Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20140183580A1
Опубликовано: 03-07-2014
Автор(ы): Udagawa Takashi
Принадлежит: TOYODA GOSEI CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274755A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing light emitting element and light emitting element

Номер патента: US09853183B2. Автор: Tsukasa Kitano,Koichi Naniwae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865770B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09478706B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140209921A1. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150084069A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9006709B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2775537A3. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140252311A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11777060B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11769860B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor light emitting element and method of producing the same

Номер патента: US09923120B2. Автор: Shunsuke Minato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Light-emitting element and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20180006190A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990561B2. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304752A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09935245B2. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,June O Song,Kwang Ki CHOI,Tchang Hun OH,Hee Seok Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Ultraviolet semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420613A1. Автор: Akio Ogawa,Hiroyuki Kano,Toru Kinoshita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038926A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11824137B2. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038925A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting element and manufacture method thereof

Номер патента: US20240204134A1. Автор: Chengjun ZHANG,Senlin Li,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Yuanjie Wu,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20200176633A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Satoshi Kamiyama,Ryosuke Hiramatsu,Atsuya SASAKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US11211529B2. Автор: Hideaki Hirabayashi,Satoshi Kamiyama,Ryosuke Hiramatsu,Atsuya SASAKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: EP2528115A3. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648182A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Scivax Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160035938A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140295602A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Maki Sugai,Toshiki Hikosawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US11916164B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US20220231189A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09812611B2. Автор: Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120298952A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11652191B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11961942B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: US20180287009A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Kazuhiro Nagamine,Susumu TOKO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9935428B2. Автор: Shinichi Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Kazuki KIYOHARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210210654A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chia-Hung CHANG,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2494498C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2013-09-27.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217925A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US12068429B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079473A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Light-emitting element and method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20220158033A1. Автор: Shunsuke Minato,Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Light-emitting element and method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US12095007B2. Автор: Shunsuke Minato,Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Compound Semiconductor Light Emitting Device and Method of Preparing the Same

Номер патента: CA2170922A1. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-09-28.

Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same

Номер патента: US5756374A. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170345971A1. Автор: Shingo Totani,Kimiyasu IDE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087806A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9112111B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553235B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8729578B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076448A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236197A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20240113253A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US11888089B2. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Group-III nitride compound semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09444009B2. Автор: Koji Hirata,Takahiro Mori,Takashi Kawai,Koichi Goshonoo,Masao Kamiya,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140284611A1. Автор: Kazuhiro Akiyama,Shuji Itonaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Light emitting element and production method therefor

Номер патента: US20240313034A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09614136B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Epitaxial structure of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20240145627A1. Автор: Chung-Ying Chang,Meng-hsin YEH,Bing-Yang Chen,Zhousheng JIANG,Dongpo CHEN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Hetero-substrate, nitride-based semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680055B2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030062531A1. Автор: Nobuhiro Suzuki,Chisato Furukawa,Hidato Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9306119B2. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Light-emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09978903B2. Автор: Hiroyuki Inoue,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor light-emitting element, vehicle lamp, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4369426A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Layered group 111-vcompound semiconductor, method of manufacturing the same, and light emitting element

Номер патента: US20020053680A1. Автор: Yoshinobu Ono,Yasushi Iyechika,Tomoyuki Takada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09450150B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09666753B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Daisuke Komori,Motoaki Iwaya,Kaku TAKARABE. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369425A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor light emitting device with light transmittable electrode and method for manufacturing same

Номер патента: US8623676B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160276523A1. Автор: Hiroshi Katsuno,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187446A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077250A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9202986B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09972749B2. Автор: Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648181A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Sapphire substrate having elongated projection and semiconductor light emitting device utilizing the same

Номер патента: US09525103B2. Автор: Takuya Okada,Yoshiki Inoue,Junya Narita,Yohei Wakai,Katsuyoshi Kadan,Naoya Sako. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US10453990B2. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, lamp, electronic device and mechanical apparatus

Номер патента: US20120326169A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180277714A1. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor light emitting device and method for forming phosphor layer

Номер патента: US20160233389A1. Автор: Yukihiro Nomura,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20230369534A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Weifang Lu,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Kazuma Ito,Naoki Sone,Motoaki lWAYA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831222B2. Автор: Eunah Lee,Hwankuk YUH,Sangwook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437779B2. Автор: Koji Asakawa,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Takanobu Kamakura,Shinji Nunotani,Kumi Masunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200144450A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Light emitting element and method of manufacturing same

Номер патента: US20230231079A1. Автор: Takuya Okada,Koji Asada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230352631A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

A semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP1220334A3. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-08-02.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and light source provided with said light emitting element

Номер патента: US20130126898A1. Автор: Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20020117961A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230253526A1. Автор: Takao Fujimori,Kazuaki Tsutsumi,Ryosuke Ishimaru. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660163B2. Автор: Tae-hyung Kim,Cheol-soo Sone,Si-Hyuk Lee,Sang-Yeob Song,Hak-Hwan Kim,Jong-in Yang,Jin-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3217440A1. Автор: MATHEW Manish,Masakazu Sugiyama,Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831378B2. Автор: Jung Sub Kim,Jin Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035845A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Light emitting element and production method therefor

Номер патента: US20240322080A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructure semiconductor light emitting device having rod and capping layers of differing heights

Номер патента: US09595637B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Light-emitting element and method for producing the same

Номер патента: US20180240934A1. Автор: Hiroyuki Inoue,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Номер патента: US09935242B2. Автор: Jonathan J. Wierer,Aurelien Jean Francois David,Henry Kwong-Hin Choy. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150280061A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: US09502606B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor light-emitting device with light output structures

Номер патента: RU2491682C2. Автор: Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Хенри Квонг-Хин ЧОЙ,Джонатан Дж. ВЬЕРЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting device connecting structure, and method of producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240030386A1. Автор: Takashi Momose. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170012170A1. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09997668B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09865773B2. Автор: Masahiko Sano,Motokazu Yamada,Isamu Niki,Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09524869B2. Автор: Chang-Hua HSIEH,Wen Hsiang LIN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515224B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US09484497B2. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120228656A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya,Tsukasa Kitano,Fumiharu Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240194830A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537051B2. Автор: Dong Hyun Cho,Jin Bock Lee,Nam Goo CHA,Dong Kuk Lee,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Light emitting element

Номер патента: US20240194821A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282890A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP3780302A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080689B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing

Номер патента: RU2436195C1. Автор: Ёхеи ВАКАИ,Хироаки МАЦУМУРА,Кендзи ОКА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-10.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method for the same

Номер патента: US09437773B2. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor light-emitting element and method of producing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11888090B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Yuta Koshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09818911B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09466763B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100163894A1. Автор: Toshiya Uemura,Naoki Arazoe. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor light-emitting device having a photonic crystal pattern formed thereon, and method for manufacturing same

