonal single crystal element

Номер патента: US20150376813A1. Автор: Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Palladium-coated copper bonding wire, wire bonding structure, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11876066B2. Автор: Hiroyuki Amano,Takeshi Kuwahara,Tsukasa Ichikawa,Yuki Antoku. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2024-01-16.

Mode setting method and device of monitoring system

Номер патента: US11977719B2. Автор: Fei Zhou,Xiaohua TU,Changfu XUE. Владелец: Opple Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: EP2675944A1. Автор: Jindrich Houzvicka,Karel Bartos. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2013-12-25.

Method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20110114011A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: US20230130166A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Built-in temperature sensing device of single chip and protection method thereof

Номер патента: US20210156744A1. Автор: Chieh-Sheng TU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for producing sic single crystal, sic single crystal, and sic ingot

Номер патента: US20180355511A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-12-13.

Method and Apparatus For Producing A Single Crystal

Номер патента: US20130160698A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Johann Landrichinger,Georg Raming,Josef Lobmeyer,Gundars Ratnieks,Alfred Holzinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: EP4174220A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

CRYSTAL PRODUCING APPARATUS, SiC SINGLE CRYSTAL PRODUCING METHOD, AND SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150167197A1. Автор: Kazuaki Seki,Can Zhu,Toru Ujihara,Mitsuya Nagaoka,Shunta HARADA. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2015-06-18.

Si-Doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-Doped GaAs single crystal wafer produced from Si-Doped GaAs single crystal ingot

Номер патента: US20110059294A1. Автор: Yoshikazu Oshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Systems and processes including cartridges of single portions of edible substance

Номер патента: US20240225344A1. Автор: Rui Miguel Nabeiro,Joao Andre De FIGUEIREDO BRANCO,Cláudia FIGUEIRA BARROS DOS REIS,Tiago Rafael DA SILVA FERROLHO MENDES. Владелец: Novadelta Comercio E Industria De Cafes SA Lda. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for controlling cleaning device

Номер патента: EP4059403A1. Автор: LIN Zhang,FAN YANG,Xianggu Man,Jialiu Yi,Wenzhi XIE,Jianquan Huang,Xiating Chen. Владелец: Yituo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

SiC single crystal, production method therefor, SiC wafer and semiconductor device

Номер патента: US9096947B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-08-04.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US20010018887A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Detector and method for tracking an arrival time of single particles in an ion beam

Номер патента: US20200316404A1. Автор: Michael Seimetz,Joao Seco,Paulo Jorge MAGALHÃES MARTINS,Riccardo Dal Bello. Владелец: Deutsches Krebsforschungszentrum DKFZ. Дата публикации: 2020-10-08.

A method of single-stranded rna purification

Номер патента: CA3177259A1. Автор: Peter Stanley GAGNON,Urh Cernigoj,Darko Dolenc,Spela Persic Debenjak. Владелец: Sartorius Bia Separations doo. Дата публикации: 2021-10-21.

Single crystal pulling apparatus and method for pulling single crystal

Номер патента: US20240076800A1. Автор: Kiyotaka Takano,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Lithium-metal rechargeable electrochemical cells with liquid electrolytes and single-crystal nickel-manganese-cobalt

Номер патента: US20240213540A1. Автор: Richard Wang,Aaron R. GARG,Michael McEldrew,Lauren Nicole Burke,Thomas Patrick Whitehill-Nigl,Vicky Thi Huynh,Sanjay Nanda. Владелец: Cuberg Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Optoelectronic device comprising a semiconductor layer based on GeSn having a single-crystal portion with a direct band structure and an underlying barrier region

Номер патента: US12040595B2. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Single Crystal Laser Material And System Containing The Same Material

Номер патента: US20070211779A1. Автор: Sergey Mirov,Dmitri Valer'evich Badikov,Valeri Badikov,Tasoltan Basiev,Maxim Doroshenko,Yurii Orlovskii,Vyacheslav Osiko,Galina Shevirdyaeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Large-volume CaF2 single crystals with reduced scattering and improved laser stability, and uses thereof

Номер патента: US20080292535A1. Автор: Matthias Mueller,Lutz Parthier,Joerg Kandler,Andreas Menzel,Lars Ortmann,Gordon von der Goenna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Pbft algorithm-based improved method for active recovery of single node from anomaly

