THREE-DIMENSIONAL STRUCTURED MEMORY DEVICES
Номер патента: US20160071880A1
Опубликовано: 10-03-2016
Автор(ы): Bin Jin Ho, Kwon Il Young, Lee Ki Hong, Pyi Seung Ho
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-03-2016
Автор(ы): Bin Jin Ho, Kwon Il Young, Lee Ki Hong, Pyi Seung Ho
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate
Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.