Номер патента: US09806231B2. Автор: Taegeun Kim,Homyoung An,Jaein Sim. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09553240B2. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369538A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-15.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735312B2. Автор: Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Chih CHIU,Ching-Huai Ni. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964884B2. Автор: Jong-Lam Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09761760B2. Автор: Hidetoshi Tanaka,Mitsumasa Takeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nitride-based semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230140710A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220336693A1. Автор: Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11605753B2. Автор: Tetsu Hiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160190393A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20180062035A1. Автор: Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09444013B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US6576933B2. Автор: Hirohisa Abe,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,Hideto Sugawara,Yasuo Idei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Multiple quantum well semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150129835A1. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150349202A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911899B2. Автор: Hiroshi Katsuno,Masakazu Sawano,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US09873170B2. Автор: Takuya Okada,Junya Narita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120001151A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9299903B1. Автор: Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160079502A1. Автор: Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Light emitting element

Номер патента: US20210328105A1. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor light emitting device substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20070290188A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chang-Cheng Chuo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US7989820B2. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP2816614A1. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2009002040A3. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: Sang Youl Lee. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20130248918A1. Автор: Takako Chinone,Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Light emitting element

Номер патента: EP4250380A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130146917A1. Автор: Takako Chinone. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09960320B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911902B2. Автор: Shigetoshi Ito,Makoto Sawamura,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device package with wavelength conversion layer

Номер патента: US09871172B2. Автор: Hak Hwan Kim,Jung Tae Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09705039B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor light emitting device including GaAs substrate

Номер патента: US09583673B2. Автор: Tadahiro Hosomi,Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor light emitting device having a plurality of semiconductor layers having P-type dopant

Номер патента: US09484494B2. Автор: Dae Sung Kang,Hyo Kun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Module for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element and method for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element by using same

Номер патента: US12046484B2. Автор: Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140110744A1. Автор: Honglin Wang,Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US09490388B2. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150008469A1. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Method for manufacturing nano-structured semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09508893B2. Автор: Nam-Goo Cha,Dong-Ho Kim,Geon-Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US20140295598A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor light emitting element and fabricating method

Номер патента: US20110303894A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09620669B2. Автор: Hideki Shibata,Akihiro Kojima,Hideo Tamura,Masayuki Ishikawa,Yoshiaki Sugizaki,Tetsuro Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009017338A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-section rod semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478701B2. Автор: Chih-Chung Yang,Horng-Shyang Chen,Che-Hao Liao,Chia-Ying Su,Charng-Gan Tu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916901B2. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2174358A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09997663B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09680050B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US09466765B1. Автор: Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Yeon Ji Kim,Ju Heon YOON,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240332339A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4068371A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor light-emitting devices grown on composite wafers

Номер патента: RU2515205C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-05-10.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US09583674B2. Автор: Kenichi Matsui,Hitoshi MINAKUCHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device

Номер патента: US12107205B2. Автор: Kyoungtae WI,Sunghyun Moon,Jina JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4099388A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240274749A1. Автор: Seiji Ishimoto,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Illumination device with inclined light emitting element disposed on a transparent substrate

Номер патента: US09488321B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien,Zhi-Ting YE. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light-emitting element and method of producing the same

Номер патента: US12125702B2. Автор: Osamu Tanaka,Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting module, and method for manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20240282901A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-22.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20190074415A1. Автор: Tsutomu Okubo. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203562A1. Автор: Hiroyuki Togawa,Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748438B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735313B2. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Light emitting element

Номер патента: US20170330995A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor light-emitting element, and display device

Номер патента: US20240322084A1. Автор: Wonjae Chang,Jinsung Kim,Wonseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107201B2. Автор: Seung Ho Baek,Soo Kun Jeon,Won Jae Choi,Yeon Ho Jeong,Geun Mo JIN,Geon Il HONG. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device

Номер патента: US8729579B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240204133A1. Автор: Chengjun ZHANG,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light-emitting element and display device including same

Номер патента: US20230178686A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang,Kyoungtae WI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-08.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate

Номер патента: US20110114984A1. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-05-19.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the supporting substrate

Номер патента: EP2333845A2. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-06-15.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074147B2. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US09627577B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337400B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Shigeya Kimura,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: EP2631948A3. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US8742394B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140225146A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20130020552A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230114703A1. Автор: Tetsuya Ikuta,Jumpei Yamamoto. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Light-emitting element and lighting system

Номер патента: US09935238B2. Автор: Ki Young Song,Hyun Chul Lim,Myung Hoon JUNG. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230078258A1. Автор: Wonyong LEE,Jeomoh KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9337402B2. Автор: Tadaaki Ikeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090309126A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US11942457B2. Автор: Younghak Chang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same; integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same; image display and method for manufacturing same; and illuminating device and method for manufacturing same

Номер патента: EP1605522A1. Автор: Goshi c/o SONY CORPORATION BIWA,Hiroyuki c/o SONY CORPORATION OKUYAMA,Masato c/o SONY CORPORATION DOI,Toyoharu c/o SONY CORPORATION OOHATA,Jun c/o Sony Corporation SUZUKI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Light emitting element and production method thereof

Номер патента: US20070210320A1. Автор: Kazuhiro Ito,Koji Hirata,Masanori Murakami,Yuhei Ikemoto,Susumu Tsukimoto,Yu Uchida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for forming contact layer on semiconductor light emitting device

Номер патента: US4686001A. Автор: Niro Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Light-emitting element

Номер патента: US20240266476A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Chien-Chih Liao,Min-Yen Tsai,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691944B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484500B2. Автор: Sang Seok Lee,Ki Seok Kim,Su Yeol Lee,Chan Mook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20140252395A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US8766311B2. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120286284A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20120217524A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Light emitting element and method for producing light emitting element

Номер патента: US20240313033A1. Автор: Koji Okuno,Koichi Goshonoo,Masaki OYA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8878213B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Shigeya Kimura,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070228408A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230187595A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7727791B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7635872B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: US20130214321A1. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor, and compound semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070290216A1. Автор: Nobuyuki Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160056331A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09722162B2. Автор: Toshiyuki Oka,Koji Kaga,Jumpei Tajima,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09425173B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09406656B2. Автор: MinGu Kang,Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200365567A1. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130056789A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09887328B2. Автор: Akihiro Kojima,Shinya Ito,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Kazuo Fujimura,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Shinji Nunotani,Yosuke Akimoto,Hideko Mukaida,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers

Номер патента: US09666779B2. Автор: Jiajia Li,Yi Zhang,Zhicong Li,Yijun Sun,Guohong Wang,Yaping Feng,Yuzhe JIN. Владелец: YANGZHOU ZHONGKE SEMICONDUCTOR LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor light-emitting device and photocoupler

Номер патента: US20230238483A1. Автор: Naoki Murakami,Takanobu Kamakura,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage

Номер патента: US20020098606A1. Автор: Junichi Nakamura,Hiroshi Nakatsu,Kazuaki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor light emitting device substrate including an uneven structure having convex portions, and a flat surface therebetween

