Power Transistor Package with Integrated Bus Bar
Номер патента: US20100200979A1
Опубликовано: 12-08-2010
Автор(ы): Cynthia Blair, Donald Fowlkes
Принадлежит: Infineon Technologies North America Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-08-2010
Автор(ы): Cynthia Blair, Donald Fowlkes
Принадлежит: Infineon Technologies North America Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing a power transistor module and package with integrated bus bar
Номер патента: US20110258844A1. Автор: Cynthia Blair,Donald Fowlkes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-27.