Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Power semiconductor transistor

Номер патента: US10665706B2
Опубликовано: 26-05-2020
Автор(ы): Anton Mauder, Christian Philipp Sandow, Franz-Josef Niedernostheide
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power semiconductor transistor having fully depleted channel region

Номер патента: US09859408B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Power Semiconductor Transistor

Номер патента: US20190296135A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Power Semiconductor Transistor Having Fully Depleted Channel Region

Номер патента: US20170117397A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Power Semiconductor Transistor Having Fully Depleted Channel Region

Номер патента: US20180138301A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200259007A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09905681B2. Автор: Tae Young Park,Young Joon Kim,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Han Sin CHO,Tae Yeop Kim. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power Semiconductor Device with dV/dt Controllability and Low Gate Charge

Номер патента: US20230307499A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske,Alexander Philippou,Helmut Maeckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Mesa Contact for MOS Controlled Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220069079A1. Автор: Roman Baburske,Hans-Juergen Thees,Ingo Dirnstorfer,Ute Queitsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Inhomogeneous power semiconductor devices

Номер патента: US09614065B2. Автор: Tao Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Power Semiconductor Device and Method of Processing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200266269A1. Автор: Steffen Schmidt,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Frank Umbach,Philip Christoph Brandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device and manufacturiing method

Номер патента: US20240379756A1. Автор: Chiara Corvasce,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High Voltage Termination Structure of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190109230A1. Автор: Frank Hille,Frank Dieter Pfirsch,Viktoryia Uhnevionak,Philip Christoph Brandt,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US12107120B2. Автор: Hyuk Woo,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20050199953A1. Автор: Noboru Matsuda,Yasuo Ebuchi,Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285550A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode

Номер патента: US20240021670A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285549A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US09502498B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo,Kyu Hyun Mo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120061721A1. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Power Semiconductor Switch with Improved Controllability

Номер патента: US20200168727A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Erich Griebl,Caspar Leendertz,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-05-28.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: US20070040215A1. Автор: Ling Ma,Russell Turner,Adam Amali. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-02-22.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240030323A1. Автор: Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

N-channel bipolar power semiconductor device with P-layer in the drift volume

Номер патента: US10546939B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-28.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343861A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343860A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047530A1. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up

Номер патента: US5753942A. Автор: Kyung-Wook Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240213343A1. Автор: Wolfgang Wagner,Bernd Bitnar,Franz Josef Niedernostheide,Frank Hille,Frank Pfirsch,Roland DIETMÜLLER,Marc Probst,Philip Christoph Brandt,Volodymyr Komarnitskyy,Andreas Korzenietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20230343827A1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240136404A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench gate type power semiconductor device

Номер патента: US20140048844A1. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Power Semiconductor Transistor

Номер патента: US20200098911A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Hans Peter Felsl,Volodymyr Komarnitskyy,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US12027577B2. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US20220352304A1. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US12068412B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200194550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Moriz Jelinek,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-18.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4418325A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282823A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Power semiconductor devices having a semi-insulating field plate

Номер патента: US09647077B2. Автор: Iftikhar Ahmed,Chun-Wai Ng,Johnny Kin-On Sin. Владелец: Jsab Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of operating power semiconductor devices and structures

Номер патента: US09842917B2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2018172977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Matteo Dainese,Markus Bina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device including first and second trench structures

Номер патента: US11742417B2. Автор: Roman Baburske,Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Juergen Thees,Ilaria Imperiale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4009375A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-08.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022117656A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A3. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-21.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230100846A1. Автор: Alim Karmous,Thorsten Arnold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Power Semiconductor Device Having a Field Electrode

Номер патента: US20190157402A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Power semiconductor device having a field electrode

Номер патента: US10204993B2. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-12.

Power semiconductor device having a field electrode

Номер патента: US10580873B2. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180269313A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Matteo Dainese,Markus Bina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11961903B2. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11038019B2. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237544A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240186377A1. Автор: Marco Bellini,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144366A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: WO2023102324A9. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11837657B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022199955A1. Автор: Munaf Rahimo,Marco Bellini,Andrei Mihaila,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10516027B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10680076B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US20200075739A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240096937A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US12009389B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240170566A1. Автор: Munaf Rahimo,Marco Bellini,Andrei Mihaila,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor devices having a semi-insulating field plate

Номер патента: US20160087050A1. Автор: Iftikhar Ahmed,Chun-Wai Ng,Johnny Kin-On Sin. Владелец: HKG TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Power semiconductor devices having reflowed inter-metal dielectric layers

Номер патента: EP3970198A1. Автор: Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner,Shadi Sabri. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Power semiconductor devices having reflowed inter-metal dielectric layers

Номер патента: WO2020231647A1. Автор: Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner,Shadi Sabri. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-11-19.

Power semiconductor devices including multiple gate bond pads

Номер патента: US20230120729A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090127616A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200066860A1. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US10971591B2. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140145291A1. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US09786736B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: WO2023055919A1. Автор: Qin Huang. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US11855203B2. Автор: LIU Yuan,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhao Wang,Wenliang LIU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-12-26.

Power semiconductor devices, semiconductor devices and a method for adjusting a number of charge carriers

Номер патента: US20170179224A1. Автор: Martin Brandt,Martin Stutzmann,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Power Semiconductor Device with Embedded Field Electrodes

Номер патента: US20150279946A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Power semiconductor device with dv/dt controllability

Номер патента: US20180076309A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Power semiconductor device with dv/dt controllability

Номер патента: US20190319122A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US8106454B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230299137A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming power semiconductor device

Номер патента: US20230187537A1. Автор: Sang-Yong Lee,Sang-Su Woo. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

TRENCH SiC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230327014A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device and method of manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20230369515A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Lateral power semiconductor transistors

Номер патента: EP3017478A1. Автор: Vasantha Pathirana,Tanya Trajkovic,Nishad Udugampola. Владелец: CAMBRIDGE MICROELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130248925A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: EP1917683A2. Автор: Ling Ma,Russell Turner,Adam I. Amali. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-07.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140167123A1. Автор: Kwang Soo Kim,In Wha Jeong,Ji Hyun Park,Bum Seok SUH,JaeHoon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Vertical power semiconductor device including a silicon carbide (sic) semiconductor body

Номер патента: US20240145588A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor device of stripe cell geometry

Номер патента: US9583560B2. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Power Semiconductor Device of Stripe Cell Geometry

Номер патента: US20150340433A1. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170256607A1. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230335625A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830914B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Power semiconductor devices and corresponding manufacturing methods

Номер патента: EP4238134A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: WO2022093727A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-05.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US9865676B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170148870A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Zhong WANG. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234511A9. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234416A9. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230253448A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics

Номер патента: US09748329B2. Автор: Ashok Challa,Joseph A. Yedinak. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics

Номер патента: US09391193B2. Автор: Ashok Challa,Daniel M. Kinzer,Dean E. Probst,Joseph A. Yedinak,Daniel Calafut. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024012648A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4327354A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140070852A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170373157A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230009426A1. Автор: Dong Hwan Choi,Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Tae Yeop Kim,Sin A Kim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136405A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180308974A1. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US10381474B2. Автор: Chih-Fang Huang,Chia-Hui Cheng,Kung-Yen Lee,Sheng-Chung Wang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Reverse conducting power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4101008A1. Автор: Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-14.

Power semiconductor device with reduced loss and manufacturing method the same

Номер патента: US20230317837A1. Автор: Chongman Yun,Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240136355A1. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20180006027A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230317818A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200357919A1. Автор: Ju-Hwan Lee,Seong-Hwan Yun,Tae-young Park. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180026102A1. Автор: Peter Gammon,Chun Wa Chan. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2018-01-25.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Power semiconductor device and method

Номер патента: US09431490B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Power Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20130299899A1. Автор: Mohamed N. Darwish,Amit Paul. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Power Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200395443A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-17.

Vertical power semiconductor device including a field stop region having a plurality of impurity peaks

Номер патента: US11742384B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220140135A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-05-05.

Power semiconductor device having elevated source regions and recessed body regions

Номер патента: US11888061B2. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-30.