Номер патента: US09515223B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and method for self-assembling semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11869871B2. Автор: Hyunwoo Cho,Kiseong Jeon,Jideok Kim,Bongchu Shim,Juchan CHOI,Seulbitna LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4325569A1. Автор: Jungmin Kim,Jaeyoung Oh,Wonseok Choi,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160197229A1. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using same

Номер патента: US20170025573A1. Автор: Jung Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220149242A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Light-emitting element with cushion part

Номер патента: US12002904B2. Автор: Chao-Hsing Chen,Chien-Chih Liao,Min-Yen Tsai,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09997670B2. Автор: Hyung Kun Kim,Ki Won Park,Dong Kuk Lee,Yong Min KWON,Dae Yeop HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting device with high reliability and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490410B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US5103271A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package manufactured thereby, and display device comprising same

Номер патента: US20230361095A1. Автор: Hooyoung SONG,Joodo Park,Myungshin CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120138985A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200119230A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168589A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-28.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190326477A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Changseo Park,Byoungkwon Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8461611B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Display device using semiconductor light emitting device surrounded by conductive electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US12015106B2. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

Light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220059722A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012107967A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-16.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US12107185B2. Автор: Atsushi Miyazaki,Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09899571B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Emissive device including first and second adjacent pixels sharing the same semiconductor light-emitting stack

Номер патента: US09825089B2. Автор: David Vaufrey. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and device for fabricating semiconductor light emitting elements

Номер патента: CA2463169C. Автор: Osamu Goto,Kensaku Motoki,Koshi Tamamura,Tsuyoshi Tojo,Tsunenori Asatsuma,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150372196A1. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: EP4322216A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-14.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3871263A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-01.

Method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420603A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4318583A1. Автор: Moonsun Lee,Wonseok Choi,Hyeseon Eom,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240055412A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9159879B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240186473A1. Автор: Moonsun Lee,Wonseok Choi,Hyeseon Eom,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234625A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Shiori Sasaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20050249253A1. Автор: Jonathan Heffernan,Valerie Bousquet,Stewart Hooper,Matthias Kauer,Katherine Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2673813A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09472741B2. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Light-emitting element wafer, light emitting element, electronic apparatus, and method of producing light-emitting element wafer

Номер патента: US09461197B2. Автор: Hiroki Naito,Takahiro Koyama,Daisuke Saito,Arata Kobayashi,Sayaka Aoki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor light-emitting device with InGaAlP

Номер патента: US5235194A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09853195B2. Автор: Kazuhiro Inoue,Takashi Arakawa,Yoshio Noguchi,Teruo Takeuchi,Masahiro Ogushi,Toshihiro Kuroki,Yuki Akamatsu,Hidenori Egoshi,Toshihiro Komeya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US12062734B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180240948A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Yasunobu Shoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Display device using semiconductor light emitting element, and method for producing same

Номер патента: EP3929990A1. Автор: Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-29.

Semiconductor light-emitting device and method for producing same

Номер патента: US20190198737A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230178531A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US20120220060A1. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140084316A1. Автор: Shinya Nunoue,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11870021B2. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A2. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336717A1. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A3. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200274038A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310889A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device and optical film

Номер патента: US09577164B2. Автор: Atsushi Suzuki,Hiroyuki Tsujimoto,Junji Kato,Shozo Takada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US20240072213A1. Автор: Mihee Heo,Jisoo KO,Hyeyoung Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220165927A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12032239B2. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046627B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140091350A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8791498B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09842960B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09543484B1. Автор: Yukihiro Nomura,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of manufacturing display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220393074A1. Автор: Junghoon Kim,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240170622A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US20150044794A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Stripe type semiconductor light emitting element having InGan active layer, combined with optical resonator including wavelength selection element

Номер патента: US20030147448A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: EP4246566A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20240021767A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230317669A1. Автор: Kisu Kim,Jinhyung LEE,Younho HEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20110104835A1. Автор: Noriko Nihei,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Micro semiconductor light-emitting diode structure and method for producing the same

Номер патента: WO2023156210A1. Автор: Harald KÖNIG,Norwin von Malm,Alvaro Gomez-Iglesias,Stefan HECKELMANN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US12080825B2. Автор: Junho Sung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210272936A1. Автор: Junghoon Kim,Dohee Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140061696A1. Автор: Kazuyoshi Furukawa,Shinji Nunotani,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Active layer structure, semiconductor light emitting element, and display apparatus

Номер патента: US20170288090A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9546956B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660139B2. Автор: Yong Min Kim,Sung Hyun SIM,Kyung Wook HWANG,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220326570A1. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-13.

Nano-structured semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09842966B2. Автор: Nam-Goo Cha,Han-mei Choi,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09450145B2. Автор: Mitsuhiko Sakai,Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Display device using semiconductor light emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220416126A1. Автор: Kisu Kim,Changseo Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-29.

Electrode structure of roller unit for transferring semiconductor light-emitting element and intelligent integrated assembling and transferring device comprising same

Номер патента: US20240120218A1. Автор: Bongchu Shim,Jinhyung JUN,Kitae AN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-11.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780260B2. Автор: Han Kyu Seong,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190325790A1. Автор: Hyunwoo Cho,Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326349A1. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09941443B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Sam Mook KANG,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device using semiconductor light-emitting devices, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240038930A1. Автор: Jisoo KO,Jungsub KIM,Gunho Kim,Yoonchul KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for restoring light emitting elements, and display panel comprising restored light emitting elements

Номер патента: EP4080566A1. Автор: Seom Geun LEE,Jong Hyeon Chae,Seong Kyu Jang,Yong Woo Ryu,Ik Kyu You. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09525102B2. Автор: Nam-Goo Cha,Geon-Wook YOO,Han-kyu SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Chip tray for self-assembly and method for supplying semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20230061671A1. Автор: Inbum YANG,Junghun RHO,Sangsik JUNG,Bongwoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor light-emitting device with groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935910B2. Автор: Donggun Lee,Joosung KIM,Suhyun JO,Jongin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11804513B2. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor light emitting element with magnetic layer, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: US11978821B2. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-07.

Display device using semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3837719A1. Автор: Jin Jang,Sunghwan Kim,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-06-23.

