Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: US20070040215A1
Опубликовано: 22-02-2007
Автор(ы): Adam Amali, Ling Ma, Russell Turner
Принадлежит: International Rectifier Corp USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with dual trench structure

Номер патента: GB2587646A. Автор: Rahimo Munaf,Nistor Iulian. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09634130B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12087849B2. Автор: Yuichi Harada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Norihiro Komiyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Power Semiconductor Device with dV/dt Controllability and Low Gate Charge

Номер патента: US20230307499A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske,Alexander Philippou,Helmut Maeckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764272B2. Автор: Cesar Augusto Braz,Alessandro Ferrara,David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160155794A1. Автор: In Su Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Inhomogeneous power semiconductor devices

Номер патента: US09614065B2. Автор: Tao Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device with Pillar- Shaped Shielded gate structures

Номер патента: US20240186385A1. Автор: LIN Xu,Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Shenzhen Puolop Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with current sensor

Номер патента: US09614044B2. Автор: Michael Hutzler,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Power semiconductor devices having a semi-insulating field plate

Номер патента: US09647077B2. Автор: Iftikhar Ahmed,Chun-Wai Ng,Johnny Kin-On Sin. Владелец: Jsab Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Power Semiconductor Device and Method of Processing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200266269A1. Автор: Steffen Schmidt,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Frank Umbach,Philip Christoph Brandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105835A1. Автор: Tomoaki Shinoda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Power semiconductor integrated circuit device with uniform electric field distribution

Номер патента: EP0576001A1. Автор: Koichi c/o Intell.Property Div. Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-12-29.

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: EP1917683A2. Автор: Ling Ma,Russell Turner,Adam I. Amali. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384627A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203512A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282818A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20160211355A1. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09559195B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170256607A1. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847410B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

IGBT semiconductor device

Номер патента: US09929260B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240030323A1. Автор: Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260991A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261096A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11450762B2. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US12027577B2. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Lateral power semiconductor device

Номер патента: US20220352304A1. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shuhao Zhang,Zhangyi'an YUAN,Dican HOU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US10971591B2. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200066860A1. Автор: Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140145291A1. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Power semiconductor device and manufacturiing method

Номер патента: US20240379756A1. Автор: Chiara Corvasce,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US09577080B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including a gate trench having a gate electrode located above a buried electrode

Номер патента: US09673318B1. Автор: Timothy D. Henson,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US12107120B2. Автор: Hyuk Woo,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332416A1. Автор: Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Hironao Nakamura. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-03.

Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region

Номер патента: US09543421B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355889A1. Автор: Junya FUKUNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP4394880A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240222496A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Device with Multi-Branch Gate Contact Structure

Номер патента: US20200357917A1. Автор: Stefan Mieslinger,Markus Zundel,Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Ostermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-12.

Power semiconductor devices, semiconductor devices and a method for adjusting a number of charge carriers

Номер патента: US20170179224A1. Автор: Martin Brandt,Martin Stutzmann,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20170250179A1. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Support shield structures for trenched semiconductor devices

Номер патента: WO2023183215A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US09502498B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Dong Soo Seo,Kyu Hyun Mo,Chang Su Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120061721A1. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09905681B2. Автор: Tae Young Park,Young Joon Kim,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Han Sin CHO,Tae Yeop Kim. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350777A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350778A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120413A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor transistor

Номер патента: US10665706B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-26.

Power semiconductor transistor having fully depleted channel region

Номер патента: US09859408B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode

Номер патента: US20240021670A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US20050199953A1. Автор: Noboru Matsuda,Yasuo Ebuchi,Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up

Номер патента: US5753942A. Автор: Kyung-Wook Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230299137A1. Автор: Guoyou Liu,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate trench power semiconductor devices having improved breakdown performance and methods of forming such devices

Номер патента: US20230420527A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate trench power semiconductor devices having improved breakdown performance and methods of forming such devices

Номер патента: WO2023249845A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620631B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Hideaki Ninomiya,Tsuneo Ogura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a current spreading region

Номер патента: US20230261104A1. Автор: Ingmar Neumann,Adrian Finney,Harsh Naik. Владелец: Henry Schein Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having a current spreading region

Номер патента: EP4228003A1. Автор: Ingmar Neumann,Adrian Finney,Harsh Naik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-16.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device, and related circuit, chip, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4404265A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Trench-gate RESURF semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09735254B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Power semiconductor device having field plate electrode

Номер патента: US09536959B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Superjunction power semiconductor device

Номер патента: US7492003B2. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2009-02-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210399118A1. Автор: Noriyoshi Watanabe,Katsunori Kondo,Naohiro Shiraishi,Masatoshi YATAGO. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230135596A1. Автор: Noriyoshi Watanabe,Katsunori Kondo,Naohiro Shiraishi,Masatoshi YATAGO. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral mosfet

Номер патента: US20150349092A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral mosfet

Номер патента: US20150097225A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral mosfet

Номер патента: EP3053194A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-10.

Semiconductor device comprising a first gate trench and a second gate trench

Номер патента: US09941354B2. Автор: Sylvain Leomant,Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of operating power semiconductor devices and structures

Номер патента: US09842917B2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160035821A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US09515149B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Power semiconductor device and corresponding module

Номер патента: US09455340B2. Автор: Munaf Rahimo. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Power semiconductor device with dv/dt controllability

Номер патента: US20180076309A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Power semiconductor device with dv/dt controllability

Номер патента: US20190319122A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Combined gate trench and contact etch process and related structure

Номер патента: US10840327B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09406757B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09640644B1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US09450087B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor power devices having multiple gate trenches and methods of forming such devices

Номер патента: EP4244898A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Power semiconductor device of stripe cell geometry

Номер патента: US9583560B2. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Power Semiconductor Device of Stripe Cell Geometry

Номер патента: US20150340433A1. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270385A1. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055513A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11769823B2. Автор: Noriyoshi Watanabe,Katsunori Kondo,Naohiro Shiraishi,Masatoshi YATAGO. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3926687A1. Автор: Noriyoshi Watanabe,Katsunori Kondo,Naohiro Shiraishi,Masatoshi YATAGO. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device including first and second trench structures

Номер патента: US11742417B2. Автор: Roman Baburske,Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Juergen Thees,Ilaria Imperiale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526B1. Автор: Hidefumi TAKAYA,Kimimori HAMADA,Kyosuke MIYAGI,Yasushi OKURA,Akira KUROYANAGI,Norihito TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: EP4318553A3. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-21.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090127616A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US09786736B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: WO2020256719A1. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Processes for manufacturing MOSFET devices with excessive round-hole shielded gate trench (SGT)

Номер патента: US7932148B2. Автор: Yu Wang,Hong Chang,Tiesheng Li,Sung-Shan Tai. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US11908928B2. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: EP4187618A1. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014275A1. Автор: Shoya Sanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Power semiconductor device with electrode having trench structure

Номер патента: US09716009B2. Автор: Kenya Kobayashi,Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363710A1. Автор: Kenta WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US12051743B2. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2018172977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Matteo Dainese,Markus Bina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Power Semiconductor Device with Embedded Field Electrodes

Номер патента: US20150279946A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: WO2022093727A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Power semiconductor devices and corresponding manufacturing methods

