Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • CHIP WITH BEAMFORMING NETWORK BASED ON PHOTONIC CRYSTAL RESONANT CAVITY TREE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

CHIP WITH BEAMFORMING NETWORK BASED ON PHOTONIC CRYSTAL RESONANT CAVITY TREE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200081155A1
Опубликовано: 12-03-2020
Автор(ы): Chen Erdong, CUI Naidi, FENG Junbo, GUO Jin, HU Yuankui, Jin Li, JIN Xueming, Zhao Heng
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Diamond layer on photonic circuit

Номер патента: WO2024074370A1. Автор: Teodoro GRAZIOSI. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2024-04-11.

compact optical switch based on two-dimensional photonic crystal and waveguides laterally coupled to a magnetic-optical resonator

Номер патента: BR102013030623A2. Автор: Victor Dmitriev,Gianni Masaki Tanaka PORTELA,Daimam Darlam Zimmer. Владелец: Univ Fed Do Para. Дата публикации: 2015-10-27.

Compact optical switch having only two waveguides and a resonant cavity to provide 60 degree folding

Номер патента: US09778540B2. Автор: Victor Dmitriev,Gianni Masaki Tanaka PORTELA,Raphael Rafsandjani Batista. Владелец: UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ. Дата публикации: 2017-10-03.

Optical multi-channel separating filter with electrically adjustable photon crystals

Номер патента: US6064506A. Автор: Hans Koops. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Optical multi-channel separating filter with electrically adjustable photon crystals

Номер патента: CA2248372C. Автор: Hans Wilfried Peter Koops. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2006-05-16.

Optical multi-channel separating filter with electrically adjustable photon crystals

Номер патента: CA2248372A1. Автор: Hans Wilfried Peter Koops. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-12.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Adjustable optical switch based on PLZST antiferroelectric photonic crystal, and adjusting and control method thereof

Номер патента: US11150496B2. Автор: Li Zhu,TAO Hu,Yong Huang,Jianjun Tan,Jinqiao YI,Xianbo SUN. Владелец: Hubei University for Nationalities. Дата публикации: 2021-10-19.

Ultra-compact phase modulators based on index and loss modulation in ring resonator cavities

Номер патента: US20230296956A1. Автор: Michal Lipson,James Hone,Sang Hoon Chae,Ipshita Datta. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2023-09-21.

Temperature-sensitive composite for photonic crystals

Номер патента: RU2533812C1. Автор: Шон ПАРДИ,Элдон Л. ДЕКЕР,Ноэль Р. ВАНЬЕР,Стюарт Д. Хеллринг,Грегори Дж. МакКОЛЛАМ,Сянлин СЮЙ. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2014-11-20.

Silicon chip with refractive index gradient for optical communication

Номер патента: US09829663B2. Автор: Benjamin William MILLAR. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

T-shape polarization beam splitter based on photonic crystal waveguide

Номер патента: US20140355927A1. Автор: XIN Jin,Zhengbiao OUYANG. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-04.

Photonic crystal resonator apparatus with improved out of plane coupling

Номер патента: WO2006017485A3. Автор: Laura Mirkarimi,Mihail Sigalas,Annette Grot. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-06-15.

Optical Fibers Functionalized with Photonic Crystal Resonant Optical Structures

Номер патента: US20150378054A1. Автор: Jelena Vuckovic,Gary Shambat. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2015-12-31.

Complex three-dimensional multi-layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09958581B2. Автор: Tae Wan Kim,Seung Joon Baek,Han Eol LIM,Se Jin Choi. Владелец: Minuta Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Photonic crystal resonator apparatus with improved out of plane coupling

Номер патента: WO2006017485A2. Автор: Laura Mirkarimi,Mihail Sigalas,Annette Grot. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-02-16.

Three-dimensional photonic crystal add-drop filter

Номер патента: US20030210857A1. Автор: Mihail Sigalas. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-11-13.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Two-Dimensional Photonic Crystal Resonator

Номер патента: US20070297722A1. Автор: Takashi Asano,Susumu Noda,Yoshihiro Akahane,Bong-Shik Song. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Integrating element for optical fiber communication systems based on photonic multi-bandgap quasi-crystals having optimized transfer functions

Номер патента: WO2003093876A2. Автор: Vladimir Yankov,Andrei Talapov,Sergey Babin,Leonid Polonskiy,Alexander Goltsov,Michael Spector,Anatoli Morozov,Natalya Polonskaya. Владелец: Vyoptics, Inc.. Дата публикации: 2003-11-13.

Integrating element for optical fiber communication systems based on photonic multi-bandgap quasi-crystals having optimized transfer functions

Номер патента: WO2003093876A3. Автор: Vladimir Yankov,Andrei Talapov,Sergey Babin,Leonid Polonskiy,Alexander Goltsov,Michael Spector,Anatoli Morozov,Natalya Polonskaya. Владелец: Vyoptics Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Spatial light modulator based on metamaterial structure and preparation method thereof

Номер патента: US9547185B2. Автор: Qin Chen,Shichao SONG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Spatial light modulator based on metamaterial structure and preparation method thereof

Номер патента: US09547185B2. Автор: Qin Chen,Shichao SONG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Photonic crystal composites with variable structural color and manufacturing method thereof

Номер патента: US12025860B2. Автор: Ji Hyun Park,Sung Youl Cho,Ki Bum Jang,Hae Nyoung LEE. Владелец: YKMC Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Photonic crystal composites with variable structural color and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230103506A1. Автор: Ji Hyun Park,Sung Youl Cho,Ki Bum Jang,Hae Nyoung LEE. Владелец: YKMC Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Adjustable Optical Switch Based on PLZST Antiferroelectric Photonic Crystal, and Adjusting and Control Method thereof

Номер патента: US20210223579A1. Автор: Zhu Li,Hu Tao,Huang Yong,TAN Jianjun,Sun Xianbo,YI Jinqiao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Broadband radiation generator based on hollow-core photonic crystal fibers

Номер патента: KR20230061399A. Автор: 로날트 프란시스퀴스 헤르만 휘허르스,안드레아스 요하네스 안토니우스 브라운스,존 콜린 트래버스,페데리코 벨리,말테 크리스티안 브람스. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2023-05-08.

Broadband radiation generator based on hollow core photonic crystal fiber

Номер патента: CN116057462A. Автор: J·C·崔佛斯,F·贝里,M·C·布拉姆斯,A·J·A·布朗司,罗纳德·弗兰西斯克斯·赫尔曼·休格斯. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2023-05-02.

Method for controlling slow light rainbow based on magneto-optical photonic crystal waveguide

Номер патента: CN110543058B. Автор: 李志远,陈剑锋,梁文耀. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-11-24.

Cross-shaped infrared polarized light bridge based on photonic crystal waveguide

Номер патента: US09784915B2. Автор: XIN Jin,Zhengbiao OUYANG,Quanqiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-10.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Photonic topological duplexer based on coupled topological waveguides

Номер патента: US20240319439A1. Автор: Fei Gao,Xinrong XIE. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-09-26.

Fibre-optic strain gauge based on compound photonic crystal plate elements, system and method for producing and use

Номер патента: RU2617913C2. Автор: Майкл А. КАРРАЛЕРО,Ти Ааби ЛАРСЕН,Прийя МАРАТУКУЛАМ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2017-04-28.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Photonic crystal sensors with integrated fluid containment structure

Номер патента: CA2668943C. Автор: Brian T. Cunningham,Charles Choi. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2012-07-24.

Wide-range infra-red-reflection and ultra-violet-cut transparent filters based on magnetically responsive photonic crystals

Номер патента: US20170003424A1. Автор: Ruxandra Vidu,Pieter Stroeve,Masoud RAHMAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-01-05.

Wide-range infra-red-reflection and ultra-violet-cut transparent filters based on magnetically responsive photonic crystals

Номер патента: WO2015106277A1. Автор: Ruxandra Vidu,Pieter Stroeve,Masoud RAHMAN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-07-16.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Photoelectric hybrid device based on glass waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240288644A1. Автор: Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multifunctional self-sustained hosting apparatus and related bidirectional optical sub assembly based on photonic integrated circuit

Номер патента: US20240272383A1. Автор: António Luís JESUS TEIXEIRA,Francisco Manuel RUIVO RODRIGUES,Nuno Ricardo PEREIRA BASTOS,Hugo Daniel BARBOSA NETO,Yahya SHEIKHNEJAD,Pedro Nuno LOPES SILVA. Владелец: Picadvanced SA. Дата публикации: 2024-08-15.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Gas Cell Based on Hollow-Core Photonic Crystal Fiber and its Application for the Detection of Greenhouse Gas: Nitrous Oxide

Номер патента: US20180275048A1. Автор: DAS Gautam. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

OPTICAL FIBERS BASED ON A RING PHOTON CRYSTAL

Номер патента: RU2002113650A. Автор: Джеймс А. ВЕСТ,Джеймс А. ВЕСТ (US). Владелец: Корнинг Инкорпорейтед (US). Дата публикации: 2004-02-10.

Broadband mode division multiplexer based on three-core photonic crystal fiber

Номер патента: CN113466988B. Автор: 李曙光,王璐瑶,王晓凯,郭英,马欣欣,李建设,李增辉,卢辉斌,孟潇剑,丁钰鑫. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-06.

Broadband mode division multiplexer based on three-core photonic crystal fiber

Номер патента: CN113466988A. Автор: 李曙光,王璐瑶,王晓凯,郭英,马欣欣,李建设,李增辉,卢辉斌,孟潇剑,丁钰鑫. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-01.

