Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Power semiconductor module with a housing connected onto a mould compound and corresponding manufacturing method

Power semiconductor module with a housing connected onto a mould compound and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP3649671B1
Опубликовано: 17-02-2021
Автор(ы): David GUILLON, Dominik Trussel, Samuel Hartmann
Принадлежит: ABB Power Grids Switzerland AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Cooling system for molded modules and corresponding manufacturing methods

Номер патента: US09449895B2. Автор: Inpil Yoo,Carlos Castro Serrato. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor module with liquid dielectric encapsulant

Номер патента: EP4273909A2. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor module with liquid dielectric encapsulant

Номер патента: EP4273909A3. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-29.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A3. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor Module with Liquid Dielectric Encapsulant

Номер патента: US20230360989A1. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11557522B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-17.

Power Semiconductor Module Comprising a First and a Second Compartment and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071853A1. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Martin Goldammer,Guido Bönig,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and Device for Producing a Housing

Номер патента: US20220285178A1. Автор: Andreas Grassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of manufacturing a cooler for semiconductor modules

Номер патента: US09934990B2. Автор: Andreas Grassmann,Inpil Yoo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240222240A1. Автор: Yoon Ju Kim,Yu Cheol PARK,Jeong Kwang SEO,Chan Yang CHOE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module device and power semiconductor module manufacturing method

Номер патента: US20190198428A1. Автор: Kohei Tatsumi. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-27.

Encapsulated power semiconductor assembly

Номер патента: EP1611609A1. Автор: Andreas Lindemann. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2006-01-04.

Molded power semiconductor module and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047289A1. Автор: Egbert Lamminger,Patrik Holt Jones,Ludwig Busch,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11978700B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-07.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Plastic cooler for semiconductor modules

Номер патента: US09613885B2. Автор: Andreas Grassmann,Inpil Yoo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2021013988A1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-28.

Power semiconductor module with rivet or press fit pin and method for fabricating the same

Номер патента: US20230054812A1. Автор: Tao Hong,Matthias Rose,Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Oliver Markus Kreiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-23.

Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements

Номер патента: EP4270466A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Power Semiconductor Module Arrangements and Methods for Producing Power Semiconductor Module Arrangements

Номер патента: US20230343681A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4280271A1. Автор: Arthur Unrau,Achim Mücke,Matthias Droste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: US20230369175A1. Автор: Arthur Unrau,Achim Mücke,Matthias Droste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Power Semiconductor Module and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220254654A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: US20230369166A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4280269A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Power semiconductor module and method of forming the same

Номер патента: EP3824494A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-05-26.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device with free-floating packaging concept

Номер патента: US12094791B2. Автор: Jan Vobecky,David GUILLON,Tobias Wikstroem,Jagoda Dobrzynska. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor module

Номер патента: US20100134994A1. Автор: Byong Ho Lee. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of Manufacturing a Package Having a Power Semiconductor Chip

Номер патента: US20190198355A1. Автор: Ralf Otremba,Thomas Basler,Edward Fuergut,Christian Kasztelan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09978671B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Franz Stueckler,Xaver Schloegel,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method of Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170162472A1. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takashi Kume,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Power Module With Metal Substrate

Номер патента: US20220310465A1. Автор: Martin Mayer,Olaf Hohlfeld,Ivan Nikitin,Raphael Hellwig,Wu Hu Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor module having a layer that includes inorganic filler and a casting material

Номер патента: US11848213B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Sebastian Michalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Exposed die power semiconductor device

Номер патента: US09613941B2. Автор: Zhijie Wang,Fei ZONG,Yanbo Xu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-04.

Power module with metal substrate

Номер патента: EP3933896A1. Автор: Martin Mayer,Olaf Hohlfeld,Ivan Nikitin,Raphael Hellwig,Wu Hu Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-01-05.

Power Module with Metal Substrate

Номер патента: US20210407873A1. Автор: Martin Mayer,Olaf Hohlfeld,Ivan Nikitin,Raphael Hellwig,Wu Hu Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Power module with metal substrate

Номер патента: US12002724B2. Автор: Martin Mayer,Olaf Hohlfeld,Ivan Nikitin,Raphael Hellwig,Wu Hu Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-04.

Protection dam for a power module with spacers

Номер патента: WO2024177712A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Chee Hiong Chew,Liangbiao Chen. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Protection dam for a power module with spacers

Номер патента: US20240282668A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Chee Hiong Chew,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with a heat-dissipating plate

Номер патента: US09640460B2. Автор: Zyunya Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240274489A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power Semiconductor Module Arrangement, Substrate Arrangement, and Method for Producing the Same

Номер патента: US20200083138A1. Автор: Olaf Hohlfeld. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-12.

Power semiconductor module with adaptable power contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332142A1. Автор: Thorsten Scharf,Michael Fügl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module

Номер патента: EP4270453A1. Автор: Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Power semiconductor package having power semiconductor die in a support substrate with bar vias

Номер патента: US09640474B1. Автор: Eung San Cho,Danny Clavette. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Package with Multi-Section Conductive Carrier

Номер патента: US20150348884A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-03.

Power semiconductor package with multi-section conductive carrier

Номер патента: US9331005B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Novel packaging structure of power semiconductor module

Номер патента: US20240203841A1. Автор: Junjun FANG,Danting Feng. Владелец: STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20230197468A1. Автор: Jürgen Steger,Stefan Oehling. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20220359319A1. Автор: Alexander Hoehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09524936B2. Автор: Sung-Min Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-12-20.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140131846A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150318189A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Power Semiconductor Module and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20180041136A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Shimura,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Power semiconductor module with switching device and assembly

Номер патента: US09627343B2. Автор: Christian Göbl,Harald Kobolla,Björn Tauscher,Christian Kroneder,Alexej Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-18.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Power semiconductor module arrangement and methods for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: EP4227986A1. Автор: Marco Ludwig,Andre Arens,Guido Boenig,Matthias Lassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-16.

Arrangement of a power semiconductor module and a cooler

Номер патента: US12068174B2. Автор: Thomas Gradinger,Bruno Agostini,Juergen Schuderer,Daniele Torresin,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230187404A1. Автор: Xiaoguang LIANG. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor module arrangement and method for forming the same

Номер патента: US20230420334A1. Автор: Alexander Heinrich,Catharina Wille,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor module arrangement and method for forming the same

Номер патента: EP4300571A1. Автор: Alexander Heinrich,Catharina Wille,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282665A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels

Номер патента: US09929066B1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Double-sided heat dissipation power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230187309A1. Автор: Tae Ryong Kim,Deog Soo Kim. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor module

Номер патента: US20240282656A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150340297A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Power semiconductor module, power converter including the same and manufacturing method of power semiconductor module

Номер патента: EP4443480A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Spring electrode for press-pack power semiconductor module

Номер патента: US20200152595A1. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Contact Element, Power Semiconductor Module with a Contact Element and Method for Producing a Contact Element

Номер патента: US20200136332A1. Автор: Juergen Esch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-30.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4307359A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Sebastian Michalski,Thomas HAMADI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-17.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20240153832A1. Автор: Markus Stein,Alexander Schmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4365935A1. Автор: Markus Stein,Alexander Schmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-08.

High power density 3D semiconductor module packaging

Номер патента: US12068298B2. Автор: Haihui Luo,Yangang WANG,Guoyou Liu. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor module with partially coated power terminals and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10283447B1. Автор: Reinhold Spanke,Thomas Nuebel,Torsten Groening. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-07.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module for improved heat dissipation and power density, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823996B2. Автор: Hamit Duran,Junfu Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20230360982A1. Автор: Carsten Ehlers,Christian Steininger,Martin Goldammer,Ulrich Nolten. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing a power semiconductor module

Номер патента: EP4276888A1. Автор: Carsten Ehlers,Christian Steininger,Martin Goldammer,Ulrich Nolten. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-15.

Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same

Номер патента: EP4270454A3. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same

Номер патента: EP4270454A2. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20240162048A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4372788A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-22.

A design for enhancing the long term reliability of a large joining area in a power semiconductor module

Номер патента: WO2024132156A1. Автор: Wenbo Wang,Yangang WANG,Anne Dolores HARRIS. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module for PCB embedding, power electronic assembly having a power module embedded in a PCB, and corresponding methods of production

Номер патента: US11699640B2. Автор: Chee Voon Tan,Frank Daeche,Thomas Stoek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-11.

Method of manufacturing power semiconductor module, and power semiconductor module manufactured thereby

Номер патента: US20240321676A1. Автор: Jihyung LEE. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US20160120038A1. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US09883596B2. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor module

Номер патента: US20220301954A1. Автор: Taichi Itoh. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US09812431B2. Автор: Tetsuya Inaba,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor module

Номер патента: US20240363508A1. Автор: Hiroyuki Nogawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Power Semiconductor Module With Interconnected Package Portions

Номер патента: US20110175214A1. Автор: Thilo Stolze,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Power semiconductor module with baseplate and heat dissipating element

Номер патента: US12062591B2. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US09924594B2. Автор: Juergen Hoegerl,Andre Arens,Magdalena Hoier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3859774A1. Автор: Dominik Trussel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Power semiconductor module, system including a power semiconductor module and a cooler and method for fabricating a system

Номер патента: US20230317560A1. Автор: Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240355704A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Directly cooled substrates for semiconductor modules and corresponding manufacturing methods

Номер патента: US09731370B2. Автор: Andre Uhlemann,Alexander Herbrandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor module arrangement and method for assembling the same

Номер патента: EP4372801A1. Автор: Markus Stein,Akexander SCHMER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Power semiconductor module arrangement and method for assembling the same

Номер патента: US20240162099A1. Автор: Markus Stein,Alexander Schmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Power semiconductor module

Номер патента: US7928587B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sasaki,Hirokazu Inoue,Akihiro Tamba,Shinji Hiramitsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Power semiconductor module for improved thermal performance

Номер патента: US09997437B2. Автор: Kosuke Ikeda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor module including plate-shaped insulating members having different thickness

Номер патента: US09443784B2. Автор: Kenji Hatori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120015484A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seog Moon Choi,Shan GAO,Ji Hyun Park,Bum Sik Jang,Ju Pyo Hong. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Internal connection copper sheet of power module and manufacturing method therefor, and power semiconductor module

Номер патента: EP4227989A1. Автор: Xu Hong,Xiaoguang LIANG,Xuanming DING. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20210233831A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11855033B2. Автор: Kozo Harada,Ken Sakamoto,Haruko Hitomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066163A1. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11075142B2. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Arrangement having a power semiconductor module, and method for its production

Номер патента: KR20100009621A. Автор: 스테거 쥴겐,레더러 마르코. Владелец: 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지. Дата публикации: 2010-01-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Power Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20200068735A1. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Contact device for use in a power semiconductor module or in a disc-type thyristor

Номер патента: US7705442B2. Автор: André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-04-27.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Power semiconductor device with a double metal contact and related method

Номер патента: US09761550B2. Автор: Robert Montgomery,David Paul Jones,Hugo Burke,Susan Johns,Phillip Parsonage. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Edge-structured leadframe for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213125A1. Автор: Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4318562A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: EP4287252A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: US20240040754A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Power Module with Crack Sensing

Номер патента: US20240170347A1. Автор: Charles Rimbert-Riviere,Arne Eilers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor power module with crack sensing

Номер патента: EP4383319A2. Автор: Charles Rimbert-Riviere,Arne Eilers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-12.

