Low power floating body memory cell based on low bandgap material quantum well
Номер патента: US7964866B2
Опубликовано: 21-06-2011
Автор(ы): Gilbert Dewey, Ravi Pillarisetty, Titash Rakshit
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-06-2011
Автор(ы): Gilbert Dewey, Ravi Pillarisetty, Titash Rakshit
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low power floating body memory cell based on low bandgap material quantum well
Номер патента: US20090279355A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Titash Rakshit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-11-12.