使用变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法.

使用变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法

Номер патента: CN1711611A
Опубликовано: 21-12-2005
Автор(ы): 丰田健治, 大塚隆
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for driving non-volatile flip-flop circuit using resistance change element

Номер патента: AU2003280582A1. Автор: Takashi Ohtsuka,Kenji Toyoda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-25.

Systems and methods for non-volatile flip flops

Номер патента: US09923553B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for non-volatile flip flops

Номер патента: US20180019735A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Integrated digital circuit comprising a non-volatile storage element

Номер патента: WO2004075404A1. Автор: Dirk Uffmann,Michael Dr. Buchmann. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2004-09-02.

Integrated digital circuit comprising a non-volatile storage element

Номер патента: EP1599940A1. Автор: Dirk Uffmann,Michael Dr. Buchmann. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-11-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR NON-VOLATILE FLIP FLOPS

Номер патента: US20180019735A1. Автор: Roy Anirban,Sadd Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09922711B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09666275B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Comprising Resistive Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20230360702A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-phase gshe-mtj non-volatile flip-flop

Номер патента: EP3100355A1. Автор: Wenqing Wu,Karim Arabi,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Single-phase gshe-mtj non-volatile flip-flop

Номер патента: WO2015116417A1. Автор: Wenqing Wu,Karim Arabi,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile composite nanoscopic fabric NAND memory arrays and methods of making same

Номер патента: US09767902B2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,H. Montgomery Manning,Eliodor G. Ghenciu. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09887240B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of operating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09608043B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory system with reset verification mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09646690B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395539A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20080158940A1. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US8054672B2. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Nonvolatile flip-flop circuit and method of driving the same

Номер патента: US7002388B2. Автор: Takashi Ohtsuka,Kenji Toyoda,Takashi Nishikawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-21.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20220208277A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US11004505B1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Improved architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4272214A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Three-phase gshe-mtj non-volatile flip-flop

Номер патента: US20150213868A1. Автор: Wenqing Wu,Karim Arabi,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

DATA WRITING DEVICE FOR VARIABLE-RESISTANCE MEMORY ELEMENT AND NON-VOLATILE FLIP-FLOP

Номер патента: US20200211611A1. Автор: Ohno Hideo,Suzuki Daisuke,Endoh Tetsuo,Hanyu Takahiro. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Flip-flop circuit

Номер патента: US20060139077A1. Автор: Hideaki Miyamoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Flip-flop circuit including latch circuits

Номер патента: US7397286B2. Автор: Hideaki Miyamoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-08.

Data flip-flop circuit of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240204760A1. Автор: Joonyoung Kim,ChiWeon Yoon,Jungjune PARK,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Master set of read voltages for a non-volatile memory (nvm) to mitigate cross-temperature effects

Номер патента: US20210057024A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-02-25.

Data protection techniques for a non-volatile memory array

Номер патента: US10417088B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Thomas Parnell,Andrew D. Walls. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950519B2. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2020257005A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

A non-volatile memory device including a row decoder with an improved pull-up stage

Номер патента: EP3839956A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile flip-flop with enhanced-scan capability to sustain sudden power failure

Номер патента: US09728241B2. Автор: Jae-Won Jang,Swaroop Ghosh,Anirudh Srikant IYENGAR. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Systems and methods for non-volatile flip flops

Номер патента: EP3249654A3. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR NON-VOLATILE FLIP FLOPS

Номер патента: US20170345491A1. Автор: Roy Anirban,Sadd Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Data writing device for variable-resistance memory element and non-volatile flip-flop

Номер патента: WO2018079833A1. Автор: 哲郎遠藤,大野　英男,鈴木　大輔,貴弘羽生. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2018-05-03.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

Process for manufacturing a non-volatile memory structure via soft lithography

Номер патента: US20070243679A1. Автор: Raffaele Vecchione,Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming a non-volatile electron storage memory and the resulting device

Номер патента: US7005697B2. Автор: Gurtej Sandhu,Shubneesh Batra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Layout library of flip-flop circuit

Номер патента: US20130268904A1. Автор: Sang Hyeon Baeg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory including negative capacitance blocking oxide layer, operating method of the same and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230413574A1. Автор: Taeho Kim,Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210272917A1. Автор: Akira Matsumoto,Yoshiaki Sato,Kentaro Saito,Yoshinori Deguchi,Mitsunobu WANSAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same

Номер патента: US09640545B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12058862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985050B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741738B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

3-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508836B2. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory cell and method of operating the same

Номер патента: US09805806B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Magnetic sidewalls for write lines in field-induced MRAM and methods of manufacturing them

Номер патента: US09997697B2. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic sidewalls for write lines in field-induced MRAM and methods of manufacturing them

Номер патента: US09620411B2. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory utilizing impact ionization and tunnelling and method of manufacturing thereof

Номер патента: SG186655A1. Автор: Quek Elgin,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Jae Gon Lee,Chung Foong Tan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US9640255B2. Автор: Tatsuya Onuki,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof and operating method of memory cell

Номер патента: US20120127795A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20200365213A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Chip, operation method, and manufacturing method of electronic apparatus

Номер патента: US20150206602A1. Автор: Jing-Shiang Tseng. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory devices including stepped source regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080142872A1. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190067308A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Hong-Soo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168620A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Hong-Soo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20190196904A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Flip flop circuit and data processing apparatus

Номер патента: US20200313661A1. Автор: Hiromitsu Kimura,Kazuya Ioki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Flip flop circuit and method of operating the same

Номер патента: US20170170811A1. Автор: Chang-Yu Wu,Lee-Chung Lu,Shang-Chih Hsieh,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Bi-directional scan flip-flop circuit and method

Номер патента: US20240097661A1. Автор: Liu Han,Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Qingchao Meng,Huaixin XIAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Flip-flop circuit with low-leakage transistors

Номер патента: EP3563480A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Rafael Rios,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Flip-flop circuit with low-leakage transistors

Номер патента: WO2018125463A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Rafael Rios,Charles Augustine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Dual flip-flop circuit

Номер патента: US20140125377A1. Автор: Ge Yang,Xi Zhang,Hwong-Kwo Lin,Jiani Yu,Ting-Hsiang Chu. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Logic and flip-flop circuit timing margins controlled based on scan-pattern transition processing

Номер патента: US20210265986A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-26.

Flip-flop circuit

Номер патента: EP1568137A2. Автор: Kent Kernahan,John Carl Thomas. Владелец: FyreStorm Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Flip flop circuit

Номер патента: US11764766B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Flip-flop circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20150155857A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Flip flop circuit

Номер патента: US09584099B2. Автор: Chang-Yu Wu,Lee-Chung Lu,Shang-Chih Hsieh,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Flip-flop circuit

Номер патента: US20160065184A1. Автор: Chang-Yu Wu,Lee-Chung Lu,Shang-Chih Hsieh,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Flip flop circuit

Номер патента: US20160134265A1. Автор: Chang-Yu Wu,Lee-Chung Lu,Shang-Chih Hsieh,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Flip Flop Circuit

Номер патента: US20230387895A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Flip Flop Circuit

Номер патента: US20230378941A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Flip flop circuit

Номер патента: EP3952111A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Flip-flop circuit

Номер патента: WO2004047269A2. Автор: Kent Kernahan,John Carl Thomas. Владелец: Fyre Storm, Inc.. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of auditing the wear of a memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011000632A1. Автор: Frederic Faure,Yan Charles. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-01-06.

Scheduling policy for queues in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09501244B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Scheduling policy for queues in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US8874836B1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Luminous member, method of driving luminous member, non-volatile memory device, sensor, method of driving sensor, and display apparatus

Номер патента: US10706768B2. Автор: Cheolmin Park,Beomjin Jeong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2020-07-07.

Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140177317A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Display device comprising a variable-wavelength led and methods of calibrating and driving a display device comprising a variable-wavelength led

Номер патента: WO2024201010A1. Автор: Guan-Ru He,Jen-Wu Fang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: EP3155528A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: WO2016004405A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: PURE Storage, Inc.. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration

Номер патента: US20050078526A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of programming a non-volatile memory cell by controlling the channel current during the rise period

Номер патента: US20060285394A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Dang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1411526A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-03-07.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G Druijf. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-07-13.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 2000-01-27.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: US6178119B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-01-23.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-08.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US09478303B1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US20190065391A1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: WO2019209876A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Read operation for a non-volatile memory

Номер патента: US09478292B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun,Hairong Sun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing non-volatile dram

Номер патента: WO2005072472A2. Автор: Kyu Hyun Choi. Владелец: O2Ic, Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of manufacturing non-volatile dram

Номер патента: WO2005072472A3. Автор: Kyu Hyun Choi. Владелец: O2IC Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Non- volatile flip flop with resistive non-volatile element

Номер патента: WO2013116393A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Kyungho Ryu,Youngdon JUNG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007130187A3. Автор: Samuel Schlesinger,James E Rickels. Владелец: James E Rickels. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: EP2016589A2. Автор: Samuel Schlesinger,James E. Rickels. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20080291716A1. Автор: Koji Hosono,Kazushige Kanda,Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa,Toshiaki Edahiro,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674A1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-11-23.