Finfet power semiconductor devices

Номер патента: EP4256616A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method and power semiconductor device

Номер патента: WO2023174610A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method and power semiconductor device

Номер патента: EP4246591A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-09-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620631B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Hideaki Ninomiya,Tsuneo Ogura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US20060049458A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US7268403B2. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US09577080B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor device and corresponding module

Номер патента: US09455340B2. Автор: Munaf Rahimo. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Power semiconductor device with a double metal contact and related method

Номер патента: US09761550B2. Автор: Robert Montgomery,David Paul Jones,Hugo Burke,Susan Johns,Phillip Parsonage. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Power Semiconductor Element With Two-Stage Impurity Concentration Profile

Номер патента: US20120007223A1. Автор: Bernhard Koenig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-01-12.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: WO2020256719A1. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Power semiconductor

Номер патента: US8501586B2. Автор: Munaf Rahimo,Arnost Kopta,Stefan Linder. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-08-06.

Power semiconductor

Номер патента: US20070281442A1. Автор: Munaf Rahimo,Arnost Kopta,Stefan Linder. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device for preventing punchthrough and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060049465A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Power semiconductor devices

Номер патента: EP1946380A2. Автор: Sankara Narayanan Ekkanath Madathil,David William Green. Владелец: Eco Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Power semiconductor devices

Номер патента: WO2007042834A2. Автор: Sankara Narayanan Ekkanath Madathil,David William Green. Владелец: Eco Semiconductors Limited. Дата публикации: 2007-04-19.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070111456A1. Автор: Hyung-Tae Ji,Seung-Rok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230290869A1. Автор: Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Power semiconductor die with improved thermal performance

Номер патента: WO2022271417A1. Автор: Ty Richard McNutt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: US20090166727A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-07-02.

Power semiconductor having a lightly doped drift and buffer layer

Номер патента: USRE47710E1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-11-05.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: EP4107783A1. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-28.

Multiple zone power semiconductor device

Номер патента: US09793386B2. Автор: Ming Su. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor die with improved thermal performance

Номер патента: US20220416077A1. Автор: Ty Richard McNutt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230307531A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9153675B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Shin-Chi Lai,Chien-Chung Chu,Chon-Shin Jou,I-Hsien Tang. Владелец: Mosel Vitalec Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Power semiconductor device and operating method

Номер патента: US20230369408A1. Автор: Marco Bellini,Jan Vobecky,Lars Knoll,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140327038A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Shin-Chi Lai,Chien-Chung Chu,Chon-Shin Jou,I-Hsien Tang. Владелец: Mosel Vitalec Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230411514A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022184350A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-09.

Power semiconductor devices including multiple gate bond pads

Номер патента: WO2023064232A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Bipolar Power Semiconductor Transistor

Номер патента: WO2016189308A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2016-12-01.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4411829A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160499A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20080246079A1. Автор: Hiroshi Ohta,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Masakatsu Takashita,Masaru Izumisawa,Yauto Sumi,Shoichiro Kurushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Vertical power semiconductor device comprising source or emitter pad

Номер патента: US20240347456A1. Автор: Carsten Schaeffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device including a cooling material

Номер патента: US09793255B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2023001450A1. Автор: Marco Bellini,Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Trenched power semiconductor element

Номер патента: US09799743B1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Power Semiconductor Device, Method of Producing a Power Semiconductor Device and Method of Operating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240047457A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Roman Baburske,Daniel Schlögl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4068390A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Circuit and Method of Reducing Body Diode Reverse Recovery Time of Lateral Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20080042196A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Power Semiconductor Device Having an SOI Island

Номер патента: US20190198612A1. Автор: Anton Mauder,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

SOI Island in a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180053822A1. Автор: Anton Mauder,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-22.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US20220320271A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US11978767B2. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Power semiconductor device and power conversion device using the same

Номер патента: EP1793423A3. Автор: Taiga Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Arai,Mutsuhiro Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Power Semiconductor Device with Reduced On-Resistance and Increased Breakdown Voltage

Номер патента: US20140332879A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-11-13.

Power semiconductor package with gate and field electrode leads

Номер патента: US09431394B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Reverse conducting power semiconductor device

Номер патента: US09543305B2. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Florin Udrea,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI,Neophythos Lophitis,Lulian Nistor. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US5040043A. Автор: Katsutoshi Izumi,Terukaza Ohno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1991-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Power semiconductor module

Номер патента: US20130069108A1. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Dong Soo Seo,Young Hoon Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150255442A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A3. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-08-16.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: US20230170334A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170179265A1. Автор: Shuichi Kitamura,Kenji Hatori,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor device with dV/dt controllability and cross-trench arrangement

Номер патента: US10304952B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Frank Dieter Pfirsch,Erich Griebl,Markus Bina,Caspar Leendertz,Alexander Philippou,Ingo Dirnstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-28.

Power Semiconductor Device Having a Cross-Trench Arrangement

Номер патента: US20190273155A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Frank Dieter Pfirsch,Erich Griebl,Markus Bina,Caspar Leendertz,Alexander Philippou,Ingo Dirnstorfer. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-05.

Power semiconductor device having a protection circuit

Номер патента: EP1137068A2. Автор: Tatsuo Int.Prop.Div.K.K.Toshiba Yoneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Controllable power semiconductor element with buffer zone and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5466951A. Автор: Heinrich Brunner,York C. Gerstenmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-11-14.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor

Номер патента: US20200350406A1. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-05.

System and method of sensing current in a power semiconductor device

Номер патента: US09500678B2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device and power semiconductor core module

Номер патента: US20180331077A1. Автор: Seiji Oka,Yoshihiro Yamaguchi,Tetsuo Motomiya,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Power semiconductor

Номер патента: US20230013532A1. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor

Номер патента: US11791382B2. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US20160056151A1. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US09673312B2. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US09503073B2. Автор: Akihiro Nakahara,Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Monolithically integrated temperature sensor for power semiconductor components

Номер патента: US5304837A. Автор: Christofer Hierold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-04-19.

Wafer-level chip-scale package including power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200144145A1. Автор: Myung Ho Park,Beom Su KIM,Sun Hwan Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Power semiconductor component for voltage limiting, arrangement having two power semiconductor components, and a method for voltage limiting

Номер патента: US11973147B2. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess,Juergen Schiele,Sebastian Paul Sommer. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-30.

Power semiconductor devices

Номер патента: US20140151744A1. Автор: Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US09947742B2. Автор: Hye-mi Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230108668A1. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature

Номер патента: US09640649B2. Автор: Robert Beach. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

GaN power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure

Номер патента: US12027516B1. Автор: SHENG Li,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Mengli LIU,Yanfeng Ma. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10103219B2. Автор: YUAN Li,Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Stacked high-blocking iii-v power semiconductor diode

Номер патента: US20200287059A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243195A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9711627B2. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293745A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170288043A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US20230420449A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: EP4229679A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Methods of forming power semiconductor devices having superjunction structures with pillars having implanted sidewalls

Номер патента: US9972677B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: WO2022055632A3. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-07-07.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282865A1. Автор: Mei-Ling Chen,Li-Ming Chang,Hsu-Heng Lee. Владелец: Invinci Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Passivation of power semiconductor device

Номер патента: US7294884B2. Автор: Achim Schier. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2007-11-13.

Passivation of power semiconductor device

Номер патента: US20050230778A1. Автор: Achim Schier. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-10-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US11824084B2. Автор: Ze Chen,Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Power semiconductor package with conductive clips

Номер патента: US09620471B2. Автор: Martin Standing,Robert J. Clarke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module and method for stabilizing thereof

Номер патента: US09748941B2. Автор: Minki Kim,Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Hyun Soo Lee,Dong Yun Jung,Hyun-Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US11869948B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: WO2022178023A1. Автор: Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US20220262909A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Lou Hutter Consulting LLC. Дата публикации: 2022-08-18.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US20240072131A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: EP4295398A1. Автор: Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Power semiconductor package with integrated heat spreader and partially etched conductive carrier

Номер патента: US09570379B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09748409B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor system for a current sensor in a power semiconductor

Номер патента: US09478613B2. Автор: Frank Wolter,Timm Hoehr,Thomas Jacke,Holger Ruething,Christian Pluntke,Guenther Koffler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Power semiconductor package having integral fluid cooling

Номер патента: EP1622199A3. Автор: Bruce A. Myers,Erich W. Gerbsch,Darrel E. Peugh,Lester Wilkinson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: EP3545557A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-10-02.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: WO2018095870A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-05-31.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: US20190288124A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-19.

