Semiconductive structure useful as a pressure sensor
Номер патента: US4945769A
Опубликовано: 07-08-1990
Автор(ы): David E. Moss, Diane W. Sidner, Douglas J. Yoder
Принадлежит: Delco Electronics LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-08-1990
Автор(ы): David E. Moss, Diane W. Sidner, Douglas J. Yoder
Принадлежит: Delco Electronics LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof
Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.