Номер патента: EP4238134A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US20060049458A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Power semiconductor device having an improved ruggedness

Номер патента: US7268403B2. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US20240047572A1. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140167123A1. Автор: Kwang Soo Kim,In Wha Jeong,Ji Hyun Park,Bum Seok SUH,JaeHoon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

TRENCH SiC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230327014A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: WO2023055919A1. Автор: Qin Huang. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-04-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US11855203B2. Автор: LIU Yuan,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhao Wang,Wenliang LIU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical power semiconductor device including a silicon carbide (sic) semiconductor body

Номер патента: US20240145588A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09450086B2. Автор: Saya SHIMOMURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11837657B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US12074079B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics

Номер патента: US09748329B2. Автор: Ashok Challa,Joseph A. Yedinak. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics

Номер патента: US09391193B2. Автор: Ashok Challa,Daniel M. Kinzer,Dean E. Probst,Joseph A. Yedinak,Daniel Calafut. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Device and fabrication of mos device with island region

Номер патента: US20180337274A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device, method for manufacturing same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway carriage

Номер патента: US09960259B2. Автор: Naoki Watanabe,Naoki Tega,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US12068412B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282823A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4418325A1. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055514A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values

Номер патента: EP4302335A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972713B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Trench Gate by Using a Screen Oxide Layer

Номер патента: US20170110573A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device with trench gate by using a screen oxide layer

Номер патента: US09865726B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09853031B1. Автор: Satoru Yamada,Jun Soo Kim,Min Hee Cho,Woo Song Ahn,Min Su Choi,Sung Sam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication of mos device with varying trench depth

Номер патента: US20120302021A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device structure for improved performance and related method

Номер патента: US09929241B2. Автор: Jingjing Chen. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods and structures for contacting shield conductor in a semiconductor device

Номер патента: US20240266434A1. Автор: Peter A. Burke. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having a channel separation trench

Номер патента: US09893178B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640651B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09899487B2. Автор: Young-Sin Kim,Yong-Kwan Kim,Chang-Hyun Cho,Augustin Jinwoo Hong,Myeong-Dong LEE,Hye-Young Kang,Byoung-Wook JANG,Dong-Sik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Mos device with varying trench depth

Номер патента: US20110210390A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09722075B2. Автор: Akitaka SOENO,Yuji Fukuoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Trench gate trench field plate vertical MOSFET

Номер патента: US09660021B1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Trench gate trench field plate vertical MOSFET

Номер патента: US09577033B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576802B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with reduced miller capacitance and fabrication method thereof

Номер патента: US20140124852A1. Автор: Yung-Fa Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Trench gate trench field plate vertical mosfet

Номер патента: US20240304719A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917185B2. Автор: Kengo OMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with reduced miller capacitance and fabrication method thereof

Номер патента: US8969952B2. Автор: Yung-Fa Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of forming top select gate trenches

Номер патента: US20240304693A1. Автор: ZHIPENG Wu,Meng Xiao,LU Zhang,Pan Wang,HUI Zhang,Hang Yin,Jingjing Geng,Kai HAN,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Mos device with island region

Номер патента: US20200119185A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming top select gate trenches

Номер патента: US12021126B2. Автор: ZHIPENG Wu,Meng Xiao,LU Zhang,Pan Wang,HUI Zhang,Hang Yin,Jingjing Geng,Kai HAN,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105624A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130806A1. Автор: Sung Hee Han,Dae Sun Kim,In Cheol NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240274657A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device, manufacturing method therefor and power conversion apparatus

Номер патента: US10431658B2. Автор: Yutaka Fukui,Atsushi Narazaki,Katsutoshi Sugawara,Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

MOS device with low injection diode

Номер патента: US8283723B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187486A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243641A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11069771B2. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230100846A1. Автор: Alim Karmous,Thorsten Arnold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Trench-gate semiconductor devices and their manufacture

Номер патента: WO2003023863A2. Автор: Philip Rutter,Steven T. Peake,Georgios Petkos,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105836A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11888058B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP4300589A2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20140070852A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: EP4300589A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210305363A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11605707B2. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Lateral power semiconductor transistors

Номер патента: EP3017478A1. Автор: Vasantha Pathirana,Tanya Trajkovic,Nishad Udugampola. Владелец: CAMBRIDGE MICROELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Reverse conducting power semiconductor device

Номер патента: US09543305B2. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Florin Udrea,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI,Neophythos Lophitis,Lulian Nistor. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Processes for manufacturing MOSFET devices with excessive round-hole shielded gate trench (SGT)

Номер патента: US20090148995A1. Автор: Yu Wang,Hong Chang,Tiesheng Li,Sung-Shan Tai. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Trenched power device with improved reliability and conduction

Номер патента: EP4241310A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device with current sense capability

Номер патента: WO2007005654A2. Автор: Vincent Thiery. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US20230369486A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried termination structures and related methods

Номер патента: WO2018106326A1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,David J. LICHTENWALNER. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried edge terminations and related methods

Номер патента: US11837629B2. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: EP4107783A1. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130248925A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200194550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Moriz Jelinek,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor Device Having a Source Electrode Contact Trench

Номер патента: US20190157447A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

N-channel bipolar power semiconductor device with P-layer in the drift volume

Номер патента: US10546939B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Manfred Schneegans,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728618B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and transistor cell having a diode region

Номер патента: US09876103B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4009375A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-08.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022117656A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device with charge compensation region underneath gate trench

Номер патента: US09443973B2. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer,Minghao Jin,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with semiconductor mesas between adjacent gate trenches

Номер патента: US20230395711A1. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Power semiconductor device with a double metal contact and related method

Номер патента: US09761550B2. Автор: Robert Montgomery,David Paul Jones,Hugo Burke,Susan Johns,Phillip Parsonage. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having a cavity

Номер патента: US09991347B2. Автор: Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070111456A1. Автор: Hyung-Tae Ji,Seung-Rok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature

Номер патента: US09640649B2. Автор: Robert Beach. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Power Semiconductor Device with Reduced On-Resistance and Increased Breakdown Voltage

Номер патента: US20140332879A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-11-13.

Power semiconductor package with gate and field electrode leads

Номер патента: US09431394B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US5040043A. Автор: Katsutoshi Izumi,Terukaza Ohno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1991-08-13.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power semiconductor device having trench gate type IGBT and diode regions

Номер патента: US09972617B2. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power semiconductor device having trench gate type IGBT and diode regions

Номер патента: US09543293B2. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

III-Nitride Semiconductor Device with Stepped Gate

Номер патента: US20140034959A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-02-06.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Multiple zone power semiconductor device

Номер патента: US09793386B2. Автор: Ming Su. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09825159B2. Автор: Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Trench gate type semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US09559188B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20220165858A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058A1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: WO2005006446A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12051745B2. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20230268432A1. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Insulated gate power semiconductor devices

Номер патента: EP1647058B1. Автор: Raymond J. E. c/o Philips IP & Standards HUETING,Erwin A. c/o Philips IP & Standards HIJZEN,Michael A. c/o Philips IP & Standards IN'T ZANDT. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-09-14.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor devices with dielectric fins and method for forming the same

Номер патента: US11735591B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having buried channel array

Номер патента: US09685519B2. Автор: Ji-Young Kim,Sung-hee Lee,Seung-Hwan Kim,Dae-Sin Kim,Dong-Soo Woo,Na-Ra Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09576841B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09362352B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Power semiconductor device with reduced loss and manufacturing method the same

Номер патента: US20230317837A1. Автор: Chongman Yun,Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024012648A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4327354A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200357904A1. Автор: Daisuke Ozaki,Yosuke Sakurai,Tohru SHIRAKAWA,Akinori Kanetake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Fabrication of mosfet device with reduced breakdown voltage

Номер патента: US20160190283A1. Автор: Ji Pan,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-30.