Dual-side cooled embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20230402342A1. Автор: Di Chen,Juncheng LU,Ahmad Mizan,Ruoyu Hou,Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Power semiconductor device capable of controlling slope of current and voltage during dynamic switching

Номер патента: US20230215938A1. Автор: Chongman Yun,Junyoung Choi,Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of making a semiconductor structure for high power semiconductor devices

Номер патента: US20060088978A1. Автор: Robert Howell,Rowland Clarke,Michael Aumer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: EP2973719A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20180026144A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Solder resist structure for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20220416069A1. Автор: Ahmad Mizan,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL,Maryam ABOUIE. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130026485A1. Автор: Heon Bok LEE,Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

A modular and scalable power semiconductor module arrangement

Номер патента: GB2625785A. Автор: Li Jianfeng,WANG Xingzhi,Du Yuekang,Liu Liangjie,Pang Yong,Liu Feixiang. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243031A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback

Номер патента: EP3940956A1. Автор: Geraldo Nojima,Eddie Wilkie. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A3. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor device with voltage clamp circuit

Номер патента: US20240178830A1. Автор: Kennith Kin Leong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243106A1. Автор: Yusheng Lin,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A2. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US09941255B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Power semiconductor element

Номер патента: US09406668B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Tatsuo Morita,Shuichi Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US09793261B2. Автор: Katsuhisa Kawasaki,Masaaki Takiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Bidirectional power semiconductor switch

Номер патента: GB2617604A. Автор: Askan Kenan. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230360991A1. Автор: Naoki Nishimura,Masashi Fukai. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback

Номер патента: CA3116485A1. Автор: Geraldo Nojima,Eddie Wilkie. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2021-10-30.

Bidirectional power semiconductor switch

Номер патента: WO2023198313A1. Автор: Kenan Askan. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US11776883B2. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor module

Номер патента: US20180090441A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3298626A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-28.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: US20240079279A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: WO2022136086A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-30.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module with power semiconductor switches

Номер патента: US20200343225A1. Автор: Martin Kraus,Klaus Benkert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-29.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Power electronics system having a differential hall sensor, method of fabricating the power electronics system, and method of operating a power semiconductor module of the power electronics system

Номер патента: US20240275268A1. Автор: Dietmar Spitzer,Tomas Reiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Free configurable power semiconductor module

Номер патента: EP4097761A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-07.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US9661751B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor module with vibration dampeners and power electronics system including the power semiconductor module

Номер патента: US20240266300A1. Автор: Michael Niendorf,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor module with low inductance gate crossing

Номер патента: US12068290B2. Автор: Slavo Kicin,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240304507A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US09607924B2. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-03-28.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2024186530A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Power semiconductor module, power converter including the same and manufacturing method of power semiconductor module

Номер патента: EP4443480A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Power semiconductor package having reduced form factor and increased current carrying capability

Номер патента: US09780018B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Power semiconductor module and power electronics device

Номер патента: US20240322697A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor package having power semiconductor die in a support substrate with bar vias

Номер патента: US09640474B1. Автор: Eung San Cho,Danny Clavette. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160027762A1. Автор: Erik Dore,Olle Ekwall,Samuel Hartmann,Franc Dugal. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-28.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: EP4432799A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: US20240314979A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor module with adaptable power contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332142A1. Автор: Thorsten Scharf,Michael Fügl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor module

Номер патента: US09812431B2. Автор: Tetsuya Inaba,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: EP3311406A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-04-25.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230343688A1. Автор: Bernd Eckardt,Andre Mueller,Benjamin Bayer,Maximilian Hofmann,Patrick Fuchs,Maximilian Barkow,Timijan Velic,Hubert Rauh,Jordan Sorge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module with rivet or press fit pin and method for fabricating the same

Номер патента: US20230054812A1. Автор: Tao Hong,Matthias Rose,Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Oliver Markus Kreiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-23.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of power semiconductor

Номер патента: US09907216B2. Автор: Young Seop PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor module having a two-part housing

Номер патента: US09735086B2. Автор: Jens Krugmann,Christoph Messelke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Power Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20200068735A1. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US09978671B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Franz Stueckler,Xaver Schloegel,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20200098662A1. Автор: Reinhold Bayerer,Frank Sauerland. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Spring electrode for press-pack power semiconductor module

Номер патента: US20200152595A1. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor module and power module

Номер патента: US09591789B2. Автор: Toshiaki Ishii,Masahiko Asano,Kinya Nakatsu,Eiichi Ide,Toshiya Satoh,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa,Eiji Nishioka. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Power semiconductor module

Номер патента: US09443818B2. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Chang Seob Hong,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20230197468A1. Автор: Jürgen Steger,Stefan Oehling. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US11810889B2. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Power semiconductor device including press-fit connection terminal

Номер патента: US11742251B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Minoru EGUSA,Nobuhiro Asaji,Kazunari Teshigawara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Power Semiconductor Module and Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20230307332A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor package comprising a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: EP4432348A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132152A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US12041755B2. Автор: Ulrich Michael Georg Schwarzer,Andre Arens,Michael EBLI,Alexander Herbrandt,Regina Nottelmann,Alparslan Takkac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Edge-structured leadframe for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213125A1. Автор: Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method of Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170162472A1. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takashi Kume,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Power semiconductor module for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: US20180331017A1. Автор: Roman Strasser. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066163A1. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11075142B2. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3616476A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-03-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20200112111A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Power Semiconductor Module, Method for Producing a Power Semiconductor Module and a Housing Element for a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20120025393A1. Автор: Peter Kanschat,Thilo Stolze,Olaf Kirsch,Andre Roehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Power Semiconductor Module with Control Functionality and Integrated Transformer

Номер патента: US20100127379A1. Автор: Thomas Stockmeier,Peter Beckedahl,Reinhard Herzer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of manufacturing power semiconductor module, and power semiconductor module manufactured thereby

Номер патента: US20240321676A1. Автор: Jihyung LEE. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor package including a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: US20240312936A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240355753A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dieter Jelinek,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor cooling system

Номер патента: US20220087055A1. Автор: Christopher Alan Belcastro,Thomas Kendzia, III,Taylor Miller. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Power semiconductor substrates with metal contact layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768036B2. Автор: Christian Göbl,Heiko Braml. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor module system having a high isolation strength and method for producing a power semiconductor module arrangement having a high isolation strength

Номер патента: US09622341B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module

Номер патента: US09559024B2. Автор: Harald Beyer. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4358128A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Power semiconductor device with free-floating packaging concept

Номер патента: US12094791B2. Автор: Jan Vobecky,David GUILLON,Tobias Wikstroem,Jagoda Dobrzynska. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

All-in-one power semiconductor module

Номер патента: US09455207B2. Автор: Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Si Joong Yang,Bum Seok SUH,Job Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device structure with vertical PNP transistor

Номер патента: US6518139B1. Автор: Natale Aiello,Salvatore Leonardi,Salvatore Scaccianoce,Davide Patti. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 2003-02-11.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240222240A1. Автор: Yoon Ju Kim,Yu Cheol PARK,Jeong Kwang SEO,Chan Yang CHOE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module, electronic device, and method for controlling power semiconductor module

Номер патента: US10756011B2. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US12062599B2. Автор: Tatsuro Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20020153532A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Ryuichi Saito,Kazuji Yamada,Masataka Sasaki,Yukio Sonobe,Shigeki Sekine,Tatsuya Shigemura,Akihiro Tamba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Compact single-die power semiconductor package

Номер патента: US09704787B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Array based fabrication of power semiconductor package with integrated heat spreader

Номер патента: US09620475B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module comprising module-internal load and auxiliary connection devices of low-inductance configuration

Номер патента: US09591755B2. Автор: Eduard Faller,Matthias Spang,Lars Reuβer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Power semiconductor module

Номер патента: US09899328B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor module, power converting apparatus and railway car

Номер патента: US09520802B2. Автор: Yasushi Nakayama,Takeshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US7928587B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sasaki,Hirokazu Inoue,Akihiro Tamba,Shinji Hiramitsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power Semiconductor Module Arrangement and Housing for a Power Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200091023A1. Автор: Regina Nottelmann,Mark Schnietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-19.

Power semiconductor module having a DC voltage connecting device

Номер патента: US12062601B2. Автор: Jürgen Steger,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Power Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240274489A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US12125767B2. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Power semiconductor module

Номер патента: US09666395B2. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620444B2. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3859774A1. Автор: Dominik Trussel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230187404A1. Автор: Xiaoguang LIANG. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022248126A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: EP4287252A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Power Semiconductor Arrangement Having a Plurality of Power Semiconductor Switching Elements and Reduced Inductance Asymmetry

Номер патента: US20170141089A1. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Power semiconductor arrangement having a plurality of power semiconductor switching elements and reduced inductance asymmetry

Номер патента: US10032755B2. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-24.

