Method for producing an antifuse in a substrate and an antifuse structure for integration in a substrate
Номер патента: US6919234B2
Опубликовано: 19-07-2005
Автор(ы): Florian Schamberger, Jürgen Lindolf
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-07-2005
Автор(ы): Florian Schamberger, Jürgen Lindolf
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating a semiconductor component having a wiring which runs piecewise in the substrate, and also a semiconductor component which can be fabricated by this method
Номер патента: US20010053574A1. Автор: Andreas Kux,Ronald Kakoschke,Helga Braun,Regina Stokan,Gunther Plasa. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-20.