Light guide plate structure and light-guide-plate manufacturing method thereof

Номер патента: US20140133182A1. Автор: Yen-Chang Chen,Hsin-Cheng Ho,Liang-Yu Yao. Владелец: Darfon Electronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Transflective liquid crystal panel, display device, array substrate, color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09513506B2. Автор: HUI Li,Zhiqiang Xu,Hyun Sic CHOI,Yoon Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Bilayer photonic crystal photoswitch thin-film device and preparation method thereof

Номер патента: US20230003993A1. Автор: Wei Ma,Yong Qi,Bingtao Tang,Suli Wu,Shufen Zhang,Wenbin NIU. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-01-05.

Graphene-based optical bistable device with ternary photonic crystal structure

Номер патента: US20240353591A1. Автор: Wei Chen,Lixia Yang,Weisen Li,Qingqing Deng. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-24.

Resonant cavity conditioning for improved nonlinear crystal performance

Номер патента: WO2014085339A1. Автор: Igor Germanenko,Stephen Friberg,Marc Shiraki. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: Ting-Jui Chang,Po-Lun Chen,Ming-Feng Tien,Jenn-Jia Su,Chia-Jung Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-25.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

ARRAY SUBSTRATE STRUCTURE AND DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130258265A1. Автор: LEE Te-Yu,LIU Yu-Tsung. Владелец: InnoLux Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Anisotropic conductive film, bonding structure, and display panel and preparation method thereof

Номер патента: CN105493204A. Автор: 李红,黄维,陈立强. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Device and method based on photon structures for use in obtaining luminescent images of sites within pixel

Номер патента: RU2731841C2. Автор: Юрай ТОПОЛАНЦИК,Чэн Фрэнк ЧЖУН. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-09-08.

Metallic dielectric photonic crystals and methods of fabrication

Номер патента: US09837953B2. Автор: Sang-Gook Kim,Jeffrey Brian Chou. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-12-05.

Metallic dielectric photonic crystals and methods of fabrication

Номер патента: US09523152B2. Автор: Sang-Gook Kim,Jeffrey Brian Chou. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-12-20.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Metallic dielectric photonic crystals and methods of fabrication

Номер патента: WO2015035127A1. Автор: Sang-Gook Kim,Jeffery Brian CHOU. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-03-12.

Photonic crystal-metallic structures and applications

Номер патента: WO2011150231A3. Автор: James R. Baker,Lingjie Jay Guo,Theodore B. Norris,Nils G. Walter,Yunbo Guo. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-04-05.

Photonic crystal device

Номер патента: EP2326973A1. Автор: Andre Arsenault. Владелец: Opalux Inc. Дата публикации: 2011-06-01.

Color-conversion photonic crystal structure and color-conversion photonic crystal sensor using same

Номер патента: US20200255565A1. Автор: Seo Hyun Jung,Jong Mok Park,Ho Youl Kong,Ja Young BAE. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2020-08-13.

Photonic crystal-metallic structures and applications

Номер патента: WO2011150231A4. Автор: James R. Baker,Lingjie Jay Guo,Theodore B. Norris,Nils G. Walter,Yunbo Guo. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-06-07.

Device and method for neural-network based on-chip spectroscopy using a plasmonic encoder

Номер патента: US20220121940A1. Автор: Aydogan Ozcan,Yair Rivenson,Calvin Brown,Artem Goncharov,Zachary Ballard. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-04-21.

Double-lens structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09513411B2. Автор: Han-Lin Wu,Yu-Kun Hsiao,Yueh-Ching CHENG. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Photonic crystal fiber coupler and fabricating method thereof

Номер патента: US20040161199A1. Автор: Sung-Koog Oh,Mun-Hyun Do,Byeong-ha Lee,Un-Chul Paek,Jin-Chae Kim,Joo-Beom Eom,Dae-Seung Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-19.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Photolithography alignment mark structures, semiconductor structures, and fabrication method thereof

Номер патента: US9620458B2. Автор: BoXiu CAI,Yi Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Photonic chips with one sided optical ports self aligned to bifurcated fibers for the label free detection of biolomecular reactions through the use of integrated interferometers and resonators

Номер патента: EP3532825A1. Автор: Konstantinos Misiakos,Ioannis Raptis,Alexandros SALAPATAS. Владелец: National Center for Scientific Research Demokritos. Дата публикации: 2019-09-04.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210020868A1. Автор: Hisao Ikeda,Kensuke Yoshizumi,Tomoya Aoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Electronic device and method for displaying modification of virtual object and method thereof

Номер патента: US20240233274A9. Автор: HwaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Pixel structure for transflective LCD panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20070058117A1. Автор: Liang-Neng Chien. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-03-15.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Motherboard, array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09461074B2. Автор: Xu Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Color electrophoretic display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09454058B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Photonic-crystal resonators for spontaneous optical-pulse generation

Номер патента: US20240248368A1. Автор: Scott B. Papp,Su-Peng Yu. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-07-25.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09581869B2. Автор: Seungwon Oh,Junhee Park,Taehoon Yoon. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-wavelength Sources based on Parametric Amplification

Номер патента: US20230114053A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Rafael R. Gattass,L. Brandon Shaw,Daniel L. Rhonehouse. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-04-13.

Variable-rate spray control system based on annular application structure and tree canopy volume calculation method thereof

Номер патента: US20240299966A1. Автор: Hui Liu,Xuan Zhang,Yue Shen,Yunpeng Duan,Jinming Chen. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786787B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Fluorescence immunoassay device based on integration of photonic crystal and magnetic beads

Номер патента: US20220260490A1. Автор: Yang Chen,Wen-Syang Hsu,Ying-Bin Wang,Cheng-Sheng Huang,Lin-Yun Su. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-08-18.

Fluorescence immunoassay device based on integration of photonic crystal and magnetic beads and method thereof

Номер патента: US11360026B2. Автор: Yang Chen,Wen-Syang Hsu,Ying-Bin Wang,Cheng-Sheng Huang,Lin-Yun Su. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-06-14.

Fluorescence immunoassay device based on integration of photonic crystal and magnetic beads and method thereof

Номер патента: US20190234876A1. Автор: Yang Chen,Wen-Syang Hsu,Ying-Bin Wang,Cheng-Sheng Huang,Lin-Yun Su. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-08-01.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

A gas cell based on hollow-core photonic crystal fiber and its application for the detection of greenhouse gas: nitrous oxide

Номер патента: CA2961847C. Автор: Gautam Das. Владелец: LAKEHEAD UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-30.

In-plane accelerometer based on rotating folding beam and nano optical resonant cavity and method

Номер патента: CN110329982B. Автор: 王学文,白剑,姚远,卢乾波,方卫栋. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2022-09-13.

Mobile terminal and touch coordinate predicting method thereof

Номер патента: US09933883B2. Автор: Byoungeul Kim,Yeongkyu Lim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Novel MOEMS (metal oxide semiconductor energy management system) double-shaft gyroscope based on two-dimensional photonic crystal cavity structure and processing method thereof

Номер патента: CN110631568A. Автор: 王浩,李锦辉,夏敦柱,王辛望. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

FLUORESCENCE IMMUNOASSAY DEVICE BASED ON INTEGRATION OF PHOTONIC CRYSTAL AND MAGNETIC BEADS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20190234876A1. Автор: Chen Yang,HUANG Cheng-Sheng,Hsu Wen-Syang,SU LIN-YUN,WANG YING-BIN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Image and segmentation label generative model for tree-structured data and application

Номер патента: US20230377156A1. Автор: Chao Liu,Han Zhang,Deli Wang,Zhaohui Wu,Nenggan Zheng. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-11-23.

Mobile terminal and touch coordinate predicting method thereof

Номер патента: EP2959366A1. Автор: Byoungeul Kim,Yeongkyu Lim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-12-30.

Structures and methods for rf de-embedding

Номер патента: US20120126792A1. Автор: Eric Thompson,Robert A. Groves,Ning Lu,Christopher S. Putnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

A kind of acoustic detector and method based on hollow-core photonic crystal fiber

Номер патента: CN108489597A. Автор: 陈荣,高原,周锋,杨晓芳,宋昊,王如刚,丁健云. Владелец: Yangcheng Institute of Technology. Дата публикации: 2018-09-04.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

SOI micro-loop photon biology sensor preparation methods based on 1-D photon crystal

Номер патента: CN107703056A. Автор: 王卓然,袁国慧,管磊,彭真明,彭芳草. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-02-16.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Variable-Rate Spray Control System Based On Annular Application Structure and Tree Canopy Volume Calculation Method Thereof

Номер патента: GB2616746B. Автор: Liu Hui,Zhang Xuan,SHEN Yue,CHEN Jinming,Duan Yunpeng. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-03-06.

Management system based on mobile communication available to manage a large number of content providers of one video playback contents App and method thereof

Номер патента: KR101407384B1. Автор: 박경근. Владелец: (주)액시스소프트. Дата публикации: 2014-06-20.

Based on Sn of equal value2+Dimethylbenzene gas sensor of NiO nano flower-like microballoons of gap doping and preparation method thereof

Номер патента: CN108152338A. Автор: 闫旭,高原,孙鹏,刘方猛,卢革宇,梁喜双,刘凤敏,高洪雨. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2018-06-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20220077158A1. Автор: Chen Tao,SHI ZhiCheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Decoder for increasing throughput using double buffering structure and pipelining technique and decoding method thereof

Номер патента: KR101433620B1. Автор: 조경래,공준진,채동혁,조남필,윤찬호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-25.