Power semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240145332A1. Автор: Niko PAVLICEK,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor arrangement

Номер патента: US20170186673A1. Автор: Ludwig Hager,Rainer Weiss,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240243123A1. Автор: Young Bae Kim,Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Encapsulated power semiconductor assembly

Номер патента: EP1611609A1. Автор: Andreas Lindemann. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2006-01-04.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240266250A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method

Номер патента: US6960033B1. Автор: Stefan Grötsch,Bruno Acklin,Werner Späth. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-01.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US12112994B2. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Power semiconductor module with switching device and assembly

Номер патента: US09627343B2. Автор: Christian Göbl,Harald Kobolla,Björn Tauscher,Christian Kroneder,Alexej Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150340297A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4428914A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A3. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-25.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US09735094B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520346B2. Автор: Jae Hyun Ko. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2677253C2. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2019-01-16.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2656302C1. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2018-06-04.

Power Semiconductor Module with Asymmetrical Lead Spacing

Номер патента: US20150195928A1. Автор: Andreas Laschek-Enders,Olaf Zschieschang. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-07-09.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Modular multiple converter provided with reverse-conducting power semiconductor relays

Номер патента: RU2587683C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-06-20.

A design for enhancing the long term reliability of a large joining area in a power semiconductor module

Номер патента: WO2024132156A1. Автор: Wenbo Wang,Yangang WANG,Anne Dolores HARRIS. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US09474191B2. Автор: Masato Higuma,Takahiro Shimura,Hideto Yoshinari,Toshifumi Sagawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234260A9. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240136257A1. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Power Semiconductor Module and Power Converter Using the Same

Номер патента: US20140118934A1. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor module arrangement and methods for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: EP4227986A1. Автор: Marco Ludwig,Andre Arens,Guido Boenig,Matthias Lassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282665A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316993A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240145331A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240283356A1. Автор: David Giuliano. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor package signal connection component and semiconductor module

Номер патента: US20240274515A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Ching-Wen Liu,Ting-Ling Chen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893000B2. Автор: Jae Sik Choi,Dong Seong Oh,Jun Young HEO,Si Hyeon GO,Moon Taek SUNG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor module and composite module

Номер патента: US09761567B2. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor module

Номер патента: US09640461B1. Автор: Thomas Spann,Ira Balaj-Loos. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor module and power converter using the same

Номер патента: US09433134B2. Автор: Tokihito Suwa,Ryuichi Saito,Takeshi Tokuyama,Kinya Nakatsu,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module

Номер патента: US8228113B2. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-24.

Power Semiconductor Module System and Method for Producing the Power Semiconductor Module System

Номер патента: US20230274990A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132153A1. Автор: Yangang WANG. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316992A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power semiconductor module and electronic device

Номер патента: US20190148281A1. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20190304857A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Power semiconductor module and power conversion device using the same

Номер патента: US20240297592A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Power semiconductor module

Номер патента: US20190279927A1. Автор: Dominik Truessel,Samuel Hartmann. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4358135A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315420A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US11894348B2. Автор: Takashi Hirao,Toru Kato,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A2. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: US11984433B2. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A3. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A2. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US11804785B2. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-31.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US20210336553A1. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Power semiconductor module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395464A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power converter with at least two power semiconductor modules

Номер патента: US20240088110A1. Автор: Jens Schmenger,Philipp Kneißl,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for fabricating a power semiconductor module comprising an encapsulation material with a high thermostability and power semiconductor module

Номер патента: EP4270453A1. Автор: Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US11749533B2. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-09-05.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A3. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Power semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280270A1. Автор: Zhen Lv,Ruoyang Du. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Molded power semiconductor package

Номер патента: US20230361087A1. Автор: Thorsten Scharf,Ivan Nikitin,Andreas Grassmann,Waldemar Jakobi,Marco Baessler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US20190318977A1. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US10854537B2. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US20210327724A1. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-21.

Power semiconductor module with partially coated power terminals and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10283447B1. Автор: Reinhold Spanke,Thomas Nuebel,Torsten Groening. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-07.

Power semiconductor module

Номер патента: EP1861878A2. Автор: Norifumi Furuta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230335472A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: US20220359349A1. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor package having first and second lead frames

Номер патента: US20230361088A1. Автор: Thorsten Scharf,Ivan Nikitin,Andreas Grassmann,Waldemar Jakobi,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4229678A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Power semiconductor module

Номер патента: US20210151356A1. Автор: Yuichiro HINATA,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Current sensing in power semiconductor devices

Номер патента: GB2626077A. Автор: ARNOLD Martin,Ryan Paul,Udrea Florin,EFTHYMIOU Loizos,Wai Fung Sheung,Vishin Tara,William Findlay John. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4280271A1. Автор: Arthur Unrau,Achim Mücke,Matthias Droste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Arrangement having a housing and an electrically conductive contact spring, and power semiconductor module having said arrangement

Номер патента: US11916329B2. Автор: Harald Kobolla,André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US11387588B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-12.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4372788A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Silver sintered molybdenum (ssm) packaging for power semiconductor devices and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352372A1. Автор: Ali Emadi,Yuhang YANG. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US09887142B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Heat sink for cooling of power semiconductor modules

Номер патента: US09666504B2. Автор: Ove Styhm,Tusitha Abeyasekera,Henrik B. Møller,Thomas Lundgren Anderson. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-05-30.

Arrangement with a power semiconductor module, having a DC-voltage busbar and a capacitor

Номер патента: US09661740B2. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Compact multi-die power semiconductor package

Номер патента: US09653386B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicone resin composition for sealant and power semiconductor module that uses this composition

Номер патента: US09617455B2. Автор: Yuji Ichimura,Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module with liquid cooling

Номер патента: US09578789B2. Автор: Andre Uhlemann,Thorsten Fath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09524936B2. Автор: Sung-Min Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-12-20.

Power semiconductor module comprising at least one power semiconductor element

Номер патента: US20230352362A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton,Christian Radüge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US20160049354A1. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-02-18.

Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same

Номер патента: EP4270454A3. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Power Semiconductor Module Comprising a First and a Second Compartment and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071853A1. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Martin Goldammer,Guido Bönig,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor module and composite module having peripheral structures surrounding parts of the module main body

Номер патента: US11824048B2. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US11776890B2. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor module

Номер патента: US11929354B2. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor module

Номер патента: US20210242179A1. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Power semiconductor module comprising a first and a second compartment and method for fabricating the same

Номер патента: EP4270454A2. Автор: Hans Hartung,Carsten Ehlers,Guido Boenig,Martin Goldammer,Katja ENGELKEMEIER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: WO2023249976A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: AMERICAN AXLE & MANUFACTURING, INC.. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing power semiconductor having electrode in package, package of power semiconductor

Номер патента: WO2024070026A1. Автор: Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2024-04-04.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240178108A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240079289A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3848963A1. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230402363A1. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Power semiconductor package

Номер патента: GB2616837A. Автор: Li Yun,Li Jianfeng,Yan Jiayi,Ma Yaqing,Du Yuekang,Castillo Arcillas Joseph. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Arrangement with a Power Semiconductor Module, Having a DC-Voltage Busbar and a Capacitor

Номер патента: US20160234926A1. Автор: Marco Lederer,Roland Bittner,Sven Teuber,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Power semiconductor package having integrated inductor, resistor and capacitor

Номер патента: US20210082793A1. Автор: Bo Chen,Jian Yin,Xiaotian Zhang,Long-Ching Wang,Mary Jane R. Alin,David Brian Oraboni, JR.. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: US20240040754A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Arrangement of a power semiconductor module and a cooler

Номер патента: US12068174B2. Автор: Thomas Gradinger,Bruno Agostini,Juergen Schuderer,Daniele Torresin,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20150163914A1. Автор: Peter Lemke. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-11.

Power semiconductor module with baseplate and heat dissipating element

Номер патента: US12062591B2. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160014897A1. Автор: Henning STRÖBEL-MAIER,Christian Aggen. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-01-14.

