Resistance field plate conductivity modulation field effect mos device and manufacturing method therefor
Номер патента: WO2022095347A1
Опубликовано: 12-05-2022
Автор(ы): 崔伟, 张嘉浩, 张培健, 李光波, 李孝权, 杨永晖, 王鹏飞, 肖添, 蒋和全, 裴颖, 谭开洲, 邱盛, 陈良
Принадлежит: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-05-2022
Автор(ы): 崔伟, 张嘉浩, 张培健, 李光波, 李孝权, 杨永晖, 王鹏飞, 肖添, 蒋和全, 裴颖, 谭开洲, 邱盛, 陈良
Принадлежит: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Mos device with resistive field plate for realizing conductance modulation field effect and preparation method thereof
Номер патента: US20240038853A1. Автор: LIANG Chen,Pengfei Wang,TIAN Xiao,WEI Cui,Sheng Qiu,Jiahao Zhang,Guangbo Li,Kaizhou Tan,Xiaoquan Li,Ying PEI,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2024-02-01.