Method for writing to and reading out a non-volatile electronic memory

Номер патента: US20220328080A1. Автор: Christoph Puttmann,Julian Schwarz,Jens Goldeck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-10-13.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US20170025180A1. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2737484A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013016467A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Controller for biasing switching element of a page buffer of a non volatile memory

Номер патента: US09697906B2. Автор: Alessandro Sanasi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Test partitioning for a non-volatile memory

Номер патента: US09472285B2. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory

Номер патента: US8918655B2. Автор: Michael J. Smith,Tahoma M. Toelkes,Matthew J. Byom,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US09437322B2. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Postage meter with a non-volatile memory security circuit

Номер патента: CA1247254A. Автор: Warren G. Hafner,Henry Stalzer,Peter C. Digiulio. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-12-20.

Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5333300A. Автор: Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Non-volatile, programmable, static memory cell and a non-volatile, programmable static memory

Номер патента: CA1255792A. Автор: Roger Cuppens,Cornelis D. Hartgring. Владелец: Cornelis D. Hartgring. Дата публикации: 1989-06-13.

Write process for a non volatile memory device

Номер патента: US20180286476A1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Pranav Kalavade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20120002481A1. Автор: Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for controlling program verify operations of a non-volatile memory and a corresponding circuit thereof

Номер патента: US10553297B2. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Sanasi,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

System and method for fast secure destruction or erase of data in a non-volatile memory

Номер патента: WO2017209815A1. Автор: Amir Shaharabany,Yacov Duzly,Liron Sheffi,Yuval Kenan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US11790993B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for managing a fail row of the memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US9875798B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20170162264A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030142548A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US20230402100A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US20210027812A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2017027142A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-02-16.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4385018A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US10068650B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US20190066801A1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: US12062397B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data restoration method for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010093440A2. Автор: Stephen Fung,Jeong Y. Choi. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2010-08-19.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Row decoder for a non-volatile memory device, having reduced area occupation

Номер патента: US09767907B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: US09766814B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and system to obtain state confidence data using multistrobe read of a non-volatile memory

Номер патента: US09754683B2. Автор: Mark Helm,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Matthew Goldman,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US09632867B2. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US09620227B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and system for predicting block failure in a non-volatile memory

Номер патента: US09423970B2. Автор: Neil Richard Darragh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Tracking a lifetime of write operations to a non-volatile memory storage

Номер патента: US20140101374A1. Автор: Steven E. Wells,Victor W. Locasio,Will Akin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Reprogramming a non-volatile solid state memory system

Номер патента: US20110131364A1. Автор: David George Gordon. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Reprogramming a non-volatile solid state memory system

Номер патента: WO2005091302A1. Автор: David George Gordon. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for writing to and reading out a non-volatile electronic memory

Номер патента: US11710512B2. Автор: Christoph Puttmann,Julian Schwarz,Jens Goldeck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-25.

System and method for reading and writing memory management data through a non-volatile cell based register

Номер патента: US20210407556A1. Автор: Yusuke Jono,Yasushi Matsubara,Nobuo Yamamoto,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

System and method for reading and writing memory management data through a non-volatile cell based register

Номер патента: WO2022005820A1. Автор: Yusuke Jono,Yasushi Matsubara,Nobuo Yamamoto,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

LOW SENSING CURRENT NON-VOLATILE FLIP-FLOP

Номер патента: US20130286721A1. Автор: Jung Seong-Ook,Kang Seung H.,Kim Jung Pill,Ryu Kyungho,Kim Jisu,Jung Youngdon. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SINGLE-PHASE GSHE-MTJ NON-VOLATILE FLIP-FLOP

Номер патента: US20150213869A1. Автор: WU Wenqing,Yuen Kendrick Hoy Leong,Arabi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Non-Volatile Flip-Flop with Enhanced-Scan Capability to Sustain Sudden Power Failure

Номер патента: US20160322093A1. Автор: Ghosh Swaroop,Jang Jae-Won,Iyengar Anirudh Srikant. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-03.

Source programmable non-volatile flip-flop, in particular for memory redundancy circuit.

Номер патента: FR2715758A1. Автор: Mirabel Jean-Michel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1995-08-04.

Source-programmable, non-volatile flip-flop, especially for memory redundancy circuits.

Номер патента: FR2715758B1. Автор: Jean-Michel Mirabel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-03-22.

Programmable non-volatile flip-flop with noise reduction in read mode, especially for memory redundancy circuit.

Номер патента: FR2715759A1. Автор: Mirabel Jean-Michel,Devin Jean. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1995-08-04.

Programmable non-volatile flip-flop with noise reduction in read mode, especially for memory redundancy circuit.

Номер патента: FR2715759B1. Автор: Jean Devin,Jean-Michel Mirabel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-03-22.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2013170387A1. Автор: Steven Smith. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130308365A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180963A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method and apparatus for testing a circuit module concurrently with a non-volatile memory operation in a multi-module data processing system

Номер патента: US6076177A. Автор: Thomas R. Toms,Ivan James Fontenot. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Programming a non-volatile memory device

Номер патента: US7738295B2. Автор: June Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US9613712B1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states

Номер патента: US20040085812A1. Автор: Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Preemptive mitigation of cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200411110A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US20160124656A1. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Improved safety and correctness data reading and programming in a non-volatile memory device

Номер патента: US20210407608A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Optimization of reference voltages in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11901013B2. Автор: Stacey Secatch,Jonathan Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US20170117051A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-27.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: US20120023347A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1934985A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-06-25.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007030399A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-15.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: WO2012015793A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

METHOD OF PREVENTING PROGRAM-DISTURBANCES FOR A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043896A1. Автор: Kim Min-Su,PARK Sang-Hoon,Jeon Hee-Seog,Park Ji-Hoon,Kim Min-sup,Park Weon-Ho,Kwon Hyok-Ki,Kim Byoung-Ho,Kim Eui-Yeol,Sung Min-Jee,Sim Hyo-Soung,Jeon Chang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Method of controlling a temperature of a non-volatile storage device

Номер патента: KR102347179B1. Автор: 유충현,박종규,변재범,심억수,조호,공도일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-04.

Method of controlling a temperature of a non-volatile storage device

Номер патента: KR20160137180A. Автор: 유충현,박종규,변재범,심억수,조호,공도일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-11-30.

Method of drain avalanche programming of a non-volatile memory cell

Номер патента: US6456531B1. Автор: Sameer S. Haddad,Janet S. Y. Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Method of testing data retention of a non-volatile memory cell having a floating gate

Номер патента: US8576648B2. Автор: Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Satish Bansal,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8102704B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-24.

A method of testing data retention of a non-volatile memory cell having a floating gate

Номер патента: TW201333966A. Автор: Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Satish Bansal,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2013-08-16.

Storage structure with non-volatile storage capability and a method of operating the same

Номер патента: US09966128B1. Автор: Germain Bossu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory system with reset control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140226390A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of managing semiconductor memories, corresponding interface, memory and device

Номер патента: US20180240523A1. Автор: Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Gaetano Di Stefano,Roberto Sebastiano RUGGIRELLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US11996150B2. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation

Номер патента: US09704572B2. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory with read circuitry and method of operating

Номер патента: US20170092354A1. Автор: Perry H. Pelley,Frank K. Baker Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory with read circuitry and method of operating

Номер патента: US09792981B2. Автор: Perry H. Pelley,Frank K. Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

System for providing a parking space, a server device and a non-volatile data carrier

Номер патента: RU2757561C1. Автор: Ёсихико ТАКАХАСИ,Юки ТАЦУМОТО,Кэисукэ НИСИНАКА,Хироки ТАМУРА,Ёситака НИСИКАВА,Кэндзи ГОТОХ,Кота КАТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-10-18.

Data processing on a non-volatile mass storage device

Номер патента: US09405939B2. Автор: Simon Andrew Ford,Christopher James Styles. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Efficiently storing raw metric data in a volatile memory and aggregated metrics in a non-volatile time-series database for monitoring network elements of a software-defined network

Номер патента: US20240205127A1. Автор: Ranganathan Rajagopalan,Rajiv Mordani,Ashutosh GUPTA,Minjal Agarwal,Shivraj Shahajirao Sonawane. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Operating a secure storage device with a non-volatile memory

Номер патента: US20190228163A1. Автор: Klaus Werner,Joerg Schmidbauer,Jakob C. Lang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Programmable electrical energy meter utilizing a non-volatile memory

Номер патента: US5548527A. Автор: Rodney C. Hemminger,Mark L. Munday. Владелец: ABB Power T&D Co Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

D-type flip-flop circuit

Номер патента: US11277122B2. Автор: Kazutoshi Kobayashi,Jun Furuta,Kodai Yamada. Владелец: Dolphin Design. Дата публикации: 2022-03-15.

Gate array device having macro cells for forming master and slave cells of master-slave flip-flop circuit

Номер патента: US4933576A. Автор: Yoshio Watanabe,Masaya Tamamura,Shinji Emori,Isao Shimotsuhama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-06-12.

D-type flip-flop circuit

Номер патента: EP3806332A1. Автор: Kazutoshi Kobayashi,Jun Furuta,Kodai Yamada. Владелец: Dolphin Design. Дата публикации: 2021-04-14.

