Systems and Methods for Perforation and Ohmic Contact Formation For GaN Epitaxial Lift-Off Using An Etch Stop Layer
Номер патента: US20190088495A1
Опубликовано: 21-03-2019
Автор(ы): McCarthy Robert, Reddy Rekha, YOUTSEY Christopher
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-03-2019
Автор(ы): McCarthy Robert, Reddy Rekha, YOUTSEY Christopher
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Epitaxial lift-off process with guided etching
Номер патента: US09865469B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Leathen Shi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.