Fet transconductance amplifier with improved linearity and gain
Номер патента: EP0259029B1
Опубликовано: 28-07-1993
Автор(ы): Valdis Garuts
Принадлежит: Tektronix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-07-1993
Автор(ы): Valdis Garuts
Принадлежит: Tektronix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths
Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.