D-type flip-flop circuit

Номер патента: US20210226616A1. Автор: Kazutoshi Kobayashi,Jun Furuta,Kodai Yamada. Владелец: Dolphin Design. Дата публикации: 2021-07-22.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Disk drive employing a non-volatile serial semiconductor memory for storing a control program for a microprocessor

Номер патента: US7028174B1. Автор: Richard W. Hull,Alireza Atai-Azimi,Mark F. Vallis. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-11.

Method for the reconfiguration of a vortex density in a rare earth manganate, a non-volatile impedance switch and use thereof

Номер патента: US20210305961A1. Автор: Nan Du,Stephan Krüger,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Agnieszka Bogusz. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for the reconfiguration of a vortex density in a rare earth manganate, a non-volatile impedance switch and use thereof

Номер патента: US12034424B2. Автор: Nan Du,Stephan Krüger,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Agnieszka Bogusz. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and system for asynchronous die operations in a non-volatile memory

Номер патента: US09734911B2. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Threshold based multi-level cell programming for a non-volatile memory device

Номер патента: US09672933B2. Автор: Sang-Soo Park,Joon-Soo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Robust soft error tolerant multi-bit d flip-flop circuit

Номер патента: US20200387426A1. Автор: Abhishek Jain. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of forming a non-volatile resistance variable device, and non-volatile resistance variable device

Номер патента: US20040157416A1. Автор: John Moore,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming a passivation on berry diffusion layer of a non-volatile memory

Номер патента: US20020084250A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: EP1417704A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: WO2003015172A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van. Владелец: Schaijk Robertus T F Van. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Method of forming a non-volatile memory cell having a high coupling capacitance including forming an insulator mask, etching the mask, and forming a u-shaped floating gate

Номер патента: US6159796A. Автор: Guido Wolfgang Dietz,Andreas Graf Von Schwerin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-12.

Bitcells for a non-volatile memory device

Номер патента: US10777607B1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array And A Method Of Forming Such Structure

Номер патента: US20130234223A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

A non-volatile memory device including nitrogen pocket implants and methods for making the same

Номер патента: US20070259495A1. Автор: Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for manufacturing a non-volatile, virtual ground memory element

Номер патента: US5384272A. Автор: Bradley T. Moore,Effiong E. Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Method of forming and structure of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20150091080A1. Автор: Sun Wein-Town,Shen Cheng-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Method of forming and structure of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20150140766A1. Автор: Sun Wein-Town,Shen Cheng-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Method of improving erase efficiency and a non-volatile memory cell made thereby

Номер патента: US20040061167A1. Автор: Bhaskar Mantha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of forming a gate of a non-volatile memory device

Номер патента: US7008844B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Bong-Hyun Kim,Hun-Hyeoung Lim,Yong-woo Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

High speed flip-flop circuit and configuration method thereof

Номер патента: US20110291701A1. Автор: In Bok Yom,In Kwon Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-12-01.

Flip-flop circuit

Номер патента: US20040080351A1. Автор: Akio Hirata,Masahiro Gion,Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Single event upset-tolerant latch circuit and flip-flop circuit

Номер патента: US20210194470A1. Автор: Satoshi Kuboyama,Akiko Makihara,Akifumi MARU,Tsukasa Ebihara. Владелец: High-Reliability Engineering & Components Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Latch circuit and flip-flop circuit having single event upset resistence

Номер патента: EP3641132A1. Автор: Satoshi Kuboyama,Akiko Makihara,Akifumi MARU,Tsukasa Ebihara. Владелец: High Reliability Engineering & Components Corp. Дата публикации: 2020-04-22.

Flip-flop circuit

Номер патента: US6369629B1. Автор: Yuichi Sato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-09.

Low-power flip flop circuit

Номер патента: US20240297639A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Lin Liu,Meng-Hung Shen,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated NAND and flip-flop circuit

Номер патента: US20020113624A1. Автор: Anthony Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Logical circuit, flip-flop circuit and storage circuit with multivalued logic

Номер патента: US6218713B1. Автор: Shigetoshi Wakayama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-04-17.

Flip-Flop Circuit And Oscillator

Номер патента: US20210184662A1. Автор: Yasunari Furuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Flip-Flop Circuit and Semiconductor Device

Номер патента: US20140070861A1. Автор: Masashi Fujita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Low-power, small-area, high-speed master-slave flip-flop circuits and devices including same

Номер патента: US09647644B2. Автор: Min Su Kim,Jong Woo Kim,Ji Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Radiation hardened flip-flop circuit for mitigating single event transients

Номер патента: US20220200585A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Salim A. Rabaa. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Scan flip-flop circuits and scan test circuits including the same

Номер патента: US20130241594A1. Автор: Bai-Sun Kong,Hoi-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20110176653A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Flip-flop circuit and method

Номер патента: US20240364317A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Yung-Chen CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Low power flip-flop circuit

Номер патента: US09628062B1. Автор: Tae-Hyoung Kim,Juhui LI,Van-Loi Le,Alan Yeow Khai Chang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Flip-flop circuit and asynchronous receiving circuit

Номер патента: US20230065261A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Flip-flop circuit and frequency divider using the flip-flop circuit

Номер патента: US20070188197A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Flip-flop circuit with decreased time required from take in of data input to setting of data output

Номер патента: US5200649A. Автор: Jiro Fukui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-04-06.

Clocked flip flop circuit with built-in clock controller and frequency divider using the same

Номер патента: US5945858A. Автор: Masaharu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Master-slave flip-flop circuit with three phase clocking

Номер патента: US4843254A. Автор: Akira Nomura,Hisatoshi Motegi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-27.

Integrated flip-flop circuit

Номер патента: US3610965A. Автор: Harold M Martin,Timothy A O'neill. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1971-10-05.

Low-power flip flop circuit

Номер патента: US20230048735A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Lin Liu,Meng-Hung Shen,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Flip-flop circuit

Номер патента: US20140225657A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Flip-flop circuit and leakage current suppression circuit utilized in a flip-flop circuit

Номер патента: US20110241745A1. Автор: Shen-Iuan Liu,Yun-Ta TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-10-06.

Flip-flop circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10396762B2. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for managing the operation of a low-complexity synchronous retention flip-flop circuit, and corresponding circuit

Номер патента: US20180083602A1. Автор: Amit Verma,Pascal Urard,Alok Kumar Tripathi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-22.

Flip-flop circuit, frequency divider and frequency dividing method

Номер патента: US20130187686A1. Автор: Chien-Hung Chen,Min-Shueh Yuan,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Low-power flip flop circuit

Номер патента: US12003239B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Lin Liu,Meng-Hung Shen,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Flip-flop circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180076798A1. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Low power flip-flop circuit and method thereof

Номер патента: US5498988A. Автор: Alberto J. Reyes,Steven D. Millman,Sean C. Tyler. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-03-12.

Low clock energy double-edge-triggered flip-flop circuit

Номер патента: US8841953B2. Автор: William J. Dally. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Flip-flop circuit

Номер патента: US4486673A. Автор: Hideharu Koike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-04.

Synchronizing flip-flop circuit configuration

Номер патента: US4933571A. Автор: Wolfgang Pribyl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-06-12.

Flip-flop circuit with resonant tunneling diode

Номер патента: US5543748A. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Flip-flop circuit

Номер патента: US5999030A. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Flip-flop circuit

Номер патента: CA1299682C. Автор: Makoto Shikata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

Flip-flop circuit including control signal generation circuit

Номер патента: US11863188B2. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Low-power, small-area, high-speed master-slave flip-flop circuits and devices including same

Номер патента: US20170237414A1. Автор: Min Su Kim,Jong Woo Kim,Ji Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Flip flop circuit

Номер патента: US11799458B2. Автор: Min Su Kim,Jeong Jin Lee,Young O LEE,Won Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20130088272A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2013-04-11.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: WO2012014013A3. Автор: Saverio Trotta. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Low-power, small-area, high-speed master-slave flip-flop circuits and devices including same

Номер патента: US20160164503A1. Автор: Min Su Kim,Jong Woo Kim,Ji Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-09.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: EP2599220A2. Автор: Saverio Trotta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-06-05.

Latch circuit, flip-flop circuit and frequency divider

Номер патента: US20130127502A1. Автор: Saverio Trotta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-23.

Flip-flop circuit and method

Номер патента: US20230253961A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Yung-Chen CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Flip-flop circuit and method

Номер патента: US12047079B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Yung-Chen CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Flip-flop circuit with data-driven clock

Номер патента: US09876488B2. Автор: Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Flip-flop circuit

Номер патента: US09762214B2. Автор: Minsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Flip-flop circuit having cmos hysteresis inverter

Номер патента: US5212411A. Автор: Hiroshi Asazawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-05-18.

D-Type flip-flop circuit

Номер патента: US4374331A. Автор: Yuji Yamamoto,Sei Shiragaki. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 1983-02-15.

Semiconductor R-S flip-flop circuit

Номер патента: US4091296A. Автор: Masanori Nakai,Yasoji Suzuki,Yukuya Tokumaru. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-05-23.

Dual-trigger low-energy flip-flop circuit

Номер патента: GB201202866D0. Автор: . Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Bistable controllable flip flop circuit bistable controllable flip flop circuit

Номер патента: US3757143A. Автор: A Muller. Владелец: Oerlikon Contraves AG. Дата публикации: 1973-09-04.

Integrated RS flip-flop circuit

Номер патента: US4661831A. Автор: Doris Schmitt-Landsiedel,Gerhard Dorda. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-04-28.