Power Semiconductor Module System with Undercut Connection

Номер патента: US20130221513A1. Автор: Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-29.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230343688A1. Автор: Bernd Eckardt,Andre Mueller,Benjamin Bayer,Maximilian Hofmann,Patrick Fuchs,Maximilian Barkow,Timijan Velic,Hubert Rauh,Jordan Sorge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module arrangement and housing for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20220328368A1. Автор: Thomas Herbst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Power semiconductor module, flow path member, and power-semiconductor-module structure

Номер патента: US10192807B2. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4358128A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor module with scalable construction

Номер патента: US20050035439A1. Автор: Jürgen Steger,Thomas Stockmeier,Yvonne Manz. Владелец: Semikron GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor module

Номер патента: US20240006256A1. Автор: Koji Sasaki,Daisuke Kawase,Kisho Ashida. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240145331A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893000B2. Автор: Jae Sik Choi,Dong Seong Oh,Jun Young HEO,Si Hyeon GO,Moon Taek SUNG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power module having at least two power semiconductor arrangements that are contacted on a substrate

Номер патента: US11888407B2. Автор: Michael Endres,Bernd Kürten,Robert Gospos,Lutz Namyslo,Silvio Höhne,Felix Zeyß,Pietro Botazzoli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20220384394A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Schade. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor module, flow path member, and power-semiconductor-module structure

Номер патента: US20170263533A1. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Power module with overlapping terminals

Номер патента: WO2024206725A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Power module with overlapping terminals

Номер патента: US20240332148A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Power module with graphite plate

Номер патента: US12107029B2. Автор: Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Igbt module with heat dissipation structure having ceramic layers corresponding in position and in area to chips

Номер патента: US20210183731A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu,Tzu-Hsuan Wang. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Power semiconductor module with low inductance gate crossing

Номер патента: US12068290B2. Автор: Slavo Kicin,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Power semiconductor module

Номер патента: US20180090441A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Power semiconductor module arrangement and printed circuit board for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4345884A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Sebastian Michalski,Guido Boenig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Power semiconductor module having a two-part housing

Номер патента: US09735086B2. Автор: Jens Krugmann,Christoph Messelke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4421868A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Sebastian Michalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3298626A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-28.

Power semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240145332A1. Автор: Niko PAVLICEK,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US20220406674A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-22.

A modular and scalable power semiconductor module arrangement

Номер патента: GB2625785A. Автор: Li Jianfeng,WANG Xingzhi,Du Yuekang,Liu Liangjie,Pang Yong,Liu Feixiang. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor module arrangement including a contact element

Номер патента: EP3644358A1. Автор: Christian Robert Müller,Marianna Nomann,Regina Nottelmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-29.

Power Semiconductor module

Номер патента: US20080217757A1. Автор: Stephan Jonas,Markus Meier,Bertrand Viala. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-09-11.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US12112994B2. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Power semiconductor module with overcurrent protective device

Номер патента: US20070085181A1. Автор: Dejan Schreiber,Christian Kroneder,Uwe Scheuermann. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-04-19.

All-in-one power semiconductor module

Номер патента: US09455207B2. Автор: Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Si Joong Yang,Bum Seok SUH,Job Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: US20240079279A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: WO2022136086A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-30.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132153A1. Автор: Yangang WANG. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: EP3311406A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-04-25.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160027762A1. Автор: Erik Dore,Olle Ekwall,Samuel Hartmann,Franc Dugal. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-28.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4270469A1. Автор: Marco Ludwig,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US20240153844A1. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Power semiconductor module with laser-welded leadframe

Номер патента: WO2020212031A1. Автор: Niko PAVLICEK,Markus THUT,Fabian MOHN,Swen KOENIG. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-10-22.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20240145362A1. Автор: Ákos Ferenc Hegedüs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4362087A1. Автор: Ákos Ferenc Hegedüs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20130069108A1. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Dong Soo Seo,Young Hoon Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Operating method, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2024120614A1. Автор: Uwe Drofenik,Ki-Bum Park,Stephan WIRTHS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4428914A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor module

Номер патента: US09640461B1. Автор: Thomas Spann,Ira Balaj-Loos. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor module arrangement

Номер патента: US20240203950A1. Автор: Christian Muller,Jan BAURICHTER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor module and composite module having peripheral structures surrounding parts of the module main body

Номер патента: US11824048B2. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20190279927A1. Автор: Dominik Truessel,Samuel Hartmann. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor module and electric power converter using same

Номер патента: EP4376076A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor module having a current sensor module fixed with potting material

Номер патента: US20220262773A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Mark Nils Muenzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor module arrangement

Номер патента: US20240304538A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: US20180122768A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Module having a moulded plastic body and a multiplicity of load terminal elements and power semiconductor device therewith

Номер патента: US11837525B1. Автор: Rainer Popp,Marco Lederer,Harald Kobolla. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-05.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2021165483A1. Автор: Chunlei Liu,Marco Bellini,Peter Karl STEIMER,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20110103024A1. Автор: Thomas Frank. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-05-05.

Spring element for a press contact in a power semiconductor module, and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022214287A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Power semiconductor module and method for producing the module

Номер патента: US4970576A. Автор: Arno Neidig,Hubert Hettmann. Владелец: Asea Brown Boveri AG Germany. Дата публикации: 1990-11-13.

Power semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US20240162123A1. Автор: Hideo Hara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243106A1. Автор: Yusheng Lin,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A2. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device including press-fit connection terminal

Номер патента: US11742251B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Minoru EGUSA,Nobuhiro Asaji,Kazunari Teshigawara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A3. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor package comprising a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: EP4432348A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Power semiconductor package including a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: US20240312936A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US7982299B2. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US20090045490A1. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor module

Номер патента: US09627955B2. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor module

Номер патента: US20160352211A1. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Power electronics system having a differential hall sensor, method of fabricating the power electronics system, and method of operating a power semiconductor module of the power electronics system

Номер патента: US20240275268A1. Автор: Dietmar Spitzer,Tomas Reiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor module and composite module

Номер патента: US09761567B2. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Power Semiconductor Module with Control Functionality and Integrated Transformer

Номер патента: US20100127379A1. Автор: Thomas Stockmeier,Peter Beckedahl,Reinhard Herzer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-05-27.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US09607924B2. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-03-28.

Insulated power semiconductor module with reduced partial discharge and manufacturing method

Номер патента: WO2004088748A1. Автор: Helmut Keser,Wolfgang Knapp,Luc Meysenc,Amina Hamidi. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor module design method and semiconductor module

Номер патента: US20120079446A1. Автор: Kenji Fujimoto,Hiroyuki Ogino,Masanori Ueno,Hiromichi Kumakura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240304507A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2024186530A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Electrical contact arrangement, power semiconductor module, method for manufacturing an electrical contact arrangement and method for manufacturing a power semiconductor module

Номер патента: US20230343715A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Joonas PUUKKO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160307817A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Power semiconductor module comprising at least one power semiconductor element

Номер патента: US20230352362A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton,Christian Radüge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US20160049354A1. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-02-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160014897A1. Автор: Henning STRÖBEL-MAIER,Christian Aggen. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-01-14.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method

Номер патента: US20230317684A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Leadless package type power semiconductor module

Номер патента: US20150214140A1. Автор: Kwang Soo Kim,Kee Ju Um,Sukho Lee,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230335472A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4229678A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20210082778A1. Автор: Seiki Hiramatsu,Hisayuki Taki,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor package having reduced form factor and increased current carrying capability

Номер патента: US09780018B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US11908822B2. Автор: Jun Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor module and method for fabricating a semiconductor module

Номер патента: US20240040689A1. Автор: Daniel Schleisser,Ramdas Rangnath Ugale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230360991A1. Автор: Naoki Nishimura,Masashi Fukai. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2022122527A1. Автор: Niko PAVLICEK,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-16.

Base plate having sidewall, power semiconductor module comprising the base plate

Номер патента: WO2022189071A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Biwei Zhang,Maxime Ludwig. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-15.

Power semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4205171A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-05.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of power semiconductor

Номер патента: US09907216B2. Автор: Young Seop PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20230024580A1. Автор: Kozo Harada,Seiki Hiramatsu,Ken Sakamoto,Haruko Hitomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Array based fabrication of power semiconductor package with integrated heat spreader

Номер патента: US09620475B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor package with conductive clips

Номер патента: US09620471B2. Автор: Martin Standing,Robert J. Clarke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Base plate having sidewall, power semiconductor module comprising the base plate and method for producing the base plate

Номер патента: US20230420315A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Biwei Zhang,Maxime Ludwig. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US09559024B2. Автор: Harald Beyer. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor module and power semiconductor device

Номер патента: US10561021B2. Автор: Kenshi Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-11.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power Semiconductor Module and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20200321262A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Christian SCHWEIKERT,Juergen Hoegerl,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Power converter module with cooled busbar arrangement

Номер патента: RU2510604C2. Автор: Штефан БОТТ,Вильфрид КОЛЬК. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-03-27.

Power Semiconductor Module, Method for Producing a Power Semiconductor Module and a Housing Element for a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20120025393A1. Автор: Peter Kanschat,Thilo Stolze,Olaf Kirsch,Andre Roehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

Power semiconductor module and power module

Номер патента: US09591789B2. Автор: Toshiaki Ishii,Masahiko Asano,Kinya Nakatsu,Eiichi Ide,Toshiya Satoh,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa,Eiji Nishioka. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Power Semiconductor Module, Method of Manufacturing Power Semiconductor Module, and Power Conversion Device

Номер патента: US20130328185A1. Автор: Keiji Kawahara,Hiroshi Tokuda,Masato Higuma,Shinji Hiramitsu,Atsushi Koshizawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Power semiconductor module

Номер патента: US09443818B2. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Chang Seob Hong,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor module, power converting apparatus and railway car

Номер патента: US09520802B2. Автор: Yasushi Nakayama,Takeshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Power semiconductor module

Номер патента: US20020153532A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Ryuichi Saito,Kazuji Yamada,Masataka Sasaki,Yukio Sonobe,Shigeki Sekine,Tatsuya Shigemura,Akihiro Tamba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520346B2. Автор: Jae Hyun Ko. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Power conversion device and manufacturing method of power conversion device

Номер патента: US11888408B2. Автор: Takeshi Seki,Ayumu Hatanaka,Naoya Suto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Power Semiconductor Module System and Method for Producing the Power Semiconductor Module System

Номер патента: US20230274990A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Power semiconductor device

Номер патента: US20160329286A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-10.

Power module with improved electrical components

Номер патента: US20240203932A1. Автор: Xiaoting Dong,Robert Roesner,Tobias Schuetz,Guido Mannmeusel,Henning STRÖBEL-MAIER,Lukas Tatzig. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor module with detector for detecting main circuit current through power semiconductor element

Номер патента: US20050007139A1. Автор: Dong Wang,Masaki Sakai,Toru Iwagami,Mamoru Seo,Shinya Shirakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Heat sink for cooling of power semiconductor modules

Номер патента: US09666504B2. Автор: Ove Styhm,Tusitha Abeyasekera,Henrik B. Møller,Thomas Lundgren Anderson. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for integrating current sensors in a power semiconductor module

Номер патента: US11531075B2. Автор: Robert D. Lorenz,Hiroyuki Nogawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Minhao Sheng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-20.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Power semiconductor module assembly with heat dissipating element

Номер патента: US20100078807A1. Автор: Martin Schulz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Power semiconductor module

Номер патента: US20110062491A1. Автор: Shuhei Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method

Номер патента: EP4254490A1. Автор: Han Li,Wenhao Zhang,Haihui Luo,Yongdian PENG,Xingfeng Li,Guiqin CHANG,Tingchang SHI,Liangxing LI,Guozhong DONG. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Heat dissipation structure of cooling plate for power semiconductor module

Номер патента: EP4203014A1. Автор: Yusheng TANG,Xianye MAO,Changcheng WANG,Jianwen GUO. Владелец: Zhenghai Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2022258297A1. Автор: Slavo Kicin,Arne SCHROEDER,Farhad YAGHOUBI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-15.