Semiconductor structure, and manufacturing method and control method thereof

Номер патента: US11871554B2. Автор: Tao Chen,Zhicheng Shi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Reproduction Device, Reproduction Method, Program, Program Storage Medium, Data Structure, and Recording Medium Fabrication Method

Номер патента: US20080267588A1. Автор: Motoki Kato,Shinobu Hattori,Ayako Iwase. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Playback device, playback method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN102572454A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Reproduction device, reproduction method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN101091385A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-12-19.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: EP1879385A4. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: WO2007077858A1. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-12.

X-ray detector having fabrication fault tolerant structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11737722B2. Автор: Ho Seok Lee,Chang Hyeuk Kim,Jin Woong Jeong,Seungman YUN. Владелец: Qpix Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Digital pcr chip with on-chip micro-slot array based on impedance detection and its manufacturing method

Номер патента: US20230285961A1. Автор: Bo Zhao,Yangfan XUAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-14.

Digital PCR chip with on-chip micro-slot array based on impedance detection and its manufacturing method

Номер патента: US11833509B2. Автор: Bo Zhao,Yangfan XUAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-12-05.

Scanning probe of atomic-force microscope with separable telecontrol nanocomposite emitting element based on upconverting and magnetic nanoparticles of core-shell structure

Номер патента: RU2716849C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2020-03-17.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Single-chip bridge-type magnetic field sensor and preparation method thereof

Номер патента: US09722175B2. Автор: Insik Jin,Xiaofeng Lei,James Geza Deak,Weifeng Shen,Songsheng Xue,Mingfeng LIU. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Diagnostic analytical system comprising DNA chips with thin-film transistor (TFT) elements

Номер патента: US7416841B2. Автор: Tatsuya Shimoda,Hisashi Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Diagnostic analytical method utilizing DNA chips with thin-film transistor (TFT) elements

Номер патента: US7741041B2. Автор: Tatsuya Shimoda,Hisashi Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

System on a chip with always-on component with powered-down configurations to process audio samples

Номер патента: US12117320B2. Автор: Brijesh Tripathi,Manu Gulati,Erik P. Machnicki,Michael F. Culbert,Jung Wook Cho,Timothy J. Millet,Joshua P. de Cesare,Anand Dalal,Shane J. Keil,Gilbert H. Herbeck. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Atomic-force microscope probe with programmable spectral portrait of radiating element based on quantum dots of core-shell structure

Номер патента: RU2635345C1. Автор: Владимир Анатольевич Линьков,Николай Владимирович Вишняков,Павел Владимирович Линьков,Юрий Владимирович Линьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2017-11-10.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for producing a plurality of measurement regions on a chip, and chip with measurement regions

Номер патента: US09735072B2. Автор: Heinz SCHOEDER,Markus Schieber. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM VETMEDICA GMBH. Дата публикации: 2017-08-15.

Microscopically structured polymer monoliths and fabrication methods

Номер патента: US09494865B2. Автор: Juan P Hinestroza,Huaning Zhu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-15.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US20230008075A1. Автор: Katherine H. Chiang,Hsin-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US12136517B2. Автор: Katherine H. Chiang,Hsin-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Signal Connector Positioning Structure and Signal Line Fabrication Method

Номер патента: US20210135391A1. Автор: Chin-Teng Hsu. Владелец: LIH YEU SENG INDUSTRIES Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Accelerometer structure including photonic crystal cavity

Номер патента: US11709178B2. Автор: Hengjiang Ren,Jie Luo. Владелец: Shenzhen Conjugate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Radiation sensor having photonic crystal structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09377542B1. Автор: Vivek V. Nagarkar,Bipin Singh,Hamid Sabet,Jules Gardener. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US7989154B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of semiconductor beta-voltaic cells manufacturing based on nickel-63 radionuclide

Номер патента: RU2715735C1. Автор: Сергей Михайлович Миронов,Владислав Яковлевич Панченко,Валерий Александрович Фирсов,Антон Валерьевич Лабозин,Алексей Борисович Дьячков,Михаил Алексеевич Поликарпов,Алексей Анатольевич Горкунов,Глеб Олегович Цветков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-03-03.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and system of reducing power consumption of system on chip based on analog-to-digital control circuitry

Номер патента: WO2009038645A1. Автор: Lewis Adams,Alan Herring. Владелец: Gainspan, Inc.. Дата публикации: 2009-03-26.

Method and system of reducing power consumption of system on chip based on analog-to-digital control circuitry

Номер патента: EP2188695A1. Автор: Lewis Adams,Alan Herring. Владелец: Gainspan Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190035879A1. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10600861B2. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for suppressing quantum noise in optical quantum memory based on protocol for reconstructing suppressed photon echo in resonator (embodiments)

Номер патента: RU2766051C1. Автор: Алексей Михайлович Желтиков,Андрей Борисович Федотов,Сергей Андреевич Моисеев,Константин Игоревич Герасимов,Мансур Марселевич Миннегалиев,Равиль Василевич Урманчеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2022-02-07.

Systems and methods for reducing leakage power of a system on chip with integrated thermoelectric cooling

Номер патента: EP3175317A1. Автор: Hee Jun Park,Rajat Mittal,Young Hoon Kang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-07.

Device and method for sorting semiconductor chip with potential failure risk

Номер патента: US20240222199A1. Автор: Myoungho Son,Gooyoung Kim,Youngseon Moon,Jueun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Video-encoding method and video-encoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure,and video decoding method and video-decoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: ZA201208460B. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min,Ii-Koo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

System for regulating the temperature of ic-chips with a fluid which is heated and cooled as a function of the fluid temperatures to and from heat exchangers for the ic-chips

Номер патента: EP1282828A2. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2003-02-12.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Address Range Encoding in System on a Chip with Securely Partitioned Memory Space

Номер патента: US20240289495A1. Автор: Krste Asanovic. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Video-encoding method and video-encoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09936216B2. Автор: Woo-Jin Han,Il-Koo Kim,Jung-Hye Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Sensor array chip with piezoelectric transducer including inkjet forming method

Номер патента: US09910015B2. Автор: Stuart M. Jacobsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Video-encoding method and video-encoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09712823B2. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min,Ii-Koo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Video-encoding method and video-encoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus using prediction units based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09565438B2. Автор: Woo-Jin Han,Il-Koo Kim,Jung-Hye Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Deep neural network slimming device and operating method thereof

Номер патента: US20230334321A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Su Woong Lee,Yongsik Lee,Wonyoung Yoo,Jong-Gook Ko,Juwon LEE,Da-Un JUNG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-10-19.

Photovoltaic and optoelectronic devices based on photon confinement effect

Номер патента: US12032881B2. Автор: Dawei Di,Qian Zhou,Yaxiao LIAN,Baodan ZHAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-09.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Error Management In System On A Chip With Securely Partitioned Memory Space

Номер патента: US20240303205A1. Автор: Shubhendu Sekhar Mukherjee,Yann Loisel,Krste Asanovic,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Debug In System On A Chip With Securely Partitioned Memory Space

Номер патента: US20240338221A1. Автор: Ernest Edgar,Yann Loisel. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Video-encoding method and video-encoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09942564B2. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Video-encoding method and video-encoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09654790B2. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Video-encoding method and video-encoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure, and video-decoding method and video-decoding apparatus based on encoding units determined in accordance with a tree structure

Номер патента: US09485511B2. Автор: Woo-Jin Han,Jung-Hye Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and apparatus for managing fabric supplier terminals and fabric buyer terminals using a plurality of neural network

Номер патента: US20240242256A1. Автор: Gyu Ri PARK,Woo Sig JUNG. Владелец: Npti Global Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Capacitive biosensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20220196586A1. Автор: Chien-Hsun Wu,Cheng-Ping Chang,Chien-Hui Li,Tai-I Yang,Yung-Hsiang Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

System and method for detecting room occupancy with beamforming microphone arrays

Номер патента: EP3841436A1. Автор: Miguel Galvez,Walter A. Martin,Danny Hyun. Владелец: Sensormatic Electronics LLC. Дата публикации: 2021-06-30.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

System and method for detecting room occupancy with beamforming microphone arrays

Номер патента: WO2020041094A1. Автор: Miguel Galvez,Walter A. Martin,Danny Hyun. Владелец: SENSORMATIC ELECTRONICS, LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

System and method for software development using graphical tree structures

Номер патента: US09703535B2. Автор: Kirsten Ingmar Heiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Substrate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09605337B2. Автор: I-Chung Hsu,Kuo-Shu Hsu,Changqing Gao,Ting-Hsiang Lee,Guowei Zeng. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

System and method for software development using graphical tree structures

Номер патента: US09524150B2. Автор: Kirsten Ingmar Heiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

On-chip quantum computers based on classical synthesizable digital circuits

Номер патента: US20240020566A1. Автор: Olga Vlasova. Владелец: Eonum Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit chip with 2d field-effect transistors and on-chip thin film layer deposition with electrical characterization

Номер патента: WO2023164157A1. Автор: Kiana Aran,Brett Goldsmith,Jeffrey TAULBEE. Владелец: Cardea Bio, Inc.. Дата публикации: 2023-08-31.

