MEMRISTOR MEMORY WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE STATES
Номер патента: US20160343435A1
Опубликовано: 24-11-2016
Автор(ы): Foltin Martin, Jeon Yoocharn
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-11-2016
Автор(ы): Foltin Martin, Jeon Yoocharn
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-volatile memory cell and non-volatile memory device
Номер патента: US09543006B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.