Power module with a ceramic circuit carrier, a flexible circuit board and a temperature sensor

Номер патента: US20240164014A1. Автор: Tatiana Barsukova,Tobias Zahn,Sebastian Strache,Christoph Friederich,Frank Zander,Dominik Ruoff. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for producing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: WO2022207453A1. Автор: Chunlei Liu,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor module, operating method and manufacturing method

Номер патента: WO2024120615A1. Автор: Uwe Drofenik,Ki-Bum Park,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Francisco Venustiano CANALES ABARCA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243031A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20060072261A1. Автор: Reinhold Bayerer,Markus Thoben. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2006-04-06.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: EP4432799A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: US20240314979A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US09887142B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US09640453B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11863166B2. Автор: Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A3. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-08-16.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: US20230170334A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-31.

Explosion-Protected Semiconductor Module

Номер патента: US20150091148A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Guido Boenig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Explosion-protected semiconductor module

Номер патента: US9214432B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Guido Boenig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-15.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US20190318977A1. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US10854537B2. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Power semiconductor cooling system

Номер патента: US20220087055A1. Автор: Christopher Alan Belcastro,Thomas Kendzia, III,Taylor Miller. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Heat dissipation structure of cooling plate for power semiconductor module

Номер патента: US20240030090A1. Автор: Yusheng TANG,Xianye MAO,Changcheng WANG,Jianwen GUO. Владелец: Zhenghai Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Jet impingement cooling for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240312873A1. Автор: Jesse Emmett GALLOWAY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US5977621A. Автор: Alexander Stuck. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-11-02.

Bidirectional power semiconductor switch

Номер патента: WO2023198313A1. Автор: Kenan Askan. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a terminal of a power semiconductor component and electronic component with a terminal manufactured in this manner

Номер патента: EP1988569A2. Автор: Rainer Kreutzer,Martin Birner,Heinz Dr. Wöllmer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-11-05.

Optoelectronic semiconductor module and display with a plurality of such modules

Номер патента: DE102011102032A1. Автор: Stefan Grötsch,Georg Bogner,Norwin von Malm,Joachim Reill. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-11-22.

Power Semiconductor Module and Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20230307332A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Conductor rail, and power semiconductor module arrangement comprising a conductor rail

Номер патента: EP4376074A1. Автор: Regina Nottelmann,Roman Lennart Tschirbs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor module

Номер патента: US20070158859A1. Автор: Martin Hierholzer. Владелец: Martin Hierholzer. Дата публикации: 2007-07-12.

Power converter with at least two power semiconductor modules

Номер патента: US20240088110A1. Автор: Jens Schmenger,Philipp Kneißl,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: EP4376075A1. Автор: Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: US20240170418A1. Автор: Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor package signal connection component and semiconductor module

Номер патента: US20240274515A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Ching-Wen Liu,Ting-Ling Chen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3616476A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-03-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20200112111A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Power semiconductor module with power semiconductor switches

Номер патента: US20200343225A1. Автор: Martin Kraus,Klaus Benkert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-29.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US12041755B2. Автор: Ulrich Michael Georg Schwarzer,Andre Arens,Michael EBLI,Alexander Herbrandt,Regina Nottelmann,Alparslan Takkac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Power semiconductor module with vibration dampeners and power electronics system including the power semiconductor module

Номер патента: US20240266300A1. Автор: Michael Niendorf,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US11387588B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-12.

Power Semiconductor Module Arrangement and Housing for a Power Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200091023A1. Автор: Regina Nottelmann,Mark Schnietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-19.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US20210336370A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Power semiconductor arrangement

Номер патента: US20170186673A1. Автор: Ludwig Hager,Rainer Weiss,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-29.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Arrangement having a housing and an electrically conductive contact spring, and power semiconductor module having said arrangement

Номер патента: US11916329B2. Автор: Harald Kobolla,André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-27.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor power module with crack sensing

Номер патента: EP4383319A3. Автор: Charles Rimbert-Riviere,Arne Eilers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-07.

Power semiconductor package with gate and field electrode leads

Номер патента: US09431394B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Free configurable power semiconductor module

Номер патента: EP4097761A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-07.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Power semiconductor module and power conversion device using the same

Номер патента: US20240297592A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2656302C1. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2018-06-04.

Power electronics system having a housing, a cooling device, a power semiconductor module and a capacitor device

Номер патента: US11856687B2. Автор: Sandro Bulovic. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-26.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: WO2020209980A1. Автор: Kevin R. Williams. Владелец: Williams Kevin R. Дата публикации: 2020-10-15.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: CA3136319A1. Автор: Kevin R. Williams,Gary Pace.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: EP3953963A1. Автор: Kevin R. Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-16.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20200098662A1. Автор: Reinhold Bayerer,Frank Sauerland. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US11810889B2. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Power semiconductor module and power electronics device

Номер патента: US20240322697A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor module

Номер патента: US09474191B2. Автор: Masato Higuma,Takahiro Shimura,Hideto Yoshinari,Toshifumi Sagawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Power Semiconductor Module with Asymmetrical Lead Spacing

Номер патента: US20150195928A1. Автор: Andreas Laschek-Enders,Olaf Zschieschang. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor module with conductive pin

Номер патента: US09865529B2. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US11804785B2. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-31.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US20210336553A1. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Power semiconductor module, electronic device, and method for controlling power semiconductor module

Номер патента: US10756011B2. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Power semiconductor module comprising module-internal load and auxiliary connection devices of low-inductance configuration

Номер патента: US09591755B2. Автор: Eduard Faller,Matthias Spang,Lars Reuβer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Power semiconductor module with accessible metal clips

Номер патента: EP3909073A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-11-17.

Power semiconductor device for preventing punchthrough and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060049465A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor module

Номер патента: US12062599B2. Автор: Tatsuro Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150255442A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2677253C2. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2019-01-16.

Power semiconductor module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395464A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power Semiconductor Module with Two Opposite Half-Bridges

Номер патента: US20230282567A1. Автор: WEI Liu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280270A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module having a DC voltage connecting device

Номер патента: US12062601B2. Автор: Jürgen Steger,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrical arrangement including an insulating underfill region with a high fill factor

Номер патента: US12057784B2. Автор: Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor module

Номер патента: US09941255B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor module

Номер патента: US09899328B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power electronics module with load connection elements

Номер патента: US09768094B2. Автор: Christian Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Arrangement having a housing and an electrically conductive contact spring, and power semiconductor module having said arrangement

Номер патента: US20240022014A1. Автор: Harald Kobolla,André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-18.

Power Semiconductor Module with Accessible Metal Clips

Номер патента: US20230048878A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-02-16.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US20240290698A1. Автор: Kan Yasui,Toru Masuda,Takayuki Kushima,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4404259A1. Автор: Kan Yasui,Toru Masuda,Takayuki Kushima,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Power Semiconductor Module with Two Opposite Half-Bridges

Номер патента: US20230307376A1. Автор: WEI Liu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Hybrid short circuit failure mode preform for power semiconductor devices

Номер патента: EP3891790A1. Автор: Slavo Kicin,Didier Cottet. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-13.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4358135A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Power semiconductor module and electronic device

Номер патента: US20190148281A1. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20210151356A1. Автор: Yuichiro HINATA,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor module

Номер патента: US09906009B2. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620444B2. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module having protrusions as fixing structures

Номер патента: US20220415730A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Peter Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor module having protrusions as fixing structures

Номер патента: US12014963B2. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Peter Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-18.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Power semiconductor device package

Номер патента: EP4416759A2. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Power semiconductor device package

Номер патента: WO2023061625A3. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Power semiconductor assembly and the method and apparatus for assembly thereof

Номер патента: US4040085A. Автор: Robert Jouanny. Владелец: Jeumont Schneider SA. Дата публикации: 1977-08-02.

Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170148644A1. Автор: Alexander Hoehn,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20220278070A1. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-01.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power Semiconductor Device with Self-Aligned Source Region

Номер патента: US20200066870A1. Автор: Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor module with ultrasonically welded terminals

Номер патента: US09949385B2. Автор: Samuel Hartmann,David GUILLON,David Hajas,Markus THUT. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Power semiconductor device comprising a power semiconductor component and a housing

Номер патента: US20200013687A1. Автор: Stefan Weiss,Harald Kobolla,Jörg Ammon. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-01-09.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Stacked high-blocking iii-v power semiconductor diode

Номер патента: US20200287059A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON COPPER NICKEL AND GALLIUM-TIN-ZINC-COPPER-TITANIUM p AND n-TYPE OXIDES, THEIR APPLICATIONS AND CORRESPONDING MANUFACTURE PROCESS

Номер патента: EP2115770A1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato. Владелец: Universidade Nova De Lisboa. Дата публикации: 2009-11-11.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor module with a depression

Номер патента: US20230246563A1. Автор: Roman KÖGLER,Bernd Roppelt,Jens Schmenger,Thomas Schwinn,Alexander Luft. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Power semiconductor package with integrated heat spreader and partially etched conductive carrier

Номер патента: US09570379B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Power module with integrated power boards and pcb busbar

Номер патента: EP4290574A1. Автор: Remi Perrin,Guillaume Lefevre. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2023-12-13.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315420A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20230197668A1. Автор: Seiji Oka,Kazuya Okada,Yoshiko Tamada,Shota Morisaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Electronic device with differential transmission lines equipped with capacitors separated by a cavity, and corresponding manufacturing method

Номер патента: WO2021186389A1. Автор: Stephane Bouvier,David Denis,Emmanuel LEFEUVRE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-09-23.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243195A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US20060049458A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US7268403B2. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240355753A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dieter Jelinek,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor substrates with metal contact layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768036B2. Автор: Christian Göbl,Heiko Braml. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Power electronic switching device, power semiconductor module therewith and method for production

Номер патента: US11800644B2. Автор: Jürgen Steger,Michael Schatz,Markus Düsel,Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-24.

Half-bridge module with coaxial arrangement of the dc terminals

Номер патента: EP3613077A1. Автор: Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-26.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315410A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dr. Dieter JELINEK,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4068390A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240178108A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234416A9. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200194550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Moriz Jelinek,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-18.

Power Semiconductor Arrangement Having a Plurality of Power Semiconductor Switching Elements and Reduced Inductance Asymmetry

Номер патента: US20170141089A1. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Power semiconductor arrangement having a plurality of power semiconductor switching elements and reduced inductance asymmetry

Номер патента: US10032755B2. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-24.

Power semiconductor device structure with vertical PNP transistor

Номер патента: US6518139B1. Автор: Natale Aiello,Salvatore Leonardi,Salvatore Scaccianoce,Davide Patti. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 2003-02-11.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor

Номер патента: US20200350406A1. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical power semiconductor device comprising source or emitter pad

Номер патента: US20240347456A1. Автор: Carsten Schaeffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Power semiconductor device including a cooling material

Номер патента: US09793255B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Compact single-die power semiconductor package

Номер патента: US09704787B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power semiconductor module and method of forming the same

Номер патента: EP4003632A1. Автор: David GUILLON. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Dual-side cooled embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20230402342A1. Автор: Di Chen,Juncheng LU,Ahmad Mizan,Ruoyu Hou,Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Electrical arrangement including an insulating underfill region with a high fill factor

Номер патента: US20230387822A1. Автор: Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Trench gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09755043B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou,Shuk-Wa FUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US09735094B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Power module with improved semiconductor die arrangement for active clamping

Номер патента: US20240297148A1. Автор: Martin Schulz. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module

Номер патента: US8228113B2. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-24.

Power semiconductor module

Номер патента: EP1861878A2. Автор: Norifumi Furuta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Module with integrated power electronic circuitry and logic circuitry

Номер патента: US09681558B2. Автор: LIU Chen,Markus Dinkel,Toni Salminen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US12027464B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US09666395B2. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US9661751B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4280277A1. Автор: Xi Zhang,Dietmar Spitzer,Andre Arens,Jens De Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Arrangement with a Power Semiconductor Module, Having a DC-Voltage Busbar and a Capacitor

Номер патента: US20160234926A1. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Power Semiconductor Module and Power Converter Using the Same

Номер патента: US20140118934A1. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Arrangement with a power semiconductor module, having a DC-voltage busbar and a capacitor

Номер патента: US09661740B2. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor module and power converter using the same

Номер патента: US09433134B2. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20230369187A1. Автор: Xi Zhang,Dietmar Spitzer,Andre Arens,Jens De Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor module system having a high isolation strength and method for producing a power semiconductor module arrangement having a high isolation strength

Номер патента: US09622341B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Power electronics system having a housing, a cooling device, a power semiconductor module and a capacitor device

Номер патента: US20210185851A1. Автор: Sandro Bulovic. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-17.