Polymer or Resist Pattern, and Metal Film Pattern, Metal Pattern and Plastic Mold Using the Same, and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20080182081A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-07-31.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: EP1943667A1. Автор: Jin-Wan Dept. of Electr. Eng.Comp. Science JEON,Jun-Bo Dept. of Electr. Eng. Computer Science of KAIST YOON,Koeng Su Dept. of Electr. Comp. Science of KAIST LIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-07-16.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2007052978A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-05-10.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: EP1943667A4. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-14.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods and apparatuses for noise reduction based on time and frequency analysis using deep learning

Номер патента: US11810586B2. Автор: Ki Jun Kim,JongHewk PARK. Владелец: Line Plus Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827A. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-06-19.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827B1. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-10-11.

Obstacle segmentation network based on usv and generation method therefor

Номер патента: ZA202210652B. Автор: Xinxin Huang,Weina Zhou. Владелец: Univ Shanghai Maritime. Дата публикации: 2024-09-25.

Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09705075B2. Автор: Tae Young Lee,Sang Ho Lim,Seong Rae Lee,Dong-Su Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Photographing device, control method thereof, and program

Номер патента: US20240004978A1. Автор: Sho Kato,Jin TASHIRO,Tomoya HAYASE. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Vcsel and vcsel chip with small divergence angle and light source for lidar system

Номер патента: US20240030682A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Data carrier comprising an implanted module based on a metal lead frame with a double-sided chip cover

Номер патента: EP1002296A1. Автор: Stefan Posch,Thomas Riener. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-05-24.

Communication device, test system and test method thereof

Номер патента: US20140359384A1. Автор: Xiangxin Gu,Mingwei Zhang,Liangliang LUO,Shijun CUI. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Photographing device, control method thereof, and program

Номер патента: EP4287106A1. Автор: Sho Kato,Jin TASHIRO,Tomoya HAYASE. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Control apparatus, adjusting method thereof, lithography apparatus, and article manufacturing method

Номер патента: US20230176548A1. Автор: Masahiro Ito,Yuji Ishii,Hiroshi Morikawa,Takumi Hashimoto,Tomoyasu Hata,Yasunobu Asakura,Hirokazu Kusayanagi,Yuuya Inomata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Half tone mask and fabricating method

Номер патента: WO2010074481A3. Автор: Joo Hyun Hwang,Jin Ho HONG,Seung Ho Back,Seung Han Kang. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-16.

Supplemental enhancement information messages for neural network based video post processing

Номер патента: US20200304836A1. Автор: Yiming Li,Shan Liu,Xiaozhong Xu. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20210295353A1. Автор: Sangmin Lee,Yongkuk You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems of neural networks compression and methods thereof

Номер патента: WO2022251317A1. Автор: Bo Yuan,Miao YIN. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2022-12-01.

Photodetector with a Resonant Cavity

Номер патента: CA2116257A1. Автор: George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Neil Edmund James Hunt. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-10-31.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device for controlling external device based on occupant monitoring system, and method thereof

Номер патента: US12119957B2. Автор: Juyeon You,Yongjun Lim,Jinah Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

High-temperature chip with high stability

Номер патента: US09829390B2. Автор: Karlheinz Wienand,Margit Sander,Matsvei ZINKEVICH. Владелец: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2017-11-28.

Sensor element based on magneto-thermoelectric effect, and realizing method thereof

Номер патента: US09797962B2. Автор: Guoqing Di. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

Touch screen and fabrication method thereof

Номер патента: US09772707B2. Автор: Xiaomin Liu,Ting Zhou. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US09691497B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Chip with I/O pads on peripheries and method making the same

Номер патента: US09633960B2. Автор: Chi-Chou Lin,Zheng-Ping HE. Владелец: Sunasic Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Array crystal module and fabrication method thereof

Номер патента: US09599726B2. Автор: CHEN ZENG,Qingguo Xie,Daoming XI. Владелец: Raycan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and apparatus for selecting an operating mode based on a determination of the availability of internal clock signals

Номер патента: US09479361B2. Автор: William C. Waldrop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

System and method for improving request for creating distributed group of resources based on time delay

Номер патента: RU2760243C2. Автор: Цзиньлинь ВАН,Ицян ШЭН,Ган ЧЭН,Сяочжоу Е,Хаоцзян ДЭН,Линфан ВАН. Владелец: Бэйцзин Хили Текнолоджи Ко. Лтд.. Дата публикации: 2021-11-23.

FPGA chip with protected JTAG interface

Номер патента: US11941133B2. Автор: Siung Siew Liew,Khai Chiah Chng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-03-26.

Light source chip and a thermally assisted head with the same, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20130258823A1. Автор: Hideki Tanzawa,Ryuji Fujii,Yasuhiro Konakawa,Tai Boon Lee. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US11991496B2. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Application System for Open Geospatial Consortium Data Conversion Standardization and Method Thereof

Номер патента: AU2021200531A1. Автор: Shiang CHARNG,Chyi Cheng Lin. Владелец: Mitac Information Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

System and method for designing and fabricating physical products for industrial purposes

Номер патента: US20220391560A1. Автор: Saad Rajan,Vivek Haligeri Veerana. Владелец: Naya Studio Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20220386019A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Automated fabrication price quoting and fabrication ordering for computer-modeled structures

Номер патента: US20210133788A1. Автор: James L Jacobs,Steven M Lynch. Владелец: Proto Labs Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for hierarchical propagation in tree structures and devices thereof

Номер патента: US20240248914A1. Автор: Richard Jernigan,Keith Bare,Bill Zumach. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Electrical lead structures for magnetoresistive sensors for magnetic heads and fabrication method therefor

Номер патента: US20050024795A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Michael Parker. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-02-03.

Chip with IDE host and IDE slave and corresponding self-debugging function

Номер патента: US20060123140A1. Автор: Roy Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-06-08.

Zero-Poisson-Ratio Honeycomb Structure And Interlocking Assembly Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220339892A1. Автор: WEI QIAN,Wen Zhang,Fei Gao,Rui Yang,Junlong WANG,Shiyong SUN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-10-27.

Antifouling coating film and manufacturing method thereof, antifouling coating film addition receiving structure, and antifouling tape and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102445003B1. Автор: 소이치로 다니노. Владелец: 주고꾸 도료 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-19.

Diffusion barrier structure, and conductive laminate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200101699A1. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-04-02.

Small-space swinging and convex-beating structure and swinging and convex-beating method thereof

Номер патента: CN110756667A. Автор: 张勇,陈利,郭宏林. Владелец: FINEFORMING PRECISION ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Flow-guide-type composite wall board comprising foamed structure and prefabricated parts, and manufacture method thereof

Номер патента: PH12015501016A1. Автор: SHAO Feng,Zhao LianFang,Kang Baohua,Liang Guocheng. Владелец: Shenyang yuanda science and technology park co ltd. Дата публикации: 2015-07-27.

Catalytic cracking catalyst containing molecular sieve with Y and BEA structures and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN112473731A. Автор: 王鹏,宋海涛,孙敏,林伟,王丽霞. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2021-03-12.

Nerve electrode structure and implantation method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114699087B. Автор: 方英,王晋芬,管寿梁. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2023-01-10.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498A. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Packaging bag heat sealing structure and production device and technological method thereof

Номер патента: CN112960203A. Автор: 吕庆,金昌飞,余凌云,陈懂华,汪胜启. Владелец: Anqing Hengchang Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Diffusion barrier structure, and conductive laminate and manufacturing method thereof

Номер патента: US11331883B2. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-17.

Bio-iron-based alloy with optimized tissue structure and accelerated degradation and preparation method thereof

Номер патента: CN110699607A. Автор: 高成德,帅词俊. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-17.

Ceramic plate with net-shaped structure and production device and production method thereof

Номер патента: CN113771198A. Автор: 常松,许建方,胡继成,周杭阳,雷应飞,王之本. Владелец: Zhejiang Jinze Energy Saving Building Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498B. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Paper disc taking and placing manipulator with inner centering structure and control system and control method thereof

Номер патента: CN107932497B. Автор: 吴晓,李慧,董宁,堵俊,白祥,吴加莹,王梓州,顾燕辉,谢茂良. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-12-04.

The gold nano superlattice structure and its self-assembly preparation method thereof of a kind of close coupling

Номер патента: CN107699954A. Автор: 刘红,张海斌. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-16.

Vertical light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09666757B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Jianjian YANG,Chih-Wei Chao,Shunping Chen,Daquan Lin. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Bump structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105702A1. Автор: Chanho LEE,Hyunsoo Chung,lnyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A2. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A3. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Llc resonant topology control circuit based on flyback chip

Номер патента: US20230327563A1. Автор: Huiteng HUANG,Zhuanhong WU,Jiafei LIN. Владелец: Shenzhen Fahold Electronic Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device having hard mask structure and fine pattern and forming method thereof

Номер патента: US09437444B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Ho-Jin Jung,Jun-Hyeub Sun,Chun-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

A kind of illuminating source based on three-dimensional photon crystal structure

Номер патента: CN107170877A. Автор: 王南,孙智江. Владелец: Haidike Nantong Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-15.

DISPERSION ELEMENT OF A DEVICE FOR COMPRESSING LASER PULSES BASED ON A PLANAR PHOTON-CRYSTAL STRUCTURE (OPTIONS)

Номер патента: RU2002130193A. Автор: Сергей Анатольевич Кучинский,Леонид Андреевич Нестеров. Владелец: Ооо "Корнинг". Дата публикации: 2004-05-10.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Solar spectrum light splitting-heat absorbing film based on one-dimensional photonic crystal heterostructure

Номер патента: CN111987181B. Автор: 张倩,曹峰,魏东,刘一杰,伍作徐. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-01-11.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: EP4132892A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A3. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2021-10-14.

