METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A LAYER ON A THREE DIMENSIONAL STRUCTURE
Номер патента: US20160379827A1
Опубликовано: 29-12-2016
Автор(ы): Omstead Thomas R., Renau Anthony, Ruffell Simon
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-12-2016
Автор(ы): Omstead Thomas R., Renau Anthony, Ruffell Simon
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for the fabrication of thin-film transistors together with other components on a substrate
Номер патента: US20160107885A1. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-04-21.