Snubber Circuit and Power Semiconductor Module with Snubber Circuit

Номер патента: US20210006062A1. Автор: Andre Uhlemann,Michael Schlueter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Power semiconductor module with press-fit contact element

Номер патента: US20210336370A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for forming a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20240162048A1. Автор: Guido Strotmann,Florian Dreps,Lukas Meis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Power Semiconductor Module With Interconnected Package Portions

Номер патента: US20110175214A1. Автор: Thilo Stolze,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US20240355704A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US09979105B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Hidetoshi Ishibashi,Yoshitaka Otsubo,Minoru EGUSA,Hiroshi Kawata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels

Номер патента: US09929066B1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09640453B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US09559034B2. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor housing with redundant functionality

Номер патента: US09524941B2. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Power semiconductor module having protrusions as fixing structures

Номер патента: US20220415730A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Peter Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: US20230369166A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4280269A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: EP4376075A1. Автор: Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: US20240170418A1. Автор: Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor module having protrusions as fixing structures

Номер патента: US12014963B2. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Peter Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-18.

Power semiconductor module

Номер патента: US20110062491A1. Автор: Shuhei Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Molded power semiconductor package with gate connector feature

Номер патента: US20230411254A1. Автор: Gerald Ofner,Ivan Nikitin,Christian Neugirg,Karsten Guth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Power Semiconductor Package with Multi-Section Conductive Carrier

Номер патента: US20150348884A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-03.

Power semiconductor module arrangement and method for forming the same

Номер патента: US20230420334A1. Автор: Alexander Heinrich,Catharina Wille,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140131846A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Power semiconductor package with multi-section conductive carrier

Номер патента: US9331005B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming a heat-sinked power semiconductor

Номер патента: EP4315416A1. Автор: Charles G. Stuart,Cory J. Padfield,David Crecelius. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor module arrangement and method for forming the same

Номер патента: EP4300571A1. Автор: Alexander Heinrich,Catharina Wille,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-03.

A method and a system for manufacturing an assembly of a power semiconductor

Номер патента: EP4345866A1. Автор: Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2024-04-03.

Molded power semiconductor module and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047289A1. Автор: Egbert Lamminger,Patrik Holt Jones,Ludwig Busch,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150318189A1. Автор: Ming Shang,Masataka Shiramizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Power semiconductor device with solderable power pad

Номер патента: US20240194580A1. Автор: Oliver Blank,Scott David Wallace,Susanne Schulte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Power module having at least two power semiconductor arrangements that are contacted on a substrate

Номер патента: US11888407B2. Автор: Michael Endres,Bernd Kürten,Robert Gospos,Lutz Namyslo,Silvio Höhne,Felix Zeyß,Pietro Botazzoli. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Power Semiconductor Module, Method of Manufacturing Power Semiconductor Module, and Power Conversion Device

Номер патента: US20130328185A1. Автор: Keiji Kawahara,Hiroshi Tokuda,Masato Higuma,Shinji Hiramitsu,Atsushi Koshizawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Power semiconductor package

Номер патента: EP4315410A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dr. Dieter JELINEK,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device package and method of assembling thereof

Номер патента: EP3944305A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

A power semiconductor arrangement and a semiconductor valve provided therewith

Номер патента: EP2132773A1. Автор: Björn SANDIN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-12-16.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132148A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132151A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US11848295B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US20240063164A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Leadless package type power semiconductor module

Номер патента: US20150214140A1. Автор: Kwang Soo Kim,Kee Ju Um,Sukho Lee,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20210082778A1. Автор: Seiki Hiramatsu,Hisayuki Taki,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Power semiconductor assembly and the method and apparatus for assembly thereof

Номер патента: US4040085A. Автор: Robert Jouanny. Владелец: Jeumont Schneider SA. Дата публикации: 1977-08-02.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US11908822B2. Автор: Jun Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240087995A1. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Thai Kee Gan,Christian Schiele,Chwee Pang Tommy Khoo,Katrin Unterhofer,Patrick Uredat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Electrical contact arrangement, power semiconductor module, method for manufacturing an electrical contact arrangement and method for manufacturing a power semiconductor module

Номер патента: US20230343715A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Joonas PUUKKO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module and power semiconductor device

Номер патента: US10561021B2. Автор: Kenshi Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-11.

Structure and manufacturing method of power semiconductor with twin metal and ceramic plates

Номер патента: US20070096276A1. Автор: Wen-Ping Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Power semiconductor device with integrated current measurement

Номер патента: US20200363463A1. Автор: Anton Mauder,Wolfgang Raberg,Thomas Kimmer,Mitja Rebec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US20060072261A1. Автор: Reinhold Bayerer,Markus Thoben. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2006-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3916782A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Masahito Mochizuki,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240162196A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki,Rui Konishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Power semiconductor module having a current sensor module fixed with potting material

Номер патента: US20220262773A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Mark Nils Muenzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-18.

Hybrid short circuit failure mode preform for power semiconductor devices

Номер патента: EP3891790A1. Автор: Slavo Kicin,Didier Cottet. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-13.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: US20180122768A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Power semiconductor module

Номер патента: US20220384394A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Schade. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4318562A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: US20200266124A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Power electronics system having a housing, a cooling device, a power semiconductor module and a capacitor device

Номер патента: US11856687B2. Автор: Sandro Bulovic. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-26.

Power Semiconductor Devices Including Multiple Layer Metallization

Номер патента: US20240213196A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,Thomas Edgar Harrington, III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20070158859A1. Автор: Martin Hierholzer. Владелец: Martin Hierholzer. Дата публикации: 2007-07-12.

Electrically isolated power semiconductor package

Номер патента: GB2358960B. Автор: Kang Rim Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-08-13.

Power semiconductor module with laser-welded leadframe

Номер патента: WO2020212031A1. Автор: Niko PAVLICEK,Markus THUT,Fabian MOHN,Swen KOENIG. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-10-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240040702A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Araki,Shigehise AOYAGI. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power semiconductor module for improved heat dissipation and power density, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823996B2. Автор: Hamit Duran,Junfu Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230268255A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US20220141988A1. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US9646920B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Superjunction Structure in a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170358452A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-14.

Power Semiconductor Module with Two Opposite Half-Bridges

Номер патента: US20230307376A1. Автор: WEI Liu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor module device and power semiconductor module manufacturing method

Номер патента: US20190198428A1. Автор: Kohei Tatsumi. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-27.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11997837B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Heat dissipation structure of cooling plate for power semiconductor module

Номер патента: EP4203014A1. Автор: Yusheng TANG,Xianye MAO,Changcheng WANG,Jianwen GUO. Владелец: Zhenghai Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20200235072A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20210320083A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US11894337B2. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20170186675A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for producing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: WO2022207453A1. Автор: Chunlei Liu,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device and manufacturing method for power semiconductor device

Номер патента: US20200251423A1. Автор: Takayuki Yamada,Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Atsuki FUJITA,Kohei Yabuta,Yutaro Sugi,Hiroaki Haruna. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Power semiconductor module assembly with heat dissipating element

Номер патента: US20100078807A1. Автор: Martin Schulz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Power semiconductor packaging method and structure

Номер патента: CA2555394C. Автор: Robert John Wojnarowski,Richard Alfred Beaupre,Charles Steven Korman,Raymond Albert Fillion,Ahmed Elasser. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-02-23.

Method and apparatus for integrating current sensors in a power semiconductor module

Номер патента: US11531075B2. Автор: Robert D. Lorenz,Hiroyuki Nogawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Minhao Sheng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-20.

Power semiconductor module with overcurrent protective device

Номер патента: US20070085181A1. Автор: Dejan Schreiber,Christian Kroneder,Uwe Scheuermann. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-04-19.

Power semiconductor component, power semiconductor device as well as methods for their production

Номер патента: US7667326B2. Автор: Ralf Otremba,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-23.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method

Номер патента: US20230317684A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11863166B2. Автор: Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343644A1. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Power semiconductor module with detector for detecting main circuit current through power semiconductor element

Номер патента: US20050007139A1. Автор: Dong Wang,Masaki Sakai,Toru Iwagami,Mamoru Seo,Shinya Shirakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Power semiconductor module for PCB embedding, power electronic assembly having a power module embedded in a PCB, and corresponding methods of production

Номер патента: US11699640B2. Автор: Chee Voon Tan,Frank Daeche,Thomas Stoek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-11.

Power Semiconductor Module and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20200321262A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Christian SCHWEIKERT,Juergen Hoegerl,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369394A1. Автор: Bernd SCHMOELZER,Marcus Boehm,Andreas Grassmann,Uwe Schindler,Stefan Woetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US20100134994A1. Автор: Byong Ho Lee. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20220181079A1. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-09.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US11664160B2. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US20090045446A1. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-02-19.