Exercise performance evaluation device that provides a user's exercise performance evaluation function based on the performance of exercise goal by exercise intensity for each of the plurality of exercise devices and operating method thereof

Номер патента: KR102234700B1. Автор: 이진형,이민. Владелец: 주식회사 한컴엔플럭스. Дата публикации: 2021-04-01.

PACKAGING STRUCTURE, AND FORMING METHOD AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210098426A1. Автор: WANG Chaohong,YANG Ke,LENG Hanjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

CARRIER STRUCTURE AND DRUG CARRIER, AND PREPARING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200179286A1. Автор: WANG Chung-Hao,YANG SHU-JYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

SCHOTTKY ELECTRODE STRUCTURE AND SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200212196A1. Автор: Zhu Tinggang,Zhang Tingting,LI YIHENG. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HARD MASK STRUCTURE AND FINE PATTERN AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140322915A1. Автор: Jung Ho-Jin,Lee Chun-Hee,Sun Jun-Hyeub,LEE Sung-Kwon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-30.

Wiring structure and semiconductor device and production methods thereof

Номер патента: WO2007032563A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Tsuneo Takeuchi,Fuminori Itou. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2007-03-22.

Carburized gear with uniform structure and refined grains and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111334722A. Автор: 王珏,孙建宇,赵灿,杨周,刘凯旋,毛向阳,赵秀明,汪杨鑫,冯宇阳. Владелец: Nanjing Institute Of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

Base island exposed type and embedded type base island lead frame structure and first-engraving last-plating method thereof

Номер патента: CN101853832A. Автор: 梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Regulate and control high-strength high-plastic heat resistance magnesium alloy of LPSO structures and nanoprecipitation phase and preparation method thereof

Номер патента: CN107058924A. Автор: 刘欢,宋丹,杨晓伟,李程,马爱斌,江静华,孙甲鹏. Владелец: MARINE AND OFFSHORE ENGINEERING INSTITUTE OF HOHAI UNIVERSITY NANTONG. Дата публикации: 2017-08-18.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577131B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-10.

Composite of glass fiber with hierarchical structure and metallic lithium and preparation method thereof

Номер патента: CN111613773A. Автор: 许晓雄,张秩华,崔言明,黄园桥,詹盼. Владелец: Zhejiang Funlithium New Energy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577132B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-09.

DBC substrate frame structure and forming jig and forming method thereof

Номер патента: CN113284871A. Автор: 史波,肖婷,杨景城. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

Inverted step type vertical shaft structure and blowout reducing and avoiding method thereof

Номер патента: CN111705839B. Автор: 张宇,徐鹏,赵宇航,王小东,王芳芳,高昂,何建明,崔鹏飞,俞雷,杨倩倩,吴时强,吴修锋,戴江玉,黄标,徐准,沙海明,杜庭宝,樊顾飞. Владелец: Nanjing Hydraulic Research Institute of National Energy Administration Ministry of Transport Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2021-09-21.

Chain type mesh capacitor structure and construction method and layout method thereof

Номер патента: CN114023720A. Автор: 王锐,李建军,王亚波,莫军,裴增平. Владелец: Unicmicro Guangzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Schottky electrode structure and schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200212196A1. Автор: Tingting ZHANG,TingGang Zhu,Yiheng Li. Владелец: Jiangsu Corenergy Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Improved processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co)polymers having useful structures and properties

Номер патента: EP0861272A4. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Scott G Gaynor,Dorota Greszta,Timothy E Patten,Jin-Shan Wang. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 1999-02-10.

Improved processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co)polymers having useful structures and properties

Номер патента: WO1997018247A1. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Dorota Greszta,Jin-Shan Wang,Scott G. Gaynor,Timothy E. Patten. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-05-22.

Processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co) polymers having useful structures and properties

Номер патента: US5807937A. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Dorota Greszta,Jin-Shan Wang,Scott G. Gaynor,Timothy E. Patten. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 1998-09-15.

Improved processes based on atom (or group) transfer fadical polymerization and novel (CO) polymers having useful structure and properties

Номер патента: CN1134460C. Автор: ,K·马特加泽斯基,S·克卡,S·G·盖诺,D·格里茨塔,T·E·佩藤,J-S·王,J·夏. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-01-14.

Assembly type steel-concrete combined cast-in-place structure and on-site integral casting method thereof

Номер патента: CN111997183A. Автор: 杨琦,辛力,史生志. Владелец: China Northwest Architecture Design and Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-27.

Improved processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co)polymers having useful structures and properties

Номер патента: CA2237055A1. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Dorota Greszta,Jin-Shan Wang,Scott G. Gaynor,Timothy E. Patten. Владелец: Timothy E. Patten. Дата публикации: 1997-05-22.

A kind of gradual approaching A/D converter structure and low power consumption switch method thereof

Номер патента: CN106301364A. Автор: 陈超,黄�俊,黄成�,李红,吴建辉. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-04.

Improved processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co) polymers having useful structures and properties

Номер патента: EP1555273A1. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Dorota Greszta,Jin-Shan Wang,Scott G. Gaynor,Timothy E. Patten. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-07-20.

Improved processes based on atom (or group) transfer radical polymerization and novel (co) polymers having useful structures and properties

Номер патента: EP1555273B2. Автор: Krzysztof Matyjaszewski,Jianhui Xia,Simion Coca,Dorota Greszta,Jin-Shan Wang,Scott G. Gaynor,Timothy E. Patten. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-09-17.

Reading circuit structure and working time sequence control method thereof

Номер патента: CN111263090B. Автор: 何学红,杨海玲,严慧婕,金毓奇,连夏梦. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Marine engineering fan foundation single-pile scouring protection structure and scouring depth reduction calculation method thereof

Номер патента: CN111576470A. Автор: 杨帆,范成,屈丽丽,娄晓帆. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-08-25.

Cable-stayed bridge tower beam installation structure and space-ectopic interactive construction method thereof

Номер патента: CN114108475B. Автор: 刘勇,陈晓杰,司松闯,赵海江,于松聆,张留军,张徐鑫. Владелец: PowerChina Roadbridge Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

Organic light-emitting diode with superlattice structure and it's fabrication method

Номер патента: KR100787930B1. Автор: 이용균,박태진,진 장. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-12-24.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09692015B2. Автор: Jun-Hyuk Choi,Jang-Joo Kim,Jun-Ho Jeong,Ki-Don Kim,Jong-youp Shim,Dae-Geun Choi,Eung-Sug Lee,So-Hee Jeon,Jae-R. Youn. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-06-27.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of creating regenerable biosensor based on photonic crystal complex with affinity molecules

Номер патента: RU2618606C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Довженко,Регина Станиславовна Билан,Павел Сергеевич Самохвалов,Кирилл Владимирович Вохминцев,Алена Владимировна Суханова,Игорь Руфаилович Набиев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2017-05-04.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Laser-induced graphene device built on wood, and fabrication method thereof

Номер патента: US20240190035A1. Автор: Young-Jin Kim,Seung-Woo Kim,Younggeun LEE,Dongwook YANG,Han Ku NAM,Youngryeul KIM,Le Dinh Truong SON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-13.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Lab-on-a-chip fabrication method and system

Номер патента: US09815054B2. Автор: Terje Rosquist TOFTEBERG,Erik Andreassen,Michal Marek MIELNIK. Владелец: SINTEF TTO AS. Дата публикации: 2017-11-14.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of creating porous luminescent structures based on phosphors embedded in photonic crystal

Номер патента: RU2700875C2. Автор: Дмитрий Сергеевич Довженко,Константин Евгеньевич Мочалов,Владимир Александрович Олейников,Игорь Леонидович Мартынов,Геннадий Евгеньевич Котковский,Александр Александрович Чистяков,Дарья Олеговна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии науки (ИБХ РАН). Дата публикации: 2019-09-23.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

LED chip with integrated electromechanical switch

Номер патента: US10249795B2. Автор: Peter van Delft,Theodorus Johannes Petrus Van Den Biggelaar,Bob Bernardus Anthonius THEUNISSEN,Harald Josef Guenther Radermacher. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-04-02.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for modification of photonic crystal on the basis of nanostructured porous anode oxide of aluminum

Номер патента: RU2665498C1. Автор: Татьяна Николаевна Беляева,Евгений Николаевич Козырев,Роман Олегович Аскеров,Валентина Ивановна Филоненко,Владимир Харитонович Сабанов,Георгий Олегович Гордеев,Джульетта Джемалиевна Ванеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2018-08-30.

Hand-held nucleic acid detection apparatus equipped with microfluidic chip, and use method thereof

Номер патента: US20230383222A1. Автор: Linbo Liu,Xiwen Jiang,Junjie Li,Haitao Shu. Владелец: DAAN GENE Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Structures and methods to enable a full intermetallic interconnect

Номер патента: US09911711B2. Автор: Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Composite aerogel based on graphdiyne motif arrangement and preparation method thereof

Номер патента: US20240228297A1. Автор: Yue Zhang,XIAO Hu,YIFAN Zhao,Zhuo Kang,Shuang Hu,Zhaozhao Xiong,Kaikai MA,Fulong DAI,Yaxin PAN. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2024-07-11.