Bipolar flip-flop circuit with improved noise immunity

Номер патента: US5541544A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Flip-flop circuit, semiconductor integrated circuit device, and vehicle

Номер патента: US12009817B2. Автор: Ryuichi Nakajima,Kazutoshi Kobayashi,Jun Furuta,Kazuya Ioki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Radiation-hardened d flip-flop circuit

Номер патента: EP3732788A1. Автор: BIN Li,Patrick Fleming,Landon J. Caley,David D. Moser,David BOSTEDO,Nicholas CHIOLINO. Владелец: BAE SYSTEMS. Дата публикации: 2020-11-04.

Flip-flop circuit

Номер патента: US20030025543A1. Автор: Takaharu Itoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Flip-flop circuit

Номер патента: CA1266517A. Автор: Hiroshi Asazawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

Flip-flop circuit

Номер патента: US3854059A. Автор: K Nomiya,H Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-12-10.

Low power flip-flop circuit

Номер патента: CA3103103C. Автор: Mingming Mao. Владелец: Little Dragon Ip Holding LLC. Дата публикации: 2021-03-16.

Bistable and controllable flip-flop-circuit arrangement

Номер патента: US3763384A. Автор: T Stutz. Владелец: Oerlikon Contraves AG. Дата публикации: 1973-10-02.

Low power flip-flop circuit

Номер патента: US20190372563A1. Автор: Mingming Mao. Владелец: Little Dragon Ip Holding LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Shared clock dual edge-triggered flip-flop circuit

Номер патента: US20240204782A1. Автор: Amit Agarwal,Steven K. Hsu,Ram Kumar Krishnamurthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of Tuning a Radio Frequency (RF) Module Including a Non-Volatile Tunable RF Filter

Номер патента: US20200169239A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Nabil EI-Hinnawy,Chris Masse. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Microcomputer processing approach for a non-volatile TV station memory tuning system

Номер патента: US4093921A. Автор: Kenneth George Buss. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-06-06.

Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns

Номер патента: US20140038425A1. Автор: Yoshiki Hishiro,Jon Daley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns

Номер патента: US20060257758A1. Автор: Yoshiki Hishiro,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of preparing a semiconductor specimen for failure analysis

Номер патента: US20220155367A1. Автор: Jung-Chin Chen,Shihhsin Chang,Chi-Lun Liu. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods of forming microelectronic smart tags

Номер патента: US09953501B2. Автор: John U. Knickerbocker,Monty Montague Denneau,Paul S. Andry,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Storage device supporting multi-tenant operation and methods of operating same

Номер патента: US12045472B2. Автор: Ji Soo Kim,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device supporting multi-tenant operation and methods of operating same

Номер патента: EP4174646A1. Автор: Ji Soo Kim,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Method of forming a non volatile memory device using wet etching

Номер патента: US09418864B2. Автор: John Power,Danny Pak-Chum Shum,Ulrike Bewersdorff-Sarlette,Wolfram Langheinrich,Alfred Vater. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Selector device for a non-volatile memory cell

Номер патента: US09882125B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Integration of a non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor and method therefor

Номер патента: US20160087058A1. Автор: Sung-taeg Kang,Asanga H. Perera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Latch circuit and flip-flop circuit including the same

Номер патента: US20130307595A1. Автор: Kang-Youl Lee,Ja-Beom Koo,Don-Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus, system, and method of sequencing, shadowing, and queuing operations in a non-volatile storage memory

Номер патента: US09965193B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of securely erasing a non-volatile semiconductor mass memory, computer system, and computer program product

Номер патента: US09671964B2. Автор: Thorsten Höhnke. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: US20130212448A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

System and method of backing up data from a volatile memory medium to a non-volatile memory medium

Номер патента: US20220027268A1. Автор: Kurtis Wayne Dorsey. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-01-27.

Method and device for binding a non-volatile storage device with a consumer product

Номер патента: WO2008026133A2. Автор: Rajesh Grover,Jeroen Steenblik,Jeroen Koster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2008-03-06.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus, System, and Method of Sequencing, Shadowing, and Queuing Operations in a Non-Volatile Storage Memory

Номер патента: US20160378340A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09542113B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09430408B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming a non-volatile memory array

Номер патента: US5661054A. Автор: Roger Lee,Ralph Kauffman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Performing a pre-update on a non volatile memory

Номер патента: EP2329366A2. Автор: Sharon Peleg,Evyatar Meller. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Method of generating parity bit groups,method of managing corrupted data in a non-volatile memory array,method of correcting data, method of storing data in a non-volatile memory array and removable non-volatile memory card

Номер патента: TWI327320B. Автор: Stephen J Gross,Bryan John Mee. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-07-11.

Photodiode imaging arrays reconfigured or mapped via a non volatile memory

Номер патента: GB2490929A. Автор: Graham Mackerron,Bernard Mulgrew. Владелец: Selex Galileo Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method and apparatus for writing data to a non-volatile memory

Номер патента: EP1514176A2. Автор: Fabrizio Camapanale. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-16.

System and method of utilizing a non-volatile solid state storage device

Номер патента: US20200401335A1. Автор: Suruchi Dubey,Sumit K. Popli,Ryan G. Mason. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-12-24.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and Method for searching a buffer of a non-volatile storage Host Controller

Номер патента: US20240295990A1. Автор: Tzu-Shiun LIU,Chih-Chieh Chou,Chin-Chin Cheng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: US09971685B2. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Restore current version of a track from a non-volatile storage into a new location in cache

Номер патента: US11080149B2. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Kyler A. Anderson,Kevin J. Ash. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Data de-duplication in a non-volatile storage device responsive to commands based on keys transmitted to a host

Номер патента: US9430639B2. Автор: Hong Rak Son,Chan Ik Park,Kwang Hoon Kim,Man Keun Seo,Sang Kyoo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: US20190026026A1. Автор: Melvin K Benedict,Eric L Pope. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

Maintaining availability of a non-volatile cache

Номер патента: US20220318141A1. Автор: Jianbin Kang,Geng Han,Chun Ma,Vamsi K. Vankamamidi. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and device for binding a non-volatile storage device with a consumer product

Номер патента: WO2008026133A3. Автор: Rajesh Grover,Jeroen Steenblik,Jeroen Koster. Владелец: Jeroen Koster. Дата публикации: 2008-05-08.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Method and apparatus for use of a non-volatile storage management system for PC/AT compatible system firmware

Номер патента: US6629192B1. Автор: Joseph A. Schaefer,William J. Chalmers,Kirk Brannock,Dave Edwards. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Techniques for preserving an expected lifespan of a non-volatile memory

Номер патента: EP3776165A1. Автор: Manoj K. Radhakrishnan,Bhaskar R. ADAVI,Kaiehu H. KAAHAAINA. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: WO2013122725A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

Systems and methods for providing power-efficient file system operation to a non-volatile block memory

Номер патента: WO2018169645A1. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,William Kimberly. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-20.

Systems and methods for providing power-efficient file system operation to a non-volatile block memory

Номер патента: US20180260320A1. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,William Kimberly. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for determining the location of the occurrence of an abnormal sound, a non-volatile data carrier and a vehicle device

Номер патента: RU2755631C1. Автор: Коити ОКУДА,Кота ФУДЗИИ,Ацуси ТАБАТА,Кен ИМАМУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-09-17.

File managing device of a non-volatile memory, a memory card and method for controlling a file system

Номер патента: US5860135A. Автор: Masahiro Sugita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

System and method for managing a non-volatile memory

Номер патента: US20120311233A1. Автор: Michael KATZ,Hanan Weingarten. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Handling high priroity requests in a sequential access storage device having a non-volatile storage cache

Номер патента: US20120303869A1. Автор: Michael T. Benhase,Lokesh M. Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Managing a LSM tree of key value pairs that is stored in a non-volatile memory

Номер патента: US11860844B2. Автор: Moshe Twitto,Niv Dayan. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Dual-scope directory for a non-volatile memory storage system

Номер патента: US20110035534A1. Автор: Andrew Vogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A2. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2005-03-31.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A3. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Meirav Raz. Дата публикации: 2005-12-15.

Line and space architecture for a non-volatile memory device

Номер патента: US20130299769A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Retrieving system boot code from a non-volatile memory

Номер патента: US09734339B2. Автор: Jeffrey Kevin Jeansonne,Jon G Lloyd,Rahul V Lakdawala,Justin C Prindle. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-08-15.

Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device

Номер патента: US09703491B2. Автор: Akshay Mathur,Chayan Biswas,Baskaran Kannan,Dharani Kotte. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for improving access performance of a non-volatile storage device

Номер патента: US09690489B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chih-Nan YEN,Szu-I Yeh. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Extending useful life of a non-volatile memory by health grading

Номер патента: US09558107B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Thomas Parnell,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Compression Method for Managing the Storing of Persistent Data From a Non-Volatile Memory to a Backup Buffer

Номер патента: US20080005510A1. Автор: Paolo Sepe,Luca Di Cosmo. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2008-01-03.

Process cartridge for an image forming apparatus with a non-volatile memory

Номер патента: EP1176478A1. Автор: Yoshihiko Minolta Co. Ltd. Yoshizaki,Kazuo Minolta Co. Ltd. Okunishi,Hideki Minolta Co. Ltd. Hino,Kentaro Minolta Co. Ltd. Nagatani,Yoshiaki Minolta Co. Ltd. Takano,Daisetsu Minolta Co. Ltd. Tohyama. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-30.