Power semiconductor module and vehicle

Номер патента: US20200051892A1. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara,Yuta Tamai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160307817A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Conductor rail, and power semiconductor module arrangement comprising a conductor rail

Номер патента: EP4376074A1. Автор: Regina Nottelmann,Roman Lennart Tschirbs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240162205A1. Автор: Bernd SCHMOELZER,Andreas Grassmann,Uwe Schindler,Marcus Böhm,Stefan Wötzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of Manufacturing a Package Having a Power Semiconductor Chip

Номер патента: US20190198355A1. Автор: Ralf Otremba,Thomas Basler,Edward Fuergut,Christian Kasztelan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4280277A1. Автор: Xi Zhang,Dietmar Spitzer,Andre Arens,Jens De Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-22.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US20220406674A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-22.

Power semiconductor module, system including a power semiconductor module and a cooler and method for fabricating a system

Номер патента: US20230317560A1. Автор: Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20160329286A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-10.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20220278070A1. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-01.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4006970A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Tape automated manufacture of power semiconductor devices

Номер патента: US4635092A. Автор: Alexander J. Yerman,James A. Loughran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US9646927B2. Автор: Keita Takahashi,Mamoru Kamikura,Nobuyuki HARUNA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor device having a structured metallization layer

Номер патента: US20220285149A1. Автор: Andreas Behrendt,Johann Schmid,Ravi Keshav Joshi,Richard Gaisberger,Juergen Steinbrenner,Anita Satz,Johanna Schlaminger,Mario Stanovnik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-08.

Power Semiconductor Module and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20180041136A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Shimura,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11978700B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US5237194A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2021165483A1. Автор: Chunlei Liu,Marco Bellini,Peter Karl STEIMER,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Mcsp power semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20160035653A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Hongtao Gao,Zhiqiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4231345A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US20240021542A1. Автор: Marco Bellini,Jürgen Schuderer,Lars Knoll,Oriol LOPEZ SANCHEZ. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170148644A1. Автор: Alexander Hoehn,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Discrete power semiconductor package

Номер патента: US20230326838A1. Автор: Jifeng Zhou,Lucas Zhang,Charlie CAI. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Discrete power semiconductor package

Номер патента: EP4258348A1. Автор: Jifeng Zhou,Lucas Zhang,Charlie CAI. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2022258297A1. Автор: Slavo Kicin,Arne SCHROEDER,Farhad YAGHOUBI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20230197668A1. Автор: Seiji Oka,Kazuya Okada,Yoshiko Tamada,Shota Morisaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Power Semiconductor Module with Two Opposite Half-Bridges

Номер патента: US20230282567A1. Автор: WEI Liu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor module and electric power converter using same

Номер патента: EP4376076A1. Автор: Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20150357268A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Power semiconductor module with accessible metal clips

Номер патента: EP3909073A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-11-17.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20230154820A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Masaru Fuku,Takashi Nishimura,Tomohisa Yamane,Tatsushi Morisada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Array Based Fabrication of Power Semiconductor Package with Integrated Heat Spreader

Номер патента: US20150162303A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-06-11.

Power semiconductor system having an inductor module attached to a power stage module

Номер патента: US11996771B2. Автор: Frank Daeche,Petteri Palm,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel,Andrew Sawle,Zeeshan Umar,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-28.

Contact device for use in a power semiconductor module or in a disc-type thyristor

Номер патента: US7705442B2. Автор: André Schlötterer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-04-27.

Power semiconductor package

Номер патента: CA2018808C. Автор: Earl M. Estes, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-11.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2894952A1. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-07-15.

Thin profile power semiconductor device package having face-to-face mounted dice and no internal bond wires

Номер патента: US11296017B2. Автор: Nathan Zommer. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Insulated power semiconductor module with reduced partial discharge and manufacturing method

Номер патента: WO2004088748A1. Автор: Helmut Keser,Wolfgang Knapp,Luc Meysenc,Amina Hamidi. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Power semiconductor component having a buffer layer

Номер патента: US5654586A. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-08-05.

Method for contacting a power semiconductor on a substrate

Номер патента: US20230343745A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20220013432A1. Автор: Hiromi Shimazu,Akira Matsushita,Toru Kato,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20230369187A1. Автор: Xi Zhang,Dietmar Spitzer,Andre Arens,Jens De Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Securing power semiconductor components to curved surfaces

Номер патента: US20220359342A1. Автор: Stefan Stegmeier,Claus Müller,Oliver Raab,Uwe Waltrich,Markus Lasch. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190103374A1. Автор: Sho Kumada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Power semiconductor module arrangement and printed circuit board for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4345884A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Sebastian Michalski,Guido Boenig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Power semiconductor device and substrate with dimple region

Номер патента: US11842968B2. Автор: Takayuki Yamada,Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Atsuki FUJITA,Kohei Yabuta,Yutaro Sugi,Hiroaki Haruna. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Power Semiconductor Module Arrangements and Methods for Producing Power Semiconductor Module Arrangements

Номер патента: US20230343681A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Double-sided heat dissipation power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230187309A1. Автор: Tae Ryong Kim,Deog Soo Kim. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements

Номер патента: EP4270466A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Power semiconductor devices having moisture barriers

Номер патента: US20230378010A1. Автор: Daniel Richter,Geza DEZSI,Dev Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20110103024A1. Автор: Thomas Frank. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-05-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190267331A1. Автор: Hiroyuki Harada,Koji Yamada,Kozo Harada,Takashi Nishimura,Yasumichi Hatanaka,Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Power semiconductor module arrangement and housing for a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US20220328368A1. Автор: Thomas Herbst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Base plate having sidewall, power semiconductor module comprising the base plate

Номер патента: WO2022189071A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Biwei Zhang,Maxime Ludwig. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-15.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US20240153844A1. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: CA3136319A1. Автор: Kevin R. Williams,Gary Pace.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: EP3953963A1. Автор: Kevin R. Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US11967584B2. Автор: Hiromi Shimazu,Akira Matsushita,Toru Kato,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power Semiconductor Module with Accessible Metal Clips

Номер патента: US20230048878A1. Автор: Niko PAVLICEK,Gerd Schlottig,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-02-16.

Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220352049A1. Автор: Kenichi Hayashi,Hiroyuki Yoshihara,Masaki Goto,Shunji Masumori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor package and applications

Номер патента: US20170257037A1. Автор: Harald Huber,Michael Lenz,Herbert Gietler,Juergen Kositza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-07.

Power Semiconductor Module and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220254654A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4095900A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-30.

Surface Mount Technology Structure of Power Semiconductor

Номер патента: US20210225754A1. Автор: Chuangfa Zhan. Владелец: Shenzhen Fangjing Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Power semiconductor devices having moisture barriers

Номер патента: WO2023224745A1. Автор: Daniel Richter,Geza DEZSI,Dev Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Spring element for a press contact in a power semiconductor module, and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022214287A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Condensation resistant power semiconductor module

Номер патента: WO2020209980A1. Автор: Kevin R. Williams. Владелец: Williams Kevin R. Дата публикации: 2020-10-15.

Thin, small-sized power semiconductor package

Номер патента: US20020074634A1. Автор: Shi-baek Nam,Yoon-Hwa Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Power semiconductor module and method of forming the same

Номер патента: EP3824494A1. Автор: Thomas Gradinger,Juergen Schuderer,Daniele Torresin. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-05-26.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11855033B2. Автор: Kozo Harada,Ken Sakamoto,Haruko Hitomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2007132683B1. Автор: Takeshi Kato,Kenji Okamoto,Kenichi Nonaka,Yoshimitsu Saito,Yoshihiko Higashidani,Kenji Oogushi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160172134A1. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US11848245B2. Автор: Takashi Hirao,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Module having a moulded plastic body and a multiplicity of load terminal elements and power semiconductor device therewith

Номер патента: US11837525B1. Автор: Rainer Popp,Marco Lederer,Harald Kobolla. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-05.

Power semiconductor device comprising a power semiconductor component and a housing

Номер патента: US20200013687A1. Автор: Stefan Weiss,Harald Kobolla,Jörg Ammon. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-01-09.