Noble metal-transition metal-based nano-catalyst thin film and preparation method thereof

Номер патента: US20230285953A1. Автор: Tao Zhu,Xiangchun LI,Junqing Meng,Baisheng Nie,Xianfeng Liu,Fanbei Kong. Владелец: China University of Mining and Technology Beijing CUMTB. Дата публикации: 2023-09-14.

Composite aerogel based on graphdiyne motif arrangement and preparation method thereof

Номер патента: US12071349B2. Автор: Yue Zhang,XIAO Hu,YIFAN Zhao,Zhuo Kang,Shuang Hu,Zhaozhao Xiong,Kaikai MA,Fulong DAI,Yaxin PAN. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2024-08-27.

Mems sensor and fabricating method therefor

Номер патента: EP4282811A1. Автор: Hai Chi,Xueqian Song,Yawei SONG. Владелец: Hangzhou Hikmicro Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Flexible substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20190229281A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Microfluidic chip with temperature control function, and photochemical micro-nano processing system and method

Номер патента: LU103273B1. Автор: Shichao SONG. Владелец: Univ Jinan. Дата публикации: 2024-10-03.

Control system of damper of variable-air-volume air distributor and control method thereof

Номер патента: US12129010B2. Автор: CHEN Gu,Tong Xu,Bo Meng,Xinxin GU,Guozeng FENG,Guozhi BAO. Владелец: JIANGSU UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-29.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

MEMS structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09630837B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated chip with micro-electro-mechanical system and integrated circuit mounted therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US09334159B2. Автор: WEI Hu,Gang Li,Jia-Xin Mei,Rui-Fen Zhuang. Владелец: Memsensing Microsystems Suzhou China Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of continuous production of flexible structures and flexible structure

Номер патента: RU2394682C2. Автор: Марк ЛЕМПЕН. Владелец: ПЕННЕЛЬ э ФЛИПО. Дата публикации: 2010-07-20.

An adhesive sheet based on a siloxane-modified polyamideimide resin composition, and a CSP board and a semiconductor device produced by using the sheet

Номер патента: EP1496094A3. Автор: Kazumasa Takeuchi,Tetsuya Saito,Ken Nanaumi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-15.

Method for the productio of wet-formed particleboards based on an ecological binder

Номер патента: EP4331795A1. Автор: Radoslaw MIRSKI,Joanna WALKIEWICZ,Adam Derkowski. Владелец: Uniwersytet Przyrodniczy W Poznaniu. Дата публикации: 2024-03-06.

Color-tunable organic light emitting diode based on photonic crystal structure

Номер патента: US20230422540A1. Автор: Tae Geun Kim,Nahyun Kim,Il Gyu JANG. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor packages and fabrication method thereof

Номер патента: US09905535B2. Автор: In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Sensor-type semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20080105942A1. Автор: Tse-Wen Chang,Chien-Ping Huang,Cheng-Yi Chang,Chang-Yueh Chan. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Field emission flat lamp and fabricating method thereof, and cathode plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20070164652A1. Автор: Ming-Hung Lin,Biing-Nan Lin,Wei-Yi Lin,Chuan-Hsu Fu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Light projection chip for micro led and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352616A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Tingfang ZHANG. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Elastic hydrophilic non woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20230087906A1. Автор: Chin-San Huang. Владелец: Nan Liu Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Fabrics conformally coated with conjugated polymers, disposable health monitoring sensors using the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20220401002A1. Автор: Jung Joo SOHN,Sunghwan LEE,Hyeonghun KIM,Michael Vincent Clevenger. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-22.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Chip package and producing method thereof

Номер патента: US7388272B2. Автор: Yi-Chuan Ding. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-06-17.

Chip package and producing method thereof

Номер патента: US20060163704A1. Автор: Yi-Chuan Ding. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-07-27.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180269237A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Electronic package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240266335A1. Автор: Yih-Jenn Jiang,Wei-Son Tsai,Cheng-Kai Chang,Yi-Chieh Wang,Huan-Shiang Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Full-spectrum light-emitting diode (led) light source and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230070872A1. Автор: Jiwei Liu,Hongli SHI,Baoqing Pi. Владелец: Zhongshan Mulinsen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Integrated electronic structure and data communication between components of the structure

Номер патента: US20240105676A1. Автор: Erez Halahmi. Владелец: Zero Ec Sa. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor packaging structure and method for forming the same

Номер патента: US20240339423A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Led chip package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249557A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2021-08-12.

Electrode arrangement with 3D structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09967973B2. Автор: Sohee Kim,Namsun Chou. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09852976B2. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09842758B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09653428B1. Автор: Michael Kelly,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09543242B1. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

FinFET device and fabrication method thereof

Номер патента: US09514994B2. Автор: Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor chip fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20200098704A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Chip stack packaging structure and chip stack packaging method

Номер патента: US20230178514A1. Автор: Wei Zhao,Yao Wang,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yunzhi LING,Yinhua CUI,Zibai LI. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090206468A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Mechanism to support rrm measurement in new radio access system with beamforming

Номер патента: EP3485691A1. Автор: Yuanyuan Zhang,Chia-Hao Yu,Ming-Po CHANG,Li-Chuan Tseng. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: WO2002001623A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2002-01-03.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: EP1303872A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-04-23.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Method and apparatus for closed form singular value decomposition associated with beamforming in wireless networks

Номер патента: US20240106502A1. Автор: Ankit SETHI,Sudhir Srinivasa,Sayak Roy. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Preparation of one-way transport moisture management fabric based on material, fiber fineness, yarn structure and fabric structure

Номер патента: WO2024174252A1. Автор: Lei Yao,Hing-leung Chan,Ka-hei CHAN,Kit-shan NGAN,Ka-ho LI,Lap-yan YEUNG. Владелец: The Hong Kong Research Institute of Textiles and Apparel Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728412B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728411B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of processing porous implants based on metal materials

Номер патента: RU2699337C2. Автор: Сергей Владимирович Беликов,Юрий Николаевич Логинов,Степан Игоревич Степанов. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2019-09-04.

Light emitting device with light-altering material layer, and fabrication method utilizing sealing template

Номер патента: US20240055570A1. Автор: Peter Scott Andrews. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Light emitting device with light-altering material layer, and fabrication method utilizing sealing template

Номер патента: WO2024036152A1. Автор: Peter Scott Andrews. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Unitized laser chip with double topological structures

Номер патента: US20230411925A1. Автор: Junbin HUANG,Quanfei FU,Xiaoqin Tong. Владелец: Shenzhen Afalight Co ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Media for storing multispectral image and fabrication method thereof

Номер патента: US20240194720A1. Автор: Myeong Kyu LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Chip package structure with multiple gap-filling layers and fabricating method thereof

Номер патента: US12057363B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20010055893A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US20170110428A1. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US20150279794A1. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Additive for preparing suede on polycrystalline silicon chip and use method thereof

Номер патента: US09935233B2. Автор: Yuanyuan Zhang,Liming Fu. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Additive for preparing suede on monocrystalline silicon chip and use method thereof

Номер патента: US09705016B2. Автор: Liming Fu,Peiliang CHEN. Владелец: Changzhou Shichuang Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin field-effect transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09613868B2. Автор: Guobin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US09576923B2. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-02-21.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Internal gain semiconductor detector based on semi-insulating gallium arsenide and preparation method thereof

Номер патента: RU2586081C1. Автор: Олег Петрович Толбанов,Андрей Николаевич Зарубин,Антон Владимирович Тяжев,Анастасия Дмитриевна Лозинская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2016-06-10.

Extension of terminal pads to edge of chip with electrical insulation

Номер патента: RU2523777C2. Автор: Стефано СЧИАФФИНО,Тэл МАРГЭЛИТ,Генри Квонг-Хин ЧОЙ. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-07-20.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

External cavity laser comprising a photonic crystal resonator

Номер патента: EP3210266A1. Автор: Kapil DEBNATH,William WHELAN-CURTIN. Владелец: University of St Andrews. Дата публикации: 2017-08-30.

LED chips with irregular microtextured light extraction surfaces, and fabrication methods

Номер патента: US11894488B2. Автор: Peter Scott Andrews. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Chip molding structure, wafer level chip scale packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210287917A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Chip molding structure, wafer level chip scale packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3888122A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Photoelectric sensor and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240222415A1. Автор: Siriguleng ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Multichip stacking package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160240512A1. Автор: Diann-Fang Lin. Владелец: DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2016-08-18.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Carrier structure, packaging substrate, electronic package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170033027A1. Автор: Chang-Lun Lu,Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Light emitting diode package structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US8008100B2. Автор: Ming-Kuei Lin,Cheng-Yi Chang,Chih-Chia Tsai. Владелец: Everylight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12057520B2. Автор: Ke Wang,Shuang Liang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

CMOS Image Sensor Integrated with 1-T SRAM and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20070184571A1. Автор: Jinsheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Micro-connector structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060046552A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Light-emitting diode chip with electrical overstress protection

Номер патента: US20210336093A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester,Daniel E. Stasiw. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Electronic package and fabrication method thereof

Номер патента: US12107055B2. Автор: Yuan-Hung Hsu,Chi-Jen Chen,Chih-Hsun Hsu,Hsi-Chang Hsu,Don-Son Jiang,Rui-Feng Tai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240339402A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated structures of acoustic wave device and varactor, and acoustic wave device, varactor and power amplifier, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09905610B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Re Ching LIN,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Yung-Chung Chin,Chih-Feng Chiang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09842930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pang-Yen Tsai,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Carrier structure, packaging substrate, electronic package and fabrication method thereof

Номер патента: US09818635B2. Автор: Chang-Lun Lu,Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812388B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

OLED device with anode of silver nanowire and fabrication method thereof, display substrate

Номер патента: US09716244B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Organic light-emitting diode display and fabrication method thereof

Номер патента: US09640590B2. Автор: Chen-Yu Liu,Hsi-Chien Lin,Hung-Chieh Lu. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09601620B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Organic light-emitting display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09590177B2. Автор: Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Chia-Yang Lu,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Chien-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-07.

Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication method thereof

Номер патента: US09583664B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Nai ZHANG,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tuo SHI,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Surface-mounted light-emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US09537057B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Chih-Wei Chao,Shaohua Huang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Multichip stacking package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09412722B1. Автор: Diann-Fang Lin. Владелец: DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Electro-luminescence display panel and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09379332B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Renwei Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Composite heat insulation-ballast material based on wood wastes

Номер патента: RU2544194C1. Автор: Рушан Гареевич Сафин,Александр Николаевич Чемоданов,Сергей Якубович Алибеков,Юрий Аркадьевич Горинов,Ренат Харисович Гайнуллина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2015-03-10.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223720A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ta-wei Chiu,Ruei-Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20130119551A1. Автор: Hung-Chang Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Method and apparatus for generating a second steering matrix based on a first steering matrix for use in transmit beamforming of a packet in wireless communication

Номер патента: US9252860B1. Автор: Hongyuan Zhang,Ken Kinwah Ho,Ying-Cheng Lee,Timothy J. Donovan. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230402540A1. Автор: Lijie Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Oxide spacer HCG VCSELS and fabrication methods

Номер патента: US12068580B2. Автор: Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jipeng QI,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and production method thereof

Номер патента: US20030173664A1. Автор: Tsutomu Ohuchi,Fumiaki Kamisaki. Владелец: Ars Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor chip with chip outline of various shapes at wafer level

Номер патента: US20240266181A1. Автор: Taehyun Kim,Kwangyeul Choi. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240194797A1. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20240324224A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240371837A1. Автор: Peng-Yu Chen. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Small-sized vertical light emitting diode chip with high energy efficiency

Номер патента: US12062746B2. Автор: Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922834B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09786610B2. Автор: Hui-Chuan Lu,Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US09780195B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure including a substrate and a semiconductor chip with matching coefficients of thermal expansion

Номер патента: US09659881B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Rehabilitation device with pace pattern projecting function and seat structure and control method thereof

Номер патента: US09510992B2. Автор: Li-Chen Fu,Cheng-Hsien Lin,Chia-Ming Wang,Chung-Dial Lim,Shih-Huang Tseng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-06.

Wifi antenna selection with beamforming

Номер патента: US20200145163A1. Автор: Sigurd Schelstraete. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Solid oxide cell (soc) chip with double-electrolyte structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240014425A1. Автор: Jian Wu,Qiang Hu. Владелец: Zhejiang Zhentai Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Flip-chip light emitting diode chip and fabrication method

Номер патента: US10497837B2. Автор: Meijia Yang,Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Duxiang Wang,Weiping Xiong,Shu-fan YANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

A porous substrate and fabricating method thereof, and a fabricating method for thin film transistor

Номер патента: US20180294442A1. Автор: Fan TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Piezoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US20120319792A1. Автор: Hidenori Harima. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Antenna array codebook with beamforming coefficients adapted to an arbitrary antenna response of the antenna array

Номер патента: EP3815257A1. Автор: Venkatesh Ramireddy,Marcus Grossmann,Markus Landmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-05-05.

Flip-chip Light Emitting Diode Chip and Fabrication Method

Номер патента: US20180122994A1. Автор: Meijia Yang,Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Duxiang Wang,Weiping Xiong,Shu-fan YANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020041018A1. Автор: Heung-Kyu Kwon,Young-Hoon Ro,Jung-Hwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240234505A1. Автор: Hsu Ting,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Kuang-Hsiu Chen,Shou-Hung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Thermal insulation felt with thermal shock resistance and preparation method thereof

Номер патента: US20230193052A1. Автор: Wei Lu,Qiwei Lu,Sheng Guo,Zhenhua LIANG,Jingtao YAN,Yongchun SUN,Lingshuang XU. Владелец: Shanghai Guobo New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Electronic apparatus for controlling a plurality of electronic apparatuses through wireless communication and controlling method thereof

Номер патента: US11617071B2. Автор: Yongwook Kim,Kyungah CHANG,Sangjin Jeong,Mijo Kang,Jongjin KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-28.

LED chip with improved bonding strength and LED module using the LED chip

Номер патента: US10818830B2. Автор: Daewon Kim,Yelim Won. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Narrowband network base station and mobile station data transmission scheduling method thereof

Номер патента: US20190124676A1. Автор: LI Wan,Sheng-Chia Tseng,Ya-Ju YU,Yong-Shin HUANG. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2019-04-25.

Fan-out package structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240283132A1. Автор: Wei Zheng,Zhikuan Chen,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yingqiang YAN,Yunshi LING. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2024-08-22.

Package substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282590A1. Автор: Min-Yao CHEN,Andrew C. Chang. Владелец: Aaltosemi Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09793170B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon interposer, semiconductor package using the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US09748167B1. Автор: Ming-Tse Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of package structure with capacitor

Номер патента: US20240339369A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

D class amplifier chip with filling factor limitation function and its design

Номер патента: RU2598336C1. Автор: Шиндзюн ЦЗУО,Цзычхан ЯН,Биндзие ВУ. Владелец: Шенджен Скайуорс-Ргб Электроник Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-09-20.

Wafer level stack structure for system-in-package and method thereof

Номер патента: US20070257350A1. Автор: Gu-Sung Kim,Kang-Wook Lee,Young-hee Song,Se-Yong Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Multichip interconnecting packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030146A1. Автор: YUE Bao,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Jindong FENG,Yejie Hong,Guilin Zhu. Владелец: Nantong Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Solid oxide cell chip with double-electrolyte structure and preparation method

Номер патента: EP4243129A1. Автор: Jian Wu,Qiang Hu. Владелец: Zhejiang Zhentai Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Ultrafine-pitch all-copper interconnect structure and forming method thereof

Номер патента: US20240113068A1. Автор: Yu Zhang,Wenjun Huang,Chengqiang CUI,Guannan YANG,Ranyuan ZHANG,Junyu HE. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-04.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220344248A1. Автор: Tzyy-Jang Tseng,Kai-Ming Yang,John Hon-Shing Lau,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chi-Hai Kuo,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: EP3827610A1. Автор: Ankit DHANUKA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Electronic device for supporting non-terrestrial network and operation method thereof

Номер патента: US20240251279A1. Автор: Sunmin Hwang,Keonyoung LEE,Hyeyeon KONG,Minwoong CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: WO2020101153A1. Автор: Ankit DHANUKA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-22.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Electronic device comprising multiple subscriber identity modules and operation method thereof

Номер патента: US20230284304A1. Автор: Sanghyun Lee,Jungmin Oh,Sungjuhn Park,Yonghyon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

User equipment and serving cell performing communication based on new radio network, and operating methods thereof

Номер патента: US20230163931A1. Автор: Jungmin Park,Jonghyun Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Spacer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180337249A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Szu-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor chips with crack stop regions for reducing crack propagation from chip edges/corners

Номер патента: WO2009020911A1. Автор: Peter J. Brofman,Wolfgang Sauter,Thomas A. Wassick,Jon A. Casey,David L. Questad,Ian D. Melville. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-02-12.

Integrated structure of crystal resonator and control circuit and integration method therefor

Номер патента: US20220200568A1. Автор: Xiaoshan QIN. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp Shanghai Branch. Дата публикации: 2022-06-23.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Sheet for sintering bonding, sheet for sintering bonding with base material, and semiconductor chip with layer of material for sintering bonding

Номер патента: US20200294952A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Nitride light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US09929308B2. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method thereof for identifying and responding to security incidents based on preemptive forensics

Номер патента: US09888031B2. Автор: Gil BARAK,Shai MORAG. Владелец: Cyber Secdo Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US09741819B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method for two-way relaying with beamforming

Номер патента: US09686000B2. Автор: Philippe Sartori,Ali Yazdan Panah. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Video encoding method and apparatus using transformation unit of variable tree structure, and video decoding method and apparatus

Номер патента: US09674553B2. Автор: Woo-Jin Han,Tammy Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Video encoding method and apparatus using transformation unit of variable tree structure, and video decoding method and apparatus

Номер патента: US09654799B2. Автор: Woo-Jin Han,Tammy Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical type AC-LED device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09537048B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Jyh-Chiarng Wu,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same

Номер патента: US09515295B2. Автор: YOON Young Kwon,Joo Young Lee,Jeong Woo Park,Eun Ho Choi,Kyoung Wook Park. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508783B2. Автор: Yong Wu,Zhengzhong CHEN,Wenxin Jiang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light-emitting device and fabrication method for the same, and display device

Номер патента: US09496514B2. Автор: MINGHUA XUAN,BO Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Flexible device and fabrication method of flexible device

Номер патента: US09408300B2. Автор: Chien-Jung Huang,Heng-Yin Chen,Chen-Chu Tsai,Yung-Hui Yeh,Cheng-Che Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-02.

Chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US09362134B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Layered polycrystalline lead selenide photoelectric film and fabrication method thereof

Номер патента: US11781222B2. Автор: Jian Yang,Yuan Zhu,Junlin Liu,Guiwu LIU,Guanjun QIAO,Xiangzhao ZHANG,Quanjiang LV,Haigang HOU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-10-10.