Display device and self-assembly method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3989284A2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: EP3918644A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-08.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210366982A1. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US20110027922A1. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US8043879B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Reflective type semiconductor light emitting device

Номер патента: US7834371B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Method for manufacturing light-emitting element and electronic device applying light-emitting element

Номер патента: US20200335662A1. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jian-Jung SHIH. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786819B2. Автор: Mitsuhiko Sakai,Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317877A1. Автор: Liyang Zhang,Zhizhong Guo. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214788B2. Автор: Masao Kawaguchi,Hideki Kasugai,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244042A1. Автор: Yoshiki Saito,Yasuhisa Ushida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087805A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor light emitting element and light emitting device

Номер патента: US09496459B2. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: TWI284994B. Автор: Tetsuya Taki,Koji Okuno,Masato Aoki,Mitsuhisa Narukawa,Yusuke Toyoda. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140042388A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor light emitting device, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09559260B2. Автор: Geon-Wook YOO,Nam Goo CHA,Dong Kuk Lee,Geun Woo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09508898B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09991420B2. Автор: Masakazu Sugiyama,Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210359163A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-11-18.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer

Номер патента: US20150102381A1. Автор: Hung Hung,Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Satoshi MITSUGI,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US9064996B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8698123B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130292644A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140110667A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1721342A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung 115-603 Samsung Raemian Apt. YOO. Владелец: Epivalley Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-15.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8895956B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Gan-based composition semiconductor light-emitting element and its window layer structure

Номер патента: US20040238839A1. Автор: Mu-Jen Lai,Chiung-Yu Chang. Владелец: Vtera Tech Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160284685A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Jumpei Tajima,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12027647B2. Автор: Yasuhiro Hashimoto,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09865771B2. Автор: Kenichi Nishi,Mitsuru Sugawara,Richard Hogg,Takeo Kageyama,Siming Chen,Keizo Takemasa. Владелец: QD Laser Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Номер патента: EP1589592A3. Автор: Yu-Chen c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Shen,James C. c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Kim. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US12125954B2. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09741898B2. Автор: Yu-Chu Li,Ching-Liang Lin,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09608161B2. Автор: Yu-Chu Li,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9741896B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US09590141B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786817B2. Автор: Young Ho Ryu,Sung Joon Kim,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20240178344A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09912123B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120211724A1. Автор: Hidehiko Yabuhara,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9530767B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Jumpei Tajima,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220376142A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200227595A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8525195B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Group III-V type nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5917196A. Автор: Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor light-emitting element and optical coupling device

Номер патента: US09847447B2. Автор: Kenji Fujimoto,Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09972657B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor light emitting element, electronic apparatus, and light emitting device

Номер патента: US20120241721A1. Автор: Takehiko OKABE,Takashi Hodota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor light-emitting element and optical coupling device

Номер патента: US20160064599A1. Автор: Kenji Fujimoto,Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US09553238B2. Автор: Naoki Azuma,Hisashi Kasai,Kazuki KASHIMOTO,Masafumi ITASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09601665B2. Автор: Dong Hoon Lee,Jin Bock Lee,Mi Hyun Kim,Je Won Kim,Sung Hyun SIM,Hye Seok NOH,Dong Kuk Lee,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577145B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Nanostructure semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09490395B2. Автор: Jung Sung Kim,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: WO2016021146A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Junpei Tajima,Toshihide Ito,Kenjiro Uesugi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-11.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09461205B2. Автор: Dong Hoon Lee,Nam Goo CHA,Hyun Seong KUM,Ju Bin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3951894A1. Автор: Huiwen Li,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Shaohua Huang,Kuanfu PAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060163593A1. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7432535B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09887334B1. Автор: Sang Seok Lee,Joon Woo Jeon,Hyun Kwon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device array

Номер патента: US09680063B2. Автор: Mamoru Miyachi,Noriko Nihei. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7388231B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09793436B2. Автор: Shih-I Chen,Rong-Ren LEE,Ching-Yuan Tsai,Chih-Hung Hsiao,Hao-Min Ku,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang,Kuan-Chih KUO. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10008635B2. Автор: Soo Kun Jeon,Il Gyun CHOI,Geun Mo JIN. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130126937A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120012884A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device

Номер патента: US09608187B2. Автор: Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140319571A1. Автор: Shinichiro Sonoda,Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Array of semiconductor light-emitting elements and method of making said element

Номер патента: RU2469435C1. Автор: Кендзи ХИРУМА,Синдзиро ХАРА,Дзунити МОТОХИСА,Такаси ФУКУИ. Владелец: Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити. Дата публикации: 2012-12-10.

Semiconductor light-emitting device with high light-extraction efficiency and method for fabricating the same

Номер патента: US20090045419A1. Автор: Tzong-Liang Tsai. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150206922A1. Автор: Tatsuma Saito,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140191264A1. Автор: Jung-Sub KIM,Cheol-soo Sone,Kyung-Wook Hwang,Deok-Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Display device using semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666765B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09425355B2. Автор: Han Kyu Seong,Kyung Ho Yoo,Tae Woong Kim,Nam Goo CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9837793B1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1511090A3. Автор: Franklin J. Wall. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110031528A1. Автор: Jugo Mitomo,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09634200B2. Автор: Yasuyuki Miyake,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor light-emitting device including a reflector layer having a multi-layered structure

Номер патента: US20220190207A1. Автор: Junghee KWAK,Jungsung Kim,Seong Seok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light emitting device package including reflective electrode pattern

Номер патента: US20220320370A1. Автор: Seungwan CHAE,Myunggoo CHEONG,Youngkyu Sung,Dooho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09553234B2. Автор: Nam Goo CHA,Wan Tae Lim,Min Wook CHOI,Geun Woo KO,Ki Hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537049B2. Автор: Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09478702B2. Автор: Je Won Kim,Soo Jeong Choi,Sung Won HWANG,Il Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140070227A1. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Light emitting element and light emitting device

Номер патента: US20240355968A1. Автор: Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09837579B2. Автор: Masahiko Onishi,Shun KITAHAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20110215340A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Gaku Sugahara,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9112110B2. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Light emitting element

Номер патента: US20240243230A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425583A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

N-type ohmic electrode for n-type group III nitride semiconductor, semiconductor light-emitting device with the electrode, and method for forming n-type ohmic electrode

Номер патента: US20070108453A1. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-05-17.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11843080B2. Автор: Naoki Shibata,Tadaaki Maeda,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09349918B2. Автор: Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Sachie Fujikawa,Hiromi Nishihara. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230335696A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425584A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837389B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Group iii nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: CN101339969A. Автор: 长谷川哲也,一杉太郎,守山实希,五所野尾浩一. Владелец: Kanagawa Academy of Science and Technology. Дата публикации: 2009-01-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Long-wavelength semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Номер патента: US20050040408A1. Автор: Hironobu Narui,Tomonori Hino,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor light emitting device including zinc oxide-based transparent conductive thin film, and fabrication method thereof

Номер патента: US20130099255A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4354225A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20020053681A1. Автор: Koichi Nitta,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor light-emitting device and method of producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250503A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079386A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120032213A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8395263B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2418698A3. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110156065A1. Автор: Yoshiki Inoue,Katsuyoshi Kadan. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9608170B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9356196B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US10418525B2. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US20190103519A1. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210384378A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079387A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light emitting element with p-type non-alloy electrode including a platinum layer and method for fabricating the same

Номер патента: US5793788A. Автор: Takeshi Shimazaki,Masato Ishino,Isao Kidoguchi,Kiyoshi Fujihara,Yuichi Inaba. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-11.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150325749A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352634A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride based semiconductor light emitting element