Internal connection copper sheet of power module and manufacturing method therefor, and power semiconductor module

Номер патента: EP4227989A1. Автор: Xu Hong,Xiaoguang LIANG,Xuanming DING. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Embedded photodetector as device health monitor for hot carrier injection (HCI) in power semiconductors

Номер патента: US10928438B2. Автор: Justin E. Henspeter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

Power Semiconductor Device and Package

Номер патента: US20190311967A1. Автор: Sabin Lupan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-10.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US20160307830A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-20.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US9437530B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Power semiconductor module arrangement including a contact element

Номер патента: EP3644358A1. Автор: Christian Robert Müller,Marianna Nomann,Regina Nottelmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-29.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US20150243589A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-27.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4270469A1. Автор: Marco Ludwig,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

System and method for clamping press pack high power semiconductor

Номер патента: US20170112012A1. Автор: Al Powers. Владелец: Lwe Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20240145362A1. Автор: Ákos Ferenc Hegedüs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Package Having a Solderable Contact Pad Formed by a Load Terminal Bond Pad of a Power Semiconductor Die and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20210233837A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Power semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4205171A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki,Robert Gade. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-05.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4362087A1. Автор: Ákos Ferenc Hegedüs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Power semiconductor module

Номер патента: US7982299B2. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US7969025B2. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US20090045490A1. Автор: Naotake Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for estimating a level of damage or a lifetime expectation of a power semiconductor module comprising at least one die

Номер патента: EP3226014A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2017-10-04.

Power electronic switching device, power semiconductor module therewith and method for production

Номер патента: US11800644B2. Автор: Jürgen Steger,Michael Schatz,Markus Düsel,Ingo Bogen,Alexander Wehner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-24.

Heat dissipation structure of cooling plate for power semiconductor module

Номер патента: US20240030090A1. Автор: Yusheng TANG,Xianye MAO,Changcheng WANG,Jianwen GUO. Владелец: Zhenghai Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Power Semiconductor Device, Power Conversion Device, and Electric System

Номер патента: US20230395457A1. Автор: Shigehisa Aoyagi,Takeshi Tokuyama,Noriyuki Maekawa,Takahiro Araki. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120015484A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seog Moon Choi,Shan GAO,Ji Hyun Park,Bum Sik Jang,Ju Pyo Hong. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module device

Номер патента: US09832903B2. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US12009810B2. Автор: Koji Yamamoto,Yukimasa Higashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Capacitor for a power semiconductor module

Номер патента: US20020114127A1. Автор: Pieder Jörg,Beat Guggisberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

High-brightness and high-power semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4243226A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Fault tolerant power semiconductor switching device control system

Номер патента: GB2497967A. Автор: Edward Shelton,Mark Snook,Stephen Parker,Matteo Vit. Владелец: Amantys Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Current limited power semiconductor device

Номер патента: US5272392A. Автор: Stephen L. Wong,Sreeraman Venkitasubrahmanian. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Device and method of controlling power semiconductor switch

Номер патента: RU2633294C2. Автор: Марк-Маттиас БАКРАН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-10-11.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Balancing currents of power semiconductors

Номер патента: US09503077B2. Автор: Mika Niemi. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-11-22.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor switch assembly comprising at least two power semiconductors

Номер патента: US20230421149A1. Автор: Matthias Lochner,Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Assembly structure of high-power semiconductors and heat sink

Номер патента: US09943015B2. Автор: Man Piu Fung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Control device for a power semiconductor switch

Номер патента: US20180309436A1. Автор: Markus Müller,Peter Beckedahl,Gunter Königsmann,Bastian Vogler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: WO2021047768A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: EP4029135A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Circuit board for a power semiconductor module, power semiconductor module, and method for producing a circuit board and a power semiconductor module

Номер патента: US20240260168A1. Автор: Detlev Bagung,Christina QUEST-MATT,Holger Baldreich. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Control circuit and control method for turning on a power semiconductor switch

Номер патента: US09787300B2. Автор: Matthias Johannes Siebler. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Method And Apparatus For Monitoring The Condition Of A Power Semiconductor Module

Номер патента: US20240088782A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and Device for Controlling Power Semiconductor Switches Connected in Parallel

Номер патента: US20170331362A1. Автор: Bernd Eckert,Stefan Butzmann,Peter Taufer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Apparatus for Detecting a State of Operation of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110210711A1. Автор: Michael Lenz,Matthias Kunze,Georg Pelz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for operating power semiconductors

Номер патента: US09748888B2. Автор: Harald Hofmann,Holger Hoffmann,Stefan Volkel,Michael Leipenat,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor element drive adjustment circuit, power module, and power conversion device

Номер патента: US20240275265A1. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Arrangement For Monitoring the Condition of a Power Semiconductor Module of an Electric Drive Device

Номер патента: US20240280627A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Short-circuit protection for a power semiconductor device

Номер патента: US20180358959A1. Автор: John H. Blakely,Edward C. Prather,Belvin S. Freeman,Daniel J. CONTI,Norman P. Davies,Brian C. Langford,Ronald D. Hreha. Владелец: Nexus Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Arrangement for monitoring the condition of a power semiconductor module of an electric drive device

Номер патента: EP4421504A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor cooling module for electric vehicle

Номер патента: US11758698B2. Автор: Hwan Ku Lee. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: US12058805B2. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: US20220393669A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: WO2022253464A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2022-12-08.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: EP4348835A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Controlled drive circuit for an analog driven power semiconductor

Номер патента: US20030174081A1. Автор: Benno Weis,Hans-Georg Kopken,Manfred Bruckmann,Alois Wald. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Non-invasive online monitoring circuit for on-state saturation voltage of power semiconductor

Номер патента: US12085600B1. Автор: XING Wei,Kehua Lyu,Yanwei Lyu. Владелец: Hunan Lanhai Electrical Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Drive control method of power semiconductor module and control circuit of power semiconductor module

Номер патента: US09768763B2. Автор: Noriho Terasawa,Yasuyuki Momose. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power semiconductor module comprising a power electronics circuit and an arrangement for measuring and transferring measurement data

Номер патента: US09726711B2. Автор: Michael Schlueter,Stefan Hubert Schmies. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Arrangement and method for a power semiconductor switch

Номер патента: US09584113B2. Автор: Mika Niemi,Lauri Peltonen. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-02-28.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

A method and a system for protecting at least two power semiconductors of a half bridge converter

Номер патента: EP3694090A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2020-08-12.

System and method for protecting power semiconductor of half bridge converter

Номер патента: WO2020161986A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mistubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-08-13.

Multi-layer PCB having function of dissipating heat from power semiconductor module package and PCB, and production method thereof

Номер патента: US09930815B2. Автор: Ku Yong Kim. Владелец: Mdm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Power semiconductor module and leakage current test method for the same

Номер патента: US20210011090A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for switching off power semiconductor switches in a bridge circuit, bridge circuit, and inverter comprising a bridge circuit

Номер патента: US11901805B2. Автор: Uwe Stickelmann. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2024-02-13.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Power semiconductor module with online dead-time adjustment based on a temperature sensitive electrical parameter

Номер патента: US20240055981A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Temperature measuring device of a power semiconductor apparatus

Номер патента: US09562812B2. Автор: Hiroyuki Yoshimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: US20220091177A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Power electronics device and method for supplying electrical voltage to a driver circuit of a power semiconductor switch

Номер патента: US11990826B2. Автор: Burkard Mueller. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: WO2020179263A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-09-10.

System and method for controlling at least two power semiconductors connected in parallel

Номер патента: WO2011067288A1. Автор: Samuel Hartmann,Sven Klaka. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Drive circuit for power semiconductor element, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20230308086A1. Автор: Takashi Masuhara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: US12013428B2. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Power semiconductor device and snubber circuit thereof

Номер патента: US20180287487A1. Автор: HE Xu,Jie Shen,Bo QU,Stefan Schroeder,Zhihui Yuan,Saijun Mao,Yingqi Zhang,Jingkui Shi,Marius Michael MECHLINSKI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Power-Semiconductor-Device Test Apparatus Facilitating Test-Connection Changes

Номер патента: US20240310426A1. Автор: Hiroshi Takahara,Seiichiro Kihara,Shigeo Sakata,Takahiro Kajinishi. Владелец: Qualtec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit arrangement for protecting power semiconductor switches which can be switched on and off against overvoltages

Номер патента: US5650906A. Автор: Rainer Marquardt,Udo Seidl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-22.