Номер патента: EP4044509A1. Автор: Wei Li,Shuai ZHANG,Weiwei QIU,Fanglei HUANG,Hao Duan,Lizhong KUANG. Владелец: Hangzhou Qulian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Single crystal ingot puller with high-power laser beam as auxiliary heating source

Номер патента: WO2024124081A1. Автор: Sumeet S. Bhagavat,Vahid Klalajzadeh. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

Lithium-metal rechargeable electrochemical cells with liquid electrolytes and single-crystal nickel-manganese-cobalt

Номер патента: WO2024138122A1. Автор: Richard Wang,Aaron R. GARG,Michael McEldrew,Lauren Nicole Burke,Thomas Patrick Whitehill-Nigl,Vicky Thi Huynh,Sanjay Nanda. Владелец: Cuberg, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Gallium oxide single crystal particle and method for producing the same

Номер патента: US20230122462A1. Автор: Hiroyuki Shibata,Jun Yoshikawa,Miho Maeda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Device for producing a single crystal

Номер патента: AU2021414417A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: US20230357956A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: EP1127963A3. Автор: Masahiro c/o NGK Insulators Ltd. Murasato,Katsuhiro c/o NGK Insulators Ltd. Imai,Minoru c/o NGK Insulators ltd. Imaeda,Akihiko c/o NGK Insulators Ltd. Honda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-11-19.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US6402835B2. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-06-11.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Organo-lead halide perovskites thin single crystals

Номер патента: US20190221755A1. Автор: Liyang YU,Weili Yu,Aram AMASSIAN. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-07-18.

Sic single crystal, sic wafer, sic substrate, and sic device

Номер патента: US20150308014A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Yasushi Urakami,Itaru Gunjishima,Yusuke KANZAWA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for growing compound semiconductor single crystals

Номер патента: US4734267A. Автор: Masakatu Kojima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-29.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: EP4277453A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Single crystal TFT from continuous transition metal delivery method

Номер патента: US20020090801A1. Автор: Yukihiko Nakata,Masashi Maekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

New laser uses for single-crystal cvd diamond

Номер патента: EP2126162A1. Автор: Russell J. Hemley,Ho-Kwang Mao,Chih-shiue Yan. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-12-02.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20230042620A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20160315020A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon Single Crystal Substrate and Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20130161793A1. Автор: Katsuhiko Nakai,Masamichi Ohkubo,Hikaru Sakamoto. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12037702B2. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of hydrogen-doped silicon single crystal

Номер патента: US20070028832A1. Автор: Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Modeling thermal donor formation and target resistivity for single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4416321A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Michael Robbin Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Heater Assembly and Single Crystal Puller

Номер патента: US20240337043A1. Автор: Qinhu Mao. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methane-oxidising bacterium for the production of single-cell proteins from methane

Номер патента: LU506157B1. Автор: Jin Chen,Yutong Chen,Xinqi Li. Владелец: Beijing Deliangyuan Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-22.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Group III nitride single crystal substrate and method for production thereof

Номер патента: US12116697B2. Автор: Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Induction heating coil and single crystal production device using same

Номер патента: EP4450683A1. Автор: Koichi Shimomura,Ryosuke Ueda,Yoshinori Sugita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Ga2O3-based single crystal substrate

Номер патента: US12104276B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and device for producing a single crystal of silicon, which single crystal is doped with n-type dopant

Номер патента: US12104274B2. Автор: Georg Raming,Wolfgang Staudacher. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Single crystal chemical vapor deposited synthetic diamond materials having uniform color

Номер патента: US11746436B2. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Ian Friel,Sarah Louise Geoghegan,Harpreet Kaur Dhillon,Neil Perkins,Helen Jennifer Gallon. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US09970127B2. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses

Номер патента: US09945049B2. Автор: Philippe Veber,Matias Velazquez,Oudomsack Viraphong,Gabriel Buse. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making a Ni—based single crystal superalloy and turbine blade incorporating same

Номер патента: US09932657B2. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic single crystal field effect circuit and preparing method thereof

Номер патента: US09893286B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yichun Liu,Yanhong Tong,Qingxin Tang. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2018-02-13.

