METHOD OF PRODUCING SELF-SUPPORTING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Номер патента: US20180068849A1
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): Matsuoka Takashi
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): Matsuoka Takashi
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of producing self-supporting nitride semiconductor substrate
Номер патента: US20180068849A1. Автор: Takashi Matsuoka. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-08.