Номер патента: US6555847B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221716A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230352629A1. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4270497A2. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4270497A3. Автор: Yasunobu Hosokawa,Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US12009637B2. Автор: Yuusuke Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160020363A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160240742A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor light-emitting device, method for forming recesses of the same, and light source apparatus using the same

Номер патента: US9196794B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09947833B2. Автор: Mamoru Miyachi,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09899356B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09543477B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09472724B2. Автор: Keiji Emura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4203082A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor light emitting apparatus having multiple conductive bonding layer elements and its manufacturing method

Номер патента: US20190363233A1. Автор: Kazuhisa SHINNO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting device, method for producing semiconductor light-emitting element, method for producing semiconductor light-emitting device, illumination device using semiconductor light-emitting device, and electronic apparatus

Номер патента: US8629473B2. Автор: Kyousuke Masuya,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8017954B2. Автор: Takafumi Nakamura,Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20120032225A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takahiko Sakamoto,Yasutaka Hamaguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Light emitting element

Номер патента: US09929316B2. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170092828A1. Автор: Hideki TSUJIAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120138984A1. Автор: Masashi Deguchi,Masao Kamiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140361330A1. Автор: Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09590009B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Light emitting element

Номер патента: US09570658B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220020905A1. Автор: Minoru Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230411439A1. Автор: Shunichi Sato,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230387363A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09444012B2. Автор: Koji Asakawa,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Takanobu Kamakura,Masaaki Ogawa,Eishi TSUTSUMI,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor

Номер патента: US5639674A. Автор: Hideki Nozaki,Kazumi Unno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220165917A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12034100B2. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Production method for semiconductor light emittingt element and semiconductor light emitting element

Номер патента: EP1801892A1. Автор: Motoaki Iwaya,Satoshi 1804-4 Umegaoka 3-chome KAMIYAMA,Hiroshi 508 Takara-mansion Ymanote AMANO,Isamu 1-1-38-80 Joushin Nishi-ku AKASAKI,Hideki 67-2 Niiyaeueda Jimokuji-cho KASUGAI. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-06-27.

Light emitting element

Номер патента: US20170186915A1. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor light-emitting device package

Номер патента: US09887332B2. Автор: Jun Ho Lee,Pun Jae Choi,Jin Wook Chung,Yong Min KWON,Geun Woo KO,Ah Young WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2822034A3. Автор: Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230282782A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006838A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor light-emitting element and display device comprising same

Номер патента: US20230335674A1. Автор: Junghoon Kim,Wonjae Chang,Chilkeun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-19.

A semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: EP4401135A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110062477A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061711A1. Автор: Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140084328A1. Автор: Koji Matsumoto,Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12002914B2. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Masahiro Kume,Yasumitsu Kunoh,Masanobu Nogome,Yasutomo MITSUI. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240222550A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4394904A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130134385A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110278538A1. Автор: Yu Seung Kim,Jung Ja YANG,Youn Joon Sung,Hyung Duk KO,Soo Jin Jung,Dae Cheon KIM,Byung Kwun LEE. Владелец: Lee Byung Kwun. Дата публикации: 2011-11-17.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230307598A1. Автор: Kisu Kim,Indo Chung,Jinsung Kim,Sungyun PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266472A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus including the same

Номер патента: US09653515B2. Автор: Ju Heon YOON,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same

Номер патента: US09570660B2. Автор: Seung Woo Choi,Sang Yeob Song,Jae In SIM,Gi Bum Kim,Jong Hoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09490394B2. Автор: Chih-Chiang Lu,Shih-I Chen,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Light emitting element

Номер патента: US9196807B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor light emitting device including a pad electrode spaced apart from a transparent electrode

Номер патента: US09548422B2. Автор: Tae Hun Kim,Ki Seok Kim,Chan Mook Lim,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package including the same

Номер патента: US09508697B2. Автор: Jung Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine

Номер патента: US20130113012A1. Автор: Hironao Shinohara,Remi Ohba. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine

Номер патента: US8835966B2. Автор: Hironao Shinohara,Remi Ohba. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US12125942B2. Автор: Yongseok Choi,Donggun Lee,Youngjin Choi,Sungjin Ahn,Joosung KIM,Jeongwook LEE,Jonguk Seo,Youngjo TAK,Jonghoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method for display device, manufacturing method for light emitting element, and display device

Номер патента: US20240113151A1. Автор: Seul Ki Kim,Ji Eun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09559279B1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09530941B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park,Yong Deok Kim. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US10903407B2. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20210119094A1. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200044128A1. Автор: Yasuhiro Miki,Koichi TAKENAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120146086A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150221828A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9391238B2. Автор: Tae-hun Kim,Seung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250229A1. Автор: Cheng Yu,Lixun Yang,Liqin ZHU,Daquan Lin. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09929311B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09553241B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device

Номер патента: US09997682B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly

Номер патента: US8035120B2. Автор: Yasushi Ito,Naoji Nada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor light-emitting device and method

Номер патента: US20110198650A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11764335B2. Автор: Yudai Uratani. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150023379A1. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Light-emitting element and the manufacturing method of the same

Номер патента: US09780264B2. Автор: Pei-Lun CHIEN,Hsing-Chao Chen,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light emitting module comprising an exposed plate surface

Номер патента: US09484515B2. Автор: Satoshi Komatsubara,Kenichi Fukuda,Toru Furuta,Shinobu Otao. Владелец: SEI Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Lamp using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US11114598B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070120139A1. Автор: Reiji Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor light-emitting apparatus having light reflection adjusting member of gray resin and its manufacturing method

Номер патента: US10825972B2. Автор: Mitsunori Harada,Satoshi Ando,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Light source device, projection display device, and method of cooling semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200319538A1. Автор: Yusuke Tani. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972756B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: US20240332453A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2473152C1. Автор: Такуя НОИТИ,Юити ОКАДА,Такахито МИКИ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-01-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220376154A1. Автор: LI YANG,Yang Li,Chang-Chin Yu,Xinglong LI,Zhaowu HUANG,Chenxi YAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09559083B2. Автор: Takashi Iino. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12087896B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577167B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09437787B2. Автор: Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210043818A1. Автор: Masahiko Kobayakawa,Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Display device comprising semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447111A1. Автор: Jungmin Kim,Sunho Kim,Kyoungjin Nam,Gisang Hong,Youngwook LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240372315A1. Автор: Yoshiro Takiguchi,Hisayoshi Motobayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor light-emitting element comprising an insulating reflection layer including plural opening portions

Номер патента: US09472718B2. Автор: Takashi Hodota. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light-emitting element, protective film of semiconductor light-emitting element, and method for fabricating same

Номер патента: US20130037850A1. Автор: Hisao Kawasaki,Toshihiko Nishimori,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US8963186B2. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US20140217442A1. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09991418B2. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device

Номер патента: US09666776B2. Автор: Toshiyuki Takada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9379294B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9478527B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP3943575A1. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160254254A1. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09947848B2. Автор: Masahiro Sakamoto,Satoshi SHICHIJO,Kazuhide YANASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570655B2. Автор: Hiroshi Fukunaga,Kenichi Yoshimura,Kohsei Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412910B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Vehicular headlamp and semiconductor light emitting element