Techniques to communicate with a controller for a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US9645829B2. Автор: Mohan J. Kumar,George Vergis,Sarathy Jayakumar,Adam J. Brooks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-powered detection device with a non-volatile memory

Номер патента: US8422317B2. Автор: Thierry Roz,David A. Kamp,Filippo Marinelli. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-04-16.

Memory control system for a non-volatile memory and control method

Номер патента: US9477419B2. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating a non-volatile memory

Номер патента: US20030134462A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Wear leveling based on a swapping operation between sets of physical block addresses of a non-volatile memory

Номер патента: WO2017172249A1. Автор: Robert W. Faber,Jason A. Gayman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Managing a lsm tree of key value pairs that is stored in a non-volatile memory

Номер патента: US20220075552A1. Автор: Moshe Twitto,Niv Dayan. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Control System for a Non-Volatile Memory and Control Method

Номер патента: US20150309753A1. Автор: Julien Penders,Tobias Gemmeke,Carlos Agell. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2015-10-29.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

System and method for booting from a non-volatile application and file storage device

Номер патента: WO2003014923A3. Автор: Robert C Chang,Farshid Sabet-Sharghi,Jong Guo. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Memory system and storage device capable of permanently deleting data stored in a non-volatile memory

Номер патента: US20190130135A1. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-Hwan Park,Min-Chul Kim,Sun-Mi Yoo,Ki Hyun Choi,Hyun Su Jang,Sagar Uttarwar,Yong Gil Song,Min Gon Shin,Seung Yeun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods and apparatus for estimating the wear of a non-volatile memory

Номер патента: US20200249851A1. Автор: Steffen Allert,Christoph Baumhof,Martin Roeder. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2020-08-06.

Reclaiming space occupied by an expired variable record in a non-volatile record storage

Номер патента: US20130080682A1. Автор: Kurt David Gillespie. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-03-28.

Method and system for hibernation or suspend using a non-volatile-memory device

Номер патента: EP2380081A1. Автор: QUN ZHAO,Xinhai Kang,Chee Hoe Chu,Hsing-Yi Chiang,Lihan Chang,Jin-Nan Liaw,Robyn Jie Li. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-10-26.

METHOD OF PERENNIZING INFORMATION STORED IN A NON-VOLATILE-TEMPORARY MEMORY OF A CALCULATOR

Номер патента: FR3079946A1. Автор: Bernard Bavoux. Владелец: PSA Automobiles SA. Дата публикации: 2019-10-11.

Method of forming a transistor in a non-volatile memory device

Номер патента: US20070238240A1. Автор: Dominik Olligs,Florian Beug,Ricardo Mikalo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-11.

METHOD OF OPTIMIZING THE LIFETIME OF A NON-VOLATILE MEMORY REINSCRIPTIBLE

Номер патента: FR2935502B1. Автор: Olivier Chamley. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2010-12-10.

Scan flip-flop circuit with los scan enable signal

Номер патента: US20150331044A1. Автор: Gaurav Goyal,Ateet Mishra,Reecha Jajodia. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US09846468B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Apparatus and method of using dummy data while storing data at a multi-bit storage element

Номер патента: US20150081952A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Dimitris Pantelakis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory management system with power source and method of manufacture thereof

Номер патента: US09754634B2. Автор: Kelvin Marino,Robert Tower Frey,Jinying Shen,Joshua Harris Brooks. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Server device capable of being stably operated in spite of power loss and method of operating the same

Номер патента: US20230384847A1. Автор: Bumjun Kim,Sung Chul HUR,Hwaseok Oh,Sang-Hwa Jin,Brianmyungjune Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of controlling erase operation of a memory and memory system implementing the same

Номер патента: US09443599B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn,Hyun-Ju Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Page aligning method and lookup table generating method of data storage device

Номер патента: US20170337006A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Design structure for estimating and/or predicting power cycle length, method of estimating and/or predicting power cycle length and circuit thereof

Номер патента: US20090268541A1. Автор: Nitin Sharma,Kenneth J. Goodnow,Clarence R. Ogilvie,Sebastian T. Ventrone,Charles S. Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US09875154B2. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of repairing non-volatile memory based storage device and method of operating electronic system including the storage device

Номер патента: US09728277B2. Автор: Jong Tae Park,Joon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of reliably reading data stored in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09495518B2. Автор: Jae Hong Kim,Yong June Kim,Hong Rak Son,Ki Jun LEE,Seong Hyeog Choi,Sang Yong YOON,Jung Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device and operating method of storage controller

Номер патента: US20240232004A9. Автор: Eun Jung,Jaeshin Lee,Moonsang Kwon,Sungwon Jeong,Younghoi Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: US09852061B2. Автор: Min Young Son,Jae Don Lee,Choong Hun Lee,Gyu Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Systems and methods of generating shaped random bits

Номер патента: US09824760B2. Автор: Eran Sharon,Ishai Ilani,David Rozman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system, control system and method of predicting lifetime

Номер патента: US09424927B2. Автор: Yuichiro Mitani,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Apparatus, system, and method of byte addressable and block addressable storage and retrival of data to and from non-volatile storage memory

Номер патента: US20180018171A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Fariborz Frankie Roohparvar. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Apparatus, system, and method of byte addressable and block addressable storage and retrieval of data to and from non-volatile storage memory

Номер патента: US20210109657A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Fariborz Frankie Roohparvar. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Apparatus, system, and method of byte addressable and block addressable storage and retrival of data to and from non-volatile storage memory

Номер патента: US20210048950A9. Автор: Mike Hossein Amidi,Fariborz Frankie Roohparvar. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09478295B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile multi-level cell memory system and method of performing adaptive data back-up in the system

Номер патента: US09747170B2. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Systems and methods of memory reads

Номер патента: US09898229B1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Gadi Vishne,Joshua Lehmann. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method of managing tags associated with read voltages

Номер патента: US09633749B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Evgeny Mekhanik. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile memory system with improved signal transmission and reception characteristics and method of operating the same

Номер патента: US09396805B2. Автор: Jung-Pil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Computer system with physically-addressable solid state disk (ssd) and a method of addressing the same

Номер патента: US20150089123A1. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Non-volatile static ram and method of operation thereof

Номер патента: WO2016204823A1. Автор: Jayant Ashokkumar,Fan Chu,Alan DeVilbiss,Donald VERHAEGHE,Qidao Li,Judith Allen. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of programming non-volatile memory device

Номер патента: US12125541B2. Автор: Sungmin JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory device, memory system including the same, and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US09543032B2. Автор: Soo-Woong Lee,Sangchul Kang,Seokcheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile static RAM and method of operation thereof

Номер патента: US09514816B1. Автор: Alan D Devilbiss,Jayant Ashokkumar,Donald J. Verhaeghe,Fan Chu,Qidao Li,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Physically-addressable solid state disk (ssd) and a method of addressing the same

Номер патента: US20150248348A1. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

A software method of emulation of eeprom memory

Номер патента: WO2005055244A1. Автор: Piotr Przybylek. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2005-06-16.

A software method of emulation of eeprom memory

Номер патента: EP1702339B1. Автор: Piotr Przybylek. Владелец: Advanced Digital Broadcast Ltd. Дата публикации: 2008-03-19.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Two-stage programming using variable step voltage (dvpgm) for non-volatile memory structures

Номер патента: US20220215873A1. Автор: Ravi Kumar,Muhammad Masuduzzaman,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Storage controller including parity management module, storage device including the same, and operating method of storage device

Номер патента: US12073904B2. Автор: Jongpil Kim,Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674B1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of regulating the voltages on the drain and body terminals of a nonvolatile memory cell during programming and corresponding programming circuit

Номер патента: EP1331645A3. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Andrea Sacco,Sabina Mognoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of wear leveling for data storage device

Номер патента: US09830098B1. Автор: Sheng-Liu Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Storage controller determining distribution type, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US11934701B2. Автор: Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Storage controllers, operating methods of storage controllers, and operating methods of storage devices including storage controllers

Номер патента: EP4310846A1. Автор: Kyungduk Lee,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Storage controllers performing reset operations using setting data, operating methods of storage controllers, and operating methods of storage devices including storage controllers

Номер патента: US20240012703A1. Автор: Kyungduk Lee,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Writing data in a non-volatile memory of a smart card

Номер патента: US09513842B2. Автор: Michael Barthe,Geoffrey Spinau. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of rewriting data in non-volatile memory, and system therefor

Номер патента: US4517663A. Автор: Ryoji Imazeki,Michiya Inoue. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Storage controller determining error count, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US11817170B2. Автор: Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory system and controlling method of memory system

Номер патента: US20220093155A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system and controlling method of memory system

Номер патента: US11282565B1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Solid state storage system with latency management mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09946469B2. Автор: Fong-Long Lin,Shu-Cheng Lin. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic memory device and test method of such a device

Номер патента: US09881692B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec,Miloslav KUBAR. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system and method of reading data thereof

Номер патента: US09478298B2. Автор: Heung-Soo Lim,Hyun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11862264B2. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Storage controller receiving read data and distribution information, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US20240012569A1. Автор: Suhyun KIM,Youngdeok SEO,Byungkwan Chun,Su Chang Jeon,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096431A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230154557A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Server device capable of being stably operated in spite of power loss and method of operating the same