Pulling a semiconductor single crystal according to the Czochralski method

Номер патента: US09856576B2. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann,Michael Hünermann. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170054432A1. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20060005763A1. Автор: Leo Schowalter,Glen Slack,J. Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for open development of steeply dipping deposits of round shape with application of single-stage steeply inclined temporarily non-working sides

Номер патента: RU2685594C1. Автор: Георгий Григорьевич Саканцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук (ИГД УрО РАН). Дата публикации: 2019-04-22.

Nonlinear single crystal of lithium chalcogenides and method for its preparation

Номер патента: RU2763463C1. Автор: Сергей Иванович Лобанов,Людмила Ивановна Исаенко,Александр Павлович Елисеев,Алина Александровна Голошумова,Алексей Федорович Курусь. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2021-12-29.

Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5190738A. Автор: Luc Parent. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1993-03-02.

Immunochemical detection of single target entities

Номер патента: CA2777411C. Автор: Jesper Lohse. Владелец: Dako Denmark ApS. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of predicting crystal quality of semiconductor single crystal and apparatus thereof

Номер патента: US5485803A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Method for growing an .alpha.-sic bulk single crystal

Номер патента: CA2368380C. Автор: Rene Stein,Johannes VÖLKL,Harald Kuhn. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2008-07-29.

Device for protection against short circuits in windings of single-phase transformer

Номер патента: RU2720946C1. Автор: Тимофей Александрович Новожилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2020-05-15.

Method for manufacturing a defect-controlled low-oxygen concentration silicon single crystal wafer

Номер патента: US9650725B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Single-crystal semiconductor pulling apparatus

Номер патента: US5800612A. Автор: Yoshinobu Hiraishi,Koichi Shimomura,Taizou Miyamoto. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same

Номер патента: US20070034892A1. Автор: June-o Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Method for producing a silicon single crystal

Номер патента: US6136090A. Автор: Kenji Araki,Hideo Okamoto,Atsushi Iwasaki,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-04-30.

Single crystals and methods for fabricating same

Номер патента: CA2560998C. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Minimization of strain in single crystals

Номер патента: CA1166556A. Автор: William A. Bonner. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-05-01.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Single crystal pulling apparatus

Номер патента: US5316742A. Автор: Junsuke Tomioka,Akihiro Matsuzaki,Kazunori Nagai. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-31.

Apparatus for fabricating semiconductor single crystal

Номер патента: US6068699A. Автор: Hideki Tsuji,Yoshinobu Hiraishi,Mitsunori Kawabata. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method of forming a single crystal sheet using a die having a thermal gradient along its length

Номер патента: US9926645B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Growing epitaxial 3C-SiC on single-crystal silicon

Номер патента: GB2540608A. Автор: Myronov Maksym,Colston Gerard,Rhead Stephen. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2017-01-25.

Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus

Номер патента: EP1574602A1. Автор: Toshiaki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT ASAHI,Kenji NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT SATO,Takayuki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT YABE,Atsutoshi NIKKO MATERIALS CO LTD ISOHARA ARAKAWA. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of making large-volume CaF2 single crystals for optical elements with an optic axis parallel to the (100)-or (110)-crystal axis and CaF2 single crystal made thereby

Номер патента: US7837969B2. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Hellma Materials GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-11-23.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for preparing homogeneous single crystal ternary III-V alloys

Номер патента: US5047112A. Автор: Theodore F. Ciszek. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-09-10.

Single crystal SIC and a method of producing the same

Номер патента: US6153166A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Process for producing single-crystal sapphire

Номер патента: US20110253031A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-10-20.

Improvements in or relating to methods of producing single crystals

Номер патента: GB850595A. Автор: . Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1960-10-05.

Compound semiconductor single crystal and production process thereof

Номер патента: WO2005035837A1. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Iodide single crystal, method for production the iodide single crystal, and scintillator comprising the iodide single crystal

Номер патента: EP2133449A1. Автор: Kenji Kitamura,Kiyoshi Shimamura,Encarnacion Antonia Garcia Villora. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-16.