Power semiconductor device with dV/dt controllability and cross-trench arrangement

Номер патента: US10304952B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Frank Dieter Pfirsch,Erich Griebl,Markus Bina,Caspar Leendertz,Alexander Philippou,Ingo Dirnstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US20240128315A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Fabrication of shielded gate trench MOSFET with increased source-metal contact

Номер патента: US09559179B2. Автор: John Chen. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US11257901B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US11929394B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor devices having buried gates

Номер патента: US12127394B2. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Huijung Kim,Minwoo Kwon,Sangyeon HAN,Junsoo Kim,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices having buried contact structures

Номер патента: US09812539B2. Автор: Dae-won Kim,Yong-Jun Kim,Jae-Rok Kahng,Sung-In KIM,Jung-Woo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755026B2. Автор: Weonhong Kim,Moonkyun Song,Minjoo Lee,Soojung CHOI,Dong Su Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230307531A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor device with mesa type structure

Номер патента: US4618877A. Автор: Yoshinari Uetake,Youichi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Power semiconductor device with mesa type structure

Номер патента: CA1226072A. Автор: Yoshinari Uetake,Youichi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CHARGE COMPENSATION REGION UNDERNEATH GATE TRENCH

Номер патента: US20160149028A1. Автор: Hirler Franz,Vielemeyer Martin,Blank Oliver,Jin Minghao,Yip Li Juin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Номер патента: US20200312988A1. Автор: Richard A. Blanchard,Paul M. Moore,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Номер патента: US20200312988A1. Автор: Richard A. Blanchard,Paul M. Moore,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor devices

Номер патента: EP1946380A2. Автор: Sankara Narayanan Ekkanath Madathil,David William Green. Владелец: Eco Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Power semiconductor devices

Номер патента: WO2007042834A2. Автор: Sankara Narayanan Ekkanath Madathil,David William Green. Владелец: Eco Semiconductors Limited. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: US20030006455A1. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: EP1267417A3. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-01-12.

Power semiconductor device and power conversion device using the same

Номер патента: EP1793423A3. Автор: Taiga Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Arai,Mutsuhiro Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170373157A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4411829A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160499A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: WO2024147894A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: US20240234495A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20080246079A1. Автор: Hiroshi Ohta,Wataru Saito,Wataru Sekine,Syotaro Ono,Masakatsu Takashita,Masaru Izumisawa,Yauto Sumi,Shoichiro Kurushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Power semiconductor device including a cooling material

Номер патента: US09793255B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234511A9. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2023001450A1. Автор: Marco Bellini,Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor Device

Номер патента: US20210143081A1. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234416A9. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device and method

Номер патента: US09431490B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Power Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20130299899A1. Автор: Mohamed N. Darwish,Amit Paul. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Sidewall dopant shielding methods and approaches for trenched semiconductor device structures

Номер патента: US12094926B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230253448A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US09947742B2. Автор: Hye-mi Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200395443A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-17.

Passivation of power semiconductor device

Номер патента: US7294884B2. Автор: Achim Schier. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2007-11-13.

Passivation of power semiconductor device

Номер патента: US20050230778A1. Автор: Achim Schier. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-10-20.

Power semiconductor die with improved thermal performance

Номер патента: WO2022271417A1. Автор: Ty Richard McNutt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09653599B2. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

LDMOS power semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09954079B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical power semiconductor device including a field stop region having a plurality of impurity peaks

Номер патента: US11742384B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4068390A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: US11843061B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: WO2022046444A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: EP4205182A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230395664A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240321950A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: EP4309204A2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: WO2022197421A3. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Power semiconductor device

Номер патента: US11824084B2. Автор: Ze Chen,Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230108668A1. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Power semiconductor device and methods of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20230197846A1. Автор: Manoj Chandrika Reghunathan,Eric GRAETZ,Devesh Kumar Datta,Soon Huat Niew. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200357919A1. Автор: Ju-Hwan Lee,Seong-Hwan Yun,Tae-young Park. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US20220320271A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US11978767B2. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100044787A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Bipolar semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09484221B2. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Georg Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Power semiconductor devices having non-rectangular semiconductor die for enhanced mechanical robustness and reduced stress and electric field concentrations

Номер патента: US20240274660A1. Автор: Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Josh S. Pennington. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor devices having non-rectangular semiconductor die for enhanced mechanical robustness and reduced stress and electric field concentrations

Номер патента: WO2024167627A1. Автор: Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Josh S. Pennington. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device including gate structure

Номер патента: US20240276707A1. Автор: Jieun Lee,Sinyeon KIM,Hana Cho,Jooseong Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150255442A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US20130069108A1. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Dong Soo Seo,Young Hoon Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US20220262909A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Lou Hutter Consulting LLC. Дата публикации: 2022-08-18.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US11869948B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170179265A1. Автор: Shuichi Kitamura,Kenji Hatori,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: WO2022178023A1. Автор: Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: US20240072131A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor device with reduced strain

Номер патента: EP4295398A1. Автор: Brett Hull,Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner,Shadi Sabri,Joe W. McPherson,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for forming semiconductor device having a multi-thickness gate trench dielectric layer

Номер патента: US20190312036A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035792A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

GaN power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure

Номер патента: US12027516B1. Автор: SHENG Li,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Mengli LIU,Yanfeng Ma. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282865A1. Автор: Mei-Ling Chen,Li-Ming Chang,Hsu-Heng Lee. Владелец: Invinci Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device for preventing punchthrough and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060049465A1. Автор: Jong-min Kim. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09620593B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Power semiconductor device with new guard ring termination design and method for producing same

Номер патента: US20110147880A1. Автор: Arnost Kopta,Sven Matthias. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-06-23.

Power semiconductor device and power semiconductor core module

Номер патента: US20180331077A1. Автор: Seiji Oka,Yoshihiro Yamaguchi,Tetsuo Motomiya,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060186435A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US20160056151A1. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US09673312B2. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US20240379667A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertical power semiconductor device comprising source or emitter pad

Номер патента: US20240347456A1. Автор: Carsten Schaeffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method of sensing current in a power semiconductor device

Номер патента: US09500678B2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Power Semiconductor Device Trench Having Field Plate and Gate Electrode

Номер патента: US20170301763A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US09503073B2. Автор: Akihiro Nakahara,Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Device with Integrated Current Sensor

Номер патента: US20220165879A1. Автор: Frank Wolter,Matteo Dainese,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-05-26.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Power Semiconductor Device with Oscillation Prevention

Номер патента: US20140312429A1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: EP4059046A1. Автор: Massimo Camarda,Ulrike GROSSNER. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09851776B2. Автор: Yuji Iwaki,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US09685540B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09449968B2. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler,Markus Zundel,Peter Irsigler,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Power Semiconductor Device, Method of Producing a Power Semiconductor Device and Method of Operating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240047457A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Roman Baburske,Daniel Schlögl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device with p-contact and doped insulation blocks defining contact holes

Номер патента: US11949006B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-02.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A3. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-08-16.