Номер патента: EP4286988A1. Автор: HUR SUNG CHUL,Bumjun Kim,Hwaseok Oh,Sang-Hwa Jin,Brianmyungjune Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Method of fixing a read evaluation time or the difference between a read charge voltage and a read discriminating voltage in a non-volatile nand type memory device

Номер патента: US20080062767A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12050782B2. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory device for selectively performing recovery operation and method of operating the same

Номер патента: US20170125091A1. Автор: Hyun-Jun Yoon,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US11862263B2. Автор: Sangsoo Cha,Suyong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Weak programming method of non-volatile memory

Номер патента: US20040184320A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Chien-Min Wu,James Juwn Hsu,Chi-Moon Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same

Номер патента: US11900987B2. Автор: Mohit Gupta,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-13.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20210005273A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sung June Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20220262446A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US20150301889A1. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Semiconductor storage device having TFET access transistors and method of driving the same

Номер патента: US09620199B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling memory

Номер патента: US8806107B2. Автор: Hiroo Nakano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Non-volatile semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20110075483A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: US11894061B2. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Reference cell circuit and method of producing a reference current

Номер патента: US20140071766A1. Автор: Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Seow-Fong Lim. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US9305657B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Storage device and operating method of storage controller

Номер патента: US20220365842A1. Автор: Eun Jung,Jaeshin Lee,Moonsang Kwon,Sungwon Jeong,Younghoi Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Operation method of storage controller using history table, and storage device including the storage controller

Номер патента: US11941293B2. Автор: Minkyu Kim,Sanghyun Choi,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Storage device and operating method of storage controller

Номер патента: US11899531B2. Автор: Eun Jung,Jaeshin Lee,Moonsang Kwon,Sungwon Jeong,Younghoi Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Storage device and operating method of storage controller

Номер патента: US20240134741A1. Автор: Eun Jung,Jaeshin Lee,Moonsang Kwon,Sungwon Jeong,Younghoi Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Storage device and operating method of storage controller

Номер патента: EP4089539A1. Автор: Eun Jung,Jaeshin Lee,Moonsang Kwon,Sungwon Jeong,Younghoi Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Storage devices calculating a wordline gap value, and methods of operating the same

Номер патента: US20240078018A1. Автор: Jinyoung Lee,Heewon Lee,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Youngjoo Seo,Donghoo LIM,Jin Gu Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of storing and accessing header data from memory

Номер патента: WO2009005719A2. Автор: MEI Yan,Fabrice Jogand-Coulomb,Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi,Chieh-Hao Yang,Po Yuan,Junzhi Wang,Xian Jun Liu,June Li. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-01-08.

A method of, and a computer program product for sharing digital media such as photos and/or videos between a plurality of mobile communication devices.

Номер патента: NL2014780A. Автор: Arjen Wuts Roderik. Владелец: R A Wuts Beheer B V. Дата публикации: 2016-11-10.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12032699B2. Автор: Sung Ho Yoon,Myeong Jong Lee,Seok Gi Hong,Seong Chan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method of utilizing platform applications with information handling systems

Номер патента: US20210406063A1. Автор: Donald Richard Tillery, Jr.,Brijesh Kumar Mishra,Dongli Wu,Sai Sivakumar Dhakshinamurthy. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-12-30.

Image display apparatus and method of operating the same

Номер патента: US09930398B2. Автор: Kwang-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus for displaying an image and method of operating the same

Номер патента: US09930392B2. Автор: Je-ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method of utilizing a component of an information handling system

Номер патента: US20220060339A1. Автор: Lee Eric Ballard,Jonathan Foster Lewis. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-02-24.

Wireless tag, clothing article, and method of user authentication

Номер патента: EP4446940A1. Автор: Adam Kantorowicz,Mariusz Fraig Hamed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US20190065122A1. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US10838663B2. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of, and a computer program product for sharing digital media such as photos and/or videos between a plurality of mobile communication devices

Номер патента: US9774987B2. Автор: Roderik Arjen WUTS. Владелец: Fun Fellows BV. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of Self-Diagnosing a Mobile Telephone Set for Use in a Mobile Telephone Switching System and Mobile Telephone Set Being Applied the Method

Номер патента: CA2069236A1. Автор: Motoyoshi Komoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Method of, and a computer program product for sharing digital media such as photos and/or videos between a plurality of mobile communication devices

Номер патента: US20160330574A1. Автор: Roderik Arjen WUTS. Владелец: Fun Fellows BV. Дата публикации: 2016-11-10.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of calibrating and driving a display device comprising a variable-wavelength led

Номер патента: WO2024161150A1. Автор: Edward Buckley. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Self-describing data format for DMA in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09747229B1. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrode structure for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US20140084233A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of operation of a fail-safe solid state relay

Номер патента: WO2017205897A1. Автор: David J. Mauro,David Martin Stuckey,Keith Malcolm Summons,Brent Graham,Marc David SEMKOW,Marie Lise OWENS,Heri Ekonanto,Udo Wilhelm FARNSCHLAEDER,Michael Anthony STRIKE,Alastair Malcolm SMART. Владелец: David Stuckey Investments Pty Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

System and method of digital content manipulation

Номер патента: WO2007113814A3. Автор: Mordechai Teicher. Владелец: Mordechai Teicher. Дата публикации: 2007-11-29.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20170005262A1. Автор: Jung Ho Yoon,Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Shaving aid composite with a non-volatile cooling agent

Номер патента: CA2224263C. Автор: Brian A. Rogers,Yuling Yin,Frank E. Badin,Thilivali T. Ndou,Lee K. Lim. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2002-04-09.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090059679A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090061582A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of forming supra low threshold devices

Номер патента: US09437500B1. Автор: Cheong Min Hong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of heating fuel gas in a non-volatile gas transfer unit

Номер патента: RU2689508C1. Автор: Юрий Васильевич Белоусов. Владелец: Юрий Васильевич Белоусов. Дата публикации: 2019-05-28.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US09466605B2. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: EP3769338A2. Автор: Zhou Feng,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Two transistor finfet-based split gate non-volatile floating gate flash memory and method of fabrication

Номер патента: WO2019182681A2. Автор: Zhou Feng,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu,Jimho KIM. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-09-26.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal-enhanced gates and method of making same

Номер патента: EP3243219A1. Автор: Chun-Ming Chen,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09978762B2. Автор: Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929176B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583504B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20040164375A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030042520A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-06.

Non-volatile memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US8624331B2. Автор: Deok-kee Kim,Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20140127894A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135595A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426276B2. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Semiconductor integrated circuit device having a dummy conductive film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7001808B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing non-volatile memory having SONOS memory cells

Номер патента: US09530783B2. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190221578A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US20060270137A1. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US7479426B2. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-20.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180026048A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US09773803B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09583502B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Hiraku Chakihara,Takuro Homma,Hiroshi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09577059B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile semiconductor devices including non-circular shaped channel patterns and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929179B2. Автор: Yong-Hoon Son,Hanmei Choi,Kihyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of ono integration into logic CMOS flow

Номер патента: US12048162B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Bo Jin,Fredrick B. Jenne. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method of integration of ONO stack formation into thick gate oxide CMOS flow

Номер патента: US09824895B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09659948B2. Автор: Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090269911A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: EP2449591A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: WO2011008385A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method of making a non-volatile memory (NVM) with trap-up reduction

Номер патента: US09548314B1. Автор: Cheong Min Hong,Konstantin V. Loiko,Juanyi Yin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Electronic apparatus and booting method of the same

Номер патента: EP2256625A1. Автор: Nam-jae Jeon,Prabhu Kaliamoorthi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Three dimensional horizontal diode non-volatile memory array and method of making thereof

Номер патента: WO2012051159A1. Автор: Michael Konevecki,Steven J. Radigan,Raghuveer S. Makala,Natalie Nguyen,Paul Wai Kie Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-04-19.

Bottom electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20200388757A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a non-volatile memory cell and array having a trapping charge layer in a trench

Номер патента: US09882033B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating non-volatile ferroelectric transistors

Номер патента: US6762063B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050173753A1. Автор: Sang-soo Kim,Byung-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Method of fabricating non-volatile ferroelectric transistors

Номер патента: US20030173600A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080035986A1. Автор: Sang-soo Kim,Byung-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Charge trapping split gate device and method of fabricating same

Номер патента: US09966477B2. Автор: Mark T. Ramsbey,Unsoon Kim,Sameer S. Haddad,Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20040046204A1. Автор: Yong-Suk Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Methods of forming non-volatile resistance variable devices and methods of forming silver selenide comprising structures

Номер патента: US20040029351A1. Автор: John Moore,Terry Gilton,Kristy Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile cathodes for lithium oxygen batteries and method of producing same

Номер патента: US20080070087A1. Автор: Lonnie Johnson. Владелец: EXCELLATRON SOLID STATE LLC. Дата публикации: 2008-03-20.

System and method of delicate membrane condensed phase membrane introduction mass spectrometry (CP-MIMS)

Номер патента: US9583325B2. Автор: Erik KROGH,Christopher Gill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

System and method of delicate membrane condensed phase membrane introduction mass spectrometry (cp-mims)

Номер патента: CA2912959C. Автор: Erik KROGH,Christopher Gill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-10.