Aln bulk single crystal, semiconductor device using the same and method for producing the same

Номер патента: CA2719826C. Автор: Shunro Nagata,Albrecht Winnacker,Boris M Epelbaum,Matthias Bickermann,Octavian Filip,Paul Heimann. Владелец: Crystal N GmbH. Дата публикации: 2013-05-28.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Single crystal SiC and a method of producing the same

Номер патента: US6053973A. Автор: Kichiya Tanino,Masanobu Hiramoto. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-25.

Method for producing aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US10822718B2. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroyuki Yanagi,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of producing a single crystal of a rare-earth silicate

Номер патента: US5667583A. Автор: Yasushi Kurata,Hiroyuki Ishibashi,Kazuhisa Kurashige. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Methods for holding and pulling single crystal

Номер патента: US5871578A. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Eiichi Iino,Shozo Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2465980A2. Автор: Kazukuni Hara,Yuuichirou Tokuda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same

Номер патента: EP2143833A1. Автор: Yutaka Shiraishi,Shinji Togawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Growth of glass-clad single crystal fibers

Номер патента: US4847053A. Автор: Gregory L. Tangonan,Antonio Pastor. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-07-11.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method

Номер патента: US5944890A. Автор: Toshihiko Tani,Naohiro Sugiyama,Nobuo Kamiya,Atsuto Okamoto,Yasuo Kitou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Seed crystal holders, for pulling a single crystal

Номер патента: US6015461A. Автор: Teruo Izumi. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Method of making macrocrystalline or single crystal semiconductor material

Номер патента: US4596626A. Автор: Paul J. Shlichta,R. James Holliday. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1986-06-24.

METHOD OF MAKING LARGE-VOLUME CaF2 SINGLE CRYSTALS FOR OPTICAL ELEMENTS WITH AN OPTIC AXIS PARALLEL TO THE (100)-OR (110)-CRYSTAL AXIS AND CaF2 SINGLE CRYSTAL MADE THEREBY

Номер патента: US20090180948A1. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Single crystal of compound semiconductor of groups III-V with low dislocation density

Номер патента: US4584174A. Автор: Atsushi Shimizu,Mikio Morioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-04-22.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

A l X G a 1-X N SINGLE CRYSTAL AND ELECTROMAGNETIC WAVE TRANSMISSION BODY

Номер патента: EP2287370A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Satoshi Arakawa,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of producing small semi-conductor single crystals

Номер патента: GB797205A. Автор: . Владелец: CLEVEITE CORP. Дата публикации: 1958-06-25.

Shielding member and apparatus for single crystal growth

Номер патента: US11261541B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-01.

Single crystal and method of producing the same

Номер патента: US6153165A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Single crystal SiC and a method of producing the same

Номер патента: US6143267A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Single crystal sic and a method of producing the same

Номер патента: CA2252980C. Автор: Kichiya Tanino,Masanobu Hiramoto. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-22.

Single crystal pulling system

Номер патента: US4592895A. Автор: Kinya Matsutani,Katsutoki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-06-03.

Method For Pulling A Single Crystal Composed Of Silicon From A Melt Contained In A Crucible, and Single Crystal Produced Thereby

Номер патента: US20110195251A1. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-11.

Making large, single crystal, 123 YBCO superconductors

Номер патента: US6046139A. Автор: Darryl F. Garrigus,Fatih Dogan,Michael Strasik,William C. Hicks,Kay Y. Blohowiak,Kevin E. McCrary,Thomas S. Luhman,Ilhan Aksay,Corrie B. Martin. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2000-04-04.

Single crystal multi-element positive electrode material, preparation method therefor, and lithium ion battery

Номер патента: EP4306687A1. Автор: Shanshan Li,Yanbin Chen,Yafei Liu,Yiseng HU,Shunlin SONG. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTALS AND ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2023144000A1. Автор: Thomas Schröder,Zbigniew GALAZKA,Matthias Bickermann,Walter Häckl,Steffen Ganschow. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US11905618B2. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer

Номер патента: WO2024037747A1. Автор: Ralf Müller,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer

Номер патента: EP4324961A1. Автор: Ralf Müller,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-02-21.

SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer

Номер патента: US11932967B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Single crystal manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20230332324A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Single crystal growth crucible and single crystal growth method

Номер патента: US11814749B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of estimating oxygen concentration in silicon single crystal, method of manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal manufacturing apparataus

Номер патента: US20240019397A1. Автор: Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Ternary single crystal positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US11888145B2. Автор: Changdong LI,Feilong Li,Dingshan Ruan,Shuai Han,Wenzhu Ma,Quele WANG,Qingcheng FANG. Владелец: Hunan Brunp Vehicles Recycling Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Silicon single crystal substrate and silicon epitaxial wafer for solid-state image sensor and solid-state image sensor

Номер патента: US11824070B2. Автор: Takao Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: EP4257734A1. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Single-crystal source-drain merged by polycrystalline material

Номер патента: US20150270332A1. Автор: Timothy J. McArdle,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Judson R. Holt,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for pulling a single crystal of semiconductor material from a melt which is contained in a crucible

Номер патента: SG11201902696WA. Автор: Walter Heuwieser,Thomas SCHRÖCK. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Device for growing a flat single crystal from a seed crystal in a crystallisation solution and process for manufacturing this single crystal

Номер патента: US20190249329A1. Автор: Bruno Pintault,Pascal Vissie,Max Grosil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200149190A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-05-14.

Shielding member and apparatus for growing single crystals

Номер патента: US20190338444A1. Автор: Yohei FUJIKAWA,Yoshiteru HOSAKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US20220098756A1. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US11814748B2. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US10023975B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Ga2O3 SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160017512A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Ga2o3-based single crystal substrate, and production method therefor

Номер патента: US20190062942A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Haruka MATSUBARA,Kei DOIOKA,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20170009374A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: US20170123081A1. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2017-05-04.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: US20180246231A1. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-08-30.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: EP3108043A2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2016-12-28.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: WO2015140227A2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2015-09-24.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide single crystal and production thereof

Номер патента: US20060254507A1. Автор: Daisuke Kondo,Takayuki Maruyama,Shigeki Endo,Masashi Otsuki,Takuya Monbara. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sublimation growth of sic single crystals

Номер патента: EP2477944A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan,Marcus L. Getkin. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A2. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for determining and regulating a diameter of a single crystal during pulling of the single crystal

Номер патента: SG11201805551RA. Автор: Thomas SCHRÖCK,Thomas Aubrunner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-30.

High-purity tellurium dioxide single crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: US8480996B2. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for manufacturing terbium aluminium-based paramagnetic garnet single crystal

Номер патента: EP1391544A3. Автор: Takenori Sekijima, (A 170),Mikio Geho, (A 170). Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Soaking machine and soaking method of sample for single-crystal X-ray structure analysis

Номер патента: US11774379B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for detecting the diameter of a single crystal and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US20100128253A1. Автор: Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Silicon carbide single crystal

Номер патента: US11643748B2. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20200347511A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: WO2020201211A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: EP3947787A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Transparent piezoelectric single crystal preparation method

Номер патента: US11758818B2. Автор: BO Wang,Fei Li,Thomas R. Shrout,Shujun Zhang,Zhuo Xu,Chaorui Qiu,Long-Qing Chen. Владелец: Pennsylvania State University. Дата публикации: 2023-09-12.

Synthetic single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: EP4357491A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for detecting the diameter of a single crystal and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US8441623B2. Автор: Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-14.

Single crystal furnace charging system and charging method

Номер патента: EP4324960A1. Автор: Peng Xiang,YIN Tang,Bo Xiong,Ziyang Ou. Владелец: Sichuan Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US20230343771A1. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Single Crystals with Internal Doping with Laser Ions Prepared by a Hydrothermal Method

Номер патента: US20130343715A1. Автор: Colin MCMILLEN,Joseph Kolis. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2013-12-26.

Piezoelectric single crystal including internal electric field, method for manufacturing same, and piezoelectric and dielectric application components using same

Номер патента: US20230329120A1. Автор: Hyun Taek Oh,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK,Hyun Jae JOO. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Based on high-efficient belt cleaning device is used in processing of traditional chinese medical science medicinal material

Номер патента: CN215965114U. Автор: 毛永生. Владелец: Huaning Yongqiang Chinese Herbal Medicine Planting Co ltd. Дата публикации: 2022-03-08.