Circuit and Method of Reducing Body Diode Reverse Recovery Time of Lateral Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20080042196A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: US20230170334A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: EP4187578A2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-31.

Power semiconductor

Номер патента: US20200350406A1. Автор: Chen-Yu Liao,Tso-Tung Ko,Brian Cinray Ko,Kuang-Ming Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical Trench Power Devices with Oxygen Inserted Si-Layers

Номер патента: US20200127135A1. Автор: Bernhard Goller,Thomas Feil,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power Semiconductor Device Having an SOI Island

Номер патента: US20190198612A1. Автор: Anton Mauder,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

SOI Island in a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180053822A1. Автор: Anton Mauder,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-22.

Wafer-level chip-scale package including power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200144145A1. Автор: Myung Ho Park,Beom Su KIM,Sun Hwan Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09530861B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-27.

Cooling of wide bandgap semiconductor devices

Номер патента: US20170301607A1. Автор: Munaf Rahimo,Francesco Agostini,Bruno Agostini,Mathieu Habert,Daniele Torresin. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with interconnect structure

Номер патента: US09536826B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Power semiconductor device and operating method

Номер патента: US20230369408A1. Автор: Marco Bellini,Jan Vobecky,Lars Knoll,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US09923052B2. Автор: Thomas Herman. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Power semiconductor device with an auxiliary gate structure

Номер патента: US11955478B2. Автор: Martin Arnold,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Loizos Efthymiou,John William FINDLAY. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor package with conductive clips

Номер патента: US09620471B2. Автор: Martin Standing,Robert J. Clarke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125885B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Power semiconductor module and method for stabilizing thereof

Номер патента: US09748941B2. Автор: Minki Kim,Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Hyun Soo Lee,Dong Yun Jung,Hyun-Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10103219B2. Автор: YUAN Li,Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Power Semiconductor Devices Including Beryllium Metallization

Номер патента: US20240355738A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20180358448A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: EP3545557A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-10-02.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: WO2018095870A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-05-31.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: US20190288124A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-19.

Power semiconductor package having integral fluid cooling

Номер патента: EP1622199A3. Автор: Bruce A. Myers,Erich W. Gerbsch,Darrel E. Peugh,Lester Wilkinson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls

Номер патента: US09515199B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US20230420449A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: EP4229679A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9711627B2. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293745A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170288043A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor system for a current sensor in a power semiconductor

Номер патента: US09478613B2. Автор: Frank Wolter,Timm Hoehr,Thomas Jacke,Holger Ruething,Christian Pluntke,Guenther Koffler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of forming power semiconductor devices having superjunction structures with pillars having implanted sidewalls

Номер патента: US9972677B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Power semiconductor device with optimized field-plate design

Номер патента: WO2019168946A1. Автор: Max Chen,Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Gianluca Camuso,Loizos Efthymiou,Hao-Che Chien. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Power semiconductor device capable of controlling slope of current and voltage during dynamic switching

Номер патента: US20230215938A1. Автор: Chongman Yun,Junyoung Choi,Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Power semiconductor device with optimized field-plate design

Номер патента: US20190267456A1. Автор: Florin Udrea,Giorgia Longobardi,Gianluca Camuso,Loizos Efthymiou,Hao-Che Chien,Max Shih-kuan Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243195A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor package with integrated heat spreader and partially etched conductive carrier

Номер патента: US09570379B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

III-nitride semiconductor device

Номер патента: US8860085B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-14.

Power semiconductor device with voltage clamp circuit

Номер патента: US20240178830A1. Автор: Kennith Kin Leong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US20140264714A1. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Power semiconductor devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09748409B2. Автор: Jinqiao Xie,Baxter Moody,Seiji Mita. Владелец: HexaTech Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243031A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US09793261B2. Автор: Katsuhisa Kawasaki,Masaaki Takiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20200105864A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20220028967A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US12062687B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback

Номер патента: EP3940956A1. Автор: Geraldo Nojima,Eddie Wilkie. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor Devices Having Recessed Channels

Номер патента: US20120305997A1. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-06.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243106A1. Автор: Yusheng Lin,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A2. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming semiconductor devices having recessed channels

Номер патента: US8268690B2. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Thermal enhanced power semiconductor package

Номер патента: WO2024151430A3. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman,Daniel Ginn Richter. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US09941255B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US09728536B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09590072B1. Автор: Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US11776883B2. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Dual-side cooled embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20230402342A1. Автор: Di Chen,Juncheng LU,Ahmad Mizan,Ruoyu Hou,Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of making a semiconductor structure for high power semiconductor devices

Номер патента: US20060088978A1. Автор: Robert Howell,Rowland Clarke,Michael Aumer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Aluminum wire for power semiconductor, semiconductor device using the aluminum wire, and method for searching for aluminum wire

Номер патента: JP6090721B2. Автор: 邦裕 玉橋,仁 大貫,大貫　仁,玉橋　邦裕,功隆 藤井. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2017-03-08.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: US20240079279A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: WO2022136086A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-30.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09929073B2. Автор: Noriyuki Kakimoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Power semiconductor device with free-floating packaging concept

Номер патента: US12094791B2. Автор: Jan Vobecky,David GUILLON,Tobias Wikstroem,Jagoda Dobrzynska. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US09607924B2. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-03-28.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Power semiconductor module

Номер патента: US20180090441A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080692B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Power semiconductor module, power converter including the same and manufacturing method of power semiconductor module

Номер патента: EP4443480A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US09978671B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Franz Stueckler,Xaver Schloegel,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Power Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20200068735A1. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US4523215A. Автор: Shiro Iwatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-06-11.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

All-in-one power semiconductor module

Номер патента: US09455207B2. Автор: Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Si Joong Yang,Bum Seok SUH,Job Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20180286774A1. Автор: Yuji Nishibe,Shinichi Miura,Yasuyuki Kageyama,Yasuhide Yagyu,Yasuyoshi Saito. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Power semiconductor module

Номер патента: US09559024B2. Автор: Harald Beyer. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and cooler thereof

Номер патента: US09472488B2. Автор: Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132152A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Edge-structured leadframe for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213125A1. Автор: Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20190295929A1. Автор: Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takeshi Tokuyama,Takahiro Shimura,Shun Kawano. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Power semiconductor device including press-fit connection terminal

Номер патента: US11742251B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Minoru EGUSA,Nobuhiro Asaji,Kazunari Teshigawara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393115A1. Автор: Norihiko Okumura,Dai Ichihoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Power semiconductor device structure with vertical PNP transistor

Номер патента: US6518139B1. Автор: Natale Aiello,Salvatore Leonardi,Salvatore Scaccianoce,Davide Patti. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 2003-02-11.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power semiconductor arrangement

Номер патента: US20170186673A1. Автор: Ludwig Hager,Rainer Weiss,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-29.