Power electronics system having a housing, a cooling device, a power semiconductor module and a capacitor device

Номер патента: US20210204442A1. Автор: Johannes Klier,Sandro Bulovic,Roland Bittnerr. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-07-01.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor module for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: US20180331017A1. Автор: Roman Strasser. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Power semiconductor module with liquid cooling

Номер патента: US09578789B2. Автор: Andre Uhlemann,Thorsten Fath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132152A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Snubber Circuit and Power Semiconductor Module with Snubber Circuit

Номер патента: US20210006062A1. Автор: Andre Uhlemann,Michael Schlueter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-07.

Power semiconductor module and method for stabilizing thereof

Номер патента: US09748941B2. Автор: Minki Kim,Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Hyun Soo Lee,Dong Yun Jung,Hyun-Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-29.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Photosensitive assembly, photographing module, and photosensitive assembly jointed board and corresponding manufacturing method thereof

Номер патента: EP3731272A1. Автор: YE Wu,TAKEHIKO Tanaka,Mingzhu Wang,Bojie ZHAO,Zhewen Mei. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Housing for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4195893A1. Автор: Marco Ludwig,Andre Arens,Alexander Herbrandt,Philipp BRAEUTIGAM. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-14.

Housing for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11856718B2. Автор: Marco Ludwig,Andre Arens,Alexander Herbrandt,Philipp Bräutigam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US20220173043A1. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132148A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132151A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234511A9. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Molded power module with integrated exciter circuit

Номер патента: US20210092882A1. Автор: Daniel Ruppert. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor devices and corresponding manufacturing methods

Номер патента: EP4238134A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022248126A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US10971591B2. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200066860A1. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130248925A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240266250A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method

Номер патента: US6960033B1. Автор: Stefan Grötsch,Bruno Acklin,Werner Späth. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-01.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: WO2024172878A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US12125767B2. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Heat sink apparatus and method for power semiconductor device module

Номер патента: US09730365B2. Автор: Tiziana Bertoncelli,Simon Schoewel,Alvaro Jorge Mari Curbelo. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicone resin composition for sealant and power semiconductor module that uses this composition

Номер патента: US09617455B2. Автор: Yuji Ichimura,Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method of sensing current in a power semiconductor device

Номер патента: US09500678B2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor module

Номер патента: US11929354B2. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160172134A1. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Power semiconductor module

Номер патента: US20210242179A1. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Brazing material, brazing material paste, ceramic circuit substrate, ceramic master circuit substrate, and power semiconductor module

Номер патента: US09780011B2. Автор: Hisayuki Imamura,Junichi Watanabe,Suguru Fujita. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Power semiconductor element

Номер патента: US09406668B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Tatsuo Morita,Shuichi Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2007132683B1. Автор: Takeshi Kato,Kenji Okamoto,Kenichi Nonaka,Yoshimitsu Saito,Yoshihiko Higashidani,Kenji Oogushi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

GaN power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure

Номер патента: US12027516B1. Автор: SHENG Li,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Mengli LIU,Yanfeng Ma. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Lateral power semiconductor transistors

Номер патента: EP3017478A1. Автор: Vasantha Pathirana,Tanya Trajkovic,Nishad Udugampola. Владелец: CAMBRIDGE MICROELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method and device for producing a pv panel with a moulded support structure using pre-fixation in a moulding device

Номер патента: EP4394897A1. Автор: Eduardo Ribeiro,Sebastian THENER,Dominik KÖHNLEIN,Harshan Ramesha. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Current sensing in power semiconductor devices

Номер патента: GB2626077A. Автор: ARNOLD Martin,Ryan Paul,Udrea Florin,EFTHYMIOU Loizos,Wai Fung Sheung,Vishin Tara,William Findlay John. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and device for producing a pv panel with a moulded support structure using pre-fixation in a moulding device

Номер патента: WO2024141316A1. Автор: Harshan Kalenahalli RAMESHA,Eduardo Pastor Torcato Ribeiro,Sebastian THENER,Dominik KÖHNLEIN. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated bidirectional ESD protection circuit for power semiconductor switching devices

Номер патента: US12107416B2. Автор: Ahmad Mizan,Edward MacRobbie. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US09503073B2. Автор: Akihiro Nakahara,Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device and corresponding module

Номер патента: US09455340B2. Автор: Munaf Rahimo. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Gate-controlled p-i-n switch with a charge trapping material in the gate dielectric and a self-depleted channel

Номер патента: US09438227B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-09-06.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US20220141988A1. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11997837B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Power semiconductor module and vehicle

Номер патента: US20200051892A1. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara,Yuta Tamai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Snubber circuit and power semiconductor module with snubber circuit

Номер патента: EP3761492A1. Автор: Michael Schluter,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Power semiconductor die with improved thermal performance

Номер патента: WO2022271417A1. Автор: Ty Richard McNutt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20080246079A1. Автор: Hiroshi Ohta,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Masakatsu Takashita,Masaru Izumisawa,Yauto Sumi,Shoichiro Kurushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback

Номер патента: EP3940956A1. Автор: Geraldo Nojima,Eddie Wilkie. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4411829A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160499A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature

Номер патента: US09640649B2. Автор: Robert Beach. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620631B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Hideaki Ninomiya,Tsuneo Ogura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and manufacturing method of power semiconductor with twin metal and ceramic plates

Номер патента: US20070096276A1. Автор: Wen-Ping Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Power semiconductor device with voltage clamp circuit

Номер патента: US20240178830A1. Автор: Kennith Kin Leong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit comprising a single photon avalanche diode and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240194815A1. Автор: Denis Rideau,Dominique Golanski,Alexandre LOPEZ,Gabriel MUGNY. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090127616A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US12068412B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

High-voltage MOS transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20060022294A1. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Power semiconductor transistor

Номер патента: US10665706B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-26.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US12027577B2. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US20220352304A1. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-11-03.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor transistor having fully depleted channel region

Номер патента: US09859408B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for estimating a level of damage or a lifetime expectation of a power semiconductor module comprising at least one die

Номер патента: EP3226014A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2017-10-04.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024012648A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4327354A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058A1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: WO2005006446A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-01-20.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058B1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-09-14.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2023001450A1. Автор: Marco Bellini,Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140145291A1. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Light emitting diode module having lens and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009145376A1. Автор: Byungwook Kim,Shinill Kang. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2009-12-03.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282823A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4418325A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Non-volatile memory structure and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20010005333A1. Автор: Federico Pio,Giovanna Libera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-28.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor module with cooling fins in a matrix form

Номер патента: US12127382B2. Автор: Takahiro Koyama,Tatsuhiko ASAI,Hiromichi Gohara,Yoshihiro TATEISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09748409B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Inhomogeneous power semiconductor devices

Номер патента: US09614065B2. Автор: Tao Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Monolithically integrated temperature sensor for power semiconductor components

Номер патента: US5304837A. Автор: Christofer Hierold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-04-19.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US11855203B2. Автор: LIU Yuan,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhao Wang,Wenliang LIU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-12-26.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4095900A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-30.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240243123A1. Автор: Young Bae Kim,Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Pixel-level encapsulation structure of uncooled infrared detector, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4421871A1. Автор: Jie Shi,Jinhua Wang,Wenli CHEN,Jiwei Liu,Wenguang Zhao,Hanlin HU. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid electrolyte capacitor and manufacturing method for same

Номер патента: US09576742B2. Автор: Akihiko Komatsu,Yoshishige Sakurai,Hiroki Tsutsui,Kazuyasu Watanabe. Владелец: Rubycon Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Switching device with a component consisting of a shape memory alloy and with means for heating the same; and corresponding joining technique

Номер патента: WO2002013220A1. Автор: Stefan Kautz,Hannes KÜHL. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2002-02-14.

Capacitor for a power semiconductor module

Номер патента: US20020114127A1. Автор: Pieder Jörg,Beat Guggisberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Power semiconductor module device

Номер патента: US09832903B2. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Electric energy storage units module with flat connective strap

Номер патента: RU2476961C2. Автор: Оливье КОМОН,Жан-Мишель ДЕПОН,Анн-Клэр ЖЮВЕНТЕН. Владелец: Бэтскеп. Дата публикации: 2013-02-27.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Power converter submodule with a short-circuit device and power converter having same

Номер патента: CA2932530C. Автор: Joerg Janning,Martin Geske,Thomas Brueckner,Roland Jakob. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Cylindrical Battery, Electric Apparatus and Manufacturing Method for Cylindrical Battery

Номер патента: US20240356119A1. Автор: Jicheng Chen,Hongjiang YU,Zhigao Luo. Владелец: Jiangsu Zenergy Battery Technologies Co ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Cylindrical battery, electric apparatus and manufacturing method for cylindrical battery

Номер патента: EP4456274A1. Автор: Jicheng Chen,Hongjiang YU,Zhigao Luo. Владелец: Jiangsu Zenergy Battery Technologies Co ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronics module with a side entry connection

Номер патента: US20150079813A1. Автор: Robert C. Beer. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Battery-operated food thermometer and manufacturing method

Номер патента: AU2022275506B2. Автор: Matthias Stein,Gerhard Isenberg,Andres Sauerwald,Mirco Serndt. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Connecting Arrangement and Corresponding Method for Mounting an Electronic Component on a Printed Circuit Board

Номер патента: US20180352657A1. Автор: Michael Schlitzkus,Stefan Lehenberger,Sandra Heim,Helmut Seiband,Valentin Notemann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US12009810B2. Автор: Koji Yamamoto,Yukimasa Higashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Flush-mounted module with reduced dimensions for flush mounting in a wall or piece of furniture and method for flush mounting thereof

Номер патента: WO2024105602A1. Автор: Thibault Renson. Владелец: Shiver NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Battery cell and manufacturing method and manufacturing system therefor, battery, and electric device

Номер патента: EP4407757A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Functional module with a housing

Номер патента: US09756742B2. Автор: Mike Gehrke. Владелец: Euchner GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic device, external module thereof, manufacturing method of external module thereof and assembly method for configuring external module thereof

Номер патента: US11841742B2. Автор: Jui-Lin Yang,Juei-Chi Chang,Tzu-Chiu Huang. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Battery, electric device, and battery manufacturing method

Номер патента: US20240213547A1. Автор: Lei Wang,PENG Wang,Xingdi CHEN,Xingchang WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Electronic device, external module thereof, manufacturing method of external module thereof and assembly method for configuring external module thereof

Номер патента: US20220300037A1. Автор: Jui-Lin Yang,Juei-Chi Chang,Tzu-Chiu Huang. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method for molten salt battery and molten salt battery

Номер патента: US20140093757A1. Автор: Shinji Inazawa,Atsushi Fukunaga,Koji Nitta,Shoichiro Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Battery, electric device, and manufacturing method for battery

Номер патента: EP4404326A1. Автор: Lei Wang,PENG Wang,Xingdi CHEN,Xingchang WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Battery cell and manufacturing method and manufacturing system therefor, and battery and electric apparatus

Номер патента: EP4418412A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electrical power connector and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4396908A1. Автор: Ross Turner. Владелец: Scolmore International Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Battery cell and manufacturing method and manufacturing system therefor, battery and electrical device

Номер патента: US20240234988A1. Автор: Li Lu,JIANG Liu,Hong Wang,Jian Zhou,Nan Zhang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Production method for a resistor, resistor and corresponding production installation

Номер патента: US20190066890A1. Автор: Ullrich Hetzler,Jan Marien,Marcus Escher,Paul Harke. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-28.