Improvements relating to the extraction of zinc or other volatile metal from waste material also containing a non-volatile heavy metal

Номер патента: GB978448A. Автор: . Владелец: GUSTAV BLOM LUNDEVALL. Дата публикации: 1964-12-23.

Dynamic mixer, automatic mixing unit and method of installing and driving a dynamic mixer

Номер патента: EP3661637A1. Автор: Rene BICKER. Владелец: Sulzer Mixpac AG. Дата публикации: 2020-06-10.

Dynamic mixer, automatic mixing unit and method of installing and driving a dynamic mixer

Номер патента: WO2019043092A1. Автор: Rene BICKER. Владелец: Sulzer Mixpac AG. Дата публикации: 2019-03-07.

Systems and methods of performing a data save operation

Номер патента: WO2013095836A1. Автор: Daniel Zvi Yerushalmi,Yaniv Iarovici. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of performing a data save operation

Номер патента: EP2795453A1. Автор: Daniel Zvi Yerushalmi,Yaniv Iarovici. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-29.

Method of file system design and failure recovery with non-volatile memory

Номер патента: WO2015112094A3. Автор: CHENG Chen,Jun Yang,Qingsong WEI,Chundong Wang,Mingdi XUE. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Computing system with backup and recovery mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09779016B1. Автор: Kelvin Marino,Robert Tower Frey,Jinying Shen. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Information processing apparatus and control method of information processing apparatus

Номер патента: US20210089213A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kamiya,Sohei KUSHIDA,Tatsuya Tokue,Haruya Iwata. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Liquid crystal display device and adjusting method of the same

Номер патента: US7190381B2. Автор: Makoto Kitagawa,Mitsugu Kobayashi,Yusuke Tsutsui. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Storage controller performing active zone refresh, method of operating storage controller, and method of operating storage device having storage controller

Номер патента: US20230236765A1. Автор: Suhwan Kim,Junseok Park,Minsik Son,Hyunkoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of converting a hybrid hard disk drive to a normal HDD

Номер патента: EP1967946A3. Автор: Jae-Sung Lee,Hye-Jeong Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-03.

In-vehicle system having volatile and non-volatile storage and method of using

Номер патента: US20240371215A1. Автор: Parth Patel,Takeshi Sekiya,Johan Lindqvist,Mario FREITAS,Laurent FERT,Jérôme PEYROUTAT-BASSE,Nik CHIZHOV,Vinit TARE,Erik STEGGALL,Kalyani ORUGANTI,Justin TJOA,Nick HORI. Владелец: Woven by Toyota Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory packaging system with caching and method of operation thereof

Номер патента: US09424188B2. Автор: Alessandro Fin,Mike H. Amidi,Michael Rubino. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory module and system and method of operation

Номер патента: EP3286654A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

System and method of online firmware update for baseboard management controller (BMC) devices

Номер патента: US09910664B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Chandrasekaran,Anurag Bhatia,Samvinesh Christopher,Winston Thangapandian,Suresh Vijayakumar. Владелец: American Megatrends Inc USA. Дата публикации: 2018-03-06.

Device programming system with data broadcast and method of operation thereof

Номер патента: US09720681B2. Автор: Andrew B. Caley,Derek P. Steffey. Владелец: Data IO Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of controlling a memory system

Номер патента: US09720624B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Dong-Sub Kim,Kyung-Ryun Kim,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Storage devices, storage controllers, and operating methods of storage controllers

Номер патента: US12045476B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Device programming system with data broadcast and method of operation thereof

Номер патента: WO2013013227A3. Автор: Andrew B. Caley,Derek P. Steffey. Владелец: DATA I/O CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Device programming system with data broadcast and method of operation thereof

Номер патента: WO2013013227A2. Автор: Andrew B. Caley,Derek P. Steffey. Владелец: DATA I/O CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory controller, storage device including memory controller, and operating method of memory controller

Номер патента: US20240311020A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method of accessing non-volatile computer memory

Номер патента: WO2007040569A2. Автор: Josef Zeevi. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-04-12.

Print apparatus and method of controlling printer

Номер патента: US20110016139A1. Автор: HAE YONG CHOI,Byung Gon Kim,Woo Chul Shin,Gi Hwan Ahn,Dong Hwan Ha. Владелец: Bixolon Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Apparatus, System, and Method of Look-Ahead Address Scheduling and Autonomous Broadcasting Operation to Non-Volatile Storage Memory

Номер патента: US20160378402A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of traceless portable application execution

Номер патента: WO2005050345A2. Автор: Ittai Golde,Yaakov Ben Tsvi,Erez Baum,Doanld Ray Bryant-Rich,Daniel Yerushalmy. Владелец: M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd.. Дата публикации: 2005-06-02.

Print apparatus and method of controlling printer

Номер патента: EP2278448A3. Автор: HAE YONG CHOI,Byung Gon Kim,Woo Chul Shin,Gi Hwan Ahn,Dong Hwan Ha. Владелец: Bixolon Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Storage controller providing status information of zone region, method of operating the same, and method of operating electronic device having the same

Номер патента: US20240319918A1. Автор: Minkyeong Lee,Donghee Lee,Junho Kim,Jaesub KIM,Yangwoo Roh,Youkun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus, system, and method of look-ahead address scheduling and autonomous broadcasting operation to non-volatile storage memory

Номер патента: US09990159B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and operating method of same

Номер патента: US09817588B2. Автор: Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Li-Chun Huang,Nai-Ping Kuo,Wei-Chieh Huang,Ting-Yu Liu,Chien-Hsin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US6794280B2. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of operating data storage device and method of operating system including the same

Номер патента: US09996282B2. Автор: Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Diagnostic apparatus, control unit, integrated circuit, vehicle and method of recording diagnostic data

Номер патента: US09678870B2. Автор: Clemens Roettgermann,Dirk Moeller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of configuring non-volatile memory for a hybrid disk drive

Номер патента: EP2035935A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Non-volatile memory structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115887A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20040142547A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Non-volatile dual inline memory module (NVDIMM) for supporting DRAM cache mode and operation method of NVDIMM

Номер патента: US11768774B2. Автор: Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Method of adjusting vehicle display device and vehicle display device

Номер патента: US12105296B2. Автор: Masaya Hatakeyama. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US09804790B2. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Computing system with non-disruptive fast memory restore mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09684520B2. Автор: Robert Tower Frey,Joshua Harris Brooks. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Storage device for performing in-storage computing operations, method of operation the same, and system including the same

Номер патента: US09652416B2. Автор: MOON Sang Kwon,Hyung Jin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of operating an electronic device equipped with a security system and a security system for electronic devices

Номер патента: RU2740780C1. Автор: Леонид Владимирович Алексеев,Вадим Павлович Цывьян. Владелец: Фьюче Ресорсес Кэпитал Ллп. Дата публикации: 2021-01-21.

Storage device, storage controller and operating method of storage controller

Номер патента: US20240184482A1. Автор: NamWook KANG,Chanha KIM,Soojun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Storage device, storage controller and operating method of storage controller

Номер патента: EP4383083A1. Автор: NamWook KANG,Chanha KIM,Soojun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Non-volatile storage medium storing a portable device control program, and method of controlling a portable device

Номер патента: US20120194531A1. Автор: Ryo YANAGAWA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Ultra-wideband integrated circuit (uwb ic) and method of calibrating a uwb product that employs the uwb ic

Номер патента: WO2022182576A1. Автор: Jeff Clancy. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-09-01.

Non-volatile storage medium storing a portable device control program, and method of controlling a portable device

Номер патента: US8836731B2. Автор: Ryo YANAGAWA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Ultra-wideband integrated circuit (uwb ic) and method of calibrating a uwb product that employs the uwb ic

Номер патента: EP4298458A1. Автор: Jeff Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory systems and methods of operating thereof, memory controllers and readable storage media

Номер патента: US20240362169A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Guangyao Han,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Storage device for providing event data and operation method of storage device

Номер патента: US20240232010A9. Автор: Jooyoung Kim,Jihong Kim,Yongkoo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Storage device storing data based on key-value and operating method of the same

Номер патента: US12079120B2. Автор: SATISH Kumar,Chansoo Kim,Hwang Lee,Wan Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Data storage device with temperature sensor and temperature calibration circuitry and method of operating same

Номер патента: US09927986B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Vered Kelner,Avichay Hodes. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Storage device including memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: EP4024220A1. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

Application processor, system on chip, and method of booting device

Номер патента: US20190324761A1. Автор: Jun-Ho Choi,Dong-jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of stand-alone non-public network (snpn) access management in user equipment operating and a user equipment thereof

Номер патента: WO2024172624A1. Автор: Lalith KUMAR,Danish Ehsan HASHMI,Varini Gupta,Utsav SINHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-22.