Power Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240274489A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US09735094B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20150076678A1. Автор: Noboru Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with a heat-dissipating plate

Номер патента: US09640460B2. Автор: Zyunya Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022248126A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Power semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240145332A1. Автор: Niko PAVLICEK,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240243123A1. Автор: Young Bae Kim,Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240266250A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Array with light-emitting power semiconductor component and corresponding production method

Номер патента: US6960033B1. Автор: Stefan Grötsch,Bruno Acklin,Werner Späth. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-01.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US12112994B2. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Clamping element and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US12125767B2. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Harald Beyer. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US09620444B2. Автор: Masaki Kato,Masahiko Fujita,Dai Nakajima,Tatsuya Fukase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Current sensing in power semiconductor devices

Номер патента: GB2626077A. Автор: ARNOLD Martin,Ryan Paul,Udrea Florin,EFTHYMIOU Loizos,Wai Fung Sheung,Vishin Tara,William Findlay John. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Power semiconductor module

Номер патента: US20020153532A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Ryuichi Saito,Kazuji Yamada,Masataka Sasaki,Yukio Sonobe,Shigeki Sekine,Tatsuya Shigemura,Akihiro Tamba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Power Semiconductor Module With Interconnected Package Portions

Номер патента: US20110175214A1. Автор: Thilo Stolze,Georg Borghoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316992A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234260A9. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240136257A1. Автор: Takuya Sakamoto,Keitaro Ichikawa,Yuji Shikasho. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor module with power semiconductor switches

Номер патента: US20200343225A1. Автор: Martin Kraus,Klaus Benkert. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282665A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Yujiro Kaneko,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20190304857A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Power Semiconductor Device Module Having Mechanical Corner Press-Fit Anchors

Номер патента: US20170316993A1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Power electronics system having a differential hall sensor, method of fabricating the power electronics system, and method of operating a power semiconductor module of the power electronics system

Номер патента: US20240275268A1. Автор: Dietmar Spitzer,Tomas Reiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Free configurable power semiconductor module

Номер патента: EP4097761A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US20160120038A1. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-28.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US9661751B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor module with vibration dampeners and power electronics system including the power semiconductor module

Номер патента: US20240266300A1. Автор: Michael Niendorf,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor module with low inductance gate crossing

Номер патента: US12068290B2. Автор: Slavo Kicin,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Arne SCHROEDER. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20150163914A1. Автор: Peter Lemke. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US09883596B2. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-30.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Silver sintered molybdenum (ssm) packaging for power semiconductor devices and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352372A1. Автор: Ali Emadi,Yuhang YANG. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240304507A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2024186530A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor package having reduced form factor and increased current carrying capability

Номер патента: US09780018B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Power semiconductor package having power semiconductor die in a support substrate with bar vias

Номер патента: US09640474B1. Автор: Eung San Cho,Danny Clavette. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A2. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Power semiconductor device with integrated current measurement

Номер патента: US20200363463A1. Автор: Anton Mauder,Wolfgang Raberg,Thomas Kimmer,Mitja Rebec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: EP4258347A3. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Power Semiconductor Module

Номер патента: US20160027762A1. Автор: Erik Dore,Olle Ekwall,Samuel Hartmann,Franc Dugal. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-28.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9337127B2. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: WO2024172878A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240283356A1. Автор: David Giuliano. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device including a deformable flow blocking member between a module unit and a cooling unit

Номер патента: US12094798B2. Автор: Hiroshi Kobayashi,Shinnosuke Soda,Tomohisa Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: EP4432799A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Power semiconductor module and power electronics device

Номер патента: US20240322697A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Christoph Koch,Tomas Manuel Reiter,Waldemar Jakobi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150255377A1. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150325500A1. Автор: Yan - Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Systems and methods for a top side cooled power semiconductor thermal interface spacer

Номер патента: US20240314979A1. Автор: Alexandre M. S. Reis,Bryan Alan ROHL,Thomas Alan Degenkolb. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US09979105B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Hidetoshi Ishibashi,Yoshitaka Otsubo,Minoru EGUSA,Hiroshi Kawata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels

Номер патента: US09929066B1. Автор: Thomas Spann. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US09559034B2. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power semiconductor device with solderable power pad

Номер патента: US20240194580A1. Автор: Oliver Blank,Scott David Wallace,Susanne Schulte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor module

Номер патента: US20190279927A1. Автор: Dominik Truessel,Samuel Hartmann. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140353742A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Power semiconductor module with adaptable power contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332142A1. Автор: Thorsten Scharf,Michael Fügl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor module

Номер патента: US09812431B2. Автор: Tetsuya Inaba,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor module

Номер патента: US09640461B1. Автор: Thomas Spann,Ira Balaj-Loos. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09572291B2. Автор: Masanori Minamio. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Spring element for a power semiconductor module

Номер патента: EP3311406A1. Автор: Franc Dugal. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-04-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230343688A1. Автор: Bernd Eckardt,Andre Mueller,Benjamin Bayer,Maximilian Hofmann,Patrick Fuchs,Maximilian Barkow,Timijan Velic,Hubert Rauh,Jordan Sorge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor module with rivet or press fit pin and method for fabricating the same

Номер патента: US20230054812A1. Автор: Tao Hong,Matthias Rose,Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Oliver Markus Kreiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-23.

Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: US20080266812A1. Автор: Jürgen Steger,Frank Ebersberger. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-30.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of power semiconductor

Номер патента: US09907216B2. Автор: Young Seop PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor module having a two-part housing

Номер патента: US09735086B2. Автор: Jens Krugmann,Christoph Messelke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, intelligent power module and power conversion apparatus

Номер патента: US11114836B2. Автор: Manabu Matsumoto,Hiroshi Yoshida,Fumitaka Tametani,Rei YONEYAMA,Haruhiko TAKEMOTO,Motonobu JOKO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Power module device with improved thermal performance

Номер патента: EP3939081A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Chunlei Liu,Andrey Petrov. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: US11984433B2. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Power Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20200098662A1. Автор: Reinhold Bayerer,Frank Sauerland. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Spring electrode for press-pack power semiconductor module

Номер патента: US20200152595A1. Автор: Shigeto Fujita,Tetsuya Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method offorming flipchip interconnect structure

Номер патента: SG181205A1. Автор: Rajendra D Pendse. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US09887142B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09750137B2. Автор: Hideaki Takahashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US09640453B2. Автор: Minoru EGUSA,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor module and power module

Номер патента: US09591789B2. Автор: Toshiaki Ishii,Masahiko Asano,Kinya Nakatsu,Eiichi Ide,Toshiya Satoh,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa,Eiji Nishioka. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US09443818B2. Автор: Young Ki Lee,Kwang Soo Kim,Young Hoon Kwak,Chang Seob Hong,Joon Seok CHAE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Embedded photodetector as device health monitor for hot carrier injection (HCI) in power semiconductors

Номер патента: US10928438B2. Автор: Justin E. Henspeter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230335472A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US11894348B2. Автор: Takashi Hirao,Toru Kato,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor device module

Номер патента: EP4372804A2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4229678A1. Автор: Slavo Kicin,Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A2. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: EP4086953A3. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Jet impingement cooling with bypass fluid portion for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240047304A1. Автор: John MOOKKEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Номер патента: US12041755B2. Автор: Ulrich Michael Georg Schwarzer,Andre Arens,Michael EBLI,Alexander Herbrandt,Regina Nottelmann,Alparslan Takkac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US20230197468A1. Автор: Jürgen Steger,Stefan Oehling. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

External contact element for a power semiconductor module and power semiconductor module

Номер патента: US11810889B2. Автор: Christoph Koch,Andre Uhlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method of Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170162472A1. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takashi Kume,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Номер патента: US20220301998A1. Автор: Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-22.