Electronic component and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220088711A1. Автор: Tadashi Komuro,Syoto KITSU. Владелец: Nidec Copal Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Battery module with a fire-extinguishing sheet

Номер патента: EP4395039A3. Автор: Jeong Min Lee,Joo Yul Lee,Beom Joo KIM,Sang Gu LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Double make double break interrupter module with independent blades

Номер патента: CA2927229C. Автор: Cameron L. Woodson. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Production method for a resistor, resistor and corresponding production installation

Номер патента: US10964462B2. Автор: Ullrich Hetzler,Jan Marien,Marcus Escher,Paul Harke. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-03-30.

Low-cost rare earth magnet and corresponding manufacturing method thereof

Номер патента: US12057263B2. Автор: Zhongjie Peng,Kaihong Ding,Chuanshen Wang,Kunkun Yang. Владелец: Yantai Dongxing Magnetic Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Electronic device and corresponding product series

Номер патента: US20240322482A1. Автор: Rudiger Stenzel. Владелец: Auma Riester GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-26.

Module with reversely coupled inductors and magnetic molded compound (MMC)

Номер патента: US12087498B2. Автор: Kenji Kawano,Yuki Sato,Jeffrey Morroni,Sombuddha Chakraborty,Dongbin Hou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Battery comprising a moulded body made of a porous, moisture-absorbing material for transporting moisture out of the battery housing

Номер патента: US09490471B2. Автор: Michael Gless,Ulrich Zimmermann. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Electromagnetic actuator with improved lamination core-housing connection

Номер патента: WO2000033329A1. Автор: Dennis Bulgatz,Robert W. Mcfarland,James A. Nitkiewicz,James P. Fochtman. Владелец: Siemens Automotive Corporation. Дата публикации: 2000-06-08.

Battery module with terminal cooling and method for producing a battery module

Номер патента: US20240332666A1. Автор: Waldemar Bauer,Florian Eidmann,Eduard Main,Jens Fronemann,Martin Moissl. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrolytic capacitor module with high resistance to vibration

Номер патента: US09715969B2. Автор: Marcus Ulherr. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2017-07-25.

Substrate attached with decorative material and manufacturing method thereof, touch panel, and information display device

Номер патента: US20160370902A1. Автор: Kentaro Toyooka,Tetsunori Matsumoto,Takashi Aridomi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Motor with a stator having four separate corner bobbins/insulators and molded resin insulation around tooth completely enclosing the coil and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634533B2. Автор: Yuji Tanaka,Tomoyoshi YOKOGAWA,Yoshihiro Uchitani. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Battery charging device and corresponding operating and manufacturing method

Номер патента: EP1850445A2. Автор: Andreas Linzmeier. Владелец: Linzmeier Bauelemente GmbH. Дата публикации: 2007-10-31.

Method of controlling the lighting of a room in accordance with an image projected onto a projection surface

Номер патента: US20100110387A1. Автор: Matthias Wendt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of controlling the lighting of a room in accordance with an image projected onto a projection surface

Номер патента: EP2135490A1. Автор: Matthias Wendt. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2009-12-23.

Piezoelectric component and manufacturing method thereof

Номер патента: US6114795A. Автор: Seiichi Tajima,Takahito Kiriyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

For manufacturing the compound and electronic device and its manufacturing method of electronic device

Номер патента: CN106058048B. Автор: 菲利普·施特塞尔,托马斯·埃伯利,苏珊·霍伊恩,雷米·马努克·安米安. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-11-30.

Kitchen furniture arrangement with a projection device for projecting an image onto a projection surface

Номер патента: DE102020121261A1. Автор: Richard Loch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-17.

Converter arrangement with a capacitor arrangement

Номер патента: US09980414B2. Автор: MATHIEU Hebert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: US12058805B2. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-08-06.

Electric motor with a power output stage and with efficient heat transport and method

Номер патента: US09455609B2. Автор: Thomas Hennecke,Sigmund Braun,Gerhard Braun,Michael Heim,Hans Irion,Frank Wehrmann,Georg Voegele,Johannes Hirschle,Alexander Fink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method And Apparatus For Monitoring The Condition Of A Power Semiconductor Module

Номер патента: US20240088782A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Circuit board for a power semiconductor module, power semiconductor module, and method for producing a circuit board and a power semiconductor module

Номер патента: US20240260168A1. Автор: Detlev Bagung,Christina QUEST-MATT,Holger Baldreich. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Assembly structure of high-power semiconductors and heat sink

Номер патента: US09943015B2. Автор: Man Piu Fung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Arrangement For Monitoring the Condition of a Power Semiconductor Module of an Electric Drive Device

Номер патента: US20240280627A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Power semiconductor module with current sensor rotation bar

Номер патента: US11874303B2. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Dietmar Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Power semiconductor module with current sensor rotation bar

Номер патента: US20230009758A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Dietmar Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-12.

Power semiconductor module with online dead-time adjustment based on a temperature sensitive electrical parameter

Номер патента: US20240055981A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Arrangement for monitoring the condition of a power semiconductor module of an electric drive device

Номер патента: EP4421504A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor module comprising a power electronics circuit and an arrangement for measuring and transferring measurement data

Номер патента: US09726711B2. Автор: Michael Schlueter,Stefan Hubert Schmies. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Control circuit and control method for turning on a power semiconductor switch

Номер патента: US09787300B2. Автор: Matthias Johannes Siebler. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Drive control method of power semiconductor module and control circuit of power semiconductor module

Номер патента: US09768763B2. Автор: Noriho Terasawa,Yasuyuki Momose. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Power semiconductor element drive adjustment circuit, power module, and power conversion device

Номер патента: US20240275265A1. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for cooling module with progressive cooling fins

Номер патента: US20240324150A1. Автор: Edward Choi,Todd George Nakanishi. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for operating power semiconductors

Номер патента: US09748888B2. Автор: Harald Hofmann,Holger Hoffmann,Stefan Volkel,Michael Leipenat,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Temperature measurement of a power semiconductor switching element

Номер патента: US12139214B2. Автор: Balázs Vargha. Владелец: Thyssenkrupp AG. Дата публикации: 2024-11-12.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: EP3942905A1. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2022-01-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Multi-layer PCB having function of dissipating heat from power semiconductor module package and PCB, and production method thereof

Номер патента: US09930815B2. Автор: Ku Yong Kim. Владелец: Mdm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Device and method of controlling power semiconductor switch

Номер патента: RU2633294C2. Автор: Марк-Маттиас БАКРАН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-10-11.

Method and apparatus for monitoring the condition of a power semiconductor module

Номер патента: EP4339630A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Power semiconductor module and leakage current test method for the same

Номер патента: US20210011090A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: EP3850909A1. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Balancing currents of power semiconductors

Номер патента: US09503077B2. Автор: Mika Niemi. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-11-22.

Gate Drive Device, Gate Drive Method, Power Semiconductor Module, and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20210296979A1. Автор: Toru Masuda,Yuji Takayanagi,Masamitsu Inaba,Seiichi Hayakawa,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

DC Motor with a Rotation Direction Switching Circuit

Номер патента: US20090021193A1. Автор: Chi-Yuan Cheng,Wei-Yun Chiang. Владелец: Hiwin Mikrosystem Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor switch assembly comprising at least two power semiconductors

Номер патента: US20230421149A1. Автор: Matthias Lochner,Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for fabricating an implantable medical device with a simplified interconnection scheme and corresponding implantable medical device

Номер патента: US20240261578A1. Автор: Ingo Weiss,Thomas Doerr,Thomas PIESKE. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Terminal, method of terminal control, terminal manufacturing method and data medium

Номер патента: RU2713853C1. Автор: Чжуншен ЦЗЯН,Аньюй ЛЮ,Сун ЛИ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-07.

Treatment method of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181442A1. Автор: Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Control device for a power semiconductor switch

Номер патента: US20180309436A1. Автор: Markus Müller,Peter Beckedahl,Gunter Königsmann,Bastian Vogler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-10-25.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and Device for Controlling Power Semiconductor Switches Connected in Parallel

Номер патента: US20170331362A1. Автор: Bernd Eckert,Stefan Butzmann,Peter Taufer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: WO2021047768A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: EP4029135A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Permanent magnet rotor and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP1420501A3. Автор: Henrik Stiesdal,Peter Rasmussen. Владелец: Bonus Energy As. Дата публикации: 2004-06-30.

Housing and method for casting an open receiving chamber of a housing

Номер патента: US12055558B2. Автор: Joerg Siedentopf,Thomas Breinlinger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Housing, manufacturing method thereof, and electronic device using the same

Номер патента: US09498907B2. Автор: Dong-Wook Kim,Jae-Chul Jin,Hyun-Seok YOO,Won-Young HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Control device for driving a bipolar switchable power semiconductor component, semiconductor module and method

Номер патента: US20190379373A1. Автор: Jan Weigel,Jurgen Bohmer,Eberhard Ulrich Krafft,Andreas Nagel,Rüdiger Kleffel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus for Detecting a State of Operation of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110210711A1. Автор: Michael Lenz,Matthias Kunze,Georg Pelz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Manufacturing method for fluid dynamic bearing devices

Номер патента: US09964144B2. Автор: Toshiaki Niwa,Daichi Kato. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Location transmitter contained in a moulded housing for attachment to a heavy duty container, such as a skip.

Номер патента: GB2489789A. Автор: James Lincoln Bryan. Владелец: TOUGH TRACKER Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Housing for hand-held device with a pair of extruded elements having complementary sections removed and corresponding method

Номер патента: WO2010025030A2. Автор: Gary R. Weiss,Joseph L. Allore,Jason P. Wojack. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2010-03-04.

Micromechanical device for projecting an image and for analyzing an optical spectrum and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20160320611A1. Автор: Christian Solf. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-03.

Electric motor, electric motor manufacturing method, and electric motor manufacturing device

Номер патента: US20050116563A1. Автор: Ken Matsubara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Short-circuit protection for a power semiconductor device

Номер патента: US20180358959A1. Автор: John H. Blakely,Edward C. Prather,Belvin S. Freeman,Daniel J. CONTI,Norman P. Davies,Brian C. Langford,Ronald D. Hreha. Владелец: Nexus Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Power semiconductor cooling module for electric vehicle

Номер патента: US11758698B2. Автор: Hwan Ku Lee. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Assembly having a component enclosed by a housing, and device and method used in its manufacture

Номер патента: US20060170310A1. Автор: Peter Sprafke,Wolfgang Endres,Markus Muzic,Kristian Leo,Michael Jupe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: WO2022253464A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2022-12-08.

Micromechanical device for projecting an image and for analyzing an optical spectrum and corresponding manufacturing method

Номер патента: US09733471B2. Автор: Christian Solf. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-15.

Circuit arrangement for protecting power semiconductor switches which can be switched on and off against overvoltages

Номер патента: US5650906A. Автор: Rainer Marquardt,Udo Seidl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-22.

Method and device for short-circuit detection by saturation detection in power semiconductor switches

Номер патента: US11942927B2. Автор: Calin Purcarea,Daniel Schweiker,Falko Friese,Deepa Mathai. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Controlled drive circuit for an analog driven power semiconductor

Номер патента: US20030174081A1. Автор: Benno Weis,Hans-Georg Kopken,Manfred Bruckmann,Alois Wald. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: US20220393669A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Heat-radiation apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220341669A1. Автор: Minoru Yoshikawa,Mahiro HACHIYA,Masaki Chiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Non-invasive online monitoring circuit for on-state saturation voltage of power semiconductor

Номер патента: US12085600B1. Автор: XING Wei,Kehua Lyu,Yanwei Lyu. Владелец: Hunan Lanhai Electrical Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: EP4348835A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for producing an intermediate product for an electrical machine, comprising a stator laminated core and a housing part, connected thereto, of the housing

Номер патента: US20230291293A1. Автор: Sebastian Dieterich. Владелец: Valeo Siemens eAutomotive Germany GmbH. Дата публикации: 2023-09-14.