System and method for protecting power semiconductor of half bridge converter

Номер патента: US11735998B2. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Control device for driving a bipolar switchable power semiconductor component, semiconductor module and method

Номер патента: US20190379373A1. Автор: Jan Weigel,Jurgen Bohmer,Eberhard Ulrich Krafft,Andreas Nagel,Rüdiger Kleffel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-12-12.

System and method for protecting power semiconductor of half bridge converter

Номер патента: US20220115945A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Protective circuit for series-connected power semiconductors

Номер патента: US5946178A. Автор: Bo Bijlenga. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 1999-08-31.

Method and device for short-circuit detection by saturation detection in power semiconductor switches

Номер патента: US11942927B2. Автор: Calin Purcarea,Daniel Schweiker,Falko Friese,Deepa Mathai. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-26.

Gate Drive Device, Gate Drive Method, Power Semiconductor Module, and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20210296979A1. Автор: Toru Masuda,Yuji Takayanagi,Masamitsu Inaba,Seiichi Hayakawa,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and apparatus for monitoring the condition of a power semiconductor module

Номер патента: EP4339630A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-20.

Systems, methods, and apparatus for controlling power semiconductor devices

Номер патента: US20140097886A1. Автор: Alan Carroll Lovell,Todd David Greenleaf,Mark E. Shepard. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: US11993479B2. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

An apparatus for controlling voltage-charge controlled power semiconductor devices

Номер патента: CA2340166C. Автор: Waldemar A. Belwon. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for actuating a circuit arrangement for power semiconductors

Номер патента: US20230198375A1. Автор: Fabian Hohmann,Michael Meiler. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module with current sensor rotation bar

Номер патента: US11874303B2. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Dietmar Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Active clamp circuit for power semiconductor switch and power converter using the same

Номер патента: US10234880B1. Автор: XIN Wang,Jianping Ying,Lifeng Qiao,Wuying Li,Chenyu Lai. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: EP3850909A1. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

An apparatus for controlling voltage-charge controlled power semiconductor devices

Номер патента: CA2340166A1. Автор: Waldemar A. Belwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-24.

Power module for operating an electric vehicle drive with improved temperature determination of the power semiconductors

Номер патента: US20210408939A1. Автор: Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Power semiconductor module with current sensor rotation bar

Номер патента: US20230009758A1. Автор: Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Dietmar Spitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-12.

Process for activating a circuit arrangement for power semiconductors of an inverter, and circuit arrangement

Номер патента: US20240048141A1. Автор: Fabian Hohmann. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US20220021383A1. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US11916545B2. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for mounting power semiconductor element

Номер патента: RU2576666C1. Автор: Валерий Сахаткулиевич Бердыев,Петр Анатольевич Тушнов,Валерий Петрович Радченко,Сергей Александрович Топчиев,Борис Аркадьевич Левитан,Александр Александрович Кузин,Ярослав Васильевич Доминюк,Алексей Владимирович Колюшев,Максим Михайлович Митрофанов,Дмитрий Юрьевич Костин,Алексей Арнольдович Астафьев. Владелец: Публичное акционерное общество "Радиофизика". Дата публикации: 2016-03-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US7538587B2. Автор: Toru Iwagami,Shinya Shirakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-26.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: EP3942905A1. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2022-01-26.

Drive circuit for power semiconductor devices

Номер патента: US20190028097A1. Автор: Jinkyu CHOI,Kinam SONG,Wonhi OH,JunHo Lee,Seunghyun HONG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Treatment method of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181442A1. Автор: Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Circuit arrangement and method for controlling a power semiconductor switch

Номер патента: EP3734244A1. Автор: Ashot Melkonyan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-11-04.

Circuit Arrangement and Method for Controlling a Power Semiconductor Switch

Номер патента: US20200350904A1. Автор: Ashot Melkonyan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Circuit arrangement and method for controlling a power semiconductor switch

Номер патента: US10931271B2. Автор: Ashot Melkonyan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-02-23.

Power semiconductor device

Номер патента: US20150282339A1. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-01.

Impulse voltage generation device, and power semiconductor switch protection method

Номер патента: US12021369B2. Автор: Tetsuo YOSHIMITSU,Jintong Sun,Hirotsugu Tsutsui,Kiyoshi Umezu. Владелец: TMEIC Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Arrangement Comprising at Least One Power Semiconductor Module and a Transport Packaging

Номер патента: US20110180918A1. Автор: Stefan STAROVECKY. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192267A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386399A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and device for estimating level of damage or lifetime expectation of power semiconductor module

Номер патента: WO2017135333A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2017-08-10.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Solar energy powered semiconductor refrigeration fruit-vegetable freshness preservation box

Номер патента: LU100223B1. Автор: Yusheng Li. Владелец: Shenzhen Naishidi Technoloigies Res And Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-27.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Multi-physics co-simulation method of power semiconductor modules

Номер патента: US12112110B2. Автор: Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yuxin Ge,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: WO2021149451A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2021-07-29.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: US20230053137A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Apparatus for testing switching of power semiconductor module

Номер патента: US20140176180A1. Автор: Seung Hwan Kim,Shang Hoon Seo,Suk Jin Ham. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of estimation of thermal constant power semiconductor apparatus

Номер патента: RU2655736C1. Автор: Вадим Михайлович Бардин,Антон Александрович Воронков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-05-29.

Method for measuring degradation of thermal resistance between power semiconductor and heat sink, and control device for power semiconductor

Номер патента: WO2022185563A1. Автор: Pierre-Yves PICHON,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2022-09-09.

A test socket for and method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: EP4372388A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

Test socket for and a method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: US20240168055A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Device and method for monitoring power semiconductor die

Номер патента: WO2018180222A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2018-10-04.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Cooling method of power semiconductor devices

Номер патента: RU2710025C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for measuring degradation of thermal resistance between power semiconductor and heat sink, and control device for power semiconductor

Номер патента: US20240102953A1. Автор: Pierre-Yves PICHON,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Measurement method of flatband voltage of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181444A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Device and method for monitoring power semiconductor die

Номер патента: US20210172994A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Device and method for monitoring the health of a power semiconductor die

Номер патента: US11378612B2. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Jeffrey Ewanchuk. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

System and method for accelerating ageing of interconnections used for interconnecting power semiconductors

Номер патента: WO2021192562A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Merouane OUHAB. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-physics co-simulation method of power semiconductor modules

Номер патента: US20230057941A1. Автор: Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yuxin Ge,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2020058437A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2020-03-26.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3627162A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-25.

Method and system for predicting junction temperature of power semiconductor module in full life cycle, and terminal

Номер патента: US11976984B1. Автор: Yong Kang,Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-07.

Test system for high-voltage and high-current testing on a plurality of power semiconductor devices comprised in a wafer, and contacting system

Номер патента: WO2023187701A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2023-10-05.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE HAVING LAYERED INSULATING SIDE WALLS

Номер патента: US20120001317A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor module

Номер патента: US20120001227A1. Автор: TAKAHASHI Kiyoshi,Okita Souichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

High-power semiconductor resistor and method of making said resistor

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of determination of resistance of power semiconductor devices to action of microsecond pulses of forward current

Номер патента: RU2028004C1. Автор: А.В. Гамаюнов,В.И. Паленик,О.К. Тоомла,С.М. Курмашев. Владелец: Петербургский институт инженеров железнодорожного транспорта. Дата публикации: 1995-01-27.

Module of power semiconductor instruments

Номер патента: RU2462787C2. Автор: Йорг ДОРН,Томас КЮБЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-09-27.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2497232C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2013-10-27.

Circuit for controlling serial key on metal-dielectric-semiconductor transistor

Номер патента: RU2312456C1. Автор: Алексей Гурьевич Андреев,Владимир Сергеевич Ермаков,Владимир Васильевич Коробков. Владелец: Открытое акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания". Дата публикации: 2007-12-10.

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR NANO-HETEROSTRUCTURE ON SUBSTRATE OF GaAs WITH MODIFIED STOP LAYER OF AlxGa1-xAs

Номер патента: RU2582440C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Сергей Сергеевич Пушкарев,Рустам Анварович Хабибуллин,Дмитрий Сергеевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2016-04-27.

Power semiconductor switching device and semiconductor device thereof

Номер патента: CA1169978A. Автор: Masahiko Akamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

Heat-sink for cooling of power semiconductor devices

Номер патента: RU2047953C1. Автор: А.Н. Васильев. Владелец: Омское научно-производственное объединение "Сибкриотехника". Дата публикации: 1995-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.