Power semiconductor module for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: US20180331017A1. Автор: Roman Strasser. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066163A1. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Cooling apparatus for power semiconductor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11075142B2. Автор: Seok-Jun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3616476A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-03-04.

Power Semiconductor Module and Method for Producing a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20230307332A1. Автор: Roland Lorz,Philipp Kneißl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor module

Номер патента: US20200112111A1. Автор: Fabian Fischer,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Power Semiconductor Module, Method for Producing a Power Semiconductor Module and a Housing Element for a Power Semiconductor Module

Номер патента: US20120025393A1. Автор: Peter Kanschat,Thilo Stolze,Olaf Kirsch,Andre Roehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Power Semiconductor Module with Control Functionality and Integrated Transformer

Номер патента: US20100127379A1. Автор: Thomas Stockmeier,Peter Beckedahl,Reinhard Herzer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-05-27.

Power semiconductor package comprising a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: EP4432348A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing power semiconductor module, and power semiconductor module manufactured thereby

Номер патента: US20240321676A1. Автор: Jihyung LEE. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor package including a passive electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: US20240312936A1. Автор: Teck Sim Lee,Zhihui Yuan,Chee Hong Lee,Kok Yau Chua,Lee Shuang Wang,Azlina KASSIM,Joon Shyan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor package

Номер патента: US20240355753A1. Автор: Patrick Bauer,Mika Nuotio,Dieter Jelinek,Oguz DEMIR. Владелец: PIERBURG GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor cooling system

Номер патента: US20220087055A1. Автор: Christopher Alan Belcastro,Thomas Kendzia, III,Taylor Miller. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor substrates with metal contact layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768036B2. Автор: Christian Göbl,Heiko Braml. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor module system having a high isolation strength and method for producing a power semiconductor module arrangement having a high isolation strength

Номер патента: US09622341B2. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and power conversion apparatus using the same

Номер патента: EP1758440A3. Автор: Katsunori c/o Hitachi Ltd Azuma,Toshiaki c/o Hitachi Ltd Morita,Hiroshi c/o Hitachi Ltd Hozoji,Kazuhiro c/o Hitachi Ltd Suzuki,Toshiya c/o Hitachi Ltd Satoh,Osamu c/o Hitachi Ltd Otsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-01-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device with high heat dissipation property using hexagonal boron nitride and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285244A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Youn Sub Noh,Seong Il Kim,Il Gyu CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-09-08.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3298626A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-28.

Packaged power semiconductor device and power converter

Номер патента: US20220359349A1. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Yunfeng Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US20190318977A1. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Power semiconductor device and power module

Номер патента: US10854537B2. Автор: Masaki Kato,Saburo Tanaka,Jun Tahara,Tatsuya Fukase,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor Device Having Sensing Functionality

Номер патента: US20140103902A1. Автор: Ralf Otremba,Marco Seibt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having sensing functionality

Номер патента: US09754854B2. Автор: Ralf Otremba,Marco Seibt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Jet impingement cooling for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240312873A1. Автор: Jesse Emmett GALLOWAY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

A power semiconductor device with a double gate structure

Номер патента: GB2564482A. Автор: Udrea Florin,LONGOBARDI Giorgia,EFTHYMIOU Loizos. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2019-01-16.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US9646920B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US20160049354A1. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-02-18.

Power semiconductor device package and method of assembling thereof

Номер патента: EP3944305A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20150357268A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method

Номер патента: US20170186675A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hua PAN,Jianxin Ye,Hongtao Gao,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240222240A1. Автор: Yoon Ju Kim,Yu Cheol PARK,Jeong Kwang SEO,Chan Yang CHOE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module, electronic device, and method for controlling power semiconductor module

Номер патента: US10756011B2. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Power semiconductor module

Номер патента: US12062599B2. Автор: Tatsuro Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor module

Номер патента: EP4358128A1. Автор: Koji Sasaki,Norio Nakazato,Daisuke Kawase,Keisuke Horiuchi,Hitoshi Nishimori. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Compact single-die power semiconductor package

Номер патента: US09704787B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Array based fabrication of power semiconductor package with integrated heat spreader

Номер патента: US09620475B2. Автор: Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module comprising module-internal load and auxiliary connection devices of low-inductance configuration

Номер патента: US09591755B2. Автор: Eduard Faller,Matthias Spang,Lars Reuβer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of forming bump-on-lead interconnection

Номер патента: US09385101B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of forming flipchip interconnection structure with bump on partial pad

Номер патента: US09345148B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US11848295B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US20240063164A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with interconnect part and method for preparing the same

Номер патента: US11881451B2. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Electronic device with multi-layer contact and system

Номер патента: US20240088087A1. Автор: Alexander Heinrich,Tobias Schmidt,Konrad Roesl,Michael Juerss,Oliver EICHINGER,Kok Chai Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic device with multi-layer contact and system

Номер патента: US11842975B2. Автор: Alexander Heinrich,Tobias Schmidt,Konrad Roesl,Michael Juerss,Oliver EICHINGER,Kok Chai Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US11776890B2. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20240047400A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3848963A1. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20230402363A1. Автор: Peter KURCIK,Maximilian Hofer,Markus PRETSCHUH,Florian MAXL. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20230335458A1. Автор: Shota Yamabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Power Semiconductor Devices Including Multiple Layer Metallization

Номер патента: US20240213196A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,Thomas Edgar Harrington, III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20210082778A1. Автор: Seiki Hiramatsu,Hisayuki Taki,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: US20200266124A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3859774A1. Автор: Dominik Trussel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Power semiconductor module

Номер патента: US7928587B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sasaki,Hirokazu Inoue,Akihiro Tamba,Shinji Hiramitsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230187404A1. Автор: Xiaoguang LIANG. Владелец: Wuxi Leapers Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power semiconductor modules and method for their assembling

Номер патента: EP4287252A1. Автор: Ke Jiang,Qiuxiao Qian,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Power Semiconductor Arrangement Having a Plurality of Power Semiconductor Switching Elements and Reduced Inductance Asymmetry

Номер патента: US20170141089A1. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Power semiconductor arrangement having a plurality of power semiconductor switching elements and reduced inductance asymmetry

Номер патента: US10032755B2. Автор: Reinhold Bayerer,Daniel Domes,Waleri Brekel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-24.

Power Semiconductor Module Arrangement and Housing for a Power Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200091023A1. Автор: Regina Nottelmann,Mark Schnietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-19.