Auto-focus camera module with mems closed loop compensator

Номер патента: EP2946547A1. Автор: David McKinley. Владелец: DigitalOptics Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Manufacturing method of a stator

Номер патента: US09948168B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Takeshi Yokoyama,Shingo Sato,Mutsumi Kawamoto,Susumu Kato,Shingo Hashimoto,Kazuya Iwatsuki. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Arrangement Comprising at Least One Power Semiconductor Module and a Transport Packaging

Номер патента: US20110180918A1. Автор: Stefan STAROVECKY. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-28.

Use of granular polyalkyl(meth)acrylate polymers and moulding compound for making extrusion moulded articles with dull surface

Номер патента: RU2400500C9. Автор: Клаус ШУЛЬТЕС,Вернер ХЕСС,Петер БАТТЕНХАУЗЕН,Урсула ГОЛЬХЕРТ,Штефан НАУ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2012-07-27.

Use of granular polyalkyl(meth)acrylate polymers and moulding compound for making extrusion moulded articles with dull surface

Номер патента: RU2400500C2. Автор: Клаус ШУЛЬТЕС,Вернер ХЕСС,Петер БАТТЕНХАУЗЕН,Урсула ГОЛЬХЕРТ,Штефан НАУ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2010-09-27.

Process for the preparation of a moulded article from thermosetting material and a coating and a device for this purpose

Номер патента: CA1277830C. Автор: Antoon Dorrestijn,Andreas N.J. Verwer. Владелец: DSM Resins BV. Дата публикации: 1990-12-18.

Method for manufacturing an ornamental hard material part provided with a polymer coating

Номер патента: US20230288879A1. Автор: Pierry Vuille,Denis Bubendorf,Paulo AREDE,Johan ROMAND. Владелец: Comadur SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing an ornamental hard material part provided with a polymer coating

Номер патента: US20210389729A1. Автор: Pierry Vuille,Denis Bubendorf,Paulo AREDE,Johan ROMAND. Владелец: Comadur SA. Дата публикации: 2021-12-16.

Contact probe for probe heads of electronic devices and corresponding probe head

Номер патента: EP4260072A1. Автор: Riccardo Vettori. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2023-10-18.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: US12032003B2. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of closing the inlet in a mould after non-gravity casting with a non-ferrous alloy of Green-sand moulds in a mould-string plant

Номер патента: CN1048204C. Автор: 瓦基·莫根森. Владелец: GEORGE FISCHER DESHA CO. Дата публикации: 2000-01-12.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: WO2021023739A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: TECHNOPROBE S.P.A.. Дата публикации: 2021-02-11.

Probe head for electronic devices and corresponding probe card

Номер патента: EP4010712A1. Автор: Roberto Crippa. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2022-06-15.

Wearing point device with a quick coupling

Номер патента: US09961821B2. Автор: Magne Skjaeveland. Владелец: KVERNELAND GROUP OPERATIONS NORWAY AS. Дата публикации: 2018-05-08.

OUTER SLEEVE OF A CONNECTION ELEMENT WITHOUT A FEMALE THREAD AND HAVING A DAMPING FUNCTION, CONNECTION ELEMENT COMPRISING AN OUTER SLEEVE, AND CORRESPONDING CONNECTION AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210071695A1. Автор: Figge Hans-Ulrich,Burger Ingo. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Damping arrangement, component with damping arrangement and corresponding component connection, manufacturing method and connection method

Номер патента: EP3995716A1. Автор: Sandra Steffenfauseweh,Alexander Vorderwisch. Владелец: Boellhoff Verbindungstechnik GmbH. Дата публикации: 2022-05-11.

Quartz-based optical fiber with a lens and its manufacturing method

Номер патента: US5459803A. Автор: Yoshiharu Taga,Motohiro Yamane. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Substituted pyrazolyl-based carboxamide and urea derivatives bearing a phenyl moiety substituted with a co-containing group as vanilloid receptor ligands

Номер патента: EP2776400A1. Автор: Thomas Christoph,Derek John Saunders,Gregor Bahrenberg,Yong-Soo Kim,Jeewoo Lee,Robert Frank-Foltyn,Nils Damann,Bernhard Lesch,Hannelore Stockhausen,Myeong-Seop Kim. Владелец: GRUENENTHAL GmbH. Дата публикации: 2014-09-17.

Wearing part comprising a laminated metal capsule connected to a substrate by welding or brazing defining a cavity filled with a hard particulate material infiltrated with a metallic brazing material where the composite material is attached to the substrate surface and to the substrate. capsule; manufacturing method

Номер патента: CL2013002857A1. Автор: Robin Kerry Churchill. Владелец: Esco Corp. Дата публикации: 2013-12-06.

COMPOUNDS DERIVED FROM INDOL WITH A UNITED RING IN POSITIONS 5 AND 6; PHARMACEUTICAL COMPOSITION THAT INCLUDES SUCH COMPOUNDS; AND ITS USE TO PREPARE A MEDICINAL PRODUCT TO TREAT A VIRAL INFECTION.

Номер патента: CL2007003684A1. Автор: Frank Venkatraman Srik Bennett. Владелец: Schering Corp. Дата публикации: 2008-07-18.

Drive apparatus equipped with a ball screw

Номер патента: US5540113A. Автор: Seiji Takei. Владелец: Nippon Thompson Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-30.

Moulding compound and article moulded from thermoplastic containing nanoscalar, inorganic particles, method of producing moulding compound and moulded article, as well as use thereof

Номер патента: RU2409600C2. Автор: Клаус АЛЬБРЕХТ,Вернер ХЕСС,Харальд ХЭГЕР,Кшиштоф САДО. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2011-01-20.

Method and device for estimating level of damage or lifetime expectation of power semiconductor module

Номер патента: WO2017135333A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2017-08-10.

Multi-physics co-simulation method of power semiconductor modules

Номер патента: US12112110B2. Автор: Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yuxin Ge,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Measurement method of flatband voltage of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181444A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Oral evacuating unit with a disposable tip and local lighting

Номер патента: RU2652904C2. Автор: Андрей Викторович Корыткин. Владелец: Андрей Викторович Корыткин. Дата публикации: 2018-05-03.

Dental suction instrument with a disposable tip with local illumination

Номер патента: RU2693693C1. Автор: Андрей Викторович Корыткин. Владелец: Андрей Викторович Корыткин. Дата публикации: 2019-07-03.

Plastic moulding for a moulding arrangement, corresponding moulding arrangement, and method for producing a moulding arrangement

Номер патента: US20190322054A1. Автор: Christoph Wehrmann. Владелец: AFT Automotive GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

Composition and method for producing a transparent thermoplastic polycarbonate/polymethyl methacrylate moulding compound

Номер патента: US20240270961A1. Автор: Volker ALTSTÄDT,Andreas Seidel,Jan HEIJL,Marina REITHMEIER,Tobias BUBMANN. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Floor anti-skid car mat (versions) and corresponding manufacturing method thereof

Номер патента: RU2700533C1. Автор: Станислав Сергеевич Борисовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОВЛАЙН". Дата публикации: 2019-09-17.

Apparatus for testing switching of power semiconductor module

Номер патента: US20140176180A1. Автор: Seung Hwan Kim,Shang Hoon Seo,Suk Jin Ham. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Pump and its manufacturing method

Номер патента: EP2906827A1. Автор: Richard Paul Hayes-Pankhurst,Jonathan Edward FORD. Владелец: Quantex Patents Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Using article moulded from polyamide moulding compound as pipe insert

Номер патента: RU2443725C2. Автор: Райнер Геринг,Андреас Дове,Кристиан БАРОН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2012-02-27.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Polyphosphazene and moulding compound comprising the polyphosphazene

Номер патента: US20240270775A1. Автор: Andrij Pich,Sven Hobeika,Vera Taschner,Sven BUSCHMANN,Sivathmeehan YOGENDRA,Ayse DENIZ,Laura HETJENS. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2024-08-15.

METHOD OF MAKING POLYMERS WITH MEAN PARTICLE SIZE RANGING FROM 1 mcm TO 40 mcm VIA SUSPENSION POLYMERISATION, AS WELL AS MOULDING COMPOUNDS AND MOULDED OBJECTS CONTAINING POLYMER OBTAINED VIA SUSPENSION POLYMERISATION

Номер патента: RU2386643C2. Автор: Клаус ШУЛЬТЕС,Михаэль ШНАБЕЛЬ,Урсула ГОЛЬХЕРТ,Штефан НАУ,Сабине ШВАРЦ-БАРАК. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of a body protection and resulting body protection

Номер патента: CA3157129A1. Автор: Xavier Mateu Codina,Javier Cadens Ballarin. Владелец: Mat Product and Technology SL. Дата публикации: 2021-05-14.

Test tube with identification device and corresponding production method

Номер патента: WO2013175293A1. Автор: Martino MARCOLIN,Francesco TAMIAZZO,Valter VERONESE,Dominique Charles Joseph DUTSCHER. Владелец: Biosigma Srl. Дата публикации: 2013-11-28.

Housing for gas-treating components panel and method for manufacturing such a housing

Номер патента: EP1546614A1. Автор: Derk Bastiaan Euwen. Владелец: Altena Services BV. Дата публикации: 2005-06-29.

Housing for gas-treating components panel and method for manufacturing such a housing

Номер патента: AU2003257738A1. Автор: Derk Bastiaan Euwen. Владелец: Altena Services BV. Дата публикации: 2004-04-23.

Test tube with identification device and corresponding production method

Номер патента: EP2852462A1. Автор: Martino MARCOLIN,Francesco TAMIAZZO,Valter VERONESE,Dominique Charles Joseph DUTSCHER. Владелец: Biosigma Srl. Дата публикации: 2015-04-01.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Process for the moulding and production of hollow glass, in particular of a glass cap with a shaped protuberance, and corresponding moulding apparatus

Номер патента: WO2023157040A1. Автор: Pier Francesco Piccioni. Владелец: VETRERIA DI BORGONOVO SpA. Дата публикации: 2023-08-24.

Multi-physics co-simulation method of power semiconductor modules

Номер патента: US20230057941A1. Автор: Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yuxin Ge,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Moulded composite products and manufacturing methods therefor

Номер патента: GB2626535A. Автор: James Hughes Elliot,Antony Patrick Neill Dominic. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Oil sump, in particular oil filter module, with a multi-part housing

Номер патента: US20240247600A1. Автор: Gerd Jäggle,Sven Peters,Harald Kunzi,Enis Kostic. Владелец: Schwaebische Huettenwerke Automotive GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Assembly for casting molten metal comprising a sand casting mould, a short-shroud, and a mould / shroud coupling mechanism, casting installation and method for casting a molten metal part

Номер патента: WO2024170582A1. Автор: David Hrabina. Владелец: Foseco International Limited. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Stabiliser compositions containing substituted chroman compounds and methods of use

Номер патента: RU2662823C2. Автор: Рам ГУПТА,Сари-Бет СЭМЬЮЭЛЗ,Томас Стил,Дж. Мон Хей ИНГ.. Владелец: Сайтек Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2018-07-31.

Modular hot distribution plate, for the injection moulding of plastic material, adaptable to moulds of different shapes and configurations, and corresponding method

Номер патента: EP2451624A1. Автор: Roberto Enrietti. Владелец: Thermoplay SpA. Дата публикации: 2012-05-16.

Method of manufacturing a moulded article and moulded article obtained thereby

Номер патента: US20210197425A1. Автор: Andrew Mills,Aurele BRAS. Владелец: Cranfield University. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing a moulded article and moulded article obtained thereby

Номер патента: WO2019063980A1. Автор: Andrew Mills. Владелец: Cranfield University. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192267A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: US20230357079A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386399A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing a moulded article and moulded article obtained thereby

Номер патента: EP3687776A1. Автор: Andrew Mills,Aurele BRAS. Владелец: Cranfield University. Дата публикации: 2020-08-05.