Storage device providing direct memory access, computing system including the same, and operating method of the storage device

Номер патента: EP4435610A1. Автор: Jiwon Chang,Jaegeun PARK,Sangmuk Hwang,Youngsuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Storage device providing direct memory access, computing system including the same, and operating method of the storage device

Номер патента: US20240320173A1. Автор: Jiwon Chang,Jaegeun PARK,Sangmuk Hwang,Youngsuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods of write cache flushing

Номер патента: US09658966B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Eran Erez,Polina MARIMONT,Gadi Vishne,Roman Rozental. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US12019868B2. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Computational storage system, method of operation of computational storage systems, and electronic device

Номер патента: US20240273013A1. Автор: Jihoon Kim,Gunbae KIM,Sangho Yi,Chaehwan Yang,Jonghun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method of updating metablocks associated with multiple memory dies

Номер патента: US09632712B2. Автор: Zhenlei Shen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of handling non-access stratum message and related communication device

Номер патента: US09426687B2. Автор: Ching-Yu Liao. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

METHOD OF ACCESSING NVMeoF MEMORY REGION OF A REMOTE TARGET DEVICE BY A HOST CPU

Номер патента: US20230056733A1. Автор: Venkataratnam NIMMAGADDA,Sandeep Kumar ANANTHAPALLI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Elementary cell comprising a resistive memory and associated method of initialization

Номер патента: US11711988B2. Автор: Anthonin Verdy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-07-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

A method of processing data

Номер патента: EP2698714A3. Автор: Craig Oliver. Владелец: Basis Technologies International Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Memory controller, storage device including the same, and operating method of the memory controller

Номер патента: US20230273884A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Jisoo Kim,Mingon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of establishing pre-fetch control information from an executable code and an associated NVM controller, a device, a processor system and computer program products

Номер патента: US09817763B2. Автор: Nancy Amedeo,Mark Maiolani,Alistair Robertson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

System and method of runtime downloading of debug code and diagnostics tools in an already deployed baseboard management controller (BMC) devices

Номер патента: US09665469B2. Автор: Anurag Bhatia,Samvinesh Christopher,Winston Thangapandian. Владелец: American Megatrends Inc USA. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems having a maximum sleep mode and method of operating the same

Номер патента: US09547360B2. Автор: Won-seok Lee,Young-Jin Park,Il-guy Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12147669B2. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Electronic system with storage management mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20190250821A1. Автор: Xiling Sun,James Liu,Changho Choi,Sushma Devendrappa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Systems and methods of deduplicating data collected by an implantable medical device

Номер патента: US20240079147A1. Автор: Hitesh Hotlani. Владелец: ALFRED E MANN FOUNDATION FOR SCIENTIFIC RESEARCH. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of detecting anomalous operation of industrial systems and respective control systems, and related systems and articles of manufacture

Номер патента: WO2021118788A9. Автор: Fan Zhang,Jamie Baalis COBLE. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-08-19.

Storage device, storage controller and operating method of storage controller

Номер патента: US20240231701A1. Автор: Daekyu PARK,Yonghoon CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of initiating firmware upgrades

Номер патента: WO2013002629A9. Автор: Chin Wee WONG,Yusuf RAMPURAWALA. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2013-03-21.

Electronic system with update control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09858067B2. Автор: Ayberk Ozturk,Richard Deglin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Smart junction box for photovoltaic solar power modules with safe mode and related method of operation

Номер патента: US09812868B2. Автор: Steven Andrew Robbins. Владелец: SUNFIELD SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus and method of providing items based on scrolling

Номер патента: US09727223B2. Автор: Sung-jung Cho,Kyu-yong Kim,Chang-kyu Choi,Yeun-bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method of configuring a non-volatile storage device

Номер патента: US11989301B2. Автор: Sanjay Rao,Vigneswaran Ponnusamy,Diwahar Natarajan,Sanjeev Surendra Dambal,Charles D. Stracener. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-21.

Storage device including memory controller implementing journaling and operating method of the memory controller

Номер патента: US11983440B2. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of increasing flash endurance by improved metadata management

Номер патента: US20240256144A1. Автор: Srikanth Tumkur Shivanand,Sharath Kumar Kodase,Paul Justin Koilraj Jayakumar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for storage of data in a non-volatile media

Номер патента: US09727263B2. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Reconfigurable embedded device, method of reconfiguring an embedded device and non-transitory recording medium therefor

Номер патента: US09639373B2. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

An electronic device having an alterable configuration and methods of manufacturing and configuring the same

Номер патента: CA2539897C. Автор: Robert Henderson Wood,Bao Quoc Nguyen. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method of booting a computer system using a memory image of the post boot content of the system RAM memory

Номер патента: NZ520786A. Автор: Daniel James Oaeconnell. Владелец: Daniel James Oaeconnell. Дата публикации: 2005-06-24.

Electronic device and method of utilizing storage space thereof

Номер патента: EP4235442A3. Автор: Junwoo Lee,Jintae Jang,Wonsuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Electronic device and method of utilizing storage space thereof

Номер патента: ZA202110284B. Автор: LEE Junwoo,JUNG Wonsuk,JANG Jintae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-25.

System and method of operating system executables with information handling systems (IHS)

Номер патента: US11836499B2. Автор: Brijesh Kumar Mishra,Dongli Wu,James Darrell Testerman,Sai Sivakumar Dhakshinamurthy,Kristopher Anthony Slocum. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-12-05.

Systems and methods of processing access requests at a data storage device

Номер патента: WO2015026578A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Robert Jackson,Gary Lin,Daniel Edward Tuers. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of pre-treatment and staining of and support device for a biological sample

Номер патента: WO2006004739A3. Автор: Lars Winther,Loren L Bland,Marc E Key,David A Stanforth,Martin N Lindberg. Владелец: Martin N Lindberg. Дата публикации: 2007-03-29.

Hybrid memory module and system and method of operating the same

Номер патента: EP3066570A2. Автор: Hyun Lee,Jayesh R. Bhakta,Mario Jesus Martinez,Chi She Chen,Jeffery C. Solomon,Hao Le,Soon J. Choi. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Storage device performing atomic write, host controlling storage device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240201898A1. Автор: Seokhwan Kim,Daejun Park,Yongmyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Computer memory expansion device and method of operation

Номер патента: US12061562B2. Автор: Patrick Lee,Scott Milton,Jordan HORWICH,Jerry ALSTON,Chih-Cheh Chen,Jeekyoung Park. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage controller and operating method of the storage controller

Номер патента: US20240311304A1. Автор: Jongmin Kim,Jinwoo Song,Minsik Oh,Donggil Kang,Kyungjune Cho,Kyungsik UM,Myunggwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage controller and operating method of the storage controller

Номер патента: EP4432102A1. Автор: Jongmin Kim,Jinwoo Song,Minsik Oh,Donggil Kang,Kyungjune Cho,Kyungsik UM,Myunggwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Controllers configured to perform secure deletion, key-value storage devices including said controllers, and methods of operation thereof

Номер патента: US20190317688A1. Автор: Chan-Ik Park,Ji-Hwan Kim,Sang Jin Oh,Jeong-ha CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Storage system and method of controlling storage system

Номер патента: US20230297249A1. Автор: Junji Ogawa,Tomohiro Miyabe,Hiroshi Otsuru,Toshiaki Hayano. Владелец: Hitachi Information and Telecommunication Engineering Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage controller having data prefetching control function, operating method of storage controller, and operating method of storage device

Номер патента: US11853219B2. Автор: Minwoo Kim,Daekyu PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Embedded System and Method of Controlling Non-Volatile Memory To Perform Firmware Update

Номер патента: US20220100489A1. Автор: Sheng-Kai Hung. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Digital photographing apparatus, method of controlling the same and computer readable medium having recorded thereon program for executing the method

Номер патента: US20110063476A1. Автор: Jae-myung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of executing an application program by a facsimile device, and facsimile device having a function of reopening the execution of the application program in response to recovery from trouble

Номер патента: CA2005614C. Автор: Katsuhiko Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Scanning in real time microfluid thermal cycler and methods of synchronized thermal cycling and scanning optical detection

Номер патента: RU2690374C2. Автор: Томас Каталино ГУБАТАЯО,Калиан ХЭНДИК,Картик ГАНЕСАН,Дэниел М. ДРАММОНД. Владелец: Бектон, Дикинсон Энд Компани. Дата публикации: 2019-06-03.

Substrate for thermal recording head, ink jet recording head using the substrate, recording apparatus with the recording head, and method of driving recording head

Номер патента: US5943070A. Автор: Fumio Murooka,Tatsuo Furukawa,Hiroyuki Maru,Masaaki Izumida,Yuji Kamiyama,Yoshiyuki Imanaka,Shuichi Katao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Adhesive peel-forming formulations for dermal delivery of drugs and methods of using the same

Номер патента: CA2569121C. Автор: Jie Zhang,Kevin S. Warner,Michael A. Ashburn,Larry D. Rigby,Suyi Niu. Владелец: Nuvo Research Inc. Дата публикации: 2013-01-15.

Substrate for thermal recording head, ink jet recording head using the substrate, recording apparatus with the recording head, and method of driving recording head

Номер патента: CA2131423C. Автор: Fumio Murooka,Tatsuo Furukawa,Hiroyuki Maru,Masaaki Izumida,Yuji Kamiyama,Yoshiyuki Imanaka,Shuichi Katao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of programming data in a non-volatile memory device and non-volatile memory device for performing the method

Номер патента: CN118942514A. Автор: 朴贤国,尹铉竣,尹盛远,申祐卨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of production of liquefied natural gas and compressed natural gas at the gas distributing station and complex for its implementation

Номер патента: RU2641410C1. Автор: Юрий Васильевич Белоусов. Владелец: Юрий Васильевич Белоусов. Дата публикации: 2018-01-17.

使用变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты