Preparation of compound semiconductor substrate for epitaxial growth via non-destructive epitaxial lift-off
Номер патента: US20200111667A1
Опубликовано: 09-04-2020
Автор(ы): Kyusang Lee, Stephen R. Forrest
Принадлежит: University of Michigan
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2020
Автор(ы): Kyusang Lee, Stephen R. Forrest
Принадлежит: University of Michigan
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Preparation of compound semiconductor substrate for epitaxial growth via non-destructive epitaxial lift-off
Номер патента: US20200111667A1. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2020-04-09.