Power semiconductor device and method of fabricating the same
Номер патента: US09905681B2
Опубликовано: 27-02-2018
Автор(ы): Han Sin CHO, Hyuk Woo, Ju Hwan Lee, Tae Yeop Kim, Tae Young Park, Young Joon Kim
Принадлежит: Hyundai Autron Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-02-2018
Автор(ы): Han Sin CHO, Hyuk Woo, Ju Hwan Lee, Tae Yeop Kim, Tae Young Park, Young Joon Kim
Принадлежит: Hyundai Autron Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having stressor and method of fabricating the same
Номер патента: US09466721B1. Автор: Yang Xu,Sunyoung Lee,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Byeongchan Lee,Choeun LEE,Hanki Lee,Sujin JUNG,Hyunjae KANG,Kwanheum Lee,Kanghun Moon,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.