Volatile substance dispensing device and fabrication method thereof

Номер патента: CA3037579C. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian,Livio Sordo. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Mechanism to Support RRM Measurement in New Radio Access System with Beamforming

Номер патента: US20190150009A1. Автор: Yuanyuan Zhang,Chia-Hao Yu,Ming-Po CHANG,Li-Chuan Tseng. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US20220247147A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Chip packaging structures and treatment methods thereof

Номер патента: US9431215B2. Автор: Qifeng Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Substrate structure and the fabrication method thereof

Номер патента: US20060286485A1. Автор: Joseph Cheng. Владелец: Boardtek Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Stacked crystal resonator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110049093A1. Автор: Kenji Shimao. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Stacked crystal resonator and manufacturing method thereof

Номер патента: US8390176B2. Автор: Kenji Shimao. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US11926947B2. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-12.

Guided-wave photodetector apparatus employing mid-bandgap states of semiconductor materials, and fabrication methods for same

Номер патента: WO2017035533A1. Автор: Huaiyu MENG,Rajeev Jagga Ram,Jason Scott ORCUTT,Amir Hossein Atabaki. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for Fabricating Bump Structures on Chips with Panel Type Process

Номер патента: US20190067242A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Tung-Yao Kuo. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

InGaN-based Resonant Cavity Enhanced Detector Chip Based on Porous DBR

Номер патента: US20200035843A1. Автор: Jing Li,Chao Yang,LEI Liu,Lixia Zhao,Kaiyou Wang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

Monolithic light source with integrated optics based on nonlinear frequency conversion

Номер патента: US11749964B2. Автор: Maik Andre Scheller,Anurag Tyagi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Electronic device for controlling cellular network function in wireless network environment and method thereof

Номер патента: WO2021066303A1. Автор: Sungjun Kim,Dongwoo Kim,Hyunchul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-08.

Structure and method for making low leakage and low mismatch nmosfet

Номер патента: US20130193523A1. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen,Xinlin Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor Device Package Having Chip With Conductive Layer

Номер патента: US20100283139A1. Автор: Hung-Hsiang Cheng,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200115839A1. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-04-16.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Ultraviolet laser based on two-dimensional photonic crystal

Номер патента: RU2378750C1. Автор: Анатолий Викторович Баженов,Владимир Тимофеевич Волков,Владимир Михайлович Масалов,Александр Николаевич Грузинцев,Геннадий Анатольевич Емельченко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН. Дата публикации: 2010-01-10.

Nanocomposite and production method thereof

Номер патента: RU2430939C2. Автор: Кайоунг Ву НАМ,Юнг Гон КИМ,ТИ Хун КИМ. Владелец: Хайосунг Корпоратион. Дата публикации: 2011-10-10.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Wave decomposing multiplexer based on two-dimension photon crystal

Номер патента: CN101252407A. Автор: 胡卫生,姜淳,任宏亮. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2008-08-27.

Optical fiber beam divider based on solid core photonic crystal fiber with high refractive index

Номер патента: CN101464541B. Автор: 柴路,王清月,胡明列,程同蕾. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-18.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Terahertz wave adjustable narrow band filter based on silicon-based photonic crystal structure

Номер патента: CN102324907B. Автор: 刘平安,何金龙,何雅兰,洪治. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2014-04-16.

A kind of aggregation-induced emission biology sensor based on Hollow-Core Photonic Crystal Fibers

Номер патента: CN107643273A. Автор: 王毅,陈慧芳,蒋勤健. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2018-01-30.

Biological sensor based on negative refraction photon crystal open cavity

Номер патента: CN2854584Y. Автор: 何赛灵,时尧成,阮智超. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2007-01-03.

Three wavelength terahertz wave modulator and the modulator approaches based on triple lattice photonic crystals

Номер патента: CN103885267B. Автор: 孙会,周雯,陈鹤鸣. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2016-07-06.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Distributed absolute temperature sensing method based on low-birefringence photonic crystal fiber

Номер патента: CN115683387A. Автор: 李松林,陆伟,陈青青,吴明埝,王道根,何仓平. Владелец: Zhongtian Power Optical Cable Co ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: . Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163A. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-15.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163B. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Passivation layer structure, and forming method and etching method thereof

Номер патента: CN103378128A. Автор: 张海洋,张城龙. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Hot-pressed leather sheath keyboard structure and production equipment and machining method thereof

Номер патента: CN105045404A. Автор: 柴建波. Владелец: Dongguan Haojianxuan Electronic Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Offshore wind power submersible foundation structure and complete fan installation construction method thereof

Номер патента: CN102677694A. Автор: 丁红岩,练继建,张浦阳,朱奇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

A combined house plate wall structure and a digital printing production method thereof

Номер патента: CN104895215A. Автор: 马义和. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-09.

High-pressure liquid gun structure and high-pressure liquid manufacturing method thereof

Номер патента: TW201237351A. Автор: wen-jun Feng. Владелец: wen-jun Feng. Дата публикации: 2012-09-16.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECTOR DEVICE ARRANGEMENT WITH VISUAL DISPLAY ARRANGEMENT AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002552A1. Автор: Shaw Robert,Fung Randy,Liu Xiaochun,Matityahu Eldad,Carpio Dennis,Hui Siuman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTONIC CRYSTAL SENSOR

Номер патента: US20120002913A1. Автор: Solgaard Olav,BORCH Stig Morten,JOHANSEN Ib-Rune,Grepstad Jon Olav,Sudbo Aasmund. Владелец: SINTEF. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Light-Emitting Diode Packaging Structure and Substrate Therefor

Номер патента: US20120001212A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung,Shao Chien-Min. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2384838C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Валерий Дмитриевич Румянцев,Дмитрий Андреевич Малевский,Юрий Владимирович Ащеулов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2010-03-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switch based on digital mis chip with open drain output

Номер патента: RU2382489C1. Автор: Павел Васильевич Михеев,Анжелика Анатольевна Квакина. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева. Дата публикации: 2010-02-20.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH-TUNABLE SPECTROMETER AND WAVELENGTH TUNING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002198A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Noda Susumu,Miyai Eiji,Ohnishi Dai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS AND PRINTING POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001972A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Portable guarding system based on wireless radio communication and functioning method of said system

Номер патента: RU2297670C1. Автор: Валерий Александрович Калачев,Владимир Борисович Алешин,Александр Георгиевич Окунев,Сергей Юрьевич Краснов,Валерий Сергеевич Сюваткин. Владелец: Автономная некоммерческая организация Учебно-научный центр "Радиотехника" (АНО УНЦ "Радиотехника"). Дата публикации: 2007-04-20.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE PROGRAMMED PIXEL CIRCUIT, DISPLAY SYSTEM AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001888A1. Автор: Chaji Gholamreza,Nathan Arokia,Servati Peyman. Владелец: Ignis Innovation Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Photonic-crystal fibre production method

Номер патента: RU2401814C1. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" (МИИТ). Дата публикации: 2010-10-20.

Method of making polyfunctional photonic crystals with inverted opal structure

Номер патента: RU2383082C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Николай Иванович Каргин,Леонид Васильевич Михнев,Евгений Алексеевич Бондаренко,Сергей Алексеевич Бондаренко,Александр Сергеевич Синицкий,Сергей Олегович Климонский,Вера Владимировна Абрамова,Елена Валерьевна Самсонова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-27.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Photonic-crystal fibre production method

Номер патента: RU2401813C1. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" (МИИТ). Дата публикации: 2010-10-20.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

STEREOSCOPIC IMAGE DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002123A1. Автор: KANG Dongwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR CALCULATING FUEL AMOUNT OF TRAVELLING ROUTE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001091A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001092A1. Автор: Zhou Mingjie,Ma Wenbo,LIU Yugang. Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001093A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001535A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mobile Device User Interface Change Based On Motion

Номер патента: US20120001843A1. Автор: Gravino Douglas David. Владелец: COX COMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING SIGNAL INTERFERENCE IN WIRELESS RELAY NETWORK BASED ON SYNCHRONOUS HARQ

Номер патента: US20120002597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FIXED STATION RECEIVER FOR MIMO COMMUNICATION SYSTEM AND UPLINK ADAPTATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002710A1. Автор: Kim Daeho,Ko Young Jo,PARK Ok-Sun,PARK Gi Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNERGISTIC COMBINATION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003268A1. Автор: NANDI Dipankar,RAKSHIT Srabanti,PONNUSAMY Manikandan. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Asphalt-concrete mixture based on modified bitumen

Номер патента: RU2509065C1. Автор: Савва Николаевич Попов,Лира Александровна Николаева,Ольга Николаевна Буренина,Виктор Евгеньевич Копылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем нефти и газа Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-03-10.

Copolymers based on derivatives of substituted cyclopentanone-bithiophene and synthesis method thereof

Номер патента: RU2423392C2. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Павел Анатольевич Трошин,Азиз Мансурович Музафаров,Диана Каримовна Сусарова,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Николаевна Мышковская,Владислав Александрович Костяновский. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН. Дата публикации: 2011-07-10.

Process of producing banana peel chips with malunggay

Номер патента: PH22018001495Y1. Автор: Lynne R Enriquez,Ivy Coronado,Roylan C Alerta,Sheila Marie M Capuyan. Владелец: Cebu Technological Univ Danao Campus. Дата публикации: 2019-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.