Номер патента: US7168837B2. Автор: Hiroyuki Ishida,Masashi Tatsukawa,Kiyoshi Sazuka. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US5763901A. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US11916175B2. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100238687A1. Автор: Masaki ODAWARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Display device comprising semiconductor light-emitting elements

Номер патента: EP4432360A1. Автор: Minseok Kim,Sul Lee,Wonseok Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Phosphor, method for producing same, light emitting element containing phosphor, and light emitting device

Номер патента: US20240301288A1. Автор: Masaaki Inamura,Ikuhiro Ozawa,Asuka Sasakura. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device using semiconductor light emitting devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842764B2. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5519720A. Автор: Ryoichi Hirano,Kimio Shigihara,Etsuji Omura,Akira Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090020773A1. Автор: Kenichi Mori,Yuko Nomura,Isao Amemiya,Isao Takasu,Keiji Sugi,Miho Yoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements

Номер патента: US9599305B2. Автор: Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220190556A1. Автор: Minoru Murayama,Satohiro Kigoshi,Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Gen Muto,Yuki Tanuma,Chikoto IKEDA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device thereof

Номер патента: US20240222588A1. Автор: Zhiwei Wu,Weiping Xiong,Di Gao,Huanshao KUO,Yuren PENG,Shutian QIU. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777068B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Support for light-emitting elements and lighting device

Номер патента: EP3669118A1. Автор: Carsten Weber,Michael Deckers,Georg Henninger,Frank Giese,Matthias EPMEIER,Petra WELLMEIER. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2020-06-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953901B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing display device including light emitting element ink having light emitting dispersant

Номер патента: US12094857B2. Автор: Jong Hyuk KANG,Jae Hoon Jung,Sung Chan Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634212B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220246583A1. Автор: Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-08-04.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US7371593B2. Автор: Mitsunori Harada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11848315B2. Автор: Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Kanako MIMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100102349A1. Автор: Yasunori Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140361324A1. Автор: Kazuhiro Inoue,Yoshiharu Tsuboi,Teruo Takeuchi,Kazuhiro Tamura,Kenji Shimomura,Kazuhisa Iwashita,Toshihiro Kuroki,Toshihiro Komeya,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120273794A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200328331A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359800A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements and transparent plates

Номер патента: US9570426B2. Автор: Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US9356424B2. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor light-emiting device and method

Номер патента: US20110101407A1. Автор: Kaori Namioka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20090242906A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09755127B2. Автор: Yukihiro Nomura,Akihiro Kojima,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09608178B2. Автор: Toshitaka Nakamura,Hisataka Ito,Hironaka Fujii. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength-converting structure with uneven top surface and its manufacturing method

Номер патента: US20180158989A1. Автор: Hiroshi Kotani,Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160181488A1. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160079485A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor package substrate, semiconductor package and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210257519A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi,Hiroyasu Ichinokura. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus

Номер патента: US20210074885A1. Автор: Masatoshi Nakamura,Mamoru Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11011686B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210234077A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200313050A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor light emitting devices and partition wall structure, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12125869B2. Автор: Inho Kim,Sungwook Lee,Jonghyun Lee,Kiwon Park,Byungchul Choi,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Номер патента: US7569407B2. Автор: Gerald H. Negley,Michael Leung. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor light emitting device, and backlight and display device comprising the semiconductor light emitting device

Номер патента: US8541798B2. Автор: Tsutomu Ishii,Hajime Takeuchi,Yasuhiro Shirakawa,Yasumasa Ooya,Ryo Sakai. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8872210B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150008470A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8680568B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9059387B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8946763B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090121247A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: EP4391093A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-26.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180331152A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-15.

Car lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190217768A1. Автор: Shinwoo YOON,Hankyu CHO,Myungwoo Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-18.

Package for light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20100213811A1. Автор: Hideki Ito,Hideki Takagi,Takuma Hitomi,Masanori Hongo,Kiyoshi Yamakoshi,Masami Fukuyama. Владелец: Sanyo Tuner Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Vehicle lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210062989A1. Автор: Jinhyoun Joe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor light-emitting apparatus and vehicle headlight

Номер патента: US09726340B2. Автор: Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Kenji Akisada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US09653657B2. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09537060B2. Автор: Chul Soo Yoon,Sang Hyun Kim,Chang Bun Yoon,Min Jung Park,Jeong Rok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device package including light transmissive substrate having wavelength conversion regions

Номер патента: US09472729B2. Автор: Joong Kon Son,Sung Mok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8294165B2. Автор: Naomi Shida,Shinji Saito,Shinya Nunoue,Masahiro Yamamoto,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US11949047B2. Автор: Hwanjoon Choi,Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-02.

Lamp employing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11953168B2. Автор: Kyungho Lee,Jinhyoun Joe,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-09.

Lamp employing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220026036A1. Автор: Kyungho Lee,Jinhyoun Joe,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-01-27.

Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device

Номер патента: EP4339260A1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Takayuki Nakanishi,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160149081A1. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190288163A1. Автор: Hwanjoon Choi,Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1503431A3. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220093829A1. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

Номер патента: EP1403934A3. Автор: Michael R. Krames,Gerd O. Mueller,Troy A. Trottier,Regina Mueller-Mach. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2005-07-06.

Light emitting apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220102323A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8946750B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079480A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415063A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor light-emitting device, lighting apparatus, and lighting unit for vehicles

Номер патента: US10267469B2. Автор: Mitsunori Harada,Yuji Takehara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12107194B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09837388B2. Автор: Byungjoon Rhee,Yoonho Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of manufacturing semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor

Номер патента: US20080076316A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor light emitting apparatus and method for producing the same

Номер патента: US20040238829A1. Автор: Kenichi Kurita,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230253386A1. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415064A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240290915A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Wavelength-converted semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4425585A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12119333B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-15.

High brightness, low-cri semiconductor light emitting devices including narrow-spectrum luminescent materials

Номер патента: US09905735B1. Автор: Brian Thomas Collins,Florin A. TUDORICA. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US09406635B2. Автор: Myong Soo Cho,Yong Il Kim,Ju Heon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing

Номер патента: US8455907B2. Автор: Kosaburo ITO,Takeshi WARAGAWA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4391063A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Oxide Semiconductor Light Emitting Device

Номер патента: US20100264411A1. Автор: Tetsuo Fujii,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100019255A1. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3904760A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor light emitting device package and light source module using same

Номер патента: US09876149B2. Автор: Young Kyung KIM,Jae Jun BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US09831385B2. Автор: Yen Chieh Huang,Jing Jie Dai,shu ying Yang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09825067B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09548426B2. Автор: Sang Yeob Song,Masaaki Sofue,Chan Mook Lim,Mi Jeong Yun,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537066B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member

Номер патента: US20090045422A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yutaka Mori,Masanori Yamazaki,Hanako Kato,Mari Abe,Tsubasa Tomura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012171493A1. Автор: WANG Zhang,Wanshi Chen. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US20020115229A1. Автор: Tsuyoshi Tsutsui,Kotaro Ogura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8320421B2. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09543470B2. Автор: Joong Kon Son,Jae Hyeok HEO,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09496471B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Masanobu Ando,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama,Gen Watari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824148B2. Автор: Kyoung Min Kim,Jung Woo Han,Bong Hwan KIM. Владелец: Elphoton Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120032214A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US11316073B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Light-emitting element dispersing agent, light-emitting element ink comprising same, and method for producing display device

Номер патента: EP3876293A1. Автор: Jong Hyuk KANG,Jae Hoon Jung,Sung Chan Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12033989B2. Автор: Changseo Park,Kiseong Jeon,Bongchu Shim,Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8912555B2. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5943355A. Автор: Masao Ikeda,Yumi Sanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2768036A3. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-13.