Power semiconductor module having a DC voltage connecting device

Номер патента: US12062601B2. Автор: Jürgen Steger,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Encapsulated power semiconductor assembly

Номер патента: EP1611609A1. Автор: Andreas Lindemann. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2006-01-04.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Power semiconductor module

Номер патента: US09899328B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yukimasa Hayashida,Yoshiko Tamada,Junichi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor module

Номер патента: US09666395B2. Автор: Takeshi Yamada,Tsuyoshi Harada,Shuichi KOKUBUN,Shinjiro Watari. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor module, power converting apparatus and railway car

Номер патента: US09520802B2. Автор: Yasushi Nakayama,Takeshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of forming insulating layer on conductive traces for electrical isolation in fine pitch bonding

Номер патента: US09418913B2. Автор: Seong Bo Shim,Yong Hee Kang,Kyung Oe Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Electrically isolated power semiconductor package

Номер патента: GB2358960B. Автор: Kang Rim Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-08-13.

Power semiconductor device module

Номер патента: EP4293714A2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Superjunction Structure in a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170358452A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-14.

Electrical contact arrangement, power semiconductor module, method for manufacturing an electrical contact arrangement and method for manufacturing a power semiconductor module

Номер патента: US20230343715A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Joonas PUUKKO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3916782A1. Автор: Takashi Hirao,Eiichi Ide,Masahito Mochizuki,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132148A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2024132151A1. Автор: Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4318562A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150340297A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: EP4428914A1. Автор: Christoph Bayer,Matthias Burger,Ulrich Nolten,Mark Essert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Power semiconductor module and method for producing the same

Номер патента: EP4401126A3. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-25.

Power semiconductor module with switching device and assembly

Номер патента: US09627343B2. Автор: Christian Göbl,Harald Kobolla,Björn Tauscher,Christian Kroneder,Alexej Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520346B2. Автор: Jae Hyun Ko. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Cascoded semiconductor devices

Номер патента: US09472549B2. Автор: Philip Rutter,Jan Sonsky,Matthias Rose. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2677253C2. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2019-01-16.

Power semiconductor module half-bridge sub-module

Номер патента: RU2656302C1. Автор: Владимир Николаевич Никитин,Дмитрий Анатольевич Токмаков,Андрей Николаевич Семенов,Олег Анатольевич Данилов,Иван Владимирович Викторов,Анатолий Леонидович Иванов,Виктор Александрович Карпеев,Александр Витальевич Шепелин,Андрей Витальевич Шепелин,Вячеслав Юрьевич Семенов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ". Дата публикации: 2018-06-04.

Multiple-chip semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5313095A. Автор: Takashi Takahashi,Takayoshi Kawakami,Tomohide Tagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240040702A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Araki,Shigehise AOYAGI. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230268255A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Power semiconductor device having a structured metallization layer

Номер патента: US20220285149A1. Автор: Andreas Behrendt,Johann Schmid,Ravi Keshav Joshi,Richard Gaisberger,Juergen Steinbrenner,Anita Satz,Johanna Schlaminger,Mario Stanovnik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210287968A1. Автор: Masanori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4318571A1. Автор: Masahiko Ezumi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Power semiconductor device and manufacturing method for power semiconductor device

Номер патента: US20200251423A1. Автор: Takayuki Yamada,Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Atsuki FUJITA,Kohei Yabuta,Yutaro Sugi,Hiroaki Haruna. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11978700B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-07.

Power electronic switching device with a three-dimensionally preformed insulation molding and a method for its manufacture

Номер патента: US20220068768A1. Автор: Michael Schatz. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-03.

Power electronic switching device with a three-dimensionally preformed insulation molding and a method for its manufacture

Номер патента: US11581245B2. Автор: Michael Schatz. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor device with reduced interconnect capacitance

Номер патента: US20040232555A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20220181079A1. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-09.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US11664160B2. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-30.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US11894337B2. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240162196A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki,Rui Konishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Pad Layout for Flipchip Semiconductor Die

Номер патента: US20120241984A9. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Power Semiconductor Module with Asymmetrical Lead Spacing

Номер патента: US20150195928A1. Автор: Andreas Laschek-Enders,Olaf Zschieschang. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and method of forming pad layout for flipchip semiconductor die

Номер патента: US09780057B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Modular multiple converter provided with reverse-conducting power semiconductor relays

Номер патента: RU2587683C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-06-20.

Isolated heat-sink semiconductor device

Номер патента: US3763403A. Автор: W Lootens. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1973-10-02.

Tape automated manufacture of power semiconductor devices

Номер патента: US4635092A. Автор: Alexander J. Yerman,James A. Loughran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-06.

Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method

Номер патента: EP4254490A1. Автор: Han Li,Wenhao Zhang,Haihui Luo,Yongdian PENG,Xingfeng Li,Guiqin CHANG,Tingchang SHI,Liangxing LI,Guozhong DONG. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Mcsp power semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20160035653A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Hongtao Gao,Zhiqiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Power semiconductor module and power semiconductor device

Номер патента: US10561021B2. Автор: Kenshi Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-11.

Power Semiconductor Module and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20180041136A1. Автор: Takeshi Tokuyama,Takahiro Shimura,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20220359336A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Shinnosuke Soda,Tomohisa Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20200235072A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20210320083A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Power semiconductor module and vehicle

Номер патента: US20200051892A1. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara,Yuta Tamai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Power semiconductor device

Номер патента: US12009810B2. Автор: Koji Yamamoto,Yukimasa Higashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Power conversion device with flow conduits for coolant

Номер патента: US09526194B2. Автор: Kenichiro Nakajima,Yuki Fujita,Kaname Sasaki. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor module device

Номер патента: US09832903B2. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Capacitor for a power semiconductor module

Номер патента: US20020114127A1. Автор: Pieder Jörg,Beat Guggisberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatus for Detecting a State of Operation of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110210711A1. Автор: Michael Lenz,Matthias Kunze,Georg Pelz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Short-circuit protection for a power semiconductor device

Номер патента: US20180358959A1. Автор: John H. Blakely,Edward C. Prather,Belvin S. Freeman,Daniel J. CONTI,Norman P. Davies,Brian C. Langford,Ronald D. Hreha. Владелец: Nexus Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20190115910A1. Автор: Takanori Kohama,Yuya Abe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09871513B2. Автор: Yasuki Yoshida,Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Device and method of controlling power semiconductor switch

Номер патента: RU2633294C2. Автор: Марк-Маттиас БАКРАН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263611A1. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Power-Semiconductor-Device Test Apparatus Facilitating Test-Connection Changes

Номер патента: US20240310426A1. Автор: Hiroshi Takahara,Seiichiro Kihara,Shigeo Sakata,Takahiro Kajinishi. Владелец: Qualtec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Balancing currents of power semiconductors

Номер патента: US09503077B2. Автор: Mika Niemi. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device applicable to a multi-context programmable logic device

Номер патента: US09384813B2. Автор: Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

An apparatus for controlling voltage-charge controlled power semiconductor devices

Номер патента: CA2340166A1. Автор: Waldemar A. Belwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-24.

An apparatus for controlling voltage-charge controlled power semiconductor devices

Номер патента: CA2340166C. Автор: Waldemar A. Belwon. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2007-07-10.