Fibre, flexible display device manufactured thereform and corresponding manufacturing methods

Номер патента: WO2006027759A1. Автор: Martijn Krans,Lucas J. M. Schlangen,Edzer Huitema,Murray Gillies. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-03-16.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: CA3203242A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: AU2021426694A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: EP4288367A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Airbag Module With a Cover Bearing a Manufacturer Emblem

Номер патента: US20160272143A1. Автор: Laurent Hellot. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for producing a moulded part by structural foam moulding, moulded part of an expanded thermoplastic material and uses therefor

Номер патента: US20230202082A9. Автор: Thorsten Schulz,Thomas Grimm,Ulrich Grosser,Lucia WINKLER,Jan HELMIG. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2023-06-29.

Device and method for monitoring power semiconductor die

Номер патента: US20210172994A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Fixture for mounting a pattern plate in a moulding machine, producing and moulds

Номер патента: EP1198312A1. Автор: Vagn Mogensen. Владелец: Disa Industries AS. Дата публикации: 2002-04-24.

Fixture for mounting a pattern plate in a moulding machine producing sand moulds

Номер патента: WO2000069585A1. Автор: Vagn Mogensen. Владелец: DISA Industries A/S. Дата публикации: 2000-11-23.

Device and method for monitoring the health of a power semiconductor die

Номер патента: US11378612B2. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Device and method for monitoring power semiconductor die

Номер патента: WO2018180222A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2018-10-04.

Tanning module with a housing

Номер патента: US20030075693A1. Автор: Bernd Ullrich,Ernst Smolka,Stefan Greif,Ullrich Berger,Jörn Jahnke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Equipment for Producing Molecularly Bioriented Tubular Profiles and Corresponding Method

Номер патента: US20100189833A1. Автор: Ignacio Muñoz De Juan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Airbag module with a cover bearing a manufacturer emblem

Номер патента: US09550468B2. Автор: Laurent Hellot. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for arranging a label in a mould

Номер патента: US09364978B2. Автор: Willem Van Den Brink. Владелец: POLYMAC BV. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for manufacturing a tank boiler with a heating jacket and a tank boiler with a heating jacket

Номер патента: RU2761059C1. Автор: Максим Васильевич Агинских,Максим Сергеевич Лобанов,Екатерина Витальевна Шилова. Владелец: Ооо "Рейл1520 Ай Пи". Дата публикации: 2021-12-02.

Process of filling a mould; containers

Номер патента: GB2275010A. Автор: Rolf Gosch. Владелец: Bruehl Aluminiumtechnik. Дата публикации: 1994-08-17.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: WO2021240431A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2021-12-02.

Method and system for predicting junction temperature of power semiconductor module in full life cycle, and terminal

Номер патента: US11976984B1. Автор: Yong Kang,Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-07.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: EP4018207A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl. Дата публикации: 2022-06-29.

Mould shell section for a mould shell for a wind turbine blade, mould shell and method using the mould shell sections

Номер патента: EP2797725A2. Автор: Damien Rajasingam,Olav Davis,Glenn Thomas,Mohana Krishna Dhamodharan. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2014-11-05.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

System for the injection moulding of plastic material, particularly suitable for the moulding of pieces having the form of a solid of revolution or similar, and corresponding method

Номер патента: EP2736696A1. Автор: Maurizio Dini. Владелец: Ergotech Srl. Дата публикации: 2014-06-04.

Method and dose for forming an object with a natural fibre-based material

Номер патента: WO2024062462A3. Автор: Fiorenzo Parrinello,Fabrizio Pucci,Giovanni MAZZOTTI,Eleonora Balducci. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2024-05-16.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: EP4288396A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: US20240002299A1. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Solar energy powered semiconductor refrigeration fruit-vegetable freshness preservation box

Номер патента: LU100223B1. Автор: Yusheng Li. Владелец: Shenzhen Naishidi Technoloigies Res And Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-27.

A mould assembly for a skimmer box lid

Номер патента: AU2020242080A1. Автор: William Geoffrey Freeman. Владелец: SKIMMER LIDS Pty Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

A moulding assembly for manufacturing a shell part of a wind turbine blade

Номер патента: CA3233120A1. Автор: Kristian Lehmann Madsen,Frederik Brandt. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2023-04-06.

System for the injection moulding of plastic material, particularly suitable for the moulding of pieces having the form of a solid of revolution or similar, and corresponding method

Номер патента: US20140159268A1. Автор: Maurizio Dini. Владелец: Ergotech Srl. Дата публикации: 2014-06-12.

Oil sump, in particular oil filter module, with a multi-part housing

Номер патента: US20240247601A1. Автор: Gerd Jäggle,Sven Peters,Harald Kunzi,Enis Kostic. Владелец: Schwaebische Huettenwerke Automotive GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Inorganic composite, use, mechanical shaping tool, mould, manufacturing method

Номер патента: EP4406926A1. Автор: Robinson Carlos Dudley CRUZ,Joel Boaretto. Владелец: Instituto Hercílio Randon. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for producing a moulded part by structural foam moulding, moulded part of an expanded thermoplastic material and uses therefor

Номер патента: US20210023748A1. Автор: Thorsten Schulz,Ulrich Grosser,Lucia WINKLER,Thomas THULKE,Jan HELMIG. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for producing a moulded part by structural foam moulding, moulded part of an expanded thermoplastic material and uses therefor

Номер патента: US20190118433A1. Автор: Thorsten Schulz,Thomas Grimm,Ulrich Grosser,Lucia WINKLER,Jan HELMIG. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method and installation for producing a moulded bonded foam article

Номер патента: EP1503890A1. Автор: Axel Kamprath,Wim Allaerts. Владелец: Recticel NV SA. Дата публикации: 2005-02-09.

Method and installation for producing a moulded bonded foam article

Номер патента: AU2003221642A1. Автор: Axel Kamprath,Wim Allaerts. Владелец: Recticel NV SA. Дата публикации: 2003-11-17.

Method and device for arranging a label in a mould

Номер патента: EP2632679A1. Автор: Willem Van Den Brink. Владелец: POLYMAC BV. Дата публикации: 2013-09-04.

A method for the manufacturing of a mould body and a mould body manufactured according to the method

Номер патента: EP1159116A1. Автор: Hans Martin,Ove Ohman,Lars Lundbladh. Владелец: AMIC AB. Дата публикации: 2001-12-05.

A device for pressing a supply of clay to individual mouldings to be deposited in a moulding tray

Номер патента: WO1991000794A1. Автор: Rudy Peters. Владелец: Hubert Sneek Machinefabriek B.V.. Дата публикации: 1991-01-24.

Method and piercing device for creating clearances in the moulding sand of a moulding box

Номер патента: US20090101300A1. Автор: Dirk Hablick,Michael Hirz,Bernhard Fries,Georg Malkmes. Владелец: ABB Patent GmbH. Дата публикации: 2009-04-23.

Flow sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09964424B2. Автор: Satoshi Arai,Shigeharu Tsunoda,Shinobu Tashiro,Takeshi Morino. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of filling a mould, and system for filling a mould

Номер патента: US09731991B2. Автор: Joop Dalstra. Владелец: Centrum Voor Technische Informatica Bv. Дата публикации: 2017-08-15.

Molding tool for back-molding a plastic film with a plastic melt

Номер патента: US09505154B2. Автор: Harald Burger. Владелец: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2016-11-29.

Mould drum and cleaning apparatus for a mould drum

Номер патента: RU2598039C2. Автор: Хендрикус-Петрус-Герардус ВАН-ГЕРВЕН. Владелец: Си-Эф-Эс Бакел Б.В.. Дата публикации: 2016-09-20.

Induction pickup and manufacturing method of such induction pickup

Номер патента: RU2546850C1. Автор: Этьен МЕРЛЕ,Кристиан КАРДОЗО,Дидье АБЕР,Фабрис ЖАН,Микаэль МАГАЛЬЯ,Себастьян ПОТАР. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2015-04-10.

Apparatus and method of testing semiconductor module

Номер патента: US20140140373A1. Автор: Seung Hwan Kim,Shang Hoon Seo,Suk Jin Ham. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Injection arrangement for a moulding machine and method for operating the same

Номер патента: US11969927B2. Автор: Friedrich Pernkopf,Christoph Balka. Владелец: ENGEL AUSTRIA GMBH. Дата публикации: 2024-04-30.

Filling unit and method for filling a confectionery product into a mould or a container

Номер патента: EP2967115A1. Автор: Peter Mathiasen,Poul Erik Petersen,Karsten Beuchert. Владелец: Gram Equipment AS. Дата публикации: 2016-01-20.

A moulded door or moulded door skin theron including a replaceable decorative panel

Номер патента: GB201120342D0. Автор: . Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2012-01-04.

Housing and manufacturing method therefor, and terminal device

Номер патента: EP4406674A1. Автор: Kuang Li,Shaohui Zhang,Guoliang HUO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Lamp and corresponding method

Номер патента: EP3828461A1. Автор: Marco MUNARIN,Francesco Gregianin,Marco Barp. Владелец: Osram SpA. Дата публикации: 2021-06-02.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

A moulding process and product

Номер патента: EP1838509A1. Автор: Antony Dodworth. Владелец: Bentley Motors Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method to clean a mould drum provided with a plastic porous structure

Номер патента: EP3547840A1. Автор: Hendrikus Petrus Gerardus Van Gerwen. Владелец: Gea Food Solutions Bakel Bv. Дата публикации: 2019-10-09.

A mould for manufacturing plaster construction elements

Номер патента: WO2008153430A3. Автор: Jerzy Busłowicz,Stefan Sywyk. Владелец: Busico. Дата публикации: 2009-05-14.

A mould for manufacturing plaster construction elements

Номер патента: WO2008153430A2. Автор: Jerzy Busłowicz,Stefan Sywyk. Владелец: 'busico'. Дата публикации: 2008-12-18.

Vacuum infusion system and method for vacuum infusing a fibre reinforcement with a resin

Номер патента: WO2023094454A1. Автор: Josep Costa Balanzat,Maria Eugenia Rodriguez Sierra,María ARIÑO PALACÍN,Cristian BUILES CÁRDENAS,Manuel Ángel BERMÚDEZ AYERBE. Владелец: Universitat De Girona (40%). Дата публикации: 2023-06-01.

Manufacturing method for a medical implantable device and a medical implantable device and base body for such implantable device

Номер патента: WO2024141652A1. Автор: Secil SOYUTEMIZ,Ugur Karaman,Olcay Çavusolu,Cansel ISILKI. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Time-of-flight sensor and corresponding operating method

Номер патента: WO2024115519A1. Автор: Peter Trattler,Thomas Jessenig. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

A system and method for forming a moulded article

Номер патента: AU2021375390A9. Автор: Jonathan Morris,Paul Clifford Smith,Rupert Anthony BARTON,Adam Richard Turner,Natasha Wilson,Joshua Lanzon-Miller,Antony Robin Burness,Andrew William Norfolk,Benjamin Rhys Williams,Amy Joanne King. Владелец: Diageo Great Britain Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: US09989506B2. Автор: Yusuke Watanabe,Takao Murase,Masashi Yasui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US09958348B2. Автор: Arnd Kaelberer,Johannes Classen,Jochen Reinmuth. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-05-01.

Seal and corresponding manufacturing method

Номер патента: US09879782B2. Автор: Mario Bertini,Raffaello Ravanelli. Владелец: TENUTE Srl. Дата публикации: 2018-01-30.

Ball, particularly for basketball practice, and corresponding manufacture method

Номер патента: US09744409B2. Автор: Thomas BAILLON,Ming-Chih Wang. Владелец: Decathlon SE. Дата публикации: 2017-08-29.