Semiconductor light emitting device in which near-edge portion is filled with doped regrowth layer,and dopant to regrowth layer is diffused into near-edge region of active layer

Номер патента: US20020050598A1. Автор: Toshiaki Kuniyasu. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter

Номер патента: WO2010023624A1. Автор: Michael R. Krames. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-03-04.

Phosphor, method for producing same, light emitting element containing phosphor, and light emitting device

Номер патента: EP4317363A1. Автор: Masaaki Inamura,Ikuhiro Ozawa,Asuka Sasakura. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130248893A1. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420629A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221715A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20120168812A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140008695A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150091040A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180287029A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110042710A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140167233A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8154045B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7825426B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11784295B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20160149089A1. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230378415A1. Автор: Kenya Hashimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2642518A3. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor light-emitting device and light-emitting apparatus including the same

Номер патента: US20230178689A1. Автор: Gong Chen,Qing Wang,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Dazhong Chen,Quanyang Ma. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213430A1. Автор: Dongwoo Kim,Jiheon OH,Joongil LEE,Kwonjoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140054627A1. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20080055901A1. Автор: Akiko Saito,Masahiro Izumi,Tomohiro Sanpei,Shinji Nogi. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means

Номер патента: US5466950A. Автор: Kazuhiko Itaya,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09954152B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140084305A1. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device

Номер патента: US20240240081A1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Takayuki Nakanishi,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190280460A1. Автор: Kazuaki Kaneko,Shigetoshi Ito,Teruyuki Oomatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: CN101393958B. Автор: 守山实希,五所野尾浩一. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Semiconductor light emitting element and backlight assembly including the same

Номер патента: US10312424B2. Автор: Seung Hyun Oh,Jun Hyeok Han,Yun Geon CHO,Bo Gyun KIM,Suk Min HAN,In Woo SON. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11799266B2. Автор: Yuki Tanuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing

Номер патента: US09865572B2. Автор: Byungjoon Rhee,Kyoungtae WI,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US7297984B2. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20130241399A1. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US8926865B2. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090072267A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor light emitting element array and image forming apparatus

Номер патента: EP1887627A2. Автор: Takao Yonehara,Tetsuya Takeuchi,Kenji Yamagata,Makoto Koto,Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor light emitting device, composite light emitting device with arrangement of semiconductor light emitting devices, and planar light source using composite light emitting device

Номер патента: US8641256B2. Автор: Masanori Hoshino,Takeshi Sano,Kouji TSUKAGOSHI,Kazuyoshi Haga. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US9070817B2. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150043604A1. Автор: Takeshi Yokoyama,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Light-emitting element, and method for producing a light-emitting element

Номер патента: US20200395351A1. Автор: Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Light emitting element, display element, and method for producing light emitting element

Номер патента: US20190165322A1. Автор: Kimihiro Shinya. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978726B2. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1721341A1. Автор: Joongseo 606-103 Samsung Raemian PARK. Владелец: Epivalley Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240106196A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Organic optoelectronic component with a light emitting element and a light detecting element and method for operating such an organic optoelectronic component

Номер патента: US09721992B2. Автор: Michael Popp,Marc Philippens. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Wavelength converting module and semiconductor light-emitting apparatus using the same

Номер патента: US09869927B2. Автор: Soji Owada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050087734A1. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Light-emitting element lamp and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220262992A1. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Material for forming organic light-emitting layer, coating liquid for forming organic light-emitting element, organic light-emitting element and light source device, and method for manufacturing same

Номер патента: US09954193B2. Автор: Hiroshi Sasaki,Sukekazu Aratani,Shingo Ishihara,Hirotaka Sakuma,Naoya Tokoo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor light emitting device, backlight, color image display device and phosphor to be used for them

Номер патента: US09541238B2. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Charge transport film, method for producing the same, and light-emitting element and photoelectric conversion element using the same

Номер патента: US09449732B2. Автор: Tasuku Satou,Yoshio Inagaki,Naoyuki Hayashi,Koji Takaku,Kana Morohashi,Ryo Nishio. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Light extraction product for semiconductor light emitting device and light emitting device

Номер патента: US09419249B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Aya Takagiwa. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110298006A1. Автор: Hiroshi Ohno,Nobuaki Nagao,Takahiro Hamada,Kazuhiko Yamanaka,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US7259398B2. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Light-emitting element and method for manufaturing same

Номер патента: US20230084597A1. Автор: Masaki Yamamoto,Tadashi Kobashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing light extraction substrate for organic light-emitting element, light extraction substrate for organic light-emitting element, and organic light-emitting element comprising same

Номер патента: US09960387B2. Автор: Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Eun Ho Choi. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing light extraction substrate for organic light emitting element, light extraction substrate for organic light emitting element, and organic light emitting element including same

Номер патента: US09893320B2. Автор: Min Seok Kim,Seo Hyun Kim,Hong Yoon,Jang Dae Youn,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Display device using semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2617917C1. Автор: Бюнгдзоон РХЕЕ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2017-04-28.

Semiconductor light emitting device and head mount display device

Номер патента: EP2506319A2. Автор: Takahito Suzuki,Shinya Jumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Semiconductor light-emitting device, and water disinfection device

Номер патента: US20230223736A1. Автор: Takayoshi Yamane,Chizu Saito,Shogo KIRAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Light emitting element and method for maufacturing light emitting element

Номер патента: US09660217B2. Автор: Takashi Seki,Maki Fukuda,Suzushi Nishimura,Shigetaka Toriyama. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Display apparatus using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09846510B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-19.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09799634B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Surface-modified metal oxide particle material, dispersion liquid, silicone resin composition, silicone resin composite body, optical semiconductor light emitting device, lighting device, and liquid crystal imaging device

Номер патента: US09651821B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Display device using semiconductor light emitting devices

Номер патента: US09627363B2. Автор: Byungjoon Rhee,Chisun KIM,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Transparent Inorganic Oxide Dispersion and Iorganic Oxide Particle-Containing Resin Composition, Composition for Sealing Light Emitting Element and Light Emitting element, Hard Coat Film and Optical Functional Film and Optical Component, and Method for Producing Inorganic Oxide Pariticle-Containing Resin

Номер патента: US20090140284A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Yoichi Sato,Naoki Takamiya,Toru Kinoshita,Ryosuke Nakamura,Yasuyuki Kurino,Yoshizumi Ishikawa,Tsuyoshi Kawase,Yuko Katsube. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Apparatus with light-emitting element and method for producing it

Номер патента: US5438586A. Автор: Satoshi Ishii,Hiroshi Kondo,Koh Ishizuka,Tetsuharu Nishimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-08-01.