Semiconductor switch assembly comprising at least two power semiconductors

Номер патента: US20230421149A1. Автор: Matthias Lochner,Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Assembly structure of high-power semiconductors and heat sink

Номер патента: US09943015B2. Автор: Man Piu Fung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Method And Apparatus For Monitoring The Condition Of A Power Semiconductor Module

Номер патента: US20240088782A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Panagiotis Kakosimos,Kari Tikkanen,Aleksi Vulli,Teppo Pirttioja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Control device for a power semiconductor switch

Номер патента: US20180309436A1. Автор: Markus Müller,Peter Beckedahl,Gunter Königsmann,Bastian Vogler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: WO2021047768A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for reducing thermal stress of a power semiconductor switch, an electrical converter unit and an elevator

Номер патента: EP4029135A1. Автор: Lauri Stolt,Tuukka Kauppinen,Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Circuit board for a power semiconductor module, power semiconductor module, and method for producing a circuit board and a power semiconductor module

Номер патента: US20240260168A1. Автор: Detlev Bagung,Christina QUEST-MATT,Holger Baldreich. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Power semiconductor device and snubber circuit thereof

Номер патента: US20180287487A1. Автор: HE Xu,Jie Shen,Bo QU,Stefan Schroeder,Zhihui Yuan,Saijun Mao,Yingqi Zhang,Jingkui Shi,Marius Michael MECHLINSKI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Control circuit and control method for turning on a power semiconductor switch

Номер патента: US09787300B2. Автор: Matthias Johannes Siebler. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and Device for Controlling Power Semiconductor Switches Connected in Parallel

Номер патента: US20170331362A1. Автор: Bernd Eckert,Stefan Butzmann,Peter Taufer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Power semiconductor element drive adjustment circuit, power module, and power conversion device

Номер патента: US20240275265A1. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Arrangement For Monitoring the Condition of a Power Semiconductor Module of an Electric Drive Device

Номер патента: US20240280627A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for operating power semiconductors

Номер патента: US09748888B2. Автор: Harald Hofmann,Holger Hoffmann,Stefan Volkel,Michael Leipenat,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Arrangement for monitoring the condition of a power semiconductor module of an electric drive device

Номер патента: EP4421504A1. Автор: Mikko Kohvakka,Kari Kovanen,Henri Hakkarainen. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor cooling module for electric vehicle

Номер патента: US11758698B2. Автор: Hwan Ku Lee. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrical apparatus comprising a power semiconductor module and at least one capacitor

Номер патента: US12058805B2. Автор: Olivier Vilain,Joël Afanou. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Drive Device, Gate Drive Method, Power Semiconductor Module, and Electric Power Conversion Device

Номер патента: US20210296979A1. Автор: Toru Masuda,Yuji Takayanagi,Masamitsu Inaba,Seiichi Hayakawa,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: WO2022253464A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2022-12-08.

Systems, methods, and apparatus for controlling power semiconductor devices

Номер патента: US20140097886A1. Автор: Alan Carroll Lovell,Todd David Greenleaf,Mark E. Shepard. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-10.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: US20220393669A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Driver and sensor circuitry for power semiconductor switches using optical power supplies

Номер патента: EP4348835A1. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210021125A1. Автор: Sho Nakagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Drive circuit for power semiconductor element, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20230308086A1. Автор: Takashi Masuhara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Controlled drive circuit for an analog driven power semiconductor

Номер патента: US20030174081A1. Автор: Benno Weis,Hans-Georg Kopken,Manfred Bruckmann,Alois Wald. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Non-invasive online monitoring circuit for on-state saturation voltage of power semiconductor

Номер патента: US12085600B1. Автор: XING Wei,Kehua Lyu,Yanwei Lyu. Владелец: Hunan Lanhai Electrical Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Drive control method of power semiconductor module and control circuit of power semiconductor module

Номер патента: US09768763B2. Автор: Noriho Terasawa,Yasuyuki Momose. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Drive circuit for power semiconductor devices

Номер патента: US20190028097A1. Автор: Jinkyu CHOI,Kinam SONG,Wonhi OH,JunHo Lee,Seunghyun HONG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Power semiconductor module comprising a power electronics circuit and an arrangement for measuring and transferring measurement data

Номер патента: US09726711B2. Автор: Michael Schlueter,Stefan Hubert Schmies. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Arrangement and method for a power semiconductor switch

Номер патента: US09584113B2. Автор: Mika Niemi,Lauri Peltonen. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-02-28.

Power semiconductor device

Номер патента: US7538587B2. Автор: Toru Iwagami,Shinya Shirakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-26.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

A method and a system for protecting at least two power semiconductors of a half bridge converter

Номер патента: EP3694090A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2020-08-12.

System and method for protecting power semiconductor of half bridge converter

Номер патента: WO2020161986A1. Автор: Stefan Mollov,Julien Morand. Владелец: Mistubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-08-13.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192267A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386399A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Номер патента: US09759763B2. Автор: Gary Rogers,Rodney E. Schwartz,David Lohr,Steve Clauter,James Baggiore. Владелец: Integrated Tech Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

Arrangement Comprising at Least One Power Semiconductor Module and a Transport Packaging

Номер патента: US20110180918A1. Автор: Stefan STAROVECKY. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and device for estimating level of damage or lifetime expectation of power semiconductor module

Номер патента: WO2017135333A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2017-08-10.

Apparatus for testing switching of power semiconductor module

Номер патента: US20140176180A1. Автор: Seung Hwan Kim,Shang Hoon Seo,Suk Jin Ham. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of estimation of thermal constant power semiconductor apparatus

Номер патента: RU2655736C1. Автор: Вадим Михайлович Бардин,Антон Александрович Воронков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-05-29.

Cooling method of power semiconductor devices

Номер патента: RU2710025C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-12-24.

Solar energy powered semiconductor refrigeration fruit-vegetable freshness preservation box

Номер патента: LU100223B1. Автор: Yusheng Li. Владелец: Shenzhen Naishidi Technoloigies Res And Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-27.

Multi-physics co-simulation method of power semiconductor modules

Номер патента: US12112110B2. Автор: Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Yuxin Ge,Yayong YANG,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: WO2021149451A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2021-07-29.

Device and method for sensing an over-temperature of a power semiconductor

Номер патента: US20230053137A1. Автор: Chihiro Kawahara,Stefan Mollov,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Номер патента: US20130027067A1. Автор: Gary Rogers,Rodney E. Schwartz,David Lohr,Steve Clauter,James Baggiore. Владелец: Integrated Tech Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

High-power semiconductor resistor and method of making said resistor

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE HAVING LAYERED INSULATING SIDE WALLS

Номер патента: US20120001317A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing process for heavy-power semiconductor devices

Номер патента: RU2022399C1. Автор: Игорь Николаевич Клопов. Владелец: Игорь Николаевич Клопов. Дата публикации: 1994-10-30.

Method of determination of resistance of power semiconductor devices to action of microsecond pulses of forward current

Номер патента: RU2028004C1. Автор: А.В. Гамаюнов,В.И. Паленик,О.К. Тоомла,С.М. Курмашев. Владелец: Петербургский институт инженеров железнодорожного транспорта. Дата публикации: 1995-01-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20120001227A1. Автор: TAKAHASHI Kiyoshi,Okita Souichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to weld lead in semiconductor device

Номер патента: RU2525962C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Юрий Викторович Шарапов,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2014-08-20.

Power semiconductor devices including beryllium metallization

Номер патента: WO2024220798A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2497232C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2013-10-27.

Module of power semiconductor instruments

Номер патента: RU2462787C2. Автор: Йорг ДОРН,Томас КЮБЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-09-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.