SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A GATE CORE AND A FIN ACTIVE CORE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
Номер патента: US20160111524A1
Опубликовано: 21-04-2016
Автор(ы): BAI KeunHee, HA Seungseok, PARK Eunsil, SHIN Heonjong, YEO Kyounghwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-04-2016
Автор(ы): BAI KeunHee, HA Seungseok, PARK Eunsil, SHIN Heonjong, YEO Kyounghwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer
Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.