Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Comprising Resistive Change Material and Method of Operating
Номер патента: US20220093175A1
Опубликовано: 24-03-2022
Автор(ы): Widjaja Yuniarto
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-03-2022
Автор(ы): Widjaja Yuniarto
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating
Номер патента: US09922711B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.