Tantalum sputtering target and manufacturing method thereof
Номер патента: JPWO2014097900A1
Опубликовано: 12-01-2017
Автор(ы): 光太郎 永津, 真一郎 仙田
Принадлежит: JX Nippon Mining and Metals Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-01-2017
Автор(ы): 光太郎 永津, 真一郎 仙田
Принадлежит: JX Nippon Mining and Metals Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Oxide sintered compact and its manufacturing method, sputtering target, and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: KR102401708B1. Автор: 미키 미야나가,히데아키 아와타,겐이치 와타타니. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-05-26.