Metering module with high-temperature resistance

Номер патента: US09587542B2. Автор: Jochen Winkler,Stephan Pohl,Martin Kiontke,Achim Knittel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Drive assembly for a drug delivery device and corresponding drug delivery device

Номер патента: RU2594810C2. Автор: Кристиане ШНАЙДЕР,Тобиас ШТЕФЕР,Михаэль ХАРМС,Ульрик ЯКОБИ,Нгок-Джейн ЛАМ,Торстен КРАФТ. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2016-08-20.

Device to provide continuous circulation of drilling mud and corresponding plant

Номер патента: RU2641057C2. Автор: Одд Б. ШЕРСЕТ,Бьёрн ЭЙЛЕРТСЕН. Владелец: Вест Дриллинг Продактс Ас. Дата публикации: 2018-01-15.

Connection method of corrugated hose with housing, system with corrugated hose and housing connected to it, and air means of communication at least to one of above mentioned systems

Номер патента: RU2493470C2. Автор: Маркус БИЛЬДШТАЙН. Владелец: Либхерр-Аэроспейс Линденберг Гмбх. Дата публикации: 2013-09-20.

Moulding compounds for producing moulded parts for drinking water

Номер патента: US20100249307A1. Автор: Georg Stoppelmann. Владелец: EMS PATENT AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Gas spring with a device for releasing the gas spring

Номер патента: DK3057469T3. Автор: Guido Wandschneider. Владелец: Guido Wandschneider. Дата публикации: 2018-07-23.

Disgregating device of biological material and corresponding manufacturing method and method for the preparation of cell suspensions and tissue micrografts

Номер патента: WO2016097960A3. Автор: Riccardo D'Aquino,Antonio Graziano. Владелец: Human Brain Wave S.R.L.. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for measuring degradation of thermal resistance between power semiconductor and heat sink, and control device for power semiconductor

Номер патента: WO2022185563A1. Автор: Pierre-Yves PICHON,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2022-09-09.

Measurement method for estimating temperature of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181441A1. Автор: Julio BRANDELERO,Briac BAUDAIS. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Waterproof pressure sensor device with improved temperature calibration and corresponding temperature calibration method

Номер патента: EP4239304A1. Автор: Lorenzo Baldo,Enri Duqi,Filippo DANIELE,Giulio CAPELLI,Salvatore Alongi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-06.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: WO2021149451A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2021-07-29.

A mould with an internal shaping core for manufacturing thin-walled blown glass objects

Номер патента: WO2002000560A1. Автор: Robert Mostowski,Aleksander Mostowski. Владелец: Aleksander Mostowski. Дата публикации: 2002-01-03.

A moulding apparatus and method

Номер патента: ZA202301317B. Автор: Parrinello Fiorenzo,Pucci Fabrizio,MAZZOTTI Giovanni,Zanotti Davide,Pirazzoli Francesco. Владелец: Sacmi. Дата публикации: 2024-06-26.

A moulded plastic article having vibration damping properties and a method for preparation thereof

Номер патента: EP1836038A1. Автор: Percy Josefsson. Владелец: TRELLEBORG RUBORE AB. Дата публикации: 2007-09-26.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: US20230053137A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

A method of manufacturing a wheel with a tyre and a wheel with a tyre

Номер патента: WO2015036775A1. Автор: Michael Andrews,Paul Andrews. Владелец: Capak Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

A mould with an internal shaping core for manufacturing thin-walled blown glass objects

Номер патента: EP1294648A1. Автор: Robert Mostowski,Aleksander Mostowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-26.

Male element of a mould

Номер патента: EP4244034A1. Автор: Stefano Bergami,Davide Baldisserri,Marcello Zama. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2023-09-20.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Truck comprising a moulded sealing device, and method for manufacturing the moulded sealing device

Номер патента: EP4194276A1. Автор: Tom KAMPS. Владелец: DAF Trucks NV. Дата публикации: 2023-06-14.

Cleaning unit for a mould for encapsulating electronic components, moulding system and method for encapsulating electronic components

Номер патента: NL2033591B1. Автор: Franciscus Gerardus Van Driel Albertus. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-05-30.

Optoelectronic arrangement having a surface-mountable semiconductor module and a cooling element

Номер патента: US20060045413A1. Автор: Martin Weigert. Владелец: Infineon Technologies Fiber Optics GmbH. Дата публикации: 2006-03-02.

Device for marking a moulded or cast form

Номер патента: US20210114088A1. Автор: John Harris,Mark Southern,Jennifer HENNESSY. Владелец: University of Limerick. Дата публикации: 2021-04-22.

Top cooling module with ice storage and delivery

Номер патента: EP2664874A3. Автор: Steven J. Kuehl,Guolian Wu,Lorraine J. Westlake,Rameet Singh Grewal,Douglas D. LeClear,Andrew D. Litch. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

A method of manufacturing a wheel with a tyre and a wheel with a tyre

Номер патента: EP3043989A1. Автор: Michael Andrews,Paul Andrews. Владелец: Capak Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Independent phase-change heat-transfer-type heat tube and manufacturing method thereof

Номер патента: US09878406B2. Автор: Tingqiao Ye,Junyi Tan,Chaofei Zhou. Владелец: Zhuhai Xingye New Energy Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Low-power semiconductor device

Номер патента: US09754659B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Design of side frame central core and corresponding method

Номер патента: RU2719219C1. Автор: Эрик Л. ГОТЛУНД,Рошан Н. МАНИБХАРАТХИ. Владелец: НЕВИС ИНДАСТРИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-04-17.

Metal part covered with layer of paint, and corresponding manufacturing method

Номер патента: RU2756520C2. Автор: Оливье БОНДИЛЬ,Софи ШАРДОНЕ,Сильви ЛЯШОМ,Мирьям ПИР. Владелец: Сэн Гобэн Пам. Дата публикации: 2021-10-01.

Centrifugal compressor, and centrifugal compressor manufacturing method

Номер патента: RU2486373C1. Автор: Томас МИХЛИГК. Владелец: МАН ДИЗЕЛЬ УНД ТУРБО СЕ. Дата публикации: 2013-06-27.

Window assembly with a motorized window shade mechanism

Номер патента: CA2720965C. Автор: John Y. Kamin,Byron R. Knowles. Владелец: AEROSPACE TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Optical semiconductor module and a method for fabricating the same

Номер патента: US5661834A. Автор: Hideki Watanabe,Yuji Sakazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Method for preparation of a moulded composite from a bulk moulding compound

Номер патента: CA3161938C. Автор: Stefan Ellinger,Marcel Sommer,Gaetano La Delfa,Roger MAZOTTI,Sandro Landonio,Stefano Licari. Владелец: Arxada Ag. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for preparation of a moulded composite from a bulk moulding compound

Номер патента: US11780176B2. Автор: Stefan Ellinger,Marcel Sommer,Gaetano La Delfa,Roger MAZOTTI,Sandro Landonio,Stefano Licari. Владелец: Arxada Ag. Дата публикации: 2023-10-10.

Tool attachment, tool changer and corresponding method of use

Номер патента: GB2597699A. Автор: Mortimer Robertson Jon. Владелец: Saab Seaeye Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Housing-like dental instrument having anticaries function and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021268769A1. Автор: Lei Huang,Shida LV. Владелец: Wuxi Ea Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

A cassette configured for use with a medical waste collection system

Номер патента: EP4374888A3. Автор: David Hershberger,Stephen Reasoner,Brian Maclachlan,Brian Vanderwoude,Chad DRAKE,Benjamin EDINGER,Steve Isham. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Methods for detecting target compounds and uses thereof

Номер патента: WO2024102837A1. Автор: Zhong Li. Владелец: Zhong Li. Дата публикации: 2024-05-16.

Pump With A Modular Construction

Номер патента: US20240309873A1. Автор: Christian Bohm,Sigismund Jones. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2024-09-19.

Elevator element, manufacturing method thereof and elevator

Номер патента: AU2021425251A9. Автор: Tapani Talonen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

A mould for forming a unitary article from pulp

Номер патента: ZA202304914B. Автор: MORRIS Jonathan,Richard Turner Adam,Wilson Natasha,Lanzon-Miller Joshua. Владелец: Diageo Great Britain Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Additive for polyamide moulding compounds and use thereof

Номер патента: US09908973B2. Автор: Johannes Katzer. Владелец: Uhde Inventa Fischer GmbH. Дата публикации: 2018-03-06.

Muffler and its corresponding manufacturing method

Номер патента: US09719404B2. Автор: Tomoyuki Fujita,Akiyoshi Yamamoto,Isao Nojiri,Koichi Hiramatsu,Kenji Shikata,Ken Miwa,Kazuki Sugi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SMC (sheet moulding compound) mould pressing resin finished well and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102322097B. Автор: 秦旭东. Владелец: WUXI XINDADI COMPOSITE MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20120001227A1. Автор: TAKAHASHI Kiyoshi,Okita Souichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE HAVING LAYERED INSULATING SIDE WALLS

Номер патента: US20120001317A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR THE INJECTION MOULDING OF PLASTIC MATERIAL, PARTICULARLY SUITABLE FOR BEING ASSOCIATED WITH A BLOWING UNIT OF THE MOULDED PLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Moulding compound for radiation-proof board materials and method for production thereof

Номер патента: RU2531817C1. Автор: Вячеслав Алексеевич Михеев,Виктор Васильевич Поливкин,Виктор Николаевич Гульбин,Николай Сергеевич Колпаков,Юрий Константинович Александров,Александра Сергеевна ТЮМЕНЕВА. Владелец: Открытое акционерное общество "Инженерно-маркетинговый центр Концерна "Вега" ОАО "ИМЦ Концерна "Вега". Дата публикации: 2014-10-27.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

MECHANICAL SYSTEM FOR MOVEMENT ALONG A HOUSING AXIS

Номер патента: US20120003111A1. Автор: CHEN Kuo-Chiang,OCALAN MURAT,WICKS NATHANIEL,Jacobson Aaron. Владелец: SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fire extinguishing module with drencher heads

Номер патента: RU2474453C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева. Владелец: Мария Олеговна Стареева. Дата публикации: 2013-02-10.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Dashboard Crossbar Assembly for a Motor Vehicle, and Corresponding Dashboard Device, Motor Vehicle, and Manufacturing Method

Номер патента: US20120001448A1. Автор: Baudart Laurent,Da Costa Pito Sergio. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CARTRIDGE FOR SCENT DIFFUSER, SCENT DIFFUSER AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20120000989A1. Автор: Bordier Philippe. Владелец: BORDIER INGENIERIE. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Physically Crosslinked Copolymer Compounds and Related Compositions and Methods for Electrophoretic Separation

Номер патента: US20120000780A1. Автор: Barron Annelise E.,Chiesl Thomas N.. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

High-power semiconductor resistor and method of making said resistor

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System for the Contactless Sealing of a Rotatably Mounted Shaft with Respect to a Housing, and Gear Unit

Номер патента: US20120000308A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lamp With A Truncated Reflector Cup

Номер патента: US20120002423A1. Автор: . Владелец: OSRAM SYLVANIA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DELIVERING A CONDUIT INTO A HEART WALL TO PLACE A CORONARY VESSEL IN COMMUNICATION WITH A HEART CHAMBER AND REMOVING TISSUE FROM THE VESSEL OR HEART WALL TO FACILITATE SUCH COMMUNICATION

Номер патента: US20120004589A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determination of resistance of power semiconductor devices to action of microsecond pulses of forward current

Номер патента: RU2028004C1. Автор: А.В. Гамаюнов,В.И. Паленик,О.К. Тоомла,С.М. Курмашев. Владелец: Петербургский институт инженеров железнодорожного транспорта. Дата публикации: 1995-01-27.

A Mould for the Production of Biscuit Sandwiches.

Номер патента: GB189912442A. Автор: John May. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-04-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.