Group III Nitride Compound Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20080303017A1. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Group III nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7737431B2. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Light emitting elements drive control device, droplets-deposited layer drying device, and image forming apparatus

Номер патента: US09502862B2. Автор: Takashi Fujimoto,Akira Sakamoto,Jun Isozaki,Chikaho Ikeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7423294B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20240313501A1. Автор: Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: CA1138561A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Tadashi Fukuzawa,Motohisa Hirao,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-28.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High-reliability low-defect semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222931A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everybright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420909A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Light-emitting device

Номер патента: US20100200868A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Terukazu Naruse,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09787059B2. Автор: Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US09871347B2. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor light-emitting element and method for designing phase modulation layer

Номер патента: US20200106240A1. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Soh UENOYAMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns

Номер патента: US11777276B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Soh UENOYAMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216275A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Light emitting element having multiple surface areas of a semiconductor layer and method of producing same

Номер патента: US09595810B2. Автор: Masaru Kuramoto,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200412102A1. Автор: Shinichi Takigawa,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230142319A1. Автор: Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10186838B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Norio Iizuka,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki,Hirotaka Uemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230155346A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for designing phase modulation layer and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20240364079A1. Автор: Hiroki Kamei,Koyo Watanabe,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US5970080A. Автор: Toshio Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device

Номер патента: US11962122B2. Автор: Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current

Номер патента: US20030118063A1. Автор: Mitsuru Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same

Номер патента: US20010040908A1. Автор: Tsutomu Munakata,Kashima Yasumasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Light emitting element, method for manufacturing light emitting element, and method for designing phase modulation layer

Номер патента: US12119612B2. Автор: Akio Ito,Tadataka Edamura,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Light emitting element including side surface dielectric layer for avoiding impurity adhesion

Номер патента: US8441029B2. Автор: Chiaki Sasaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US11955772B2. Автор: Koichi Oyama,Hiroyuki Tarumi,Kiichi Hamamoto,Yuki Kamata,Haisong Jiang. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216276A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Surface light-emission type semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4047761A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry

Номер патента: US09948065B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US20170098922A1. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-04-06.

Light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: EP3648266A1. Автор: Susumu Sato,Hiroshi Nakajima,Masamichi Ito,Tatsushi Hamaguchi,Jugo Mitomo,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5684824A. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09991669B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting

Номер патента: US8885685B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941662B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Tomoyuki Oki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09935427B2. Автор: Seiichiro Kobayashi,Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484713B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Tomoyuki Oki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5627851A. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214789B2. Автор: Toru Takayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8759812B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200106243A1. Автор: Yuki Maeda,Masaru Kuramoto,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Driver circuit for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4900912A. Автор: Takashi Shoji. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7745895B2. Автор: Hiroshi Inada,Yasuhiro Iguchi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Illumination apparatus including semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US09591709B2. Автор: Hye Man Jung. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for driving semiconductor light-emitting device assembly

Номер патента: US09480111B2. Автор: Weiqiang Zhang,Lizhi Xu,Yuanyuan Zhong. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing quantum dot composition and method for manufacturing light emitting element including the same

Номер патента: US12043778B2. Автор: Yunku JUNG,Minki NAM,Sooho Lee,Yunhyuk KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240188394A1. Автор: Jingwen FENG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Lighting fixture comprising semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: RU2605451C2. Автор: Хие Ман ДЗУНГ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-12-20.

Light emitting element, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US12069880B2. Автор: Takayoshi Kato,Shimpei Tsujikawa,Naoya Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for producing light-emitting particles, light-emitting particles, light-emitting particle dispersion, ink composition, and light-emitting element

Номер патента: US20220145108A1. Автор: Koichi Endo,Yoshio Aoki,Misao Horigome,Shinichi Hirata,Takuo Hayashi,Masahiro Horiguchi,Jianjun Yuan,Yasuo Umezu. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4277451A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Kuo-Cheng Hsu,Chih-Cheng YEN,Ker Tai Chu. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Light-emitting element, display device, method for manufacturing light-emitting element, method for manufacturing display device, method for manufacturing quantum dot colloidal solution, and quantum dot colloidal solution

Номер патента: US20240141227A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Yasushi Asaoka,Yuma YAGUCHI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Quantum dot composition, light emitting element, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12129416B2. Автор: Jaehoon Kim,Changhee Lee,Yunku JUNG,Jaekook HA,SeHun KIM,Hyojin KO,Dukki Kim,Hyunmi DOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor light-emitting module and vehicle luminaire

Номер патента: US09453638B2. Автор: Peter Frey,Roland Fiederling,Harald Kaps,Jenny Trommer. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-09-27.

Projection device, projection control method, and storage medium, suitable for projector or the like using semiconductor light-emitting element as light source

Номер патента: US09958763B2. Автор: Toshiharu Arai,Takeo ISHIZU. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Light source unit having semiconductor light emitting elements and projector having same light source unit

Номер патента: US20160077418A1. Автор: Kyo Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light-emitting element mounting module, semiconductor light-emitting element module, semiconductor light-emitting element light fixture, and manufacturing method of semiconductor light-emitting element mounting module

Номер патента: US20120051052A1. Автор: Atsushi Sato,Toru Wagatsuma. Владелец: Kyocera Elco Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Estimation method and apparatus for semiconductor light emitting element capable of inspecting by wafer

Номер патента: US5541416A. Автор: Syoichi Washizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11869416B2. Автор: Sunghwan Kim,Hongkyu Lee,Byunghun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light emitting element coupled with optical fiber

Номер патента: US20020061169A1. Автор: Kiyoyuki Kawai,Masanobu Kimura,Kazuyoshi Fuse,Ritsuo Yoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12100319B2. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-24.

Arrow or bolt having at least one light emitting element positioned off the center axis of the shaft of the arrow or bolt, and devices and methods for providing such an arrow or bolt

Номер патента: US20210262773A1. Автор: Tim Crabtree,Phillip Kirsch. Владелец: Kirsch LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Rotatable display device using semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: US12073744B2. Автор: Sungwhan LEE,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

System for displaying image and driving method for organic light-emitting element

Номер патента: US20080042941A1. Автор: Shih-Chang Chang,Du-Zen Peng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor light-emitting elements

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

Semiconductor light-emitting device with porous buffer layer

Номер патента: RU2402837C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм,Дмитрий Александрович Закгейм (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2010-10-27.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.