Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof
Номер патента: US20020185648A1
Опубликовано: 12-12-2002
Автор(ы): Kazuyoshi Furukawa, Shunji Yoshitake, Yasuhiko Akaike
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-12-2002
Автор(ы): Kazuyoshi Furukawa, Shunji Yoshitake, Yasuhiko Akaike
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.